JP4078107B2 - Control apparatus and control method - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の不揮発性メモリを有する制御装置および制御方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体記憶装置の分野において、様々な記憶装置(以下、メモリという)が提案されている。
【0003】
カメラの制御に用いられるマイクロコンピュータ(以下、マイコンという)としては小型、省スペースであることが要求されることから、メモリ、周辺装置等を同一チップに取り込んだワンチップマイコンが多く用いられている。近年、カメラの多機能化、高機能化によるプログラム容量、データ容量の増大に伴い、大容量の電気的に書き換え可能なメモリが求められており、マスクROM、RAMと共に電気的に書き換え可能なフラッシュメモリを内蔵したワンチップマイコンが使われるようになってきている。
【0004】
このフラッシュメモリを含む複数のメモリを使用したカメラとしては、特開2000−89090号公報に開示されており、これによれば、フラッシュメモリとEEPROMを使用し、フラッシュメモリには書き換えが少ない又は不要である大容量データを、EEPROMには書き換えが多い小容量データをそれぞれに格納させることで、複数のメモリを効率的に、且つ寿命を縮めることなく使用できることを可能にしている。
【0005】
また、特開平8−227359号公報においては、フラッシュメモリを複数のブロックに分割し、その一部の特定ブロックのみに対して書き換える手段をもたせるようにすることで、書き換え時にフラッシュメモリの全領域の内容を書き換えることのない、プログラムの変更が容易なシステムが提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記提案においては、いずれもフラッシュメモリの書き換え時についての技術内容であり、制御プログラムを実行する際の各メモリでの消費電流、動作速度については何ら考慮していない。
【0007】
また、特開平7−191365号公報においては、フラッシュメモリへの書き込み用電源の供給に関して、書き込み時のみ導通状態とするスイッチング手段を設けたカメラが提案されているが、フラッシュメモリ上に格納された制御プログラムを実行する際の電源制御については考慮されていない。また、フラッシュメモリは通電後、読み書き可能状態になるまでに一定の立ち上がり時間を必要とするが、通電後のメモリの立ち上がり時間についても前記各提案では考慮されていない。
【0008】
フラッシュメモリは大容量且つ電気的に書き換え可能なメモリとしてその応用が期待されているが、カメラのように電源が電池である機器においては、フラッシュメモリの消費電流は常時通電しておくには許容されるレベルではなく、ユーザーの観点からも消費電流を極力抑えた制御をする必要がある。一方で、操作性の向上、レリーズタイムラグの短縮化という点においては、動作速度の向上も必要となり、低消費電流を実現しつつ、ユーザーの操作性を損なうことがないようカメラ制御を最適にする必要があった。
【0009】
(発明の目的)
本発明の目的は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリにアクセスしながら動作する制御プログラムを実行する際に、不揮発性メモリへのアクセスのために生じる制御プログラムの処理時間の増大を防止するとともに、制御プログラム実行の時における不揮発性メモリ全体の消費電力を極力削減することのできる制御装置または制御方法を提供しようとするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行する際に、前記電力制御手段、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリに電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリには、電力供給しないように制御する制御装置とするものである。
【0011】
同じく上記目的を達成するために、請求項2に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段と、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段とを有し、前記処理時間判断手段によって前記制御プログラムの処理時間が所定値以上と判断される場合には、前記電力制御手段前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されているすべての不揮発性メモリに電力供給するように制御する制御装置とするものである。
【0012】
同じく上記目的を達成するために、請求項6に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの実行開始を指示する行程と、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリには、電力供給しないように前記電力制御手段が制御する行程とを有する制御方法とするものである。
【0013】
同じく上記目的を達成するために、請求項7に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されているすべての不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段が制御する行程とを有する制御方法とするものである。
【0014】
同じく上記目的を達成するために、請求項8に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、前記制御プログラムの処理時間が所定値未満と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間であって、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが読み出される不揮発性メモリ電力供給するように前記電力制御手段制御する行程と有する制御方法とするものである。
【0015】
同じく上記目的を達成するために、請求項9に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの処理時間所定値以上かどうかを判断する行程と、前記制御プログラムの処理時間所定値未満と判断される場合には、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリに対しては、前記制御プログラムを実行している間、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリに対しては、前記動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリから前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、電力供給するように前記電力制御手段制御する行程とを有する制御方法とするものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【0017】
図1は本発明の実施の各形態に係るカメラの主要部分の電気的構成を示すブロック図であり、カメラの他の要素については説明を簡単にする為に省いてある。
【0018】
図1において、1はカメラの各種動作を制御する制御手段であるところのワンチップマイコンであり、CPU(中央演算処理装置)、マスクROM、フラッシュメモリ、RAM、フラッシュメモリアクセス制御回路、フラッシュメモリ用電源、不図示の周辺回路により構成されている。前記フラッシュメモリ及びマスクROM上には、操作スイッチの状態検出、測光、測距、給送、ストロボ充電など各種カメラ動作を制御する為の制御プログラム、および制御用データが格納されており、CPUにより読み込まれそれぞれの機能が実行される。
【0019】
前記フラッシュメモリアクセス制御回路は、フラッシュメモリへの書き込み、読み込み動作を行う要求信号をCPUから受け取り、それに応じてフラッシュメモリへの通電のオン、オフを制御するものである。また、フラッシュメモリアクセス制御回路は、フラッシュメモリへ通電してから該メモリの立ち上がり時間経過後にCPUへフラッシュメモリへのアクセス許可信号の出力も行う。これは、フラッシュメモリは通電開始後、一定時間のウォームアップ時間が必要であり、通電直後にはアクセスすることができないために、通電後立ち上がり時間が経過するまでは、アクセス許可信号が出力されない構成となっているからである。
【0020】
2は不図示の測距センサを用いて被写体までの距離情報を得る測距装置、3は不図示の測光センサを用いて被写体輝度情報を得る測光装置、4はシャッタの開閉の制御を行うシャッタ制御装置である。5は撮影準備動作や撮影動作を開始させる為の不図示のスイッチSW1,SW2や各撮影モードを設定する為のスイッチ等、各種操作スイッチを含むスイッチ(SW)回路である。6は電源回路であり、電源電圧を所定電圧に変換し、各回路に供給する。7はストロボ制御装置であり、不図示のメインコンデンサへ充電を行い、ストロボ発光制御を行う。8は不図示のフィルムの巻き上げ、巻き戻し等を行う為の給送モータの駆動制御を行う給送制御回路である。
【0021】
(実施の第1の形態)
上記構成のカメラにおいて、本発明の実施の第1の形態に係るカメラ制御動作について、図2のフローチャートにしたがって説明する。
【0022】
まず、ステップ#001にて、マイコン1はマスクROM上に格納されている操作スイッチの状態検出用の制御プログラムにより、レリーズボタンの第1ストロークが押されてスイッチSW1がオンするまでこのステップに待機する。ここで、操作スイッチの状態検出用の制御プログラムは、図3(a)に示す通りマスクROM上に格納(操作スイッチ検出ブロック)されているとする。したがって、フラッシュメモリへのアクセスは不要であるので、操作スイッチの状態検出プログラム実行中はフラッシュメモリへの通電は行わず、ここでの消費電流を無くすことが可能となる。図2に戻り、レリーズボタンの第1ストロークが押されてスイッチSW1がオンするとステップ#002へ進み、被写体距離を測定する測距プログラムを実行し、測距装置2を用いて被写体距離を測定する。
【0023】
ここで、上記測距プログラムの実行に関して詳細に説明する。
【0024】
アクティブ測距システムの構成の一例を図4に示す。図4の構成を用いたアクティブ測距装置では、被写体41に対してIRED(赤外発光ダイオード)42を用いて赤外光を投射し、被写体41からの反射光を一対の受光センサアレイであるCCD(半導体位置検出器)43,44に結像、蓄積させ、相関演算を用いて結像位置からのずれ量を算出し、被写体距離までの距離の算出を行う。
【0025】
つまり、本構成でのアクティブ測距装置を用いた測距プログラムは、CCD43,44を駆動する為の電源やクロックの確認を行う「初期化動作」、IRED42で投光を行いながら適正時間CCD43,44への蓄積を行う「蓄積動作」、蓄積された像信号を読み出し、平均化等によるノイズの軽減、データ量削減の為の像データの圧縮等を行う「像データ処理(像データ読み出し制御)」、該像データ処理により得られた左右一対の像データの位相差を算出する「相関演算」、該相関演算により得られた位相差から被写体距離情報を算出する「距離情報算出」のようにその制御が進み、測距が行われることになる。
【0026】
次に、図3(b)により、測距プログラムがメモリ上にどのように格納されているかを示す。
【0027】
本実施の形態では、「蓄積制御ブロック」、「相関演算ブロック」、「距離情報算出ブロック」等、CCDや光学系等のバラツキにより調整値を使用する必要がある制御プログラムに関しては、電気的に読み書き可能であるフラッシュメモリに格納されており、「初期化動作ブロック」、「像データ処理(像データ読み出し制御)ブロック」等に関してはマスクROMに格納されている。ただし、これらのメモリの使い分けについては、これに限られたものではなく、メモリ容量、メモリの動作条件に応じて適切に制御プログラムを配置すれば良い。
【0028】
このように、測距動作を実現する為の各動作は、マスクROM及びフラッシュメモリにアクセスしながら実行される。
【0029】
次に、測距プログラムの実行時のフラッシュメモリへの電源制御に関して、図5のフローチャート及び図6のフラッシュメモリへの電源制御のタイミングチャートを用いて説明する。
【0030】
測距プログラムは、「初期化動作」、「蓄積動作」、「像データ処理」、「相関演算」、「距離情報算出」の各動作ブロックにより構成されており、フラッシュメモリへのアクセスを必要とするのは、「蓄積制御」、「相関演算」、「距離情報算出」の制御プログラムである。
【0031】
したがって、フラッシュメモリに対しての通電は各制御プログラム直前に通電を行えば良いように思えるが、フラッシュメモリは通電後適正にアクセス可能となるまでにはΔt (例えば50μS)の立ち上がり時間を必要とするために、各ブロック実行毎にフラッシュメモリへの通電のオン、オフを制御したのではメモリの立ち上がりに要する時間だけ動作の実行が遅れることになり、結果として動作速度(処理速度)の悪化を招くことになる。
【0032】
そこで、この実施の形態では、図6に示す通り、マスクROM、フラッシュメモリの両方を使用して動作する測距プログラム(マスクROMとフラッシュメモリにアクセスしながら動作する制御プログラム)等の機能については、プログラムスタート時に通電を行い、各制御ブロック毎に通電をオフするのではなく測距プログラム終了後までフラッシュメモリをアクセス可能状態にしておく。これにより、動作速度を損なうことなく一連の測距動作を迅速に行うことが可能となる。
【0033】
この測距動作について、図5のフローチャートを用いて説明する。
【0034】
測距動作(測距プログラム)はフラッシュメモリとマスクROMにアクセスしながら実行される動作であることがわかっているので、まずステップ#501にて、図1に示したフラッシュメモリアクセス制御回路を介してフラッシュメモリ用電源をオンにしてフラッシュメモリに対して通電を開始させ、アクセス可能状態としておく。そして、次のステップ#502にて、マスクROM上に格納された「初期化動作」を実行する。続くステップ#503では、フラッシュメモリ上に格納された「蓄積動作」を実行する。ここで、図6に示すように、測距プログラム開始時にフラッシュメモリの電源は通電されていることから、該メモリの立ち上がり時間を待つことなく「蓄積動作」を直ちに実行することが可能である。
【0035】
次にステップ#504へ進み、マスクROM上に格納されている「像データ処理」を実行し、続いて、ステップ#505,#506で立ち上がり時間を待つことなくフラッシュメモリ上に格納された「相関演算」及び「距離情報算出」を実行し、測距動作を完了する。そして、最後にステップ#507にて、前記フラッシュメモリ用電源をオフし、測距プログラムのフローを終了する。
【0036】
図2の撮影シーケンスのフローに戻り、上記のステップ#002での測距動作を完了した後はステップ#003へ進み、ここでは測光装置3により被写体の輝度測定(測光処理)を行う。そして、次のステップ#004にて、上記スイッチSW1がオンされたままであるかの判定を行い、オンされたままであればステップ#005へ進み、オフされている場合はステップ#001へ戻る。
【0037】
ステップ#005へ進むと、レリーズボタンの第2ストロークが押されてスイッチSW2がオンしているかの判定を行い、オンしていなければ上記ステップ#004へ戻るが、オンしていればステップ#006へ進み、マイコン1は上記被写体輝度情報等を基に設定された露出情報により、シャッタ制御装置4および必要に応じてストロボ制御装置7を用いて露光動作を行う。その後はステップ#007へ進み、フィルムの巻上げを行う為に給送制御回路8を介して不図示の給送モータを駆動して給送動作(撮影駒の巻き上げ動作)を行い、一連の撮影シーケンスを終了する。
【0038】
なお、本実施の形態においては、操作スイッチ状態検出動作、および測距動作時における、フラッシュメモリへの通電制御について説明を行ったが、これに限られることではなく、給送動作作など、他のカメラ動作の場合においても同様である。
【0039】
例えば、1駒巻き上げ時の給送プログラムは、フィルムの位置を検出する為のフォトセンサへの通電を行う「センサ駆動動作」、フィルムを1駒駆動する為にモータへの通電制御を行う「モータ駆動動作」、モータ通電開始後、フォトセンサからの出力によりフィルム位置の検出を行う「フィルム位置検出動作」、該フィルム位置検出動作によりフィルムの停止位置が検出された際に、モータへの通電を禁止しフィルムを所定位置に停止させる「モータ停止動作」のように制御が進み、「センサ駆動動作ブロック」、「フィルム位置検出動作ブロック」等、センサのバラツキに応じて、調整を必要とするプログラムに関しては、電気的に読み書き可能であるフラッシュメモリに格納されており、「モータ駆動動作ブロック」、「モータ停止動作ブロック」等のプログラムに関してはマスクROMに格納されている。
【0040】
また、フラッシュメモリの電源制御について説明を行ったが、その他の内蔵メモリについても同様の制御を行っても良い。
【0041】
例えば、フラッシュメモリの代わりに、やはり立ち上げに時間を要するEEPROMを使用した場合についても同様の制御を行うことが可能である。
【0042】
つまり、電子機器が所定の動作を行う際に、その動作に必要なプログラムが書き換え可能なフラッシュメモリやEEPROMに格納されていない場合は、これらフラッシュメモリやEEPROMの電源を切っておくことで無駄な電力の消費を防止することができ、その動作に必要なプログラムがフラッシュメモリ等にも格納されている場合には、常にフラッシュメモリ等の電源を入れておくことでこれらメモリの立ち上げ時間を省略することができ、迅速に電子機器を作動させることができる。
【0043】
さらに、複数のメモリについて、電源の制御を行う場合には、消費電流が大きいメモリについては上記実施の形態で述べた電源制御を行い、消費電流が小さいメモリについては常時通電を行うという制御にしても良い。
【0044】
つまり、相対的に消費電力の大きな(もしくは消費電力が所定値より大きな)メモリに関しては、電子機器が所定の動作を行う際に、その動作に必要なプログラムが格納されている場合にのみ通電を行い、相対的に消費電力の小さな(もしくは消費電力が所定値より小さな)メモリに関しては、その動作に必要なプログラムが格納されているかどうかに関わらず通電を行う。
【0045】
相対的に消費電力が小さいメモリであれば、その動作に必要なプログラムが格納されていない場合に通電を行っていても無駄な電力の消費は抑えられる。
【0046】
相対的に消費電力が大きいメモリであれば、上述したフラッシュメモリと同様にその動作に必要なプログラムが格納されている場合にのみ通電を行うことで、無駄な電力の消費を防ぐことになる。
【0047】
以上の実施の第1の形態によれば、測距動作のように複数の不揮発性記憶手段であるメモリにアクセスして実行されるカメラ動作の場合には、メモリのアクセス時に該アクセス先のメモリに通電を行うのではなく、一連の動作開始前に電源をオンしておく事により、不要なメモリ立ち上がり時間を削除することが可能となる。また、操作スイッチの状態検出動作など、複数のメモリにアクセスする必要がない機能を実行中には、アクセスする必要のないメモリの電源はオフしておくことにより、このメモリでの消費電流は無くすことが可能となる。
【0048】
つまり、複数のメモリにアクセスしながら動作する制御プログラム(測距プログラム等)の実行時には、アクセス時に動作速度を損なうことを無くすことができ、アクセスせずに特定のメモリ上のみで動作可能な制御プログラム(操作スイッチ検出動作等)実行時には、この制御プログラムの実行中にアクセスされないメモリでの消費電流を無くすことができるカメラ用制御装置を提供可能となる。
【0049】
(実施の第2の形態)
上記実施の第1の形態で述べたフラッシュメモリの電源制御を行うことにより、測距動作時には該フラッシュメモリの立ち上がり時間の影響を取り除くことが可能となる。しかし、上記実施の第1の形態では、フラッシュメモリへのアクセスが不要である「初期化動作」、「像データ処理」の制御ブロック実行時においても該フラッシュメモリへの通電が行われている為に、その期間、フラッシュメモリでは不要な消費電流が生じることとなる。
【0050】
本発明の実施の第2の形態では、メモリの立ち上がり時間がカメラ機能の実行上影響を与えないようなカメラ動作の場合には、その実行がフラッシュメモリにアクセスする直前に該フラッシュメモリに対して通電を行うようにして、省電化を図ろうとするものである。
【0051】
また、カメラ機能上、フラッシュメモリの立ち上がり時間が影響を及ぼすようなカメラ動作の場合には、上記実施の第1の形態で述べた通り、各カメラ動作開始時にフラッシュメモリへの通電を行い、その動作中には該フラッシュメモリへ常時通電する電源制御を行うものである。
【0052】
この実施の第2の形態においても、測距プログラムのメモリ上の配置は図3(b)に示す通りである。
【0053】
以下、本発明の実施の第2の形態における測距動作時のフラッシュメモリの電源制御の一例(該測距動作が、メモリの立ち上がり時間がカメラ機能の実行上影響を与えないようなものとした場合)について、図7のフローチャート及び図8のフラッシュメモリへの電源制御のタイミングチャートを用いて説明する。
【0054】
測距動作の各制御ブロックの実行に要する時間をそれぞれ、図8に示す様に、「初期化」:t1、「蓄積動作」:t2、「像データ処理」:t3、「相関演算」:t4、「距離情報算出演算」:t5であるとする。この時、フラッシュメモリへのアクセス時に該フラッシュメモリに対して通電を行うとすると、測距動作トータルで要する時間tAF1は、各制御プログラムの実行に要する時間t1 〜t5の和に、フラッシュメモリの立ち上がり時間Δtの2倍を加えた値となる。
【0055】
ここで、カメラの各機能においてはそれぞれ要求される動作速度があり、測距動作においては、レリーズタイムラグを所定時間以内にする為に、例えば、tAF1を200mS以内で実現したいという要求がある。この時、「tAF1<200mS」を満たしているとするならば、フラッシュメモリの立ち上がり時間を含めても、要求動作速度を満たすことが可能である。したがって、この場合には、測距開始時からフラッシュメモリへの電源を常時オンしておくのではなく、フラッシュメモリへのアクセス時、具体的には、「蓄積動作」及び「像データ処理」と「距離情報算出」ブロック実行前に、フラッシュメモリへの通電を行うことにより、要求動作速度を満たし、且つ、フラッシュメモリでの不要な消費電流を削減することが可能となる。
【0056】
これを実現するための動作について、図7のフローチャートを用いて説明する。なお、測距プログラムのスタート時には、フラッシュメモリに対して通電の開始は行っていない。
【0057】
まずステップ#701にて、マスクROM上に格納された「初期化動作」を実行する。そして、次のステップ#702にて、フラッシュメモリ上に格納された「蓄積動作」を実行するために、図1に示したフラッシュメモリアクセス制御回路を介してフラッシュメモリ用電源をオンにしてフラッシュメモリに対して通電を行う。続くステップ#703では、フラッシュメモリの立ち上がり時間(Δt)の経過後、該フラッシュメモリ上に格納された「蓄積動作」を実行する。
【0058】
次のステップ#704では、上記フラッシュメモリ用電源をオフし、続くステップ#705にて、マスクROM上に格納された「像データ処理」を実行する。そして、次のステップ#706にて、フラッシュメモリ上に格納された「相関演算」及び「距離情報算出」をそれぞれ実行するのに先駆けて、上記フラッシュメモリに対して再度通電を行う。そして、ステップ#707,#708にて、上記フラッシュメモリの立ち上がり時間経過後、該フラッシュメモリ上に格納された「相関演算」及び「距離情報算出」を実行する。最後に、ステップ#709にて、上記フラッシュメモリ用電源をオフし、測距プログラムのフローを終了する。
【0059】
一方、tAF1が「tAF1<200mS」を満たしていないとするならば、すなわちフラッシュメモリへのアクセス直前に該フラッシュメモリへ通電を行った際に要求動作速度を満たさない場合には、図10に示す通り、測距開始時からフラッシュメモリへの電源を常時オンしておく。これにより、図8と図10の比較より明らかなように、上記の省電化は期待できないが、フラッシュメモリの立ち上がり時間2Δtを削除することが可能となり、動作速度の短縮を実現することができる。
【0060】
これを実現するための動作について、つまり該測距動作が、メモリの立ち上がり時間がカメラ機能の実行上影響を与えてしまうようなものとした場合の動作について、図9のフローチャートを用いて説明する。
【0061】
ステップ#801にて、図1に示したフラッシュメモリアクセス制御回路を介してフラッシュメモリ用電源をオンにしてフラッシュメモリに対して通電を開始し、アクセス可能状態としておく。そして、次のステップ#802にて、マスクROM上に格納された「初期化動作」を実行する。続くステップ#803では、フラッシュメモリ上に格納された「蓄積動作」を実行する。ここで、測距プログラム開始時にフラッシュメモリの電源は通電されていることから、立ち上がり時間を待つことなく「蓄積動作」を直ちに実行することが可能である。
【0062】
次のステップ#804では、マスクROM上に格納された「像データ処理」を実行し、続いてステップ#805,#806にて、フラッシュメモリの立ち上がり時間を待つことなく該フラッシュメモリ上に格納された「相関演算」及び「距離情報算出」を実行し、測距動作を完了する。最後に、ステップ#807にて、上記フラッシュメモリ用電源をオフし、測距プログラムのフローを終了する。
【0063】
なお、この実施の第2の形態においては、測距動作時におけるフラッシュメモリへの通電制御について説明を行ったが、これに限られることではなく、給送動作など、他のカメラ動作の場合においても同様である。
【0064】
また、フラッシュメモリの電源制御について説明を行ったが、立ち上げに時間を要するその他の内蔵メモリ(例えばEEPROM)を使用した場合についても同様の制御を行うことが可能である。
【0065】
以上の実施の第2の形態によれば、複数のメモリにアクセスしながら動作し、且つ、所定動作速度以上を要求される制御プログラムの実行時(図7及び図8参照)には、アクセス時に動作速度を損なうことを無くして前記所定動作速度以上の動作を保証し、一方、アクセスせずに特定のメモリ上のみで動作可能な制御プログラムを実行時(図9及び図10参照)には、前記制御プログラムの実行中にアクセスされないメモリでの消費電流を極力削減することができるカメラ用制御装置を提供可能となる。
【0066】
(実施の第3の形態)
本発明の実施の第3の形態では、フラッシュメモリの立ち上がり時間を正確に考慮して該フラッシュメモリの電源制御を行うことにより、消費電流を削減し、且つ、メモリの立ち上がり時間の影響による動作速度の低下を取り除く制御を可能にしようとするものである。マスクROM上でのみ動作する制御プログラムについては、上記実施の第1の形態の場合と同様であるのでその説明は省略する。
【0067】
また、この実施の第3の形態においても、測距プログラムのメモリ上の配置は図3(b)に示す通りである。
【0068】
以下、本発明の実施の第3の形態における測距動作時のフラッシュメモリの電源制御について、図11のフラッシュメモリへの電源制御のタイミングチャートを用いて説明する。
【0069】
フラッシュメモリは通電後、アクセス可能となるまでに所定期間、つまりΔtの時間を要する。したがって、Δt以前に該フラッシュメモリに対する通電を開始しておくことにより、動作時間における該フラッシュメモリの立ち上がりに対する待ち時間を削除することが可能となる。
【0070】
測距シーケンスが開始されると、まず「初期化動作」が行われ、この「初期化動作」はマスクROM上で実行されるため、フラッシュメモリへのアクセスは不要である。しかしながら、次ステップの「蓄積動作」はフラッシュメモリ上で実行されるために該フラッシュメモリへのアクセスが必要である。
【0071】
そこで、「蓄積動作」へ移行するΔt以前のステップ、すなわち「初期化動作」内の制御プログラム上でフラッシュメモリへの通電を開始する。これにより、「蓄積動作」への移行時には、該フラッシュメモリはアクセス可能状態となっており、メモリの立ち上がりに対する待ち時間を削除することが可能となる。
【0072】
同様に、次ステップの「像データ処理」はマスクROM上で実行されるので、はじめはフラッシュメモリの電源はオフしておき、該フラッシュメモリ上で実行される「相関演算」及び「距離情報算出」へ移行するΔt以前のステップ、すなわち「像データ処理」内の制御プログラム上で、該フラッシュメモリへの通電を開始する。これにより、「蓄積動作」への移行時には、フラッシュメモリはアクセス可能状態となっており、メモリの立ち上がりに対する待ち時間を削除することが可能となる。
【0073】
なお、この実施の形態においても、測距動作時におけるフラッシュメモリへの通電制御について説明を行ったが、これに限られることではなく、給送動作など、他のカメラ動作の場合においても同様である。
【0074】
また、フラッシュメモリの電源制御について説明を行ったが、立ち上げに時間を要するその他の内蔵メモリ(例えばEEPROM)を使用した場合についても同様の制御を行うことが可能である。
【0075】
以上の実施の第3の形態によれば、複数のメモリにアクセスしながら動作する制御プログラムの実行時において、アクセス先のメモリに対して事前に(メモリ立ち上がり時間であるΔt以前)通電を開始しておく、つまりアクセス先のメモリが直ちに適正に使用可能である状態にしておくようにしているので、アクセス時に動作速度を損なうことを無くすことができ(メモリ立ち上がり時間Δtを無くすことができるので)、しかもそのメモリの消費電流を極力削減することができるカメラ用制御装置を提供できるものである。
【0076】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリにアクセスしながら動作する制御プログラムを実行する際に、不揮発性メモリへのアクセスのために生じる制御プログラムの処理時間の増大を防止するとともに、制御プログラム実行の時における不揮発性メモリ全体の消費電力を極力削減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の各形態に係るカメラの主要部分の回路構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の各形態に関わるカメラの撮影シーケンスの概略を示すフローチャートである。
【図3】本発明の実施の各形態に係るカメラに具備される複数のメモリと各制御プログラムの関係を示す図である。
【図4】本発明の実施の各形態に係るカメラに具備されるアクティブAFシステムの概略図である。
【図5】本発明の実施の第1の形態に関わるカメラの測距動作の概略を示すフローチャートである。
【図6】図5の測距動作時におけるフラッシュメモリに対する通電状態を示すタイミングチャートである。
【図7】本発明の実施の第2の形態に関わるカメラにおいて「tAF1<200mS」を満たしている際の測距動作の概略を示すフローチャートである。
【図8】図7の測距動作時におけるフラッシュメモリに対する通電状態を示すタイミングチャートである。
【図9】本発明の実施の第2の形態に関わるカメラにおいて「tAF1<200mS」を満たしていない際の測距動作の概略を示すフローチャートである。
【図10】図9の測距動作時におけるフラッシュメモリに対する通電状態を示すタイミングチャートである。
【図11】本発明の実施の第2の形態に関わるカメラの測距動作時におけるフラッシュメモリに対する通電状態を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
1 マイコン
2 測距装置
3 測光装置
4 シャッタ制御装置
6 電源回路
7 ストロボ制御装置
8 給送制御回路
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a plurality of non-volatile memory Have Control apparatus and control method It is about.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, various storage devices (hereinafter referred to as memories) have been proposed in the field of semiconductor storage devices.
[0003]
Since microcomputers (hereinafter referred to as microcomputers) used for camera control are required to be small and space-saving, one-chip microcomputers that incorporate memory, peripheral devices, etc. on the same chip are often used. . In recent years, with the increase in program capacity and data capacity due to multifunctional and advanced functions of cameras, there has been a demand for a large-capacity electrically rewritable memory, and an electrically rewritable flash together with mask ROM and RAM. One-chip microcomputers with built-in memory are being used.
[0004]
A camera using a plurality of memories including this flash memory is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-89090. According to this, a flash memory and an EEPROM are used, and the flash memory requires little or no rewriting. By storing the large-capacity data as described above in the EEPROM, the small-capacity data that is frequently rewritten is stored in each of the EEPROMs, so that a plurality of memories can be used efficiently and without shortening the lifetime.
[0005]
Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 8-227359, the flash memory is divided into a plurality of blocks, and a means for rewriting only a part of the specific blocks is provided, so that the entire area of the flash memory can be rewritten at the time of rewriting. There has been proposed a system in which the program can be easily changed without rewriting the contents.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above proposals, all are technical contents at the time of rewriting the flash memory, and no consideration is given to the current consumption and the operation speed in each memory when the control program is executed.
[0007]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-191365 proposes a camera provided with switching means that is turned on only during writing with respect to the supply of power for writing to the flash memory. Power supply control when executing the control program is not considered. In addition, the flash memory requires a certain rise time until it becomes readable and writable after being energized, but the rise time of the memory after energization is not taken into consideration in the above proposals.
[0008]
Flash memory is expected to be used as a large-capacity and electrically rewritable memory, but in devices such as cameras where the power source is a battery, it is acceptable to keep the current consumption of the flash memory energized. Therefore, it is necessary to control the current consumption as much as possible from the user's point of view. On the other hand, in terms of improving operability and shortening the release time lag, it is also necessary to improve the operating speed, and while realizing low current consumption, optimizing camera control so as not to impair user operability. There was a need.
[0009]
(Object of invention)
An object of the present invention is to provide control that occurs for accessing a non-volatile memory when executing a control program that operates while accessing a plurality of non-volatile memories each storing a control block for executing the control program. Program Increased processing time While preventing Control program execution Of the entire nonvolatile memory at the time power consumption It is an object of the present invention to provide a control device or a control method that can reduce as much as possible.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided a control block for executing a control program. Memorized and different power consumption during operation A plurality of nonvolatile memories; a control program executing means for reading the control block from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program; and a power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories. And when the control program execution means executes the control program, the power control means But A control block necessary for executing the control program among the plurality of nonvolatile memories is provided. Memory Non-volatile memory Is A control block required to control power supply and to execute the control program among the plurality of nonvolatile memories Memory Non-volatile memory A nonvolatile memory whose power consumption during operation is less than or equal to a predetermined value is supplied with power, and a nonvolatile memory that does not store a control block necessary for executing the control program among the plurality of nonvolatile memories Power is not supplied to non-volatile memories that consume more power than the specified value during operation Thus, the control device is controlled.
[0011]
Similarly, in order to achieve the above object, the invention according to claim 2 includes a control block for executing a control program, respectively. Remembered A plurality of nonvolatile memories and the control block from the plurality of nonvolatile memories Sequentially Control program execution means for reading and executing the control program; power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories; A processing time determining means for determining whether the processing time of the control program is equal to or greater than a predetermined value; Have When the processing time of the control program is determined to be a predetermined value or more by the processing time determination means The power control means But , While the control program execution means is executing the control program, A control block necessary for executing the control program is Memory Has been All The control device controls the power supply to the nonvolatile memory.
[0012]
In order to achieve the above object, the invention described in claim 6 A device having a plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing a control program and having different power consumption during operation, and a power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories A non-volatile memory in which a process for instructing the start of execution of the control program and a control block necessary for executing the control program among the plurality of non-volatile memories are stored A nonvolatile memory in which a control block necessary for executing the control program is not stored among the plurality of nonvolatile memories, and the power consumption during operation is less than a predetermined value in the nonvolatile memory The control block necessary for supplying power and executing the control program among the plurality of nonvolatile memories is stored. A no non-volatile memory, the operation time of the non-volatile memory power consumption is larger than a predetermined value, a control method and a step for controlling said power control means so as not to power supply It is what.
[0013]
In order to achieve the above object, the invention described in claim 7 includes a plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing a control program, Control program execution means for sequentially reading out the control block from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program, and processing time determination for determining whether the processing time of the control program by the control program execution means is a predetermined value or more Means, A device control method comprising power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories, It is determined whether the processing time of the control program is a predetermined value or more The process, If it is determined that the processing time of the control program is equal to or greater than a predetermined value, all nonvolatile memories in which control blocks necessary for executing the control program are stored while the control program is being executed The power control means controls to supply power to And a control method having a stroke.
[0014]
Similarly, in order to achieve the above object, the invention according to claim 8 is provided with control blocks for executing a control program. Remembered A plurality of nonvolatile memories; Control program execution means for sequentially reading out the control block from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program, and processing time determination for determining whether the processing time of the control program by the control program execution means is a predetermined value or more Means, A device control method comprising power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories, It is determined whether the processing time of the control program is a predetermined value or more The process, When it is determined that the processing time of the control program is less than a predetermined value, only when the control block necessary for executing the control program is read while the control program is being executed. The necessary control block is read out from a plurality of nonvolatile memories. Non-volatile memory In Said power control means for supplying power But Process to control and The The control method has.
[0015]
Similarly, in order to achieve the above object, the invention according to claim 9 is provided with control blocks for executing a control program. Memorized and different power consumption during operation A plurality of nonvolatile memories; A control program executing means for sequentially reading the control block from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program; and the control program executing means. Of the control program processing time But More than a predetermined value To determine whether Processing time judgment means And a power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories, wherein the control program includes: processing time But More than a predetermined value The process of determining whether or not the control program processing time But Less than the specified value If it is determined that Among the plurality of non-volatile memories, a non-volatile memory in which a control block necessary for executing the control program is stored, and for a non-volatile memory whose power consumption during operation is a predetermined value or less, While executing the control program, Power supply, Among the plurality of nonvolatile memories, a control block necessary for executing the control program is provided. Memory Non-volatile memory A control block required for executing the control program from a non-volatile memory whose power consumption during operation is greater than a predetermined value is provided for the non-volatile memory whose operation power consumption is greater than a predetermined value. Only when reading Said power control means for supplying power But And a control method having a control process.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on illustrated embodiments.
[0017]
FIG. 1 is a block diagram showing the electrical configuration of the main part of the camera according to each embodiment of the present invention, and other elements of the camera are omitted for the sake of simplicity.
[0018]
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a one-chip microcomputer which is a control means for controlling various operations of the camera, for a CPU (Central Processing Unit), a mask ROM, a flash memory, a RAM, a flash memory access control circuit, and a flash memory. A power source and a peripheral circuit (not shown) are included. On the flash memory and the mask ROM, control programs for controlling various camera operations such as operation switch state detection, photometry, distance measurement, feeding, strobe charging, and control data are stored. Each function is read and executed.
[0019]
The flash memory access control circuit receives a request signal for performing writing and reading operations to the flash memory from the CPU, and controls on / off of energization to the flash memory in response thereto. The flash memory access control circuit also outputs an access permission signal to the flash memory to the CPU after the rise time of the memory has passed since the flash memory is energized. This is because the flash memory requires a certain warm-up time after the start of energization and cannot be accessed immediately after energization, so the access permission signal is not output until the rise time after energization has elapsed. Because it is.
[0020]
2 is a distance measuring device that obtains distance information to a subject using a distance measuring sensor (not shown), 3 is a light measuring device that obtains subject luminance information using a light measuring sensor (not shown), and 4 is a shutter that controls opening and closing of the shutter. It is a control device. Reference numeral 5 denotes a switch (SW) circuit including various operation switches such as switches SW1 and SW2 (not shown) for starting a shooting preparation operation and a shooting operation and switches for setting each shooting mode. A power supply circuit 6 converts the power supply voltage into a predetermined voltage and supplies it to each circuit. A strobe control device 7 charges a main capacitor (not shown) and performs strobe light emission control. Reference numeral 8 denotes a feed control circuit that performs drive control of a feed motor for performing film winding and rewinding (not shown).
[0021]
(First embodiment)
A camera control operation according to the first embodiment of the present invention in the camera having the above configuration will be described with reference to the flowchart of FIG.
[0022]
First, in step # 001, the microcomputer 1 waits in this step until the first switch of the release button is pressed and the switch SW1 is turned on by the control program for detecting the state of the operation switch stored in the mask ROM. To do. Here, it is assumed that the control program for detecting the state of the operation switch is stored on the mask ROM (operation switch detection block) as shown in FIG. Accordingly, since access to the flash memory is not required, the flash memory is not energized during execution of the operation switch state detection program, and current consumption can be eliminated. Returning to FIG. 2, when the first stroke of the release button is pressed and the switch SW <b> 1 is turned on, the process proceeds to step # <b> 002, a distance measurement program for measuring the object distance is executed, and the object distance is measured using the distance measuring device 2. .
[0023]
Here, the execution of the distance measurement program will be described in detail.
[0024]
An example of the configuration of the active ranging system is shown in FIG. In the active distance measuring apparatus using the configuration of FIG. 4, infrared light is projected onto the subject 41 using an IRED (infrared light emitting diode) 42, and the reflected light from the subject 41 is a pair of light receiving sensor arrays. The images are accumulated and accumulated in CCDs (semiconductor position detectors) 43 and 44, the amount of deviation from the image formation position is calculated using correlation calculation, and the distance to the subject distance is calculated.
[0025]
That is, the distance measuring program using the active distance measuring device in this configuration is the “initialization operation” for confirming the power source and clock for driving the CCDs 43 and 44, and the CCD 43, “Accumulation operation” for accumulating to 44, reading the accumulated image signal, reducing noise by averaging, etc., and compressing image data to reduce the data amount, etc. “Image data processing (image data readout control)” ”,“ Correlation calculation ”for calculating the phase difference between the pair of left and right image data obtained by the image data processing, and“ distance information calculation ”for calculating the subject distance information from the phase difference obtained by the correlation calculation. The control proceeds and distance measurement is performed.
[0026]
Next, FIG. 3B shows how the ranging program is stored in the memory.
[0027]
In the present embodiment, regarding a control program that needs to use an adjustment value due to variations in CCD, optical system, etc., such as “accumulation control block”, “correlation calculation block”, “distance information calculation block”, etc. The “initialization operation block” and the “image data processing (image data read control) block” are stored in the mask ROM. However, the use of these memories is not limited to this, and the control program may be appropriately arranged according to the memory capacity and the memory operating conditions.
[0028]
As described above, each operation for realizing the distance measuring operation is executed while accessing the mask ROM and the flash memory.
[0029]
Next, power control to the flash memory during execution of the distance measurement program will be described using the flowchart of FIG. 5 and the timing chart of power control to the flash memory of FIG.
[0030]
The distance measurement program consists of the operation blocks of “initialization operation”, “accumulation operation”, “image data processing”, “correlation calculation”, and “distance information calculation”, and requires access to the flash memory. It is a control program for “accumulation control”, “correlation calculation”, and “distance information calculation”.
[0031]
Therefore, it seems that the power supply to the flash memory may be performed immediately before each control program, but the flash memory requires a rise time of Δt (for example, 50 μS) until it can be properly accessed after the power supply. Therefore, if the on / off of the flash memory is controlled for each block execution, the execution of the operation will be delayed by the time required for the rise of the memory, resulting in a decrease in the operation speed (processing speed). Will be invited.
[0032]
Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 6, functions such as a ranging program (control program that operates while accessing the mask ROM and the flash memory) that operates using both the mask ROM and the flash memory are provided. The energization is performed at the start of the program, and the flash memory is kept accessible until the end of the distance measurement program rather than turning off the energization for each control block. As a result, a series of distance measuring operations can be quickly performed without impairing the operation speed.
[0033]
This distance measuring operation will be described with reference to the flowchart of FIG.
[0034]
Since it is known that the distance measuring operation (ranging program) is performed while accessing the flash memory and the mask ROM, first, in step # 501, the flash memory access control circuit shown in FIG. Then, the flash memory power supply is turned on to start energization of the flash memory to make it accessible. Then, in the next step # 502, the “initialization operation” stored on the mask ROM is executed. In the subsequent step # 503, the “accumulation operation” stored in the flash memory is executed. Here, as shown in FIG. 6, since the power source of the flash memory is energized at the start of the distance measurement program, it is possible to immediately execute the “accumulation operation” without waiting for the rise time of the memory.
[0035]
Next, the process proceeds to step # 504, where the “image data processing” stored on the mask ROM is executed, and subsequently the “correlation” stored on the flash memory without waiting for the rise time in steps # 505 and # 506. Execute "calculation" and "distance information calculation" to complete the distance measuring operation. Finally, in step # 507, the power supply for the flash memory is turned off, and the flow of the distance measurement program is terminated.
[0036]
Returning to the flow of the imaging sequence in FIG. 2, after completing the distance measuring operation in the above step # 002, the process proceeds to step # 003, where the photometric device 3 measures the luminance of the subject (photometric processing). Then, in the next step # 004, it is determined whether or not the switch SW1 remains on. If it remains on, the process proceeds to step # 005. If it is off, the process returns to step # 001.
[0037]
When the process proceeds to step # 005, it is determined whether the second stroke of the release button is pressed and the switch SW2 is turned on. If not, the process returns to step # 004, but if it is turned on, the process returns to step # 006. The microcomputer 1 performs an exposure operation using the shutter control device 4 and, if necessary, the strobe control device 7 based on the exposure information set based on the subject luminance information and the like. Thereafter, the process proceeds to step # 007, and in order to wind the film, a feeding motor (not shown) is driven via the feeding control circuit 8 to perform a feeding operation (rolling operation of the photographing frame), and a series of photographing sequences is performed. finish.
[0038]
In the present embodiment, the energization control to the flash memory during the operation switch state detection operation and the distance measurement operation has been described. However, the present invention is not limited to this, and other operations such as a feeding operation The same applies to the case of camera operation.
[0039]
For example, the feeding program at the time of winding one frame includes “sensor driving operation” for energizing a photo sensor for detecting the position of the film, and “motor for performing energization control for the motor for driving one frame of film”. “Drive operation”, “Film position detection operation” that detects the film position based on the output from the photosensor after the motor energization is started. When the film stop position is detected by the film position detection operation, the motor is energized. Programs that require adjustment according to sensor variations, such as “Sensor drive operation block”, “Film position detection operation block”, etc. Are stored in a flash memory that is electrically readable and writable. Stored in the mask ROM with respect to program blocks ", and the like.
[0040]
Further, the power control of the flash memory has been described, but the same control may be performed for other built-in memories.
[0041]
For example, the same control can be performed even when an EEPROM that requires time for startup is used instead of the flash memory.
[0042]
In other words, when an electronic device performs a predetermined operation, if a program necessary for the operation is not stored in a rewritable flash memory or EEPROM, it is useless to turn off the power to the flash memory or EEPROM. Power consumption can be prevented, and when the program necessary for the operation is also stored in the flash memory etc., the startup time of these memories can be omitted by always turning on the flash memory etc. Electronic devices can be operated quickly.
[0043]
Further, when controlling the power supply for a plurality of memories, the power supply control described in the above embodiment is performed for a memory with a large current consumption, and the power supply is always performed for a memory with a small current consumption. Also good.
[0044]
In other words, for a memory with relatively high power consumption (or power consumption larger than a predetermined value), when an electronic device performs a predetermined operation, power is supplied only when a program necessary for the operation is stored. For a memory with relatively low power consumption (or power consumption smaller than a predetermined value), energization is performed regardless of whether a program necessary for the operation is stored.
[0045]
If the memory has relatively low power consumption, useless power consumption can be suppressed even if power is supplied when a program necessary for the operation is not stored.
[0046]
In the case of a memory with relatively high power consumption, unnecessary power consumption can be prevented by energizing only when a program necessary for the operation is stored as in the above-described flash memory.
[0047]
According to the first embodiment described above, in the case of a camera operation that is executed by accessing a memory that is a plurality of nonvolatile storage means, such as a distance measuring operation, the memory of the access destination when the memory is accessed It is possible to eliminate unnecessary memory rise time by turning on the power before starting a series of operations instead of energizing the memory. In addition, when performing functions that do not require access to multiple memories, such as operation switch status detection operations, the memory that does not need to be accessed is turned off to eliminate current consumption in this memory. It becomes possible.
[0048]
In other words, when executing a control program (ranging program, etc.) that operates while accessing multiple memories, it is possible to eliminate the loss of operating speed during access, and control that can operate only on a specific memory without access. Program (operation switch detection operation, etc.) of At the time of execution, it is possible to provide a camera control device that can eliminate current consumption in a memory that is not accessed during execution of the control program.
[0049]
(Second Embodiment)
By performing the power control of the flash memory described in the first embodiment, it is possible to remove the influence of the rise time of the flash memory during the distance measuring operation. However, in the first embodiment, the flash memory is energized even during execution of the “initialization operation” and “image data processing” control blocks that do not require access to the flash memory. During this period, unnecessary current consumption occurs in the flash memory.
[0050]
In the second embodiment of the present invention, in the case of a camera operation in which the rise time of the memory does not affect the execution of the camera function, the execution is performed on the flash memory immediately before the execution accesses the flash memory. It is intended to save electricity by energizing.
[0051]
Also, in the case of a camera operation that affects the rise time of the flash memory in terms of camera function, as described in the first embodiment, the flash memory is energized at the start of each camera operation, During operation, power supply control is performed so that the flash memory is always energized.
[0052]
Also in the second embodiment, the arrangement of the ranging program on the memory is as shown in FIG.
[0053]
Hereinafter, an example of the power control of the flash memory during the distance measurement operation in the second embodiment of the present invention (the distance measurement operation is such that the rise time of the memory does not affect the execution of the camera function) Case) will be described with reference to the flowchart of FIG. 7 and the timing chart of power supply control to the flash memory of FIG.
[0054]
As shown in FIG. 8, the time required to execute each control block of the ranging operation is “initialization”: t1, “accumulation operation”: t2, “image data processing”: t3, “correlation calculation”: t4. , “Distance information calculation calculation”: t5. At this time, if the flash memory is energized when accessing the flash memory, the time tAF1 required for the total distance measurement operation is equal to the sum of the times t1 to t5 required for executing the control programs. A value obtained by adding twice the time Δt.
[0055]
Here, each function of the camera has a required operation speed. In the distance measurement operation, for example, there is a request to realize tAF1 within 200 mS in order to make the release time lag within a predetermined time. At this time, if it is assumed that “tAF1 <200 mS” is satisfied, the required operation speed can be satisfied even when the rise time of the flash memory is included. Therefore, in this case, the power to the flash memory is not always turned on from the start of distance measurement, but when the flash memory is accessed, specifically, “accumulation operation” and “image data processing”. By energizing the flash memory before executing the “distance information calculation” block, it is possible to satisfy the required operation speed and reduce unnecessary current consumption in the flash memory.
[0056]
The operation | movement for implement | achieving this is demonstrated using the flowchart of FIG. Note that energization of the flash memory is not started when the ranging program is started.
[0057]
First, in step # 701, the “initialization operation” stored on the mask ROM is executed. Then, in the next step # 702, in order to execute the “accumulation operation” stored in the flash memory, the flash memory power supply is turned on via the flash memory access control circuit shown in FIG. Is energized. In the subsequent step # 703, after the rise time (Δt) of the flash memory has elapsed, the “accumulation operation” stored in the flash memory is executed.
[0058]
In the next step # 704, the power supply for the flash memory is turned off, and in the subsequent step # 705, “image data processing” stored on the mask ROM is executed. Then, in the next step # 706, the flash memory is energized again prior to executing the “correlation calculation” and the “distance information calculation” stored in the flash memory. In steps # 707 and # 708, after the rise time of the flash memory elapses, “correlation calculation” and “distance information calculation” stored in the flash memory are executed. Finally, in step # 709, the power supply for the flash memory is turned off, and the flow of the distance measurement program is terminated.
[0059]
On the other hand, if it is assumed that tAF1 does not satisfy “tAF1 <200 mS”, that is, if the required operating speed is not satisfied when the flash memory is energized immediately before accessing the flash memory, FIG. As usual, the power to the flash memory is always turned on from the start of distance measurement. Thus, as is apparent from the comparison between FIG. 8 and FIG. 10, the above power saving cannot be expected, but the rise time 2Δt of the flash memory can be deleted, and the operation speed can be reduced.
[0060]
Regarding the operation for realizing this, that is, the distance measuring operation has an influence on the execution time of the camera function when the rise time of the memory is affected. End up The operation when it is assumed will be described with reference to the flowchart of FIG.
[0061]
In step # 801, the flash memory power supply is turned on via the flash memory access control circuit shown in FIG. 1, and energization of the flash memory is started to make it accessible. Then, in the next step # 802, the “initialization operation” stored on the mask ROM is executed. In the subsequent step # 803, the “accumulation operation” stored in the flash memory is executed. Here, since the power source of the flash memory is energized at the start of the distance measurement program, it is possible to immediately execute the “accumulation operation” without waiting for the rise time.
[0062]
In the next step # 804, “image data processing” stored on the mask ROM is executed, and then in steps # 805 and # 806, the image data is stored on the flash memory without waiting for the rise time of the flash memory. Then, “correlation calculation” and “distance information calculation” are executed to complete the distance measuring operation. Finally, in step # 807, the power supply for the flash memory is turned off, and the flow of the distance measurement program is terminated.
[0063]
In the second embodiment, the energization control to the flash memory during the distance measuring operation has been described. However, the present invention is not limited to this, and in the case of other camera operations such as a feeding operation. Is the same.
[0064]
Further, the power control of the flash memory has been described, but the same control can be performed when another built-in memory (for example, EEPROM) that requires time for startup is used.
[0065]
According to the second embodiment described above, when executing a control program that operates while accessing a plurality of memories and is required to have a predetermined operation speed or higher (see FIGS. 7 and 8), At the time of executing a control program that can operate only on a specific memory without accessing it while guaranteeing an operation at or above the predetermined operation speed without impairing the operation speed (see FIGS. 9 and 10), It is possible to provide a camera control device that can reduce current consumption in a memory that is not accessed during execution of the control program as much as possible.
[0066]
(Third embodiment)
In the third embodiment of the present invention, the power consumption of the flash memory is controlled by accurately considering the rise time of the flash memory, thereby reducing current consumption and operating speed due to the influence of the rise time of the memory. It is intended to make it possible to control to eliminate the drop in the level. Since the control program that operates only on the mask ROM is the same as that in the first embodiment, the description thereof is omitted.
[0067]
Also in the third embodiment, the arrangement of the ranging program on the memory is as shown in FIG.
[0068]
Hereinafter, power control of the flash memory during the distance measuring operation according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the timing chart of power control to the flash memory in FIG.
[0069]
The flash memory requires a predetermined period, that is, a time of Δt until it becomes accessible after being energized. Therefore, by starting energization of the flash memory before Δt, it is possible to delete the waiting time for the rise of the flash memory during the operation time.
[0070]
When the distance measurement sequence is started, first, an “initialization operation” is performed, and since this “initialization operation” is executed on the mask ROM, access to the flash memory is unnecessary. However, since the “accumulation operation” in the next step is executed on the flash memory, access to the flash memory is required.
[0071]
Therefore, energization of the flash memory is started on the control program in the step before Δt that shifts to the “accumulation operation”, that is, the “initialization operation”. Thereby, at the time of shifting to the “accumulation operation”, the flash memory is in an accessible state, and it is possible to delete the waiting time for the rise of the memory.
[0072]
Similarly, of Since the “image data processing” of the step is executed on the mask ROM, first, the power of the flash memory is turned off, and the process proceeds to “correlation calculation” and “distance information calculation” executed on the flash memory. Energization of the flash memory is started in a step before Δt, that is, on a control program in “image data processing”. Thereby, at the time of shifting to the “accumulation operation”, the flash memory is in an accessible state, and it is possible to delete the waiting time for the rise of the memory.
[0073]
In this embodiment, the energization control to the flash memory during the distance measuring operation has been described. However, the present invention is not limited to this, and the same applies to other camera operations such as a feeding operation. is there.
[0074]
Further, the power control of the flash memory has been described, but the same control can be performed when another built-in memory (for example, EEPROM) that requires time for startup is used.
[0075]
According to the third embodiment described above, when a control program that operates while accessing a plurality of memories is executed, energization is started in advance (before the memory rise time Δt) to the access destination memory. In other words, since the memory at the access destination is immediately set in a state where it can be properly used, it is possible to eliminate the loss of the operation speed at the time of access (because the memory rise time Δt can be eliminated). Moreover, it is possible to provide a camera control device that can reduce the current consumption of the memory as much as possible.
[0076]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when executing a control program that operates while accessing a plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing the control program, Of the control program that arises for access Increased processing time While preventing Control program execution Of the entire nonvolatile memory at the time power consumption Can be reduced as much as possible.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a circuit configuration of a main part of a camera according to each embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart showing an outline of a shooting sequence of a camera according to each embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a plurality of memories provided in the camera according to each embodiment of the present invention and each control program.
FIG. 4 is a schematic diagram of an active AF system provided in a camera according to each embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a flowchart showing an outline of a distance measuring operation of the camera according to the first embodiment of the present invention.
6 is a timing chart showing an energization state of the flash memory during the distance measuring operation of FIG.
FIG. 7 is a flowchart showing an outline of a distance measuring operation when “tAF1 <200 mS” is satisfied in the camera according to the second embodiment of the present invention.
8 is a timing chart showing an energization state of the flash memory during the distance measuring operation of FIG.
FIG. 9 is a flowchart showing an outline of a ranging operation when “tAF1 <200 mS” is not satisfied in the camera according to the second embodiment of the present invention.
10 is a timing chart showing an energization state of the flash memory during the distance measuring operation of FIG. 9;
FIG. 11 is a timing chart showing an energization state of the flash memory during the distance measuring operation of the camera according to the second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Microcomputer
2 ranging device
3 Photometric device
4 Shutter control device
6 Power supply circuit
7 Strobe control device
8 Feed control circuit

Claims (10)

制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、
前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、
前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、
前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行する際に、前記電力制御手段は、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリに電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリには、電力供給しないように制御することを特徴とする制御装置。
A plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing a control program and having different power consumption during operation ;
Control program execution means for reading the control block from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program;
Power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories,
When the control program execution unit executes the control program, the power control unit stores the control block necessary for executing the control program among the plurality of nonvolatile memories. Is a non-volatile memory that does not store a control block necessary for executing the control program among the plurality of non-volatile memories , and that consumes power during operation or less than a predetermined value. The non-volatile memory is a non-volatile memory that does not store a control block required for executing the control program among the plurality of non-volatile memories, and has a predetermined power consumption during operation. A control device that controls not to supply power to a non-volatile memory larger than the value .
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、
前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、
前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段と
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段とを有し、
前記処理時間判断手段によって前記制御プログラムの処理時間が所定値以上と判断される場合には、前記電力制御手段は、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されているすべての不揮発性メモリに電力供給するように制御することを特徴とする制御装置。
A plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing a control program;
Control program execution means for sequentially reading the control block from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program;
Power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories ;
Processing time determination means for determining whether the processing time of the control program is a predetermined value or more ,
When the processing time of the control program is determined to be a predetermined value or more by the processing time determination means, the power control means executes the control program while the control program execution means is executing the control program. A control apparatus for controlling power supply to all nonvolatile memories in which control blocks necessary for execution are stored .
前記処理時間判断手段によって前記制御プログラムの処理時間所定値未満と判断される場合には、前記電力制御手段は、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが読み出される不揮発性メモリに電力供給するように制御することを特徴とする請求項2に記載の制御装置。If the processing time of the control program by the processing time decision means is determined to be less than the predetermined value, the power control unit reads necessary control block to said control program executing means executes the control program when only control device according to claim 2, wherein the controller controls the power supplied to the non-volatile memory in which the necessary control blocks are read out of the plurality of non-volatile memory. 前記複数の不揮発性メモリは動作時の消費電力がそれぞれ異なり、前記処理時間判断手段によって前記制御プログラムの処理時間所定値未満と判断される場合には、前記電力制御手段は、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリに対しては、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリに対しては、前記動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリから前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、電力供給するように制御することを特徴とする請求項に記載の制御装置。 Wherein the plurality of non-volatile memory differs power consumption during operation, respectively, if the processing time of the control program by the processing time decision means is determined to be less than the predetermined value, the power control unit, said plurality of non-volatile A non-volatile memory in which a control block necessary for executing the control program is stored in the non-volatile memory, and the non-volatile memory whose power consumption during operation is a predetermined value or less is executed. A non-volatile memory in which a control block necessary for executing the control program is stored among the plurality of non-volatile memories, while power is supplied while the means executes the control program. For a non-volatile memory whose power consumption is greater than a predetermined value, from the non-volatile memory whose power consumption during operation is greater than a predetermined value Only when the control program executing means reads the necessary control blocks for executing the control program, the control device according to claim 2, wherein the controller controls to power. 前記制御プログラムの処理時間は、前記電力制御手段が前記不揮発性メモリに電力を供給させてから前記不揮発性メモリが適正に動作可能となるまでの時間を含むことを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の制御装置。The control program of the processing time, the to the power control means do not claim 2, characterized in that it comprises the time from to supply power to the non-volatile memory to said non-volatile memory is properly operable 4 The control device according to any one of the above. 制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの実行開始を指示する行程と、
前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されていない不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリには、電力供給しないように前記電力制御手段が制御する行程とを有することを特徴とする制御方法
A device having a plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing a control program and having different power consumption during operation, and a power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories A control method,
A step of instructing the start of execution of the control program;
Power is supplied to a nonvolatile memory in which a control block necessary for executing the control program is stored among the plurality of nonvolatile memories, and the control program is executed among the plurality of nonvolatile memories. Is a non-volatile memory that does not store the control blocks necessary for the operation, and power is supplied to the non-volatile memory whose power consumption during operation is a predetermined value or less, and the control program is executed among the plurality of non-volatile memories A process in which the power control means controls the non-volatile memory that does not store a control block necessary for the operation and that does not supply power to the non-volatile memory whose power consumption during operation is greater than a predetermined value. A control method comprising:
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されているすべての不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段が制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
A plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing the control program; a control program executing means for sequentially reading the control blocks from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program; and the control program A device control method comprising: processing time determination means for determining whether the processing time of the control program by the execution means is equal to or greater than a predetermined value; and power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories. ,
A step of determining whether the processing time of the control program is a predetermined value or more ;
If it is determined that the processing time of the control program is equal to or greater than a predetermined value, all nonvolatile memories in which control blocks necessary for executing the control program are stored while the control program is being executed And a step of controlling the power control means so as to supply power to the control method.
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの処理時間が所定値以上かどうかを判断する行程と、
前記制御プログラムの処理時間が所定値未満と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間であって、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが読み出される不揮発性メモリ電力供給するように前記電力制御手段制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
A plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing the control program; a control program executing means for sequentially reading the control blocks from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program; and the control program A device control method comprising: processing time determination means for determining whether the processing time of the control program by the execution means is equal to or greater than a predetermined value; and power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories. ,
A step of determining whether the processing time of the control program is a predetermined value or more ;
When it is determined that the processing time of the control program is less than a predetermined value, only when the control block necessary for executing the control program is read while the control program is being executed. control method characterized by having a step for the power control unit is controlled such that power supplied to the non-volatile memory in which the necessary control block is read out of the plurality of non-volatile memory.
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから順次読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記制御プログラム実行手段による前記制御プログラムの処理時間所定値以上かどうかを判断する処理時間判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの処理時間所定値以上かどうかを判断する行程と、
前記制御プログラムの処理時間所定値未満と判断される場合には、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリに対しては、前記制御プログラムを実行している間、電力供給し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記憶されている不揮発性メモリであって、動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリに対しては、前記動作時の消費電力が所定値より大きい不揮発性メモリから前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、電力供給するように前記電力制御手段制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
A plurality of nonvolatile memories each storing a control block for executing a control program and having different power consumption during operation, and a control for sequentially reading the control block from the plurality of nonvolatile memories and executing the control program Program execution means, processing time determination means for determining whether the processing time of the control program by the control program execution means is a predetermined value or more, and power control means for controlling power supply to the plurality of nonvolatile memories. A method for controlling a device having
A step of determining whether the processing time of the control program is a predetermined value or more ;
When it is determined that the processing time of the control program is less than a predetermined value , a non-volatile memory storing a control block necessary for executing the control program among the non-volatile memories, It is necessary to supply power to a nonvolatile memory whose power consumption during operation is not more than a predetermined value while the control program is being executed, and to execute the control program among the plurality of nonvolatile memories. For a non-volatile memory in which a control block is stored and the power consumption during operation is greater than a predetermined value, the control program starts from the non-volatile memory whose power consumption during operation is greater than a predetermined value. only when reading the necessary control blocks to perform, especially in that it has a step for controlling said power control means to power Control method to be.
前記制御プログラムの処理時間は、前記電力制御手段が前記不揮発性メモリに電力を供給させてから前記不揮発性メモリが適正に動作可能となるまでの時間を含むことを特徴とする請求項7ないし9のいずれか1項に記載の制御方法。 The control program of the processing time, to the power control unit claims 7, characterized in that it comprises the time from to supply power to the non-volatile memory to said non-volatile memory is properly operable 9 The control method according to any one of the above .
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