JP4058272B2

JP4058272B2 - Silicon ingot stay bonding method and transfer tray

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Publication number: JP4058272B2
Application number: JP2002006704A
Authority: JP
Inventors: 亮中島; 昭夫川北; 博鹿嶋; 豊彦村岡
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2002-01-15
Filing date: 2002-01-15
Publication date: 2008-03-05
Anticipated expiration: 2022-01-15
Also published as: JP2003205515A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばシリコンインゴットをワイヤソーに搬入する場合の前処理工程として、シリコンインゴットの結晶方位を測定すると共に、その測定結果に基づいてシリコンインゴットの外周面に中間ステー及び取付ステーを接着する際に具体化されるシリコンインゴットのステー接着方法及び搬送用トレーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種のシリコンインゴットのステー接着方法としては、例えば特開平１０−３２９１３３号公報に開示されるような方法が知られている。この従来方法では、シリコンインゴットが搬送台車に支持された状態で搬送されて、方位測定装置と対応する測定基準位置に位置決め固定される。この状態で、方位測定装置によりシリコンインゴットの端面にＸ線が照射され、その反射Ｘ線にてシリコンインゴットの結晶方位が測定される。そして、この結晶方位の測定データに基づいて、各々第１及び第２の方位調整が行われ、中間ステー接着装置及び取付ステー接着装置により、シリコンインゴットにカーボン製の中間ステーを介して金属製の取付ステーが接着されるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この従来のシリコンインゴットのステー接着方法においては、シリコンインゴットが測定基準位置に位置決め固定された状態で、シリコンインゴットの方位測定、第１の方位調整及びシリコンインゴットに対する中間ステーの接着、第２の方位調整及び中間ステーに対する取付ステーの接着の各工程が順に行われるようになっている。このため、ひとつのシリコンインゴットに対する前記一連の工程が終了するまでは、次のシリコンインゴットに対する同様な一連の工程を実施できないという問題があった。
【０００４】
このような問題点に対処するために、方位測定装置、第１の方位調整を含む中間ステー接着装置及び第２の方位調整を含む取付ステー接着装置等を搬送路に沿って配列する。そして、シリコンインゴットを搬送路にて搬送しながら、その搬送途中で各装置によりインゴットに対して、中間ステー接着及び取付ステー接着等の工程を順次施すようにすることも考えられる。このようにすれば、インゴットに対して各種の工程を順次施すことができるため、全体としての効率が向上する。
【０００５】
しかしながら、このようにした場合には、方位測定、中間ステー接着及び取付ステー接着等の工程が、異なった位置で各別に、かつ同時に行われるため、シリコンインゴットに対する工程順序等の制御が繁雑になるとともに、工程処理状況の把握も困難になるという問題が生じた。従って、生産計画の管理や日報の記録も面倒であるという問題があった。
【０００６】
さらに、シリコンインゴットには、その搬送途中で中間ステーや取付ステー等が付設されるため、全体形状が変化する。この場合、その形状変化に応じてシリコンインゴットを専用の搬送用トレーに移し換えて搬送していると、トレーの種類や数が多くなって、その管理も面倒になるという問題があった。
【０００７】
この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その主たる目的は、シリコンインゴットに対するステー接着の制御を容易に行うことができるとともに、各工程処理状況の把握も簡単に行うことができるシリコンインゴットのステー接着方法を提供することにある。
【０００８】
また、この発明のその他の目的は、加工システム全体の生産計画の管理や日報の記録を容易に行うことができるシリコンインゴットのステー接着方法を提供することにある。
【０００９】
さらに、この発明のその他の目的は、シリコンインゴットを支持して搬送するための搬送用トレーの種類や数が多くなるのを抑制することができて、その管理を簡単に行うことができるシリコンインゴットの搬送用トレーを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、シリコンインゴットをワイヤソーに搬入する前処理工程において、複数のシリコンインゴットを同一種類の搬送用トレーに支持された状態で搬送路に沿って搬送し、その搬送途中で各シリコンインゴットの結晶方位を測定する工程、この測定結果に基づいてシリコンインゴットの外周面に中間ステーを接着する工程及びこの中間ステーに前記ワイヤソーへ取り付けるための取付ステーを接着する工程を行うようにしたシリコンインゴットのステー接着方法において、前記搬送用トレーには、中間ステー接着前のシリコンインゴットをシリコンインゴットの外周面にて支持する第１支持部と、中間ステー接着後のシリコンインゴットを中間ステーにて支持する第２支持部と、取付ステー接着後のシリコンインゴットを取付ステーにて支持する第３支持部とを設けるとともに、各搬送用トレー毎に絶対番地が設定された識別子を付し、シリコンインゴットの搬送路中と前記各工程での搬入側及び搬出側に、前記搬送用トレーに付された識別子から絶対番地を読み取る読取センサを設け、前記各搬送用トレーに対応する絶対番地をメモリ内に設定し、前記絶対番地で指定される記憶領域には書き込み領域が設けられ、支持したシリコンインゴットの長さ寸法を含む固有データと、シリコンインゴットの各工程終了時にこの書き込み領域に工程済を示すデータ及びそれに付随するデータよりなる処理データとが書き込まれ、前記各搬送用トレーの識別子から前記読取センサによって読み取られた絶対番地で指定される記憶領域のデータに基づいて前記各工程を制御することを特徴とするものである。
【００１１】
従って、この請求項１に記載の発明によれば、シリコンインゴットを支持する搬送用トレーごとに設定された絶対番地のデータに基づいて、シリコンインゴットに対する加工の制御を行うことができる。このため、その加工制御をシリコンインゴットごとに誤りなく、かつ容易に行うことができるとともに、加工状況の把握も簡単に行うことができる。また、各搬送用トレーの絶対番地のデータに基づいて、加工システム全体の生産計画の管理や日報の記録を容易に行うこともできる。
【００１２】
また、前記搬送用トレーは構造が簡単であるとともに同一種類のものが使用されるため、搬送用トレーの種類や数が多くなるのを抑制することができて、その管理を簡単に行うことができる。
【００１３】
しかも、絶対番地が搬送用トレーごとに設定されるため、シリコンインゴットを支持しない空の状態の搬送用トレー管理も行うことができる。従って、例えば、休止状態の搬送用トレー数の把握が可能になり、システム全体を円滑に管理できる。さらに、シリコンインゴットを支持した搬送用トレーの搬送途中において、搬送用トレー上の識別子から絶対番地を容易に検出することができる。また、インゴットに識別子が設けられることがないため、そのインゴットに対する加工において識別子が加工の邪魔になるようなことがない。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記取付ステー接着工程において、短いシリコンインゴットが他のシリコンインゴットとともに１つの取付ステーに移し替えられて、１つの搬送用トレーに支持される場合には、その移し替えられたシリコンインゴットに関する移し替え以前の搬送用トレーの絶対番地で指定される記憶領域に記憶されていたデータが、その絶対番地の記憶領域から、新たに支持される搬送用トレーで指定される記憶領域に転送され、シリコンインゴットが撤去された搬送用トレーの絶対番号に対応する前記シリコンインゴットのデータが消去されることを特徴とするものである。
【００１５】
従って、この請求項２に記載の発明によれば、シリコンインゴットが短い場合、他の短いシリコンインゴットとともに１つの取付ステーに接着して、１つの搬送用トレーで容易に搬送等の処理することができる。つまり、２つのシリコンインゴットを同一搬送用トレー上でひとつとして取り扱うことができ、取り扱いが容易になるとともに、誤処理を未然に防止できる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のシリコンインゴットのステー接着方法の実施に使用されるシリコンインゴットの搬送用トレーであって、一対の支持バーが平行に延長配置され、両支持バーの上端面には、傾斜面状の第１支持部、段差状の第２支持部及び平面状の第３支持部が内側から外側にかけて形成されていることを特徴とするものである。
【００１７】
従って、この請求項３に記載の発明によれば、第１〜第３支持部において、中間ステー接着前のシリコンインゴット、中間ステー接着後のシリコンインゴット、及び取付ステー接着後のシリコンインゴットを確実に支持することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１に示すように、この実施形態のシリコンインゴットのステー接着システムにおいては、工場等の床面に複数のラック２１が設置され、その各ラック２１にはそれぞれ複数の棚２１ａが水平方向及び垂直方向に区画形成されている。そして、これらの棚２１ａ内には空の搬送用トレー２２、ステー接着前のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２、及びステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が収納されるようになっている。
【００２３】
前記ラック２１の両側には、第１搬送装置２４及び第２搬送装置２５が敷設され、その第２搬送装置２５の両端には第３搬送装置２６及び第４搬送装置２７が連設されている。そして、これらの搬送装置２４〜２７によって構成される搬送路に沿って、空の搬送用トレー２２、ステー接着前のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２、またはステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が搬送されるようになっている。
【００２４】
前記第１搬送装置２４の端部にはインゴット搬入装置２８が配設され、このインゴット搬入装置２８にはパーソナルコンピュータ（以下、パソコンという）よりなるデータ入力装置２９が付設されている。そして、前記ラック２１の所定の棚２１ａから空の搬送用トレー２２が取り出されて、第１搬送装置２４によりインゴット搬入装置２８に搬送され、その搬送用トレー２２上にシリコンインゴット２３が搬入支持される。この場合、作業者により操作されるデータ入力装置２９から図１０に示すホストコンピュータよりなる制御装置３０に対して、シリコンインゴット２３の種類及び長さ寸法等の固有データが出力される。また、シリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２は、第１搬送装置２４によりラック２１の所定の棚２１ａに戻されるようになっている。
【００２５】
前記第３搬送装置２６の往路２６ａには、シリコンインゴット２７を、後述するワイヤソー３７に搬入する前処理工程を行うために、方位測定装置３１、中間ステー接着装置３２、第１取付ステー接着装置３３及び第２取付ステー接着装置３４が長手方向に沿って適当な間隔おきに配列されている。そして、ステー接着前のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２がラック２１の所定の棚２１ａから取り出され、第２搬送装置２５を介して第３搬送装置２６の往路２６ａ上に搬入されて、その第３搬送装置２６により搬送される。さらに、このシリコンインゴット２３の往路２６ａ搬送途中において、シリコンインゴット２３が前記各装置３１〜３４内に引き込まれる。そして、前記各装置３１〜３４により、シリコンインゴット２３の結晶方位を測定する工程と、この測定結果に基づいてシリコンインゴット２３の外周面に中間ステー３５を接着する工程と、この中間ステー３５に前記ワイヤソー３７へ取り付けるための取付ステー３６を接着する工程が行われるようになっている。シリコンインゴット２３に対してこれらの工程が行われる場合、シリコンインゴット２３は、各装置３１〜３４に搬入される際に、搬送用トレー２２から離脱されるが、各工程終了後の各装置３１〜３４からの搬出時には、搬入時と同じトレー２２上に再び支持される。
【００２６】
すなわち、方位測定装置３１においては、シリコンインゴット２３の結晶方位が測定される。中間ステー接着装置３２においては、前記方位測定装置３１による測定結果に基づいてシリコンインゴット２３の円周方向の第１の方位調整を行った後、図６に示すように、シリコンインゴット２３の周面に対してカーボン又はレジンプレート等の中間ステー３５が接着される。さらに、第１ステー接着装置３３または第２ステー接着装置３４においては、前記方位測定装置３１による測定結果に基づいてシリコンインゴット２３の水平方向の第２の方位調整を行った後、図７に示すように、中間ステー３５に対して取付ステー３６が接着される。この取付ステー３６は、シリコンインゴット２３をワイヤソー３７に装着保持するために用いられ、ワイヤソー３７の支持部に対し、所定角度位置に取り付けられる取付金具でなる。
【００２７】
この場合、シリコンインゴット２３は同一の種類（大きさ及び形状が同一）の搬送用トレー２２に支持された状態で、各装置３１〜３４との対応位置へ順に搬送される。また、中間ステー３５及び取付ステー３６のステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が第３搬送装置２６にて復路２６ｂ上を搬送される途中で、再度方位測定装置３１に引き込まれる。そして、この方位測定装置３１によりシリコンインゴット２３の結晶方位が取付ステー３６を基準にして再測定される。その後、ステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２は、第２搬送装置２５を介してラック２１の所定の棚２１ａに戻されるようになっている。
【００２８】
前記第４搬送装置２７には複数のワイヤソー３７が所定の間隔おきに並設されている。そして、ステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２がラック２１の所定の棚２１ａから取り出され、第２搬送装置２５及び第４搬送装置２７を介して各ワイヤソー３７に搬入される。各ワイヤソー３７においては、シリコンインゴット２３がトレー２２上から取り外されて、ステー３６を介して所定の加工位置に装着保持され、シリコンインゴット２３に対して切断加工が施される。また、空になった搬送用トレー２２は、第４搬送装置２７及び第２搬送装置２５を介してラック２１の所定の棚２１ａに戻されるようになっている。
【００２９】
次に、前記第３搬送装置２６に沿って配列された各装置３１〜３４について詳細に説明する。
図２に示すように、前記方位測定装置３１には、トレー搬入出位置３９、インゴット旋回位置４０、及び方位測定位置４１が設けられている。そして、ステー接着前またはステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が第３搬送装置２６往路２６ａまたは復路２６ｂからトレー搬入出位置３９に搬入される。その後、搬送用トレー２２をトレー搬入出位置３９に留め置いた状態で、シリコンインゴット２３がインゴット旋回位置４０を介して方位測定位置４１に移送される。この方位測定位置４１においては、回転可能なＸ線測定器３１ａからシリコンインゴット２３の端面にＸ線が照射され、その反射Ｘ線にてシリコンインゴット２３の結晶方位が測定されて、その方位測定データが前記制御装置３０に対して出力される。そして、この方位測定データに基づいて前記制御装置３０において、シリコンインゴット２３の円周方向の方位調整データと水平方向の方位調整データが演算され格納される。また、この方位測定後のシリコンインゴット２３は、トレー搬入出位置３９の搬送用トレー２２上に支持されて、その搬送用トレー２２とともに第３搬送装置２６の往路２６ａまたは復路２６ｂに搬出されるようになっている。
【００３０】
この方位測定装置３１において、ステー接着前のシリコンインゴット２３については、図示しない位置決め手段により、シリコンインゴット２３の外周に形成されたノッチ２３ａの位置を所定の向きに位置決めした状態で、Ｘ線測定を行っている。
【００３１】
なお、図９に示すように、１つの取付ステー３６に対し２つの短いシリコンインゴット２３が接着された後の各シリコンインゴット２３の結晶方位を再測定する場合には、一方のシリコンインゴット２３の結晶方位の測定後に、インゴット旋回位置４０においてターンテーブル４０ａにより、シリコンインゴット２３が１８０度旋回される。この旋回により、他方のシリコンインゴット２３の端面がＸ線測定器３１ａに対向配置され、この状態で方位測定位置４１に移送されて、他方のシリコンインゴット２３の結晶方位が測定されるようになっている。
【００３２】
前記中間ステー接着装置３２には、トレー搬入位置４２、方位調整位置４３、中間ステー接着位置４４、２つのインゴット待機位置４５，４６、及びトレー搬出位置４７が設けられている。そして、方位測定後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が第３搬送装置２６からトレー搬入位置４２に搬入される。そして、トレー搬入位置４２で、シリコンインゴット２３がトレー２２上から離脱されるとともに、空になった搬送用トレー２２はトレーストッカ４７ａに送られて一時保管される。トレー２２上から離脱されたシリコンインゴット２３は方位調整位置４３に移送されるようになっている。
【００３３】
前記方位調整位置４３においては、図２及び図６に示すように、回転ローラ４３ａによりシリコンインゴット２３が自身の軸線周りに回転されて、その外周のノッチ２３ａを基準にして、前記制御装置３０から送られる円周方向の方位調整データにより、第１の方位調整が行われる。また、中間ステー接着位置４４においては、第１の方位調整後のシリコンインゴット２３の周面に中間ステー３５が接着される。そして、中間ステー３５の接着後のシリコンインゴット２３は、各インゴット待機位置４５，４６において所定時間ずつ、例えば１０分間ずつ待機状態で養生される。その後、トレー搬出位置４７において、シリコンインゴット２３は、トレーストッカ４７ａから送り出されて来た搬送用トレー２２上に再度支持されて、第３搬送装置２６に搬出されるようになっている。
【００３４】
前記各取付ステー接着装置３３，３４には、トレー搬入出位置４８及び方位調整・取付ステー接着位置４９が設けられている。そして、中間ステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が第３搬送装置２６から両取付ステー接着装置３３，３４に交互に搬入される。すなわち、トレー２２が一方の取付ステー接着装置３３，３４の搬送用トレー搬入出位置４８に搬入されるとともに、インゴット２３がトレー２２から離脱されて、トレー２２が同位置４８で留め置かれる。その後、シリコンインゴット２３が方位調整・取付ステー接着位置４９に移送されるようになっている。
【００３５】
この方位調整・取付ステー接着位置４９においては、図８に示すように、前記制御装置３０から送られる水平方向の方位調整データにより、シリコンインゴット２３が取付ステー３６の上面位置で中間ステー３５とともに上下方向に延びる所定の軸線を中心に回動されて、第２の方位調整が行われる。そして、この状態で、シリコンインゴット２３は、所定時間、例えば２０分間だけ待機状態で養生された後、トレー搬入出位置４８において、同じ搬送用トレー２２上に再度支持されて、第３搬送装置２６に搬出されるようになっている。
【００３６】
一方、図９に示すように、シリコンインゴット２３が短い場合には、トレー搬入出位置４８に搬入された搬送用トレー２２上からシリコンインゴット２３が方位調整・取付ステー接着位置４９に移送された後、空の搬送用トレー２２が第３搬送装置２６に搬出される。この状態で、後続する短いシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２がトレー搬入出位置４８に搬入され、その後続のシリコンインゴット２３が方位調整・取付ステー接着位置４９に移送されるようになっている。
【００３７】
その後、両シリコンインゴット２３がそれぞれの水平方向の方位調整データによってそれぞれ前述した上下軸線を中心にして水平方向に回動され、第２の方位調整が行われる。この状態で、それらのシリコンインゴット２３は中間ステー３５において１枚の取付ステー３６上に接着される。そして、一定時間待機上他で養生された後、トレー搬入出装置４８の後続インゴット用の搬送用トレー２２上に支持されて、第３搬送装置２６に搬出されるようになっている。
【００３８】
次に、前記シリコンインゴット２３のステー接着システムで使用されるトレー２２の構成について詳細に説明する。
図３〜図５に示すように、搬送用トレー２２の基板５２上には、ナイロン等の合成樹脂よりなる一対の支持バー５３が複数の取付脚５４を介して平行に延長配置されている。両支持バー５３の上端面には、傾斜面状の第１支持部５３ａ、段差状の第２支持部５３ｂ、及び平面状の第３支持部５３ｃが内側から外側にかけて形成されている。また、第１支持部５３ａ、第２支持部５３ｂ及び第３支持部５３ｃは、外側のものほど高所に位置している。両支持バー５３の一対の第１支持部５３ａは、その両傾斜面でＶ字状の支持面を形成している。
【００３９】
そして、図５に示すように、搬送用トレー２２上に中間ステー３５の接着前のシリコンインゴット２３を支持する場合には、そのシリコンインゴット２３の外周面が両支持バー５３の第１支持部５３ａに受けられる。また、図６に示すように、トレー２２上に中間ステー３５の接着後のシリコンインゴット２３を支持する場合には、中間ステー３５の両端縁が両支持バー５３の第２支持部５３ｂに係合される。さらに、図７に示すように、搬送用トレー２２上に取付ステー３６の接着後のシリコンインゴット２３を支持する場合には、取付ステー３６の両端部が両支持バー５３の第３支持部５３ｃに受けられるようになっている。
【００４０】
前記基板５２の両側面には、ゴム等よりなる各一対の緩衝部材５５が取り付けられている。そして、空の搬送用トレー２２あるいはシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が前記各搬送装置２４〜２７を介して各装置３１〜３４，３７に搬送される際に、これら緩衝部材５５により、搬送用トレー２２が他の部材との衝突によって衝撃を受けるのが緩和されるようになっている。
【００４１】
図３及び図４に示すように、前記複数の取付脚５４のうちの中央の取付脚５４の外側に位置する側面には識別子としてのバーコード５６が付設されている。また搬送用トレー２２の前後側の側面においても同じバーコード５６が付設され、従って搬送用トレー２２の４方向においてバーコード５６の読み取りを可能としている。そして、このバーコード５６により、各シリコンインゴット２３に対してトレー２２ごとに絶対番地が設定されている。
【００４２】
図１及び図２に示すように、前記方位測定装置３１、中間ステー接着装置３２、取付ステー接着装置３３，３４の搬入側及び搬出側、インゴット搬入装置２８、及び各搬送装置２４〜２７の適所４７には、バーコード読取センサ５７が配置されている。そして、方位測定装置３１、中間ステー接着装置３２、取付ステー接着装置３３，３４に搬入されるシリコンインゴット２３、及び各装置おいて方位測定やステー接着等の工程処理を終了したシリコンインゴット２３の搬送用トレー２２上のバーコード５６がこのバーコード読取センサ５７により読み取られる。この読み取りに基づいて、各加工の有無、現在位置等を示すデータが制御装置３０に対して出力される。
【００４３】
また、空の搬送用トレー２２、ステー接着前のシリコンインゴットを支持した搬送用トレー２２あるいはステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が搬送装置２４〜２７に沿って搬送される際に、前記各搬送装置２４〜２７の適所のバーコード読取センサ５７から、搬送用トレー２２の搬送位置等を示すデータが制御装置３０に対して出力されるようになっている。
【００４４】
さらに、前記ラック２１の各棚２１ａにもバーコード読取センサ５７がそれぞれ配設されている。そして、これらのバーコード読取センサ５７により搬送用トレー２２のバーコード５６が読み取られて、搬送用トレー２２の収納棚位置を示すデータが制御装置３０に出力されるようになっている。
【００４５】
次に、前記のように構成されたシリコンインゴットの加工システムの回路構成について説明する。
図１０に示すように、前記制御装置３０にはメモリ６１が接続され、このメモリ６１には各種の諸データが記憶されるようになっている。すなわち、図１１に示すように、メモリ６１には前記各搬送用トレー２２ごとの絶対番地で指定される記憶領域６２が確保され、各記憶領域６２にはトレー番号及びインゴット個数のための書き込み領域６３，６４が設けられるとともに、支持した１つまたは２つのシリコンインゴット２３に対応する書き込み領域６５，６６が設けられている。この書き込み領域６５，６６には、支持したインゴット２３の種類，長さ寸法等の固有データ及び方位測定データ、中間ステー接着済みのデータ、取付ステー接着済みのデータ、ラック２１内の搬送用トレー収納位置のデータ等の処理データを書き込むための各領域６５ａ〜６５ｅ，６６ａ〜６６ｅが設けられている。
【００４６】
そして、前記制御装置３０は、データ入力装置２９、方位測定装置３１及びバーコード読取センサ５７からデータを入力したとき、それらのデータをメモリ６１の所定の書き込み領域６３〜６６に書き込むようになっている。また、制御装置３０は、このメモリ６１の書き込み領域６３〜６６に書き込まれたデータに基づいて、前記中間ステー接着装置３２、取付ステー接着装置３３，３４及び各搬送装置２４〜２７の動作を制御するようになっている。また、前記ステー接着装置３３，３４において短いインゴット２３が他のインゴット２３とともにひとつのステー３６に移し替えられて、ひとつの搬送用トレー２２に支持される場合には、その移し替えられたインゴット２３に関するデータが転送処理される。すなわち、移し替え以前の搬送用トレー２２の絶対番号で指定される領域に記憶されていたインゴット２３のデータが、その絶対番号の領域から、新たに支持されるトレー２２で指定される領域に転送される。インゴット２３が撤去された搬送用トレー２２の絶対番号に対応するインゴット２３のデータは消去される。
【００４７】
次に、前記のように構成されたシリコンインゴットの加工システムの動作について説明する。
さて、空の搬送用トレー２２上にシリコンインゴット２３を搬入支持する場合には、前記制御装置３０の制御により、図１２に示すフローチャートに従ってシリコンインゴット２３の搬入動作が行われる。
【００４８】
すなわち、図示しないキーボード等の指令装置から制御装置３０に搬入動作の指令が入ると、ラック２１の指定された棚２１ａから空の搬送用トレー２２が取り出されて、第１搬送装置２４を介してインゴット搬入装置２８に搬送される（ステップＳ１）。そして、インゴット搬入装置２８において作業者により、搬送用トレー２２上にシリコンインゴット２３が搬入支持されるとともに、インゴット搬入装置２８においてバーコード読取りセンサ５７により搬送用トレー２２のバーコード５６が読みとられる。従って、バーコード５６で表されている絶対番地とそれに付随する記憶領域６２が制御装置３０によりメモリ６１内に設定される。
【００４９】
また、作業者によりデータ入力装置２９から制御装置３０に、シリコンインゴット２３の種類や長さ寸法等の固有データが入力される（ステップＳ２）。すると、制御装置３０により、メモリ６１に搬送用トレー２２の絶対番地で指定される記憶領域６２内の所定の書き込み領域６３，６４，６５ａに前記入力データが書き込まれる。
【００５０】
その後、シリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が第１搬送装置２４を介して、ラック２１の指定された棚２１ａに戻される（ステップＳ３）。この状態において、バーコード読取センサ５７により搬送用トレー２２上のバーコード５６が検出される。そして、その搬送用トレー２２の収納棚位置を示す検出データが制御装置３０に出力されて、メモリ６１の書き込み領域６５の該当箇所６５ｅに書き込まれる（ステップＳ４）。
【００５１】
さらに、搬送用トレー２２上のシリコンインゴット２３に対して、方位測定，中間ステー接着，取付ステー接着等の工程の場合には、前記制御装置３０の制御により、図１３に示すフローチャートに従ってシリコンインゴット２３に対する処理動作が行われる。
【００５２】
すなわち、前記指令装置から制御装置３０に処理動作の指令が入ると、ラック２１の所定の棚２１ａからステー接着前のシリコンインゴット２３を支持した図５の状態の搬送用トレー２２が取り出され、第２搬送装置２５を介して第３搬送装置２６上を搬送される（ステップＳ５）。
【００５３】
そして、この搬送途中において、まず方位測定装置３１により、シリコンインゴット２３の結晶方位が測定され、その測定データが制御装置３０に対して出力される。すると、制御装置３０により、結晶方位の測定データがメモリ６１の書き込み領域６５の該当箇所６５ｂに書き込まれるとともに、第１及び第２方位調整のための、円周方向及び水平方向のそれぞれの方位調整データが演算されて書き込まれる。このデータは、中間ステー接着装置３２及び取付ステー接着装置３３，３４の制御部（図示しない）に転送される。また、バーコード読取センサ５７により搬送用トレー２２上のバーコード５６が検出され、方位測定済みを示す検出データが制御装置３０に出力されて、メモリ６１の書き込み領域６５の該当箇所（図示しない）に書き込まれる（ステップＳ６）。
【００５４】
その後、シリコンインゴット２３が搬送用トレー２２とともに中間ステー接着装置３２に搬送される。そして、この中間ステー接着装置３２により、シリコンインゴット２３が搬送用トレー２２上から離脱されて、円周方向の方位調整データにより自身の軸線の周りに回転調整され、第１の方位調整が行われるとともに、そのシリコンインゴット２３の周面に中間ステー３５が接着される。また、バーコード読取センサ５７により搬送用トレー２２上のバーコード５６が検出され、中間ステー接着済みを示す検出データが制御装置３０に出力されて、メモリ６１の書き込み領域６５の該当箇所６５ｃに書き込まれる（ステップＳ７）。
【００５５】
続いて、いずれか一方の取付ステー接着装置３３，３４により、シリコンインゴット２３が水平方向の方位調整データにより垂直軸線に沿った面内で回動調整されて、そのシリコンインゴット２３上の中間ステー３５の下面にステー３６が接着される。また、バーコード読取センサ５７により搬送用トレー２２上のバーコード５６が検出され、取付ステー接着済みを示す検出データが制御装置３０に出力されて、メモリ６１の書き込み領域６５の該当箇所６５ｄに書き込まれる（ステップＳ８）。
【００５６】
なお、この取付ステー接着装置３３，３４において、シリコンインゴット２３が短い場合には、そのシリコンインゴット２３が後続する他の短いシリコンインゴット２３とともに、１つの取付ステー３６に接着された後、搬送用トレー２２を捨てて他のシリコンインゴット２３の搬送用トレー２２に支持される。そして、捨てられた搬送用トレー２２の絶対番地で指定される領域６２のデータがクリアされるとともに、後続する搬送用トレー２２の絶対番地で指定される領域６２内の書き込み領域６６に転写される。
【００５７】
さらに、ステー接着後のシリコンインゴット２３が第３搬送装置２６に沿って復動搬送される途中で、方位測定装置３１により、取付ステー３６を基準にしたシリコンインゴット２３の結晶方位が再測定される。そして、その測定データが制御装置３０に出力されて、メモリ６１の書き込み領域６５の該当箇所６５ｂにすでに書き込まれたデータと比較され、両者が相違する場合には、旧データが新たなデータの書き換えられる（ステップＳ９）。
【００５８】
その後、ステー接着後のシリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２が第３搬送装置２６及び第２搬送装置２５を介して、ラック２１の所定の棚２１ａに戻される（ステップＳ１０）。この状態で、バーコード読取センサ５７によりトレー２２上のバーコード５６が検出され、その搬送用トレー２２の収納棚位置を示す検出データが制御装置３０に出力されて、メモリ６１の書き込み領域６５の該当箇所６５ｅに書き込まれる（ステップＳ１１）。
【００５９】
従って、この実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）このシリコンインゴットのステー接着方法においては、搬送装置２６による搬送途中で、各シリコンインゴット２３に方位測定と各ステーの接着工程が行われるようになっている。そして、各シリコンインゴット２３を支持する搬送トレー２２には絶対番地が設定され、絶対番地に指定される領域６２には書き込み領域６３〜６６が設けられている。そして、支持したシリコンインゴット２３の長さ寸法を含む固有データと、シリコンインゴット２３の各工程終了時にこの書き込み領域６３〜６６に工程済を示すデータ及びそれに付随するデータよりなる処理データとが書き込まれ、この書き込まれたデータをもとに各種の制御が行われる。
【００６０】
このため、搬送用トレー２２、すなわちシリコンインゴット２３ごとに設定された絶対番地の書き込みデータに基づいて、シリコンインゴット２３に対する方位測定、各ステー接着の制御を容易かつ確実に行うことができるとともに、工程処理状況の把握も簡単に行うことができる。また、各シリコンインゴット２３の絶対番地のデータに基づいて、加工システム全体の生産計画の管理や日報の記録を容易に行うこともできる。従って、後工程における対応が容易になる。
【００６１】
（２）このシリコンインゴットのステー接着方法においては、前記シリコンインゴット２３が同一の搬送用トレー２２に支持された状態で搬送され、前記絶対番地が搬送用トレー２２ごとに設定されている。このため、シリコンインゴット２３を支持するための搬送用トレー２２の種類や数が多くなるのを抑制することができて、その管理を簡単にかつ誤りなく行うことができる。また、絶対番地が搬送用トレー２２ごとに設定されるため、ラック２１内等の空の搬送用トレー２２であっても、それの管理を行うことができる。このため、空の搬送用トレー２２に対するシリコンインゴット２３の搭載や空の搬送用トレー２２数のカウント等の各種の制御及び管理を円滑かつ正確に実行できる。
【００６２】
（３）このシリコンインゴットのステー接着方法においては、前記絶対番地のデータが搬送用トレー２２に付されたバーコード５６から得られるようになっている。このため、シリコンインゴット２３を支持した搬送用トレー２２の搬送途中において、搬送用トレー２２上のバーコード５６から絶対番地を容易に検出することができ、加工途中における管理等も的確に行うことができる。
【００６３】
（４）このシリコンインゴットのステー接着方法においては、前記シリコンインゴット２３が短い場合、そのシリコンインゴット２３が他の短いシリコンインゴット２３とともに取付ステー３６に接着された後、トレー２２を捨てて他のシリコンインゴット２３の搬送用トレー２２に支持されるようになっている。そして、捨てられた搬送用トレー２２の絶対番地で指定される領域６２のデータが新たな絶対番地で指定される領域に転送されて、もとの絶対番地で指定されたデータはクリアされるようになっている。このため、シリコンインゴット２３が短い場合、他の短いシリコンインゴット２３とともに１つの取付ステー３６に接着して、１つの搬送用トレー２２で容易に搬送等の処理することができる。つまり、２つのシリコンインゴット２３を同一搬送用トレー２２上でひとつとして取り扱うことができ、取り扱いが容易になるとともに、誤処理を未然に防止できる。
【００６４】
（５）このシリコンインゴットの搬送用トレー２２においては、中間ステー接着前のシリコンインゴット２３を外周面にて支持する第１支持部５３ａと、中間ステー接着後のシリコンインゴット２３を中間ステー３５にて支持する第２支持部５３ｂと、取付ステー接着後のシリコンインゴット２３を取付ステー３６にて支持する第３支持部５３ｃとが設けられている。このため、搬送用トレー２２の構造が簡単であるとともに、シリコンインゴット２３を支持するための搬送用トレー２２の種類や数が多くなるのを抑制することができて、その管理を簡単に行うことができる。また、第１〜第３支持部５３ａ，５３ｂ，５３ｃにおいて、中間ステー接着前のシリコンインゴット２３、中間ステー接着後のシリコンインゴット２３、及び取付ステー接着後のシリコンインゴット２３を確実に支持することができる。
【００６５】
（変更例）
なお、この実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・前記実施形態において、シリコンインゴット２３の端面等に識別子としてのバーコード５６を直接に付設して、このバーコード５６によりシリコンインゴット２３の固有データをで読み取り、搬送する搬送用トレー２２の絶対番地に転写するようにすること。
【００６６】
・前記実施形態において、方位測定装置３１、中間ステー接着装置３２、及び取付ステー接着装置３３，３４を任意に変更して構成すること。例えば、中間ステー接着装置３２のインゴット待機位置４６，４７を１箇所にするとともに、取付ステー接着装置３３，３４を１箇所にすること。このようにすれば、シリコンインゴット２３のタクトタイムが長くなるが、構成が簡単になる。
【００６７】
・前記実施形態において、シリコンインゴット２３をワイヤソー３７に搬入する前処理工程とは異なった加工工程においても実施すること。例えば、シリコンインゴット２３の出荷の前処理工程において具体化すること。
【００６８】
【発明の効果】
以上、実施形態で例示したように、この発明においては、シリコンインゴットに対する方位測定、中間ステー接着、取付ステー接着の各工程の制御を容易に行うことができるとともに、各工程処理状況の把握も簡単に行うことができる。また、この発明においては、システム全体の生産計画の管理や日報の記録を容易に行うことができる。さらに、この発明においては、シリコンインゴットを支持するための搬送用トレーの種類や数が多くなるのを抑制することができて、その管理を簡単に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態のステー接着システムを示す概略平面図。
【図２】図１のシステムの一部を拡大して示す要部平面図。
【図３】システムに使用される搬送用トレーを示す拡大平面図。
【図４】同じく縦断面図。
【図５】同じく横断面図。
【図６】搬送用トレーに中間ステー接着後のシリコンインゴットを支持した状態を示す断面図。
【図７】搬送用トレーに取付ステー接着後のシリコンインゴットを支持した状態を示す断面図。
【図８】取付ステーに１つの長いシリコンインゴットを接着した状態を示す平面図。
【図９】取付ステーに２つの短いシリコンインゴットを接着した状態を示す平面図。
【図１０】図１のステー接着システムの回路構成を示すブロック図。
【図１１】メモリにおける絶対番地の書き込み領域を示す説明図。
【図１２】空トレー上にシリコンインゴットを載置する場合の動作を示すフローチャート。
【図１３】搬送用トレー上のインゴットにステー接着を施す場合の動作を示すフローチャート。
【符号の説明】
２１…ラック、２１ａ…棚、２２…搬送用トレー、２３…シリコンインゴット、２４，２５，２６，２７…搬送路を構成する搬送装置、２９…データ入力装置、３０…制御装置、３１…方位測定装置、３２…中間ステー接着装置、３３，３４…取付ステー接着装置、３５…中間ステー、３６…取付ステー、３７…ワイヤソー、５２…基板、５３…支持バー、５３ａ…第１支持部、５３ｂ…第２支持部、５３ｃ…第３支持部、５６…識別子としてのバーコード、５７…バーコード読取センサ、６１…メモリ、６２…絶対番地に指定される領域、６３〜６６…書き込み領域。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, for example, when the silicon ingot is carried into a wire saw, the crystal orientation of the silicon ingot is measured and the intermediate stay and the mounting stay are bonded to the outer peripheral surface of the silicon ingot based on the measurement result. The present invention relates to a stay bonding method for a silicon ingot and a transport tray.
[0002]
[Prior art]
As a conventional method for adhering a stay of this type of silicon ingot, for example, a method as disclosed in JP-A-10-329133 is known. In this conventional method, the silicon ingot is transported while being supported by the transport carriage, and is positioned and fixed at a measurement reference position corresponding to the orientation measuring device. In this state, the orientation measuring device irradiates the end face of the silicon ingot with X-rays, and the crystal orientation of the silicon ingot is measured by the reflected X-rays. Then, based on the measurement data of the crystal orientation, the first and second orientation adjustments are performed, respectively, and the intermediate stay bonding device and the mounting stay bonding device are used to connect the metal ingot to the silicon ingot via the carbon intermediate stay. The mounting stay is glued.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in this conventional silicon ingot stay adhesion method, with the silicon ingot positioned and fixed at the measurement reference position, the orientation measurement of the silicon ingot, the first orientation adjustment, the adhesion of the intermediate stay to the silicon ingot, the second The steps of adjusting the orientation and bonding the mounting stay to the intermediate stay are performed in order. For this reason, there has been a problem that a similar series of steps for the next silicon ingot cannot be performed until the series of steps for one silicon ingot is completed.
[0004]
In order to cope with such a problem, an orientation measuring device, an intermediate stay adhesive device including a first orientation adjustment, an attachment stay adhesive device including a second orientation adjustment, and the like are arranged along the conveyance path. Then, while the silicon ingot is being transported on the transport path, it is also conceivable that steps such as intermediate stay bonding and attachment stay bonding are sequentially performed on the ingot by each device during the transport. In this way, since various processes can be sequentially performed on the ingot, the overall efficiency is improved.
[0005]
However, in this case, since the steps such as orientation measurement, intermediate stay bonding, and attachment stay bonding are performed separately and simultaneously at different positions, the control of the process order and the like for the silicon ingot becomes complicated. At the same time, there is a problem that it is difficult to grasp the process processing status. Therefore, there is a problem that production plan management and daily report recording are troublesome.
[0006]
Furthermore, since an intermediate stay, a mounting stay, and the like are attached to the silicon ingot during its conveyance, the overall shape changes. In this case, when the silicon ingot is transferred to a dedicated transfer tray according to the shape change, the type and number of trays increase, and there is a problem that the management becomes troublesome.
[0007]
The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. The main purpose of the present invention is to provide a stay bonding method for a silicon ingot that can easily control stay adhesion to the silicon ingot and can easily grasp the processing status of each process.
[0008]
Another object of the present invention is to provide a silicon ingot stay bonding method capable of easily managing the production plan of the entire processing system and recording daily reports.
[0009]
Another object of the present invention is to provide a silicon ingot that can suppress the increase in types and number of transport trays for supporting and transporting the silicon ingot, and can easily manage it. It is to provide a transfer tray.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, in the pre-processing step of loading the silicon ingot into the wire saw, the plurality of silicon ingots are supported on the conveyance path while being supported by the same type of conveyance tray. A step of measuring the crystal orientation of each silicon ingot during the conveyance, a step of bonding an intermediate stay to the outer peripheral surface of the silicon ingot based on the measurement result, and an attachment for attaching the intermediate stay to the wire saw In the silicon ingot stay bonding method that performs the process of bonding the stay,The transport tray includes a first support portion that supports the silicon ingot before bonding of the intermediate stay on the outer peripheral surface of the silicon ingot, a second support portion that supports the silicon ingot after bonding of the intermediate stay on the intermediate stay, A third support portion for supporting the silicon ingot after the attachment stay is bonded by the attachment stay, and an identifier with an absolute address set for each conveyance tray, and in the conveyance path of the silicon ingot and each of the above steps On the carry-in side and the carry-out side, a reading sensor that reads an absolute address from an identifier attached to the carrying tray is provided,An absolute address corresponding to each of the transfer trays is set in the memory,A writing area is provided in the storage area specified by the absolute address, and specific data including the length dimension of the supported silicon ingot, data indicating that the writing area has been processed at the end of each process of the silicon ingot, and accompanying data Processing data consisting of data to be written, and read by the reading sensor from the identifier of each transport trayEach process is controlled based on data in a storage area designated by an absolute address.
[0011]
Therefore, according to the first aspect of the present invention, it is possible to control the processing of the silicon ingot based on the absolute address data set for each transfer tray that supports the silicon ingot. Therefore, the machining control can be easily performed without error for each silicon ingot, and the machining status can be easily grasped. Further, based on the absolute address data of each transfer tray, it is possible to easily manage the production plan of the entire processing system and record daily reports.
[0012]
  The transport tray isSimple structure andSince the same type is used, it is possible to suppress an increase in the types and number of transfer trays, and the management can be easily performed.
[0013]
  In addition, since the absolute address is set for each transport tray, it is possible to manage the transport tray in an empty state that does not support the silicon ingot. Therefore, for example, it becomes possible to grasp the number of conveyance trays in a dormant state, and the entire system can be managed smoothly.Furthermore, the absolute address can be easily detected from the identifier on the transfer tray while the transfer tray supporting the silicon ingot is being transferred. Further, since the identifier is not provided in the ingot, the identifier does not interfere with the processing in processing the ingot.
[0014]
  The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1,In the attachment stay bonding step, when a short silicon ingot is transferred to one attachment stay together with other silicon ingots and is supported by one transfer tray, before the transfer related to the transferred silicon ingot. The data stored in the storage area specified by the absolute address of the transport tray is transferred from the storage area of the absolute address to the storage area specified by the newly supported transport tray, and the silicon ingot is The silicon ingot data corresponding to the absolute number of the removed transport tray is deleted.It is characterized by this.
[0015]
  Therefore, according to the invention described in claim 2,When the silicon ingot is short, it can be adhered to one mounting stay together with other short silicon ingots, and can be easily transported and processed by one transport tray. That is, two silicon ingots can be handled as one on the same transport tray, which facilitates handling and prevents erroneous processing.
[0016]
  The invention according to claim 3A silicon ingot transport tray used in the implementation of the silicon ingot stay bonding method according to claim 1 or 2, wherein a pair of support bars are arranged to extend in parallel, and the upper end surfaces of both support bars are An inclined surface-shaped first support portion, a step-shaped second support portion, and a planar third support portion are formed from the inside to the outside.It is characterized by this.
[0017]
  Therefore, according to the invention described in claim 3,In the first to third support portions, the silicon ingot before bonding the intermediate stay, the silicon ingot after bonding the intermediate stay, and the silicon ingot after bonding the mounting stay can be reliably supported.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, in the stay bonding system for silicon ingots of this embodiment, a plurality of racks 21 are installed on the floor surface of a factory or the like, and a plurality of shelves 21a are horizontally and vertically arranged in each rack 21. A compartment is formed in the direction. In these shelves 21 a, an empty transfer tray 22, a transfer tray 22 that supports the silicon ingot 23 before bonding the stay, and a transfer tray 22 that supports the silicon ingot 23 after stay bonding are housed. It is like that.
[0023]
A first transport device 24 and a second transport device 25 are laid on both sides of the rack 21, and a third transport device 26 and a fourth transport device 27 are connected to both ends of the second transport device 25. . And along the conveyance path comprised by these conveyance apparatuses 24-27, empty conveyance tray 22, conveyance tray 22 which supported silicon ingot 23 before stay adhesion, or silicon ingot 23 after stay adhesion, The supported transport tray 22 is transported.
[0024]
An ingot carry-in device 28 is disposed at the end of the first transfer device 24, and a data input device 29 composed of a personal computer (hereinafter referred to as a personal computer) is attached to the ingot carry-in device 28. Then, an empty transfer tray 22 is taken out from the predetermined shelf 21 a of the rack 21 and transferred to the ingot loading device 28 by the first transfer device 24, and the silicon ingot 23 is loaded and supported on the transfer tray 22. The In this case, unique data such as the type and length of the silicon ingot 23 is output from the data input device 29 operated by the operator to the control device 30 including the host computer shown in FIG. Further, the transfer tray 22 supporting the silicon ingot 23 is returned to a predetermined shelf 21 a of the rack 21 by the first transfer device 24.
[0025]
In the forward path 26a of the third conveying device 26, in order to perform a pre-processing step of carrying the silicon ingot 27 into a wire saw 37 described later, an orientation measuring device 31, an intermediate stay bonding device 32, and a first attachment stay bonding device 33. The second mounting stay bonding devices 34 are arranged at appropriate intervals along the longitudinal direction. Then, the transfer tray 22 supporting the silicon ingot 23 before stay adhesion is taken out from the predetermined shelf 21a of the rack 21 and carried into the forward path 26a of the third transfer device 26 via the second transfer device 25. It is transported by the third transport device 26. Further, the silicon ingot 23 is drawn into the devices 31 to 34 during the transfer of the forward path 26 a of the silicon ingot 23. The steps of measuring the crystal orientation of the silicon ingot 23 by the devices 31 to 34, the step of bonding the intermediate stay 35 to the outer peripheral surface of the silicon ingot 23 based on the measurement result, A process of adhering an attachment stay 36 for attachment to the wire saw 37 is performed. When these steps are performed on the silicon ingot 23, the silicon ingot 23 is detached from the transfer tray 22 when being loaded into the devices 31 to 34. At the time of carrying out from 34, it is again supported on the same tray 22 as at the time of carrying in.
[0026]
That is, the orientation measuring device 31 measures the crystal orientation of the silicon ingot 23. In the intermediate stay bonding apparatus 32, after the first azimuth adjustment in the circumferential direction of the silicon ingot 23 based on the measurement result by the azimuth measuring apparatus 31, as shown in FIG. 6, the peripheral surface of the silicon ingot 23 An intermediate stay 35 such as a carbon or resin plate is adhered to the substrate. Further, in the first stay bonding apparatus 33 or the second stay bonding apparatus 34, after performing the second horizontal direction adjustment of the silicon ingot 23 based on the measurement result by the direction measuring apparatus 31, it is shown in FIG. As described above, the attachment stay 36 is bonded to the intermediate stay 35. The mounting stay 36 is used to attach and hold the silicon ingot 23 to the wire saw 37 and is a mounting bracket that is attached to the support portion of the wire saw 37 at a predetermined angular position.
[0027]
In this case, the silicon ingot 23 is transported sequentially to the corresponding position with each of the devices 31 to 34 while being supported by the transport tray 22 of the same type (the same size and shape). In addition, the transport tray 22 that supports the silicon ingot 23 after the stay of the intermediate stay 35 and the mounting stay 36 is transported on the return path 26b by the third transport device 26, and is again drawn into the direction measuring device 31. . The orientation measuring device 31 remeasures the crystal orientation of the silicon ingot 23 with reference to the mounting stay 36. Thereafter, the transfer tray 22 that supports the silicon ingot 23 after the adhesion of the stay is returned to a predetermined shelf 21 a of the rack 21 via the second transfer device 25.
[0028]
A plurality of wire saws 37 are juxtaposed on the fourth transport device 27 at predetermined intervals. Then, the transfer tray 22 that supports the silicon ingot 23 after the stay is bonded is taken out from a predetermined shelf 21 a of the rack 21 and is carried into each wire saw 37 via the second transfer device 25 and the fourth transfer device 27. In each wire saw 37, the silicon ingot 23 is removed from the tray 22 and is mounted and held at a predetermined processing position via the stay 36, and the silicon ingot 23 is cut. Further, the transport tray 22 that has been emptied is returned to a predetermined shelf 21 a of the rack 21 via the fourth transport device 27 and the second transport device 25.
[0029]
Next, each of the devices 31 to 34 arranged along the third transport device 26 will be described in detail.
As shown in FIG. 2, the azimuth measuring device 31 is provided with a tray carry-in / out position 39, an ingot turning position 40, and an azimuth measuring position 41. Then, the transfer tray 22 that supports the silicon ingot 23 before or after the stay bonding is carried into the tray loading / unloading position 39 from the third conveying device 26 forward path 26a or return path 26b. Thereafter, the silicon ingot 23 is transferred to the direction measuring position 41 via the ingot turning position 40 while the transfer tray 22 is kept at the tray loading / unloading position 39. At this orientation measurement position 41, X-rays are irradiated from the rotatable X-ray measuring device 31a to the end face of the silicon ingot 23, and the crystal orientation of the silicon ingot 23 is measured by the reflected X-rays. Is output to the control device 30. Based on this azimuth measurement data, the controller 30 calculates and stores the azimuth adjustment data in the circumferential direction and the azimuth adjustment data in the horizontal direction of the silicon ingot 23. Further, the silicon ingot 23 after the orientation measurement is supported on the transport tray 22 at the tray carry-in / out position 39 and is transported together with the transport tray 22 to the forward path 26a or the return path 26b of the third transport device 26. It has become.
[0030]
In this azimuth measuring device 31, X-ray measurement is performed on the silicon ingot 23 before the stay adhesion in a state in which the position of the notch 23a formed on the outer periphery of the silicon ingot 23 is positioned in a predetermined direction by positioning means (not shown). Is going.
[0031]
In addition, as shown in FIG. 9, when re-measuring the crystal orientation of each silicon ingot 23 after two short silicon ingots 23 are bonded to one mounting stay 36, the crystal of one silicon ingot 23 is crystallized. After measuring the azimuth, the silicon ingot 23 is turned 180 degrees by the turntable 40a at the ingot turning position 40. By this turning, the end surface of the other silicon ingot 23 is arranged opposite to the X-ray measuring device 31a, and in this state, it is transferred to the orientation measurement position 41, and the crystal orientation of the other silicon ingot 23 is measured. Yes.
[0032]
The intermediate stay bonding apparatus 32 is provided with a tray carry-in position 42, an azimuth adjustment position 43, an intermediate stay adhesion position 44, two ingot standby positions 45 and 46, and a tray carry-out position 47. Then, the carrying tray 22 that supports the silicon ingot 23 after the orientation measurement is carried into the tray carrying-in position 42 from the third carrying device 26. At the tray loading position 42, the silicon ingot 23 is removed from the tray 22, and the transport tray 22 that has been emptied is sent to the trace stocker 47a and temporarily stored. The silicon ingot 23 separated from the tray 22 is transferred to the azimuth adjustment position 43.
[0033]
As shown in FIGS. 2 and 6, at the azimuth adjustment position 43, the silicon ingot 23 is rotated around its own axis by the rotating roller 43a, and the control device 30 determines from the outer notch 23a as a reference. The first azimuth adjustment is performed based on the circumferential azimuth adjustment data sent. At the intermediate stay bonding position 44, the intermediate stay 35 is bonded to the peripheral surface of the silicon ingot 23 after the first orientation adjustment. The silicon ingot 23 after the intermediate stay 35 is bonded is cured in a standby state at each ingot standby position 45, 46 for a predetermined time, for example, 10 minutes. Thereafter, at the tray carry-out position 47, the silicon ingot 23 is again supported on the carrying tray 22 sent out from the trace stocker 47a and carried out to the third carrying device 26.
[0034]
Each of the attachment stay bonding devices 33 and 34 is provided with a tray carry-in / out position 48 and an orientation adjustment / attachment stay bonding position 49. Then, the transfer tray 22 that supports the silicon ingot 23 after the intermediate stay is bonded is alternately transferred from the third transfer device 26 to both the attachment stay bonding devices 33 and 34. That is, the tray 22 is loaded into the transfer tray loading / unloading position 48 of one of the attachment stay bonding apparatuses 33 and 34, and the ingot 23 is detached from the tray 22, so that the tray 22 is retained at the same position 48. Thereafter, the silicon ingot 23 is transferred to the orientation adjustment / attachment stay bonding position 49.
[0035]
At this orientation adjustment / attachment stay adhesion position 49, as shown in FIG. 8, the silicon ingot 23 is moved up and down together with the intermediate stay 35 at the upper surface position of the attachment stay 36 based on the orientation adjustment data in the horizontal direction sent from the control device 30. A second azimuth adjustment is performed by turning around a predetermined axis extending in the direction. In this state, the silicon ingot 23 is cured in a standby state for a predetermined time, for example, 20 minutes, and is then supported again on the same transfer tray 22 at the tray loading / unloading position 48, so that the third transfer device 26. To be carried out.
[0036]
On the other hand, as shown in FIG. 9, when the silicon ingot 23 is short, after the silicon ingot 23 is transferred from the transfer tray 22 carried into the tray carry-in / out position 48 to the orientation adjustment / attachment stay adhesion position 49. The empty transfer tray 22 is carried out to the third transfer device 26. In this state, the transfer tray 22 supporting the subsequent short silicon ingot 23 is loaded into the tray loading / unloading position 48, and the subsequent silicon ingot 23 is transferred to the orientation adjustment / attachment stay bonding position 49. Yes.
[0037]
Thereafter, the two silicon ingots 23 are rotated in the horizontal direction around the above-described vertical axis by the respective horizontal direction adjustment data, and the second direction adjustment is performed. In this state, these silicon ingots 23 are bonded onto one mounting stay 36 at the intermediate stay 35. Then, after waiting for a certain period of time and being cured elsewhere, it is supported on the transport tray 22 for the subsequent ingot of the tray carry-in / out device 48 and is transported to the third transport device 26.
[0038]
Next, the configuration of the tray 22 used in the stay bonding system for the silicon ingot 23 will be described in detail.
As shown in FIGS. 3 to 5, a pair of support bars 53 made of a synthetic resin such as nylon is extended in parallel via a plurality of mounting legs 54 on the substrate 52 of the transfer tray 22. On the upper end surfaces of both support bars 53, an inclined first support portion 53a, a stepped second support portion 53b, and a planar third support portion 53c are formed from the inside to the outside. In addition, the first support part 53a, the second support part 53b, and the third support part 53c are located higher at the outer side. The pair of first support portions 53a of the both support bars 53 form a V-shaped support surface at both inclined surfaces.
[0039]
As shown in FIG. 5, when the silicon ingot 23 before the intermediate stay 35 is bonded onto the transport tray 22, the outer peripheral surface of the silicon ingot 23 is the first support portion 53 a of the both support bars 53. Can be received. As shown in FIG. 6, when the silicon ingot 23 after the intermediate stay 35 is bonded to the tray 22 is supported, both end edges of the intermediate stay 35 are engaged with the second support portions 53 b of both support bars 53. Is done. Furthermore, as shown in FIG. 7, when the silicon ingot 23 after the attachment of the attachment stay 36 is supported on the transfer tray 22, both ends of the attachment stay 36 are connected to the third support portions 53 c of the both support bars 53. It can be received.
[0040]
A pair of buffer members 55 made of rubber or the like are attached to both side surfaces of the substrate 52. When the transport tray 22 supporting the empty transport tray 22 or the silicon ingot 23 is transported to the devices 31 to 34 and 37 via the transport devices 24 to 27, the buffer members 55 The transfer tray 22 is alleviated from receiving an impact due to a collision with another member.
[0041]
As shown in FIGS. 3 and 4, a bar code 56 as an identifier is attached to the side surface of the plurality of mounting legs 54 that is located outside the central mounting leg 54. In addition, the same barcode 56 is attached to the front and rear side surfaces of the transport tray 22, so that the barcode 56 can be read in the four directions of the transport tray 22. The bar code 56 sets an absolute address for each tray 22 for each silicon ingot 23.
[0042]
As shown in FIGS. 1 and 2, the orientation measuring device 31, the intermediate stay bonding device 32, the loading and unloading sides of the mounting stay bonding devices 33 and 34, the ingot loading device 28, and the transfer devices 24 to 27 are in place. A barcode reading sensor 57 is disposed at 47. Then, the orientation measuring device 31, the intermediate stay bonding device 32, the silicon ingot 23 carried into the mounting stay bonding devices 33 and 34, and the silicon ingot 23 transported after the process processing such as orientation measurement and stay bonding in each device are completed. The bar code 56 on the tray 22 is read by the bar code reading sensor 57. Based on this reading, data indicating the presence / absence of each processing, the current position, and the like is output to the control device 30.
[0043]
When the transport tray 22 supporting the empty transport tray 22, the transport tray 22 that supports the silicon ingot before bonding the stay, or the silicon ingot 23 after bonding the stay is transported along the transport devices 24 to 27. In addition, data indicating the transport position of the transport tray 22 and the like is output to the control device 30 from the bar code reading sensors 57 at appropriate positions of the transport devices 24 to 27.
[0044]
Further, a barcode reading sensor 57 is also arranged on each shelf 21a of the rack 21. The bar code 56 of the transport tray 22 is read by these bar code reading sensors 57, and data indicating the storage shelf position of the transport tray 22 is output to the control device 30.
[0045]
Next, a circuit configuration of the silicon ingot processing system configured as described above will be described.
As shown in FIG. 10, a memory 61 is connected to the control device 30, and various data are stored in the memory 61. That is, as shown in FIG. 11, a storage area 62 designated by an absolute address for each of the transport trays 22 is secured in the memory 61, and each storage area 62 has a writing area for the tray number and the number of ingots. 63 and 64 are provided, and write areas 65 and 66 corresponding to the supported one or two silicon ingots 23 are provided. In the writing areas 65 and 66, the specific data such as the type and length dimension of the supported ingot 23 and the direction measurement data, the data on which the intermediate stay has been bonded, the data on which the mounting stay has been bonded, and the transport tray storage in the rack 21 are stored. Areas 65a to 65e and 66a to 66e for writing processing data such as position data are provided.
[0046]
When the control device 30 inputs data from the data input device 29, the azimuth measuring device 31, and the barcode reading sensor 57, the control device 30 writes the data in predetermined write areas 63 to 66 of the memory 61. Yes. Further, the control device 30 controls the operations of the intermediate stay bonding device 32, the mounting stay bonding devices 33 and 34, and the transport devices 24 to 27 based on the data written in the write areas 63 to 66 of the memory 61. It is supposed to be. Further, when the short ingot 23 is transferred to one stay 36 together with the other ingots 23 in the stay adhering devices 33 and 34 and is supported by one transport tray 22, the transferred ingot 23 is transferred. The data regarding is transferred. That is, the data of the ingot 23 stored in the area designated by the absolute number of the transfer tray 22 before the transfer is transferred from the area of the absolute number to the area designated by the newly supported tray 22. Is done. The data of the ingot 23 corresponding to the absolute number of the transfer tray 22 from which the ingot 23 has been removed is deleted.
[0047]
Next, the operation of the silicon ingot processing system configured as described above will be described.
When the silicon ingot 23 is carried in and supported on the empty transfer tray 22, the carrying-in operation of the silicon ingot 23 is performed according to the flowchart shown in FIG.
[0048]
That is, when a command for carrying-in operation is input from the command device such as a keyboard (not shown) to the control device 30, the empty transport tray 22 is taken out from the designated shelf 21 a of the rack 21 and passed through the first transport device 24. It is conveyed to the ingot carry-in device 28 (step S1). In addition, the silicon ingot 23 is carried in and supported on the transfer tray 22 by the operator in the ingot carry-in device 28, and the barcode 56 of the carry tray 22 is read by the barcode reading sensor 57 in the ingot carry-in device 28. . Therefore, the absolute address represented by the barcode 56 and the storage area 62 associated therewith are set in the memory 61 by the control device 30.
[0049]
Further, the operator inputs specific data such as the type and length dimension of the silicon ingot 23 from the data input device 29 to the control device 30 (step S2). Then, the control device 30 writes the input data in predetermined write areas 63, 64, 65 a in the storage area 62 specified by the absolute address of the transport tray 22 in the memory 61.
[0050]
Thereafter, the transfer tray 22 supporting the silicon ingot 23 is returned to the designated shelf 21a of the rack 21 via the first transfer device 24 (step S3). In this state, the bar code 56 on the transport tray 22 is detected by the bar code reading sensor 57. Then, detection data indicating the storage shelf position of the transfer tray 22 is output to the control device 30 and written in the corresponding portion 65e of the write area 65 of the memory 61 (step S4).
[0051]
Further, in the case of steps such as azimuth measurement, intermediate stay bonding, and attachment stay bonding with respect to the silicon ingot 23 on the transfer tray 22, the silicon ingot 23 is controlled according to the flowchart shown in FIG. The processing operation is performed.
[0052]
That is, when a command for processing operation is input from the command device to the control device 30, the transfer tray 22 in the state shown in FIG. 5 supporting the silicon ingot 23 before stay adhesion is taken out from a predetermined shelf 21a of the rack 21. It is transported on the third transport device 26 via the second transport device 25 (step S5).
[0053]
In the middle of the conveyance, first, the crystal orientation of the silicon ingot 23 is measured by the orientation measuring device 31, and the measurement data is output to the control device 30. Then, the measurement data of the crystal orientation is written into the corresponding portion 65b of the writing area 65 of the memory 61 by the control device 30, and the respective orientation adjustments in the circumferential direction and the horizontal direction for the first and second orientation adjustments are performed. Data is computed and written. This data is transferred to control units (not shown) of the intermediate stay bonding apparatus 32 and the mounting stay bonding apparatuses 33 and 34. Further, the barcode 56 on the transport tray 22 is detected by the barcode reading sensor 57, and detection data indicating that the orientation has been measured is output to the control device 30, and a corresponding portion (not shown) of the writing area 65 of the memory 61. (Step S6).
[0054]
Thereafter, the silicon ingot 23 is transferred to the intermediate stay bonding apparatus 32 together with the transfer tray 22. Then, by this intermediate stay bonding device 32, the silicon ingot 23 is detached from the transfer tray 22, and is rotated around its own axis by the circumferential direction adjustment data, and the first direction adjustment is performed. At the same time, the intermediate stay 35 is bonded to the peripheral surface of the silicon ingot 23. In addition, the barcode reading sensor 57 detects the barcode 56 on the transport tray 22, and the detection data indicating that the intermediate stay has been adhered is output to the control device 30 and written in the corresponding portion 65 c of the writing area 65 of the memory 61. (Step S7).
[0055]
Subsequently, the silicon ingot 23 is rotated and adjusted in the plane along the vertical axis by the horizontal direction adjustment data by one of the attachment stay bonding apparatuses 33 and 34, and the intermediate stay 35 on the silicon ingot 23 is adjusted. A stay 36 is bonded to the lower surface of the plate. In addition, the barcode reading sensor 57 detects the barcode 56 on the conveyance tray 22, and the detection data indicating that the attachment stay has been adhered is output to the control device 30 and written in the corresponding portion 65 d of the writing area 65 of the memory 61. (Step S8).
[0056]
In the attachment stay bonding apparatuses 33 and 34, when the silicon ingot 23 is short, the silicon ingot 23 is bonded to one attachment stay 36 together with the other short silicon ingot 23 that follows, and then the transfer tray. 22 is thrown away and it is supported by the transfer tray 22 of another silicon ingot 23. Then, the data in the area 62 specified by the absolute address of the discarded transport tray 22 is cleared and transferred to the writing area 66 in the area 62 specified by the absolute address of the subsequent transport tray 22. .
[0057]
Furthermore, the crystal orientation of the silicon ingot 23 with respect to the mounting stay 36 is remeasured by the orientation measuring device 31 while the silicon ingot 23 after stay bonding is being transported backward along the third transport device 26. . Then, the measurement data is output to the control device 30 and compared with the data already written in the corresponding portion 65b of the write area 65 of the memory 61. If the two are different, the old data is rewritten with the new data. (Step S9).
[0058]
Thereafter, the transfer tray 22 that supports the silicon ingot 23 after the adhesion of the stay is returned to the predetermined shelf 21a of the rack 21 via the third transfer device 26 and the second transfer device 25 (step S10). In this state, the bar code 56 on the tray 22 is detected by the bar code reading sensor 57, and detection data indicating the storage shelf position of the transport tray 22 is output to the control device 30. It is written in the corresponding location 65e (step S11).
[0059]
Therefore, according to this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) In this silicon ingot stay bonding method, the direction measurement and the bonding process of each stay are performed on each silicon ingot 23 during the transfer by the transfer device 26. An absolute address is set in the transport tray 22 that supports each silicon ingot 23, and write areas 63 to 66 are provided in an area 62 designated as the absolute address. Then, the inherent data including the length dimension of the supported silicon ingot 23 and the processing data including the data indicating the completion of the process and the data accompanying it are written in the write areas 63 to 66 at the end of each process of the silicon ingot 23. Various controls are performed based on the written data.
[0060]
For this reason, it is possible to easily and surely control the orientation of the silicon ingot 23 and the adhesion of each stay based on the writing data of the absolute address set for each transfer tray 22, that is, each silicon ingot 23. The processing status can be easily grasped. Further, based on the absolute address data of each silicon ingot 23, it is possible to easily manage the production plan of the entire processing system and record daily reports. Therefore, it becomes easy to handle in the subsequent process.
[0061]
(2) In this silicon ingot stay bonding method, the silicon ingot 23 is transported in a state supported by the same transport tray 22, and the absolute address is set for each transport tray 22. For this reason, it can suppress that the kind and number of the conveyance trays 22 for supporting the silicon ingot 23 increase, and the management can be performed easily and without error. Further, since the absolute address is set for each transport tray 22, even an empty transport tray 22 in the rack 21 or the like can be managed. For this reason, various controls and management such as mounting the silicon ingot 23 on the empty transfer tray 22 and counting the number of empty transfer trays 22 can be executed smoothly and accurately.
[0062]
(3) In this silicon ingot stay bonding method, the absolute address data is obtained from the bar code 56 attached to the transfer tray 22. For this reason, the absolute address can be easily detected from the bar code 56 on the transfer tray 22 during the transfer of the transfer tray 22 supporting the silicon ingot 23, and management and the like during the processing can be performed accurately. it can.
[0063]
(4) In this silicon ingot stay bonding method, when the silicon ingot 23 is short, after the silicon ingot 23 is bonded to the mounting stay 36 together with the other short silicon ingot 23, the tray 22 is discarded and another silicon ingot 23 is disposed. The ingot 23 is supported by the transfer tray 22. Then, the data in the area 62 specified by the absolute address of the discarded transport tray 22 is transferred to the area specified by the new absolute address, and the data specified by the original absolute address is cleared. It has become. For this reason, when the silicon ingot 23 is short, it can be adhered to one attachment stay 36 together with the other short silicon ingots 23 and can be easily transported and processed by the single transport tray 22. That is, the two silicon ingots 23 can be handled as one on the same carrying tray 22, and the handling becomes easy and erroneous processing can be prevented.
[0064]
(5) In this silicon ingot transfer tray 22, a first support portion 53 a that supports the silicon ingot 23 before bonding of the intermediate stay on the outer peripheral surface, and the silicon ingot 23 after bonding of the intermediate stay at the intermediate stay 35. There are provided a second support portion 53b for supporting, and a third support portion 53c for supporting the silicon ingot 23 after attachment of the attachment stay with the attachment stay 36. For this reason, while the structure of the conveyance tray 22 is simple, it can suppress that the kind and number of the conveyance trays 22 for supporting the silicon ingot 23 increase, and the management is performed easily. Can do. In addition, the first to third support portions 53a, 53b, and 53c can reliably support the silicon ingot 23 before bonding the intermediate stay, the silicon ingot 23 after bonding the intermediate stay, and the silicon ingot 23 after bonding the mounting stay. it can.
[0065]
(Example of change)
In addition, this embodiment can also be changed and embodied as follows.
In the above embodiment, the bar code 56 as an identifier is directly attached to the end face or the like of the silicon ingot 23, the unique data of the silicon ingot 23 is read by this bar code 56, and the absolute address of the transport tray 22 is transported To be transferred to.
[0066]
In the embodiment, the orientation measuring device 31, the intermediate stay bonding device 32, and the mounting stay bonding devices 33 and 34 are arbitrarily changed. For example, the ingot standby positions 46 and 47 of the intermediate stay bonding apparatus 32 are set to one place, and the attachment stay bonding apparatuses 33 and 34 are set to one position. This increases the tact time of the silicon ingot 23, but simplifies the configuration.
[0067]
-In the said embodiment, it implements also in the manufacturing process different from the pre-processing process which carries in the silicon ingot 23 in the wire saw 37. FIG. For example, embody in the pre-processing step of shipping the silicon ingot 23.
[0068]
【The invention's effect】
As described above, as exemplified in the embodiment, in the present invention, it is possible to easily control each process of orientation measurement with respect to the silicon ingot, bonding of the intermediate stay, and bonding of the mounting stay, and easily grasp the processing status of each process. Can be done. Further, in the present invention, it is possible to easily manage the production plan of the entire system and record daily reports. Furthermore, in this invention, it can suppress that the kind and number of conveyance trays for supporting a silicon ingot increase, and the management can be performed easily.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view showing a stay bonding system according to an embodiment.
2 is an enlarged plan view of a main part showing a part of the system shown in FIG. 1;
FIG. 3 is an enlarged plan view showing a transfer tray used in the system.
FIG. 4 is a longitudinal sectional view.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the same.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which a silicon ingot after bonding of an intermediate stay is supported on a transfer tray.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state in which the silicon ingot after the attachment stay is bonded to the transfer tray is supported.
FIG. 8 is a plan view showing a state in which one long silicon ingot is bonded to the mounting stay.
FIG. 9 is a plan view showing a state where two short silicon ingots are bonded to the mounting stay.
10 is a block diagram showing a circuit configuration of the stay bonding system of FIG. 1. FIG.
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a write area of an absolute address in the memory.
FIG. 12 is a flowchart showing an operation when a silicon ingot is placed on an empty tray.
FIG. 13 is a flowchart showing an operation when stay adhesion is applied to an ingot on a transport tray.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... Rack, 21a ... Shelf, 22 ... Conveyance tray, 23 ... Silicon ingot, 24, 25, 26, 27 ... Conveyance apparatus which comprises a conveyance path, 29 ... Data input device, 30 ... Control apparatus, 31 ... Direction measurement Device, 32 ... Intermediate stay bonding device, 33, 34 ... Mounting stay bonding device, 35 ... Intermediate stay, 36 ... Mounting stay, 37 ... Wire saw, 52 ... Substrate, 53 ... Support bar, 53a ... First support portion, 53b ... 2nd support part, 53c ... 3rd support part, 56 ... Bar code as an identifier, 57 ... Bar code reading sensor, 61 ... Memory, 62 ... Area designated as absolute address, 63-66 ... Write area.

Claims

In a pre-processing step of carrying a silicon ingot into a wire saw, a plurality of silicon ingots are transported along a transport path while being supported by the same type of transport tray, and the crystal orientation of each silicon ingot is measured during the transport. In the step of bonding the silicon ingot to the step, the step of bonding the intermediate stay to the outer peripheral surface of the silicon ingot based on the measurement result and the step of bonding the mounting stay to the wire saw to the intermediate stay are performed.
The transport tray includes a first support portion that supports the silicon ingot before bonding of the intermediate stay on the outer peripheral surface of the silicon ingot, a second support portion that supports the silicon ingot after bonding of the intermediate stay on the intermediate stay, A third support part is provided for supporting the silicon ingot after the attachment stay is adhered to the attachment stay, and an identifier with an absolute address set for each transport tray is attached.
A reading sensor that reads an absolute address from an identifier attached to the carrying tray is provided in the carrying path of the silicon ingot and on the carry-in side and the carry-out side in each step,
An absolute address corresponding to each of the transfer trays is set in a memory, a writing area is provided in a storage area specified by the absolute address, and unique data including a length dimension of the supported silicon ingot, and a silicon ingot At the end of each process, data indicating that the process has been completed and processing data consisting of data accompanying it are written in this writing area,
A stay bonding method for a silicon ingot, characterized in that each step is controlled based on data in a storage area designated by an absolute address read by the reading sensor from an identifier of each transport tray .

In the attachment stay bonding step, when a short silicon ingot is transferred to one attachment stay together with other silicon ingots and supported by one transfer tray, before the transfer related to the transferred silicon ingot. The data stored in the storage area specified by the absolute address of the transport tray is transferred from the storage area of the absolute address to the storage area specified by the newly supported transport tray, and the silicon ingot is 2. The silicon ingot stay bonding method according to claim 1, wherein the data of the silicon ingot corresponding to the absolute number of the removed transport tray is erased .

A silicon ingot transport tray used for carrying out the stay bonding method for a silicon ingot according to claim 1 or 2,
A pair of support bars extend in parallel, and an inclined surface-like first support portion, a step-like second support portion, and a planar third support portion are formed from the inside to the outside on the upper end surfaces of both support bars. A tray for carrying silicon ingots, characterized in that