JP4037298B2 - Manufacturing method of probe unit - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路や液晶パネル等の電子デバイスの電気的特性を検査するためのプローブユニットの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、並列配置された多数のプローブの先端部が基板から突出しているプローブユニットが知られている。半導体集積回路や液晶パネルでは電極のピッチが狭小化する傾向にあり、これに伴ってプローブのピッチも狭小化している。特許文献1には、リソグラフィ技術を用いることにより、基板の表面上に多数のプローブを狭いピッチで配列するプローブユニットの製造方法が開示されている。また、特許文献1には、基板を切断することにより基板の完成形の輪郭を形成する方法が開示されている。また特許文献1には、犠牲層で基板の貫通孔を埋め、プローブを形成した後に犠牲層を除去して基板の完成形の輪郭を形成する方法が開示されている。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−286755号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献1に開示されているように切断により基板の輪郭を形成する場合、例えば外周刃砥石を用いたダイサーでは直線的な加工しかできないため、複雑な輪郭を形成することができない。また特許文献1に記載されているようにプローブが形成された面の裏側から基板に切り込みを入れる場合、設計通りの加工位置を狙うことが困難である。またプローブが形成された面の裏側から基板に切り込みを入れる場合、切り込み加工によりプローブを変形させるおそれがある。
【0005】
また、特許文献1に開示されているように貫通孔を埋める犠牲層を用いて基板の完成形の輪郭を形成する場合、貫通孔の端部を基礎板で閉塞しておかないと、機械的強度が低くなるため犠牲層の表面の平面度が悪くなる。すると、犠牲層の表面に形成されるプローブの寸法精度が低下する。また、貫通孔の端部を基礎板で閉塞しておく場合、犠牲層及びプローブを形成した後に基板から基礎板を剥離する工程が必要になる。したがって、貫通孔の端部を閉塞する基礎板を基板に接合する工程では、後のプローブの形成に問題を生じず且つ基板から基礎板を剥離することを容易にするような工夫が必要になる。また、特許文献1に開示された方法では、貫通孔で基板の完成形の輪郭を形成するため、基板の完成形状が限定される。
【0006】
本発明はこれらの問題に鑑みて創作されたものであって、プローブの寸法精度が高く、基板の完成形状の自由度が高いプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係るプローブユニットの製造方法は、基板の完成形の輪郭の少なくとも一部を形成するための凹部を前記基板の表面に形成する凹部形成工程と、前記凹部を犠牲層で埋める犠牲層形成工程と、前記基板の表面上に先端部が前記犠牲層の表面上に至るプローブを形成するプローブ形成工程と、前記基板を裏面から前記犠牲層が露出するまで除去し、基板を薄くする基板除去工程と、前記犠牲層を除去し、基板を基板の完成形に対応する部位と不要部位に分ける犠牲層除去工程と、前記基板の不要部位から前記基板の完成形に対応する部位を分離する工程と、を含むことを特徴とする。犠牲層の表面上にプローブを形成するとき、基板自体を、犠牲層を補強する部材として用いることにより、犠牲層の表面の平面度を向上させることができる。犠牲層の表面の平面度を向上させることにより、プローブの寸法精度を高くすることができる。プローブを形成した後で基板を裏面側から除去して薄くすると、犠牲層で埋められた貫通部が基板に形成される。この犠牲層を除去すると、貫通部で基板が分離し、基板の完成形の少なくとも一部の輪郭が形成される。このようにして形成する輪郭は凹部の形状によって制御することができるため、設計自由度が高い。
【0008】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記凹部形成工程は、前記基板の複数の完成形の輪郭について少なくともそれぞれの一部を形成するための前記凹部を前記基板の表面に形成することを特徴とする。犠牲層を除去することで1つの基板から複数の基板の完成形を得るようにすると、製造効率が向上する。
【0009】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記プローブ形成工程後、前記基板除去工程前に、前記基板及び前記プローブの表面上に保護膜を形成することを特徴とする。基板除去工程前にプローブを保護膜で保護しておくことにより、基板を除去する加工によりプローブが変形することを防止できる。
【0010】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記犠牲層形成工程後、前記犠牲層除去工程前に、前記基板が複数の完成形に分離する位置で前記凹部を横断する接続部を前記基板の表面上に形成することを特徴とする。犠牲層を除去することにより分離する基板の完成形を互いに繋ぎ止める接続部を予め形成しておくことにより、基板の完成形同士が接近し基板上のプローブ同士が接触し損傷することを防止することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の複数の実施例を図面に基づいて説明する。
(第1実施例)
図1から図8は、本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す図である。各図の(A)は平面図であり、(B)は図1(A)のa−a線の断面図である。
【0012】
はじめに図2(A)、(B)に示すように、基板10に四つの完成形の輪郭を形成するための凹部18を基板10の表面に形成する。この凹部18は、深さが0.01〜0.3mm、幅が0.2〜5mmであることが好ましい。なおこの凹部18は、基板の完成形の輪郭の少なくとも一部を形成するための形状に形成すればよく、基板10の表面を横断するように形成してもよい。基板10には例えばガラス板、合成樹脂板、セラミック板、シリコン板、金属板などを用いる。このうちガラス板、ならびにジルコニア、アルミナなどからなるセラミック板などの絶縁性基板を用いることが好ましい。金属板などの導電性基板を用いる場合は、基板10の凹部18を形成する側の面に絶縁層を形成した基板10を使用する。凹部18の加工方法としては、例えば切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、サンドブラスト加工、ホーニング加工、レーザ加工などがある。基板10にセラミック板を用いる場合、基板10を焼成する以前に凹部18を加工してもよい。基板10に金属板を用いる場合、予め凹部18が形成された基板10を成形するための鋳型を作製し、その鋳型を用いた金属板の鋳造により凹部18を形成してもよい。基板10にシリコン板を用いる場合、異方性エッチングにより凹部18を形成してもよい。
【0013】
次に、凹部18の深さより厚く犠牲層12を形成し、その後、研磨などにより犠牲層12の表面部分を除去し、図3(A)、(B)に示すように犠牲層12を含む基板10表面全体が平坦になり凹部18にのみ犠牲層12が残るように形成する。表面部分を除去する前の犠牲層12の厚みは、基板10の厚み、ならびに凹部18の深さによって変わるが0.05〜0.4mm程度が好ましい。この犠牲層12には例えばCuなどの金属、エポキシ樹脂やウレタン樹脂、あるいは炭酸カルシウムなどの無機塩類を用いる。犠牲層12にエポキシ樹脂やウレタン樹脂を用いる場合、基板10にガラス板、セラミック板、金属板などを用いて後続の工程で犠牲層12を選択的に除去できるようにする。
【0014】
具体的には、犠牲層12に金属を用いる場合、凹部18が形成された側の基板10の全面に金属をめっきし、次いでこのめっきした面を基板10が露出するまで研磨し、金属が凹部18にのみ残り基板全体が平坦になるようにして、犠牲層12を形成する。基板10が導電性である場合、基板10の絶縁層が露出するまで、めっきした金属の表面を研磨する。
【0015】
犠牲層12に金属を用いる場合、凹部18の隅が図示したように角張った形状であるとそこにめっきの過程で空洞ができる可能性があるので、凹部18の隅は丸まった形状であることが好ましい。犠牲層12にエポキシ樹脂やウレタン樹脂を用いる場合は凹部18の隅の形状に制限はなく、角張った形状であってもよい。
また犠牲層12に無機塩類を用いる場合、無機塩類の粉体を凹部18に空洞及び窪みができないように充填してプレスした後、表面を研磨して平坦にし、凹部18にのみ犠牲層12を形成する。
【0016】
本工程では、貫通孔でない凹部18を犠牲層12で埋めるため、基板10に基礎板を接合する必要がなく基板10自体が補強部材としての役割をなし、犠牲層12の表面の平面度を向上させることができる。さらには、基礎板剥離工程が不要になるので、後に形成されるプローブが基礎板剥離の際の物理的な力により損傷するなどの問題が発生しない。
【0017】
次に図4(A)、(B)に示すように、基板10の表面上に先端が犠牲層12上に至るプローブ14を形成する。本工程では、前工程で犠牲層12の表面が平坦に形成されているので、犠牲層12上に微小なピッチでプローブ14を並列に配列することができる。プローブ14の具体的な形成方法は例えば、はじめに犠牲層12を含む基板10の表面全体にめっき下地層を形成する。次に、形成しようとするプローブに対応する部分のみめっき下地層を露出させてそれ以外の部分をレジストで被覆し、露出しためっき下地層の表面に金属めっきを施す。最後にプローブ以外の部分のめっき下地層及びレジストを除去する。この他、フォトエッチングによるパターニング、基板上への導電性ペーストの印刷など既知のパターニング方法を用いることにより、めっき下地層を予めプローブ14のパターンに形成してから金属めっきを行ってもよい。なおプローブ14が適当な硬さ及び弾性を有するようにするために、めっきする金属材料として例えばNi、Ni−W、NiFeなどのニッケル合金または金属ガラスを用いる。プローブ14の厚み(基板10表面に対する垂直方向の厚み)は、10〜80μm程度であることが好ましい。また、レジスト被覆領域、フォトエッチングのパターン形状、又は導電性ペーストの印刷領域の調整によりプローブ14の形状を調整し、基板10からのプローブ14の突出量を変更できるため、基板10からプローブ14の先端が全く突出しないプローブユニットを作成することも可能である。
【0018】
次に図5(A)、(B)に示すように、プローブ14が形成された基板10の表面全体に保護膜16を形成する。この保護膜16には例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、金属、ガラスなど、基板10の裏面を除去するときにプローブ14を保護し、またプローブ14から除去する時にプローブ14に損傷を与えない材質を用いる。工程を簡素化するため、保護膜16に犠牲層12と同じ材質を用いることが望ましい。このように保護膜16はプローブ14の保護を目的として形成されるが、必ずしも形成せずともよい。
【0019】
次に図1(A)、(B)に示すように、基板10を基板10の裏面から研磨などにより除去し犠牲層12が基板10の裏面に露出するまで所定の厚みに加工する。この加工により、犠牲層12で埋められた貫通部が基板10に形成される。基板10は、貫通部によって四つの完成形に対応する部位11とそれ以外の不要部位13とに分けられるが、完成形に対応する部位11及び不要部位13同士が犠牲層12及び保護膜16により連結され分離しない状態にある。なお、この基板10の除去加工の方法としては、例えばサンドブラスト加工、切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、ホーニング加工、レーザ加工などがある。
【0020】
次に図6(A)、(B)に示すように、保護膜16を除去する。保護膜16が金属である場合にはエッチングを用いて除去する。保護膜16が樹脂である場合には加温したN−メチルピロリドンなどによる溶解、アッシング、ドライエッチングなどを用いて除去する。保護膜16が炭酸カルシウムなどの無機物の場合には硝酸による溶解などを用いて除去する。
【0021】
次に図7(A)、(B)に示すように、犠牲層12を除去し基板10の不要部位13から四つの完成形に対応する部位11を分離する。具体的な除去方法は上述した保護膜16の除去方法と同様である。なお、本実施例では犠牲層12より先に保護膜16を除去したが、保護膜16より先に犠牲層12を除去してもよい。
【0022】
基板10の不要部位13から四つの完成形に対応する部位11が分離すると、図8(A)、(B)に示すように、基板10からプローブ14の先端部が突出しているプローブユニット1が完成する。
【0023】
以下、本実施例の製造方法で製造されたプローブユニット1の使用方法について説明する。
図9は、プローブユニット1を用いた電子デバイスの導通検査方法を示す断面図である。図9(A)は一つのプローブユニット1を単独で用いる場合を示す断面図であり、図9(B)は複数のプローブユニット1を同時に用いる場合を示す断面図である。
【0024】
プローブユニット1を単独で用いる場合、例えば図9(A)に示すように、一つのプローブユニット1をプローブベース24に固定し、昇降機能を有する検査装置本体の台座26にプローブベース24を固定する。台座26に固定されたプリント配線板22とプローブユニット1とは、フレキシブルプリント配線板20によって電気的に接続される。台座26を降下させてプローブ14を電子デバイス30の電極32に接触させた状態で電子デバイス30の導通検査を実施する。
【0025】
プローブユニット1を複数同時に用いる場合、例えば図9(B)に示すように、複数のプローブユニット1をそれぞれプローブベース24に固定し、プローブベース24をプリント配線板22に固定してプローブカード28を構成する。プローブカード28は昇降機能を有する検査装置に固定される。プリント配線板22とプローブユニット1とは、フレキシブルプリント配線板20によって電気的に接続される。台座26を降下させてプローブ14を電子デバイス30の電極32に接触させた状態で電子デバイス30の導通検査を実施する。
【0026】
以下、本実施例の変形例1について説明する。
図10は、変形例1を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のa−a線断面図である。
この変形例では、図3(A)、(B)に対応する工程で、凹部18の一部にのみ、すなわち後に形成されるプローブ14の下敷きとなる部分にのみ犠牲層12を形成し、その後図10(A)、(B)に示すように、基板10から犠牲層12上に至るプローブ14を形成する。平坦な犠牲層12を形成する目的は、その上にプローブ14を微小なピッチで配列させることにあるので、犠牲層12はプローブ14の下敷きとなる部分にのみ形成すればよく、必ずしも凹部18全体を犠牲層12で埋める必要はない。
【0027】
以下、本実施例の変形例2について説明する。
図11は、変形例2を示す平面図である。
この変形例では、図11に示すように、角形の基板に代えて円形の基板10を用い、図2(A)、(B)に対応する工程で円形の基板10に三種類の輪郭の完成形を計七つ形成するための凹部を形成する。これにより、一つの基板10から三種類の輪郭の複数の完成形を一度に得ることができる。
【0028】
以下、本実施例の製造方法で製造されるプローブユニットの変形例について説明する。
図12は、プローブユニットの変形例を示す平面図である。
図12(A)に示すように、プローブユニット1aの基板の完成形11には複数の貫通孔60がある。これらの貫通孔60は、プローブユニット1aの製造過程において、完成形11の外側だけでなく完成形11の内部にも凹部を形成して犠牲層で埋められた貫通部を形成することにより形成する。図12(B)に示すように、プローブユニット1bの基板の完成形11は、第1部位11a及び第2部位11bに分かれていてもよい。図12(C)に示すように、プローブユニット1cの基板の完成形11には、抜きとなる開口部11cがあってもよい。図12(C)に示すように、プローブユニット1dの基板10の完成形11は、プローブ14の下敷きとなる部位70が櫛歯状に形成されていてもよい。なお、ここに説明した完成形11の輪郭はほんの一例であり、その他各種の形状に設計することができる。
【0029】
(第2実施例)
図13は、本発明の第2実施例による製造方法を示す平面図である。
はじめに、第1実施例の図6に示す工程までを第1実施例と同様に実施する。次に図13(A)に示すように、基板10の隣り合う完成形に対応する部位11の間の犠牲層12を横断して完成形に対応する部位11同士を連結する帯状の接続部50を各完成形に対応する部位11間に二つずつ形成する。接続部50にはプローブ14と同じ材料、樹脂、金属、ガラスなどを用い、形成方法には例えばめっき、スパッタ、塗布、リソグラフィなどを用いる。
【0030】
次に図13(B)に示すように、犠牲層12を除去し、接続部50によって互いに連結された複数の基板の完成形に対応する部位11を不要部位13から分離する。
【0031】
次に図13(C)に示すように、基板10の完成形に対応する部位11から接続部50を剥離などにより除去して完成形に対応する部位11同士を分離し、プローブユニット2を完成させる。
【0032】
尚、上述の説明では保護膜除去後に接続部50を形成しているが、犠牲層形成工程後かつ犠牲層除去工程前の任意の過程で接続部50を形成することができる。接続部50にプローブ14と同じ材料を用いた場合、プローブ形成と同時に接続部50を形成でき効率的である。
【0033】
本発明の第2実施例によると、接続部50を形成することにより、犠牲層12を除去しても基板10の各完成形に対応する部位11の相対的な位置関係を維持することができるので、完成形に対応する部位11同士が互いに干渉し合ってプローブ14の突出部分が変形することを防止できる。
【0034】
(第3実施例)
図14は、本発明の第3実施例による製造方法を示す平面図である。
まず図14(A)に示すように、第1実施例による製造方法に準じて、基板10の完成形の輪郭の一部を形成するための凹部を形成して犠牲層12で埋め、プローブ14及び保護膜16を形成して裏面から基板10を除去し、所定の厚みに薄く加工する。
【0035】
次に図14(B)に示すように、図14(A)のa−a線、b−b線及びc−c線で基板10を犠牲層12及び保護膜16がある状態で切断して両端部を除去し、基板10を複数の完成形の輪郭に分離する。
【0036】
次に図14(C)に示すように、完成形の輪郭に分離した基板10から保護膜16を除去する。
【0037】
次に図14(D)に示すように、基板10から犠牲層12を除去し、プローブユニット3を完成させる。
【0038】
尚、上述したように基板10を薄く加工した後、犠牲層12及び保護膜16がともに存在する状態で基板10を切断してから保護膜16を除去してもよいし、基板を薄く加工した後、保護膜16を除去し犠牲層12を残存させた状態で基板10を切断してもよい。また、保護膜16を形成せず犠牲層12のみを形成しておき、基板10を薄く加工した後に切断を行ってもよい。
【0039】
犠牲層12はプローブ14の下敷きとなる部分にのみ形成すればよいので、凹部18は基板10の完成形の輪郭の一部を形成するために形成すればよい。したがって本実施例のように、凹部及び犠牲層12を形成して基板10を薄く加工することにより基板10の完成形の輪郭の一部を先に形成しておき、その後犠牲層12を残存させた状態で切断し犠牲層12を除去することで基板10の完成形を得てもよい。
【0040】
(第4実施例)
図15及び図16は、本発明の第4実施例による製造方法を示す平面図である。本発明の第4実施例では、基板の完成形同士が連結された部位を形成して犠牲層を除去した後、その完成形連結部位を取り出して切断し、完成形部位に分離する。
まず図15(A)に示すように、第1実施例の図2(A)、(B)に対応する工程で、四つの完成形が連結された輪郭の完成形連結部位15を形成するための凹部を形成した後、第1実施例の図3(A)、(B)から図5(A)、(B)、図1(A)、(B)及び図6(A)、(B)の工程を行う。
【0041】
次に図15(B)に示すように、犠牲層12を例えばサンドブラスト加工、切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、ホーニング加工、レーザ加工などにより除去し、基板10の不要部位13を取り除き、完成形連結部位15を取り出す。
【0042】
最後に図15(C)に示すように、完成形連結部位15を切断して完成形11を取り出し、四つのプローブユニット4を完成させる。
【0043】
また図16に示すように、二つの完成形が互いに連結された完成形連結部位15を二つ基板10に形成してから、犠牲層12を除去し、完成形連結部位15を切断して四つのプローブユニット4を作製してもよい。
【0044】
以上説明した本発明の複数の実施例によると、以下の効果がある。
(1)犠牲層12の表面の平面度を高くすることができるため、プローブ14の寸法精度を高くすることができる。
(2)裏面から切り込みを入れる必要がないので、プローブ14を損傷することなく設計通りの加工を行うことができる。
【0045】
(3)基板10の完成形の輪郭を凹部18の形状によって制御でき、設計自由度が高い。
(4)複数の完成形の輪郭を形成するための凹部を基板表面に形成し犠牲層12を除去することで、一つの基板10から複数の完成形を一時に得ることができ、効率的である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図2】(A)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図3】(A)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図4】(A)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図5】(A)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図6】(A)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図7】(A)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図8】(A)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図9】本発明の第1実施例による製造方法で製造されたプローブユニットを用いた電子デバイスの導通試験方法を示す断面図である。
【図10】(A)は本発明の第1実施例の変形例1によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例の変形例1によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図11】(A)は本発明の第1実施例の変形例2によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、(B)は本発明の第1実施例の変形例2によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図12】本発明の第1実施例による製造方法で製造されたプローブユニットを示す平面図である。
【図13】本発明の第2実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。
【図14】本発明の第3実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。
【図15】本発明の第4実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。
【図16】本発明の第4実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。
【符号の説明】
1、1a、1b、1c、2、3、4 プローブユニット
10 基板
11 完成形
12 犠牲層
13 不要部位
14 プローブ
15 完成形連結部位
16 保護膜
18 凹部
50 接続部
60 貫通孔
70 スリット
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a probe unit for inspecting electrical characteristics of an electronic device such as a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal panel.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a probe unit is known in which tips of a large number of probes arranged in parallel protrude from a substrate. In semiconductor integrated circuits and liquid crystal panels, the pitch of electrodes tends to be narrowed, and accordingly, the pitch of probes is also narrowed. Patent Document 1 discloses a probe unit manufacturing method in which a large number of probes are arranged on a surface of a substrate at a narrow pitch by using a lithography technique. Patent Document 1 discloses a method of forming a completed contour of a substrate by cutting the substrate. Further, Patent Document 1 discloses a method of filling a through hole of a substrate with a sacrificial layer, forming a probe, and then removing the sacrificial layer to form a completed contour of the substrate.
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2002-286755 A [0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the outline of the substrate is formed by cutting as disclosed in Patent Document 1, for example, a dicer using an outer peripheral grinding wheel can only perform linear processing, and thus a complicated outline cannot be formed. In addition, as described in Patent Document 1, when a cut is made in the substrate from the back side of the surface on which the probe is formed, it is difficult to aim at a processing position as designed. Further, when a cut is made in the substrate from the back side of the surface on which the probe is formed, the probe may be deformed by the cutting process.
[0005]
In addition, as disclosed in Patent Document 1, when forming a finished contour of a substrate using a sacrificial layer that fills the through hole, the end of the through hole must be blocked with a base plate, Since the strength is lowered, the flatness of the surface of the sacrificial layer is deteriorated. Then, the dimensional accuracy of the probe formed on the surface of the sacrificial layer is lowered. In addition, when the end portion of the through hole is closed with the base plate, a step of peeling the base plate from the substrate after forming the sacrificial layer and the probe is necessary. Therefore, in the step of joining the base plate that closes the end portion of the through hole to the substrate, it is necessary to devise a method that does not cause a problem in later probe formation and that makes it easy to peel the base plate from the substrate. . Further, in the method disclosed in Patent Document 1, the completed shape of the substrate is limited by the through hole, so that the completed shape of the substrate is limited.
[0006]
The present invention was created in view of these problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a probe unit that has a high dimensional accuracy of the probe and a high degree of freedom in the completed shape of the substrate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a probe unit according to the present invention includes a recess forming step for forming a recess on the surface of the substrate for forming at least a part of a finished contour of the substrate, and the recess. and the sacrificial layer forming step of filling with a sacrificial layer, removing the probe forming step of the tip portion on the surface of the substrate to form a probe leading onto the surface of the sacrificial layer, the substrate from the rear surface until it exposed the sacrificial layer A substrate removing step of thinning the substrate, a sacrificial layer removing step of removing the sacrificial layer and dividing the substrate into a portion corresponding to a completed shape of the substrate and an unnecessary portion, and a completed shape of the substrate from the unnecessary portion of the substrate And a step of separating a portion corresponding to the above. When the probe is formed on the surface of the sacrificial layer, the flatness of the surface of the sacrificial layer can be improved by using the substrate itself as a member for reinforcing the sacrificial layer. By improving the flatness of the surface of the sacrificial layer, the dimensional accuracy of the probe can be increased. When the substrate is removed from the back side and thinned after the probe is formed, a penetrating portion filled with a sacrificial layer is formed in the substrate. When this sacrificial layer is removed, the substrate is separated at the penetrating portion, and the outline of at least a part of the completed shape of the substrate is formed. Since the contour formed in this way can be controlled by the shape of the recess, the degree of freedom in design is high.
[0008]
Furthermore, in the method for manufacturing a probe unit according to the present invention, in the recess forming step, the recess for forming at least a part of each of the plurality of completed contours of the substrate is formed on the surface of the substrate. Features. When the sacrificial layer is removed to obtain a completed form of a plurality of substrates from one substrate, the manufacturing efficiency is improved.
[0009]
Furthermore, in the method for manufacturing a probe unit according to the present invention, a protective film is formed on the surface of the substrate and the probe after the probe formation step and before the substrate removal step. By protecting the probe with a protective film before the substrate removal step, it is possible to prevent the probe from being deformed by the process of removing the substrate.
[0010]
Further, in the probe unit manufacturing method according to the present invention, after the sacrificial layer forming step and before the sacrificial layer removing step, a connecting portion that crosses the concave portion at a position where the substrate is separated into a plurality of completed shapes is provided on the substrate. It is formed on the surface. By forming in advance a connection portion that connects the completed shapes of the substrates to be separated by removing the sacrificial layer, the completed shapes of the substrates approach each other and the probes on the substrate are prevented from contacting and being damaged. be able to.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
1 to 8 are views showing a method of manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention. (A) of each figure is a top view, (B) is sectional drawing of the aa line | wire of FIG. 1 (A).
[0012]
First, as shown in FIGS. 2A and 2B, recesses 18 for forming four finished contours are formed on the surface of the substrate 10. The recess 18 preferably has a depth of 0.01 to 0.3 mm and a width of 0.2 to 5 mm. The recess 18 may be formed in a shape for forming at least a part of the finished contour of the substrate, or may be formed so as to cross the surface of the substrate 10. As the substrate 10, for example, a glass plate, a synthetic resin plate, a ceramic plate, a silicon plate, a metal plate, or the like is used. Among these, it is preferable to use an insulating substrate such as a glass plate and a ceramic plate made of zirconia, alumina or the like. When a conductive substrate such as a metal plate is used, the substrate 10 having an insulating layer formed on the surface of the substrate 10 on the side where the recesses 18 are formed is used. Examples of the processing method of the recess 18 include cutting, grinding, chemical etching, dry etching, sand blasting, honing, and laser processing. When a ceramic plate is used for the substrate 10, the recess 18 may be processed before the substrate 10 is fired. When using a metal plate for the substrate 10, a mold for molding the substrate 10 in which the recess 18 is formed in advance may be manufactured, and the recess 18 may be formed by casting the metal plate using the mold. When a silicon plate is used for the substrate 10, the recess 18 may be formed by anisotropic etching.
[0013]
Next, the sacrificial layer 12 is formed thicker than the depth of the recess 18, and then the surface portion of the sacrificial layer 12 is removed by polishing or the like, and the substrate including the sacrificial layer 12 as shown in FIGS. 3A and 3B. 10 is formed so that the entire surface is flat and the sacrificial layer 12 remains only in the recess 18. The thickness of the sacrificial layer 12 before removing the surface portion varies depending on the thickness of the substrate 10 and the depth of the recess 18, but is preferably about 0.05 to 0.4 mm. For example, a metal such as Cu, an epoxy resin, a urethane resin, or an inorganic salt such as calcium carbonate is used for the sacrificial layer 12. When an epoxy resin or a urethane resin is used for the sacrificial layer 12, a glass plate, a ceramic plate, a metal plate, or the like is used for the substrate 10 so that the sacrificial layer 12 can be selectively removed in a subsequent process.
[0014]
Specifically, when a metal is used for the sacrificial layer 12, the metal is plated on the entire surface of the substrate 10 on which the recess 18 is formed, and then the plated surface is polished until the substrate 10 is exposed. The sacrificial layer 12 is formed so that only the substrate 18 remains flat on the entire substrate. When the substrate 10 is conductive, the surface of the plated metal is polished until the insulating layer of the substrate 10 is exposed.
[0015]
When a metal is used for the sacrificial layer 12, if the corners of the recesses 18 have an angular shape as shown in the drawing, a cavity may be formed in the plating process, so the corners of the recesses 18 must be rounded. Is preferred. When an epoxy resin or a urethane resin is used for the sacrificial layer 12, the shape of the corner of the recess 18 is not limited, and may be an angular shape.
When inorganic salts are used for the sacrificial layer 12, the inorganic salt powder is filled and pressed in such a manner that cavities and dents are not formed in the recesses 18, and the surface is polished and flattened. Form.
[0016]
In this step, since the recess 18 that is not a through hole is filled with the sacrificial layer 12, it is not necessary to join a base plate to the substrate 10, and the substrate 10 itself serves as a reinforcing member, and the flatness of the surface of the sacrificial layer 12 is improved. Can be made. Furthermore, since the base plate peeling step is not required, there is no problem that a probe formed later is damaged by a physical force when the base plate is peeled off.
[0017]
Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, a probe 14 whose tip is on the sacrificial layer 12 is formed on the surface of the substrate 10. In this step, since the surface of the sacrificial layer 12 is formed flat in the previous step, the probes 14 can be arranged in parallel at a minute pitch on the sacrificial layer 12. As a specific method for forming the probe 14, for example, a plating base layer is first formed on the entire surface of the substrate 10 including the sacrificial layer 12. Next, the plating base layer is exposed only at the part corresponding to the probe to be formed, and the other part is covered with a resist, and metal plating is applied to the surface of the exposed plating base layer. Finally, the plating underlayer and resist other than the probe are removed. In addition, metal plating may be performed after the plating underlayer is formed in the pattern of the probe 14 in advance by using a known patterning method such as patterning by photoetching or printing of a conductive paste on the substrate. In order to make the probe 14 have appropriate hardness and elasticity, for example, a nickel alloy such as Ni, Ni-W, NiFe, or metal glass is used as a metal material to be plated. The thickness of the probe 14 (the thickness in the direction perpendicular to the surface of the substrate 10) is preferably about 10 to 80 μm. In addition, since the shape of the probe 14 can be adjusted by adjusting the resist coating region, the photoetching pattern shape, or the printing region of the conductive paste, the amount of protrusion of the probe 14 from the substrate 10 can be changed. It is also possible to create a probe unit whose tip does not protrude at all.
[0018]
Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, a protective film 16 is formed on the entire surface of the substrate 10 on which the probe 14 is formed. The protective film 16 is made of a material that protects the probe 14 when the back surface of the substrate 10 is removed, such as epoxy resin, urethane resin, metal, or glass, and that does not damage the probe 14 when removed from the probe 14. . In order to simplify the process, it is desirable to use the same material as the sacrificial layer 12 for the protective film 16. Thus, although the protective film 16 is formed for the purpose of protecting the probe 14, it does not necessarily have to be formed.
[0019]
Next, as shown in FIGS. 1A and 1B, the substrate 10 is removed from the back surface of the substrate 10 by polishing or the like and processed to a predetermined thickness until the sacrificial layer 12 is exposed on the back surface of the substrate 10. By this processing, a through portion filled with the sacrificial layer 12 is formed in the substrate 10. The substrate 10 is divided into four parts 11 corresponding to the completed form and other unnecessary parts 13 by the penetrating part. The part 11 and the unnecessary part 13 corresponding to the completed form are separated by the sacrificial layer 12 and the protective film 16. They are connected and not separated. As a method for removing the substrate 10, there are, for example, sandblasting, cutting, grinding, chemical etching, dry etching, honing, and laser processing.
[0020]
Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, the protective film 16 is removed. When the protective film 16 is a metal, it is removed by etching. When the protective film 16 is a resin, the protective film 16 is removed by dissolution with warmed N-methylpyrrolidone or the like, ashing, dry etching, or the like. When the protective film 16 is an inorganic substance such as calcium carbonate, it is removed by dissolution with nitric acid.
[0021]
Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, the sacrificial layer 12 is removed, and the parts 11 corresponding to the four completed forms are separated from the unnecessary part 13 of the substrate 10. A specific removal method is the same as the removal method of the protective film 16 described above. Although the protective film 16 is removed before the sacrificial layer 12 in this embodiment, the sacrificial layer 12 may be removed prior to the protective film 16.
[0022]
When the portions 11 corresponding to the four completed shapes are separated from the unnecessary portion 13 of the substrate 10, as shown in FIGS. 8A and 8B, the probe unit 1 in which the tip end portion of the probe 14 protrudes from the substrate 10 is obtained. Complete.
[0023]
Hereinafter, a method of using the probe unit 1 manufactured by the manufacturing method of this embodiment will be described.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an electronic device continuity inspection method using the probe unit 1. FIG. 9A is a cross-sectional view showing a case where one probe unit 1 is used alone, and FIG. 9B is a cross-sectional view showing a case where a plurality of probe units 1 are used simultaneously.
[0024]
When the probe unit 1 is used alone, for example, as shown in FIG. 9A, one probe unit 1 is fixed to the probe base 24, and the probe base 24 is fixed to the base 26 of the inspection apparatus body having a lifting function. . The printed wiring board 22 fixed to the base 26 and the probe unit 1 are electrically connected by the flexible printed wiring board 20. The continuity test of the electronic device 30 is performed in a state where the pedestal 26 is lowered and the probe 14 is in contact with the electrode 32 of the electronic device 30.
[0025]
When a plurality of probe units 1 are used simultaneously, for example, as shown in FIG. 9B, the plurality of probe units 1 are fixed to the probe base 24, the probe base 24 is fixed to the printed wiring board 22, and the probe card 28 is attached. Constitute. The probe card 28 is fixed to an inspection apparatus having a lifting function. The printed wiring board 22 and the probe unit 1 are electrically connected by the flexible printed wiring board 20. The continuity test of the electronic device 30 is performed in a state where the pedestal 26 is lowered and the probe 14 is in contact with the electrode 32 of the electronic device 30.
[0026]
Hereinafter, Modification 1 of the present embodiment will be described.
10A and 10B are diagrams showing Modification Example 1. FIG. 10A is a plan view, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line aa in FIG.
In this modified example, the sacrificial layer 12 is formed only in a part of the concave portion 18, that is, only in a portion under the probe 14 to be formed later, in the process corresponding to FIGS. 3A and 3B. As shown in FIGS. 10A and 10B, a probe 14 extending from the substrate 10 to the sacrificial layer 12 is formed. The purpose of forming the flat sacrificial layer 12 is to arrange the probes 14 at a minute pitch on the sacrificial layer 12, so that the sacrificial layer 12 may be formed only in the portion underlying the probe 14, and the entire recess 18 is not necessarily formed. Need not be filled with the sacrificial layer 12.
[0027]
Hereinafter, a second modification of the present embodiment will be described.
FIG. 11 is a plan view showing the second modification.
In this modified example, as shown in FIG. 11, a circular substrate 10 is used instead of a square substrate, and three types of contours are completed on the circular substrate 10 in the steps corresponding to FIGS. 2A and 2B. A recess for forming a total of seven shapes is formed. Thereby, a plurality of completed forms having three kinds of contours can be obtained from one substrate 10 at a time.
[0028]
Hereinafter, modified examples of the probe unit manufactured by the manufacturing method of the present embodiment will be described.
FIG. 12 is a plan view showing a modification of the probe unit.
As shown in FIG. 12A, the completed form 11 of the substrate of the probe unit 1a has a plurality of through holes 60. These through holes 60 are formed by forming a recess filled with a sacrificial layer by forming a recess not only in the finished form 11 but also in the finished form 11 in the manufacturing process of the probe unit 1a. . As shown in FIG. 12B, the completed form 11 of the substrate of the probe unit 1b may be divided into a first part 11a and a second part 11b. As shown in FIG. 12C, the completed form 11 of the substrate of the probe unit 1c may have an opening 11c to be removed. As shown in FIG. 12C, in the completed form 11 of the substrate 10 of the probe unit 1d, a portion 70 that serves as an underlay for the probe 14 may be formed in a comb shape. Note that the outline of the completed form 11 described here is merely an example, and can be designed in various other shapes.
[0029]
(Second embodiment)
FIG. 13 is a plan view showing a manufacturing method according to the second embodiment of the present invention.
First, the steps up to the step shown in FIG. 6 of the first embodiment are performed in the same manner as in the first embodiment. Next, as shown in FIG. 13A, a strip-shaped connecting portion 50 that connects the portions 11 corresponding to the completed shape across the sacrificial layer 12 between the portions 11 corresponding to the adjacent completed shapes of the substrate 10. Are formed two by two between the portions 11 corresponding to each completed form. The connection portion 50 is made of the same material, resin, metal, glass and the like as the probe 14, and the forming method is, for example, plating, sputtering, coating, lithography or the like.
[0030]
Next, as shown in FIG. 13B, the sacrificial layer 12 is removed, and the portion 11 corresponding to the completed form of the plurality of substrates connected to each other by the connection portion 50 is separated from the unnecessary portion 13.
[0031]
Next, as shown in FIG. 13C, the connecting portion 50 is removed from the portion 11 corresponding to the completed shape of the substrate 10 by peeling or the like to separate the portions 11 corresponding to the completed shape, thereby completing the probe unit 2. Let
[0032]
In the above description, the connection portion 50 is formed after the protective film is removed. However, the connection portion 50 can be formed in an arbitrary process after the sacrifice layer forming step and before the sacrifice layer removal step. When the same material as the probe 14 is used for the connection portion 50, the connection portion 50 can be formed simultaneously with the probe formation, which is efficient.
[0033]
According to the second embodiment of the present invention, by forming the connection portion 50, the relative positional relationship of the portions 11 corresponding to the completed shapes of the substrate 10 can be maintained even if the sacrificial layer 12 is removed. Therefore, it can prevent that the site | part 11 corresponding to a completed form mutually interferes, and the protrusion part of the probe 14 deform | transforms.
[0034]
(Third embodiment)
FIG. 14 is a plan view showing a manufacturing method according to the third embodiment of the present invention.
First, as shown in FIG. 14A, in accordance with the manufacturing method according to the first embodiment, a recess for forming a part of the completed contour of the substrate 10 is formed and filled with the sacrificial layer 12, and the probe 14 Then, the protective film 16 is formed, the substrate 10 is removed from the back surface, and the substrate is thinly processed to a predetermined thickness.
[0035]
Next, as shown in FIG. 14B, the substrate 10 is cut with the sacrificial layer 12 and the protective film 16 along the aa, bb, and cc lines in FIG. Both ends are removed and the substrate 10 is separated into a plurality of finished contours.
[0036]
Next, as shown in FIG. 14C, the protective film 16 is removed from the substrate 10 separated into a finished contour.
[0037]
Next, as shown in FIG. 14D, the sacrificial layer 12 is removed from the substrate 10 to complete the probe unit 3.
[0038]
As described above, after processing the substrate 10 thinly, the protective film 16 may be removed after the substrate 10 is cut in a state where both the sacrificial layer 12 and the protective film 16 exist, or the substrate is processed thinly. Thereafter, the substrate 10 may be cut with the protective film 16 removed and the sacrificial layer 12 remaining. Alternatively, only the sacrificial layer 12 may be formed without forming the protective film 16 and the substrate 10 may be cut after being thinly processed.
[0039]
Since the sacrificial layer 12 only needs to be formed on the underlying portion of the probe 14, the recess 18 may be formed to form part of the completed contour of the substrate 10. Therefore, as in the present embodiment, the concave portion and the sacrificial layer 12 are formed, and the substrate 10 is thinly processed, so that a part of the completed contour of the substrate 10 is formed first, and then the sacrificial layer 12 is left. The finished form of the substrate 10 may be obtained by cutting in a state where the sacrificial layer 12 is removed.
[0040]
(Fourth embodiment)
15 and 16 are plan views showing a manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment of the present invention, after the sacrificial layer is removed by forming a portion where the finished shapes of the substrates are connected to each other, the finished shape connecting portion is taken out and cut to be separated into the finished shape portions.
First, as shown in FIG. 15 (A), in order to form a finished connection part 15 having a contour in which four completed forms are connected in the steps corresponding to FIGS. 2 (A) and 2 (B) of the first embodiment. 3 (A), (B) to FIG. 5 (A), (B), FIG. 1 (A), (B) and FIG. 6 (A), (B) of the first embodiment. ) Is performed.
[0041]
Next, as shown in FIG. 15B, the sacrificial layer 12 is removed by, for example, sandblasting, cutting, grinding, chemical etching, dry etching, honing, laser processing, etc. And the completed connection part 15 is taken out.
[0042]
Finally, as shown in FIG. 15C, the completed connection portion 15 is cut, the completed form 11 is taken out, and the four probe units 4 are completed.
[0043]
Further, as shown in FIG. 16, after two completed connection portions 15 in which two completed shapes are connected to each other are formed on the two substrates 10, the sacrificial layer 12 is removed, and the completed connection portions 15 are cut to form four. One probe unit 4 may be produced.
[0044]
According to the embodiments of the present invention described above, the following effects are obtained.
(1) Since the flatness of the surface of the sacrificial layer 12 can be increased, the dimensional accuracy of the probe 14 can be increased.
(2) Since it is not necessary to make a cut from the back surface, processing as designed can be performed without damaging the probe 14.
[0045]
(3) The contour of the completed shape of the substrate 10 can be controlled by the shape of the recess 18, and the degree of freedom in design is high.
(4) A plurality of completed shapes can be obtained from one substrate 10 at a time by forming recesses for forming the contours of a plurality of completed shapes on the substrate surface and removing the sacrificial layer 12, which is efficient. is there.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention. is there.
2A is a plan view showing a method of manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view showing a method of manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention. is there.
3A is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention. is there.
4A is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention. is there.
5A is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention. is there.
6A is a plan view showing a method of manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing a method of manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention. is there.
7A is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention. is there.
8A is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the probe unit according to the first embodiment of the present invention. is there.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a continuity test method for an electronic device using the probe unit manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
10A is a plan view showing a method of manufacturing a probe unit according to a first modification of the first embodiment of the present invention, and FIG. 10B is a probe unit according to the first modification of the first embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows this manufacturing method.
11A is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to a second modification of the first embodiment of the present invention, and FIG. 11B is a probe unit according to the second modification of the first embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows this manufacturing method.
FIG. 12 is a plan view showing a probe unit manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a plan view showing a method for manufacturing a probe unit according to a fourth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1, 1a, 1b, 1c, 2, 3, 4 Probe unit 10 Substrate 11 Completed form 12 Sacrificial layer 13 Unnecessary part 14 Probe 15 Completed connection part 16 Protective film 18 Recess 50 Connection part 60 Through hole 70 Slit

Claims (4)

基板の完成形の輪郭の少なくとも一部を形成するための凹部を前記基板の表面に形成する凹部形成工程と、
前記凹部を犠牲層で埋める犠牲層形成工程と、
前記基板の表面上に先端部が前記犠牲層の表面上に至るプローブを形成するプローブ形成工程と、
前記基板を裏面から前記犠牲層が露出するまで除去し、基板を薄くする基板除去工程と、
前記犠牲層を除去し、基板を基板の完成形に対応する部位と不要部位に分ける犠牲層除去工程と、
前記基板の不要部位から前記基板の完成形に対応する部位を分離する工程と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
A recess forming step for forming a recess on the surface of the substrate for forming at least a part of a finished contour of the substrate;
A sacrificial layer forming step of filling the recess with a sacrificial layer;
A probe forming step of forming a probe having a tip on the surface of the substrate reaching the surface of the sacrificial layer;
The removal of the substrate from the rear surface to the sacrificial layer you exposure, the substrate removal step of thinning the substrate,
A sacrificial layer removing step of removing the sacrificial layer and dividing the substrate into a portion corresponding to a completed shape of the substrate and an unnecessary portion ;
Separating a portion corresponding to a completed shape of the substrate from an unnecessary portion of the substrate;
A method for manufacturing a probe unit comprising:
前記凹部形成工程は、前記基板の複数の完成形の輪郭について少なくともそれぞれの一部を形成するための前記凹部を前記基板の表面に形成することを特徴とする請求項1に記載のプローブユニットの製造方法。2. The probe unit according to claim 1, wherein the recess forming step forms the recesses on the surface of the substrate for forming at least a part of the plurality of completed contours of the substrate. Production method. 前記プローブ形成工程後、前記基板除去工程前に、前記基板及び前記プローブの表面上に保護膜を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブユニットの製造方法。The method for manufacturing a probe unit according to claim 1, wherein a protective film is formed on the surface of the substrate and the probe after the probe formation step and before the substrate removal step. 前記犠牲層形成工程後、前記犠牲層除去工程前に、前記基板が複数の完成形に分離する位置で前記凹部を横断する接続部を前記基板の表面上に形成することを特徴とする請求項2に記載のプローブユニットの製造方法。The connection part that crosses the recess is formed on the surface of the substrate at a position where the substrate is separated into a plurality of completed shapes after the sacrificial layer forming step and before the sacrificial layer removing step. 3. A method for producing the probe unit according to 2.
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