JP4063565B2 - 薄膜の成膜方法 - Google Patents
薄膜の成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4063565B2 JP4063565B2 JP2002084877A JP2002084877A JP4063565B2 JP 4063565 B2 JP4063565 B2 JP 4063565B2 JP 2002084877 A JP2002084877 A JP 2002084877A JP 2002084877 A JP2002084877 A JP 2002084877A JP 4063565 B2 JP4063565 B2 JP 4063565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- film
- film forming
- substrate
- film formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 205
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 34
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 31
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 21
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 18
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 10
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は所定のマスクパターンを有する成膜用マスクを用いた薄膜の成膜方法に関する。本発明は、例えば有機系のＥＬ素子等の表示素子における電極を構成する薄膜を形成する際に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、所定のマスクパターンをもつ成膜用マスクを用い、マスクパターンを転写するように基材の被成膜面に成膜処理する薄膜形成方法が提供されている。例えば、有機系のＥＬ素子における薄膜形成においては、微細幅の複数のスリット開口からなるマスクパターンを基板の被成膜面に転写し、これにより微細幅のスリット開口に対応する微細幅の薄膜を複数個平行に形成して薄膜集合体を形成し、以って電極用の薄膜を形成する方法がある。
【０００３】
ここで用いられる成膜用マスクには微細な開口が穿設されてマスクパターンが形成されることから、この開口の幅を板厚よりも小幅に形成することは現在の技術では非常に困難である。このため、特に成膜用マスクに高精細なマスクパターンを形成する場合には、成膜用マスクの板厚は非常に薄く形成される。成膜用マスクの板厚が薄い場合には、成膜用マスクの剛性は低いものとなる。
【０００４】
ここで上記した薄膜形成方法を用いて薄膜の成膜をおこなう場合には、基体を被成膜面が下面となるように配置し、この被成膜面と対面するように成膜用マスクを基体の下方に配置し、そのさらに下方に成膜材料を配置して成膜を行うことが一般的である。この場合、成膜材料の蒸発物を重力方向と反対方向に飛翔させることで、この蒸発物を成膜用マスクを通して基体の被成膜面に蒸着させて薄膜を成膜することができる。
【０００５】
しかしこのような場合、成膜用マスクの下方には成膜材料の蒸発物が飛翔するための空間が必要となる。したがって成膜用マスクの下面は開放されている必要があり、成膜用マスクは端部のみで支持されることとなる。このため、成膜用マスクが上述したように剛性の低いものである場合は、成膜の際に重力方向にたわみが発生し、所望の薄膜パターンを形成することが困難となる場合があった。
【０００６】
高精細なマスクパターンを形成する場合を例に挙げて、成膜用マスクのたわみに起因する薄膜集合体の寸法誤差について説明する。また、このような寸法誤差を模式的に表す図を図１に示す。
【０００７】
基体１００に対面するように基体１００の下方に配置された成膜用マスク１０１は、マスク端部１０２で支持されている。この成膜用マスク１０１は上述したように板厚が薄く形成され剛性が低くなっている。このため、成膜用マスク１０１には重力方向にたわみが発生し、成膜用マスク１０１と基体１００との間には隙間１０３が発生する。隙間１０３が発生すると、目的とする薄膜パターン１０４と成膜用マスク１０１とのあいだには配置のずれ１０５が生じる。配置のずれ１０５が生じている状態で基体１００の被成膜面１０６に薄膜を形成すると、目的とする薄膜パターン１０４と実際に得られる薄膜パターン１０７とに寸法誤差が生じる。
【０００８】
このように、従来の薄膜の成膜方法を用いて成膜された薄膜および薄膜集合体は寸法誤差をもって形成され、要求される寸法精度を満たさない場合があった。
【０００９】
よって近年では、特開２０００−１６０３２３号公報に開示されるようなマスクに張力を付与しつつ成膜をおこなう薄膜形成方法が考案されている。しかしこのような方法によると、マスクに張力を付与するための張力付与手段を新たに設けることが必要となるために、薄膜形成装置が大型化する問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、マスク全体を基体で支えるようにすることで寸法誤差を低減させ寸法精度をより向上させ、かつ省スペースで形成可能な薄膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の薄膜の成膜方法は、所定のマスクパターンを有する成膜用マスクを基体の被成膜面に対面させた状態で、該マスクパターンを転写するように該被成膜面に薄膜を成膜処理する薄膜の成膜方法であって、上記基体を上記被成膜面が上面となるように配置し、上記成膜用マスクを上記被成膜面上に載置する第１の工程と、
有機系ＥＬ素子用の成膜材料の蒸発物を上記成膜用マスクの上方より上記成膜用マスクをとおして上記被成膜面に真空蒸着させる第２の工程と、を有し、
該第２の工程は、該成膜材料の蒸発物を誘導する誘導経路と、該誘導経路に形成されている噴気口と、を備える蒸着方向誘導手段を用いて行われ、
該誘導経路は途中で複数の経路に分岐し、該複数の経路は上記成膜用マスクの上方で上記成膜用マスクの全体を覆い、該噴気口は各々の該経路に複数個ずつ形成され上記成膜用マスク方向に開口し、
該第２の工程において、該成膜材料の蒸発物自体が、複数の該誘導経路に誘導されるとともに複数の該噴気口を介して上記被成膜面に蒸着することを特徴とする。
【００１２】
本発明の薄膜の成膜方法によると、成膜用マスクを基体の被成膜面状に載置することで、成膜用マスクはその全体が基体によって支持される。したがって、成膜用マスクの重力方向のたわみが防止されて目的とする薄膜パターンと成膜用マスクとのあいだに配置のずれが生じることが防止される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる薄膜の成膜方法は、所定のマスクパターンを有する成膜用マスクを基体の被成膜面に対面させた状態で、該マスクパターンを転写するように該被成膜面に薄膜を成膜処理する薄膜の成膜方法である。
【００１４】
成膜用マスクには、成膜用マスクに穿設されたマスクの開口部の形状によって所定のマスクパターンが形成される。マスクの開口部は、成膜する薄膜の形状によって種々の形状に形成することができる。また、１個の開口部をマスクパターンとすることもできるし、複数個の開口部をマスクパターンとすることもできる。
【００１５】
マスクの開口部の形状は特に限定されるものではなく、複数個の開口部をマスクパターンとする場合の各開口部の配置される方向や数もまた限定されるものではないが、代表的なマスクの開口部の形状としては、１方向に沿って細長く延設されたスリット開口があり、複数のスリット開口からなるマスクパターンは、複数のスリット開口が同方向に並列するものが一般的である。ここで、上述したようにスリット開口の幅を微細幅とする場合、成膜用マスクの板厚は薄いものとなり、成膜用マスクの剛性は低下する。しかし、本発明の薄膜の製造方法によると成膜用マスクの剛性は低いものでもよく、板厚の薄い成膜用マスクを用いることができるため、スリット開口の幅を微細幅にすることが可能となる。
【００１６】
成膜用マスクは、鉄，ニッケル，銅，アルミニウム，インバー，モリブデン，コバール，グラファイト，ガラス，シリコン等の、一般に使用される既知の材料を用いて形成することができる。
【００１８】
基体に形成する薄膜の厚みは用途などに応じて適宜選択することができ、薄膜の材質もまた適宜選択することができる。
【００１９】
基体としては、一般的に用いられるものから用途に応じて選択して使用することができるが、たとえばＥＬ素子等の表示素子の成膜をおこなう場合であれば、ガラス基板を用いることが好ましい。
【００２０】
本発明の薄膜の成膜方法は、基体を被成膜面が上面となるように配置し、成膜用マスクを被成膜面上に載置する第１の工程と、成膜材料の蒸発物を成膜用マスクの上方より成膜用マスクをとおして被成膜面に蒸着させる第２の工程とを有する。
【００２１】
第１の工程は基体と成膜用マスクとの配置位置を決定する工程である。
【００２２】
この第１の工程において基体は被成膜面が上面となるように配置される。ここで基体の下面は開放されている必要がないため、この基体を下面全面で支持することができる。したがって、基体はその剛性に関わらず重力方向へのたわみが抑止された状態で配置される。
【００２３】
成膜用マスクはこの基体の被成膜面上に載置される。したがって、成膜用マスクはその全体が基体によって支持される。このため、成膜用マスクが剛性の低い状態に形成されている場合にも、この成膜用マスクに重力方向へのたわみが発生することは抑止される。
【００２４】
従って本発明で「上方」と表現する方向は、成膜用マスクが重力方向にたわまず、基体から離れない範囲で傾斜している場合も含む概念である。
【００２５】
第２の工程は第１の工程で配置位置が決定された基体と成膜用マスクとに対して薄膜の蒸着を行う工程である。この第２の工程では、第１の工程で配置が決定され準備された成膜用マスクの上方から下方に位置する基体の被成膜面に向けて成膜材料の蒸発物が蒸着される。
【００２６】
ここで、成膜用マスクには上述したように所定のマスクパターンとなるように開口部が穿設されている。したがって、成膜用マスクの上方から下方に向けて飛翔した成膜材料の蒸発物は、成膜用マスクの開口部をとおして基体の被成膜面に蒸着される。
【００２７】
ここで用いられる成膜材料は特に限定されず、薄膜の用途に応じて種々のものを用いることができる。
【００２８】
また、本発明の薄膜の成膜方法において、第２の工程は成膜材料の蒸発物を誘導する誘導経路と、導経路に形成されている噴気口と、を備える蒸着方向誘導手段を用いて行われる。この誘導経路は途中で複数の経路に分岐し、複数の経路は成膜用マスクの上方で成膜用マスクの全体を覆い、噴気口は各々の経路に複数個ずつ形成され成膜用マスク方向に開口する。
【００２９】
第２の工程において、成膜材料の蒸発物は成膜用マスクの上方から下方に向けて蒸着される。このため本発明の薄膜の成膜方法では、成膜材料の蒸発物を成膜用マスクの上方より下方に向けて飛翔させるための誘導経路を設ける。例えば真空蒸着法によると、真空状態で蒸着を行うことから成膜材料の蒸発物を下方より上方へすなわち重力と反対方向に飛翔させるよりも、上方より下方へすなわち重力方向に飛翔させる方が容易である。したがって、蒸着方向誘導手段により飛翔方向の位置を下方に誘導することで上方より下方への蒸着を良好に行うことができる。
【００３０】
誘導経路は、成膜原料の蒸発物を上方より下方へ誘導するものであればその形状は特に問わない。例えば、成膜原料をるつぼ等の容器内に入れて用いる場合には、るつぼの開口部全体を取り囲み成膜用マスク上方に位置するるつぼの開口部と噴気口とを連通させる湾曲した管状であっても良いし、成膜原料を保持する容器内に誘導経路を設けて容器全体が噴気口と一体化した形状としても良い。
【００３１】
また、誘導経路を構成する経路外縁部は既知の種々の材料を用いて形成することができるが、成膜原料の蒸発物が誘導経路内に蒸着されることを防止するためには経路外縁部を加温する加温手段を備えていることが望ましい。
【００３２】
噴気口は、成膜用マスクの上方より成膜用マスク方向に開口した形状であればどのような形状であっても良い。噴気口は、複数箇所に配置される。この噴気口は、小径の噴気口が成膜用マスクおよび被成膜面全体に対向するように万遍なくちりばめられた形状に形成されることが特に好ましい。このような形状および配置の噴気口によると、噴気口と成膜用マスクおよび被成膜面との距離を短くしつつ広面積に蒸着することが可能となり、蒸着装置を小型化することが可能になる。
【００３３】
また、誘導経路と噴気口とは途中で複数の経路に分岐した形状に形成することもできる。誘導経路と噴気口を複数の経路に分岐した形状とすることで、経路外縁部が小径となるためにこの経路外縁部を一定の温度に加温することが容易となる。
【００３５】
また、スパッタリング法等の真空状態で蒸着を行わない方法を用いる場合は、成膜原料の蒸発物を上方より下方へ良好に誘導するために、例えば成膜用マスクおよび基板のさらに下方にヒータ等の加温装置を設けて噴気口より被成膜面へ向けての蒸着方向をさらに誘導することもできる。
【００３６】
【実施例】
以下、本発明の実施例を添付図面を基にして説明する。
＜実施例１＞
本発明の実施例１の方法における成膜用マスク，基体および蒸着方向誘導手段の摸式斜視図を図２に示し、実施例１の方法による成膜装置の摸式断面図を図３に示す。
【００３７】
基体１は石英製の厚さ１．１ｍｍ，大きさ２００ｍｍ×２００ｍｍの薄板である。成膜用マスク３は、インバー製の厚さ０．１ｍｍ、大きさ２２０ｍｍ×２２０ｍｍの薄板に、幅０．１０ｍｍ、長さ９０ｍｍのスリット開口部４が互いに平行に４８０個並設されたマスクパターン５をもつ。マスクパターン５は、成膜用マスク３の基材となる薄板にフォトエッチング法で形成されたものである。
【００３８】
第１の工程によって基体１は被成膜面２が上面となるように配置され、この被成膜面２上には成膜用マスク３が載置される。
【００３９】
成膜用マスク３の側方には保持容器６が配置され、この保持容器６内部には成膜材料７が入れられている。この保持容器６外部にはヒータ８が配置されている。保持容器６は上方が一部開口した開口部９を有し、この開口部９の外周は、カーボン製の管状の経路外縁基部１０によって覆われている。経路外縁基部１０は開口部９より成膜用マスク１方向に延び、途中で平行に分枝して成膜用マスク１全体を覆う６本の管状の経路外縁端部１１を形成している。この経路外縁基部１０および経路外縁端部１１の内側が誘導経路１２となる。また、各経路外縁端部１１の下側には、成膜用マスク１に向けて１０ｍｍ間隔で噴気口１３が開口している。各噴気口１３と基体１および成膜用マスクとの距離は５ｃｍとなるように配置されている。本実施例１において、保持容器６，開口部９，経路外縁基部１０，経路外縁端部１１，誘導経路１２および噴気口１３によって蒸着方向誘導手段が構成されている。また、本実施例１において上述した各要素は成膜装置１４の真空室１５内に配置され、この成膜装置１４は、真空室１５を持つ真空容器１６と、真空室１５を高真空にする図示しない排気装置１７とを有する。また、誘導経路１２は経路外縁端部１１の外部より経路ヒータ１８によって加温されており、誘導経路１２内に成膜材料７の蒸発物が蒸着されることが防止されている。
【００４０】
本実施例１の薄膜の成膜方法において、第２の工程は以下のように行われる。
【００４１】
保持容器６内部の成膜材料７はヒータ８によって加熱され、成膜材料７の蒸発物となる。成膜材料７の蒸発物は、開口部９より保持容器６の外部に移動する。開口部９より保持容器６の外部に移動した成膜材料７の蒸発物は経路外縁基部１０および経路外縁端部１１内部の誘導経路１２により成膜用マスク３の上方に誘導され、誘導経路１２と連通する噴気口１３より成膜用マスク３の上方から成膜用マスク３を通して基体１の被成膜面２に蒸着される。
＜参考例１＞
参考例１の方法による成膜装置の摸式断面図を図４に示す。本参考例１の薄膜の成膜方法は、実施例１と同じ基体１９および成膜用マスク２０を用いて行われた。
【００４２】
本参考例１において、真空室２１内には基体１９および成膜用マスク２０をスライド移動させるスライド手段２２が配設されている。基体１９および成膜用マスク２０は実施例１と同様に配置され、スライド手段２２上に載置されて真空室２１内に配置される。成膜用マスク２０の側方には実施例１と同様に実施例１と同じ成膜材料２３が入った保持容器２４が配置され、この保持容器２４外部にはヒータ２５が配置されている。保持容器２４は実施例１と同様に開口部２６を有し、この開口部２６の外周は、管状の経路外縁部２７によって覆われている。経路外縁部２７は開口部２６より成膜用マスク２０方向に延び、先端が成膜用マスク１に向けて湾曲し開口して噴気口２８が形成されている。この噴気口２８は基体１９および成膜用マスク２０より小さく形成され、基体１９の被成膜面２９の一部に蒸着を行うものである。また、噴気口２８と基体１９および成膜用マスク２０との距離は５ｃｍとなるように配置されている。本参考例１では経路外縁部２７の内側が誘導経路３０となり、保持容器２４，開口部２６，経路外縁部２７，誘導経路３０および噴気部２８によって蒸着方向誘導手段が構成されている。また、誘導経路３０は実施例１と同様に経路ヒータ３１によって加温されている。
【００４３】
本参考例１において第１の工程および第２の工程は以下のように行われる。
【００４４】
第１の工程において、基体１９および成膜用マスク２０は、実施例１と同じ配置でスライド手段２２上に載置される。ここで、基体１９および成膜用マスク２０はスライド手段２２上に載置されていることから、スライド手段２２によってスライド移動が可能となっている。
【００４５】
第２の工程において、成膜材料２３の蒸発物が噴気口２８より成膜用マスク２０の上方から成膜用マスク２０を通して基体１９の被成膜面２９に蒸着される際に、基体１９および成膜用マスク２０はスライド手段２２によってスライド移動する。したがって、噴気口２８が基体１９および成膜用マスク２０より小さく形成されているにもかかわらず、成膜材料２３の蒸発物は被成膜面２９の全面に蒸着される。
＜参考例２＞
参考例２の方法による成膜装置の摸式断面図を図５に示す。本参考例２の薄膜の成膜方法は実施例１と同じ基体３２および成膜用マスク３３を用いて行われ、基体３２および成膜用マスク３３は実施例１と同じ第１の工程によって実施例１と同様に配置された。また成膜材料３４としては実施例１と同じものを用いた。
【００４６】
本参考例２において、成膜材料３４の入った保持容器３５は、基体３２および成膜用マスク３３の二端側から基体３２および成膜用マスク３３の上方を覆うように中空の下駄状に配置され、基体３２および成膜用マスクの上部に噴気口３６が開口した形状に形成されている。すなわち本参考例２においては、誘導経路３７は保持容器３５内に設けられ、噴気口３６は保持容器３５の一部に設けられている。したがって、本参考例２においては保持容器３５が蒸着方向誘導手段となる。この噴気口３６は基体３２および成膜用マスク３３との距離が１０ｃｍとなるように配置されている。また、この保持容器３５外部には実施例１と同様にヒータ３８が配置されている。
【００４７】
本参考例２において、第２の工程は以下のように行われる。
【００４８】
保持容器３５内の成膜材料３４はヒータ３８によって加熱され成膜材料３４の蒸発物となる。この成膜材料３４の蒸発物は保持容器３５内の誘導経路３７によって成膜用マスク３３の上方に誘導され、保持容器３５の一部に設けられた噴気口３６より成膜用マスク３３の上方から成膜用マスク３３を通して基体３２の被成膜面３９に蒸着される。
＜比較例１＞
比較例１の方法による成膜装置の摸式断面図を図６に示す。本比較例１の薄膜の成膜方法は、従来の真空蒸着法によるものである。本比較例１において、基体４０は被成膜面４１を下方に向けて真空室４２上方に設けられた保持部４３に保持されている。成膜用マスク４４は基材４０の下方に基体４０と対面して配置され、基体４０と同様に保持部４３に保持されている。実施例１と同じ成膜材料４５が入った保持容器４６は、保持容器４６の噴気口４７と基体４０および成膜用マスク４４との距離が５０ｃｍとなるように真空室４２下方に配置されている。
【００４９】
本比較例１において、保持容器４６内の成膜材料４５はヒータ４８によって加熱されて成膜材料４５の蒸発物となり、噴気口４７から上方へ向けて飛翔し、成膜用マスク４４を通して基体４０の被成膜面４１に蒸着される。
＜作用＞
本発明の実施例１および参考例１〜２の方法によると、基体の被成膜面上に成膜用マスクを載置することから、成膜用マスクはその全体が基体によって支持される。したがって、成膜用マスクの重力方向のたわみが防止されて目的とする薄膜パターンと成膜用マスクとのあいだに配置のずれが生じることが防止される。ここで、実施例１および参考例１〜２の第１の工程で配置された基体および成膜用マスクの配置位置は、比較例１に示されるような従来の配置位置と異なるものである。しかし第２の工程において、成膜材料の蒸発物は成膜用マスクの上方より下方に蒸着されるため、薄膜の形成は良好に行われる。
【００５０】
さらに、実施例１および参考例１〜２の方法によると、誘導経路によって蒸着の方向が成膜用マスクの上方より下方に誘導されているため、成膜材料の蒸発物はより確実に成膜用マスクの上方から下方へと誘導されることとなる。
【００５１】
実施例１の薄膜の成膜方法によると、各噴気口が成膜用マスクおよび基体の全体に配置されていることから噴気口と成膜用マスクおよび基体との距離を短くしつつ被成膜面全体に良好に薄膜を成膜することができる。
【００５２】
参考例１の薄膜の成膜方法によると、基体および成膜用マスクをスライド移動させつつ蒸着を行うことが可能であるため、噴気口と基体および成膜用マスクとの距離とを短くしつつ成膜材料の蒸発物が被成膜面以外の場所に蒸着されることが防止され、成膜材料の歩留まりが向上する。また、噴気口と基体および成膜用マスクとの距離とを短くしつつ種々の大きさおよび形状の薄膜を成膜することが可能となる。
【００５３】
参考例２の薄膜の成膜方法によると、噴気口と基体および成膜用マスクとの距離を短くするとともに、保持容器の容量を増大させることができるため、保持容器に成膜材料を投入する工程を減少させることができる。また、設備停止時間が短くなることから生産性が向上する。
＜たわみ試験＞
実施例１、参考例１〜２および比較例１の薄膜の成膜方法において、成膜用マスクと基体との間に生じたたわみを測定した。たわみの測定は、成膜用マスクと基体とを配置した状態で成膜用マスクと基体とが最も離れている部分の長さを三次元計測器によって測定することで行った。各成膜方法によるたわみの長さを表１に示す。
【００５４】
【表１】
【００５５】
表１に示すように、実施例１および参考例１〜２の成膜方法で生じるたわみはほとんどないのに対し、比較例１の成膜方法で生じるたわみの長さは０．１０ｍｍと非常に大きくなっている。したがって、本発明の薄膜の成膜方法によると基体と成膜用マスクとのたわみが低減されることで、目的とする薄膜パターンと実際に得られる薄膜パターンとの寸法誤差を低減することが可能となり、寸法精度の高い薄膜パターンを成膜することが可能となる。
【００５６】
また、本発明の実施例の薄膜の成膜方法によると、比較例１の薄膜の成膜方法と比べて基体および成膜用マスクと噴気口との距離を短くすることが可能になり、成膜用装置を小型化することが可能になる。
【００５７】
【発明の効果】
以上述べてきたように、本発明の薄膜の成膜方法によると、成膜された薄膜の寸法誤差を低減させ寸法精度をより向上させることが可能となる。また、噴気口と成膜用マスクおよび基体との距離を短くすることができるため、薄膜の成膜を省スペースで行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の薄膜の形成方法における成膜用マスクのたわみに起因する薄膜集合体の寸法誤差を模式的に表す図である。
【図２】本発明の実施例１の方法における成膜用マスク，基体および蒸着方向誘導手段を示す摸式斜視図である。
【図３】本発明の実施例１の方法による成膜装置を示す摸式断面図である。
【図４】参考例１の方法による成膜装置を示す摸式断面図である。
【図５】参考例２の方法による成膜装置を示す摸式断面図である。
【図６】比較例１の方法による成膜装置を示す摸式断面図である。
【符号の説明】
１００：基体 １０１：成膜用マスク １０２：マスク端部
１０３：隙間 １０４：目的とする薄膜パターン １０５：配置のずれ １０６：被成膜面 １０７：実際に得られる薄膜パターン
１：基体 ２：被成膜面 ３：成膜用マスク ４：スリット開口部
５：マスクパターン ６：保持容器 ７：成膜材料 ８：ヒータ
９：開口部 １０：経路外縁基部 １１：経路外縁端部 １２：誘導経路
１３：噴気口 １４：成膜装置 １５：真空室 １６：真空容器
１７：排気装置 １８：経路ヒータ
１９：基体 ２０：成膜用マスク ２１：真空室 ２２：スライド手段
２３：成膜材料 ２４：保持容器 ２５：ヒータ ２６：開口部
２７：経路外縁部 ２８：噴気口 ２９：被成膜面 ３０：誘導経路
３１：経路ヒータ
３２：基体 ３３：成膜用マスク ３４：成膜材料 ３５：保持容器
３６：噴気口 ３７：誘導経路 ３８：ヒータ ３９：被成膜面
４０：基体 ４１：被成膜面 ４２：真空室 ４３：保持部
４４：成膜用マスク ４５：成膜材料 ４６：保持容器 ４７：噴気口
４８：ヒータ
【発明の属する技術分野】
本発明は所定のマスクパターンを有する成膜用マスクを用いた薄膜の成膜方法に関する。本発明は、例えば有機系のＥＬ素子等の表示素子における電極を構成する薄膜を形成する際に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、所定のマスクパターンをもつ成膜用マスクを用い、マスクパターンを転写するように基材の被成膜面に成膜処理する薄膜形成方法が提供されている。例えば、有機系のＥＬ素子における薄膜形成においては、微細幅の複数のスリット開口からなるマスクパターンを基板の被成膜面に転写し、これにより微細幅のスリット開口に対応する微細幅の薄膜を複数個平行に形成して薄膜集合体を形成し、以って電極用の薄膜を形成する方法がある。
【０００３】
ここで用いられる成膜用マスクには微細な開口が穿設されてマスクパターンが形成されることから、この開口の幅を板厚よりも小幅に形成することは現在の技術では非常に困難である。このため、特に成膜用マスクに高精細なマスクパターンを形成する場合には、成膜用マスクの板厚は非常に薄く形成される。成膜用マスクの板厚が薄い場合には、成膜用マスクの剛性は低いものとなる。
【０００４】
ここで上記した薄膜形成方法を用いて薄膜の成膜をおこなう場合には、基体を被成膜面が下面となるように配置し、この被成膜面と対面するように成膜用マスクを基体の下方に配置し、そのさらに下方に成膜材料を配置して成膜を行うことが一般的である。この場合、成膜材料の蒸発物を重力方向と反対方向に飛翔させることで、この蒸発物を成膜用マスクを通して基体の被成膜面に蒸着させて薄膜を成膜することができる。
【０００５】
しかしこのような場合、成膜用マスクの下方には成膜材料の蒸発物が飛翔するための空間が必要となる。したがって成膜用マスクの下面は開放されている必要があり、成膜用マスクは端部のみで支持されることとなる。このため、成膜用マスクが上述したように剛性の低いものである場合は、成膜の際に重力方向にたわみが発生し、所望の薄膜パターンを形成することが困難となる場合があった。
【０００６】
高精細なマスクパターンを形成する場合を例に挙げて、成膜用マスクのたわみに起因する薄膜集合体の寸法誤差について説明する。また、このような寸法誤差を模式的に表す図を図１に示す。
【０００７】
基体１００に対面するように基体１００の下方に配置された成膜用マスク１０１は、マスク端部１０２で支持されている。この成膜用マスク１０１は上述したように板厚が薄く形成され剛性が低くなっている。このため、成膜用マスク１０１には重力方向にたわみが発生し、成膜用マスク１０１と基体１００との間には隙間１０３が発生する。隙間１０３が発生すると、目的とする薄膜パターン１０４と成膜用マスク１０１とのあいだには配置のずれ１０５が生じる。配置のずれ１０５が生じている状態で基体１００の被成膜面１０６に薄膜を形成すると、目的とする薄膜パターン１０４と実際に得られる薄膜パターン１０７とに寸法誤差が生じる。
【０００８】
このように、従来の薄膜の成膜方法を用いて成膜された薄膜および薄膜集合体は寸法誤差をもって形成され、要求される寸法精度を満たさない場合があった。
【０００９】
よって近年では、特開２０００−１６０３２３号公報に開示されるようなマスクに張力を付与しつつ成膜をおこなう薄膜形成方法が考案されている。しかしこのような方法によると、マスクに張力を付与するための張力付与手段を新たに設けることが必要となるために、薄膜形成装置が大型化する問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、マスク全体を基体で支えるようにすることで寸法誤差を低減させ寸法精度をより向上させ、かつ省スペースで形成可能な薄膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の薄膜の成膜方法は、所定のマスクパターンを有する成膜用マスクを基体の被成膜面に対面させた状態で、該マスクパターンを転写するように該被成膜面に薄膜を成膜処理する薄膜の成膜方法であって、上記基体を上記被成膜面が上面となるように配置し、上記成膜用マスクを上記被成膜面上に載置する第１の工程と、
有機系ＥＬ素子用の成膜材料の蒸発物を上記成膜用マスクの上方より上記成膜用マスクをとおして上記被成膜面に真空蒸着させる第２の工程と、を有し、
該第２の工程は、該成膜材料の蒸発物を誘導する誘導経路と、該誘導経路に形成されている噴気口と、を備える蒸着方向誘導手段を用いて行われ、
該誘導経路は途中で複数の経路に分岐し、該複数の経路は上記成膜用マスクの上方で上記成膜用マスクの全体を覆い、該噴気口は各々の該経路に複数個ずつ形成され上記成膜用マスク方向に開口し、
該第２の工程において、該成膜材料の蒸発物自体が、複数の該誘導経路に誘導されるとともに複数の該噴気口を介して上記被成膜面に蒸着することを特徴とする。
【００１２】
本発明の薄膜の成膜方法によると、成膜用マスクを基体の被成膜面状に載置することで、成膜用マスクはその全体が基体によって支持される。したがって、成膜用マスクの重力方向のたわみが防止されて目的とする薄膜パターンと成膜用マスクとのあいだに配置のずれが生じることが防止される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる薄膜の成膜方法は、所定のマスクパターンを有する成膜用マスクを基体の被成膜面に対面させた状態で、該マスクパターンを転写するように該被成膜面に薄膜を成膜処理する薄膜の成膜方法である。
【００１４】
成膜用マスクには、成膜用マスクに穿設されたマスクの開口部の形状によって所定のマスクパターンが形成される。マスクの開口部は、成膜する薄膜の形状によって種々の形状に形成することができる。また、１個の開口部をマスクパターンとすることもできるし、複数個の開口部をマスクパターンとすることもできる。
【００１５】
マスクの開口部の形状は特に限定されるものではなく、複数個の開口部をマスクパターンとする場合の各開口部の配置される方向や数もまた限定されるものではないが、代表的なマスクの開口部の形状としては、１方向に沿って細長く延設されたスリット開口があり、複数のスリット開口からなるマスクパターンは、複数のスリット開口が同方向に並列するものが一般的である。ここで、上述したようにスリット開口の幅を微細幅とする場合、成膜用マスクの板厚は薄いものとなり、成膜用マスクの剛性は低下する。しかし、本発明の薄膜の製造方法によると成膜用マスクの剛性は低いものでもよく、板厚の薄い成膜用マスクを用いることができるため、スリット開口の幅を微細幅にすることが可能となる。
【００１６】
成膜用マスクは、鉄，ニッケル，銅，アルミニウム，インバー，モリブデン，コバール，グラファイト，ガラス，シリコン等の、一般に使用される既知の材料を用いて形成することができる。
【００１８】
基体に形成する薄膜の厚みは用途などに応じて適宜選択することができ、薄膜の材質もまた適宜選択することができる。
【００１９】
基体としては、一般的に用いられるものから用途に応じて選択して使用することができるが、たとえばＥＬ素子等の表示素子の成膜をおこなう場合であれば、ガラス基板を用いることが好ましい。
【００２０】
本発明の薄膜の成膜方法は、基体を被成膜面が上面となるように配置し、成膜用マスクを被成膜面上に載置する第１の工程と、成膜材料の蒸発物を成膜用マスクの上方より成膜用マスクをとおして被成膜面に蒸着させる第２の工程とを有する。
【００２１】
第１の工程は基体と成膜用マスクとの配置位置を決定する工程である。
【００２２】
この第１の工程において基体は被成膜面が上面となるように配置される。ここで基体の下面は開放されている必要がないため、この基体を下面全面で支持することができる。したがって、基体はその剛性に関わらず重力方向へのたわみが抑止された状態で配置される。
【００２３】
成膜用マスクはこの基体の被成膜面上に載置される。したがって、成膜用マスクはその全体が基体によって支持される。このため、成膜用マスクが剛性の低い状態に形成されている場合にも、この成膜用マスクに重力方向へのたわみが発生することは抑止される。
【００２４】
従って本発明で「上方」と表現する方向は、成膜用マスクが重力方向にたわまず、基体から離れない範囲で傾斜している場合も含む概念である。
【００２５】
第２の工程は第１の工程で配置位置が決定された基体と成膜用マスクとに対して薄膜の蒸着を行う工程である。この第２の工程では、第１の工程で配置が決定され準備された成膜用マスクの上方から下方に位置する基体の被成膜面に向けて成膜材料の蒸発物が蒸着される。
【００２６】
ここで、成膜用マスクには上述したように所定のマスクパターンとなるように開口部が穿設されている。したがって、成膜用マスクの上方から下方に向けて飛翔した成膜材料の蒸発物は、成膜用マスクの開口部をとおして基体の被成膜面に蒸着される。
【００２７】
ここで用いられる成膜材料は特に限定されず、薄膜の用途に応じて種々のものを用いることができる。
【００２８】
また、本発明の薄膜の成膜方法において、第２の工程は成膜材料の蒸発物を誘導する誘導経路と、導経路に形成されている噴気口と、を備える蒸着方向誘導手段を用いて行われる。この誘導経路は途中で複数の経路に分岐し、複数の経路は成膜用マスクの上方で成膜用マスクの全体を覆い、噴気口は各々の経路に複数個ずつ形成され成膜用マスク方向に開口する。
【００２９】
第２の工程において、成膜材料の蒸発物は成膜用マスクの上方から下方に向けて蒸着される。このため本発明の薄膜の成膜方法では、成膜材料の蒸発物を成膜用マスクの上方より下方に向けて飛翔させるための誘導経路を設ける。例えば真空蒸着法によると、真空状態で蒸着を行うことから成膜材料の蒸発物を下方より上方へすなわち重力と反対方向に飛翔させるよりも、上方より下方へすなわち重力方向に飛翔させる方が容易である。したがって、蒸着方向誘導手段により飛翔方向の位置を下方に誘導することで上方より下方への蒸着を良好に行うことができる。
【００３０】
誘導経路は、成膜原料の蒸発物を上方より下方へ誘導するものであればその形状は特に問わない。例えば、成膜原料をるつぼ等の容器内に入れて用いる場合には、るつぼの開口部全体を取り囲み成膜用マスク上方に位置するるつぼの開口部と噴気口とを連通させる湾曲した管状であっても良いし、成膜原料を保持する容器内に誘導経路を設けて容器全体が噴気口と一体化した形状としても良い。
【００３１】
また、誘導経路を構成する経路外縁部は既知の種々の材料を用いて形成することができるが、成膜原料の蒸発物が誘導経路内に蒸着されることを防止するためには経路外縁部を加温する加温手段を備えていることが望ましい。
【００３２】
噴気口は、成膜用マスクの上方より成膜用マスク方向に開口した形状であればどのような形状であっても良い。噴気口は、複数箇所に配置される。この噴気口は、小径の噴気口が成膜用マスクおよび被成膜面全体に対向するように万遍なくちりばめられた形状に形成されることが特に好ましい。このような形状および配置の噴気口によると、噴気口と成膜用マスクおよび被成膜面との距離を短くしつつ広面積に蒸着することが可能となり、蒸着装置を小型化することが可能になる。
【００３３】
また、誘導経路と噴気口とは途中で複数の経路に分岐した形状に形成することもできる。誘導経路と噴気口を複数の経路に分岐した形状とすることで、経路外縁部が小径となるためにこの経路外縁部を一定の温度に加温することが容易となる。
【００３５】
また、スパッタリング法等の真空状態で蒸着を行わない方法を用いる場合は、成膜原料の蒸発物を上方より下方へ良好に誘導するために、例えば成膜用マスクおよび基板のさらに下方にヒータ等の加温装置を設けて噴気口より被成膜面へ向けての蒸着方向をさらに誘導することもできる。
【００３６】
【実施例】
以下、本発明の実施例を添付図面を基にして説明する。
＜実施例１＞
本発明の実施例１の方法における成膜用マスク，基体および蒸着方向誘導手段の摸式斜視図を図２に示し、実施例１の方法による成膜装置の摸式断面図を図３に示す。
【００３７】
基体１は石英製の厚さ１．１ｍｍ，大きさ２００ｍｍ×２００ｍｍの薄板である。成膜用マスク３は、インバー製の厚さ０．１ｍｍ、大きさ２２０ｍｍ×２２０ｍｍの薄板に、幅０．１０ｍｍ、長さ９０ｍｍのスリット開口部４が互いに平行に４８０個並設されたマスクパターン５をもつ。マスクパターン５は、成膜用マスク３の基材となる薄板にフォトエッチング法で形成されたものである。
【００３８】
第１の工程によって基体１は被成膜面２が上面となるように配置され、この被成膜面２上には成膜用マスク３が載置される。
【００３９】
成膜用マスク３の側方には保持容器６が配置され、この保持容器６内部には成膜材料７が入れられている。この保持容器６外部にはヒータ８が配置されている。保持容器６は上方が一部開口した開口部９を有し、この開口部９の外周は、カーボン製の管状の経路外縁基部１０によって覆われている。経路外縁基部１０は開口部９より成膜用マスク１方向に延び、途中で平行に分枝して成膜用マスク１全体を覆う６本の管状の経路外縁端部１１を形成している。この経路外縁基部１０および経路外縁端部１１の内側が誘導経路１２となる。また、各経路外縁端部１１の下側には、成膜用マスク１に向けて１０ｍｍ間隔で噴気口１３が開口している。各噴気口１３と基体１および成膜用マスクとの距離は５ｃｍとなるように配置されている。本実施例１において、保持容器６，開口部９，経路外縁基部１０，経路外縁端部１１，誘導経路１２および噴気口１３によって蒸着方向誘導手段が構成されている。また、本実施例１において上述した各要素は成膜装置１４の真空室１５内に配置され、この成膜装置１４は、真空室１５を持つ真空容器１６と、真空室１５を高真空にする図示しない排気装置１７とを有する。また、誘導経路１２は経路外縁端部１１の外部より経路ヒータ１８によって加温されており、誘導経路１２内に成膜材料７の蒸発物が蒸着されることが防止されている。
【００４０】
本実施例１の薄膜の成膜方法において、第２の工程は以下のように行われる。
【００４１】
保持容器６内部の成膜材料７はヒータ８によって加熱され、成膜材料７の蒸発物となる。成膜材料７の蒸発物は、開口部９より保持容器６の外部に移動する。開口部９より保持容器６の外部に移動した成膜材料７の蒸発物は経路外縁基部１０および経路外縁端部１１内部の誘導経路１２により成膜用マスク３の上方に誘導され、誘導経路１２と連通する噴気口１３より成膜用マスク３の上方から成膜用マスク３を通して基体１の被成膜面２に蒸着される。
＜参考例１＞
参考例１の方法による成膜装置の摸式断面図を図４に示す。本参考例１の薄膜の成膜方法は、実施例１と同じ基体１９および成膜用マスク２０を用いて行われた。
【００４２】
本参考例１において、真空室２１内には基体１９および成膜用マスク２０をスライド移動させるスライド手段２２が配設されている。基体１９および成膜用マスク２０は実施例１と同様に配置され、スライド手段２２上に載置されて真空室２１内に配置される。成膜用マスク２０の側方には実施例１と同様に実施例１と同じ成膜材料２３が入った保持容器２４が配置され、この保持容器２４外部にはヒータ２５が配置されている。保持容器２４は実施例１と同様に開口部２６を有し、この開口部２６の外周は、管状の経路外縁部２７によって覆われている。経路外縁部２７は開口部２６より成膜用マスク２０方向に延び、先端が成膜用マスク１に向けて湾曲し開口して噴気口２８が形成されている。この噴気口２８は基体１９および成膜用マスク２０より小さく形成され、基体１９の被成膜面２９の一部に蒸着を行うものである。また、噴気口２８と基体１９および成膜用マスク２０との距離は５ｃｍとなるように配置されている。本参考例１では経路外縁部２７の内側が誘導経路３０となり、保持容器２４，開口部２６，経路外縁部２７，誘導経路３０および噴気部２８によって蒸着方向誘導手段が構成されている。また、誘導経路３０は実施例１と同様に経路ヒータ３１によって加温されている。
【００４３】
本参考例１において第１の工程および第２の工程は以下のように行われる。
【００４４】
第１の工程において、基体１９および成膜用マスク２０は、実施例１と同じ配置でスライド手段２２上に載置される。ここで、基体１９および成膜用マスク２０はスライド手段２２上に載置されていることから、スライド手段２２によってスライド移動が可能となっている。
【００４５】
第２の工程において、成膜材料２３の蒸発物が噴気口２８より成膜用マスク２０の上方から成膜用マスク２０を通して基体１９の被成膜面２９に蒸着される際に、基体１９および成膜用マスク２０はスライド手段２２によってスライド移動する。したがって、噴気口２８が基体１９および成膜用マスク２０より小さく形成されているにもかかわらず、成膜材料２３の蒸発物は被成膜面２９の全面に蒸着される。
＜参考例２＞
参考例２の方法による成膜装置の摸式断面図を図５に示す。本参考例２の薄膜の成膜方法は実施例１と同じ基体３２および成膜用マスク３３を用いて行われ、基体３２および成膜用マスク３３は実施例１と同じ第１の工程によって実施例１と同様に配置された。また成膜材料３４としては実施例１と同じものを用いた。
【００４６】
本参考例２において、成膜材料３４の入った保持容器３５は、基体３２および成膜用マスク３３の二端側から基体３２および成膜用マスク３３の上方を覆うように中空の下駄状に配置され、基体３２および成膜用マスクの上部に噴気口３６が開口した形状に形成されている。すなわち本参考例２においては、誘導経路３７は保持容器３５内に設けられ、噴気口３６は保持容器３５の一部に設けられている。したがって、本参考例２においては保持容器３５が蒸着方向誘導手段となる。この噴気口３６は基体３２および成膜用マスク３３との距離が１０ｃｍとなるように配置されている。また、この保持容器３５外部には実施例１と同様にヒータ３８が配置されている。
【００４７】
本参考例２において、第２の工程は以下のように行われる。
【００４８】
保持容器３５内の成膜材料３４はヒータ３８によって加熱され成膜材料３４の蒸発物となる。この成膜材料３４の蒸発物は保持容器３５内の誘導経路３７によって成膜用マスク３３の上方に誘導され、保持容器３５の一部に設けられた噴気口３６より成膜用マスク３３の上方から成膜用マスク３３を通して基体３２の被成膜面３９に蒸着される。
＜比較例１＞
比較例１の方法による成膜装置の摸式断面図を図６に示す。本比較例１の薄膜の成膜方法は、従来の真空蒸着法によるものである。本比較例１において、基体４０は被成膜面４１を下方に向けて真空室４２上方に設けられた保持部４３に保持されている。成膜用マスク４４は基材４０の下方に基体４０と対面して配置され、基体４０と同様に保持部４３に保持されている。実施例１と同じ成膜材料４５が入った保持容器４６は、保持容器４６の噴気口４７と基体４０および成膜用マスク４４との距離が５０ｃｍとなるように真空室４２下方に配置されている。
【００４９】
本比較例１において、保持容器４６内の成膜材料４５はヒータ４８によって加熱されて成膜材料４５の蒸発物となり、噴気口４７から上方へ向けて飛翔し、成膜用マスク４４を通して基体４０の被成膜面４１に蒸着される。
＜作用＞
本発明の実施例１および参考例１〜２の方法によると、基体の被成膜面上に成膜用マスクを載置することから、成膜用マスクはその全体が基体によって支持される。したがって、成膜用マスクの重力方向のたわみが防止されて目的とする薄膜パターンと成膜用マスクとのあいだに配置のずれが生じることが防止される。ここで、実施例１および参考例１〜２の第１の工程で配置された基体および成膜用マスクの配置位置は、比較例１に示されるような従来の配置位置と異なるものである。しかし第２の工程において、成膜材料の蒸発物は成膜用マスクの上方より下方に蒸着されるため、薄膜の形成は良好に行われる。
【００５０】
さらに、実施例１および参考例１〜２の方法によると、誘導経路によって蒸着の方向が成膜用マスクの上方より下方に誘導されているため、成膜材料の蒸発物はより確実に成膜用マスクの上方から下方へと誘導されることとなる。
【００５１】
実施例１の薄膜の成膜方法によると、各噴気口が成膜用マスクおよび基体の全体に配置されていることから噴気口と成膜用マスクおよび基体との距離を短くしつつ被成膜面全体に良好に薄膜を成膜することができる。
【００５２】
参考例１の薄膜の成膜方法によると、基体および成膜用マスクをスライド移動させつつ蒸着を行うことが可能であるため、噴気口と基体および成膜用マスクとの距離とを短くしつつ成膜材料の蒸発物が被成膜面以外の場所に蒸着されることが防止され、成膜材料の歩留まりが向上する。また、噴気口と基体および成膜用マスクとの距離とを短くしつつ種々の大きさおよび形状の薄膜を成膜することが可能となる。
【００５３】
参考例２の薄膜の成膜方法によると、噴気口と基体および成膜用マスクとの距離を短くするとともに、保持容器の容量を増大させることができるため、保持容器に成膜材料を投入する工程を減少させることができる。また、設備停止時間が短くなることから生産性が向上する。
＜たわみ試験＞
実施例１、参考例１〜２および比較例１の薄膜の成膜方法において、成膜用マスクと基体との間に生じたたわみを測定した。たわみの測定は、成膜用マスクと基体とを配置した状態で成膜用マスクと基体とが最も離れている部分の長さを三次元計測器によって測定することで行った。各成膜方法によるたわみの長さを表１に示す。
【００５４】
【表１】
表１に示すように、実施例１および参考例１〜２の成膜方法で生じるたわみはほとんどないのに対し、比較例１の成膜方法で生じるたわみの長さは０．１０ｍｍと非常に大きくなっている。したがって、本発明の薄膜の成膜方法によると基体と成膜用マスクとのたわみが低減されることで、目的とする薄膜パターンと実際に得られる薄膜パターンとの寸法誤差を低減することが可能となり、寸法精度の高い薄膜パターンを成膜することが可能となる。
【００５６】
また、本発明の実施例の薄膜の成膜方法によると、比較例１の薄膜の成膜方法と比べて基体および成膜用マスクと噴気口との距離を短くすることが可能になり、成膜用装置を小型化することが可能になる。
【００５７】
【発明の効果】
以上述べてきたように、本発明の薄膜の成膜方法によると、成膜された薄膜の寸法誤差を低減させ寸法精度をより向上させることが可能となる。また、噴気口と成膜用マスクおよび基体との距離を短くすることができるため、薄膜の成膜を省スペースで行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の薄膜の形成方法における成膜用マスクのたわみに起因する薄膜集合体の寸法誤差を模式的に表す図である。
【図２】本発明の実施例１の方法における成膜用マスク，基体および蒸着方向誘導手段を示す摸式斜視図である。
【図３】本発明の実施例１の方法による成膜装置を示す摸式断面図である。
【図４】参考例１の方法による成膜装置を示す摸式断面図である。
【図５】参考例２の方法による成膜装置を示す摸式断面図である。
【図６】比較例１の方法による成膜装置を示す摸式断面図である。
【符号の説明】
１００：基体 １０１：成膜用マスク １０２：マスク端部
１０３：隙間 １０４：目的とする薄膜パターン １０５：配置のずれ １０６：被成膜面 １０７：実際に得られる薄膜パターン
１：基体 ２：被成膜面 ３：成膜用マスク ４：スリット開口部
５：マスクパターン ６：保持容器 ７：成膜材料 ８：ヒータ
９：開口部 １０：経路外縁基部 １１：経路外縁端部 １２：誘導経路
１３：噴気口 １４：成膜装置 １５：真空室 １６：真空容器
１７：排気装置 １８：経路ヒータ
１９：基体 ２０：成膜用マスク ２１：真空室 ２２：スライド手段
２３：成膜材料 ２４：保持容器 ２５：ヒータ ２６：開口部
２７：経路外縁部 ２８：噴気口 ２９：被成膜面 ３０：誘導経路
３１：経路ヒータ
３２：基体 ３３：成膜用マスク ３４：成膜材料 ３５：保持容器
３６：噴気口 ３７：誘導経路 ３８：ヒータ ３９：被成膜面
４０：基体 ４１：被成膜面 ４２：真空室 ４３：保持部
４４：成膜用マスク ４５：成膜材料 ４６：保持容器 ４７：噴気口
４８：ヒータ
Claims (1)
- 所定のマスクパターンを有する成膜用マスクを基体の被成膜面に対面させた状態で、該マスクパターンを転写するように該被成膜面に薄膜を成膜処理する薄膜の成膜方法であって、
前記基体を前記被成膜面が上面となるように配置し、前記成膜用マスクを前記被成膜面上に載置する第１の工程と、
有機系ＥＬ素子用の成膜材料の蒸発物を前記成膜用マスクの上方より前記成膜用マスクをとおして前記被成膜面に真空蒸着させる第２の工程と、を有し、
該第２の工程は、該成膜材料の蒸発物を誘導する誘導経路と、該誘導経路に形成されている噴気口と、を備える蒸着方向誘導手段を用いて行われ、
該誘導経路は途中で複数の経路に分岐し、該複数の経路は前記成膜用マスクの上方で前記成膜用マスクの全体を覆い、該噴気口は各々の該経路に複数個ずつ形成され前記成膜用マスク方向に開口し、
該第２の工程において、該成膜材料の蒸発物自体が、複数の該誘導経路に誘導されるとともに複数の該噴気口を介して前記被成膜面に蒸着することを特徴とする薄膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084877A JP4063565B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 薄膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084877A JP4063565B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 薄膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282251A JP2003282251A (ja) | 2003-10-03 |
| JP4063565B2 true JP4063565B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=29232035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002084877A Expired - Fee Related JP4063565B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 薄膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4063565B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4216522B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-01-28 | 株式会社アルバック | 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置 |
| JP5564238B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2014-07-30 | 株式会社アルバック | 成膜装置、薄膜製造方法 |
| DK2468917T3 (da) * | 2010-12-27 | 2013-10-14 | Riber | Indsprøjtningsindretning til en vakuumfordampningskilde |
| US20180040855A1 (en) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Deposition mask for making oled display panel |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002084877A patent/JP4063565B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003282251A (ja) | 2003-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101450339B1 (ko) | 증발원 및 이것을 이용한 진공 증착 장치 | |
| KR100696550B1 (ko) | 증착 장치 | |
| JP5356210B2 (ja) | マスク組立体、その製造方法及びそれを用いた平板表示装置用蒸着装置 | |
| JP6586535B2 (ja) | 蒸発源及び成膜装置 | |
| US20060130766A1 (en) | Deposition source and deposition apparatus including deposition source | |
| US3661117A (en) | Apparatus for depositing thin lines | |
| US20130040047A1 (en) | Method for manufacturing el device | |
| CN102560409B (zh) | 掩模 | |
| JP6217197B2 (ja) | 蒸着マスク、樹脂層付き金属マスク、および有機半導体素子の製造方法 | |
| JP4063565B2 (ja) | 薄膜の成膜方法 | |
| CN107002219A (zh) | 用于在处理腔室中掩蔽基板的掩模布置 | |
| KR101876331B1 (ko) | 마스크, 그 제조 방법 및 그를 제조하기 위한 스트레처 | |
| KR100981967B1 (ko) | 마스크 프레임 조립체 및 이를 구비한 박막 증착 장치 | |
| KR100685431B1 (ko) | 유기물 증착원 | |
| US8075693B2 (en) | Crucible heating apparatus and deposition apparatus including the same | |
| JP4216522B2 (ja) | 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置 | |
| JP6769692B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 | |
| US20140154403A1 (en) | Thin film deposition source, deposition apparatus and deposition method using the same | |
| KR102650914B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR100762698B1 (ko) | 박막 증착장치 | |
| KR101981752B1 (ko) | 발진 수정들을 위한 확산 장벽, 증착 레이트를 측정하기 위한 측정 조립체 및 그 방법 | |
| WO2012127993A1 (ja) | 蒸着装置並びに蒸着方法 | |
| KR100780814B1 (ko) | 차폐판 및 이를 구비한 레지스트 코팅장치 | |
| KR101037121B1 (ko) | 증착장치 및 증착방법 | |
| JP7078462B2 (ja) | 真空蒸着装置用の蒸着源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040819 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071004 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071126 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071220 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071225 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |