JP4080744B2 - Ｍｒ読取りヘッド抵抗測定の比率方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般にコンピュータ記憶装置に関し、特に、コンピュータ記憶装置における磁気読取りヘッドに関する。さらに詳細には、本発明はコンピュータ記憶装置においてＭＲ読取りヘッドの抵抗を決定するための改良された方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、製造者は、その製品が高品質であり、その動作特性が最適化されていることを保証するためにはどんな苦労も惜しまない。品質および信頼性が最も重要である１つの製品群は、コンピュータおよび他のデータ記憶用装置の内部で広く利用されているディスク・ドライブである。磁気記録装置の一種であるディスク・ドライブは、素早くアクセスすることができるデータを非常に大量に格納することができる。
【０００３】
ディスク・ドライブの一構成要素が、ヘッドと呼ばれる磁気変換器である。このヘッドは、データの読取り書込みを行うようにディスクに接近して配置されている電磁装置である。今日一般的になっている大容量ディスク・ドライブ・ユニットは、データの読取り書込みを行うために、複数のディスクおよび複数のヘッドを有する。高性能記録ヘッドの一種が、磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドである。最適性能のためにＭＲヘッドの動作点を最適化するためには、まずＭＲヘッドの両端の抵抗を知ることが重要である。
【０００４】
ＭＲ読取りヘッドは、また、テープ・ドライブなど他の一般的な記憶装置でも使用される。ＭＲ読取りヘッド抵抗は、テープ・ドライブ、ディスク・ドライブなどを含むどんなＭＲ読取りヘッドの応用分野にとっても重要である。
【０００５】
また、読取りヘッド抵抗の測定は、ヘッドの最大消費電力を超えないことを保証するためにも重要である。読取りヘッドの抵抗を知ることによって、ヘッドの許容最大消費電力を超えることなく、より多くのバイアス電流をヘッドに流すことができるようになる。より多くのバイアス電流は、より多くのヘッド出力を意味し、これは、書込みプロセスで発生する雑音に関連した多くのシステム問題を克服する際に非常に役立つ。
【０００６】
ヘッド抵抗測定の他の利点は、ヘッドを取り付けたままで、ヘッドの寿命全体にわたってヘッド摩耗に関係する情報を収集することである。摩耗に応じてヘッド抵抗が変化するために、これが可能である。最後に、故障したヘッドは非常に高い抵抗を有するので、静電放電（ＥＳＤ）故障を判断することができる。
【０００７】
１つの方法は、統計的なデータに基づいて抵抗値を仮定することであったが、製造ばらつき、および抵抗ばらつきに対するシステムの過敏性のために、この方法で問題が生じている。したがって、ヘッド／ディスク／チャネル構成要素の各組合せに最適化バイアス電流を供給するように、磁気ディスク・ドライブ内のＭＲヘッドに加えられるバイアス電流を制御するようなシステムを使用して、ディスク・ドライブ内の各ヘッドの抵抗を測定することが有効である。
【０００８】
製造時に、各ヘッドの最適化バイアス電流を確かめ、ディスク面に格納する。その後の起動動作ごとに、格納値をランダム・アクセス・メモリに転送し、各ヘッド切換え命令の実行時にこのランダム・アクセス・メモリにアクセスして、最適化値に従って活動状態のＭＲヘッドにバイアス電流を加える。
【０００９】
この方法に関する１つの問題は、ユニットをディスク筐体に取り付ける前の半組立品レベルで、ＭＲ抵抗測定を行わなければならないことである。例えば、抵抗測定は、ＭＲヘッドのウェーハ・レベル、またはスライダー組立てレベルで完了させるか、または、ヘッド・スタック・アセンブリ（ＨＳＡ）・レベル（アクチュエータを組み立てた後で、ディスク筐体に合体させる前）で不便なプロービング方法で完了させなければならない。ＭＲヘッド、アクチュエータなどをディスク筐体内に合体させた後では、ユニットをその筐体から取り出さなければ、ＭＲヘッドの端子を測定に使用することはできない。また、ディスク筐体を超えて端子を延ばすことは現実的でない。その理由は、そのような延長はディスク・ユニットのファイル性能をひどく低下させるからである。さらに、この方法に従って行われるＭＲ抵抗測定は、時間がかかり、さらに、ＭＲ抵抗ノードにアクセスするために特殊なプローブと取付け具を必要とする。
【００１０】
製造するためには、半田ボールなどの短絡機構を使用して静電放電（ＥＳＤ）から磁気抵抗記録ヘッドを保護するのが有効である。ＥＳＤ保護を最大限にするために、できるだけ最後の瞬間、すなわちヘッドをディスク筐体に合体させる直前まで、半田ボールは取り除くべきでない。しかし、従来の方法を使用すると、短絡回路を取り除くまでＭＲ抵抗を読み取ることはできず、いったんディスク・ドライブをディスク筐体に取り付けてしまうと、抵抗を測定することは困難になる。
【００１１】
米国特許第５，７２６，８２１号は、調整可能バイアス電流を生成するための回路と、そのバイアス電流を選択的に受け取るように接続されそのバイアス電流によって磁気抵抗ヘッドの両端にヘッド電圧が生成される磁気抵抗ヘッドとを備え、磁気抵抗ヘッドの抵抗を測定するためのシステムを開示している。しかし、その電流の生成に系統的誤差が導入される可能性が依然としてあるという点が問題である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の一目的は、コンピュータ記憶装置においてＭＲ読取りヘッドの抵抗を決定するための改良された方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
第１の態様では、本発明は磁気抵抗ヘッドの抵抗を決定する方法を提供し、その方法は、基準電流を基準負荷に流して基準電圧を生成するステップと、その基準電圧を格納するステップと、調整可能電流を磁気抵抗ヘッドに流してヘッド電圧を生成するステップと、ヘッド電圧が実質的に基準電圧に等しくなるまで調整可能電流を変化させるステップと、調整可能電流とヘッド電圧から磁気抵抗ヘッドの抵抗を決定するステップとを含む。
【００１４】
磁気抵抗ヘッドは、磁気テープからデータを読み取るように構成されるのが好ましい。
【００１５】
磁気抵抗ヘッドは、磁気ディスクからデータを読み取るように構成されるのが好ましい。
【００１６】
基準電圧はコンピュータ・メモリに格納されるのが好ましい。
【００１７】
第１の態様の方法は、さらに、上記の変化させるステップの後に、調整可能電流の値を格納するステップを含むのが好ましい。
【００１８】
第２の態様では、本発明は磁気抵抗ヘッドの抵抗を測定するためのシステムを提供し、このシステムは、調整可能バイアス電流を生成するための回路と、そのバイアス電流を選択的に受け取るように接続されそのバイアス電流によって磁気抵抗ヘッドの両端にヘッド電圧が生成される磁気抵抗ヘッドと、そのバイアス電流を選択的に受け取るように接続されそのバイアス電流によって基準負荷の両端に基準電圧が生成される基準負荷と、基準電圧とヘッド電圧を測定するための回路とを備え、基準電圧は、バイアス電流とヘッド電圧に基づいて、磁気抵抗ヘッドの抵抗を決定するために使用される。
【００１９】
調整可能バイアス電流を生成するための回路は、ディジタル・アナログ変換器を備えるのが好ましい。
【００２０】
第２の態様のシステムは、さらに、磁気抵抗ヘッドと調整可能バイアス電流を生成するための回路との間に接続されたスイッチを備えるのが好ましい。
【００２１】
第２の態様のシステムは、さらに、基準電圧を格納する回路を備えるのが好ましい。
【００２２】
第２の態様のシステムは、さらに、基準電圧とヘッド電圧を受け取るように接続された比較器を備えるのが好ましい。
【００２３】
第２の態様のシステムは、さらに、少なくとも１つの追加の磁気抵抗読取りヘッドを備えるのが好ましい。
【００２４】
第２の態様のシステムは、さらに、ヘッド電圧と基準電圧を受け取るように接続された多重化装置回路を備えるのが好ましい。
【００２５】
第２の態様のシステムは、さらに、基準電圧を再び生成する電圧分割器回路を備えるのが好ましい。
【００２６】
第３の態様では、本発明は磁気記憶／読取りシステムを提供し、このシステムは、信号を磁気的に格納するための記録媒体と、記録媒体から読み取りまたは記録媒体に書き込むように接続された磁気抵抗要素と、磁気抵抗要素の両端の抵抗を決定するための回路とを備え、この回路は、選択的に磁気抵抗要素に流れて磁気抵抗要素の両端にヘッド電圧を生成する調整可能バイアス電流を生成するための回路と、そのバイアス電流を選択的に受け取るように接続されそのバイアス電流によって基準負荷の両端に基準電圧が生成される基準負荷と、基準電圧とヘッド電圧を測定するための回路とを有し、その基準電圧が、バイアス電流とヘッド電圧に基づいて磁気抵抗要素の抵抗を決定するために使用される。
【００２７】
第３の態様のシステムにおいて、調整可能バイアス電流を生成するための回路はディジタル・アナログ変換器を備えるのが好ましい。
【００２８】
第３の態様のシステムは、さらに、磁気抵抗ヘッドと調整可能バイアス電流を生成するための回路との間に接続されたスイッチを備えるのが好ましい。
【００２９】
第３の態様のシステムは、さらに、基準電圧を格納する回路を備えるのが好ましい。
【００３０】
第３の態様のシステムは、さらに、基準電圧とヘッド電圧を受け取るように接続された比較器を備えるのが好ましい。
【００３１】
第３の態様のシステムは、さらに、少なくとも１つの追加の磁気抵抗読取りヘッドを備えるのが好ましい。
【００３２】
第３の態様のシステムは、さらに、ヘッド電圧と基準電圧を受け取るように接続された多重化装置回路を備えるのが好ましい。
【００３３】
第３の態様のシステムは、さらに、基準電圧を再び生成する電圧分割器回路を備えるのが好ましい。
【００３４】
第４の態様では、本発明はディスク・ドライブ・ユニットを提供し、このディスク・ドライブ・ユニットは、制御器ユニットと、御器ユニットに結合されたスピンドル駆動制御器と、スピンドル駆動制御器に電気的に結合されたスピンドル・モータに結合されたスピンドルに回転可能に取り付けられた複数の積み重ねられた磁気ディスクと、制御器ユニットに電気的に結合された少なくとも１つの磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドと、制御器ユニットに結合されたアクチュエータ駆動制御器と、アクチュエータ駆動制御器に結合されたアクチュエータ・モータに回転可能に結合されたアクチュエータ・シャフトと、複数のアクチュエータ・アームとアクチュエータ・シャフトに結合されたハブ組立品とを有する櫛状ユニット、およびそれぞれが上記の複数のアクチュエータ・アームの１つに結合され、かつそれぞれがMRヘッドを備えている複数のヘッド懸架組立品を備え、アクチュエータ・シャフトに結合されたアクチュエータ組立品と、アクチュエータ組立品に近接して位置し、測定許可信号を供給するための制御ユニットを備えるアーム電子回路ユニットと、アーム電子回路ユニット内に実施された測定回路とを備えるディスク・ドライブ・ユニットであり、この上記の測定回路が、選択的に磁気抵抗要素に流れてＭＲヘッドの両端にヘッド電圧を生成する調整可能バイアス電流を生成するための回路と、そのバイアス電流を選択的に受け取るように接続されそのバイアス電流によって基準負荷の両端に基準電圧が生成される基準負荷と、基準電圧とヘッド電圧を測定するための回路を備え、その基準電圧が、バイアス電流とヘッド電圧に基づいて、ＭＲヘッドの抵抗を決定するために使用される。
【００３５】
ここで、本発明の好ましい実施形態を、添付の図面を参照して、単なる実施例として説明する。
【００３６】
【発明の実施の形態】
好ましい実施形態は、比率技法を使用したＭＲ読取りヘッド抵抗の測定を可能にする方法を含む。図１を参照して、好ましい実施形態に従ったＭＲ読取りヘッドの測定システムのブロック図を示す。この実施形態では、流れる電流をオン・バイアス生成器１２０に設定するために７ビット電流ＤＡＣ１１０が設けられ、このオン・バイアス生成器１２０は、ピン１４０／１４２／１４４を介して選択されたヘッドをバイアスするか較正用抵抗器ピン１４６をバイアスするかする。オン・スイッチのブロック１３０／１３２／１３４／１３６は好ましくは大きなＦＥＴデバイスであり、このＦＥＴデバイスは、ピン１４０／１４２／１４４を介して選択されたヘッドか、またはピン１４６を介して較正用抵抗かにバイアス電流を「向ける」ために使用される。以下で、上記の要素をまとめて、アナログ初段モジュールまたはＡＦＥとして参照する。
【００３７】
４対１のアナログＭＵＸ１５０を使用して、比較器１７０の入力の１つが、ピン１４０／１４２／１４４を介してＭＲ読取りヘッドの１つかまたは較正用抵抗器ピン１４６かに接続される。レール間比較器１７０を使用して、基準電圧が、ＭＲ読取りヘッド・バイアス・ピン１４０／１４２／１４４で生成された電圧またはＩＣＡＬ較正用抵抗器ピン１４６と比較される。
【００３８】
電圧分割器１６０は、この実施形態では、チップ外で生成された入力基準電圧から１５個の異なる基準電圧を生成するために使用される。
【００３９】
通常の動作では、ＭＲ読取りヘッドはピン１４０／１４２／１４４に取り付けられる。システムの要求に従って、取り付けられるヘッドの数は様々である。図２に示すように、読取りヘッドの通常の回路構成では、ＭＲ読取りヘッド２２０／２２２／２２４と直列になっている抵抗器２１０／２１２／２１４がモジュール・ピン２４０／２４２／２４４（ピン１４０／１４２／１４４に対応）に接続され、このＭＲ読取りヘッドが今度は接地に接続された他の抵抗器２３０／２３２／２３４と直列になっている。好ましい実施形態では、コンデンサ２６０／２６２／２６４がまた、ＭＲ読取りヘッド・バイアス・ピン２４０／２４２／２４４から接地に接続されている。また、抵抗器２５０がＩＣＡＬピン２４６から接地に接続されている。
【００４０】
ＭＲ読取り要素抵抗値を測定する好ましい方法を下に説明する。この方法は、AＦＥ（アナログ初段）モジュールのＩＣＡＬピンに接続された知られている抵抗の両端に一定電圧値を与えるために必要な電流の、ＭＲ読取りヘッドとそれの２個のバイアス抵抗器の両端に同じ電圧を生じさせるのに必要な電流に対する比を使用した。
【００４１】
基準電圧値が、電圧分割器ブロック１６０を使用して、「レール間」比較器１７０のマイナス入力に加えられる。比較器１７０のプラス入力が、４対１のアナログＭＵＸ１５０を経由して、ＡＦＥモジュールのＩＣＡＬピン１４６に接続される。オン・バイアス電流生成器１２０が、オン・スイッチ・ブロック１３６を使用してＩＣＡＬピン１４６に取り付けられる。ここで、７ビットのＩＤＡＣ１１０を使用して、外部較正抵抗器２５０を流れる「オン・バイアス」電流の量が制御される。電流が変化する度に、測定プロセスを制御するコードは、ＩＣＡＬピンと接地の間にわたって生じる電圧が落ち着くことができる時間の量を遅らせ、これは好ましい実施形態では最小で１ミリ秒であり、次に比較器１７０の出力に接続された読取り専用レジスタのビットが１であるかゼロであるかを確認しなければならない。ビットが１である場合は、それは、ＩＣＡＬピン１４６に接続された抵抗器の両端に生じた電圧が、比較器１７０のマイナス入力に接続された基準電圧よりも大きいことを意味する。ビットがゼロである場合は、それは、抵抗器の両端に生じた電圧が基準電圧よりも小さいことを意味する。この方法に従って、これらの比較を使用して、ＩＣＡＬ抵抗器電圧を基準電圧値にできるだけ近くするのに必要な電流量が決定される。このＩＤＡＣ値は、以下でＩＩＣＡＬと呼び、後で使用するために格納される。
【００４２】
次に、比較器１７０のプラス入力は、４対１のアナログＭＵＸ１５０を経由して、ＡＦＥモジュールのＨＢ１＋、ＨＢ２＋、またはＨＢ３＋のピン１４０／１４２／１４４に接続される。「オン・バイアス」電流は、オン・スイッチ１３０／１３２／１３４を使用して同じピンに結合される。７ビットＩＤＡＣ１１０を使用して、ＡＦＥモジュールのＨＢ１＋、ＨＢ２＋、またはＨＢ３＋のピン２４０／２４２／２４４に接続された外部バイアス抵抗器２１０／２１２／２１４、２３０／２３２／２３４とＭＲ読取り要素２２０／２２２／２２４を流れている「オン・バイアス」電流の量が制御される。電流が変化する度に、測定プロセスを制御するコードは、外部バイアス抵抗器とＭＲ読取り要素の両端に生じる電圧が落ち着くことができる時間量を遅らせ、これは好ましい実施形態では最小で１ミリ秒であり、次に比較器の出力に接続された読取り専用レジスタのビットが１であるかゼロであるかを確認しなければならない。そのビットが１である場合は、それは、外部バイアス抵抗器とＭＲ読取り要素の両端に生じた電圧が、比較器のマイナス入力に接続された基準電圧よりも大きいことを意味する。そのビットがゼロの場合は、それは、生じた電圧が基準電圧よりも小さいことを意味する。目標は、バイアス抵抗器２１０／２１２／２１４、２３０／２３２／２３４とＭＲ読取り要素２２０／２２２／２２４の両端に生じる電圧をできるだけ基準電圧に近くするために必要な電流量を決定することである。比較器の出力をゼロから１にまさしく変化させた電流値を格納する。この値をＩＭＲＨＥＡＤと呼ぶ。
【００４３】
ＩＣＡＬ抵抗器の値がＲＩＣＡＬと定義され、バイアス抵抗器とＭＲ読取り要素の抵抗の値がＲＢＩＡＳＭＲと定義される場合、
【数１】

または、
【数２】

各場合について、電流値は同じ電圧値を生じるように選ばれたので、上の関係は真実である。バイアス抵抗器とＭＲ読取り要素の抵抗の値の合計を表すＲＢＩＡＳＭＲを除いて、上の全ての値は知られているので、ＲＢＩＡＳＭＲを求めるように式を解くことができる。すなわち、
【数３】

留意すべきことであるが、上の式は、両方の状態に対して生成された「オン・バイアス」電流の比である。このことは、電流の生成での系統的誤差は全て計算から除かれていることを意味する。
【００４４】
ヘッドと直列に接続された２つの抵抗器の値は知られているので、ここでＭＲ読取りヘッド抵抗を計算することができる。ＲＭＲＨＥＡＤがＭＲ読取り要素の抵抗であり、ＲＢＩＡＳがバイアス抵抗器の値である場合、次式によりＲＭＲＨＥＡＤの値が与えられる。すなわち、
【数４】

または、
【数５】

一度ＭＲ読取りヘッド抵抗を計算すると、これを使用して、ヘッドを流れることができる最大バイアス電流を決定することができる。また、ヘッド抵抗を知ることで、ヘッドの寿命の間ずっとヘッド抵抗が増加するときに、電流密度を一定値に保つことができるようになる。さらに、ヘッド抵抗を使用してヘッドの寿命を決定し、また記憶装置の動作を最適化することができる。従来技術の技法と違って、好ましい実施形態では、問題に対して直流方法が使用され、チップに余分な回路が付け加えられることは殆どない。
【００４５】
図３を参照して、本発明の好ましい実施形態が実施されるデータ処理システムのブロック図を示す。データ処理システム３００は、例えば、ニューヨーク州、ArmonkのInternational Business Machines Corporationから市販されているコンピュータの１つであるかもしれない。データ処理システム３００は、プロセッサ３０１および３０２を含み、例示的な実施形態では、これらのプロセッサ３０１および３０２はレベル２（Ｌ２）のキャシュ３０３および３０４にそれぞれ接続されている。また、これらのキャシュ３０３および３０４は、今度は、システム・バス３０６に接続されている。
【００４６】
また、システム・バス３０６には、システム・メモリ３０８および一次ホスト・ブリッジ（ＰＨＢ）３２２が接続されている。ＰＨＢ３２２はＩ／Ｏバス３１２をシステム・バス３０６に結合し、バス間で互いにデータ・トランザクションの中継または変形、あるいはその両方を行う。例示的な実施形態では、データ処理システム３００は、Ｉ／Ｏバス３１２に接続されたグラフィックス・アダプタ３１８を含み、表示装置３２０のためのユーザ・インタフェース情報を受け取る。１つまたは複数の磁気抵抗読取りヘッドを使用するハード・ディスク・ドライブまたはテープ・ドライブを含むであろう不揮発性記憶装置３１４、および従来のマウス、トラックボール、またはその他を含むかもしれないキーボード／位置決め装置３１６などの周辺装置が、工業規格アーキテクチャ（ＩＳＡ）ブリッジ３２１を介してＩ／Ｏバス３１２に接続されている。また、ＰＨＢ３２２は、Ｉ／Ｏバス３１２を介してＰＣＩスロット３２４に接続されている。
【００４７】
図３に示す例示的な実施形態は、ただ本発明を説明するためだけに提供され、当業者は、形態と機能の両方で非常に多くの変形物が可能であることを認めるであろう。例えば、データ処理システム３００は、また、コンパクト・ディスク読取り専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）またはディジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）・ドライブ、サウンド・カードとオーディオ・スピーカ、および数多くの他の随意選択可能な構成要素を含む可能性がある。そのような変形形態は全て本発明の精神と範囲内にあると信じられる。データ処理システム３００および例示的な下の図は、ただ説明のための実施例としてだけ与えられ、アーキテクチャ上の制限を意味する意図ではない。実際に、この方法およびシステムは、ＭＲ読取りヘッドを有する記憶装置を利用する任意のプログラム可能コンピュータ・システムまたはシステムのネットワークで使用されるように容易に適応できる。
【００４８】
図４を参照して、本発明の好ましい実施形態に従った磁気ディスク・ドライブ直接アクセス記憶装置（ＤＡＳＤ）４００は、磁気記録面４０２を有する複数のディスク４０１、ハブまたはスピンドル４０３、ベース４０４、バイアス供給源制御回路４０５、シャフト４０６、複数のヘッド・サスペンション組立品４０７、複数のＭＲ読取りヘッド４０８、カバー４０９、および回路基板４１２を含む。バイアス供給源制御回路４０５は、ＭＲ読取りヘッド４０８の抵抗に基づいてＭＲ読取りヘッド４０８に供給されるバイアス量の変更および設定を行うことができる任意の回路または装置である。バイアス供給源制御回路４０５がどこにあるかにかかわらず、バイアス供給源制御回路４０５によって、各個々のＭＲ読取りヘッド４０８の抵抗に基づいて各ＭＲ読取りヘッド４０８のＭＲ読取りヘッド・バイアス供給を決定することができるようになる。各ＭＲ読取りヘッド４０８の抵抗は、上記の好ましい方法に従って決定される。
【００４９】
ＭＲ読取りヘッド４０８に供給すべきバイアス量はバイアス供給源制御回路４０５によって決定される。抵抗比がある所望の理想的な比より小さい場合には、ＭＲ読取りヘッド４０８に供給されるバイアス量は、ＭＲヘッド４０８の感度を上げるために増加される。これによって、信号対雑音比が大きくなり、ＤＡＳＤ４００の性能が改善される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の好ましい実施形態によるＭＲ読取りヘッドの測定回路を示す。
【図２】 本発明の好ましい実施形態によるＭＲ読取りヘッドの回路を示す。
【図３】 本発明の好ましい実施形態が実施されるデータ処理システムのブロック図を示す。
【図４】 本発明の好ましい実施形態による例示のディスク記憶装置を示す。

Claims (11)

1. 磁気抵抗ヘッド（４０８）の抵抗を決定するための方法であって、
   基準負荷に基準電流を流して基準電圧を生成するステップと、
   前記基準電圧を格納するステップと、
   磁気抵抗ヘッド（４０８）に、当該磁気抵抗ヘッド（４０８）の端子にアクセスするためにプローブや取付け具を当該磁気抵抗ヘッド（４０８）の抵抗測定に使用することなく、調整可能電流を流してヘッド電圧を生成するステップと、
   前記ヘッド電圧が実質的に前記基準電圧に等しくなるまで前記調整可能電流を変化させるステップと、
   前記調整可能電流および前記ヘッド電圧から、前記調整可能電流の大きさと前記基準電流の大きさとの比によって、前記磁気抵抗ヘッド（４０８）の抵抗を決定するステップとを含む方法。
2. 磁気抵抗ヘッド（４０８）の抵抗を、当該磁気抵抗ヘッド（４０８）の端子にアクセスするためにプローブや取付け具を使用することなく、測定するためのシステムであって、調整可能バイアス電流を生成する回路（４０５）と、前記バイアス電流を選択的に受け取るように接続され前記バイアス電流によって磁気抵抗ヘッド（４０８）の両端にヘッド電圧が生成される磁気抵抗ヘッド（４０８）とを備え、前記システムが、
   前記バイアス電流を選択的に受け取るように接続され、前記バイアス電流によって基準負荷の両端に基準電圧が生成される基準負荷と、
   前記基準電圧および前記ヘッド電圧を測定するための回路とを備え、前記基準電圧が、前記バイアス電流および前記ヘッド電圧に基づいて、、前記調整可能電流の大きさと前記基準電流の大きさとの比によって、前記磁気抵抗ヘッド（４０８）の抵抗を決定するために使用されることを特徴とするシステム。
3. 調整可能バイアス電流を生成するための前記回路が、ディジタル・アナログ変換器（１１０）を備える、請求項２に記載のシステム。
4. さらに、前記磁気抵抗ヘッド（４０８）と調整可能バイアス電流を生成するための前記回路との間に接続されたスイッチを備える、請求項２に記載のシステム。
5. さらに、前記基準電圧を格納する回路を備える、請求項２に記載のシステム。
6. さらに、前記基準電圧および前記ヘッド電圧を受け取るように接続された比較器（１７０）を備える、請求項２に記載のシステム。
7. さらに、前記ヘッド電圧と前記基準電圧を受け取るように接続された多重化装置回路（１５０）を備える、請求項２に記載のシステム。
8. さらに、前記基準電圧を再び生成するために電圧分割器回路（１６０）を備える、請求項２に記載のシステム。
9. 信号を磁気的に格納するための記録媒体（４０１）と、
   前記記録媒体から読み取りまた前記記録媒体に書き込むように接続された磁気抵抗要素（４０８）と、
   請求項２に記載のシステムとを備える磁気記憶／読取りシステム（４００）。
10. 制御器ユニットと、
    前記制御器ユニットに結合されたスピンドル駆動制御器と、
    前記スピンドル駆動制御器に電気的に結合されたスピンドル・モータに結合されたスピンドル（４０３）に回転可能に取り付けられた複数の積み重ねられた磁気ディスク（４０１）と、
    前記制御器ユニットに電気的に結合された少なくとも１つの磁気抵抗（ＭＲ）ヘッド（４０８）と、
    前記制御器ユニットに結合されたアクチュエータ駆動制御器と、
    前記アクチュエータ駆動制御器に結合されたアクチュエータ・モータに回転可能に結合されたアクチュエータ・シャフトと、
    前記アクチュエータ・シャフトに結合されたアクチュエータ組立品であって、
    複数のアクチュエータ・アームと前記アクチュエータ・シャフトに結合されたハブ組立品を有する櫛状ユニット、および
    それぞれが前記複数のアクチュエータ・アームの１つに結合され、かつそれぞれがＭＲヘッド（４０８）を備えた複数のヘッド懸架組立品を備えるアクチュエータ組立品と、
    前記アクチュエータ組立品に近接して位置し、測定許可信号を供給するための制御ユニットを備えるアーム電子回路ユニットと、
    前記アーム電子回路ユニット内に実施され、請求項２に記載のシステムを備えた測定回路とを備えるディスク・ドライブ・ユニット（４００）。
11. 磁気抵抗ヘッド（４０８）の抵抗を決定するための方法であって、
    基準負荷（２５０）に電流を流して電圧を生成するステップと、
    前記電圧が基準電圧（Ｖ_ＲＥＦ）に等しくなるまで前記電流を変化させるステップと、
    前記等しくなった時に対応する基準電流（ＩＩＣＡＬ）を格納するステップと、
    磁気抵抗ヘッドのＭＲ読取り要素（２２０）に調整可能電流を流してヘッド電圧を生成するステップと、
    前記ヘッド電圧が実質的に前記基準電圧（Ｖ_ＲＥＦ）に等しくなるまで前記調整可能電流を変化させるステップと、
    前記基準電流（ＩＩＣＡＬ）及び前記等しくなるまで変化された調整可能電流（ＩＭＲＨＥＡＤ）の比から前記磁気抵抗ヘッドのＭＲ読取り要素（２２０）の抵抗を決定するステップとを含む方法。

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