JP4084676B2

JP4084676B2 - Manufacturing method of semiconductor chip

Info

Publication number: JP4084676B2
Application number: JP2003024217A
Authority: JP
Inventors: 宗宏畠井; 正輝福岡; 聡史林; 滋檀上; 康彦大山
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2002-09-05
Filing date: 2003-01-31
Publication date: 2008-04-30
Anticipated expiration: 2023-01-31
Also published as: JP2004153226A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハをダイシングすることにより多数の半導体チップを製造する方法に関し、より詳細には、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハが貼付された状態でダイシングが行われ、次に半導体チップが取り出される半導体チップの製造方法及び該ダイシング用粘着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップの製造に際しては、表面に多数の半導体チップ用回路が形成された半導体ウェーハが用意される。次に、半導体ウェーハの裏面が研磨されて所定の厚みとされた後に、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに貼付される。次に、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハが縦方向及び横方向にダイシングされ、多数の半導体チップに分割される。しかる後、ダイシング用粘着テープから半導体チップが剥離され、取り出される。このような半導体チップ製造方法の一例は、例えば下記の特許文献１に開示されている。この先行技術に記載の製造方法では、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれを防止するために、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハがダイシング用粘着テープの粘着力により粘着されており、かつダイシング後に光を照射することによりダイシング用粘着テープの粘着剤層の粘着力が低められ、それによって、半導体チップがダイシング用粘着テープから容易に剥離される。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−７８７９３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記先行技術に記載の方法のように、ダイシング後に光を照射した場合、全ての半導体チップの粘着力が一様に低下し、１つの半導体チップを吸着パッドなどにより取り出す際の振動や衝撃等により、隣接する半導体チップの位置ずれを生じることがあった。また、半導体チップの取り出し不良が生じることがあった。
【０００５】
他方、上記ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼付し、ダイシングを行う場合、ダイシング用粘着テープの粘着力がある程度高いことが必要である。粘着力が十分に高くなければ、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれが生じ、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることができなくなる。
【０００６】
しかしながら、光の照射により粘着力が低下する粘着剤を用いた上記先行技術に記載の方法では、上記粘着力を高めた場合、ダイシング後に光を照射しても、粘着力が十分低くならないことがあった。そのため、半導体チップをダイシング用粘着テープから剥離するために、突き上げピンや、吸着パッドを用いて半導体チップを取り出す際に、半導体チップの割れや欠けが生じることがあった。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、ダイシング後に半導体チップを取り出すに際し、ダイシング用粘着テープによる粘着力が十分に低められているだけでなく、ダイシング後の半導体チップの位置ずれ及びダイシングの際の半導体ウェーハの位置ずれが生じ難い、半導体チップの製造方法、並びに該製造方法に用いられるダイシング用粘着テープを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の発明は、半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造方法する方法であって、半導体ウェーハを用意する工程と、前記半導体ウェーハにダイシング用粘着テープを貼付する工程と、前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、刺激を付与することにより、前記ダイシング用粘着テープの１つの半導体チップが貼付されている部分に、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とを形成する工程と、前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】
第１の発明の特定の局面では、前記ダイシング用粘着テープを構成している粘着剤が、刺激の付与により硬化し粘着力が低下する粘着剤により構成されており、前記第２の領域のみに前記刺激が付与される。すなわち、第２の領域のみに刺激を付与することにより、相対的に粘着力が高い第１の領域と、相対的に粘着力が弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが形成される。
【００１０】
好ましくは、上記刺激として光が用いられ、刺激を付与する工程において、第１の領域に光が照射されず、第２の領域のみに光が照射される。
第１の発明のさらに他の特定の局面では、前記ダイシング用粘着テープが表面に凹凸が付与されている基材を有し、該基材表面の凹凸の凸部を超えるように硬化型粘着剤層が形成されており、該粘着剤層が、刺激の付与により該粘着剤層を硬化させた場合に、硬化収縮により凸部間の凹部において粘着剤層が半導体チップから隔てられる硬化型粘着剤により構成されており、前記凸部が第１の領域を、前記凸部間の凹部が前記第２の領域を構成している。この場合には、硬化収縮により、粘着力が相対的に高い第１の領域と、粘着力が相対的に弱い、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが構成される。
【００１１】
硬化収縮により第１，第２の領域が構成される場合の刺激については、特に限定されず、例えば光や熱が用いられる。
第１の発明の別の特定の局面では、前記ダイシング用粘着テープの粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む。この場合には、刺激の付与により、ダイシング用粘着テープと半導体チップとの界面にガスが発生し、ダイシング用粘着テープに対する半導体チップの粘着力をより一層低減することができる。
【００１２】
本願の第２の発明は、半導体ウェーハに貼付され、半導体ウェーハをダイシングした後に半導体チップを剥離するのに用いられるダイシング用粘着テープであって、刺激の付与により、その半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが形成されるように構成されている。
【００１３】
第２の発明の特定の局面では、少なくとも第２の領域が、刺激により粘着力が低下する硬化型粘着剤により構成されている。
第２の発明において、好ましくは、上記刺激として光が用いられ、この場合、第１の領域に光が照射されないように第１の領域への光の照射を阻害する遮光部が設けられる。
【００１４】
第２の発明の別の特定の局面では、表面に凹凸を有する基材を備え、基材の凹凸が設けられている表面に前記凹凸の凸部を超える厚みに硬化型粘着剤層が形成されており、該粘着剤層が前記刺激の付与により硬化された際の硬化収縮により凸部間の凹部において粘着剤が半導体チップから隔てられるように構成されており、それによって凸部が第１の領域を、凸部間の凹部が前記第２の領域を構成する。
【００１５】
第２の発明においても、上記粘着剤は、好ましくは、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含み、その場合、半導体チップとダイシング用粘着テープとの間にガスが発生することにより、ダイシング用粘着テープの半導体チップに対する粘着力がより一層低められる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１７】
本発明の第１の実施形態では、図２に示す半導体ウェーハ１が用いられる。半導体ウェーハ１では、表面１ａ上に、ストリートによって区画された各領域に個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。なお、図２では、具体的な回路の図示は省略していることを指摘しておく。
【００１８】
半導体ウェーハ１は、略円盤状の形状を有する。半導体ウェーハ１では、表面１ａに上記回路を構成した後に、裏面１ｂ側が研磨され、半導体ウェーハ１が所定の厚みとされる。
【００１９】
本実施形態では、このようにして所定の厚みとされた半導体ウェーハ１が先ず用意される。上記半導体ウェーハは、例えばシリコンなどの半導体材料により構成されており、厚みは、通常、研磨後の状態で数十μｍ〜１５０μｍ程度である。次に、半導体ウェーハ１の裏面１ｂに、図２に示すようにダイシング用粘着テープ２が貼付される。
【００２０】
図１（ａ）は、上記のようにしてダイシング用粘着テープ２に半導体ウェーハ１が貼り合わされた構造を示す模式的断面図である。ダイシング用粘着テープ２は、図示のように、基材３の片面に粘着剤層４を形成することにより構成されている。
【００２１】
基材３としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリプロピレンなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。特に、後述する刺激が光の場合には、透光性の樹脂フィルムが基材として好ましく用いられる。
【００２２】
上記粘着剤層４は、本実施形態では、光の照射により弾性率が上昇し、粘着力が低下する光硬化型粘着剤により構成されている。このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤が挙げられる。
【００２３】
このような光硬化型粘着剤は、光の照射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。
【００２４】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）を予め合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物）と反応させることにより得ることができる。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリルまたはメタクリルを意味するものとする。
【００２５】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、さらに必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０〜２００万程度である。
【００２６】
官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００２７】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００２８】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、官能基含有（メタ）アクリルポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００２９】
上記多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱または光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下であり、かつ、その分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数の下限が２個、上限が２０個である。このようなより好ましい多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートまたは上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマーまたはモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３０】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、べンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
上記硬化型粘着剤には、以上の成分の他、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑性、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を配合してもよい。
【００３２】
好ましくは、上記粘着剤層４を構成する粘着剤として、光や熱などの刺激の付与によりガスを発生させるガス発生剤が含有されているものが用いられる。この場合には、後述する光の照射により、第２の領域の粘着力が硬化により低下すると共に、刺激の付与により発生したガスが半導体チップとダイシング用粘着テープとの界面に移行し、第２の領域の粘着力がより一層低下する。従って、半導体チップを無理なくダイシング用粘着テープから剥離することができる。
【００３３】
上記ガス発生剤としては特に限定はされないが、例えばアゾ化合物、アジド化合物が好適に用いられる。アゾ化合物としては、例えば、２，２′−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス[２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド]、２，２′−アゾビス[２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド]、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２′−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２′−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス[２−[１−（２−ヒドロキシエチル）−２イミダゾイリン−２−イル]プロパン]ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミダイン）ハイドロクロライド、２，２′−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス[Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオンアミダイン、２，２′−アゾビス[２−[Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミダイン]プロパン]、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２′−アゾビスイソブチレート、４，４′−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４′−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２′−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【００３４】
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
また、アジド化合物としては、例えば３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生する。
【００３５】
上記ガス発生剤のうち、アジド化合物は、衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素ガスを放出する。従って、取扱いが困難であるという難点がある。さらにアジド化合物は、一端分解が始まると連鎖反応を起こし、爆発的に窒素ガスを放出し、その制御が容易でない。従って、爆発的に発生した窒素ガスにより半導体ウェーハが損傷するおそれがある。従って、アジド化合物を用いる場合、その使用量を少なくすることが望ましい。
【００３６】
これに対して、アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり、衝撃によって気体を発生しない。従って、取扱いが極めて容易である。また、アゾ化合物は連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生することもない。従って、半導体ウェーハの損傷が生じ難い。加えて、光の照射を中断した場合には、気体の発生も中断させることがある。従って、アゾ化合物を用いた場合には、用途に応じて接着性の制御が容易に行われ得る。よって、ガス発生剤としては、アゾ化合物を用いることが好ましい。
【００３７】
粘着剤１００重量部当たり、ガス発生剤は５重量部〜５０重量部の割合で含有されることが望ましい。５重量部を下回る場合には、ガス発生量が不足し、所望の剥離性が得られないことがある。また、５０重量部を上回る場合には、溶解性が悪化し、ブリード等の不具合が発生することがある。
【００３８】
なお、ガス発生剤は、粘着剤層４に分散されるが、その場合には、粘着剤層４全体が発泡体となり、柔らかくなりすぎるおそれがある。従って、好ましくは、少なくとも第２の領域において、半導体ウェーハに粘着される表層部分、すなわち表面から１〜２０μｍ程度の厚みの部分にガス発生剤を偏在させておくことが望ましく、より望ましくは、半導体ウェーハに貼り合わされる部分のみにガス発生剤を含有させることが好ましい。
【００３９】
少なくとも第２の領域を構成している粘着剤の半導体ウェーハに粘着される表層部分にガス発生剤を偏在させておくことにより、ダイシング後に光を照射した場合、ガス発生剤から発生したガスが第の領域の粘着剤と半導体チップとの接着界面に確実に移行する。従って、両者の接着面積が減少し、なおかつ気体が半導体チップを第２の領域において粘着面から剥離するように作用し、それによって半導体チップと第２の領域を構成している粘着剤との粘着力が急激に低下する。
【００４０】
なお、上記表層部分にガス発生剤を含有させた態様とは、粘着剤の表面にガス発生剤が均一に付着している態様や、粘着剤の表面に付着したガス発生剤が粘着剤と相溶し、粘着剤に吸収されている態様も含むものとする。
【００４１】
表層部分にのみガス発生剤を含有させる方法としては、例えば、粘着剤層上に１〜２０μｍ程度の厚みでガス発生剤を含有する粘着剤を塗工する方法や、予め作製された粘着剤層表面にガス発生剤を含有する揮発性液体不透過性フィルムを塗布あるいはスプレーなどにより形成する方法などが挙げられる。
【００４２】
上記表層部分の厚みは、粘着剤層全体の厚みによっても異なるが、粘着剤の表面から２０μｍまでの深さ部分であることが好ましい。
なお、粘着剤層４の表面に気体発生剤を付着させる場合には、粘着剤と相溶性に優れた気体発生剤を付着させることが好ましい。すなわち、粘着剤の表面に気体発生剤を多量に付着させると粘着力が低くなるが、気体発生剤が粘着剤と相溶する場合は、付着した気体発生剤は粘着剤層に吸収され粘着力が低下することがなく、気体発生剤が拡散することにより被着体との接触面全体に対してより均一に気体を発生させることができる。また、気体発生剤を含有する表面部分とそれ以外とは、異なる組成の樹脂成分からなることが好ましく、なかでも、異なる極性を有する樹脂成分からなることがより好ましい。これにより、表面部分の気体発生剤がそれ以外に移行することを防止するか、移行しにくくすることができる。
【００４３】
本実施形態では、ダイシング用粘着テープ２に半導体ウェーハ１が貼付された場合、粘着剤層４により半導体ウェーハ１の裏面１ｂの全体が強く貼り合わされる。従って、その状態で、公知の方法に従って、半導体ウェーハ１を高精度にダイシングすることができる。図１（ａ）の線Ｘはダイシングにより切断された部分を示す。ダイシングは、公知の方法により行われ、半導体ウェーハ１が、図１（ｂ）に示すように、多数の半導体チップ１Ａに分割される。
【００４４】
次に、本実施形態では、ダイシング用粘着テープ２の基材３の粘着剤層４が設けられている側とは反対側の面にマスク５が配置される。マスク５は、複数の開口部５ａを有する。開口部５ａは、１つの半導体チップ１Ａがダイシング用粘着テープ２に貼付されている領域の少なくとも一部に位置するように設けられている。なお、図１（ｂ）では、１つの半導体チップ１Ａが貼付されている部分において、１つの開口部５ａが配置されているが、１つの半導体チップ１Ａが貼付されている領域において、複数の開口部５ａが配置されていてもよい。
【００４５】
上記マスク５は、遮光性部材からなる。このような遮光性部材としては、金属あるいは着色された樹脂などの適宜の材料を用いることができる。
マスク５を配置した状態で、矢印Ａで示すように光を照射する。この光は、上記粘着剤層４を硬化させる波長の光である。すなわち、光が粘着剤層４を硬化させる刺激として用いられる。
【００４６】
上記光の照射により、開口部５ａと重なり合っている粘着剤層部分が硬化し、粘着力が低下する。従って、開口部５ａに重なり合っていない領域には光が照射されないため、光が照射されない領域においては当初の粘着力が維持され、第１の領域６Ａが構成される。他方、残りの領域、すなわち開口部５ａに重なり合っている領域では粘着剤層に光が照射され、硬化し、弾性率が高められる。従って、開口部５ａに重なり合っている領域が本発明における第２の領域６Ｂを構成する。
【００４７】
図３は、１つの半導体チップが貼付されている粘着剤層部分の模式的平面図である。すなわち、第１の領域６Ａの周囲の領域が第２の領域６Ｂを構成している。マスク５の開口部５ａは第２の領域６Ｂを構成するために設けられている。
【００４８】
この場合、好ましくは、上述したように、粘着剤層４にガス発生剤が含有されている。ガス発生剤が含有されている場合には、ガスを発生させるための刺激を付与することにより、図４において矢印Ｂで示すようにガスが第２の領域６Ｂと半導体チップ１Ａとの界面に移行し、第２の領域６Ｂの半導体チップに対する粘着力がより一層急激に低められる。
【００４９】
なお、本実施形態では、ガス発生剤を分解するための刺激として、光が用いられる。すなわち、上述した矢印Ａで示した光の照射により、粘着剤層４が硬化するだけでなく、上記ガス発生剤が分解され、ガスが発生するように構成されている。もっとも、ガス発生剤を分解するための刺激については、上述した粘着剤層４を硬化させるための光と異なる光を用いてもよく、あるいは光以外の熱などを用いてもよい。すなわち、ガス発生剤を分解するための刺激については、粘着剤層４を硬化させる刺激と同一であってもよく、異なっていてもよい。もっとも、同一の刺激を用いることにより、一度の工程で粘着剤層４の硬化及びガスの発生の双方を果たし得る。
【００５０】
本実施形態では、上記のように、光の照射により、粘着剤層４が第２の領域６Ｂにおいて硬化し、第２の領域における半導体チップ１Ａを粘着する力が低下する。従って、半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から吸着パッドなどを用いて容易に剥離することができる。しかも、第１の領域６Ｂでは、当初の粘着力が維持されているため、吸着パッドによる取り出しに際し、半導体チップ１Ａが位置ずれを生じ難い。特に、全ての半導体チップ１Ａが貼付されている領域にマスク５を介して一度に光を照射した場合には、全ての半導体チップが貼付されている部分において第２の領域の粘着力が低下するが、この場合においても、全ての半導体チップ１Ａが第１の領域６Ａにおいてダイシング用粘着テープ２に確実に粘着されている。従って、半導体チップ１Ａを取り出した際、その衝撃や振動により隣接する半導体チップ１Ａの位置ずれが生じ難い。
【００５１】
よって、半導体チップ１Ａをダイシング後に吸着パッドなどを用いて安定に取り出すことができ、取り出し不良を確実に抑制することができる。
なお、光の照射は、取り出そうとする半導体チップ毎に行ってもよい。
【００５２】
上述した実施形態では、マスク５を用いることにより、第１，第２の領域６Ａ，６Ｂを構成したが、マスク５を用いる方法に代えて、基材３に予め遮光部を設けておいてもよい。すなわち、図５に模式的断面図で示すように、ダイシング用粘着テープ２の基材３の粘着剤層４が設けられている側とは反対側の面に、遮光部３ａを形成しておいてもよい。遮光部３ａは、上述したマスク５の開口部５ａ間の領域に相当する部分に設けられる。基材３に遮光部３ａを設けることにより、光の照射により遮光部３ａの上方の粘着剤層領域が第１の領域を構成し、遮光部３ａを設けられていない部分の上方の粘着剤層領域が第２の領域を構成することになる。
【００５３】
上記遮光部３ａは、基材３の片面に遮光性材料をコーティングすることにより形成することができる。あるいは、基材３の片面に遮光性部材を貼り付けることにより遮光部３ａを構成してもよい。また、基材３の一部を遮光性材料で構成することにより遮光部３ａを構成してもよい。
【００５４】
基材３に遮光部３ａを設ける方法の場合、予め１つの半導体チップの平面形状よりも遥かに小さい多数の遮光部をランダムに形成しておいてもよい。その場合には、様々な形状及び寸法の半導体チップに容易に適用することができる。すなわち、半導体チップの寸法に比べて小さい多数の遮光部３ａをランダムに設けておけば、ダイシングにより得られた半導体チップが貼付されている領域の平面形状や寸法の如何にかかわらず、１つの半導体チップが貼付されている粘着剤層部分の一部に、確実に第１の領域を形成することができる。
【００５５】
次に、本発明の第２の実施形態を説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態と同様にして、半導体ウェーハ１の裏面にダイシング用粘着テープ２が貼付される。第２の実施形態におけるダイシング用粘着テープ２を図６（ａ）に略図的に示す。ダイシング用粘着テープ２は、基材１３と、基材１３の一方面に形成された粘着剤層１４と、他方面に形成された粘着剤層１５とを有する。
【００５６】
基材１３を構成する材料としては、特に限定されないが、例えばポリエチレンテレフタレートやポリプロピレンなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。特に、硬化型粘着剤を硬化させるための刺激及び／またはガス発生剤からガスを発生させるための刺激が光である場合には、透光性の樹脂フィルムが基材として好ましく用いられる。
【００５７】
基材１３の上面１３ａには、全面に凹凸が付与されている。すなわち、凸部１３ｂが凹部１３ｃを介して隔てられて分散されている。上面１３ａにおいては、粘着剤層１４は、凸部１３ｂを越える厚みに形成されており、かつ粘着剤層１４の上面は平坦とされている。粘着剤を溶剤に溶かして塗工したり溶融塗工することにより粘着剤層１４の上面は容易に平坦化される。
【００５８】
従って、半導体ウェーハ１を貼り合わせた場合、半導体ウェーハ１の裏面１ｂの全面が粘着剤層１４に貼付される。
粘着剤層１４を構成する粘着剤は刺激により反応して硬化する反応硬化型粘着剤である。ここで、粘着剤層１４を硬化させる刺激としては、特に限定されず、光や熱など任意の刺激が挙げられる。
【００５９】
第２の実施形態では、上記のようにして、まず、半導体ウェーハ１がダイシング用粘着テープ２の粘着剤層１４に貼り合わされ、その状態で粘着剤層５を用いてダイシングステージ上に貼り付けられる。しかる後、第１の実施形態と同様に公知の方法に従ってダイシングが行われる。
【００６０】
ダイシングに際しては、粘着剤層１４の粘着力によりダイシング用粘着テープ２に半導体ウェーハ１が確実に固定されているため、高精度にダイシングが行われる。
【００６１】
次に、光や熱などの刺激を付与することにより、粘着剤層１４が、架橋・硬化し、硬化収縮を起こす。そのため、図６（ｂ）に示すように、硬化収縮後には、凹部１３ｃにおいて粘着剤層１４の上面が半導体チップ１Ａの下面から隔てられる。粘着剤層１４は、このように硬化収縮する厚みに形成されている。硬化型粘着剤は、多かれ少なかれ硬化により収縮するが、本実施形態では、硬化後に凹部１３ｃにおいて半導体チップ１Ａから分離されるように、硬化型粘着剤の収縮量に応じて、粘着剤層１４の厚みが設定されている。なお、粘着剤層４の図６（ａ）における凸部１３ｂと粘着剤層１４の上面１４ａとの間の厚みは、硬化収縮量に応じて定められ、硬化型粘着剤の種類によって異なるため、一義的には定め得ない。
【００６２】
上記硬化型粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
【００６３】
このような光硬化型粘着剤または熱硬化型粘着剤等の硬化型粘着剤は、光の照射または加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。なお、上記重合性ポリマー、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマー、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物及び光重合開始剤などについては、第１の実施形態において示したものを用いることができるため、第２の実施形態の説明においても援用することとする。
【００６４】
なお、上記硬化型粘着剤として、熱硬化型粘着剤を用いる場合、上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、具体的には例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔブチルパーオキサイド等が挙げられる。中でも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６５】
また、上記粘着剤層１４においては、第１の実施形態の場合と同様に、粘着剤層１４にガス発生剤が含有されていてもよい。このガス発生剤及びガス発生剤を分解してガスを発生させるための刺激についても、第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態の説明を援用することとする。
【００６６】
図６（ｂ）に戻り、基材１３の半導体ウェーハ１が貼付される側とは反対側の面には、粘着剤層１５が形成されている。粘着剤層１５は、ダイシング用粘着テープ２をダイシング用ステージに貼り合わせるために設けられている。粘着剤層１５は必ずしも設けずともよい。すなわち、ダイシング用粘着テープ２をステージに固定し得る限り、他の手段を用いてもよい。粘着剤層１５は、ダイシング用ステージにダイシング用粘着テープ２を貼付するために設けられているため、十分な接着強度を有する適宜の粘着剤で構成され得る。このような粘着剤としては、アクリル系粘着剤などの一般的な粘着剤を用いることができる。
【００６７】
第２の実施形態では、上記のようにダイシング後に光や熱などの刺激を付与することにより、粘着剤層１４が硬化し、収縮する。前述したように、硬化収縮により凸部３ｂ間では、粘着剤が後退するように粘着剤層１４の塗布厚みが設定されていたため、硬化収縮により凹部１３ｃでは粘着剤層１４が半導体チップ１Ａから分離される。従って、硬化収縮後には、半導体チップ１Ａと粘着剤層１４との接着面積が低下する。言い換えれば、凹部１３ｃでは、粘着剤層が半導体チップ１Ａから隔てられるので、半導体チップ１Ａはその下面において部分的にダイシング用粘着テープ２に接着されていることになる。従って、半導体チップ１Ａを吸着パッドなどを用いて容易にダイシング用粘着テープ２から剥離することができる。
【００６８】
すなわち、第２の実施形態では、凸部１３ｂ及びその近傍においてのみ半導体チップ１Ａが粘着剤層１４に貼付された状態となるため、凸部１３ｂ及びその近傍部分が第１の領域を構成し、硬化収縮により半導体チップ１Ａから分離された粘着剤層部分が第２の領域を構成することになる。すなわち、凸部１３ｂ，１３ｂ間の凹部１３ｃが本発明の第２の領域を構成することになる。従って、第１の実施形態の場合と同様に、半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から容易に剥離することができるだけでなく、第１の領域においては半導体チップ１Ａが粘着剤層１４に粘着されているため、取り出しに際しての振動や衝撃により半導体チップ１Ａの位置ずれが生じることがない。
【００６９】
さらに、好ましくは、粘着剤層１４が刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含んでいる場合、ガスを発生させるための刺激を付与すれば、粘着剤層１４内において生じたガスが粘着剤層１４と半導体チップ１Ａとの界面に移行し、界面における粘着力が大幅に低下する。従って、半導体チップ１Ａをより一層無理なく剥離することができる。
【００７０】
なお、図６（ｂ）では、１つの半導体チップ１Ａの下面に１つの凸部１３ｂが位置するように凸部１３ｂが設けられているが、１つの半導体チップ１Ａの下面に複数の凸部が最終的に接触するように複数の凸部が基材１３の上面に形成されていてもよい。また、凸部の平面形状についても特に限定されない。また、凸部の上部が平坦である必要は必ずしもなく、円錐状あるいは角錐状の凸部が形成されていてもよい。
【００７１】
基材１３に上記のような凸部１３ｂや凹部１３ｃを形成する方法についても特に限定されず、上記凸部及び凹部を有するように基材１３を構成する樹脂フィルムを成形したり、あるいは平坦な樹脂フィルムを得た後に表面を荒らすことにより凹部や凸部を形成してもよい。
【００７２】
【発明の効果】
第１の発明の半導体チップの製造方法によれば、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後に、刺激を付与することにより、１つの半導体チップが貼付されている部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが構成される。従って、個々の半導体チップをダイシング用粘着テープから容易に剥離することができる。加えて、第１の領域では半導体チップがダイシング用粘着テープに十分な粘着力で貼付されているため、半導体チップの取り出しに際しての衝撃や振動により半導体チップの位置ずれが生じ難い。従って、半導体チップの取り出し不良の発生を抑制することができる。
【００７３】
また、ダイシング時には、半導体ウェーハが上記粘着剤層によりダイシング用粘着テープに強固に粘着されているため、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれも生じ難い。
【００７４】
第１の発明において、粘着剤が刺激の付与により硬化し、粘着力が低下する粘着剤により構成されており、第２の領域のみに刺激が付与される場合には、刺激として光や熱などを用いることにより、容易に第１，第２の領域を構成することができる。特に、刺激が光であり、刺激を付与する工程において、第１の領域に光を照射せず、第２の領域のみに光を照射する場合には、半導体チップの変質等を招くことなくかつ容易に第１，第２の領域を構成することができる。
【００７５】
ダイシング用粘着テープが、表面に凹凸が付与されている基材を有し、該基材表面の凹凸の凸部を超えるように粘着剤層が形成されており、刺激の付与により粘着剤を硬化させた場合に、硬化収縮により粘着剤層が凹部において半導体チップから分離される硬化型粘着剤により構成されている場合には、凸部が第１の領域を、凹部が第２の領域を構成することになる。この場合においても、半導体チップが凹部において粘着剤層から分離されるため、半導体チップをダイシング用粘着テープから容易に剥離することができる。また、凸部上においては半導体チップが粘着されているため、取り出しに際しての振動や衝撃により半導体チップの位置ずれが生じ難い。
【００７６】
第１の発明において、ダイシング用粘着テープの粘着剤が、刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む場合には、ガスが第２の領域において粘着剤層表面に移行するため、半導体チップをダイシング用粘着テープからより一層容易に剥離することができる。
【００７７】
第２の発明に係るダイシング用粘着テープは、刺激の付与により、半導体チップが貼付される部分において、粘着力が相対的に高い第１の領域と、残りの領域であって、粘着力が相対的に弱く、あるいは粘着力を有しない第２の領域とが形成されるように構成されているため、第１の発明に係る半導体チップの製造方法に好適に用いることができる。すなわち、半導体チップの製造に際し、ダイシング用粘着テープから半導体チップを容易に剥離することができると共に、剥離に際しての半導体チップの位置ずれを効果的に抑制することができる。また、ダイシング時には、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに確実に粘着されるため、ダイシングに際しての半導体ウェーハの位置ずれも確実に抑制することができる。
【００７８】
第２の発明において、少なくとも第２の領域が、刺激により粘着力が低下する粘着剤により構成されている場合には、刺激の付与により、容易に第１，第２の領域を構成することができる。特に、刺激が光であり、第１の領域に光が照射されないように、第１の領域への光の照射を阻害する遮光部が設けられている場合には、光の照射により、第１，第２の領域を容易に形成することができる。
【００７９】
また、表面に凹凸を有する基材の該表面に凸部を超える厚みに粘着剤層が形成されており、該粘着剤層が刺激の付与により硬化された際の硬化収縮により凹部において半導体チップから隔てられるように粘着剤が後退するように構成されている場合には、凸部が第１の領域を、凸部間の凹部が第２の領域を構成することになる。従って、刺激の付与により、容易に第１，第２の領域を形成することができる。第２の発明においても、粘着剤が刺激によりガスを発生させるガス発生剤を含む場合には、半導体チップのダイシング用粘着テープからの剥離をより一層容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態において、半導体ウェーハをダイシング用粘着テープに貼付する工程を説明するための斜視図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態においてダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼り合わせた状態を示す模式的断面図及びダイシング後に光を照射することにより第１，第２の領域を形成する工程を説明するための模式的断面図。
【図３】第１，第２の領域の平面形状を説明するための模式的平面図。
【図４】第１の実施形態において、第１の領域にガス発生剤が含有されている場合の発生したガスの作用を説明するための模式的断面図。
【図５】第１の実施形態の変形例において、基材に遮光部が設けられている構造を説明するための模式的断面図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態において、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼り合わせた状態、並びにダイシング後に刺激を与えて粘着剤を硬化収縮させた状態を示す各部分切欠断面図。
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ
１Ａ…半導体チップ
２…ダイシング用粘着テープ
３…基材
３ａ…遮光部
４…粘着剤層
５…マスク
６Ａ…第１の領域
６Ｂ…第２の領域
１３…基材
１３ａ…上面
１３ｂ…凸部
１３ｃ…凹部
１４…粘着剤層
１４ａ…上面
１５…粘着剤層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a large number of semiconductor chips by dicing a semiconductor wafer, and more specifically, dicing is performed in a state where the semiconductor wafer is adhered to a dicing adhesive tape, and then the semiconductor chip is taken out. The present invention relates to a semiconductor chip manufacturing method and a dicing adhesive tape.
[0002]
[Prior art]
When manufacturing a semiconductor chip such as an IC or LSI, a semiconductor wafer having a large number of semiconductor chip circuits formed on the surface is prepared. Next, after the back surface of the semiconductor wafer is polished to a predetermined thickness, the semiconductor wafer is attached to a dicing adhesive tape. Next, the semiconductor wafer affixed to the dicing adhesive tape is diced in the vertical and horizontal directions and divided into a large number of semiconductor chips. Thereafter, the semiconductor chip is peeled off from the dicing adhesive tape and taken out. An example of such a semiconductor chip manufacturing method is disclosed in Patent Document 1 below, for example. In the manufacturing method described in this prior art, the semiconductor wafer is adhered to the dicing adhesive tape by the adhesive force of the dicing adhesive tape in order to prevent the semiconductor wafer from being displaced during dicing, and light is irradiated after dicing. By doing so, the adhesive strength of the adhesive layer of the adhesive tape for dicing is lowered, whereby the semiconductor chip is easily peeled from the adhesive tape for dicing.
[0003]
[Patent Document 1]
JP 7-78793 A
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when light is irradiated after dicing as in the method described in the above prior art, the adhesive strength of all the semiconductor chips is reduced uniformly, and vibration and shock when taking out one semiconductor chip with a suction pad or the like. For example, the position of an adjacent semiconductor chip may be misaligned. In addition, a semiconductor chip may be taken out poorly.
[0005]
On the other hand, when a semiconductor wafer is affixed to the above-mentioned dicing adhesive tape and dicing is performed, the adhesive strength of the dicing adhesive tape needs to be high to some extent. If the adhesive force is not sufficiently high, the position of the semiconductor wafer is displaced during dicing, and the semiconductor wafer cannot be diced with high accuracy.
[0006]
However, in the method described in the above prior art using an adhesive whose adhesive strength is reduced by light irradiation, when the adhesive strength is increased, the adhesive strength may not be sufficiently reduced even when light is irradiated after dicing. there were. Therefore, when the semiconductor chip is taken out using a push-up pin or a suction pad in order to peel the semiconductor chip from the dicing adhesive tape, the semiconductor chip may be cracked or chipped.
[0007]
The object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, and when taking out a semiconductor chip after dicing, not only the adhesive force by the dicing adhesive tape is sufficiently lowered, but also the misalignment of the semiconductor chip after dicing Another object of the present invention is to provide a semiconductor chip manufacturing method and a dicing pressure-sensitive adhesive tape used in the manufacturing method, in which misalignment of the semiconductor wafer hardly occurs during dicing.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
A first invention of the present invention is a method for manufacturing a large number of semiconductor chips from a semiconductor wafer, the step of preparing a semiconductor wafer, the step of sticking a dicing adhesive tape to the semiconductor wafer, and the dicing By dicing the semiconductor wafer attached to the adhesive tape and dividing it into individual semiconductor chips, and applying a stimulus, the adhesive force is applied to the part where one semiconductor chip of the adhesive tape for dicing is attached. Forming a relatively high first region and a remaining region having a relatively weak adhesive force or a second region having no adhesive force; and attaching the semiconductor chip to the dicing adhesive And a step of peeling from the tape.
[0009]
In a specific aspect of the first invention, the pressure-sensitive adhesive constituting the dicing pressure-sensitive adhesive tape is formed of a pressure-sensitive adhesive that is cured by applying a stimulus and has a reduced adhesive force, and is only in the second region. The stimulus is applied. That is, by applying a stimulus only to the second region, a first region having a relatively high adhesive force and a second region having a relatively weak adhesive force or no adhesive force are formed. The
[0010]
Preferably, light is used as the stimulus, and in the step of applying the stimulus, the first region is not irradiated with light, and only the second region is irradiated with light.
In still another specific aspect of the first invention, the pressure-sensitive adhesive tape for dicing has a substrate having irregularities on the surface thereof, and is a curable pressure-sensitive adhesive so as to exceed the irregularities on the surface of the substrate. When the adhesive layer is cured by applying a stimulus, the adhesive layer is separated from the semiconductor chip in the recesses between the protrusions by curing shrinkage. The convex part constitutes the first area, and the concave part between the convex parts constitutes the second area. In this case, the first region having a relatively high adhesive force and the second region having a relatively weak adhesive force or no adhesive force are formed by curing shrinkage.
[0011]
There is no particular limitation on the stimulation when the first and second regions are formed by curing shrinkage, and for example, light or heat is used.
In another specific aspect of the first invention, the pressure-sensitive adhesive for the dicing pressure-sensitive adhesive tape includes a gas generating agent that generates gas by stimulation. In this case, by applying the stimulus, gas is generated at the interface between the dicing adhesive tape and the semiconductor chip, and the adhesive force of the semiconductor chip to the dicing adhesive tape can be further reduced.
[0012]
A second invention of the present application is a dicing adhesive tape that is affixed to a semiconductor wafer and is used for peeling the semiconductor chip after dicing the semiconductor wafer, where the semiconductor chip is affixed by applying a stimulus The first region having a relatively high adhesive strength and the remaining region, the second region having a relatively weak adhesive strength or no adhesive strength, are formed. Yes.
[0013]
In a specific aspect of the second invention, at least the second region is composed of a curable pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by stimulation.
In the second invention, preferably, light is used as the stimulus, and in this case, a light-shielding portion that inhibits light irradiation to the first region is provided so that the first region is not irradiated with light.
[0014]
In another specific aspect of the second invention, a curable pressure-sensitive adhesive layer is formed on a surface provided with a concavo-convex portion on the surface, and a curable pressure-sensitive adhesive layer is formed on the surface where the concavo-convex portion of the base material is provided. The adhesive layer is configured to be separated from the semiconductor chip in the recesses between the protrusions by curing shrinkage when the adhesive layer is cured by applying the stimulus, whereby the protrusions are the first The second region is constituted by the concave portion between the convex portions.
[0015]
Also in the second invention, the pressure-sensitive adhesive preferably includes a gas generating agent that generates gas by stimulation, and in that case, gas is generated between the semiconductor chip and the pressure-sensitive adhesive tape for dicing. The adhesive force of the adhesive tape to the semiconductor chip is further reduced.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention.
[0017]
In the first embodiment of the present invention, a semiconductor wafer 1 shown in FIG. 2 is used. In the semiconductor wafer 1, circuits for configuring individual semiconductor chips are formed on the surface 1 a in each region partitioned by streets. In FIG. 2, it is pointed out that illustration of a specific circuit is omitted.
[0018]
The semiconductor wafer 1 has a substantially disk shape. In the semiconductor wafer 1, after the circuit is configured on the front surface 1 a, the back surface 1 b side is polished so that the semiconductor wafer 1 has a predetermined thickness.
[0019]
In the present embodiment, the semiconductor wafer 1 having a predetermined thickness is prepared first. The semiconductor wafer is made of, for example, a semiconductor material such as silicon, and the thickness is usually about several tens of μm to 150 μm after being polished. Next, a dicing adhesive tape 2 is attached to the back surface 1b of the semiconductor wafer 1 as shown in FIG.
[0020]
FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a structure in which the semiconductor wafer 1 is bonded to the dicing adhesive tape 2 as described above. The dicing pressure-sensitive adhesive tape 2 is configured by forming a pressure-sensitive adhesive layer 4 on one side of a base material 3 as shown in the figure.
[0021]
Although it does not specifically limit as the base material 3, For example, synthetic resin films, such as a polyethylene terephthalate and a polypropylene, are used suitably. In particular, when the stimulus described below is light, a translucent resin film is preferably used as the substrate.
[0022]
In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 4 is composed of a photo-curing pressure-sensitive adhesive whose elastic modulus is increased by light irradiation and whose adhesive force is decreased. As such an adhesive, for example, an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical polymerizable polyfunctional A photocurable pressure-sensitive adhesive comprising an oligomer or a monomer as a main component and a photopolymerization initiator as required can be mentioned.
[0023]
Such photo-curing pressure-sensitive adhesive is uniformly and quickly polymerized and cross-linked by light irradiation, so that the elastic modulus increases significantly due to polymerization and curing, and the adhesive strength is greatly reduced. To do.
[0024]
The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can obtain by making it react with the compound (henceforth a functional group containing unsaturated compound) which has a functional group to perform and a radically polymerizable unsaturated bond. In this specification, (meth) acryl means acryl or methacryl.
[0025]
The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. An acid alkyl ester and / or a methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, and by copolymerizing it with a functional group-containing monomer and, if necessary, other modifying monomers copolymerizable therewith It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200 to 2,000,000.
[0026]
Examples of functional group-containing monomers include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid and methacrylic acid; hydroxyl group-containing monomers such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; epoxy group-containing monomers such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate;
[0027]
Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
[0028]
As the functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer, the same functional group-containing monomer as described above can be used according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used, When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used. When the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
[0029]
The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5000 or less so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by heating or light irradiation. And the lower limit of the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 and the upper limit is 20. Examples of such more preferred polyfunctional oligomers or monomers include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate. 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate or the same methacrylates as mentioned above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
[0030]
Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone. Benzoin ether compounds such as benzoinpropyl ether and benzoin isobutyl ether; ketal derivative compounds such as benzyldimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; phosphine oxide derivative compounds; bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds; Benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl pro Examples thereof include photo radical polymerization initiators such as bread. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
[0031]
In addition to the above-mentioned components, the curable pressure-sensitive adhesive has various types that are blended in general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds as desired for the purpose of adjusting the cohesive force as the pressure-sensitive adhesive. You may mix | blend a functional compound suitably. Moreover, you may mix | blend well-known additives, such as plasticity, resin, surfactant, wax, and a fine particle filler.
[0032]
Preferably, the pressure-sensitive adhesive that constitutes the pressure-sensitive adhesive layer 4 contains a gas generating agent that generates a gas by applying a stimulus such as light or heat. In this case, the adhesive force of the second region is reduced by curing due to light irradiation described later, and the gas generated by applying the stimulus moves to the interface between the semiconductor chip and the adhesive tape for dicing, The adhesive strength in the region is further reduced. Therefore, the semiconductor chip can be easily peeled from the dicing adhesive tape.
[0033]
Although it does not specifically limit as said gas generating agent, For example, an azo compound and an azide compound are used suitably. Examples of the azo compound include 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [2-methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl)- 2-hydroxyethyl] propionamide], 2,2′-azobis [2-methyl-N- [2- (1-hydroxybutyl)] propionamide], 2,2′-azobis [2-methyl-N- ( 2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2′-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2 , 2'-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2'-azobis [2- (5-methyl-2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride 2,2'-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] disulfate di Hydrolate, 2,2'-azobis [2- (3,4,5,6-tetrahydropyrimidin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- [1- (2- Hydroxyethyl) -2imidazolidin-2-yl] propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane], 2,2'-azobis (2-methylpropionamida) In) Hydrochloride, 2,2'-azobis (2-aminopropane) dihydrochloride, 2,2'-azobis [N- (2-carboxyacyl)- -Methyl-propionamidine, 2,2'-azobis [2- [N- (2-carboxyethyl) amidyne] propane], 2,2'-azobis (2-methylpropionamidoxime), dimethyl 2,2 ' -Azobis (2-methylpropionate), dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate, 4,4'-azobis (4-cyancarbonic acid), 4,4'-azobis (4-cyanopentanoic) Acid), 2,2'-azobis (2,4,4-trimethylpentane) and the like.
[0034]
These azo compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat, or the like.
Examples of the azide compound include 3-azidomethyl-3-methyloxetane, terephthalazide, p-tert-butylbenzazide; glycidyl azide polymer obtained by ring-opening polymerization of 3-azidomethyl-3-methyloxetane, and the like. Examples thereof include a polymer having an azide group. These azide compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat, impact, or the like.
[0035]
Among the gas generating agents, the azide compound is easily decomposed by releasing an impact and releases nitrogen gas. Therefore, there is a difficulty that handling is difficult. Furthermore, the azide compound undergoes a chain reaction once decomposition starts, explosively releasing nitrogen gas, and its control is not easy. Therefore, the semiconductor wafer may be damaged by the nitrogen gas generated explosively. Therefore, when using an azide compound, it is desirable to reduce the amount of use.
[0036]
On the other hand, unlike an azide compound, an azo compound does not generate gas by impact. Therefore, handling is very easy. In addition, the azo compound does not generate a gas explosively by causing a chain reaction. Therefore, the semiconductor wafer is hardly damaged. In addition, when light irradiation is interrupted, gas generation may be interrupted. Therefore, when an azo compound is used, the adhesiveness can be easily controlled according to the application. Therefore, it is preferable to use an azo compound as the gas generating agent.
[0037]
The gas generating agent is desirably contained in a proportion of 5 to 50 parts by weight per 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive. When the amount is less than 5 parts by weight, the amount of gas generated is insufficient, and the desired peelability may not be obtained. Moreover, when it exceeds 50 weight part, solubility may deteriorate and malfunctions, such as a bleed, may generate | occur | produce.
[0038]
In addition, although a gas generating agent is disperse | distributed to the adhesive layer 4, in that case, the adhesive layer 4 whole becomes a foam and there exists a possibility that it may become too soft. Therefore, it is preferable that the gas generating agent is unevenly distributed in the surface layer portion adhered to the semiconductor wafer, that is, the portion having a thickness of about 1 to 20 μm from the surface, and more preferably in at least the second region. It is preferable to include the gas generating agent only in the portion bonded to the wafer.
[0039]
By causing the gas generating agent to be unevenly distributed on the surface layer portion to be adhered to the semiconductor wafer of the adhesive constituting at least the second region, when light is irradiated after dicing, the gas generated from the gas generating agent is It is surely transferred to the adhesive interface between the adhesive in the region and the semiconductor chip. Therefore, the adhesion area between the two is reduced, and the gas acts to peel the semiconductor chip from the adhesive surface in the second region, thereby the adhesion between the semiconductor chip and the adhesive constituting the second region. The force drops sharply.
[0040]
In addition, the aspect which made the surface layer part contain the gas generating agent is an aspect in which the gas generating agent uniformly adheres to the surface of the adhesive, or the gas generating agent attached to the surface of the adhesive is compatible with the adhesive. It also includes an embodiment that is dissolved and absorbed by the adhesive.
[0041]
Examples of the method of containing the gas generating agent only in the surface layer portion include, for example, a method of applying an adhesive containing the gas generating agent with a thickness of about 1 to 20 μm on the pressure sensitive adhesive layer, or a pressure sensitive adhesive layer prepared in advance. Examples thereof include a method of forming a volatile liquid impermeable film containing a gas generating agent on the surface by coating or spraying.
[0042]
Although the thickness of the said surface layer part changes with thickness of the whole adhesive layer, it is preferable that it is a depth part from the surface of an adhesive to 20 micrometers.
In addition, when making a gas generating agent adhere to the surface of the adhesive layer 4, it is preferable to make the gas generating agent excellent in compatibility with an adhesive adhere. That is, if a large amount of the gas generating agent is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive, the adhesive strength is lowered. The gas can be generated more uniformly over the entire contact surface with the adherend due to the diffusion of the gas generating agent. Further, the surface portion containing the gas generating agent and the others are preferably made of resin components having different compositions, and more preferably made of resin components having different polarities. Thereby, it can prevent that the gas generating agent of a surface part transfers to other than that, or makes transfer difficult.
[0043]
In this embodiment, when the semiconductor wafer 1 is attached to the dicing adhesive tape 2, the entire back surface 1 b of the semiconductor wafer 1 is strongly attached by the adhesive layer 4. Accordingly, in this state, the semiconductor wafer 1 can be diced with high accuracy according to a known method. A line X in FIG. 1A indicates a portion cut by dicing. Dicing is performed by a known method, and the semiconductor wafer 1 is divided into a large number of semiconductor chips 1A as shown in FIG.
[0044]
Next, in this embodiment, the mask 5 is arrange | positioned on the surface on the opposite side to the side in which the adhesive layer 4 of the base material 3 of the adhesive tape 2 for dicing is provided. The mask 5 has a plurality of openings 5a. The opening 5a is provided so that one semiconductor chip 1A is located in at least a part of a region where the dicing adhesive tape 2 is affixed. In FIG. 1B, one opening 5a is disposed in a portion where one semiconductor chip 1A is affixed, but a plurality of openings are provided in a region where one semiconductor chip 1A is affixed. The part 5a may be arranged.
[0045]
The mask 5 is made of a light shielding member. As such a light shielding member, an appropriate material such as a metal or a colored resin can be used.
With the mask 5 disposed, light is irradiated as indicated by an arrow A. This light is light having a wavelength for curing the pressure-sensitive adhesive layer 4. That is, light is used as a stimulus for curing the pressure-sensitive adhesive layer 4.
[0046]
By the irradiation of the light, the pressure-sensitive adhesive layer portion overlapping the opening 5a is cured, and the adhesive strength is reduced. Therefore, since light is not irradiated to the area | region which does not overlap with the opening part 5a, the original adhesive force is maintained in the area | region where light is not irradiated, and the 1st area | region 6A is comprised. On the other hand, in the remaining region, that is, the region overlapping the opening 5a, the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with light and cured, and the elastic modulus is increased. Therefore, the region overlapping the opening 5a constitutes the second region 6B in the present invention.
[0047]
FIG. 3 is a schematic plan view of the pressure-sensitive adhesive layer portion to which one semiconductor chip is attached. That is, the area around the first area 6A constitutes the second area 6B. The opening 5a of the mask 5 is provided to configure the second region 6B.
[0048]
In this case, preferably, as described above, the pressure-sensitive adhesive layer 4 contains a gas generating agent. When the gas generating agent is contained, by applying a stimulus for generating the gas, the gas moves to the interface between the second region 6B and the semiconductor chip 1A as shown by an arrow B in FIG. And the adhesive force with respect to the semiconductor chip of the 2nd field 6B is lowered much more rapidly.
[0049]
In the present embodiment, light is used as a stimulus for decomposing the gas generating agent. That is, by the light irradiation indicated by the arrow A described above, not only the pressure-sensitive adhesive layer 4 is cured, but also the gas generating agent is decomposed to generate gas. But about the irritation | stimulation for decomposing | disassembling a gas generating agent, the light different from the light for hardening the adhesive layer 4 mentioned above may be used, or heat other than light may be used. That is, the stimulus for decomposing the gas generating agent may be the same as or different from the stimulus for curing the pressure-sensitive adhesive layer 4. However, by using the same stimulus, both the curing of the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the generation of gas can be achieved in a single step.
[0050]
In the present embodiment, as described above, the pressure-sensitive adhesive layer 4 is cured in the second region 6B by light irradiation, and the force for adhering the semiconductor chip 1A in the second region is reduced. Therefore, the semiconductor chip 1A can be easily separated from the dicing adhesive tape 2 using a suction pad or the like. In addition, since the initial adhesive force is maintained in the first region 6B, the semiconductor chip 1A is less likely to be displaced when taken out by the suction pad. In particular, when light is irradiated to the region where all the semiconductor chips 1A are attached through the mask 5 at once, the adhesive strength of the second region is reduced in the portion where all the semiconductor chips are attached. However, even in this case, all the semiconductor chips 1A are securely adhered to the dicing adhesive tape 2 in the first region 6A. Therefore, when the semiconductor chip 1A is taken out, the adjacent semiconductor chip 1A is hardly displaced due to the impact or vibration.
[0051]
Therefore, the semiconductor chip 1A can be stably taken out using a suction pad after dicing, and take-out defects can be reliably suppressed.
Note that light irradiation may be performed for each semiconductor chip to be extracted.
[0052]
In the above-described embodiment, the first and second regions 6A and 6B are configured by using the mask 5, but instead of the method using the mask 5, a light shielding portion may be provided in advance on the base material 3. Good. That is, as shown in a schematic cross-sectional view in FIG. 5, a light shielding portion 3a is formed on the surface of the base 3 of the dicing adhesive tape 2 opposite to the side where the adhesive layer 4 is provided. May be. The light shielding portion 3a is provided in a portion corresponding to the region between the openings 5a of the mask 5 described above. By providing the light shielding part 3a on the base material 3, the adhesive layer area above the light shielding part 3a constitutes the first area by light irradiation, and the adhesive layer above the part where the light shielding part 3a is not provided. The area constitutes the second area.
[0053]
The light shielding portion 3a can be formed by coating one surface of the base material 3 with a light shielding material. Or you may comprise the light-shielding part 3a by sticking a light-shielding member on the single side | surface of the base material 3. FIG. Moreover, you may comprise the light-shielding part 3a by comprising a part of base material 3 with a light-shielding material.
[0054]
In the case of the method of providing the light shielding part 3a on the base material 3, a large number of light shielding parts much smaller than the planar shape of one semiconductor chip may be formed in advance at random. In that case, it can be easily applied to semiconductor chips of various shapes and dimensions. That is, if a large number of light-shielding portions 3a that are smaller than the dimensions of the semiconductor chip are provided at random, one semiconductor can be used regardless of the planar shape and dimensions of the region where the semiconductor chip obtained by dicing is attached. A 1st area | region can be reliably formed in a part of adhesive layer part in which the chip | tip is stuck.
[0055]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the second embodiment, the dicing adhesive tape 2 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 1 in the same manner as in the first embodiment. A dicing adhesive tape 2 in the second embodiment is schematically shown in FIG. The dicing pressure-sensitive adhesive tape 2 has a base material 13, a pressure-sensitive adhesive layer 14 formed on one surface of the base material 13, and a pressure-sensitive adhesive layer 15 formed on the other surface.
[0056]
Although it does not specifically limit as a material which comprises the base material 13, For example, synthetic resin films, such as a polyethylene terephthalate and a polypropylene, are used suitably. In particular, when the stimulus for curing the curable pressure-sensitive adhesive and / or the stimulus for generating gas from the gas generating agent is light, a translucent resin film is preferably used as the substrate.
[0057]
The upper surface 13a of the substrate 13 is provided with unevenness on the entire surface. That is, the convex portions 13b are separated and distributed via the concave portions 13c. On the upper surface 13a, the pressure-sensitive adhesive layer 14 is formed to a thickness exceeding the convex portion 13b, and the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 14 is flat. The upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 14 can be easily flattened by dissolving or applying the pressure-sensitive adhesive in a solvent.
[0058]
Therefore, when the semiconductor wafer 1 is bonded, the entire back surface 1 b of the semiconductor wafer 1 is bonded to the adhesive layer 14.
The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 14 is a reaction-curing pressure-sensitive adhesive that reacts and cures upon stimulation. Here, the stimulus for curing the pressure-sensitive adhesive layer 14 is not particularly limited, and may include any stimulus such as light or heat.
[0059]
In the second embodiment, as described above, first, the semiconductor wafer 1 is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 14 of the dicing pressure-sensitive adhesive tape 2, and in this state, is bonded to the dicing stage using the pressure-sensitive adhesive layer 5. . Thereafter, dicing is performed according to a known method as in the first embodiment.
[0060]
In dicing, since the semiconductor wafer 1 is securely fixed to the dicing adhesive tape 2 by the adhesive force of the adhesive layer 14, dicing is performed with high accuracy.
[0061]
Next, by applying a stimulus such as light or heat, the pressure-sensitive adhesive layer 14 is crosslinked / cured to cause curing shrinkage. Therefore, as shown in FIG. 6B, after curing shrinkage, the upper surface of the adhesive layer 14 is separated from the lower surface of the semiconductor chip 1A in the recess 13c. The pressure-sensitive adhesive layer 14 is formed in such a thickness that cures and shrinks. The curable pressure-sensitive adhesive is more or less shrunk by curing. In this embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 14 of the pressure-sensitive adhesive layer 14 is separated according to the shrinkage amount of the curable pressure-sensitive adhesive so as to be separated from the semiconductor chip 1A in the recess 13c after curing. The thickness is set. In addition, since the thickness between the convex part 13b in FIG. 6A of the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the upper surface 14a of the pressure-sensitive adhesive layer 14 is determined according to the amount of curing shrinkage, and differs depending on the type of the curable pressure-sensitive adhesive, It cannot be determined uniquely.
[0062]
Examples of the curable pressure-sensitive adhesive include, for example, an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical polymerizable polyfunctional. A photocurable pressure-sensitive adhesive comprising an oligomer or a monomer as a main component and, if necessary, a photopolymerization initiator, an alkyl acrylate ester having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and / or Alternatively, a methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer and a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer as main components and a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a thermal polymerization initiator can be used.
[0063]
Such curable adhesives such as photo-curable adhesives and thermosetting adhesives are polymerized and cured because the entire adhesive layer is uniformly and rapidly polymerized and cross-linked by light irradiation or heating. The elastic modulus rises significantly due to, and the adhesive strength is greatly reduced. The polymerizable polymer, the functional group-containing (meth) acrylic polymer, the functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer, the photopolymerization initiator, and the like in the first embodiment Since what was shown can be used, it will also be used in the description of the second embodiment.
[0064]
When a thermosetting pressure-sensitive adhesive is used as the curable pressure-sensitive adhesive, examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate active radicals that initiate polymerization and curing. For example, dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, t-butyl peroxybenzoyl, t-butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide , Di-t-butyl peroxide and the like. Among them, cumene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide and the like are preferable because of their high thermal decomposition temperature. Although it does not specifically limit as what is marketed among these thermal-polymerization initiators, For example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, permenta H (all are the products made from NOF) etc. are suitable. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
[0065]
Moreover, in the said adhesive layer 14, the gas generating agent may contain in the adhesive layer 14 similarly to the case of 1st Embodiment. Since the gas generating agent and the stimulus for decomposing the gas generating agent to generate gas are the same as those in the first embodiment, the description of the first embodiment will be cited.
[0066]
Returning to FIG. 6B, an adhesive layer 15 is formed on the surface of the base material 13 opposite to the side to which the semiconductor wafer 1 is attached. The pressure-sensitive adhesive layer 15 is provided for bonding the dicing pressure-sensitive adhesive tape 2 to the dicing stage. The pressure-sensitive adhesive layer 15 is not necessarily provided. That is, as long as the dicing adhesive tape 2 can be fixed to the stage, other means may be used. Since the pressure-sensitive adhesive layer 15 is provided for attaching the dicing pressure-sensitive adhesive tape 2 to the dicing stage, the pressure-sensitive adhesive layer 15 can be composed of an appropriate pressure-sensitive adhesive having sufficient adhesive strength. As such an adhesive, a general adhesive such as an acrylic adhesive can be used.
[0067]
In the second embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 14 is cured and contracted by applying a stimulus such as light or heat after dicing as described above. As described above, since the coating thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 14 is set so that the pressure-sensitive adhesive moves backward between the convex portions 3b due to curing shrinkage, the pressure-sensitive adhesive layer 14 is separated from the semiconductor chip 1A in the concave portion 13c due to curing shrinkage. Is done. Therefore, after the curing shrinkage, the adhesion area between the semiconductor chip 1A and the pressure-sensitive adhesive layer 14 decreases. In other words, since the adhesive layer is separated from the semiconductor chip 1A in the recess 13c, the semiconductor chip 1A is partially bonded to the dicing adhesive tape 2 on its lower surface. Accordingly, the semiconductor chip 1A can be easily peeled off from the dicing adhesive tape 2 using a suction pad or the like.
[0068]
That is, in the second embodiment, since the semiconductor chip 1A is attached to the adhesive layer 14 only at the convex portion 13b and the vicinity thereof, the convex portion 13b and the vicinity thereof constitute the first region, The pressure-sensitive adhesive layer portion separated from the semiconductor chip 1A by curing shrinkage constitutes the second region. That is, the concave portion 13c between the convex portions 13b and 13b constitutes the second region of the present invention. Therefore, as in the case of the first embodiment, not only the semiconductor chip 1A can be easily peeled from the dicing adhesive tape 2, but the semiconductor chip 1A is adhered to the adhesive layer 14 in the first region. Therefore, the positional displacement of the semiconductor chip 1A does not occur due to vibration or impact at the time of taking out.
[0069]
Furthermore, preferably, when the pressure-sensitive adhesive layer 14 includes a gas generating agent that generates gas by stimulation, the gas generated in the pressure-sensitive adhesive layer 14 is applied to the pressure-sensitive adhesive layer if a stimulus for generating gas is applied. 14 and the interface between the semiconductor chip 1A and the adhesive strength at the interface is greatly reduced. Therefore, the semiconductor chip 1A can be more easily peeled off.
[0070]
In FIG. 6B, the convex portion 13b is provided so that one convex portion 13b is positioned on the lower surface of one semiconductor chip 1A. However, a plurality of convex portions are provided on the lower surface of one semiconductor chip 1A. A plurality of convex portions may be formed on the upper surface of the substrate 13 so as to be finally contacted. Moreover, it does not specifically limit about the planar shape of a convex part. Moreover, the upper part of a convex part does not necessarily need to be flat, and the cone-shaped or pyramid-shaped convex part may be formed.
[0071]
The method for forming the convex portions 13b and the concave portions 13c as described above on the base material 13 is not particularly limited, and a resin film constituting the base material 13 is molded so as to have the convex portions and the concave portions, or is flat. You may form a recessed part and a convex part by roughening the surface, after obtaining a resin film.
[0072]
【The invention's effect】
According to the semiconductor chip manufacturing method of the first aspect of the present invention, a semiconductor wafer attached to a dicing adhesive tape is diced and divided into individual semiconductor chips, and then a stimulus is applied to attach one semiconductor chip. In the portion, the first region having a relatively high adhesive force and the second region having a relatively weak adhesive force or no adhesive force are configured. Therefore, each semiconductor chip can be easily peeled from the dicing adhesive tape. In addition, in the first region, the semiconductor chip is affixed to the dicing adhesive tape with a sufficient adhesive force, so that the semiconductor chip is unlikely to be displaced due to impact or vibration when the semiconductor chip is taken out. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defective semiconductor chip removal.
[0073]
Further, during dicing, the semiconductor wafer is firmly adhered to the dicing adhesive tape by the adhesive layer, so that the semiconductor wafer is hardly displaced during dicing.
[0074]
In the first invention, when the pressure-sensitive adhesive is cured by applying a stimulus and is composed of a pressure-sensitive adhesive that decreases in adhesive strength, and when the stimulus is applied only to the second region, light or heat is used as the stimulus. By using, the first and second regions can be easily configured. In particular, the stimulus is light, and in the step of applying the stimulus, when the first region is not irradiated with light and only the second region is irradiated with light, the semiconductor chip is not deteriorated and the like. The first and second regions can be easily configured.
[0075]
The adhesive tape for dicing has a substrate with irregularities on the surface, and an adhesive layer is formed so as to exceed the irregularities on the surface of the substrate, and the adhesive is cured by applying stimulus When the adhesive layer is made of a curable adhesive that is separated from the semiconductor chip in the recess by curing shrinkage, the convex portion constitutes the first region and the concave portion constitutes the second region. Will do. Also in this case, since the semiconductor chip is separated from the adhesive layer in the recess, the semiconductor chip can be easily peeled from the dicing adhesive tape. In addition, since the semiconductor chip is adhered on the convex portion, the semiconductor chip is not easily displaced due to vibration or shock when taken out.
[0076]
In the first invention, when the adhesive of the adhesive tape for dicing contains a gas generating agent that generates gas by stimulation, the gas moves to the surface of the adhesive layer in the second region, so that the semiconductor chip is diced. Can be more easily peeled off from the adhesive tape.
[0077]
The pressure-sensitive adhesive tape for dicing according to the second invention is a first region having a relatively high adhesive force and a remaining region in a portion to which a semiconductor chip is stuck by applying a stimulus, and the adhesive force is relatively Therefore, it can be suitably used in the method for manufacturing a semiconductor chip according to the first aspect of the present invention. That is, when the semiconductor chip is manufactured, the semiconductor chip can be easily peeled from the dicing adhesive tape, and the positional deviation of the semiconductor chip during peeling can be effectively suppressed. Moreover, since the semiconductor wafer is securely adhered to the dicing adhesive tape during dicing, the semiconductor wafer can be reliably prevented from being displaced during dicing.
[0078]
In the second invention, when at least the second region is composed of an adhesive whose adhesive strength is reduced by stimulation, the first and second regions can be easily configured by applying stimulus. it can. In particular, when the light is applied to the first region so that the stimulation is light and the first region is not irradiated with light, the first region is irradiated with the light. , The second region can be easily formed.
[0079]
In addition, a pressure-sensitive adhesive layer is formed on the surface of the substrate having irregularities on the surface so as to have a thickness exceeding the convex portion, and from the semiconductor chip in the concave portion due to curing shrinkage when the pressure-sensitive adhesive layer is cured by applying stimulus. When the pressure-sensitive adhesive is configured to recede so as to be separated, the convex portion constitutes the first region, and the concave portion between the convex portions constitutes the second region. Therefore, the first and second regions can be easily formed by applying a stimulus. Also in the second invention, when the pressure-sensitive adhesive contains a gas generating agent that generates gas by stimulation, the semiconductor chip can be more easily peeled off from the dicing pressure-sensitive adhesive tape.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view for explaining a step of attaching a semiconductor wafer to a dicing adhesive tape in the first embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer is bonded to a dicing adhesive tape in the first embodiment, and first and first by irradiating light after dicing. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining a step of forming the region 2.
FIG. 3 is a schematic plan view for explaining a planar shape of first and second regions.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the action of the generated gas when a gas generating agent is contained in the first region in the first embodiment.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining a structure in which a light shielding portion is provided on a base material in a modification of the first embodiment.
FIGS. 6A and 6B are views showing a state in which a semiconductor wafer is bonded to a dicing adhesive tape in the second embodiment of the present invention, and the adhesive is cured and contracted by applying a stimulus after dicing. Each partial cutaway sectional view showing a state.
[Explanation of symbols]
1 ... Semiconductor wafer
1A ... Semiconductor chip
2 ... Dicing adhesive tape
3. Base material
3a: Shading part
4 ... Adhesive layer
5 ... Mask
6A ... 1st area
6B ... second region
13 ... Base material
13a ... upper surface
13b ... convex part
13c ... recess
14 ... Adhesive layer
14a ... upper surface
15 ... Adhesive layer

Claims

A method for manufacturing a large number of semiconductor chips from a semiconductor wafer,
A process of preparing a semiconductor wafer;
Attaching a dicing adhesive tape to the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer affixed to the dicing adhesive tape, and dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips;
By applying a stimulus, the first region having a relatively high adhesive force and the remaining region on the portion where one semiconductor chip of the adhesive tape for dicing is affixed, the adhesive force being relatively Forming a second region that is weak to or has no adhesive force;
A step of peeling the semiconductor chip from the adhesive tape for dicing,
The dicing pressure-sensitive adhesive tape has a substrate with irregularities on the surface, a curable pressure-sensitive adhesive layer is formed so as to exceed the irregularities on the surface of the substrate, and the pressure-sensitive adhesive layer is When the pressure-sensitive adhesive layer is cured by applying a stimulus, the pressure-sensitive adhesive layer is composed of a curable pressure-sensitive adhesive that is separated from the semiconductor chip in the concave portion between the convex portions by curing shrinkage, and the convex portion is the first The method of manufacturing a semiconductor chip, wherein the concave portion between the convex portions constitutes the second region.

The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 1, wherein the stimulus is light, and the curable adhesive is a photocurable adhesive.

The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 1, wherein the stimulus is heat, and the curable adhesive is a thermosetting adhesive.

The manufacturing method of the semiconductor chip in any one of Claims 1-3 in which the adhesive of the said adhesive tape for dicing contains the gas generating agent which generates gas by irritation | stimulation.