JP4078871B2 - 半導体メモリシステム及びそのデータ復旧方法並びにデータ復旧プログラム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話機などのレスポンス性能が重視される機器に用いられる、半導体メモリシステム及びそのデータ復旧方法並びにデータ復旧プログラムに関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話機では、レスポンス性能を重視する観点から、パーソナルコンピュータ等で使われる「CPU+OS」とは異なる、「RISC型CPU+リアルタイムOS」を利用することが多い。
【0003】
ここで、日経BP社「日経BPデジタル大事典 2001-2002年版」によれば、「RISC」及び「リアルタイムOS」は次のように定義されている。「RISC」とは、reduced instruction set computer(縮小命令セット・コンピュータ)の略であり、加算や分岐などの基本的な命令しか持たせずに命令数を減らすことによって構造を単純にし、これにより処理の高速化を図る設計思想のことである。「リアルタイムOS」とは、リアルタイム処理の実現を重視したOSのことである。リアルタイム処理は、要求された時間内に目的の処理を行うことが基本であるので、ユーザー・インターフェースなどの操作性の良さよりも、レスポンスの良さや実行時間の速度を重視する。そのため、複数のイベント(事象)が同時に発生した場合でも、その処理を目的の時間内に終了させるための制御を行う必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような「RISC型CPU+リアルタイムOS」では、レスポンス性能を重視するあまり、パーソナルコンピュータ等で使われる「CPU+OS」と比較してメモリ保護機能が弱くなっている。そのため、単純なプログラムミスによって、大切なデータが破壊される可能性がある。
【0005】
昨今の携帯電話機では、機能強化に伴うソフトウェア開発規模の大幅な増加に加え、メール機能やブラウザ機能等のように携帯電話機の外部から取り込んだデータを処理するケースが多い。このため、評価の対象となる組み合わせが、従来のような閉じた範囲での組み合わせから、無限の組み合わせに膨張しつつある。その結果、評価によるプログラムミスの撲滅が事実上不可能になってきたので、プログラムミスによるデータ破壊からデータを復旧する仕組みの実現が急務となっている。
【0006】
【発明の目的】
そこで、本発明の目的は、携帯電話機などのレスポンス性能が重視される機器において、プログラムミスによるデータ破壊があってもそのデータを復旧可能とする、半導体メモリシステム及びそのデータ復旧方法並びにデータ復旧プログラムを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
第一の半導体メモリシステムは、複数のセクションに分割され各セクション内にチェックデータが記録された第一の半導体メモリと、第一の半導体メモリと同じように複数のセクションに分割され第一の半導体メモリと同じデータが記録された第二の半導体メモリと、データ破壊チェック手段と、データ復旧手段とを備えたものである。このデータ破壊チェック手段は、各セクションのチェックデータの初期値を予め記憶しており、第一の半導体メモリ内のチェックデータが当該初期値と異なっていた場合に、当該チェックデータが記録されたセクションにデータ破壊が発生したと判断する。このデータ復旧手段は、データ破壊チェック手段によってデータ破壊が検出されたとき、第二の半導体メモリに記録されたデータに基づき第一の半導体メモリのデータを復旧する。
【0008】
第一の半導体メモリのメモリ空間は、複数のセクションに分割されている。これらの各セクション内には、チェックデータが記録されている。ここで、あるセクションにデータ破壊が生じたとすると、そのチェックデータの値も変わってしまう。そこで、データ破壊チェック手段は、予め記憶している各セクションの初期値と、第一の半導体メモリ内のチェックデータとを対比し、これらが一致しなければそのセクションにデータ破壊が発生したと判断する。データ破壊が検出されると、データ復旧手段は、第一の半導体メモリのデータ破壊が生じたセクションに、第二の半導体メモリに記録されたデータを複写することにより、第一の半導体メモリのデータを復旧する。
【0009】
第二の半導体メモリシステムは、上記第一の半導体メモリシステムにおいて、データバックアップ手段を更に備えたものである。このデータバックアップ手段は、データ破壊チェック手段によってデータ破壊が検出されなかったセクションに対して、システム終了時に第一の半導体メモリ内のデータを第二の半導体メモリに複写する。
【0010】
本発明に係る半導体メモリシステムは、上記第一又は第二の半導体メモリシステムにおいて、隣接する二つのセクションの間にチェックデータが設けられている。そして、データ破壊チェック手段は、当該チェックデータが初期値と異なっていた場合に、当該二つのセクションの両方にデータ破壊が発生したと判断する。
【0011】
本発明に係るデータ復旧方法(請求項3又は4)は、本発明に係る半導体メモリシステムに使用されるものであり、それぞれ請求項1又は2の構成に対応する。本発明に係るデータ復旧プログラム(請求項5又は6)は、本発明に係る半導体メモリシステムに使用されるものであり、それぞれ請求項1又は2の構成に対応する。
【0012】
換言すると、本発明は、特別なメモリ保護機能を有していないCPUやOSを使用したシステムにおいて、メモリ破壊に対するデータ保護を可能とする。つまり、本発明は、書き換え可能な不揮発性メモリに対してプログラムの不具合によって不正なデータを書き込んだためにデータ破壊が発生した際、データ破壊を検出するとともにバックアップしておいたデータに基づきデータ復旧を図る。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、特許請求の範囲における「第一の半導体メモリ」、「第二の半導体メモリ」及び「コンピュータ」をそれぞれ「不揮発性メモリ」、「バックアップメモリ」及び「CPU及びROM」と具体化して、本発明の実施形態について説明する。
【0014】
図1は、本発明に係る半導体メモリシステムの一実施形態を示すブロック図である。以下、この図面に基づき説明する。
【0015】
本実施形態の半導体メモリシステム10は、「RISC型CPU+リアルタイムOS」を用いた携帯電話機(図示せず)に搭載され、CPU11、ROM12、不揮発性メモリ13及びバックアップメモリ14を備えている。また、CPU11は、ROM12に記録されたデータ復旧用のプログラム120によって、データ破壊チェック手段121、データ復旧手段122及びデータバックアップ手段123として機能する。
【0016】
不揮発性メモリ13は、複数のセクションに分割され、各セクション内にチェックデータが記録されている。バックアップメモリ14は、不揮発性メモリ13と同じように複数のセクションに分割され、不揮発性メモリ13と同じデータが記録されている。
【0017】
データ破壊チェック手段121は、各セクションのチェックデータの初期値を予め記憶しており、不揮発性メモリ13内のチェックデータが当該初期値と異なっていた場合に、データ破壊が発生したと判断する。データ復旧手段122は、データ破壊チェック手段121によってデータ破壊が検出されたとき、バックアップメモリ14に記録されたデータに基づき不揮発性メモリ13のデータを復旧する。データバックアップ手段123は、データ破壊チェック手段121によってデータ破壊が検出されなかったセクションに対して、システム終了時に不揮発性メモリ13内のデータをバックアップメモリ14に複写する。
【0018】
また、チェックデータは、隣接する二つのセクションの間に設けられている。そして、データ破壊チェック手段121は、チェックデータが初期値と異なっていた場合に、その二つのセクションの両方にデータ破壊が発生したと判断する。チェックデータが壊れていると、そのチェックデータに隣接する二つのセクションのデータも連続して壊れている可能性が高いからである。
【0019】
なお、チェックデータは、単なる固定値であるので、チェックサムと異なり、セクション内のデータに基づき演算されるものではない。チェックデータの初期値は、セクション毎に異なる値にしてもよく、全てのセクションで同じ値としてもよい。不揮発性メモリ13及びバックアップメモリ14は、例えばフラッシュメモリ、EEPROM、MRAM(magnetic RAM)、二次電池から常に電源電圧が供給されているDRAMやSRAM等である。
【0020】
更に詳しく説明する。
【0021】
CPU11は、ROM12に記録されたプログラム120に従い、必要に応じて不揮発性メモリ13へのデータ書き込みを行う。不揮発性メモリ13は、複数のセクションに分割され、各セクション内にチェックデータが記録されている。チェックデータは、プログラムの不正により不揮発性メモリ13のデータが破壊されていないかを検出するためのデータであって、不揮発性メモリ13内の各セクションの先頭に記録されるデータである。
【0022】
データ破壊チェック手段121は、不揮発性メモリ13内のチェックデータが初期値と異なる値になっていた場合、データ破壊が発生したものと判断する。例えば、チェックデータ1の値が初期値と異なる場合、セクション1のデータが破壊されたものと判断する。同様に、チェックデータx(n≧x>1)の値が初期値と異なる場合、チェックデータxに隣接するセクションx−1及びセクションxのそれぞれのデータが破壊されたものと判断する。
【0023】
データ復旧手段122は、データ破壊チェック手段121によってデータ破壊が検出された際、バックアップメモリ14に格納されたデータに基づき不揮発性メモリ13のデータをセクション単位で復旧する。
【0024】
データバックアップ手段123は、不揮発性メモリ13のデータが更新された場合、システム終了時に不揮発性メモリ13内のデータをバックアップメモリ14の対応するセクションに保存する。
【0025】
システム終了時に、データ破壊チェック手段121は、不揮発性メモリ13内の各チェックデータを検査する。そして、データバックアップ手段123は、チェックデータが破壊されていないことを確認後、不揮発性メモリ13のデータをバックアップメモリ14に複写する。一方、チェックデータの破壊が検出された場合は、データ復旧手段122が不揮発性メモリ13のデータを復旧する。
【0026】
システム起動時に、データ破壊チェック手段121は、不揮発性メモリ13内のデータ破壊の有無を検査する。そして、破壊されたセクションが検出されれば、データ復旧手段122は、バックアップメモリ14のデータに基づき、不揮発性メモリ13のデータをセクション単位で復旧する。
【0027】
このようにして、CPUやOSにメモリ保護機能のないシステムにおいてもメモリのデータ破壊に対するデータ復旧を可能にする。
【0028】
次に、言葉を換えてもう一度説明する。
【0029】
半導体メモリシステム10は、CPU11と、CPU11を制御するプログラム120と、プログラム120に従いデータを読み書きすることのできる不揮発性メモリ13と、不揮発性メモリ13のデータが破壊された時にデータを復旧するために使用するバックアップメモリ14と、不揮発性メモリ13のデータ破壊を検査するデータ破壊チェック手段121と、データ破壊された不揮発性メモリ13のデータをバックアップメモリ14のデータを基にデータ復旧するデータ復旧手段122と、不揮発性メモリ13のデータをバックアップメモリ14の対応するセクションに保存するデータバックアップ手段123とから構成されている。これらの各構成要素は、概略それぞれ次のように動作する。
【0030】
データ破壊チェック手段121は、不揮発性メモリ13内の各セクションの先頭に設定されたチェックデータの値を参照し、そのチェックデータの値が初期値と異なる場合、そのチェックデータに隣接するセクションのデータ破壊が発生したと判断する。例えば、チェックデータ1の値が初期値と異なる場合はセクション1のデータ破壊が発生したと判断し、チェックデータx(n≧x>1)の値が初期値と異なる場合はセクションx−1及びセクションxの両方のデータ破壊が発生したと判断する。
【0031】
データ復旧手段122は、バックアップメモリ14の内容を基にして不揮発性メモリ13のデータをセクション単位に復旧する。データバックアップ手段123は、不揮発性メモリ13のデータが更新された場合、そのデータに対応するバックアップメモリ14内のデータをセクション単位で更新する。
【0032】
図2は、半導体メモリシステム10におけるシステム起動処理の動作を示すフローチャートである。以下、図1及び図2に基づき説明する。
【0033】
まず、データ破壊チェック手段121は、不揮発性メモリ13内のチェックデータ1が初期値と一致しているか否かをチェックする(ステップA1)。チェックデータ1が初期値と一致していなければ、データ破壊チェック手段121はセクション1のデータが破壊されたと判断する。そして、データ復旧手段122は、バックアップメモリ14内のセクション1のデータを不揮発性メモリ13内のセクション1に複写することにより、データを復旧する(ステップA2)。
【0034】
ステップA1でチェックデータ1が初期値と一致していた場合、又はステップA2でセクション1のデータを復旧した場合は、処理カウンタ(x)に‘2’をセットする(ステップA3)。
【0035】
続いて、処理カウンタ(x)の値と不揮発性メモリ13のセクション総数nとを、比較する(ステップA4)。処理カウンタ(x)の値が不揮発性メモリ13のセクション総数nよりも大きい場合は、システム起動処理を終了する。
【0036】
一方、処理カウンタ(x)の値が不揮発性メモリ13のセクション総数n以下であれば、データ破壊チェック手段121は、不揮発性メモリ13内のチェックデータxが初期値と一致しているか否かをチェックする(ステップA5)。
【0037】
チェックデータxが初期値と一致していなければ、データ破壊チェック手段121はセクションx−1及びセクションxのデータが破壊されたと判断する。そして、データ復旧手段122は、バックアップメモリ14内のセクションx−1及びセクションxのデータを、不揮発性メモリ13内のセクションx−1及びセクションxに複写することにより、データを復旧する(ステップA6)。
【0038】
ステップA5でチェックデータxが初期値と一致していた場合、又はステップA6でセクションx−1及びセクションxのデータを復旧した場合は、処理カウンタ(x)を1つ更新し、ステップA4に進み処理を繰り返す(ステップA7)。
【0039】
図3は、半導体メモリシステム10におけるシステム終了処理の動作を示すフローチャートである。以下、図1及び図3に基づき説明する。
【0040】
まず、処理カウンタ(x)に‘2’をセットする(ステップB1)。続いて、データ破壊チェック手段121は、不揮発性メモリ13内のチェックデータx−1及びチェックデータxが初期値と一致しているか否かをチェックする(ステップB2)。
【0041】
チェックデータx−1及びチェックデータxが初期値に一致していれば、データ破壊チェック手段121はセクションx−1のデータが破壊されていないと判断する。そして、データバックアップ手段123は、不揮発性メモリ13内のセクションx−1のデータをバックアップメモリ14のセクションx−1に複写することにより、バックアップ内容を更新する(ステップB3)。
【0042】
一方、チェックデータx−1及びチェックデータxが初期値に一致していなければ、データ破壊チェック手段121はセクションx−1のデータが破壊されたと判断する。そして、データ復旧手段122は、バックアップメモリ14内のセクションx−1のデータを不揮発性メモリ13内のセクションx−1に複写することにより、データを復旧する(ステップB4)。
【0043】
続いて、処理カウンタ(x)を1つ更新し(ステップB5)、処理カウンタ(x)の値と不揮発性メモリ13のセクション総数nとを比較する(ステップB6)。処理カウンタ(x)の値が不揮発性メモリ13のセクション総数n以下であれば、ステップB2に戻って処理を繰り返す。
【0044】
一方、処理カウンタ(x)の値が不揮発性メモリ13のセクション総数nよりも大きい場合は、データ破壊チェック手段121は、不揮発性メモリ13内のチェックデータx−1が初期値と一致しているか否かをチェックする(ステップB7)。
【0045】
チェックデータx−1が初期値に一致していれば、データ破壊チェック手段121はセクションx−1のデータが破壊されていないと判断する。そして、データバックアップ手段123は、不揮発性メモリ13内のセクションx−1のデータをバックアップメモリ14のセクションx−1に複写することにより、バックアップ内容を更新する(ステップB8)。
【0046】
一方、チェックデータx−1が初期値に一致していなければ、データ破壊チェック手段121はセクションx−1のデータが破壊されたと判断する。そして、データ復旧手段122は、バックアップメモリ14内のセクションx−1のデータを不揮発性メモリ13内のセクションx−1に複写することにより、データを復旧する(ステップB9)。
【0047】
以上のように、チェックデータの値によりデータ破壊の有無を判断し、データ破壊と判断された場合に、バックアップしておいたデータによる復旧処理を行うことにより、データ破壊に対するデータ復旧を可能とする。
【0048】
【発明の効果】
本発明に係る半導体メモリシステム等によれば、複数のセクションに分割され各セクション内にチェックデータが記録された第一の半導体メモリと、第一の半導体メモリと同じように複数のセクションに分割され第一の半導体メモリと同じデータが記録された第二の半導体メモリとを備えるとともに、各セクションのチェックデータの初期値を予め記憶しておき、第一の半導体メモリ内のチェックデータが初期値と異なっていた場合に、データ破壊が発生したと判断し、第二の半導体メモリに記録されたデータに基づき第一の半導体メモリのデータを復旧する。したがって、「RISC型CPU+リアルタイムOS」を使用するためにメモリ保護機能が弱くなっている携帯電話機などにおいて、プログラムミスによるデータ破壊があっても、そのデータを容易かつ確実に復旧できる。
【0049】
また、データ破壊が検出されなかったセクションに対して、システム終了時に第一の半導体メモリ内のデータを第二の半導体メモリに複写することにより、システム終了時に最新のデータを第二の半導体メモリにバックアップできる。
【0050】
更に、隣接する二つのセクションの間にチェックデータが設けられ、このチェックデータが初期値と異なっていた場合に、これらの二つのセクションの両方にデータ破壊が発生したと判断することにより、一つのセクションが二つのチェックデータによって二重に管理されるので、データ破壊をより確実に検出できる。
【0051】
換言すると、本発明の効果は、プログラムの不正により半導体メモリに保存したデータが破壊されていた場合でも、以前に保存しておいた状態に復旧できることにある。その理由は、半導体メモリ上にチェックデータを記録し、この値の変化によりデータ破壊を検出し、データ破壊が検出された場合に、以前に保存した正常データに基づきデータを復旧するためである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体メモリシステムの一実施形態を示すブロック図である。
【図2】図1の半導体メモリシステムにおけるシステム起動処理の動作を示すフローチャートである。
【図3】図1の半導体メモリシステムにおけるシステム終了処理の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
10 半導体メモリシステム
11 CPU
12 ROM
13 不揮発性メモリ
14 バックアップメモリ
120 プログラム
121 データ破壊チェック手段
122 データ復旧手段
123 データバックアップ手段
Claims (6)
- 複数のセクションに分割されるとともに隣接する二つの前記セクションの間にチェックデータが記録された第一の半導体メモリと、
この第一の半導体メモリと同じように複数のセクションに分割され当該第一の半導体メモリと同じデータが記録された第二の半導体メモリと、
前記二つのセクション間のチェックデータの初期値を予め記憶しており、前記第一の半導体メモリ内のチェックデータが当該初期値と異なっていた場合に、当該チェックデータが記録された当該二つのセクションの両方にデータ破壊が発生したと判断するデータ破壊チェック手段と、
このデータ破壊チェック手段によってデータ破壊が検出されたとき、前記第二の半導体メモリに記録されたデータに基づき前記第一の半導体メモリのデータを復旧するデータ復旧手段と、
を備えた半導体メモリシステム。 - 前記データ破壊チェック手段によってデータ破壊が検出されなかったセクションに対して、システム終了時に前記第一の半導体メモリ内のデータを前記第二の半導体メモリに複写するデータバックアップ手段を、
更に備えた請求項1記載の半導体メモリシステム。 - 複数のセクションに分割されるとともに隣接する二つの前記セクションの間にチェックデータが記録された第一の半導体メモリと、この第一の半導体メモリと同じように複数のセクションに分割され当該第一の半導体メモリと同じデータが記録された第二の半導体メモリとを備えた半導体メモリシステムに用いられるデータ復旧方法であって、
前記二つのセクション間のチェックデータの初期値を予め記憶しておき、前記第一の半導体メモリ内のチェックデータが当該初期値と異なっていた場合に、当該チェックデータが記録された当該二つのセクションの両方にデータ破壊が発生したと判断し、
このデータ破壊が検出されたとき、前記第二の半導体メモリに記録されたデータに基づき前記第一の半導体メモリのデータを復旧する、
データ復旧方法。 - 前記データ破壊が検出されなかったセクションに対して、システム終了時に前記第一の半導体メモリ内のデータを前記第二の半導体メモリに複写する、
請求項3記載のデータ復旧方法。 - 複数のセクションに分割されるとともに隣接する二つの前記セクションの間にチェックデータが記録された第一の半導体メモリと、この第一の半導体メモリと同じように複数のセクションに分割され当該第一の半導体メモリと同じデータが記録された第二の半導体メモリと、コンピュータとを備えた半導体メモリシステムに用いられるデータ復旧プログラムであって、
前記二つのセクション間のチェックデータの初期値を予め記憶しており、前記第一の半導体メモリ内のチェックデータが当該初期値と異なっていた場合に、当該チェックデータが記録された当該二つのセクションの両方にデータ破壊が発生したと判断するデータ破壊チェック手段、及び
このデータ破壊チェック手段によってデータ破壊が検出されたとき、前記第二の半導体メモリに記録されたデータに基づき前記第一の半導体メモリのデータを復旧するデータ復旧手段、
として前記コンピュータを機能させるためのデータ復旧プログラム。 - 前記データ破壊チェック手段によってデータ破壊が検出されなかったセクションに対して、システム終了時に前記第一の半導体メモリ内のデータを前記第二の半導体メモリに複写するデータバックアップ手段として、
前記コンピュータを更に機能させるための請求項5記載のデータ復旧プログラム。
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