JP4087979B2

JP4087979B2 - Electro-optic device

Info

Publication number: JP4087979B2
Application number: JP9001599A
Authority: JP
Inventors: 富雄曽根原
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-03-30
Filing date: 1999-03-30
Publication date: 2008-05-21
Anticipated expiration: 2019-03-30
Also published as: JP2000284327A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の液晶電気光学装置は、電気光学媒質の上下に電界を与える構造であった。あるいはＡＳＩＡＤＩＳＰＬＡＹ９８ｐ．３７１記載のＦＦＳモードといわれる縦電界型の液晶表示モード、ＳＩＤ９８ＤＩＧＥＳＴｐ．３８９に記載のＩＰＳモードといわれる横電界型の液晶表示モードが開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，このような従来の液晶電気光学装置にあっては，微細な画素を実現しようとすると、隣接画素からの漏れ電界や配向の干渉があって、高精細な変調画素を得るのが困難であるという問題があった。
【０００４】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたもので、その目的は、高精細な変調画素を有する液晶電気光学装置、およびその駆動方法を提供する点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のアクティブマトリクス基板は、複数のソース線及び複数のゲート線と、前記ソース線と前記ゲート線の交差に対応して形成された複数のスイッチング素子とを備え、前記複数のスイッチング素子に対応する複数の電極により画素領域が複数形成されてなり、前記各電極は前記ソース線を挟んで隣接する画素領域に跨って形成されてなり、前記隣接する画素領域に跨って形成された各電極に対応する各スイッチング素子は、各々同じゲート線に接続されていることを特徴とする。また、前記スイッチング素子に接続して配線が形成されてなり、前記配線に接続して駆動回路が形成されてなることが好ましい。
【０００６】
このような構成とすることにより、高密度の構造を有するアクティブマトリクス基板を得ることができる。
【０００７】
また、本発明の電気光学装置は、複数のソース線及び複数のゲート線と、前記ソース線と前記ゲート線の交差に対応して形成された複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子及び前記ソース線と重なる遮蔽層とを備え、アクティブマトリクス基板に、前記複数のスイッチング素子に接続される複数の電極により画素領域が複数形成されていて、前記複数の電極は、透明電極又は反射特性を有する材料により形成された電極であり、前記各画素領域において、前記複数の電極のうち隣接する二つの電極の電位差に応じた電界が印加され、前記各電極は前記ソース線を挟んで隣接する画素領域に跨って形成されてなり、前記隣接する画素領域に跨って形成された各電極は、当該各電極に接続される各スイッチング素子が接続されるソース線を跨いで形成されており、前記画素領域において、前記隣接する画素領域に跨って形成された各電極に接続される各スイッチング素子は、各々同じゲート線に接続されている前記アクティブマトリクス基板を有し、前記アクティブマトリクス基板と対向する基板との間に電気光学媒体が挟持されてなる。
【０００８】
これによれば、より密度の高い画素構造を持つ液晶電気光学装置であっても隣接画素の影響を排除した高精度な振幅や位相に関する電気光学装置を構成可能とする。
【０００９】
また、前記電極は同一もしくは近接した平面に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
これによれば、微細加工プロセスを自在に応用して高密度画素を実現できる。
【００１１】
さらに、前記電極は反射特性の電極であることを特徴とする。
【００１２】
これによれば、前記アクティブマトリクス基板は透明である必要がなく、反射型の高密度画素構成が可能となる。
【００１３】
また、前記遮蔽層は、前記ゲート線と、前記スイッチング素子と前記電極の間に設けられた補助容量とに平面的に重なる位置に形成されることを特徴とする。
【００１４】
これによれば、これによれば、コントラストの低下を抑え、さらに開口が電極の大きさに左右されない高精細画素が実現できる。
【００１５】
さらに、本発明は、複数のソース線及び複数のゲート線と、前記ソース線と前記ゲート線の交差に対応して形成された複数のスイッチング素子とを備え、前記複数のスイッチング素子に対応する複数の電極により画素領域が複数形成されてなり、前記各電極は前記ソース線を挟んで隣接する画素領域に跨って形成されてなり、前記隣接する画素領域に跨って形成された各電極に対応する各スイッチング素子は、各々同じゲート線に接続されているアクティブマトリクス基板を有し、前記アクティブマトリクス基板と対向する基板との間に電気光学媒体が挟持されてなる電気光学装置の駆動方法であって、前記画素領域を構成する前記複数の電極に差電位を与えるための前記ソース線には表示データ列の差電位に対応した駆動信号が印加されることが好ましい。
【００１６】
これによれば、高密度画素であっても横隣接画素間の漏れ電界の少ないデバイス構造を実現できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
【００１８】
図８および図９はそれぞれ、本形態に係る空間光変調装置に用いた液晶パネルを対向基板の側からみた平面図、および図１のＨ−Ｈ′線で切断したときの液晶パネルの断面図である。
【００１９】
図８および図９において、液晶パネル１は、電極がマトリクス状に形成されたアクティブマトリクス基板２００と、対向電極５３２および必要に応じて形成された遮光膜５３１が形成された対向基板４００と、これらの基板間に封入、挟持されている液晶５３９とから概略構成されている。アクティブマトリクス基板２００と対向基板４００とは、対向基板４００の外周縁に沿って形成されたギャップ材含有のシール材５５２によって所定の間隙を介して貼り合わされている。
【００２０】
また、アクティブマトリクス基板２００と対向基板４００との間には、シール材５５２によって液晶封入領域５４０が区画形成され、この液晶封入領域５４０内に液晶５３９が封入されている。この液晶封入領域５４０内において、アクティブマトリクス基板２００と対向基板４００との間にはスペーサ５３７を介在させることもある。シール材５５２としては、エポキシ樹脂や各種の紫外線硬化樹脂などを用いることができる。また、シール材５５２に配合されるギャップ材としては、約２μｍ〜約１０μｍの無機あるいは有機質のファイバ若しくは球などが用いられる。
【００２１】
ここで、シール材５５２は部分的に途切れているので、この途切れ部分によって、液晶注入口５４１が構成されている。このため、対向基板４００とアクティブマトリクス基板２００とを貼り合わせた後、シール材５５２の内側領域を減圧状態にすれば、液晶注入口５４１から液晶５３９を減圧注入でき、液晶５３９を封入した後、液晶注入口５４１を封止剤５４２で塞げばよい。対向基板４００には、シール材５５２の内側において画像表示領域８０を見切りするための遮光膜５５５も形成されている。対向基板４００のコーナー部のいずれにも、アクティブマトリクス基板２００と対向基板４００との間で電気的導通をとるための上下導通材５５６が形成されている。また、対向基板４００およびアクティブマトリクス基板２００の光入射側の面あるいは光出射側には、使用する液晶５３９の種類、動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。
【００２２】
本形態において、対向基板４００はアクティブマトリクス基板２００よりも小さく、アクティブマトリクス基板２００の周辺部分は、対向基板４００の外周縁よりはみ出た状態に貼り合わされる。従って、アクティブマトリクス基板２００の駆動回路（走査線駆動回路７０やデータ線駆動回路６０）や入出力端子５４５は対向基板４００から露出した状態にある。
【００２３】
次に、図１は本発明の概要を示す断面図である。画素駆動用のスイッチング素子１０１を持つアクティブマトリクス基板１０２と透明基板１０３との間に液晶が挟持され、画素領域１０４に対応した液晶はアクティブマトリクス基板上の2つの電極１０６、１０７によって駆動される。この２つの駆動電極は隣接画素の電極も兼ねており、電極間の電位差によって横電界が液晶に加わる。したがって電極は２つの画素間にまたがって設置される。この画素に接続されるスイッチング素子１０１は電極の下に形成できる。また、電極上には動作しない不要部分を隠す遮蔽層１０５を設置するとよりコントラスト比が向上する。これは表示に悪影響を与える電界がかかる部分を覆ってしまうことによる。
【００２４】
図２は本発明の液晶電気光学装置の一部を正面からみた拡大図である。１画素２０１は遮蔽層２０３によってマスクされ、画素の液晶は駆動電極２０２によって横電界が与えられる。動作が可能な液晶として、ネマチック液晶、強誘電性液晶、高分子に分散されたネマチック液晶などの電界効果型の液晶であれば良い。
【００２５】
駆動電極は図１、図２の場合、同じ平面上に形成されているが、電極間に絶縁層を挟んだ準平面的な構造としても良い。
【００２６】
ここで本実施例で採用した、より具体的な構成を表１に示す。
【００２７】
【表１】

【００２８】
表１ではポリシリコンＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板を用いたが、日経エレクトロニクス１９８１年２．１６号ｐ．１６４に記載のＳｉウェーハーを用いたアクティブマトリクス基板も用いることができる。こうした光学的に不透明な基板を用いた場合は反射型の動作となる。いずれにしても従来のアクティブマトリクス型とは１画素に対応する電極配置が図１、図２のようにまったく異なった配置となっている。
【００２９】
図３は本実施例で採用した液晶電気光学装置の画素回路構成の例である。トランジスタ３０１はソース線３０２、ゲート線３０３そしてドレインが画素電極３０４と補助容量３０５に接続されている。隣接する同じゲート線に接続された画素電極も同様に接続されている。したがって画素領域３０６には、隣接する二つの画素電極の電位差に応じた電界が印加される。このように１画素は隣接する二つの画素電極から構成されるが、隣接画素も利用しているので、実効的に１画素は１トランジスタ、１電極となり従来の配置の液晶電気光学装置と素子数が変わらない。また基本的な駆動は、ＴＦＴアクティブマトリクス型ＬＣＤや、ＭＯＳトランジスタマトリクス型ＬＣＤと同様に行うことができる。
【００３０】
前述したように液晶には図３において横方向の電界が加わるため、初期的な液晶配向は、それと直角もしくは紙面に垂直にしておくと液晶の持つ複屈折の変化を利用しやすい。つまり横電界により液晶のダイレクターが面内でねじれる動きをするように初期配向を行うと効果的である。また、トランジスタ、ソース配線、ゲート配線、補助容量を遮蔽部の下に設置できることから、画素領域割合（開口率）の低下を抑えることができる。さらに開口率が従来の液晶電気光学装置のように電極の大きさに限定されない効果もある。さらに隣接画素と接する領域は当然同電位なので漏れ電界の影響が少ないこともメリットである。
【００３１】
図４は補助容量の接地先として隣接した選択信号線（たとえば前のＸラインである画素行に対応するゲート配線）とした画素回路構成の例である。つまり前ラインが選択された後、前ラインのゲート配線は固定電位に設定されることが多いためである。
【００３２】
図５は画素電極の形状を変えた場合の一例である。画素領域５０６は差電位による電界がかかる領域に形成されるので、電極の形状は従来のような画素領域を覆う形状に限定されない。
【００３３】
次に、図１、図２、図３、図４、図５で用いる差電位を利用した駆動法を説明する。
【００３４】
図６は差電位を与える駆動ソース線信号の一例である。ある画素行の表示データ列６０１が…１１０１００１０…であったとすると、表示データ信号線である、駆動ソース線信号６０２は、表示データ列の差電位に対応した…０１００１１１００…となる。簡単のためここでは２値の信号を駆動信号として与えたが、特定の電位から差を計算して与えればよいので多値やアナログ信号も取り扱える。
【００３５】
液晶電気光学装置においては装置の信頼性や表示特性を向上させるためにさまざまな交流駆動法が採用されている。本駆動法の場合、隣接する画素と電極を共有するため、共有する配線上では交流駆動のための反転信号化を行わない。但し従来、塗りつぶしなどの表示の際に問題となった同極性の信号が加わりつづける確率が少なくなり、交流信号をより高い確率で与えることができる。
【００３６】
図７は横電界を用いた場合、電界の方向を情報として加えることができる例である。電界の方向に応じて０、＋１、−１の３レベルの電界を与えることができる。図中矢印７０１は電界の方向を示している。電界の方向を利用する液晶モードに強誘電性液晶や反強誘電性液晶があり、これの駆動に適している。
【００３７】
このような差電位を与える駆動は、画素にかかる電位を交流化しやすい特徴を持ち、電気光学媒体に与える直流印加による劣化を防止できる。
【００３８】
以上本発明の実施例について述べてきたが、本発明は実施例に述べた単純な電極形状だけでなく、櫛歯型、直交型などさまざまな形状に応用可能である。本発明は画素領域が直接電極の形や大きさで決定されず、差電位がかかる領域に発生するため、画素の面積が取れない微細な画素を形成する場合であっても、自由な電極形状を採用できるため画素の形成が可能となる。このほかにも、高精細、高密度の要求される光情報処理や表示装置などに広く応用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる液晶電気光学装置の模式的断面図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる液晶電気光学装置の一部を正面からみた拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる液晶電気光学装置の画素回路の構成図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる隣接した選択信号線に接地した画素回路の構成図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかる別の画素電極形状の場合の画素回路構成図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかる差電位を与える駆動法の模式図である。
【図７】本発明の実施の形態にかかる電界の方向を情報として与えた駆動法の模式図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る液晶装置の平面図を示した図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る液晶装置の断面図を示した図である。
【符号の説明】
１０１スイッチング素子
１０２アクティブマトリクス基板
１０３透明基板
１０４画素領域
１０５遮蔽層
１０６、１０７駆動電極
２０１１画素
２０２駆動電極
２０３遮蔽層
３０１トランジスタ
３０２ソース線
３０３ゲート線
３０４画素電極
３０５補助容量
３０６、５０６１画素領域
６０１ある画素行の表示データ列
６０２駆動ソース線信号
７０１電界の方向[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal electro-optical device.
[0002]
[Prior art]
A conventional liquid crystal electro-optical device has a structure in which an electric field is applied above and below an electro-optical medium. Alternatively, ASIA DISPLAY98 p. 371, a vertical electric field type liquid crystal display mode called FFS mode, SID98 DIGEST p. 389, a lateral electric field type liquid crystal display mode called IPS mode has been developed.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such a conventional liquid crystal electro-optical device, if a fine pixel is to be realized, it is difficult to obtain a high-definition modulation pixel due to a leakage electric field and orientation interference from adjacent pixels. There was a problem that there was.
[0004]
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides a liquid crystal electro-optical device having a high-definition modulation pixel and a driving method thereof.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an active matrix substrate of the present invention includes a plurality of source lines and a plurality of gate lines, and a plurality of switching elements formed corresponding to intersections of the source lines and the gate lines. A plurality of pixel regions are formed by a plurality of electrodes corresponding to the plurality of switching elements, and each electrode is formed across adjacent pixel regions across the source line. Each switching element corresponding to each electrode formed across the gate is connected to the same gate line. Further, the wiring connecting the switching element is formed, is preferably formed by connecting to the drive circuit is formed on the wiring.
[0006]
With such a configuration, an active matrix substrate having a high-density structure can be obtained.
[0007]
The electro-optical device of the present invention includes a plurality of source lines and a plurality of gate lines, a plurality of switching elements formed corresponding to the intersection of the source lines and the gate lines, and the switching elements and the source lines. and a shielding layer overlapping with, the active matrix substrate, a pixel region by a plurality of electrodes connected to said plurality of switching elements has more than one form, the plurality of electrodes, a material having a transparent electrode or reflective properties An electric field corresponding to a potential difference between two adjacent electrodes among the plurality of electrodes is applied to each pixel region, and each electrode straddles the adjacent pixel region across the source line. it is formed Te, said adjacent each electrode formed over the pixel region to the source each switching element connected to the respective electrodes are connected The are across by forming, in the pixel region, wherein each of the switching elements connected to the adjacent respective electrodes formed across the pixel region may have a said active matrix substrate are connected respectively to the same gate line An electro-optic medium is sandwiched between the active matrix substrate and the opposite substrate.
[0008]
According to this, even a liquid crystal electro-optical device having a higher-density pixel structure can configure an electro-optical device related to high-precision amplitude and phase that eliminates the influence of adjacent pixels.
[0009]
Further, the electrodes are formed on the same or close planes.
[0010]
According to this, a high-density pixel can be realized by freely applying a microfabrication process.
[0011]
Furthermore, the electrode is a reflective characteristic electrode.
[0012]
According to this, the active matrix substrate does not need to be transparent, and a reflective high-density pixel configuration is possible.
[0013]
Further, the shielding layer is characterized as the gate line, that is formed at a position planarly overlapping the auxiliary capacitance provided between the switching element and the electrode.
[0014]
According to this, it is possible to realize a high-definition pixel in which a decrease in contrast is suppressed and the opening is not affected by the size of the electrode.
[0015]
The present invention further includes a plurality of source lines and a plurality of gate lines, and a plurality of switching elements formed corresponding to intersections of the source lines and the gate lines, and a plurality of switching elements corresponding to the plurality of switching elements. A plurality of pixel regions are formed by the electrodes, and each of the electrodes is formed across the adjacent pixel region across the source line, and corresponds to each electrode formed over the adjacent pixel region. Each switching element includes an active matrix substrate connected to the same gate line, and an electro-optical device driving method in which an electro-optical medium is sandwiched between the active matrix substrate and a substrate opposed to the active matrix substrate. A drive signal corresponding to the difference potential of the display data string is applied to the source line for applying the difference potential to the plurality of electrodes constituting the pixel region. Door is preferable.
[0016]
According to this, it is possible to realize a device structure with a small leakage electric field between laterally adjacent pixels even in a high-density pixel.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0018]
8 and 9 are a plan view of the liquid crystal panel used in the spatial light modulation device according to the present embodiment as viewed from the counter substrate side, and a cross-sectional view of the liquid crystal panel when cut along the line H-H 'in FIG. It is.
[0019]
8 and 9, the liquid crystal panel 1 includes an active matrix substrate 200 in which electrodes are formed in a matrix, a counter substrate 400 on which a counter electrode 532 and a light shielding film 531 formed as necessary are formed, and these The liquid crystal 539 is sealed and sandwiched between the substrates. The active matrix substrate 200 and the counter substrate 400 are bonded to each other through a predetermined gap by a gap material-containing sealing material 552 formed along the outer peripheral edge of the counter substrate 400.
[0020]
In addition, a liquid crystal sealing region 540 is defined by a sealant 552 between the active matrix substrate 200 and the counter substrate 400, and the liquid crystal 539 is sealed in the liquid crystal sealing region 540. In this liquid crystal sealing region 540, between the active matrix substrate 200 and the counter substrate 400 is also an intervening spacer 537. As the sealant 552, an epoxy resin, various ultraviolet curable resins, or the like can be used. In addition, as the gap material blended in the sealing material 552, an inorganic or organic fiber or sphere having a thickness of about 2 μm to about 10 μm is used.
[0021]
Here, since the sealing material 552 is partially interrupted, the interrupted portion constitutes the liquid crystal injection port 541. Therefore, after the counter substrate 400 and the active matrix substrate 200 are bonded together, the liquid crystal 539 can be injected under reduced pressure from the liquid crystal injection port 541 if the inner region of the sealant 552 is in a reduced pressure state. The liquid crystal injection port 541 may be blocked with a sealant 542. A light shielding film 555 for cutting off the image display region 80 inside the sealing material 552 is also formed on the counter substrate 400. A vertical conduction member 556 for establishing electrical conduction between the active matrix substrate 200 and the counter substrate 400 is formed at any corner portion of the counter substrate 400. Further, on the light incident side surface or the light emission side of the counter substrate 400 and the active matrix substrate 200, a polarizing film is used depending on the type of liquid crystal 539 used, the operation mode, and the normally white mode / normally black mode. A retardation film, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction.
[0022]
In this embodiment, the counter substrate 400 is smaller than the active matrix substrate 200, and the peripheral portion of the active matrix substrate 200 is bonded to a state of protruding from the outer peripheral edge of the counter substrate 400. Therefore, the driving circuit (scanning line driving circuit 70 and data line driving circuit 60) and the input / output terminal 545 of the active matrix substrate 200 are exposed from the counter substrate 400.
[0023]
Next, FIG. 1 is a sectional view showing an outline of the present invention. A liquid crystal is sandwiched between an active matrix substrate 102 having a pixel driving switching element 101 and a transparent substrate 103, and the liquid crystal corresponding to the pixel region 104 is driven by two

electrodes

106 and 107 on the active matrix substrate. These two drive electrodes also serve as electrodes of adjacent pixels, and a lateral electric field is applied to the liquid crystal due to a potential difference between the electrodes. Therefore, the electrode is placed across the two pixels. The switching element 101 connected to the pixel can be formed under the electrode. Further, if the shielding layer 105 that hides the unnecessary portion that does not operate is provided on the electrode, the contrast ratio is further improved. This is due to covering an area where an electric field that adversely affects the display is applied.
[0024]
FIG. 2 is an enlarged view of a part of the liquid crystal electro-optical device of the present invention as seen from the front. One pixel 201 is masked by the shielding layer 203, and the liquid crystal of the pixel is given a lateral electric field by the drive electrode 202. The liquid crystal that can operate may be a field effect liquid crystal such as a nematic liquid crystal, a ferroelectric liquid crystal, or a nematic liquid crystal dispersed in a polymer.
[0025]
In the case of FIGS. 1 and 2, the drive electrodes are formed on the same plane, but may have a quasi-planar structure in which an insulating layer is sandwiched between the electrodes.
[0026]
Table 1 shows a more specific configuration adopted in this example.
[0027]
[Table 1]

[0028]
In Table 1, an active matrix substrate using polysilicon TFTs was used, but Nikkei Electronics 1981 2.16 p. An active matrix substrate using the Si wafer described in 164 can also be used. When such an optically opaque substrate is used, a reflective operation is performed. In any case, the electrode arrangement corresponding to one pixel is completely different from the conventional active matrix type as shown in FIGS.
[0029]
FIG. 3 shows an example of the pixel circuit configuration of the liquid crystal electro-optical device employed in this embodiment. The transistor 301 has a source line 302, a gate line 303, and a drain connected to the pixel electrode 304 and the auxiliary capacitor 305. The pixel electrodes connected to the same adjacent gate line are also connected in the same manner. Therefore, an electric field corresponding to a potential difference between two adjacent pixel electrodes is applied to the pixel region 306. As described above, one pixel is composed of two adjacent pixel electrodes. However, since the adjacent pixel is also used, one pixel effectively becomes one transistor and one electrode, and the number of elements and the conventional arrangement of the liquid crystal electro-optical device. Does not change. Basic driving can be performed in the same manner as a TFT active matrix LCD or a MOS transistor matrix LCD.
[0030]
As described above, an electric field in the horizontal direction in FIG. 3 is applied to the liquid crystal, and therefore, the initial liquid crystal alignment can easily use the change in birefringence of the liquid crystal if it is perpendicular to it or perpendicular to the paper surface. That is, it is effective to perform the initial alignment so that the director of the liquid crystal is twisted in the plane by the horizontal electric field. In addition, since the transistor, the source wiring, the gate wiring, and the auxiliary capacitance can be installed under the shielding portion, it is possible to suppress a decrease in the pixel area ratio (aperture ratio). Further, there is an effect that the aperture ratio is not limited to the size of the electrode as in the conventional liquid crystal electro-optical device. Further, since the region in contact with the adjacent pixel is naturally at the same potential, there is also a merit that the influence of the leakage electric field is small.
[0031]
FIG. 4 shows an example of a pixel circuit configuration in which an adjacent selection signal line (for example, a gate wiring corresponding to a pixel row which is the previous X line) is used as a grounding destination of the auxiliary capacitor. That is, after the previous line is selected, the gate wiring of the previous line is often set to a fixed potential.
[0032]
FIG. 5 shows an example when the shape of the pixel electrode is changed. Since the pixel region 506 is formed in a region to which an electric field due to a difference potential is applied, the shape of the electrode is not limited to a shape that covers the pixel region as in the related art.
[0033]
Next, a driving method using the difference potential used in FIGS. 1, 2, 3, 4, and 5 will be described.
[0034]
FIG. 6 shows an example of a driving source line signal that gives a difference potential. If the display data column 601 of a certain pixel row is... 11010010..., The drive source line signal 602, which is a display data signal line, becomes ... 010011100. For the sake of simplicity, a binary signal is given here as a drive signal. However, a multi-value signal or an analog signal can be handled because it is only necessary to calculate a difference from a specific potential.
[0035]
In a liquid crystal electro-optical device, various AC driving methods are employed in order to improve the reliability and display characteristics of the device. In the case of this driving method, since the electrodes are shared with adjacent pixels, the inverted signal for AC driving is not performed on the shared wiring. However, the probability that a signal of the same polarity that has been a problem in the past, such as painting, will continue to be added is reduced, and an AC signal can be given with a higher probability.
[0036]
FIG. 7 shows an example in which the direction of the electric field can be added as information when a lateral electric field is used. Depending on the direction of the electric field, a three-level electric field of 0, +1, −1 can be applied. In the figure, an arrow 701 indicates the direction of the electric field. Ferroelectric liquid crystals and antiferroelectric liquid crystals are available as liquid crystal modes that use the direction of the electric field, and are suitable for driving them.
[0037]
Such driving that gives a difference potential has a feature that the potential applied to the pixel is easily converted to AC, and can prevent deterioration due to DC application to the electro-optic medium.
[0038]
Having described embodiments of the present invention above, this invention is not only simple electrode shape as described in Example, comb, is applicable like the various shapes orthogonal. In the present invention, since the pixel region is not directly determined by the shape or size of the electrode and is generated in a region to which a difference potential is applied, the electrode shape can be freely formed even in the case of forming a fine pixel in which the pixel area cannot be obtained. Therefore, it is possible to form a pixel. In addition, it can be widely applied to optical information processing and display devices that require high definition and high density.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal electro-optical device according to an embodiment of the invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a part of a liquid crystal electro-optical device according to an embodiment of the present invention as viewed from the front.
FIG. 3 is a configuration diagram of a pixel circuit of the liquid crystal electro-optical device according to the embodiment of the invention.
FIG. 4 is a configuration diagram of a pixel circuit grounded to an adjacent selection signal line according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a pixel circuit configuration diagram in the case of another pixel electrode shape according to the exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic diagram of a driving method for applying a difference potential according to the embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic diagram of a driving method in which the direction of the electric field according to the embodiment of the present invention is given as information.
FIG. 8 is a plan view of a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 101 switching element 102 active matrix substrate 103 transparent substrate 104 pixel area 105

shielding layer

106, 107 driving electrode 201 1 pixel 202 driving electrode 203 shielding layer 301 transistor 302 source line 303 gate line 304 pixel electrode 305

auxiliary capacitance

306, 506 1 pixel area 601 Display data column 602 of a certain pixel row Drive source line signal 701 Electric field direction

Claims

A plurality of source lines and a plurality of gate lines; a plurality of switching elements formed corresponding to intersections of the source lines and the gate lines; and a shielding layer overlapping the switching elements and the source lines .
In the active matrix substrate, a plurality of pixel regions are formed by a plurality of electrodes connected to the plurality of switching elements, and the plurality of electrodes are electrodes formed of a transparent electrode or a material having a reflection characteristic,
In each pixel region, an electric field corresponding to a potential difference between two adjacent electrodes among the plurality of electrodes is applied,
Each electrode is formed across adjacent pixel regions across the source line,
Each electrode formed across the adjacent pixel region is formed across a source line to which each switching element connected to each electrode is connected,
In the pixel region, wherein each of the switching elements connected to the adjacent respective electrodes formed across the pixel region has the active matrix substrate are connected respectively to the same gate line,
An electro-optical device in which an electro-optical medium is sandwiched between the active matrix substrate and the opposing substrate.

2. The electro-optical device according to claim 1 , wherein the plurality of electrodes are formed on the same plane.

2. The electro-optical device according to claim 1 , wherein the plurality of electrodes are formed on different surfaces via an insulating layer.

In any one of claims 1 to 3, the electro-optical device, characterized in that said electrode is formed of a material having reflecting properties.

In any one of claims 1 to 3, wherein the shielding layer is characterized as the gate line, that is formed at a position planarly overlapping the auxiliary capacitor provided between the electrode and the switching element Electro-optic device.

In any one of claims 1 to 3, in a position overlapping the electrode in plan view, the electro-optical device, wherein a shield layer to hide the unnecessary portion where the electro-optic medium does not operate is formed.