JP4092303B2 - 圧接型半導体装置 - Google Patents
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Description
図1ないし図4を参照しながら、本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態1について以下に説明する。図1に示す圧接型半導体装置1は、概略、スイッチング用半導体チップとして用いられる複数の絶縁ゲートバイポーラトランジスタチップ(以下、単に「IGBTチップ」という。)10と、各IGBTチップ10に対応するフリーホイールダイオードチップ(以下、単に「FWDチップ」という。)20と、を有する。
なお、図4に示すように、IGBTチップ10(IGBT開口部78)は、FWDチップ(FWD開口部80)の周囲に配設したので、共通配線82からゲート電極体88への各ゲート配線90の引き出しが容易となる。
再び、図4を参照しながら、本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態2について以下に説明する。実施の形態1の圧接型半導体装置1の各IGBTチップ10に接続されたチップ抵抗88が同一の抵抗値を有するのに対し、実施の形態2の圧接型半導体装置1は、各ゲート抵抗器88の抵抗値が異なるように構成される点を除き、実施の形態1と同様の構造を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。
本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態3について以下に説明する。実施の形態1の圧接型半導体装置1によれば、ゲート電極体86をゲートチップ電極16に向かってより強く付勢するために、ゲート電極体86が設けられたカンチレバ84の下方に弾性体からなる付勢板94が配置されている。これに対し、実施の形態3の圧接型半導体装置1は、導電性を有する弾性材料を用いてゲート電極体86を形成した点を除いて、実施の形態1と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。
図6を参照しながら、本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態4について以下に説明する。実施の形態4の圧接型半導体装置1は、カンチレバ84の平面形状が異なる点以外は実施の形態1と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。
Claims (13)
- 圧接型半導体装置であって、
第1の正極チップ電極および負極チップ電極が形成された少なくとも1つの第1の半導体チップと、
第2の正極チップ電極および負極チップ電極が形成された少なくとも1つの第2の半導体チップと、
前記第1および第2の正極チップ電極を第1平面上で支持する正極熱緩衝板と、
前記第1および第2の負極チップ電極を前記第1平面と平行な第2平面上で支持する負極熱緩衝板と、
前記正極熱緩衝板および前記負極熱緩衝板に係合して、これらを介して前記第1および第2の半導体チップを挟持するクランパとを備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項1に記載の圧接型半導体装置であって、
前記第1の半導体チップは、前記第2平面上に形成された制御チップ電極を有し、
前記クランパは、前記負極熱緩衝板に係合する実質的に平坦なガイド板と、前記制御チップ電極に向かって延び、これに圧接する制御電極体とを有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項2に記載の圧接型半導体装置であって、
前記負極熱緩衝板は、前記第1および第2の負極チップ電極をそれぞれ個別に支持する第1および第2の負極熱緩衝板からなり、
前記ガイド板は、前記第1および第2の負極熱緩衝板を嵌合する第1および第2の開口部を有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項2に記載の圧接型半導体装置であって、
前記第1および第2の負極熱緩衝板は、これらの周縁部において前記ガイド板に嵌合する段差部を有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項2に記載の圧接型半導体装置であって、
前記負極主電極と前記ガイド板の間に配置され、前記制御電極体を前記制御チップ電極に向かって付勢する付勢板を有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項1に記載の圧接型半導体装置であって、
前記第1の半導体チップは、前記第1平面上に形成された制御チップ電極を有し、
前記クランパは、前記正極熱緩衝板に係合する実質的に平坦なガイド板と、前記制御チップ電極に向かって延び、これに圧接する制御電極体とを有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項6に記載の圧接型半導体装置であって、
前記正極熱緩衝板は、前記第1および第2の正極チップ電極をそれぞれ個別に支持する第1および第2の正極熱緩衝板からなり、
前記ガイド板は、前記第1および第2の正極熱緩衝板を嵌合する第1および第2の開口部を有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項7に記載の圧接型半導体装置であって、
前記第1および第2の正極熱緩衝板は、これらの周縁部において前記ガイド板に嵌合する段差部を有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項6に記載の圧接型半導体装置であって、
前記正極主電極と前記ガイド板の間に配置され、前記制御電極体を前記制御チップ電極に向かって付勢する付勢板を有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項2または6に記載の圧接型半導体装置であって、
前記ガイド板は、少なくとも1つのカンチレバ部を有し、
前記制御電極体は、前記カンチレバ部の先端部に形成されることを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項2または6に記載の圧接型半導体装置であって、
前記制御電極体は、導電性を有する弾性材料を用いて形成されることを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項2または6に記載の圧接型半導体装置であって、
前記第1および第2の負極チップ電極上に固着されたチップ保護壁を有することを特徴とする圧接型半導体装置。 - 請求項2または6に記載の圧接型半導体装置であって、
複数の前記第1の半導体チップが設けられ、
前記クランパは、ゲート抵抗器を介して前記制御電極体のそれぞれに接続された取り出し電極を有し、
前記取り出し電極から前記制御電極体のそれぞれに至る配線インダクタンスが実質的に同一となるように前記ゲート抵抗器の抵抗値が調整されたことを特徴とする圧接型半導体装置。
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