JP4102333B2 - Oscillation circuit and voltage controlled oscillator - Google Patents

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Description

本発明は、圧電共振器を用いた発振回路および電圧制御発振器に関する。   The present invention relates to an oscillation circuit using a piezoelectric resonator and a voltage controlled oscillator.

近年、携帯電話や無線LANなどの無線を用いた情報機器の市場が拡大するとともに、そのサービスは高機能化している。それに伴い、利用する周波数帯も次第にギガヘルツ以上の高い周波数にシフトする傾向がある。また、将来的には、ユビキタス社会の到来に伴い、超小型の無線システムへの要求が高まることが予想される。このような無線システムに用いられる高周波回路は、半導体の集積回路以外に、共振器やフィルタなどの受動部品を必要とする。   In recent years, the market for information devices using wireless communication such as mobile phones and wireless LANs has expanded, and services have become highly functional. Along with this, the frequency band to be used tends to gradually shift to a high frequency of gigahertz or higher. In the future, with the arrival of a ubiquitous society, the demand for ultra-compact wireless systems is expected to increase. High-frequency circuits used in such wireless systems require passive components such as resonators and filters in addition to semiconductor integrated circuits.

従来、この種の高周波帯域の共振器やフィルタとしては、弾性表面波素子(以下、「SAW」(Surface Acoustic Wave)と称する)や、セラミック誘電体を用いた共振器やフィルタが利用されてきた。   Conventionally, as resonators and filters of this type of high frequency band, surface acoustic wave elements (hereinafter referred to as “SAW” (Surface Acoustic Wave)) and resonators and filters using ceramic dielectrics have been used. .

しかしながら、SAW共振器やSAWフィルタにおいては、櫛形電極の微細加工の限界、あるいは、信頼性の面から、これ以上の高周波化は、限界に近いと考えられている。一方、セラミック誘電体共振器やセラミック誘電体フィルタは、一般に小型化に不向きであり、小型軽量化が望まれている移動体通信機には不向きである。   However, in SAW resonators and SAW filters, higher frequency is considered to be close to the limit because of the limit of fine processing of the comb-shaped electrode or the reliability. On the other hand, ceramic dielectric resonators and ceramic dielectric filters are generally unsuitable for miniaturization and unsuitable for mobile communication devices that are desired to be small and light.

これらの問題を解決するために、最近、圧電体薄膜の厚み縦振動を利用する薄膜バルク弾性共振器(以下、「FBAR」(Film Bulk Acoustic Resonator)と称する)が提案され(特許文献1参照)、既に、一部では商品化されている。FBARは、SAWデバイスで必要な電極の微細加工が不要であり、また、バルク誘電体を用いた誘電体共振器と比較して大幅に小型化が可能であるという利点がある。   In order to solve these problems, a thin film bulk elastic resonator (hereinafter referred to as “FBAR” (Film Bulk Acoustic Resonator)) that utilizes the longitudinal vibration of the piezoelectric thin film has been recently proposed (see Patent Document 1). Some have already been commercialized. FBAR does not require the fine processing of electrodes required for SAW devices, and has the advantage that it can be significantly reduced in size compared to a dielectric resonator using a bulk dielectric.

このFBARを、直列ないし並列に複数個並べて梯子型フィルタを形成することにより、移動体通信機のRFフィルタとして利用することができる。また、FBARと並列接続される可変容量素子と、直列接続される可変容量素子とを組み合わせ、これらを梯子状に組み合わせることにより、通過帯域が可変のチューナブルフィルターを構成することができる。   By arranging a plurality of FBARs in series or in parallel to form a ladder type filter, it can be used as an RF filter for a mobile communication device. Further, by combining a variable capacitance element connected in parallel with the FBAR and a variable capacitance element connected in series, and combining them in a ladder shape, a tunable filter having a variable pass band can be configured.

一方、このFBARを、可変容量素子、キャパシタ、CMOSインバータおよび抵抗などと組合せることで、移動体通信に用いられる局部発振器用の電圧制御発振器(Voltage Controlled Oscillator: VCO)として利用することができる。
特開2000−69594公報
On the other hand, this FBAR can be used as a voltage controlled oscillator (VCO) for a local oscillator used for mobile communication by combining with a variable capacitance element, a capacitor, a CMOS inverter, a resistor, and the like.
JP 2000-69594 A

従来、水晶や圧電セラミックスなどの圧電共振器をタンク回路の一部として用い、発振回路を構成する場合、CMOSインバータを用いた回路構成や、バイポーラトランジスタを用いた回路構成が一般的である。これらの回路構成は、いずれもコルピッツ型の発振回路と呼ばれ、次のような特徴がある。   Conventionally, when a piezoelectric resonator such as crystal or piezoelectric ceramic is used as a part of a tank circuit to form an oscillation circuit, a circuit configuration using a CMOS inverter or a circuit configuration using a bipolar transistor is generally used. These circuit configurations are all called Colpitts type oscillation circuits and have the following characteristics.

(1)共振回路の直列共振において発振する。   (1) Oscillates in series resonance of the resonance circuit.

(2)単相出力である。   (2) Single phase output.

一方、近年、CMOSのアナログ応用技術やBi-CMOS技術の進歩に伴い、無線通信機器に用いられる高周波集積回路の内部には、IC内蔵型発振回路が設けられる。ところが、この種のIC内蔵型発振回路には、次のような特徴がある。   On the other hand, in recent years, with the advance of CMOS analog application technology and Bi-CMOS technology, an IC built-in type oscillation circuit is provided inside a high-frequency integrated circuit used in a wireless communication device. However, this type of IC built-in oscillation circuit has the following characteristics.

(1)共振回路(タンク回路)の並列共振において発振する。   (1) Oscillates in parallel resonance of a resonance circuit (tank circuit).

(2)差動出力である。   (2) Differential output.

IC内蔵型発振回路の回路構成として、バイポーラトランジスタやCMOSを用いる他に、NMOSのみで構成する場合などもあり、さまざまなバリエーションを取りうる。しかしながら、その基本的な考え方は、二つのインバータ対の入力と出力を交差接続し、その入出力端の間にLCRからなるタンク回路を接続することにより、タンク回路のインピーダンスが最大となる並列共振周波数付近で発振するものである。   In addition to using bipolar transistors and CMOS, the circuit configuration of the built-in IC oscillation circuit may be composed of only NMOS, and various variations are possible. However, the basic idea is that a parallel resonance that maximizes the impedance of the tank circuit is achieved by cross-connecting the input and output of the two inverter pairs and connecting a tank circuit consisting of LCRs between the input and output terminals. It oscillates near the frequency.

このような回路構成では、回路の対称性により、二つの出力端における出力波形は、位相が180°反転した差動出力が得られる。通信用の高周波集積回路においては、アップコンバータやダウンコンバータに用いられるミキサーの回路構成として、シングルバランス型やダブルバランス型が用いられるが、いずれも局部発振器入力端に差動型の電圧波形を入力することを前提としている。したがって、単相出力のコルピッツ型発振器よりも、これらの差動出力の発振器のほうが、回路的な整合性が良い。   In such a circuit configuration, due to the symmetry of the circuit, the output waveforms at the two output ends can obtain a differential output whose phase is inverted by 180 °. In high-frequency integrated circuits for communication, single-balance and double-balance types are used as mixer circuit configurations for up-converters and down-converters, but both input differential voltage waveforms at the local oscillator input terminal. It is assumed that Therefore, these differential output oscillators have better circuit matching than a single-phase output Colpitts oscillator.

これら差動出力型発振器のLCRタンク回路の代わりに、FBARを用いれば、FBARの高いQを利用することにより、位相雑音の低い差動出力発振器を構成できることが期待される。しかしながら、実際にインバータの入出力端子間に、LCRからなるタンク回路の代わりにFBARを接続すると、この回路の二つの端子電位が、”H”あるいは”L”のいずれかの一定電位に固定してしまうため、発振器動作が得られない。   If FBAR is used instead of the LCR tank circuit of these differential output type oscillators, it is expected that a differential output oscillator with low phase noise can be constructed by using a high Q of FBAR. However, if FBAR is connected between the input and output terminals of the inverter instead of the tank circuit consisting of LCR, the two terminal potentials of this circuit will be fixed at a constant potential of either “H” or “L”. Therefore, the oscillator operation cannot be obtained.

通過帯域可変のチューナブルフィルターの帯域を制御するには、FBARに並列接続された可変容量素子の容量の値と、直列接続された可変容量素子の容量の値を、それぞれ独立に正確に制御する必要がある。この目的のため、FBARと、並列可変容量素子と、直列接続可変容量素子を接続したものをタンク回路として発振器回路を構成し、この発振周波数をモニターすることにより、このタンク回路の直列共振周波数、あるいは並列共振周波数を知り、チューナブルフィルターの通過帯域を制御するという方法が提案されている。   To control the bandwidth of the tunable filter with variable passband, the capacitance value of the variable capacitance element connected in parallel to the FBAR and the capacitance value of the variable capacitance element connected in series are accurately controlled independently of each other. There is a need. For this purpose, an oscillator circuit is configured by using a FBAR, a parallel variable capacitor, and a series-connected variable capacitor connected as a tank circuit, and by monitoring this oscillation frequency, the series resonance frequency of this tank circuit, Alternatively, a method of knowing the parallel resonance frequency and controlling the pass band of the tunable filter has been proposed.

また、FBARと並列可変容量素子を接続したものをタンク回路として発振器回路を構成し、この発振周波数をモニターすることにより、このタンク回路の並列共振周波数を知り、チューナブルフィルターの通過帯域を制御するという方法が提案されている。   In addition, an oscillator circuit is configured by connecting FBAR and a parallel variable capacitance element as a tank circuit, and by monitoring this oscillation frequency, the parallel resonance frequency of this tank circuit is known and the passband of the tunable filter is controlled. This method has been proposed.

このような制御方法を実現するためには、圧電共振器により構成されるタンク回路の並列共振周波数付近で発振する発振器が必要である。しかしながら、従来圧電共振器を用いたコルピッツ型発振器の場合には、タンク回路の直列共振周波数、すなわちインピーダンスが最小となる周波数付近で発振するものであり、並列共振、すなわちインピーダンスが最大となる周波数で発振するような発振回路を構成することができなかった。   In order to realize such a control method, an oscillator that oscillates in the vicinity of a parallel resonance frequency of a tank circuit constituted by a piezoelectric resonator is required. However, in the case of a Colpitts type oscillator using a conventional piezoelectric resonator, it oscillates in the vicinity of the series resonance frequency of the tank circuit, that is, the frequency at which the impedance is minimized, and at parallel resonance, that is, at the frequency at which the impedance is maximized. An oscillation circuit that oscillates could not be constructed.

本発明の目的は、圧電共振回路の並列共振周波数付近で安定に発振可能な発振回路を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an oscillation circuit that can oscillate stably near the parallel resonance frequency of a piezoelectric resonance circuit.

本発明の一態様によれば、ループ状に接続される第1および第2の非反転増幅器の前記第1の非反転増幅器の入力端子に一端が接続され、ループ状に接続される第3および第4の非反転増幅器の前記第3の非反転増幅器の入力端子に他端が接続される圧電共振器と、
一端が前記第1の非反転増幅器の出力端子に接続され、他端が前記第3の非反転増幅器の出力端子に接続される差動出力端子と、を備えることを特徴とする発振回路が提供される。
According to one aspect of the present invention, the first and second non-inverting amplifiers connected in a loop have one end connected to the input terminal of the first non-inverting amplifier, and the third and the third non-inverting amplifiers connected in a loop. A piezoelectric resonator having the other end connected to an input terminal of the third non-inverting amplifier of a fourth non-inverting amplifier;
A differential output terminal having one end connected to the output terminal of the first non-inverting amplifier and the other end connected to the output terminal of the third non-inverting amplifier is provided. Is done.

本発明によれば、圧電共振回路の並列共振周波数付近で安定に発振可能な発振回路を実現できる。   According to the present invention, it is possible to realize an oscillation circuit that can oscillate stably near the parallel resonance frequency of the piezoelectric resonance circuit.

以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態について説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態による発振回路の回路図である。図1の発振回路は、ループ状に接続される第1および第2の非反転増幅器1,2と、圧電共振器3とを備えている。圧電共振器3の一端は第1の非反転増幅器1の出力端子と第2の非反転増幅器2の入力端子との接続経路に接続され、他端は接地されている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to a first embodiment of the present invention. The oscillation circuit of FIG. 1 includes first and second non-inverting amplifiers 1 and 2 and a piezoelectric resonator 3 connected in a loop. One end of the piezoelectric resonator 3 is connected to a connection path between the output terminal of the first non-inverting amplifier 1 and the input terminal of the second non-inverting amplifier 2, and the other end is grounded.

図1の発振回路は、圧電共振器3のインピーダンスが最大となる並列共振周波数付近で発振する。   The oscillation circuit of FIG. 1 oscillates near the parallel resonance frequency where the impedance of the piezoelectric resonator 3 is maximum.

第1の非反転増幅器1は、例えば図2(a)のようなゲート接地回路で構成される。図2(a)のゲート接地回路は、電源線と接地線との間に直列接続されるNMOSトランジスタQ1、NMOSトランジスタQ2および電流源4とを有する。NMOSトランジスタQ1のドレインとゲートはともに電源線に接続されており、抵抗素子として作用する。NMOSトランジスタQ2のゲートにはバイアス電圧Vbが印加され、NMOSトランジスタQ2のソースと電流源4との接続経路に第2の非反転増幅器2の出力電圧VXが供給される。NMOSトランジスタQ1のソースとNMOSトランジスタQ2のドレインとの接続経路から出力電圧VYが出力されて、第2の非反転増幅器2に供給される。   The first non-inverting amplifier 1 is constituted by a gate ground circuit as shown in FIG. The gate ground circuit of FIG. 2A includes an NMOS transistor Q1, an NMOS transistor Q2, and a current source 4 connected in series between a power supply line and a ground line. The drain and gate of the NMOS transistor Q1 are both connected to the power supply line and function as a resistance element. The bias voltage Vb is applied to the gate of the NMOS transistor Q2, and the output voltage VX of the second non-inverting amplifier 2 is supplied to the connection path between the source of the NMOS transistor Q2 and the current source 4. An output voltage VY is output from a connection path between the source of the NMOS transistor Q1 and the drain of the NMOS transistor Q2, and is supplied to the second non-inverting amplifier 2.

第2の非反転増幅器2は、例えば図2(b)のようなソースフォロワ回路で構成される。図2(b)のソースフォロワ回路は、電源線と接地線の間に直列接続されるNMOSトランジスタQ3と電流源5とを有する。NMOSトランジスタQ3のゲートには第1の非反転増幅器1の出力電圧VXが供給され、NMOSトランジスタQ3のソースと電源線の接続経路から出力電圧VXが出力されて、第1の非反転増幅器1に供給される。   The second non-inverting amplifier 2 is composed of a source follower circuit as shown in FIG. The source follower circuit of FIG. 2B includes an NMOS transistor Q3 and a current source 5 connected in series between a power supply line and a ground line. The output voltage VX of the first non-inverting amplifier 1 is supplied to the gate of the NMOS transistor Q3, and the output voltage VX is output from the connection path between the source of the NMOS transistor Q3 and the power supply line, and is supplied to the first non-inverting amplifier 1. Supplied.

図2(a)のゲート接地回路と図2(b)のソースフォロワ回路を用いて図1の発振回路を構成すると、図2(c)のような回路になる。図2(c)の発振回路では、ゲート接地回路とソースフォロワ回路が一つの電流源4を共用している。   When the oscillation circuit of FIG. 1 is configured using the gate grounding circuit of FIG. 2A and the source follower circuit of FIG. 2B, a circuit as shown in FIG. 2C is obtained. In the oscillation circuit of FIG. 2C, the gate ground circuit and the source follower circuit share one current source 4.

図3は第1および第2の非反転増幅器1,2の入出力電圧の関係を示す図であり、横軸は第1の非反転増幅器1の入力(第2の非反転増幅器2の出力)VXを表し、縦軸は第2の非反転増幅器2の入力(第2の非反転増幅器2の出力)VYを表している。   FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the input and output voltages of the first and second non-inverting amplifiers 1 and 2, and the horizontal axis represents the input of the first non-inverting amplifier 1 (the output of the second non-inverting amplifier 2). VX represents the input of the second non-inverting amplifier 2 (output of the second non-inverting amplifier 2) VY.

図3には、バイアス電圧Vbを0Vから3Vまで0.5V刻みで変化させた場合の波形と、図2(b)のソースフォロワ回路単体での入出力電圧波形とが図示されている。各バイアス電圧Vbごとに、ソースフォロワ回路単体での入出力電圧波形との交差点が存在することがわかる。これら交差点が動作点である。   FIG. 3 shows a waveform when the bias voltage Vb is changed from 0 V to 3 V in increments of 0.5 V and an input / output voltage waveform of the source follower circuit alone of FIG. It can be seen that there is an intersection with the input / output voltage waveform of the source follower circuit alone for each bias voltage Vb. These intersections are operating points.

これら交差点は、第1の非反転増幅器1の出力電圧を第2の非反転増幅器2に入力し、第2の非反転増幅器2の出力電圧を第1の非反転増幅器1に入力するようなループ構成としたとき、両者にとって直流的には安定状態が存在することを示している。このループ回路に圧電共振器3を接続しても、圧電共振器3は直流的には絶縁体であるため、直流的な安定点を変化させるような影響を与えることはない。したがって、図2(c)の回路は、適切な設計を行うことにより、図4に示すような反転増幅器(インバータ)と圧電共振器3とから構成される発振器とは異なり、直流的に発散する可能性はない。   These intersections are loops in which the output voltage of the first non-inverting amplifier 1 is input to the second non-inverting amplifier 2 and the output voltage of the second non-inverting amplifier 2 is input to the first non-inverting amplifier 1. When the configuration is adopted, it is shown that a stable state exists in terms of direct current for both. Even if the piezoelectric resonator 3 is connected to this loop circuit, since the piezoelectric resonator 3 is an insulator in terms of direct current, there is no influence that changes the direct current stable point. Therefore, the circuit shown in FIG. 2 (c) diverges in a DC manner by appropriately designing, unlike an oscillator composed of an inverting amplifier (inverter) and a piezoelectric resonator 3 as shown in FIG. There is no possibility.

図5は図2(c)の回路をさらに具体化した一例を示す回路図である。図5の発振回路は、電流源4としてNMOSトランジスタQ4,Q5と電流源6を用いたカレントミラー回路を用い、圧電共振器3に並列に接続される可変容量素子7を有する。   FIG. 5 is a circuit diagram showing an example in which the circuit of FIG. 2C is further embodied. The oscillation circuit of FIG. 5 uses a current mirror circuit using NMOS transistors Q4 and Q5 and a current source 6 as a current source 4, and has a variable capacitance element 7 connected in parallel to the piezoelectric resonator 3.

図6は図5の線X-X'から左側を見た場合のアドミッタンスYtankの周波数特性を示す図である。図6より、圧電共振器3に並列接続された可変容量素子7の容量値が変化すると、Ytankの直列共振周波数(アドミッタンスが最大となる周波数)が一定のまま、並列共振周波数(アドミッタンスが最小となる周波数)のみが変化することがわかる。   FIG. 6 is a diagram showing the frequency characteristics of the admittance Ytank when the left side is viewed from the line XX ′ in FIG. From FIG. 6, when the capacitance value of the variable capacitance element 7 connected in parallel to the piezoelectric resonator 3 changes, the series resonance frequency of Ytank (frequency at which the admittance becomes maximum) remains constant, and the parallel resonance frequency (the admittance becomes minimum). It can be seen that only the frequency) changes.

図7は可変容量の容量値と図5の発振回路の発振周波数との関係を示す図である。図7より、並列接続した可変容量の値を大きくすると、発振周波数が低下することがわかる。   FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the capacitance value of the variable capacitor and the oscillation frequency of the oscillation circuit of FIG. FIG. 7 shows that the oscillation frequency decreases when the value of the variable capacitor connected in parallel is increased.

図6および図7の結果より、図5の回路は、圧電共振器3の並列共振周波数によって発振周波数が決定されることを示している。   From the results of FIGS. 6 and 7, the circuit of FIG. 5 indicates that the oscillation frequency is determined by the parallel resonance frequency of the piezoelectric resonator 3.

図8は本実施形態と類似の回路構成をもつLCRタンク回路8を用いた発振回路の回路図である。この回路は、ゲート接地増幅器の抵抗負荷に相当する部分を、LCRタンク回路8で構成している。この図8の回路は、LCRタンク回路8の並列共振周波数付近で発振することが知られている。   FIG. 8 is a circuit diagram of an oscillation circuit using an LCR tank circuit 8 having a circuit configuration similar to that of the present embodiment. In this circuit, a portion corresponding to a resistance load of the grounded-gate amplifier is constituted by an LCR tank circuit 8. It is known that the circuit of FIG. 8 oscillates near the parallel resonance frequency of the LCR tank circuit 8.

ところが、図8のLCRタンク回路8を単に圧電共振器3で置き換えた、図9の回路構成では発振が得られない。すなわち、図9の回路は、本実施例と類似ではあっても、まったく異なる回路構成であると考えるべきである。   However, oscillation cannot be obtained with the circuit configuration of FIG. 9 in which the LCR tank circuit 8 of FIG. That is, the circuit in FIG. 9 should be considered to have a completely different circuit configuration even though it is similar to the present embodiment.

本実施形態は、圧電共振器3と、第1および第2の非反転増幅器1,2とを、それぞれ独立なものとして構成する点が、図9の回路とは異なる。しかも第1および第2の非反転増幅器1,2の直流的な入出力電圧の動作点を安定となるようにあらかじめループを構成し、しかる後にこれらの非反転増幅器からなるループに圧電共振器3を接続することにより、圧電共振器3の並列共振周波数付近での発振が得られる。   The present embodiment is different from the circuit of FIG. 9 in that the piezoelectric resonator 3 and the first and second non-inverting amplifiers 1 and 2 are independent from each other. In addition, a loop is formed in advance so that the operating points of the DC input / output voltages of the first and second non-inverting amplifiers 1 and 2 are stabilized, and then the piezoelectric resonator 3 is connected to the loop including these non-inverting amplifiers. By connecting these, oscillation in the vicinity of the parallel resonance frequency of the piezoelectric resonator 3 can be obtained.

図10は本実施形態の変形例を示す回路図である。図10の発振回路は、第1の非反転増幅器1の出力端と交流的な接地電位である電源電圧との間に接続された圧電共振器3を有する。この変形例においても、圧電共振器3の並列共振周波数付近で発振が得られることはいうまでもない。   FIG. 10 is a circuit diagram showing a modification of the present embodiment. The oscillation circuit of FIG. 10 includes a piezoelectric resonator 3 connected between the output terminal of the first non-inverting amplifier 1 and a power supply voltage that is an AC ground potential. Also in this modification, it goes without saying that oscillation is obtained near the parallel resonance frequency of the piezoelectric resonator 3.

このように、第1の実施形態では、ループ状に接続された第1および第2の非反転増幅器1,2に圧電共振器3を接続するため、圧電共振器3の並列共振周波数付近で安定した発振を行わせることができる。   As described above, in the first embodiment, since the piezoelectric resonator 3 is connected to the first and second non-inverting amplifiers 1 and 2 connected in a loop, the piezoelectric resonator 3 is stable in the vicinity of the parallel resonance frequency. Oscillation can be performed.

(第2の実施形態)
第2の実施形態は、差動の発振出力を有する点に特徴がある。
(Second Embodiment)
The second embodiment is characterized in that it has a differential oscillation output.

図11は本発明の第2の実施形態による発振回路の回路図である。図11の発振回路は、ループ状に接続される第1および第2の非反転増幅器1,2と、同じくループ状に接続される第3および第4の非反転増幅器11,12と、圧電共振器3とを備えている。圧電共振器3の一端は、第1の非反転増幅器1の出力端子(第2の非反転増幅器2の入力端子)に接続され、他端は第3の非反転増幅器11の出力端子(第4の非反転増幅器12の入力端子)に接続されている。   FIG. 11 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to the second embodiment of the present invention. The oscillation circuit of FIG. 11 includes first and second non-inverting amplifiers 1 and 2 connected in a loop, third and fourth non-inverting amplifiers 11 and 12 connected in a loop, and piezoelectric resonance. 3 is provided. One end of the piezoelectric resonator 3 is connected to the output terminal of the first non-inverting amplifier 1 (the input terminal of the second non-inverting amplifier 2), and the other end is the output terminal (fourth of the third non-inverting amplifier 11). Of the non-inverting amplifier 12).

図11の発振回路も、圧電共振器3のインピーダンスが最大となる並列共振周波数付近で発振する。   The oscillation circuit of FIG. 11 also oscillates in the vicinity of the parallel resonance frequency where the impedance of the piezoelectric resonator 3 is maximum.

図12は図11を具体化した発振回路の回路図であり、CMOSトランジスタで構成する例を示している。なお、バイポーラトランジスタでも同様の回路構成を実現可能である。図12の発振回路において、第1および第3の非反転増幅器1,11はゲート接地増幅器で構成され、第2および第4の非反転増幅器2,12はソースフォロワ回路で構成される。第1および第2の非反転増幅器1,2はNMOSトランジスタQ1〜Q4で構成され、第3および第4の非反転増幅器11,12はNMOSトランジスタQ11〜Q14で構成される。   FIG. 12 is a circuit diagram of an oscillation circuit embodying FIG. 11 and shows an example in which the circuit is constituted by CMOS transistors. A similar circuit configuration can be realized with a bipolar transistor. In the oscillation circuit of FIG. 12, the first and third non-inverting amplifiers 1 and 11 are constituted by grounded-gate amplifiers, and the second and fourth non-inverting amplifiers 2 and 12 are constituted by source follower circuits. The first and second non-inverting amplifiers 1 and 2 are composed of NMOS transistors Q1 to Q4, and the third and fourth non-inverting amplifiers 11 and 12 are composed of NMOS transistors Q11 to Q14.

図13は図12の発振回路の差動出力端子における発振電圧波形図である。図13の2つの波形は、回路の対称性を反映して、位相が反転した差動出力電圧が得られることを示している。これは、圧電共振器3が基本的には容量素子であるため、一方の電極が充電されるときに、他方の電極では放電され、圧電共振器3両端の電圧位相が逆転するためである。   13 is an oscillation voltage waveform diagram at the differential output terminal of the oscillation circuit of FIG. The two waveforms in FIG. 13 indicate that a differential output voltage whose phase is inverted is obtained reflecting the symmetry of the circuit. This is because, since the piezoelectric resonator 3 is basically a capacitive element, when one electrode is charged, the other electrode is discharged and the voltage phase across the piezoelectric resonator 3 is reversed.

このように、第2の実施形態では、ループ状に接続された2つの非反転増幅器を二組設け、各組の間に圧電共振器3を接続するため、圧電共振器3の並列共振周波数付近で安定した発振を行う差動出力電圧を得ることができる。   As described above, in the second embodiment, two sets of two non-inverting amplifiers connected in a loop are provided, and the piezoelectric resonator 3 is connected between each set. Therefore, in the vicinity of the parallel resonance frequency of the piezoelectric resonator 3. Thus, a differential output voltage capable of stable oscillation can be obtained.

(第3の実施形態)
第3の実施形態は、差動出力型の電圧制御発振器を構成するものである。
(Third embodiment)
The third embodiment constitutes a differential output type voltage controlled oscillator.

図14は本発明の第3の実施形態による発振回路の回路図である。図14の回路は、基本的な構成は図12と同様であるが、圧電共振器3の代わりに、強誘電体薄膜を用いた2つの可変圧電共振器3a,3bと、これら可変圧電共振器3の接続経路に抵抗素子R1を介して接続された制御電圧端子Vcontrolとを備えている。   FIG. 14 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to the third embodiment of the present invention. The basic configuration of the circuit of FIG. 14 is the same as that of FIG. 12, but instead of the piezoelectric resonator 3, two variable piezoelectric resonators 3 a and 3 b using a ferroelectric thin film, and these variable piezoelectric resonators. And a control voltage terminal Vcontrol connected to the three connection paths via a resistance element R1.

強誘電体薄膜としては、チタン酸バリウム(BaTiO3)や、チタン酸ジルコニウム酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)などの薄膜を利用できる。強誘電体薄膜を周波数可変の可変圧電共振器3として用いると、制御電圧端子Vcontrolに印加する直流のバイアス電圧を制御することにより、直列共振周波数よりも、並列共振周波数をより大きく変化することができる。したがって、本実施形態による発振回路の発振周波数も大きく変化するため、差動出力型の電圧制御発振器(VCO)が得られる。   As the ferroelectric thin film, a thin film such as barium titanate (BaTiO3) or lead zirconate titanate (Pb (Zr, Ti) O3) can be used. When the ferroelectric thin film is used as the variable frequency variable piezoelectric resonator 3, the parallel resonance frequency can be changed more greatly than the series resonance frequency by controlling the DC bias voltage applied to the control voltage terminal Vcontrol. it can. Therefore, since the oscillation frequency of the oscillation circuit according to the present embodiment also changes greatly, a differential output type voltage controlled oscillator (VCO) can be obtained.

このように、第3の実施形態では、強誘電体薄膜を用いた2つの可変圧電共振器3と、制御電圧端子Vcontrolとを設けるため、制御電圧端子Vcontrolに印加する電圧を制御することにより、可変圧電共振器3の並列共振周波数を大きく変化させることができ、差動出力の高精度の電圧制御発振器を実現できる。   Thus, in the third embodiment, since the two variable piezoelectric resonators 3 using the ferroelectric thin film and the control voltage terminal Vcontrol are provided, by controlling the voltage applied to the control voltage terminal Vcontrol, The parallel resonance frequency of the variable piezoelectric resonator 3 can be greatly changed, and a highly accurate voltage-controlled oscillator with a differential output can be realized.

(第4の実施形態)
第4の実施形態は、本発明による圧電共振器を有する差動出力型の電圧制御発振器を用いてダイレクトコンバージョン方式の受信機を構成するものである。
(Fourth embodiment)
In the fourth embodiment, a direct conversion type receiver is configured using a differential output type voltage controlled oscillator having a piezoelectric resonator according to the present invention.

図15は本発明の第4の実施形態による受信機の構成を示すブロック図である。この受信機は、アンテナ21と、バンドパスフィルタ22と、低雑音増幅器23と、ダウンコンバージョンミキサー24と、本実施形態による差動出力型の電圧制御発振器25と、π/2移相器26と、水晶発振器27と、PLL28と、ローパスフィルタ29と、可変利得増幅器30と、A/Dコンバータ31などを備える。   FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of a receiver according to the fourth embodiment of the present invention. This receiver includes an antenna 21, a band pass filter 22, a low noise amplifier 23, a down conversion mixer 24, a differential output type voltage controlled oscillator 25 according to the present embodiment, and a π / 2 phase shifter 26. A crystal oscillator 27, a PLL 28, a low-pass filter 29, a variable gain amplifier 30, an A / D converter 31 and the like.

アンテナ21で受信した高周波信号から、バンドパスフィルタ22により所望の帯域のみを取り出し、低雑音増幅器23を用いて微弱な電波を増幅する。このようにして得られた高周波の受信信号に、本実施形態による差動出力型の電圧制御発振器25で発振させた波形を、ダウンコンバージョンミキサー24を用いて掛け合わせることにより、低周波に周波数変換する。   Only a desired band is extracted from the high-frequency signal received by the antenna 21 by the band-pass filter 22, and a weak radio wave is amplified using the low-noise amplifier 23. By multiplying the high-frequency received signal thus obtained by the waveform oscillated by the differential output type voltage-controlled oscillator 25 according to the present embodiment using the down-conversion mixer 24, the frequency is converted to a low frequency. To do.

雑音に対する耐性を高めるため、低雑音増幅器23にはバランス型の回路構成を用い、またダウンコンバージョンミキサー24としては、ダブルバランス型を用いる。また、4相位相変調(QPSK)方式により変調された信号を復調するために、二つのダウンコンバージョンミキサー24−1と24−2を備え、一方のダウンコンバージョンミキサーには、π/2位相器26により位相をシフトさせた信号を入力する。   In order to increase resistance to noise, a balanced circuit configuration is used for the low-noise amplifier 23, and a double-balanced type is used for the down-conversion mixer 24. In addition, in order to demodulate a signal modulated by the four-phase phase modulation (QPSK) system, two down-conversion mixers 24-1 and 24-2 are provided, and one down-conversion mixer includes a π / 2 phase shifter 26. The signal whose phase is shifted by is input.

一方、本実施形態による電圧制御発振器25の周波数を一定に保つために、水晶発振器27で生成した基準信号をもとに、PLL28を用いてフィードバック制御を行い、電圧制御発振器25の発振周波数の位相をロックする。   On the other hand, in order to keep the frequency of the voltage controlled oscillator 25 according to the present embodiment constant, feedback control is performed using the PLL 28 based on the reference signal generated by the crystal oscillator 27, and the phase of the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator 25 is determined. Lock.

低い周波数に変換された信号は、ローパスフィルタ29により帯域内に残る余分な周波数成分を除去し、可変利得増幅器30により適当な振幅に増幅された後、A/Dコンバータ31により、デジタル信号に変換される。デジタル信号に変換された信号は、図示しないベースバンド回路によりデジタル処理される。   The signal converted to a low frequency removes an extra frequency component remaining in the band by the low-pass filter 29, is amplified to an appropriate amplitude by the variable gain amplifier 30, and then is converted to a digital signal by the A / D converter 31. Is done. The signal converted into the digital signal is digitally processed by a baseband circuit (not shown).

第4の実施形態では、本実施形態の差動出力型の電圧制御発振器25を用いることにより、ダブルバランス型(差動型)ダウンコンバージョンミキサー24に、発振器25の差動出力を直接供給することができる。差動型の回路構成は、同相雑音に対する耐性に優れるため、集積回路で受信回路を構成する場合に有利である。差動出力型の電圧制御発振器は、単相出力型の発振器と比較して、外部回路に対して雑音の影響が少ない。したがって、本実施形態の圧電共振器を用いた差動出力型の電圧制御発振器は、他のバランス型のアナログ回路と集積化する上で有利である。   In the fourth embodiment, the differential output of the oscillator 25 is directly supplied to the double balance type (differential type) down-conversion mixer 24 by using the differential output type voltage controlled oscillator 25 of the present embodiment. Can do. Since the differential circuit configuration is excellent in resistance to common-mode noise, it is advantageous when the receiving circuit is configured by an integrated circuit. The differential output type voltage controlled oscillator has less influence of noise on the external circuit than the single phase output type oscillator. Therefore, the differential output type voltage controlled oscillator using the piezoelectric resonator of this embodiment is advantageous in integrating with other balanced type analog circuits.

また、従来、集積回路に内蔵されている電圧制御発振器は、同一基板上にスパイラルインダクタを形成し、これを共振器として用いるのが一般的であった。スパイラルインダクタは発振回路周辺に、発振周波数と同じ周波数成分をもつ交番磁界を発生する。一方、低雑音増幅器23においては、雑音の発生を低減するため、インダクティブ・ソース・デジェネレーションの手法が用いられることが多い。これは、増幅部に用いられるMOS型トランジスタのソースにインダクタを接続することにより、雑音源となる抵抗素子を用いることなく、入力インピーダンスの整合を取ろうとするものである。これにより、同じ基板上に、低雑音増幅器23と電圧制御発振器を集積化すると、電圧制御発振器の発振波形が同一基板上に存在するスパイラルインダクタ間の結合を通して低雑音増幅器23に漏れてしまう。この現象はLOリークと呼ばれており、ダウンコンバージョンミキサー24の出力に大きなDCオフセット電圧をもたらす原因となる。これはダイレクトコンバージョン方式の欠点の一つであるといわれている。   Conventionally, a voltage-controlled oscillator built in an integrated circuit generally has a spiral inductor formed on the same substrate and is used as a resonator. The spiral inductor generates an alternating magnetic field having the same frequency component as the oscillation frequency around the oscillation circuit. On the other hand, in the low noise amplifier 23, inductive source degeneration is often used in order to reduce noise generation. In this method, an inductor is connected to the source of the MOS transistor used in the amplifying unit, thereby attempting to match the input impedance without using a resistance element that becomes a noise source. As a result, when the low noise amplifier 23 and the voltage controlled oscillator are integrated on the same substrate, the oscillation waveform of the voltage controlled oscillator leaks to the low noise amplifier 23 through the coupling between the spiral inductors existing on the same substrate. This phenomenon is called LO leakage, and causes a large DC offset voltage to the output of the down conversion mixer 24. This is said to be one of the disadvantages of the direct conversion method.

これに対して、本実施形態4では、共振器としてスパイラルインダクタではなく、圧電共振器を用いている。圧電共振器は基本的にキャパシタの構造をしているので、他の回路のインダクタと電磁的に結合することはない。したがって、本実施形態による差動出力型の電圧制御発振器25をダイレクトコンバージョン方式の受信機に用いることにより、LOリークによるDCオフセットの影響を大幅に抑制することができ、受信機の性能を大幅に改善することができる。   On the other hand, in the fourth embodiment, a piezoelectric resonator is used as a resonator instead of a spiral inductor. Since the piezoelectric resonator basically has a capacitor structure, it is not electromagnetically coupled to an inductor of another circuit. Therefore, by using the differential output type voltage controlled oscillator 25 according to the present embodiment for the direct conversion type receiver, the influence of the DC offset due to the LO leakage can be greatly suppressed, and the performance of the receiver is greatly improved. Can be improved.

本発明の第1の実施形態による発振回路の回路図。1 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to a first embodiment of the present invention. 図1の具体例を示す回路図。The circuit diagram which shows the specific example of FIG. 第1および第2の非反転増幅器1,2の入出力電圧の関係を示す図。The figure which shows the relationship of the input-output voltage of the 1st and 2nd non-inverting amplifiers 1 and 2. FIG. 反転増幅器(インバータ)と圧電共振器3とから構成される発振器の一例を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of an oscillator composed of an inverting amplifier (inverter) and a piezoelectric resonator 3. 図2(c)の回路をさらに具体化した一例を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example in which the circuit of FIG. 図5の線X-X'から左側を見た場合のアドミッタンスYtankの周波数特性を示す図。The figure which shows the frequency characteristic of admittance Ytank at the time of seeing the left side from the line XX 'of FIG. 可変容量の容量値と図5の発振回路の発振周波数との関係を示す図。The figure which shows the relationship between the capacitance value of a variable capacitor, and the oscillation frequency of the oscillation circuit of FIG. 本実施形態と類似の回路構成をもつLCRタンク回路8を用いた発振回路の回路図。The circuit diagram of the oscillation circuit using the LCR tank circuit 8 which has a circuit structure similar to this embodiment. LCRタンク回路8を単に圧電共振器3で置き換えた回路図。4 is a circuit diagram in which the LCR tank circuit 8 is simply replaced with a piezoelectric resonator 3. FIG. 本実施形態の変形例を示す回路図。The circuit diagram which shows the modification of this embodiment. 本発明の第2の実施形態による発振回路の回路図。The circuit diagram of the oscillation circuit by the 2nd Embodiment of this invention. 図11を具体化した発振回路の回路図。FIG. 12 is a circuit diagram of an oscillation circuit that embodies FIG. 11. 図12の発振回路の差動出力端子における発振電圧波形図。FIG. 13 is an oscillation voltage waveform diagram at a differential output terminal of the oscillation circuit of FIG. 12. 本発明の第3の実施形態による発振回路の回路図。The circuit diagram of the oscillation circuit by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態による受信機の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the receiver by the 4th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 第1の非反転増幅器
2 第2の非反転増幅器
3 圧電共振器
4〜6 電流源
7 可変容量素子
8 LCRタンク回路
11 第3の非反転増幅器
12 第4の非反転増幅器
21 アンテナ
22 バンドパスフィルタ
23 低雑音増幅器
24 ダウンコンバージョンミキサー
25 電圧制御発振器
26 移相器
27 水晶発振器
28 PLL
29 ローパスフィルタ
30 可変利得増幅器
31 A/D変換器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st non-inverting amplifier 2 2nd non-inverting amplifier 3 Piezoelectric resonator 4-6 Current source 7 Variable capacity element 8 LCR tank circuit 11 3rd non-inverting amplifier 12 4th non-inverting amplifier 21 Antenna 22 Band pass Filter 23 Low noise amplifier 24 Down conversion mixer 25 Voltage controlled oscillator 26 Phase shifter 27 Crystal oscillator 28 PLL
29 Low-pass filter 30 Variable gain amplifier 31 A / D converter

Claims (6)

ループ状に接続される第1および第2の非反転増幅器の前記第1の非反転増幅器の入力端子に一端が接続され、ループ状に接続される第3および第4の非反転増幅器の前記第3の非反転増幅器の入力端子に他端が接続される圧電共振器と、
一端が前記第1の非反転増幅器の出力端子に接続され、他端が前記第3の非反転増幅器の出力端子に接続される差動出力端子と、を備えることを特徴とする発振回路。
One ends of the first and second non-inverting amplifiers connected in a loop are connected to the input terminals of the first non-inverting amplifiers, and the third and fourth non-inverting amplifiers connected in a loop form. A piezoelectric resonator having the other end connected to the input terminal of the non-inverting amplifier 3;
An oscillation circuit comprising: a differential output terminal having one end connected to the output terminal of the first non-inverting amplifier and the other end connected to the output terminal of the third non-inverting amplifier.
前記第1および第3の非反転増幅器は、ゲート接地増幅器をそれぞれ有し、
前記第2および第4の非反転増幅器は、ソースフォロワ回路をそれぞれ有することを特徴とする請求項に記載の発振回路。
The first and third non-inverting amplifiers each have a grounded-gate amplifier;
2. The oscillation circuit according to claim 1 , wherein each of the second and fourth non-inverting amplifiers includes a source follower circuit.
前記第1および前記第2の非反転増幅器、乃至第3および第4の非反転増幅器は、それぞれ一つの電流源を共用することを特徴とする請求項に記載の発振回路。 3. The oscillation circuit according to claim 2 , wherein the first and second non-inverting amplifiers to the third and fourth non-inverting amplifiers share one current source. 前記圧電共振器は、互いに直列接続され、制御電圧により並列共振周波数を可変可能な第1および第2の可変圧電共振回路を有し、
前記第1および第2の可変圧電共振回路の接続経路に前記制御電圧を供給する制御電圧端子をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発振回路。
The piezoelectric resonator includes first and second variable piezoelectric resonance circuits that are connected in series with each other and can change a parallel resonance frequency by a control voltage;
Oscillator circuit according to any one of claims 1 to 3, further comprising a control voltage terminal for supplying the control voltage to the connection path of the first and second variable pressure electric resonant circuit.
前記第1および第2の可変圧電共振回路は、強誘電体薄膜を材料として形成されることを特徴とする請求項に記載の発振回路。 5. The oscillation circuit according to claim 4 , wherein the first and second variable piezoelectric resonance circuits are formed using a ferroelectric thin film as a material. ループ状に接続される第1および第2の非反転増幅器の前記第1の非反転増幅器の入力端子に一端が接続され、ループ状に接続される第3および第4の非反転増幅器の前記第3の非反転増幅器の入力端子に他端が接続される圧電共振器と、
一端が前記第1の非反転増幅器の出力端子に接続され、他端が前記第3の非反転増幅器の出力端子に接続される差動出力端子と、を備え、
前記圧電共振器は、互いに直列接続され、制御電圧により並列共振周波数を可変可能であり、かつ強誘電体薄膜を材料として形成される第1および第2の可変圧電共振回路を有し、
前記第1および第2の可変圧電共振回路の接続経路に前記制御電圧を供給する制御電圧端子を備えることを特徴とする電圧制御発振器。
One ends of the first and second non-inverting amplifiers connected in a loop are connected to the input terminals of the first non-inverting amplifiers, and the third and fourth non-inverting amplifiers connected in a loop form. A piezoelectric resonator having the other end connected to the input terminal of the non-inverting amplifier 3;
A differential output terminal having one end connected to the output terminal of the first non-inverting amplifier and the other end connected to the output terminal of the third non-inverting amplifier;
The piezoelectric resonator includes first and second variable piezoelectric resonance circuits that are connected in series with each other, can change a parallel resonance frequency by a control voltage, and are formed using a ferroelectric thin film as a material.
A voltage-controlled oscillator comprising a control voltage terminal for supplying the control voltage to a connection path of the first and second variable piezoelectric resonance circuits.
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