JP4109860B2 - Mounting structure manufacturing method and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は高密度かつ小型化が要求される半導体パッケージや液晶モジュールなどの電子部品を実装する場合の実装構造体や、高性能化や高機能化および小型化が急速に進んでいる携帯電話やビデオカメラなどのモバイル電子機器において電子部品を実装する場合に用いられる実装構造体およびその製造方法に関する。また、高密度で小型薄型のエリア実装に関わる広範なニーズに対応した実装構造体およびその製造方法を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体集積回路(以下、その英文Integrated Circuitを省略してICと略記する)パッケージなどの接合部材とプリント回路基板などの被接合部材とを半田を用いて接合する場合は、接合部材と被接合部材のどちらか一方の接合端子にあらかじめ半田が付けられた状態で行うのが通常である。このとき、接合端子表面に球形形状の半田が格子状に配列されている場合には、半田が付けられている方の部材をボールグリッドアレイ(Ball・Grid・Array)パッケージ(以下、BGAパッケージと称す)と呼んでいる。通常、ICパッケージがBGAパッケージとなる。
【0003】
このようなBGAパッケージを用いた電子部品の従来の実装の一例について図5を用いて説明する。図5は、従来の実装配置の一例を示した模式的断面図である。ICパッケージ101の接合端子102とプリント回路基板の接合端子105とは精密に位置を合わせて半田103によって接合され、ICパッケージ101とプリント回路基板104とを電気的に接続して1つの電気回路を構成するようになっている。また、この球形半田103による接合は、ICパッケージの接合端子102とプリント回路基板の接合端子105の界面で球形半田103との合金を形成して機械的にも強固に結合している。最近では図示したように、ICパッケージの接合端子102とプリント回路基板の接合端子105の配置に対応した位置に貫通孔を持った熱可塑性樹脂などで形成された高分子基材からなるアンダーフィル樹脂シート106をICパッケージ101とプリント回路基板104との間に挿入して半田接合と同時にこれら部材を熱圧着する方法も用いられるようになってきた(特開2001−24029号公報)。このように構成することにより、接合時に発生するソルダーボールなどによる短絡を防ぐことができる上に、接合端子や半田近傍の保温性を向上させることができるために、熱的に安定した接合が可能となる。
【0004】
また、ICパッケージ101の接合端子102とプリント回路基板104の接合端子105とを半田103によって接合した後、ディスペンサなどを用いてICパッケージ101とプリント回路基板104との隙間に高分子接着剤を注入硬化してアンダーフィル剤を形成する場合も多い。このようにアンダーフィル剤を注入硬化することによってICパッケージ101とプリント回路基板104とを接着固定できるため、接合の機械的強度を向上させることができる上に、ICパッケージ101とプリント回路基板104との隙間をなくして外部からのゴミの混入を防止して短絡などの接続不良をなくすることもできる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のようにBGAをあらかじめICパッケージやプリント回路基板に形成する方法には、以下のような課題があった。すなわち、BGAをICパッケージに形成する場合、例えば球形半田103をICパッケージの接合端子102に溶着させるためにICパッケージやプリント回路基板を加熱しなければならない上に、実装時に球形半田を溶融半田にするために、再びこれらの実装部品を加熱しなければならず、ICパッケージやプリント回路基板に熱損傷を与えやすいという問題点を有していた。
【0006】
さらにまた、BGAを形成する場合に、例えばICパッケージの接合端子102上に球形半田103が正常に形成できなかった場合は、これらの球形半田103をICパッケージの接合端子102から一旦除去した後、再び球形半田103を再配列させてBGAを再生するリボール作業を行ったり、それが不可能な場合は不良を生じた高価なICパッケージを廃棄したりしなければならないという問題点を有していた。特に、近年では環境汚染を防止するため、半田合金としては鉛を含有しない鉛フリー半田が多用されるようになってきており、そのため半田接合時の温度も220〜240℃と高温にしなければならなくなってきた。そのため、上述した半田接合時の電子部品の熱損傷に関する問題点はますますクローズアップされるようになってきている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、熱可塑性材料または熱硬化性材料から形成され、かつ接合部材および被接合部材の接合端子の配置に対応した位置に貫通孔を有する高分子基材からなる実装構造体において、貫通孔に半田組成物が充填されてなることを特徴とする実装構造体を用いた。
【0008】
アンダーフィル剤の代わりにこのような実装構造体を用いることにより、BGAを用いることなく容易に半田接合実装が可能となり、そのためBGAの球形半田形成不良もなくなるため上記問題点を解決することができた。
【0009】
本発明の実装構造体を貫通孔内面と半田組成物との界面には金属膜が形成されてなることを特徴とする構造とした。
【0010】
このようにすることにより、半田組成物と高分子基材との密着力を高めることができ、その結果BGAを用いなくてもより安定な半田接合が可能となり問題点を解決した。
【0011】
本発明の実装構造体において、高分子基材は、高耐熱性高分子材料からなる主基材と、主基材の両面を被覆した主基材よりも低温で軟化する熱硬化性高分子材料または熱可塑性高分子材料からなる融着基材とから形成された3層構造の高分子基材からなる構造とした。
【0012】
このような構造にすることにより、ICパッケージのような接合部材とプリント回路基板などの被接合部材とを、3層構造の高分子基材によって強固に熱融着することが可能となり、その結果BGAを用いなくてもより安定な半田接合が可能となり上記問題点を解決した。
【0013】
本発明の実装構造体を、上記高分子基材の両面に1対のフラックス剤層が形成されている構造とした。
【0014】
このような構造にすることにより、より信頼性の高い半田接合が可能となると同時に、ICパッケージのような接合部材とプリント回路基板などの被接合部材と高分子基材の界面での密着力を向上させることができ上記問題点を解決した。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明による実装構造体は、接合部材および被接合部材の接合端子の配置に対応する位置に貫通孔を有する高分子基材と、貫通孔に充填された半田組成物を備えることとする。
【0016】
さらに、貫通孔の内面と半田組成物との界面に金属膜を設けることとする。
【0017】
さらに、高分子基材が、高耐熱性高分子材料からなる主基材と、主基材よりも低温で軟化する高分子材料からなる融着基材を備えることとする。
【0018】
また、本発明による実装構造体の製造方法は、基材の両面に高分子材料からなる保護フィルムを貼り付け、保護フィルムと基材に貫通孔を設け、この貫通孔の内面にフラックス剤を被覆し、その後、半田が溶融されている半田浴の中に、フラックス剤が被覆された高分子基材を浸漬して引き上げて、半田組成物を貫通孔の内部に充填させ、保護フィルムを基材から剥離することとする。
【0019】
さらに、フラックス剤を塗布した後で、常温風または温風を吹きつけて揮発性の有機溶剤成分を揮発させることとする。
【0020】
また、半田浴に高分子基材を浸漬して引き上げた後で、保護フィルムの表面に付着した溶融半田を冷却前にローラまたはドクターブレードを用いて均一化することとする。
【0021】
また、本発明による実装構造体の製造方法は、基材に高分子材料からなる保護フィルムを貼り付ける工程と、保護フィルムと基材に貫通孔を設ける工程と、基材の両面に、半田合金粉末、フラックス、及びペースト剤の混合物を印刷することにより、貫通孔の内面にこの混合物を充填する工程と、保護フィルムを基材から剥離する工程と、を備えることとする。
【0022】
【実施例】
以下に、本発明の実装構造体およびそれを用いた実装方法について、図面を参照しながら説明する。
【0023】
図1は、本発明の実装構造体に関する実施例の一形態を示す模式的断面図である。高分子基材1には、ICパッケージなどの接合部材やプリント回路基板などの被接合部材に形成されている接合端子の配置に対応した位置に貫通孔が形成されている。この貫通孔の内部には半田組成物2が充填されている。半田組成物2としては、スズと鉛を主成分としてそれに銅や銀やアンチモンを添加した鉛半田や、スズを主成分としてそれに銅や銀やアンチモンを添加した鉛フリー半田を用いることができる。近年における、公害汚染等の環境問題を考えると、半田組成物2としては鉛フリー半田を用いることが好ましい。この半田組成物2の表面形状は曲面となっており、高分子基材1のどちらかの面の方向に偏って充填されている。
【0024】
一般に、接合端子の形状は円または矩形である場合が多い。また、接合端子には配線の一部、または、その端部がそのまま用いられる場合も多い。貫通孔も接合端子も円形形状をしている場合は、貫通孔の直径は接合端子の直径とほぼ同程度かやや大きくする。貫通孔が矩形形状で接合端子が円形形状の場合には、貫通孔の内接円の直径が接合端子の直径とほぼ同程度かやや大きくなるようにする。貫通孔が円形形状で接合端子が矩形形状の場合には、貫通孔の直径が接合端子の外接円の直径とほぼ同じ程度かやや大きくなるようにする。貫通孔も接合端子も矩形形状の場合は、貫通孔の内接円(または外接円)の直径が接合端子の内接円(または外接円)の直径とほぼ同程度かやや大きくなるようにする。接合端子として配線の一部または端部が用いられる場合は、接合端子形状が矩形形状の場合に準じて貫通孔の大きさが決められる。また、高分子基材の厚みは貫通孔の大きさと同程度かそれよりも薄くする。
【0025】
また、高分子基材1としては、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱可塑性ポリエチレンテレフタレート樹脂、熱可塑性エポキシ樹脂、熱可塑性アクリル樹脂、熱可塑性ポリオレフィン樹脂、熱可塑性塩化ビニル樹脂、熱可塑性フェノール樹脂、熱可塑性ナフタレン樹脂、熱可塑性エステル樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂あるいは熱可塑性シリコン樹脂を主成分とする有機高分子材料が用いることができる。あるいは、高分子基材1を、熱硬化性ポリイミド樹脂、熱硬化性ポリエチレンテレフタレート樹脂、熱硬化性エポキシ樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、熱硬化性ポリオレフィン樹脂、熱硬化性塩化ビニル樹脂、熱硬化性フェノール樹脂、熱硬化性ナフタレン樹脂、熱硬化性エステル樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂あるいは熱硬化性シリコン樹脂を主成分とする有機高分子材料で形成する。
【0026】
次に、図1に示した本発明の実装構造体を製造する方法について、図6を用いて説明する。
【0027】
保護フィルム貼り付け工程9において、高分子基材1に塩化ビニルやポリウレタンあるいはPETなどの高分子材料からなる保護フィルムを貼り付ける。この保護フィルムは、貼り付け面に粘着剤が塗布形成されており、高分子基材との隙間に気泡が入らないように均一に押し付けることによってその高分子基材に貼り付けることができる。この保護フィルム貼り付け工程9は、保護フィルムの粘着剤面を被覆している粘着防止テープを剥離しながら、保護フィルムと高分子基材の端面同士を合わせ、ウレタンなどの弾力性のある材料で表面を被覆した圧延ロールを用いて端面から順次圧延していくことにより容易に行うことができる。この保護フィルムは、高分子基材の両面に貼り付けられる。本実施例で用いた保護フィルムの厚さは30〜100μmであるが、使用目的によってはさらに薄い保護フィルムを用いても良い。
【0028】
貫通孔形成工程10において、ICパッケージの接合端子およびプリント回路基板の接合端子に対応した位置に、保護フィルムと一緒に高分子基材に貫通孔を穿孔する。この工程で用いる穿孔手段としては、接合端子の配列に対応した型が形成された打ち抜き金型を用いて機械的に穿孔したり、炭酸ガスレーザやYAGレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザ光を接合端子の配列に対応した箇所に照射して高分子材料を溶融蒸発または分解蒸発させて穿孔したりする方法を用いることができる。打ち抜き金型を用いる場合は、バリが発生するため、バリ取り工程が必要となる場合がある。このようにして、本工程では高分子基材とその両面に貼り付けられた保護フィルムの両方に、接合端子の配列に対応した貫通孔が形成されることになる。
【0029】
次のフラックス剤塗布工程11では、浴槽に入れたフラックス剤に貫通孔形成工程12で貫通孔を形成した高分子基材を浸漬あるいはディッピングして、フラックス剤を高分子基材の両面に均一に塗布し、被覆する。このとき、フラックス剤は、貫通孔の内面と保護フィルムの表面に一様に塗布される。このとき、浸漬あるいはディッピングの後で、ローラやドクターブレード等の平坦化手段を用いることにより、フラックス剤の均一化をはかることもできる。
【0030】
フラックス剤は半田付けする場合に接合面を清浄化して半田の濡れ性や接合強度を改善するなどの作用を有しており、マツヤニ溶剤または四ホウ酸ナトリウムと塩化アンモニウム混合溶剤などからなる融剤である。電子部品に用いられるフラックス剤には塩化物を可能な限り排除するのが通常である。近年では、環境汚染や公害を防止する目的で鉛を成分として含まない鉛フリー半田が多く使用されるようになってきたが、フラックス剤もそれに応じて種々のものが使用されるようになった。
【0031】
さらに、このフラックス剤塗布工程11では、上述のようにして高分子基材の両面に塗布されたフラックス剤を、常温風または温風を吹きつけ揮発性の有機溶剤成分を揮発させてフラックス剤を乾燥する。この工程によって、貫通孔や保護フィルムの表面に余分に付き過ぎたフラックス剤を適量でかつ一様に被膜することができる。
【0032】
次の半田浴浸漬工程12は、200〜240℃で半田が溶融されている半田浴の中に、フラックス剤が塗布された高分子基材を浸漬して引き上げ、溶融半田を高分子基材の両面に塗布した後冷却して、半田組成物を貫通孔内部に充填する工程である。ここで、溶融半田の冷却前に、ローラまたはドクターブレードを用いて溶融半田の均一化を図ることもできる。この半田浴浸漬工程により、高分子基材が半田浴に浸漬されるとこの高分子基材の全面が溶融半田で濡れ、貫通孔内部にも入り込む。半田浴から高分子基材を取り出すときに表面を覆っていた溶融半田は自重のために流れ落ち、さらにローラやドクターブレードで削ぎ取られるために高分子基材を覆っている保護フィルムの表面には半田の薄層が残るだけである。しかしながら、高分子基材に開けられた貫通孔内部の溶融半田は表面張力のために貫通孔内部に留まろうとし、またローラやドクターブレードの作用も受けないために、図1に示すように半田は表面形状を球形あるいは曲面に保った状態で貫通孔内部に残留する。また、このとき溶融半田は重力の方向に力を受けるために、高分子基材のどちらかの面の方向に偏った位置で冷却固化される。
【0033】
最後に、保護フィルム剥離工程13で、保護フィルムを剥離すれば、貫通孔内部に半田組成物が充填された清浄な表面を持った高分子基材が得られ、本発明の実装構造体を形成することができる。この場合、高分子基材の両面に対称な力が作用するように保護フィルムを剥離することが重要である。さもないと、貫通孔近傍での保護フィルム上に残存した半田被膜が厚かった場合に、どちらか力が偏った方向に半田被覆と一緒に貫通孔内部に充填された半田組成物が抜け落ちることがあるからである。
【0034】
上述した例では、高分子基材の貫通孔内部に半田組成物として半田合金を充填する場合について説明したが、半田組成物として半田合金粉末とフラックスおよびペースト剤の混合物である、いわゆる半田ペーストを充填する場合もほぼ同様にして実現することができる。貫通孔内部に半田合金を充填する場合と異なっている点は、充填方法としては高分子基材の両面に前記半田ペーストをローラ印刷やスクリーン印刷などの印刷法で形成する点だけである。この場合、半田ペーストは粘度が高いために、貫通孔充填後の半田ペーストの表面形状はほぼ平面を保っている。なお、半田組成物として半田ペーストを貫通孔内部に充填した本発明の実装構造体は、使用するまで長時間保管しなければならない場合は、冷暗所で保管することが好ましい。
【0035】
次に、以上のようにして作製した実装構造体を用いた実装方法について、図4を用いて説明する。
【0036】
本発明の実装構造体を用いた実装では、図4に示すように、ICパッケージの接合端子6には球形半田が形成されていない。すなわち、本発明の実装構造体を用いる限り、ICパッケージ5やプリント回路基板7に球形半田を形成してBGAパッケージとする必要がないのである。
【0037】
また、本発明の実装構造体は、半田組成物2が偏った方向の面をプリント回路基板7に向けて配置されている。これは、ICパッケージの接合端子6の平坦度に比べて、プリント回路基板の接合端子8の平坦度が悪いために、このような配置にすることによって、より確実な接合が可能となるのである。
【0038】
次に、上記で説明した実装構造体の実装工程について説明する。図7は本発明の実装構造体を用いた実装工程の1実施形態を示した工程流れ図である。
【0039】
実装部品供給工程14において、実装部材であるICパッケージ、実装構造体および被実装部材であるプリント回路基板を所定の実装装置に供給する。この工程では部品を供給するばかりでなく、実装構造体に形成されている半田組成物の欠損のあるなしをあらかじめ検査しておくことが望ましい。
【0040】
実装部品位置出し工程15では、実装部材であるICパッケージ、本発明の実装構造体、および被実装部材であるプリント回路基板を実装装置上で位置合わせをする工程である。
【0041】
このときの位置関係は図4に既に示した。図示していないが、このときICパッケージの接合端子7とプリント回路基板の接合端子9の表面にはフラックス剤が印刷で塗布された状態にある。
【0042】
実装部品位置出し工程15では、図4に示したように、ICパッケージの接合端子6とプリント回路基板の接合端子8とが相対向するように配置され、これら接合端子の配置に対応した位置に本発明の実装構造体に形成した半田組成物2が配置されるように位置出しされる。
【0043】
次の被実装部材と実装構造体との合わせ工程16では、上記のようにしてプリント回路基板の接合端子8の位置に本発明の実装構造体の半田組成物2が対向するように配置してから、実装構造体をプリント回路基板に押し付けて固定する。
【0044】
上記に示した実装部材と被実装部材の位置出しは、本発明の実装構造体とプリント回路基板7とにアライメントマークを形成しておき、そのアライメントマークを画像処理装置により読み取ってこれらのアライメントマークの位置を合わせることによってこれらの部材の位置出しを自動的に行う。また、ICパッケージ5の位置出しは、本発明の実装構造体に形成したアライメントマークに、このICパッケージ5の所定の位置を合わせることによって行う。ICパッケージを合わせるためのアライメントマークは、プリント回路基板7の位置出しで用いたものと同じものを併用しても構わないし、プリント回路基板7の位置出しで用いたものとは別のものを形成して用いても構わない。
【0045】
次の工程は、実装部品予熱工程である。この工程では、上記のプリント回路基板の接合端子8の位置に実装構造体の半田組成物2が対向するように配置し、押し付けて固定した状態で、180〜200℃の温度でICパッケージ、実装構造体、およびプリント回路基板を予熱して、ICパッケージの接合端子6やプリント回路基板の接合端子8の上に形成されたフラックス剤を溶融反応させる。このことによって、ICパッケージやプリント回路基板の接合端子6や8の表面が清浄化されて半田との反応性を向上させることができる。
【0046】
次の工程は、実装部品加熱工程である。この工程は、上記ICパッケージや本発明の実装構造体、およびプリント回路基板を200〜240℃に加熱して、本発明の実装構造体に形成されている半田組成物2を溶融させる工程である。
【0047】
次の工程は、実装部品溶着工程19である。この工程では、上記ICパッケージや本発明の実装構造体、およびプリント回路基板を200〜240℃に加熱した状態でICパッケージを移動させて、半田組成物2を溶融してなる溶融半田とICパッケージの接合端子6およびプリント回路基板の接合端子8とを接触させて合金化すると同時に、本発明の実装構造体を介してICパッケージ5をプリント回路基板7に加圧して本発明の実装構造体と密着させる工程である。
【0048】
この工程により、ICパッケージ5およびプリント回路基板7と本発明の実装構造体の界面が密着し、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂で構成された実装構造体を構成する高分子基材1が、ICパッケージ5およびプリント回路基板7と溶融接着されてこれらの部品が完全に接合される。
【0049】
次の工程は、実装部品冷却工程20である。この工程では、加熱密着された実装部材、実装構造体、非実装部材を上記溶融半田が固化する温度まで冷却する工程である。
【0050】
最後の工程は、上記のようにして得られた実装完成体を実装装置から取り出す工程である。このようにして取り出された実装完成体は、図8に示されるような構造となっている。図8は本発明の実装構造体を用いて実装を行った実装完成体の構造を示す模式的断面図である。なお、図8の説明において、図4の説明で用いたのと同じ作用を有する要素には同一の符号を付し、その説明を省略した。これらの図から分かるように、本発明の実装構造体を用いた実装部品の実装は、ICパッケージの接合端子6とプリント回路基板の接合端子8とを半田組成物2で強固に固定すると同時に電気的な接合を実現し、さらに高分子基材1でICパッケージ5とプリント回路基板7とを熱接着するために極めて機械的強度に優れた実装となっている。
【0051】
次に、本発明による実装構造体の他の実施例を示す。図2は本実施例の実装構造体を示す模式的断面図である。なお、図2の説明において、図1と同様の機能を有する要素には同一の符号を付しその説明を省略した。図2に示す実装構造体の構造において図1に示したものと異なっている点は、高分子基材1に開けられた貫通孔の内面と半田組成物2との間に金属膜3が形成されている点と、半田組成物2の表面形状が高分子基材1の両面で非対称になっている点だけである。
【0052】
半田組成物2と金属膜3は界面で合金化して接合されているために、この金属膜3がない場合に比較して半田組成物2は高分子基材1と極めて強固に密着している。このことにより、半田組成物2は外力に対して強固に耐えることができ、落下欠損などの不良はほとんど生じなくなる。また、半田組成物2の表面形状が高分子基材1の両面で非対称になっているのは、半田組成物2が前記貫通孔の端面までしっかりと付着しているためである。
【0053】
金属膜3として用いられる金属材料としては、半田との濡れ性が良く、半田と合金化しやすい金属であればどのような金属でも用いることができる。そのような金属として、例えば、金、銀、銅、ビスマス、アンチモン、スズ、亜鉛、あるいは鉛などの金属やこれらの合金を用いることができる。
【0054】
金属膜3は、貫通孔の内面に一様に形成されていることが望ましいが、貫通孔の内面の1部に形成されていても良い。
【0055】
図2に示す実装構造体の製造方法が図1に示す実装構造体の製造方法と異なっている点は、図6に示した貫通孔形成工程10の後に金属膜形成工程が入るだけである。この金属膜形成工程は、浴槽に入れた有機金属化合物ペーストに貫通孔を形成した保護フィルムが貼り付けられた高分子基材を浸漬あるいはディッピングして、有機金属化合物ペーストを高分子基材の両面に貼り付けられた保護フィルムの表面と貫通孔の内面に均一に塗布する工程である。このとき、浸漬あるいはディッピングの後で、ローラまたはドクターブレードを用いて均一化することが望ましい。有機金属化合物ペーストとしては、有機配位子金属錯体を含有する有機化合物を溶媒に分散させて形成したものである。金属錯体を構成する金属元素としては、金、銀、亜鉛、ビスマス、クロム、鉛、アンチモン、コバルト、銅、スズなどを用いることができる。有機配位子金属錯体の有機配位子としては、安息香酸、ステアリン酸、ナフテン酸、オクチル酸、カブリル酸、ラウリル酸、バルミチン酸、リノール酸、オレイン酸などを用いることができる。さらに、有機金属化合物を溶解する溶媒としては、石油系溶媒、ベンゼン、アルコール系溶媒、トルエン系溶媒などの通常の有機溶媒を用いることができる。また、有機金属化合物が前記溶媒に溶解しにくい場合は、トリオクチルフォスフィンオキシドやリン酸トリブチルやアミンなどの付加錯体を生成する配位子を添加すると良い。
【0056】
有機金属化合物ペーストの塗布は、上記の浸漬やディッピング以外にもスピンコーティングや印刷などを用いることができる。ただし、スピンコーティングや印刷法を用いる場合は、高分子基材の両面に均一に塗布するように注意しなければならない。そのためには、有機金属化合物ペーストの粘度を充分最適化しておくことが重要である。
【0057】
次に、高分子基材の両面に温風を吹き付けることにより、この高分子基材の両面に塗布された有機金属化合物ペーストに含有されている溶媒を揮発除去するとともに、有機金属化合物を反応・熱分解して金属元素を析出させて金属膜を形成する。ここで、温風の温度は100〜300℃程度であり、温度が低すぎると充分溶媒が揮発除去できない上に有機金属化合物の反応や熱分解が起こらない。また、温度が高すぎると高分子フィルムが溶融したり析出金属が酸化したりしてしまう。ただし、有機金属化合物は100%熱分解させる必要はなく、部分的に金属元素が析出している状態でも実装接合時の半田の濡れ性を著しく改善することができる。そのため、図6に示す半田浴浸漬工程12において、溶融半田に重力が作用しても半田組成物2が前記貫通孔の端面までしっかりと付着させることができる。
【0058】
上記の説明では、有機金属化合物を用いた金属膜の形成方法について説明したが、この有機金属化合物を用いる代わりに、真空蒸着法やスパッタ法などの物理的気相成長法やCVDなどの化学的気相成長法あるいはメッキ法などを用いて金属膜を形成しても良いことは言うまでもない。しかし、上記に説明した有機金属化合物を用いる方法は、これらの気相成長法やメッキ法に比較して、安価な方法で、再現性良く、安全に上記金属膜を形成することが可能である。
【0059】
このように貫通孔の内面に金属膜3を形成しておくと、図7で示した実装部品溶着工程19において、貫通孔の内面に金属膜3が形成されていない場合に比べると、半田組成物2が貫通孔の端面までしっかりと付着しているためにICパッケージの接合端子とプリント回路基板の接合端子とが確実に半田で接合することが可能となる。
【0060】
さらにまた、保護フィルム剥離工程で高分子基材の両面に対称な力が作用するように保護フィルムを剥離することに対しては、金属膜によって半田組成物が強固に高分子基材に密着しているため、それほど注意を払う必要はない。
【0061】
図2に示した実装構造体を用いて実装した実装完成体の模式的断面図を図9に示す。図9からも分かるように、金属膜3は実装完成体の構造として残存しているが、実装前の金属膜の厚み、材質や実装温度、実装時間によっては、溶融半田と完全に固溶して消失している場合が多い。
【0062】
また、他の実施形態を図3に示す。図3は3層構造を有する高分子基材を用いた実施形態の1例を示す模式的断面図であり、主基材1aの表面に融着基材4aおよび4bが設けられている。なお、図3の説明において、図2と同様の作用を有する要素には同一の符号を付しその説明を省略した。
【0063】
主基材1aを形成する材料としては、ポリイミドやシリコン系高分子材料あるいはこれらと無機フィラーとの混合物などの高耐熱性高分子材料を用いることができる。また、融着基材4aおよび4bとしては、高耐熱性高分子材料よりも低い軟化点を有する熱硬化性PET樹脂、熱硬化性エポキシ樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、熱硬化性ポリオレフィン樹脂、熱硬化性塩化ビニル樹脂、熱硬化性フェノール樹脂、熱硬化性ナフタレン樹脂、熱硬化性エステル樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの低融点熱硬化性高分子材料を用いることができる。また、融着基材4b、4bとしては、低融点熱硬化性高分子材料の代わりに、高耐熱性高分子材料よりも低い軟化点を有する熱可塑性ポリエチレンテレフタレート樹脂、熱可塑性エポキシ樹脂、熱可塑性アクリル樹脂、熱可塑性ポリオレフィン樹脂、熱可塑性塩化ビニル樹脂、熱可塑性フェノール樹脂、熱可塑性ナフタレン樹脂、熱可塑性エステル樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂などの低融点熱可塑性高分子材料を用いても良い。
【0064】
図3に示した本発明の3層構造を有する実装構造体の最適厚みは、上記実装部材や被実装部材に設けられている接合端子の大きさやピッチに依存するが、50〜500μmの範囲に存在しており、多くの場合は100〜400μmの範囲に存在している。また、このときの主基材1aの厚みは30〜300μm、融着基材4a、4bの厚みは20〜100μmである。
【0065】
さらに、融着基材4aの厚みと融着基材4bの厚みは、同じであっても良いし異なっていても良い。ただし、本発明の実装構造体を用いた実装条件出しは、融着基材4aと4bの厚みがほぼ同じである方が条件を出しやすい場合が多い。これらの融着基材2aと2bの厚みを異ならせる場合は、例えば、融着基材4a側と融着基材4b側との実装時温度が異なるような場合である。実装装置の構成によっては、このような場合がしばしば発生することがある。さらに、上記のように、融着基材4a側と融着基材4b側との実装時温度が異なるような場合に、融着基材4aの厚みと融着基材4bの厚みを変える代わりに、これら融着基材を形成する材料として異なった材料を用いても良い。
【0066】
図3に示す実装構造体を用いることによって、図7で示した実装部品溶着工程19において、主基材1aの表面を覆っている熱硬化性樹脂からなる溶着基材4a、4bは、高温のため充分軟化溶融しており、実装構造体とICパッケージやプリント回路基板との界面の隅々まで入り込む。一方、高耐熱性高分子からなる主基材は、200〜240℃という高温にも関わらずまだその機械的強度を充分保っており、加圧によるわずかな変形だけでICパッケージ5とプリント回路基板7との間隙を所定の厚みに保つ役割を果たす。すなわち、この主基材1aは圧着時の圧力の作用を分散させずに、溶着基材4a、4bに集中させることによって、より強固な熱融着を可能とするものである。
【0067】
図3に示す実装構造体を用いて実装を行った後の実装完成体の模式的断面図を図10に示す。なお、図10において図3および図4と同様の作用を有する要素には同一の符号を付しその説明を省略した。図10からも分かるように、図9に示したのと同様に金属膜4は実装完成体の構造として残存しているが、実装前の金属膜の厚み、材質や実装温度、実装時間によっては、溶融半田と完全に固溶して消失している場合が多い。
【0068】
さらにまた、図1に示す本発明の実装構造体の表面にフラックス剤層を形成することによって、さらに信頼性の高い実装を実現することができる。図11はフラックス剤層を形成した本発明の実装構造体の1実施の形態を示した模式的断面図であり、22a、22bはフラックス剤層である。なお、図11において、図1と同様の機能を有する要素には同一の符号を付してその説明を省略した。図11に示すように、高分子基材1の表面および半田組成物2の表面にフラックス剤層22a、22bを形成することによって、ICパッケージの接合端子とプリント回路基板の接合端子との密着性を改善することができるばかりでなく、高分子基材1とICパッケージやプリント回路基板界面の密着性をも向上させることができる。
【0069】
フラックス剤は半田付けする場合に接合面を清浄化して半田の濡れ性や接合強度を改善するなどの作用を有しており、マツヤニ溶剤または四ホウ酸ナトリウムと塩化アンモニウム混合溶剤などからなる融剤である。電子部品に用いられるフラックス剤には塩化物を可能な限り排除するのが通常である。近年では、環境汚染や公害を防止する目的で鉛を成分として含まない鉛フリー半田が多く使用されるようになってきたが、フラックス剤もそれに応じて種々のものが使用されるようになった。
【0070】
図11に示したフラックス剤層を有する実装構造体の製造方法は、上述した貫通孔内面に金属膜を有する実装構造体の製造方法と同様に、高分子基材の両面に保護フィルムを貼り付けた後、ICパッケージの接合端子やプリント回路基板の接合端子の配置に対応した位置に、金属加工やレーザ加工などで貫通孔を形成する。その後、半田浴に浸漬して半田組成物を貫通孔の内部に充填する。さらに、浴槽に入れたフラックス剤にこの高分子基材を浸漬あるいはディッピングした後、ローラまたはドクターブレードを用いて均一化をはかり、高分子基材の両面に均一に塗布し前記フラックス剤層22a、22bを形成する。その後、保護フィルムを剥離して完成する。
【0071】
このようにしてフラックス剤層22a、22bを形成された本発明の実装構造体は、図7に示す本発明の実装構造体を用いた実装方法において、前記半田組成物2の表面が活性化しているため、溶融半田の表面に形成されている酸化被膜が早期に破壊されて、より速やかにICパッケージの接合端子やプリント回路基板の接合端子と合金化してより強固で確実な半田実装が可能となる。
【0072】
さらにまた、図7における実装部品予熱工程18でフラックス剤が反応して高分子基材1の表面を清浄化・活性化しているために図7に示す実装部品溶着工程19において、ICパッケージやプリント回路基板と本発明の実装構造体の高分子基材1との界面で融着ムラのない強固な熱融着が可能となるのである。
【0073】
このようにして、フラックス剤層を有する3層構造の実装構造体は、フラックス剤層がない場合に比べてより強固な密着力を有し、信頼性の高い実装を実現することができるのである。実装後の実装完成体の構造は、図8に示したフラックス剤層を有していない場合の構造と同じ構造となっている。これは半田溶着実装の過程でこのフラックス剤層22a、22bは、溶融半田と反応したり、あるいは過熱された高分子基材1の表面で反応したりして消失したからである。
【0074】
フラックス剤層形成による実装強度や信頼性の向上は、これを図2に示す金属膜を有する実装構造体や図3に示す3層構造の実装構造体に適用することによってさらに増加させることができることは言うまでもない。
【0075】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の実装構造体は、本発明は、熱可塑性材料または熱硬化性材料から形成され、かつ接合部材および被接合部材の接合端子の配置に対応した位置に貫通孔を有する高分子基材からなる実装構造体において、貫通孔に半田組成物が充填されてなる構造とすることにより、ICパッケージやプリント回路基板に球形半田を形成したいわゆるBGAを形成することなく半田接合が可能となるため、これら電子部材にかける熱を最小に抑えることができるためこれら電子部材の熱損傷を最小に抑えることができ、より信頼性の高い半田実装が可能となるという効果を有する。
【0076】
また、BGAを用いる必要がなくなるため、BGAを用いる場合に発生するICパッケージなどへの球形半田形成不良に対するリボール再生などの工程が不要となり、高価なICパッケージへの加熱処理を最小に抑えることができ、またこれら電子部品の使用効率も向上するという効果を有する。
【0077】
万一、本発明の実装構造体に形成されている半田組成物が欠損したり、隣り合う半田組成物がつながったりする不良が発生したとしても、これらの不良は実装前に容易に検査し除去することができる上に、そのコストも極めて少ないために、より低コストで電子部品の半田実装が可能となるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実装構造体に関する実施形態の1例を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の実装構造体に関する実施形態の1例を示す模式的断面図である。
【図3】本発明の実装構造体に関する実施形態の1例を示す模式的断面図である。
【図4】本発明の実装構造体を用いた実装時の各部品の位置関係を示す模式的断面図である。
【図5】従来のBGAパッケージを用いた実装配置の1例を示した模式的断面図である。
【図6】本発明の実装構造体の製造方法に関する1実施の形態を示す工程流れ図である。
【図7】本発明の実装構造体を用いた実装工程の1実施形態を示した工程流れ図である。
【図8】本発明の実装構造体を用いて実装を行った実装完成体の構造を示す模式的断面図である。
【図9】本発明の金属膜を有する実装構造体を用いて実装した実装完成体の模式的断面図である。
【図10】本発明の3層構造を有する実装構造体を用いて実装を行った後の実装完成体の模式的断面図である。
【図11】フラックス剤層を形成した本発明の実装構造体の1実施の形態を示した模式的断面図である。
【符号の説明】
1 高分子基材
1a 主基材
2 半田組成物
3 金属膜
4a、4b 融着基材
5 ICパッケージ
6 ICパッケージの接合端子
7 プリント回路基板
8 プリント回路基板の接合端子
9 保護フィルム貼り付け工程
10 貫通孔形成工程
11 フラックス剤塗布工程
12 半田浴浸漬工程
13 保護フィルム剥離工程
22a、22b 融着基材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a mounting structure for mounting electronic components such as semiconductor packages and liquid crystal modules that require high density and downsizing, cellular phones that are rapidly increasing in performance, functionality, and downsizing. The present invention relates to a mounting structure used when mounting an electronic component in a mobile electronic device such as a video camera and a manufacturing method thereof. In addition, the present invention provides a mounting structure that meets a wide range of needs related to high-density, small and thin area mounting, and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, when joining a bonding member such as a semiconductor integrated circuit (hereinafter abbreviated as “IC”, abbreviated as “English Integrated Circuit”) package and a member to be bonded such as a printed circuit board using solder, Usually, it is performed in a state in which solder is previously attached to one of the joining terminals of the members to be joined. At this time, when spherical solders are arranged in a lattice pattern on the surface of the junction terminal, the member to which the solder is attached is designated as a ball grid array package (hereinafter referred to as a BGA package). Called). Usually, the IC package is a BGA package.
[0003]
An example of conventional mounting of an electronic component using such a BGA package will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional mounting arrangement. The joining
[0004]
Further, after joining the joining
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional method of previously forming BGA on an IC package or a printed circuit board has the following problems. That is, when the BGA is formed in the IC package, for example, the IC package or the printed circuit board must be heated in order to weld the spherical solder 103 to the
[0006]
Furthermore, when the BGA is formed, for example, when the spherical solder 103 cannot be normally formed on the
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a mounting structure comprising a polymer base material formed of a thermoplastic material or a thermosetting material and having a through hole at a position corresponding to the arrangement of the joining terminals of the joining member and the joined member. A mounting structure characterized by being filled with a solder composition was used.
[0008]
By using such a mounting structure in place of the underfill agent, solder joint mounting can be easily performed without using BGA, so that the above-mentioned problems can be solved because there is no defective formation of spherical solder in BGA. It was.
[0009]
The mounting structure of the present invention has a structure characterized in that a metal film is formed at the interface between the inner surface of the through hole and the solder composition.
[0010]
By doing in this way, the adhesive force of a solder composition and a polymer base material can be raised, As a result, more stable solder joining was attained without using BGA, and the problem was solved.
[0011]
In the mounting structure of the present invention, the polymer substrate is composed of a main substrate made of a high heat-resistant polymer material and a thermosetting polymer material that is softened at a lower temperature than the main substrate coated on both sides of the main substrate. Or it was set as the structure which consists of a polymeric base material of the 3 layer structure formed from the melt | fusion base material which consists of thermoplastic polymer materials.
[0012]
By adopting such a structure, it becomes possible to firmly heat-bond a bonding member such as an IC package and a member to be bonded such as a printed circuit board by a polymer base material having a three-layer structure. Even if BGA is not used, more stable solder bonding is possible, and the above problems have been solved.
[0013]
The mounting structure of the present invention has a structure in which a pair of flux agent layers are formed on both surfaces of the polymer base material.
[0014]
With such a structure, more reliable solder bonding is possible, and at the same time, adhesion at the interface between a bonding member such as an IC package and a member to be bonded such as a printed circuit board and a polymer substrate is improved. The above problems were solved.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The mounting structure according to the present invention includes a polymer base material having a through hole at a position corresponding to the arrangement of the joining terminals of the joining member and the joined member, and a solder composition filled in the through hole.
[0016]
Further, a metal film is provided at the interface between the inner surface of the through hole and the solder composition.
[0017]
Further, the polymer base material includes a main base material made of a high heat-resistant polymer material and a fusion base material made of a polymer material that softens at a lower temperature than the main base material.
[0018]
In the method for manufacturing a mounting structure according to the present invention, a protective film made of a polymer material is pasted on both surfaces of a base material, a through hole is provided in the protective film and the base material, and a flux agent is coated on the inner surface of the through hole. Then, the polymer base material coated with the flux agent is immersed in the solder bath in which the solder is melted and pulled up to fill the inside of the through hole with the solder composition, and the protective film is used as the base material. It will be peeled from.
[0019]
Further, after applying the flux agent, normal temperature air or warm air is blown to volatilize the volatile organic solvent component.
[0020]
Further, after the polymer base material is dipped and pulled up in the solder bath, the molten solder adhering to the surface of the protective film is made uniform using a roller or a doctor blade before cooling.
[0021]
The mounting structure manufacturing method according to the present invention includes a step of attaching a protective film made of a polymer material to a base material, a step of forming through holes in the protective film and the base material, and a solder alloy on both sides of the base material. By printing a mixture of powder, flux, and paste agent, a step of filling the inner surface of the through hole with the mixture and a step of peeling the protective film from the substrate are provided.
[0022]
【Example】
Hereinafter, a mounting structure and a mounting method using the same according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[0023]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one mode of an embodiment relating to the mounting structure of the present invention. The
[0024]
In general, the shape of the joining terminal is often a circle or a rectangle. In many cases, a part of the wiring or the end thereof is used as it is for the junction terminal. When both the through hole and the junction terminal have a circular shape, the diameter of the through hole is approximately the same as or slightly larger than the diameter of the junction terminal. When the through hole is rectangular and the joint terminal is circular, the diameter of the inscribed circle of the through hole is set to be approximately the same as or slightly larger than the diameter of the joint terminal. When the through hole is circular and the joint terminal is rectangular, the diameter of the through hole is set to be approximately the same as or slightly larger than the diameter of the circumscribed circle of the joint terminal. When the through hole and the junction terminal are rectangular, the diameter of the inscribed circle (or circumscribed circle) of the through hole should be approximately the same or slightly larger than the diameter of the inscribed circle (or circumscribed circle) of the joined terminal. . When a part or end of the wiring is used as the joining terminal, the size of the through hole is determined according to the case where the joining terminal has a rectangular shape. Further, the thickness of the polymer substrate is set to be equal to or smaller than the size of the through hole.
[0025]
Moreover, as the
[0026]
Next, a method for manufacturing the mounting structure of the present invention shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG.
[0027]
In the protective
[0028]
In the through
[0029]
In the next flux agent coating step 11, the polymer base material in which the through holes are formed in the through hole forming step 12 is immersed or dipped in the flux agent placed in the bathtub, so that the flux agent is uniformly applied to both surfaces of the polymer base material. Apply and coat. At this time, the flux agent is uniformly applied to the inner surface of the through hole and the surface of the protective film. At this time, after the dipping or dipping, the flux agent can be made uniform by using a flattening means such as a roller or a doctor blade.
[0030]
The fluxing agent has the effect of cleaning the joint surface when soldering and improving the wettability and joining strength of the solder. The fluxing agent is composed of matsuyani solvent or a mixed solvent of sodium tetraborate and ammonium chloride. It is. It is usual to eliminate chloride as much as possible in the fluxing agent used for electronic parts. In recent years, lead-free solder that does not contain lead as a component has been used for the purpose of preventing environmental pollution and pollution, but various fluxing agents have been used accordingly. .
[0031]
Further, in this flux agent coating step 11, the flux agent applied on both surfaces of the polymer base material as described above is blown at room temperature or warm air to volatilize the volatile organic solvent component, and the flux agent is removed. dry. By this step, an excessive amount of the flux agent that is excessively attached to the surface of the through hole or the protective film can be coated in an appropriate amount and uniformly.
[0032]
In the next solder bath immersing step 12, the polymer substrate coated with the flux agent is immersed in a solder bath in which the solder is melted at 200 to 240 ° C. In this step, the solder composition is applied to both surfaces and then cooled to fill the inside of the through hole with the solder composition. Here, before the molten solder is cooled, the molten solder can be made uniform by using a roller or a doctor blade. When the polymer base material is immersed in the solder bath by this solder bath immersion step, the entire surface of the polymer base material is wetted by the molten solder and enters the through hole. The molten solder that covered the surface of the polymer substrate from the solder bath flows down due to its own weight, and is further scraped off by a roller or doctor blade. Only a thin layer of solder remains. However, the molten solder inside the through-hole opened in the polymer base material tends to stay inside the through-hole due to surface tension and is not affected by the roller or doctor blade, as shown in FIG. Solder remains inside the through hole with the surface shape kept spherical or curved. At this time, since the molten solder receives a force in the direction of gravity, the molten solder is cooled and solidified at a position deviated in the direction of either surface of the polymer substrate.
[0033]
Finally, if the protective film is peeled off in the protective film peeling step 13, a polymer base material having a clean surface filled with the solder composition inside the through hole is obtained, and the mounting structure of the present invention is formed. can do. In this case, it is important to peel off the protective film so that a symmetrical force acts on both surfaces of the polymer substrate. Otherwise, if the solder film remaining on the protective film in the vicinity of the through hole is thick, the solder composition filled in the through hole together with the solder coating may be removed in the direction in which either force is biased. Because there is.
[0034]
In the above-described example, the case where the solder alloy is filled as the solder composition inside the through hole of the polymer base material has been described. However, a so-called solder paste, which is a mixture of the solder alloy powder, the flux, and the paste agent, is used as the solder composition. The case of filling can be realized in substantially the same manner. The only difference from the case where the solder alloy is filled in the through hole is that the solder paste is formed on both surfaces of the polymer substrate by a printing method such as roller printing or screen printing. In this case, since the solder paste has a high viscosity, the surface shape of the solder paste after filling the through holes is kept substantially flat. It should be noted that the mounting structure of the present invention in which a solder paste is filled in the through hole as a solder composition is preferably stored in a cool and dark place when it must be stored for a long time until use.
[0035]
Next, a mounting method using the mounting structure manufactured as described above will be described with reference to FIG.
[0036]
In the mounting using the mounting structure of the present invention, as shown in FIG. 4, spherical solder is not formed on the
[0037]
Further, the mounting structure of the present invention is arranged with the surface in the direction in which the
[0038]
Next, the mounting process of the mounting structure described above will be described. FIG. 7 is a process flowchart showing one embodiment of a mounting process using the mounting structure of the present invention.
[0039]
In the mounting
[0040]
The mounting component positioning step 15 is a step of aligning the IC package as the mounting member, the mounting structure of the present invention, and the printed circuit board as the mounted member on the mounting apparatus.
[0041]
The positional relationship at this time has already been shown in FIG. Although not shown, at this time, the flux agent is applied to the surfaces of the
[0042]
In the mounting component positioning step 15, as shown in FIG. 4, the
[0043]
In the
[0044]
The positioning of the mounting member and the mounted member described above is performed by forming alignment marks on the mounting structure of the present invention and the printed
[0045]
The next step is a mounting component preheating step. In this process, an IC package and a package are mounted at a temperature of 180 to 200 ° C. in a state where the
[0046]
The next step is a mounting component heating step. This step is a step of heating the IC package, the mounting structure of the present invention, and the printed circuit board to 200 to 240 ° C. to melt the
[0047]
The next process is a mounting
[0048]
By this step, the interface of the
[0049]
The next process is a mounting
[0050]
The last step is a step of taking out the completed mounting body obtained as described above from the mounting apparatus. The completed mounting body thus taken out has a structure as shown in FIG. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a finished mounting body that has been mounted using the mounting structure of the present invention. In the description of FIG. 8, elements having the same functions as those used in the description of FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. As can be seen from these drawings, mounting of the mounting component using the mounting structure of the present invention is achieved by firmly fixing the
[0051]
Next, another embodiment of the mounting structure according to the present invention will be described. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the mounting structure of the present embodiment. In the description of FIG. 2, the elements having the same functions as those in FIG. The structure of the mounting structure shown in FIG. 2 is different from that shown in FIG. 1 in that a
[0052]
Since the
[0053]
As the metal material used as the
[0054]
The
[0055]
The manufacturing method of the mounting structure shown in FIG. 2 is different from the manufacturing method of the mounting structure shown in FIG. 1 only in that a metal film forming process is performed after the through
[0056]
For the application of the organometallic compound paste, spin coating, printing, or the like can be used in addition to the above immersion and dipping. However, when spin coating or printing methods are used, care must be taken to apply evenly on both sides of the polymer substrate. For that purpose, it is important to sufficiently optimize the viscosity of the organometallic compound paste.
[0057]
Next, by blowing hot air on both sides of the polymer substrate, the solvent contained in the organometallic compound paste applied on both sides of the polymer substrate is volatilized and removed, and the organometallic compound is reacted. Thermal decomposition is performed to deposit a metal element to form a metal film. Here, the temperature of the hot air is about 100 to 300 ° C. If the temperature is too low, the solvent cannot be sufficiently removed by volatilization, and the reaction or thermal decomposition of the organometallic compound does not occur. On the other hand, when the temperature is too high, the polymer film is melted or the deposited metal is oxidized. However, the organometallic compound does not need to be thermally decomposed 100%, and the wettability of the solder at the time of mounting joining can be remarkably improved even in a state where the metal element is partially deposited. Therefore, in the solder bath immersion step 12 shown in FIG. 6, even if gravity acts on the molten solder, the
[0058]
In the above description, a method for forming a metal film using an organometallic compound has been described. Instead of using this organometallic compound, a physical vapor deposition method such as a vacuum deposition method or a sputtering method, or a chemical method such as a CVD method is used. Needless to say, the metal film may be formed by vapor phase epitaxy or plating. However, the method using the organometallic compound described above can form the metal film safely with good reproducibility by an inexpensive method as compared with these vapor phase growth methods and plating methods. .
[0059]
When the
[0060]
Furthermore, when the protective film is peeled off so that a symmetric force acts on both surfaces of the polymer base material in the protective film peeling step, the solder composition is firmly adhered to the polymer base material by the metal film. So you don't have to pay much attention.
[0061]
FIG. 9 shows a schematic cross-sectional view of a finished mounting body mounted using the mounting structure shown in FIG. As can be seen from FIG. 9, the
[0062]
Another embodiment is shown in FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment using a polymer base material having a three-layer structure, in which fusion base materials 4a and 4b are provided on the surface of the main base material 1a. In the description of FIG. 3, elements having the same functions as those in FIG.
[0063]
As a material for forming the main substrate 1a, a high heat-resistant polymer material such as polyimide, a silicon-based polymer material, or a mixture of these and an inorganic filler can be used. Further, as the fusion substrates 4a and 4b, thermosetting PET resin, thermosetting epoxy resin, thermosetting acrylic resin, thermosetting polyolefin resin, thermosetting PET resin having a softening point lower than that of the high heat-resistant polymer material. A low-melting-point thermosetting polymer material such as a curable vinyl chloride resin, a thermosetting phenol resin, a thermosetting naphthalene resin, a thermosetting ester resin, or a thermosetting urethane resin can be used. Further, as the fusion base materials 4b and 4b, instead of the low melting point thermosetting polymer material, a thermoplastic polyethylene terephthalate resin, a thermoplastic epoxy resin, a thermoplastic resin having a softening point lower than that of the high heat resistant polymer material. Low melting point thermoplastic polymer materials such as acrylic resin, thermoplastic polyolefin resin, thermoplastic vinyl chloride resin, thermoplastic phenol resin, thermoplastic naphthalene resin, thermoplastic ester resin, and thermoplastic urethane resin may be used.
[0064]
The optimum thickness of the mounting structure having the three-layer structure of the present invention shown in FIG. 3 depends on the size and pitch of the joining terminals provided on the mounting member and the mounted member, but in the range of 50 to 500 μm. In many cases, it exists in the range of 100 to 400 μm. At this time, the thickness of the main base material 1a is 30 to 300 μm, and the thickness of the fusion base materials 4a and 4b is 20 to 100 μm.
[0065]
Further, the thickness of the fusion base material 4a and the thickness of the fusion base material 4b may be the same or different. However, in many cases, the mounting conditions using the mounting structure of the present invention are more easily determined when the thicknesses of the fusion substrates 4a and 4b are substantially the same. When the thicknesses of the fusion base materials 2a and 2b are made different, for example, the temperature at the time of mounting on the fusion base material 4a side and the fusion base material 4b side is different. Such a case often occurs depending on the configuration of the mounting apparatus. Further, as described above, when the temperature at the time of mounting is different between the fusion substrate 4a side and the fusion substrate 4b side, instead of changing the thickness of the fusion substrate 4a and the thickness of the fusion substrate 4b. In addition, different materials may be used as a material for forming these fusion base materials.
[0066]
By using the mounting structure shown in FIG. 3, in the mounting
[0067]
FIG. 10 shows a schematic cross-sectional view of the completed mounting body after mounting using the mounting structure shown in FIG. In FIG. 10, elements having the same functions as those in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. As can be seen from FIG. 10, the
[0068]
Furthermore, by forming a flux agent layer on the surface of the mounting structure of the present invention shown in FIG. 1, mounting with higher reliability can be realized. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a mounting structure of the present invention in which a flux agent layer is formed, and 22a and 22b are flux agent layers. In FIG. 11, elements having the same functions as those in FIG. As shown in FIG. 11, by forming flux agent layers 22a and 22b on the surface of the
[0069]
The fluxing agent has the effect of cleaning the joint surface when soldering and improving the wettability and joining strength of the solder. The fluxing agent is composed of matsuyani solvent or a mixed solvent of sodium tetraborate and ammonium chloride. It is. It is usual to eliminate chloride as much as possible in the fluxing agent used for electronic parts. In recent years, lead-free solder that does not contain lead as a component has been used for the purpose of preventing environmental pollution and pollution, but various fluxing agents have been used accordingly. .
[0070]
The manufacturing method of the mounting structure having the flux agent layer shown in FIG. 11 is similar to the manufacturing method of the mounting structure having the metal film on the inner surface of the through hole described above, and a protective film is applied to both surfaces of the polymer substrate. After that, through holes are formed by metal processing, laser processing, or the like at positions corresponding to the arrangement of the junction terminals of the IC package and the junction terminals of the printed circuit board. Then, it is immersed in a solder bath, and the solder composition is filled in the through holes. Further, after immersing or dipping the polymer base material in the flux agent put in the bath, the roller material or the doctor blade is used to equalize and uniformly apply to both surfaces of the polymer base material, and the flux agent layer 22a, 22b is formed. Thereafter, the protective film is peeled off to complete.
[0071]
In the mounting structure of the present invention in which the flux agent layers 22a and 22b are thus formed, the surface of the
[0072]
Furthermore, since the flux agent reacts in the mounting
[0073]
In this manner, the three-layer mounting structure having the flux agent layer has a stronger adhesive force than that without the flux agent layer, and can achieve highly reliable mounting. . The structure of the mounted assembly after mounting is the same as the structure when the flux agent layer shown in FIG. 8 is not provided. This is because the flux agent layers 22a and 22b disappear in the process of soldering and mounting due to reaction with molten solder or reaction on the surface of the
[0074]
The improvement of mounting strength and reliability by forming the flux agent layer can be further increased by applying it to the mounting structure having the metal film shown in FIG. 2 or the three-layer mounting structure shown in FIG. Needless to say.
[0075]
【The invention's effect】
As described above, the mounting structure of the present invention is formed of a thermoplastic material or a thermosetting material, and has through holes at positions corresponding to the arrangement of the joining terminals of the joining member and the joined member. In a mounting structure made of a polymer base material having a structure in which a through hole is filled with a solder composition, solder bonding is performed without forming a so-called BGA in which spherical solder is formed on an IC package or a printed circuit board. Therefore, since the heat applied to these electronic members can be suppressed to the minimum, the thermal damage of these electronic members can be suppressed to the minimum, and the solder mounting with higher reliability can be achieved.
[0076]
Further, since it is not necessary to use a BGA, a process such as reball regeneration for a defective formation of spherical solder on an IC package or the like that occurs when the BGA is used is unnecessary, and heat treatment for an expensive IC package can be minimized. And the use efficiency of these electronic components is improved.
[0077]
In the unlikely event that the solder composition formed in the mounting structure of the present invention is defective or a defect occurs in which adjacent solder compositions are connected, these defects are easily inspected and removed before mounting. In addition, since the cost is extremely low, it is possible to solder electronic components at a lower cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment relating to a mounting structure of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment related to a mounting structure according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment related to a mounting structure according to the present invention.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the positional relationship of each component during mounting using the mounting structure of the present invention.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a mounting arrangement using a conventional BGA package.
FIG. 6 is a process flow chart showing an embodiment of a method for manufacturing a mounting structure according to the present invention.
FIG. 7 is a process flowchart showing one embodiment of a mounting process using the mounting structure of the present invention.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a completed mounting body that has been mounted using the mounting structure of the present invention.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a completed mounting body mounted using a mounting structure having a metal film of the present invention.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a finished mounting body after mounting using the mounting structure having a three-layer structure of the present invention.
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a mounting structure of the present invention in which a flux agent layer is formed.
[Explanation of symbols]
1 Polymer substrate
1a Main base material
2 Solder composition
3 Metal film
4a, 4b Fusion base material
5 IC package
6 Junction terminal of IC package
7 Printed circuit board
8 Junction terminal of printed circuit board
9 Protective film application process
10 Through-hole formation process
11 Flux agent application process
12 Solder bath immersion process
13 Protection film peeling process
22a, 22b Fusion base material
Claims (4)
前記保護フィルムと前記基材に貫通孔を設ける工程と、
前記貫通孔の内面にフラックス剤を被覆するフラックス剤塗布工程と、
半田が溶融されている半田浴の中に、前記フラックス剤が被覆された高分子基材を侵漬して引き上げることにより、半田組成物を前記貫通孔の内部に充填する半田浴侵漬工程と、
前記保護フィルムを前記基材から剥離する工程と、を備えることを特徴とする実装構造体の製造方法。A step of attaching a protective film made of a polymer material to the surface of the substrate;
Providing a through hole in the protective film and the substrate;
A flux agent coating step of coating the inner surface of the through hole with a flux agent;
A solder bath immersion step of filling the inside of the through-hole with a solder composition by immersing and pulling up the polymer base material coated with the flux agent in a solder bath in which the solder is melted; ,
And a step of peeling the protective film from the substrate.
前記実装構造体の前記貫通孔に回路基板の電極と半導体パッケージの電極とをそれぞれ位置あわせして、
前記実装構造体を介して前記回路基板に前記半導体パッケージを加熱実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。A step of attaching a protective film made of a polymer material to the surface of the substrate, a step of providing a through hole in the protective film and the substrate, a flux agent coating step of coating a flux agent on the inner surface of the through hole, A solder bath immersion step of filling the inside of the through-hole with a solder composition by immersing and pulling up the polymer base material coated with the flux agent in a solder bath in which the solder is melted; The mounting structure is produced by a process of peeling the protective film from the substrate.
The electrode of the circuit board and the electrode of the semiconductor package are respectively aligned with the through holes of the mounting structure,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor package is heated and mounted on the circuit board through the mounting structure.
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