JP4006723B2 - Pattern formation method using chemically amplified resist composition containing silicon-containing polymer - Google Patents
Pattern formation method using chemically amplified resist composition containing silicon-containing polymer Download PDFInfo
- Publication number
- JP4006723B2 JP4006723B2 JP34163899A JP34163899A JP4006723B2 JP 4006723 B2 JP4006723 B2 JP 4006723B2 JP 34163899 A JP34163899 A JP 34163899A JP 34163899 A JP34163899 A JP 34163899A JP 4006723 B2 JP4006723 B2 JP 4006723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- general formula
- resist
- silicon
- organic group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｏ2 プラズマ・エッチングに対する耐性が高く、また、アルカリ現像液で現像して微細なパターンが得られるレジストの主剤として有用なケイ素含有ポリマを含む化学増幅型レジスト組成物を用いるパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体装置が高集積化されるに伴い、配線の微細化及び多層化が進行しつつあり、従って、リソグラフィ工程で用いられるレジストについても様々な要求がなされ、例えば、解像性向上の他、パターン寸法精度の維持などが重視されている。
【０００３】
また、今後、露光光源の短波長化が進行すれば、レジストに於ける光透過率の維持は難しくなる為、レジスト膜厚の薄膜化は必須であり、従って、エッチング耐性の向上は不可避である。
【０００４】
更にまた、配線の微細化に対応する高精度のフォト・マスクを製造する場合、或いは、近年、急速に高記録密度化が進んでいる磁気抵抗効果ヘッドの製造する場合などに於いても、半導体製造分野に於けるリソグラフィ技術と同様なリソグラフィ技術が適用されるので、レジストに対する要求は共通したものとなっている。
【０００５】
前記した問題を解消する技術としてサーフェスイメージングが提案され、なかでもケイ素含有ポリマからなるレジスト組成物を用いた二層レジスト法が有効であるとされている。
【０００６】
二層レジスト法は、有機樹脂を０．５〔μｍ〕の膜厚となるように塗布して下層レジスト膜を形成し、その上に膜厚０．１〔μｍ〕程度の上層レジスト膜を形成し、先ず、上層レジスト膜の露光及び現像を行なってパターンを形成し、その上層レジスト・パターンをマスクとして下層レジスト膜のエッチングを行なうことで、高アスペクト比のレジスト・パターンを得る技法である。
【０００７】
この二層レジスト法に用いられるレジスト材料に要求される性能としては、酸素・反応性イオン・エッチング（Ｏ2 ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：Ｏ2 −ＲＩＥ）に対する耐性の他、感度、解像性、保存安定性などが要求され、しかも、近年では、単層レジストで一般的に使用されているアルカリ現像を適用可能であることも要求されている。
【０００８】
現在、アルカリ可溶性のケイ素含有ポリマは公知であるが（要すれば「特許第２６１９３５８号」、「特許第２５７３９９６号」などを参照）、従来の技術に依るケイ素含有ポリマの合成は複雑であって、しかも、その感度及び解像性は不十分である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性に優れ、また、アルカリ現像液に依る現像で微細なパターンが得られるレジストの主剤であるケイ素含有ポリマを含むレジスト組成物を用いてパターンを形成する方法を提供しようとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のパターン形成方法を実施するのに用いるレジスト組成物に含まれるケイ素含有ポリマは、ポリマ骨格の末端にアルカリ可溶性基としてフェノールを有するか、或いは、露光または酸触媒などの添加剤の働きに依ってアルカリ可溶性を示すフェノール誘導体の何れかを有することが基本になっていて、そのケイ素含有ポリマを主剤とする化学増幅型レジスト組成物は大変優れた性能を発揮することができ、しかも、このケイ素含有ポリマは、ポリマ末端のシラノール基をフェノール誘導体を含むトリオルガノシリル基でシリル化することで簡単に合成することができるものであり、本発明は、前記レジスト組成物を用いてパターンを形成するのに極めて有効な方法である。
【００１１】
前記したところから、本発明に依るケイ素含有ポリマを含むレジスト組成物を用いるパターン形成方法に於いては、被加工基板上に、第１のレジスト材料を用いて下層レジスト層を形成する工程と、前記下層レジスト層上に、一般式（１）で表されるケイ素含有ポリマを含んでなる第２のレジスト材料を用いて上層レジスト層を形成する工程と、前記上層レジスト層を露光、露光後のベーク、現像を行なってパターニングする工程と、前記パターニングに依って残った前記上層レジスト層をマスクとして前記下層レジスト層をエッチングする工程とを順に実施することを特徴とする。
【００１２】
前記手段を採ることに依り、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性に優れ、また、アルカリ現像液に依る現像で微細パターンが得られる優れた性能のケイ素含有ポリマを主剤とする化学増幅型レジスト組成物を用い、微細且つ精密なパターンを形成する方法が実現され、半導体装置の高集積化、或いは、磁気抵抗効果ヘッドの高記録密度化などに寄与することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明で用いるケイ素含有ポリマは前記一般式（１）で表され、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃの少なくとも一つは前記一般式（２）であり、そして、前記一般式（２）以外の二つは、それぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アリール基であって、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基である。
【００１４】
一般式（２）に於けるＲｄは、二価の有機基であれば特に限定されないが、炭素数１〜１０の鎖状アルキレン基または環状アルキレン基、又は、これ等を組み合わせたものが好ましいのであるが、なかでも、炭素数１〜３の鎖状アルキレン基が望ましく、又、Ｒｄは複数種存在しても良く、一般式（２）中のｒは０又は１である。つまり、ｒ＝０では、二価の有機基Ｒｄを含まない。
【００１５】
一般式（２）に於けるＲｅは、−Ｈ、一価の有機基またはオルガノシリル基を表していて、このＲｅの少なくとも一部が、露光により酸発生剤から生じた酸の作用によって脱離する官能基である場合には、本発明に依るレジスト組成物は、同じく本発明に依るケイ素含有ポリマ及び光酸発生剤を必ず含んで化学増幅型レジストとなる。
【００１６】
また、この場合のＲｅとしては、例えばトリオルガノシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、２−アルキルアダマンチル基などの四級炭素の官能基を挙げることができる。
【００１７】
ここで、酸の作用で脱離するＲｅ基は、全Ｒｅ基のうちのゼロより大きい任意の割合を占めることができ、その割合は当該ポリマを含むレジスト組成物に求められる特性に応じて決定される。
【００１８】
また、酸の作用で脱離しないＲｅは、−Ｈ、一価の有機基またはオルガノシリル基であり、一価の有機基としては炭素数１〜３のアルキル基とし、そして、オルガノシリル基を炭素数１〜３のアルキル基を有するシリル基とすることが好ましい。尚、Ｒｅは複数種が存在して良い。
【００１９】
更にまた、Ｒｅの少なくとも一部が−Ｈである場合には、本発明に依るレジスト組成物は、同じく本発明に依るケイ素含有ポリマ及び光酸発生剤及び架橋剤を必ず含んで化学増幅型レジストとなる。
【００２０】
−Ｈは、全Ｒｅ基のうちのゼロより大きい任意の割合を占めることができ、その割合は、当該ポリマを含むレジスト組成物に求められる特性に応じて決定される。
【００２１】
このとき、−Ｈ以外のＲｅは、一価の有機基又はオルガノシリル基であり、一価の有機基は特に限定されることはないが、オルガノシリル基としては炭素数１〜３のアルキル基を有するシリル基が好ましい。尚、Ｒｅは複数種が存在して良い。
【００２２】
一般式（１）のケイ素含有ポリマは、これを主剤とし、酸発生剤を添加して化学増幅型ポジ型レジスト組成物、更には、架橋剤を添加すると化学増幅型ネガ型レジストとなる。
【００２３】
酸発生剤としては、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩などのオニウム塩、或いは、ベンジルトシレート、ベンジルスルホネートなどのスルホン酸エステル、ジブロモビスフェノールＡ、トリスジブロモプロピルイソシアヌレートなどのハロゲン化有機化合物が好ましいが、使用可能な酸発生剤はこれ等に限られない。
【００２４】
酸発生剤の添加量は、本発明に依るケイ素含有ポリマの１００重量部に対して０．１〜２０重量部の範囲が好ましく、これより添加量が少ない場合には、化学増幅型ポジ型レジストとしての感度が充分に得られず、また、多い場合には、成膜性や解像度の低下を招来する。
【００２５】
架橋剤としては、アルキル化メチロールメラミンやそのオリゴマ、又は、ビスヒドロキシメチルフェノールやエポキシ化合物を用いることが好ましく、その添加量は、本発明に依るケイ素含有ポリマの１００重量部に対して１〜４０重量部の範囲が好ましく、これより添加量が少ない場合には、化学増幅型ネガ型レジストとしての感度が充分に得られず、また、多い場合には、成膜性や解像度の低下を招来する。
【００２６】
一般式（１）で表される本発明に依るケイ素含有ポリマに於いて、ポリマ骨格部分Ｒとしては、
▲１▼ 一般式（３）で表されるＲｆが−Ｈ、一価の有機基、トリオルガノシリル基の何れかであって、ｍ＞１、ｎ≧０である四官能シロキサンポリマ骨格であるか、
【化３】
【００２７】
▲２▼ 一般式（４）で表されるＲｆが−Ｈ、一価の有機基、トリオルガノシリル基の何れかであって、Ｒｇが一価の有機基であり、更に、ｍ＞１、ｎ≧０である三官能シロキサンポリマ骨格であるか、
【化４】
【００２８】
▲３▼ 一般式（５）で表されるＲｆが−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれかであって、Ｒｈ、Ｒｈ′が同一でも相異なっても良い一価の有機基であり、更に、ｍ＞１、ｎ≧０である二官能シロキサンポリマ骨格であるか、
【化５】
【００２９】
▲４▼ 一般式（６）で表されるＲｆが−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれかであって、Ｒｉが二価の有機基であり、更に、ｍ＞１、ｎ≧０であるシロキサンポリマ骨格である。
【化６】
尚、本発明に依るケイ素含有ポリマは、そのポリマ骨格Ｒとして、上掲の一種か二種以上を有することができる。
【００３１】
Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ、Ｒｈ′の一価の有機基としては、炭素数１〜１０のアルキル基並びにそれ等の置換基を用いることが好ましく、また、Ｒｉの二価の有機基としては、炭素数１〜３のアルキレン基を用いることが好ましい。
【００３２】
本発明で用いるケイ素含有ポリマの重量平均分子量は、ポリスチレン換算で、１５００〜１００００００が好ましく、これより低分子量では耐熱性が低下し、また、高分子量であればレジストとして解像性が悪くなる。
【００３３】
本発明で用いるケイ素含有ポリマを用いてレジスト材料を作成し、そのレジスト材料を用いてレジスト・パターンを形成するには、被加工基板上に本レジスト層を直接形成する手段を採るか、或いは、被加工基板上に第一のレジスト（下層レジスト）層を形成し、引き続き、本発明によるレジスト材料を用いて第二のレジスト（上層レジスト）層を形成し、この上層レジスト層を露光及び現像してパターンを形成し、得られた上層レジスト・パターンをマスクとして下層レジスト膜のエッチングを行なってレジスト・パターンを形成すれば良い。
【００３４】
下層レジスト層の材料としては、有機材料、例えば、ノボラック樹脂、ビニルフェノール樹脂からなる市販のレジスト材料、ポリアニリン系やポリチオフェン系の導電性材料を用いることができ、また、その厚さは０．１〔μｍ〕〜１０．０〔μｍ〕の範囲で選択するが、０．２〔μｍ〕〜１．０〔μｍ〕の範囲にすると好結果が得られる。
【００３５】
また、上層レジスト層を形成する為に本発明に依るレジスト材料を塗布する場合、必要に応じて溶剤を用いて良く、その溶剤としては、有機溶剤、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−ブチルエーテル、メチルイソブチルケトンなどを使用することができる。
【００３６】
本発明で用いるレジスト材料を塗布する方法は、通常のレジスト材料を塗布する方法と何ら変わるところはなく、例えばスピン・コート法などを適用することができ、そのレジスト材料の塗布厚さは０．０３〔μｍ〕〜１．０〔μｍ〕の範囲で選択すれば良く、これよりも薄いとエッチング時の寸法変動が大きくなり、厚いと解像性が低下することになり、好ましくは、塗布厚さを０．０５〔μｍ〕〜０．２〔μｍ〕の範囲とする。
【００３７】
露光を行なう場合の放射線源としては、可視光、紫外線、ＫｒＦエキシマ・レーザ、ＡｒＦエキシマ・レーザ、Ｆ2 エキシマ・レーザなど、ＶＵＶ、ＥＵＶ、電子線、イオン・ビームなどを用いて良い。
【００３８】
本発明で用いるレジスト材料を現像するには、アルカリ現像液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液、水酸化カリウム水溶液などが使用可能である。
【００３９】
また、下層レジスト層をエッチングする場合、酸素を含むガスのプラズマ・エッチングを適用することができ、特に、酸素と二酸化硫黄の混合ガスに依るエッチングが好ましく、また、プラズマ・エッチング装置としては高密度プラズマ・エッチング装置を用いると良い。
【００４０】
本発明で用いるレジスト材料の具体例、及び、参考例を挙げて説明する。
【００４１】
例１（ケイ素含有ポリマに関する例）
ケイ素含有ポリマを合成する場合について説明する。
【００４２】
還流管及び温度計を取り付け、且つ、窒素フローした四つ口フラスコを準備し、一般式（７）で表されるシロキサンポリマ５〔ｇ〕（分子量５０００）をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１００〔ｍｌ〕に溶解し、攪拌し、油浴で７０〔℃〕に加熱した。
【化７】
滴下ロートからターシャリブトキシカルボニルオキシフェニルエチルジメチルクロロシランを３．５〔ｇ〕と、これと等モルのピリジンを３０〔分〕とを３０〔分〕で滴下し、４〔時間〕反応を行なった。
【００４４】
室温まで放冷した後、分液ロートに移して水層が中性になるまで水洗してから、有機層を液層分離濾紙で濾過して前記四つ口フラスコに移し、共沸に依り水抜きして目的とするポリマのＭＩＢＫ溶液を得た。
【００４５】
前記ＭＩＢＫ溶液を濃縮した後、アセトニトリルで低分子量成分を除去し、一般式（８）のポリマを得た。このポリマに於ける分子量は１００００、分散度は２．４であった。
【化８】
このポリマのＭＩＢＫ溶液をＳｉウエハに回転塗布し、ホット・プレート上で９０〔℃〕／６０〔秒〕のベーキングを行なって試料を作成し、これを２．３８〔％〕テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液に浸漬しても溶解しないことを確認した。
【００４７】
例２（ケイ素含有ポリマに関する参考例）
ケイ素含有ポリマを合成する場合の参考例について説明する。
【００４８】
還流管及び温度計を取り付け、且つ、窒素フローした四つ口フラスコを準備し、一般式（７）で表されるシロキサンポリマ５〔ｇ〕（分子量５０００）をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１００〔ｍｌ〕に溶解し、攪拌し、油浴で７０〔℃〕に加熱した。
【００４９】
滴下ロートからターシャリブトキシカルボニルオキシフェニルエチルジメチルクロロシランを３．５〔ｇ〕と、これと等モルのピリジンを３０〔分〕とを３０〔分〕で滴下し、４〔時間〕反応を行なった。
【００５０】
室温まで放冷した後、分液ロートに移して水層が中性になるまで水洗してから、有機層を液層分離濾紙で濾過して前記四つ口フラスコに移し、共沸に依り水抜きして目的とするポリマのＭＩＢＫ溶液を得た。
【００５１】
前記ＭＩＢＫ溶液を濃縮した後、アセトニトリルで低分子量成分を除去し、このポリマを再度１００〔ｍｌ〕のＭＩＢＫに溶解し、油浴で７０〔℃〕に加熱した。
【００５２】
ピペットで塩酸２．０〔ｇ〕を滴下し、３〔時間〕反応を行なった。
【００５３】
室温まで放冷した後、分液ロートに移して水層が中性になるまで水洗してから、有機層を液層分離濾紙で濾過して前記四つ口フラスコに移し、共沸に依り水抜きして目的とするポリマのＭＩＢＫ溶液を得た。
【００５４】
前記ＭＩＢＫ溶液を濃縮した後、ヘキサンで低分子量成分を除去し、一般式（９）のポリマを得た。このポリマの分子量は１００００、分散度は２．４であった。
【化９】
このポリマのＭＩＢＫ溶液をＳｉウエハに回転塗布し、ホット・プレート上で９０〔℃〕／６０〔秒〕のベーキングを行なって試料を作成し、これを２．３８〔％〕テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液に浸漬したところ迅速に溶解した。
【００５６】
例３（レジスト組成物に関する例）
レジスト組成物を作成する場合について説明する。
【００５７】
例１で得た分子量１００００でｔ−ブトキシカルボニル基を有するケイ 素含有ポリマ１００重量部と、酸発生剤として５重量部のトリフェニルスルフォニウムトリフレートをＭＩＢＫに溶解してレジスト溶液を調製した。
【００５８】
Ｓｉウエハ上にノボラック樹脂ベースの溶液を回転塗布し、窒素フローしたオーブン中で２８０〔℃〕、３０〔時間〕のベーキングを行ない、０．４〔μｍ〕の下層レジスト層を形成した。
【００５９】
再び、前記調製したレジスト溶液を下層レジスト層上に回転塗布し、１１０〔℃〕、６０〔秒〕のプリ・ベーキングを行なって０．１〔μｍ〕の上層レジスト層を形成した。
【００６０】
電子線露光後、直ちに１００〔℃〕／６０〔秒〕のポストエクスポージャベーキングを行ない、２．３８〔％〕ＴＭＡＨ水溶液で現像を行なったところ、現像液への溶解速度は、露光部で３００〔Å／ｓ〕以上、未露光部で５〔Å／ｓ〕以下であって、この溶解速度の差から０．３〔μｍ〕のパターンを解像した。
【００６１】
また、平行平板型のＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用い、ＲＦパワー：０．１６〔Ｗ／ｃｍ2 〕、酸素流量：１０〔ｓｃｃｍ〕、ガス圧１０〔ｍＴｏｒｒ〕でエッチング・レートを測定したところ、下層のノボラック系レジストに比較して約１００倍高いＯ2 −ＲＩＥ耐性を示した。
【００６２】
例４（レジスト組成物に関する参考例）
レジスト組成物を作成する場合の参考例について説明する。
【００６３】
例２で得た分子量８５００でフェノール基を有するケイ素含有ポリマ１００重量部と、架橋剤として２０重量部のメトキシメテルメラミンと、酸発生剤として３重量部のトリフェニルスルフォニウムトリフレートをＭＩＢＫに溶解してレジスト溶液を調製した。
【００６４】
例３と同様にして形成した層厚０．４〔μｍ〕の下層レジスト層上に前記調製したレジスト溶液を回転塗布し、１１０〔℃〕、６０〔秒〕のプリ・ベーキングを行なって０．１〔μｍ〕の上層レジスト層を形成した。
【００６５】
電子線露光後、直ちに１１０〔℃〕／１２０〔秒〕のポストエクスポージャベーキングを行なった後、２．３８〔％〕ＴＭＡＨ水溶液で現像したところ、現像液への溶解速度は、露光部で１〔Å／ｓ〕以下、未露光部で１０００〔Å／ｓ〕以上であって、この溶解速度の差から０．３５〔μｍ〕のパターンを解像した。
【００６６】
また、前記と同様、平行平板型のＲＩＥ装置を用い、ＲＦパワー：０．１６〔Ｗ／ｃｍ2 〕、酸素流量：１０〔ｓｃｃｍ〕、ガス圧１０〔ｍＴｏｒｒ〕でエッチング・レートを測定したところ、下層のノボラック系レジストに比較して約１００倍高いＯ2 −ＲＩＥ耐性を示した。
【００６７】
本発明の構成要件は、特許請求の範囲に記載した通りであるが、それを逸脱しない範囲で、多くの改変を実現することができるので、以下に挙げる。尚、ここでは、請求項１に記載された本発明の構成要件を記号（ａ）で代表させる。
【００６８】
（ｂ）
（ａ）に於けるＲｅが酸触媒及び加熱に依って離脱する官能基であることを特徴とするケイ素含有ポリマを用いること。
【００６９】
（ｃ）
（ａ）又は（ｂ）に於いて、ケイ素含有ポリマの骨格部分が一般式（３）で表される四官能シロキサンポリマ骨格部分であるケイ素含有ポリマを用いること。尚、一般式（３）中に於けるＲｆは−Ｈ、一価の有機基、トリオガノシリル基の何れかを表し、ｍ＞１、ｎ≧０である。
【００７０】
（ｄ）
（ａ）又は（ｂ）に於いて、ケイ素含有ポリマの骨格部分が一般式（４）で表される三官能シロキサンポリマ骨格部分であるケイ素含有ポリマを用いること。尚、一般式（４）中でＲｆは−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれか、Ｒｇは一価の有機基を表し、ｍ＞１、ｎ≧０である。
【００７１】
（ｅ）
（ａ）又は（ｂ）に於いて、ケイ素含有ポリマの骨格部分が一般式（５）で表される二官能シロキサンポリマ骨格部分であるケイ素含有ポリマを用いること。尚、一般式（５）中でＲｆは−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれか、Ｒｈ、Ｒｈ′は同一でも異なっても良く、それぞれ一価の有機基を表し、ｍ＞１、ｎ≧０である。
【００７２】
（ｆ）
（ａ）又は（ｂ）に於いて、ケイ素含有ポリマの骨格部分が一般式（６）で表されるシロキサンポリマ骨格部分であるケイ素含有ポリマを用いること。尚、一般式（６）中でＲｆは−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれか、Ｒｉは二価の有機基を表し、ｍ＞１、ｎ≧０である。
【００７３】
（ｇ）
（ａ）乃至（ｆ）に示したケイ素含有ポリマを単独、又は、複数同時に含むレジスト組成物を用いること。
【００７４】
（ｈ）
光酸発生剤を含む（ｇ）のレジスト組成物を用いること。
【００７５】
（ｉ）
架橋剤、溶解抑止剤を含む（ｈ）のレジスト組成物を用いること。
【００７６】
（ｊ）
（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）に示したレジスト組成物を用い、被加工基板上にレジスト層を形成し、このレジスト層の露光、必要に応じて実施する露光後ベーク、現像を行なってレジスト・パターンを形成すること。
【００７７】
前記改変例は、何れも電子デバイスの製造は勿論のこと、磁気ヘッドの製造、フォト・マスクの製造などに適用して有効である。
【００７８】
【発明の効果】
本発明に依るケイ素含有ポリマを含む化学増幅型レジスト組成物を用いるパターン形成方法に於いては、被加工基板上に、第１のレジスト材料を用いて下層レジスト層を形成し、下層レジスト層上に、一般式（１）で表されるケイ素含有ポリマを含んでなる第２のレジスト材料を用いて上層化学増幅型レジスト層を形成し、上層化学増幅型レジスト層を露光、露光後のベーク、現像を行ってパターニングし、パターニングに依って残った上層化学増幅型レジスト層をマスクとして下層レジスト層をエッチングする。
【００７９】
前記構成を採ることに依り、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性に優れ、また、アルカリ現像液に依る現像で微細パターンが得られる優れた性能のケイ素含有ポリマを主剤とする化学増幅型レジスト組成物を用い、微細且つ精密なパターンを形成する方法が実現され、半導体装置の高集積化、或いは、磁気抵抗効果ヘッドの高記録密度化などに寄与することができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a pattern formation using a chemically amplified resist composition containing a silicon-containing polymer that is highly resistant to O 2 plasma etching and that is useful as a main component of a resist that can be developed with an alkaline developer to obtain a fine pattern. Regarding the method.
[0002]
[Prior art]
At present, as semiconductor devices are highly integrated, miniaturization and multilayering of wiring are progressing. Therefore, various demands have been made for resists used in lithography processes, for example, in addition to improving resolution. The maintenance of pattern dimensional accuracy is emphasized.
[0003]
Also, if the wavelength of the exposure light source is shortened in the future, it will be difficult to maintain the light transmittance in the resist. Therefore, it is essential to reduce the resist film thickness. Therefore, improvement in etching resistance is inevitable. .
[0004]
Furthermore, in the case of manufacturing a high-precision photomask corresponding to the miniaturization of wiring, or in the case of manufacturing a magnetoresistive effect head whose recording density is rapidly increasing in recent years, a semiconductor is also used. Since a lithography technique similar to the lithography technique in the manufacturing field is applied, the requirements for the resist are common.
[0005]
Surface imaging has been proposed as a technique for solving the above-described problems, and in particular, a two-layer resist method using a resist composition made of a silicon-containing polymer is considered to be effective.
[0006]
In the two-layer resist method, an organic resin is applied to a thickness of 0.5 [μm] to form a lower resist film, and an upper resist film of about 0.1 [μm] is formed thereon. First, the upper resist film is exposed and developed to form a pattern, and the lower resist film is etched using the upper resist pattern as a mask to obtain a high aspect ratio resist pattern.
[0007]
The performance required for the resist material used in the bilayer resist process, the oxygen-reactive ion etching (O 2 reactive ion etching: O 2 -RIE) other resistance to, sensitivity, resolution, storage stability In recent years, it is also required that alkali development generally used for single-layer resists can be applied.
[0008]
At present, alkali-soluble silicon-containing polymers are known (see, for example, “Patent No. 2619358” and “Patent No. 2573996”), but the synthesis of silicon-containing polymers by conventional techniques is complicated. Moreover, the sensitivity and resolution are insufficient.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention provides a method for forming a pattern using a resist composition containing a silicon-containing polymer that is a main component of a resist that has excellent O 2 -RIE resistance and that can be obtained with a fine pattern by development with an alkaline developer. try to.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The silicon-containing polymer contained in the resist composition used for carrying out the pattern forming method of the present invention has phenol as an alkali-soluble group at the terminal of the polymer skeleton, or acts as an additive such as exposure or an acid catalyst. Therefore, it is based on having any of the phenol derivatives exhibiting alkali solubility, and the chemically amplified resist composition based on the silicon-containing polymer can exhibit very excellent performance. A silicon-containing polymer can be easily synthesized by silylated a silanol group at the terminal of a polymer with a triorganosilyl group containing a phenol derivative, and the present invention forms a pattern using the resist composition. This is an extremely effective method.
[0011]
From the above, in the pattern forming method using the resist composition containing the silicon-containing polymer according to the present invention, a step of forming a lower resist layer on the substrate to be processed using the first resist material; On the lower resist layer, a step of forming an upper resist layer using a second resist material comprising a silicon-containing polymer represented by the general formula (1), exposing the upper resist layer, and after exposure A step of performing patterning by performing baking and development, and a step of etching the lower resist layer using the upper resist layer remaining after the patterning as a mask are sequentially performed.
[0012]
By using the above means, using a chemically amplified resist composition mainly composed of a silicon-containing polymer having excellent performance capable of obtaining a fine pattern by development with an alkaline developer, and having excellent O 2 -RIE resistance, A method of forming a fine and precise pattern is realized, which can contribute to higher integration of a semiconductor device or higher recording density of a magnetoresistive head.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The silicon-containing polymer used in the present invention is represented by the general formula (1), at least one of Ra, Rb and Rc is the general formula (2), and two other than the general formula (2) are , Each independently an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
[0014]
Rd in the general formula (2) is not particularly limited as long as it is a divalent organic group, but is preferably a chain alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a cyclic alkylene group, or a combination thereof. Among them, a chain alkylene group having 1 to 3 carbon atoms is desirable, and a plurality of Rd may be present, and r in the general formula (2) is 0 or 1. That is, when r = 0, the divalent organic group Rd is not included.
[0015]
Re in the general formula (2) represents -H, a monovalent organic group or an organosilyl group, and at least a part of this Re is eliminated by the action of an acid generated from the acid generator by exposure. If the functional group is a functional group, the resist composition according to the present invention always contains a silicon-containing polymer and a photoacid generator according to the present invention to be a chemically amplified resist.
[0016]
In this case, examples of Re include quaternary carbon functional groups such as a triorganosilyl group, a t-butoxycarbonyl group, a tetrahydropyranyl group, and a 2-alkyladamantyl group.
[0017]
Here, the Re group that is eliminated by the action of an acid can occupy an arbitrary ratio larger than zero among all the Re groups, and the ratio is determined according to the characteristics required for the resist composition containing the polymer. Is done.
[0018]
Further, Re that does not leave by the action of an acid is -H, a monovalent organic group or an organosilyl group, the monovalent organic group is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and the organosilyl group is A silyl group having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferred. There may be multiple types of Re.
[0019]
Furthermore, when at least a part of Re is -H, the resist composition according to the present invention always contains a silicon-containing polymer according to the present invention, a photoacid generator, and a crosslinking agent. It becomes.
[0020]
-H can occupy any proportion greater than zero of the total Re groups, and the proportion is determined according to the characteristics required for the resist composition containing the polymer.
[0021]
At this time, Re other than -H is a monovalent organic group or an organosilyl group, and the monovalent organic group is not particularly limited, but the organosilyl group is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. A silyl group having is preferred. There may be multiple types of Re.
[0022]
The silicon-containing polymer of the general formula (1) is based on this as a main ingredient, and a chemically amplified positive resist composition is obtained by adding an acid generator, and further a chemically amplified negative resist when a crosslinking agent is added.
[0023]
The acid generator is preferably an onium salt such as diphenyliodonium salt or triphenylsulfonium salt, or a halogenated organic compound such as sulfonate such as benzyl tosylate or benzyl sulfonate, dibromobisphenol A or trisdibromopropyl isocyanurate. However, usable acid generators are not limited thereto.
[0024]
The addition amount of the acid generator is preferably in the range of 0.1 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicon-containing polymer according to the present invention. When the addition amount is smaller than this, a chemically amplified positive resist is used. As a result, the film forming property and the resolution are lowered.
[0025]
As a crosslinking agent, it is preferable to use alkylated methylol melamine and its oligomer, or bishydroxymethylphenol and an epoxy compound, and the addition amount is 1-40 with respect to 100 weight part of the silicon-containing polymer according to this invention. The range of parts by weight is preferable, and when the amount added is less than this, sufficient sensitivity as a chemically amplified negative resist cannot be obtained, and when it is large, film formability and resolution are reduced. .
[0026]
In the silicon-containing polymer according to the present invention represented by the general formula (1), as the polymer skeleton portion R,
(1) A tetrafunctional siloxane polymer skeleton in which Rf represented by the general formula (3) is any one of —H, a monovalent organic group, and a triorganosilyl group, and m> 1 and n ≧ 0. Or
[Chemical 3]
[0027]
(2) Rf represented by the general formula (4) is any one of —H, a monovalent organic group, and a triorganosilyl group, Rg is a monovalent organic group, and m> 1, a trifunctional siloxane polymer skeleton with n ≧ 0,
[Formula 4]
[0028]
(3) Rf represented by the general formula (5) is either -H, a monovalent organic group or a triorganosilyl group, and Rh and Rh 'may be the same or different. Or a bifunctional siloxane polymer skeleton in which m> 1, n ≧ 0,
[Chemical formula 5]
[0029]
(4) Rf represented by the general formula (6) is -H, a monovalent organic group or a triorganosilyl group, Ri is a divalent organic group, and m> 1, It is a siloxane polymer skeleton in which n ≧ 0.
[Chemical 6]
The silicon-containing polymer according to the present invention may have one or more of the above listed polymer skeletons R.
[0031]
As the monovalent organic group of Rf, Rg, Rh, Rh ′, it is preferable to use an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and a substituent thereof, and as the divalent organic group of Ri, carbon It is preferable to use a C 1-3 alkylene group.
[0032]
The weight average molecular weight of the silicon-containing polymer used in the present invention is preferably 1500 to 1,000,000 in terms of polystyrene. If the molecular weight is lower than this, the heat resistance is lowered, and if it is a high molecular weight, the resolution becomes poor as a resist.
[0033]
In order to form a resist material using the silicon-containing polymer used in the present invention and form a resist pattern using the resist material, a means for directly forming the resist layer on the substrate to be processed is taken, or A first resist (lower resist) layer is formed on the substrate to be processed, and then a second resist (upper resist) layer is formed using the resist material according to the present invention, and this upper resist layer is exposed and developed. The resist pattern may be formed by etching the lower resist film using the obtained upper resist pattern as a mask.
[0034]
As a material for the lower resist layer, an organic material such as a novolak resin, a commercially available resist material made of vinylphenol resin, a polyaniline-based or polythiophene-based conductive material can be used, and the thickness is 0.1. The range is selected from [μm] to 10.0 [μm], but good results are obtained when the range is from 0.2 [μm] to 1.0 [μm].
[0035]
In addition, when applying the resist material according to the present invention to form an upper resist layer, a solvent may be used as necessary. As the solvent, an organic solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate, n-butyl ether is used. , Methyl isobutyl ketone and the like can be used.
[0036]
The method of applying the resist material used in the present invention is not different from the method of applying a normal resist material. For example, a spin coating method can be applied, and the coating thickness of the resist material is 0. The thickness may be selected in the range of 03 [μm] to 1.0 [μm]. If the thickness is smaller than this, the dimensional variation during etching increases, and if it is thick, the resolution decreases. The thickness is in the range of 0.05 [μm] to 0.2 [μm].
[0037]
As a radiation source for exposure, VUV, EUV, electron beam, ion beam, etc. may be used such as visible light, ultraviolet light, KrF excimer laser, ArF excimer laser, F 2 excimer laser.
[0038]
In order to develop the resist material used in the present invention, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, potassium hydroxide aqueous solution or the like can be used as an alkaline developer.
[0039]
In addition, when etching the lower resist layer, plasma etching using a gas containing oxygen can be applied. In particular, etching using a mixed gas of oxygen and sulfur dioxide is preferable, and the plasma etching apparatus has a high density. A plasma etching apparatus may be used.
[0040]
Specific examples of the resist material used in the present invention, and, you described by way of Reference Examples.
[0041]
Example 1 (Example of silicon-containing polymer)
The case of synthesizing a silicon-containing polymer will be described.
[0042]
A four-necked flask equipped with a reflux tube and a thermometer and flowing with nitrogen was prepared, and siloxane polymer 5 [g] (molecular weight 5000) represented by the general formula (7) was converted to methyl isobutyl ketone (MIBK) 100 [ml. The solution was stirred and heated to 70 [° C.] in an oil bath.
[Chemical 7]
From the dropping funnel, 3.5 [g] of tertiary riboxycarbonyloxyphenylethyldimethylchlorosilane and 30 [min] of equimolar pyridine were added dropwise at 30 [min] to carry out a reaction for 4 [hour]. .
[0044]
After allowing to cool to room temperature, transfer to a separatory funnel and wash with water until the aqueous layer becomes neutral, and then filter the organic layer with a liquid layer separation filter paper and transfer to the four-necked flask. This was removed to obtain a MIBK solution of the target polymer.
[0045]
After concentrating the MIBK solution, the low molecular weight component was removed with acetonitrile to obtain a polymer of the general formula (8). This polymer had a molecular weight of 10,000 and a dispersity of 2.4.
[Chemical 8]
This polymer MIBK solution is spin-coated on a Si wafer and baked on a hot plate at 90 [deg.] C./60 [sec] to prepare a sample, which is prepared as 2.38 [%] tetramethylammonium hydroxide. (TMAH) It was confirmed that it did not dissolve even when immersed in an aqueous solution.
[0047]
Example 2 ( Reference example for silicon-containing polymer)
A reference example for synthesizing a silicon-containing polymer will be described.
[0048]
A four-necked flask equipped with a reflux tube and a thermometer and flowing with nitrogen was prepared, and siloxane polymer 5 [g] (molecular weight 5000) represented by the general formula (7) was converted to methyl isobutyl ketone (MIBK) 100 [ml. The solution was stirred and heated to 70 [° C.] in an oil bath.
[0049]
From the dropping funnel, 3.5 [g] of tertiary riboxycarbonyloxyphenylethyldimethylchlorosilane and 30 [min] of equimolar pyridine were added dropwise at 30 [min] to carry out a reaction for 4 [hour]. .
[0050]
After allowing to cool to room temperature, transfer to a separatory funnel and wash with water until the aqueous layer becomes neutral, and then filter the organic layer with a liquid layer separation filter paper and transfer to the four-necked flask. This was removed to obtain a MIBK solution of the target polymer.
[0051]
After concentrating the MIBK solution, low molecular weight components were removed with acetonitrile, and the polymer was dissolved again in 100 [ml] MIBK and heated to 70 [° C.] in an oil bath.
[0052]
Hydrochloric acid 2.0 [g] was dropped with a pipette, and the reaction was carried out for 3 [hours].
[0053]
After allowing to cool to room temperature, transfer to a separatory funnel and wash with water until the aqueous layer becomes neutral, and then filter the organic layer with a liquid layer separation filter paper and transfer to the four-necked flask. This was removed to obtain a MIBK solution of the target polymer.
[0054]
After concentrating the MIBK solution, the low molecular weight component was removed with hexane to obtain a polymer of the general formula (9). This polymer had a molecular weight of 10,000 and a dispersity of 2.4.
[Chemical 9]
This polymer MIBK solution is spin-coated on a Si wafer and baked on a hot plate at 90 [deg.] C./60 [sec] to prepare a sample, which is prepared as 2.38 [%] tetramethylammonium hydroxide. When immersed in an aqueous solution of (TMAH), it quickly dissolved.
[0056]
Example 3 (Example of resist composition)
A case where a resist composition is prepared will be described.
[0057]
A resist solution was prepared by dissolving 100 parts by weight of a silicon-containing polymer having a molecular weight of 10,000 and having a t-butoxycarbonyl group obtained in Example 1 and 5 parts by weight of triphenylsulfonium triflate as an acid generator in MIBK.
[0058]
A novolac resin-based solution was spin-coated on a Si wafer, and baked at 280 [° C.] for 30 [hours] in an oven with nitrogen flow to form a 0.4 [μm] lower resist layer.
[0059]
Again, the prepared resist solution was spin-coated on the lower resist layer and pre-baked at 110 [° C.] and 60 [seconds] to form an upper resist layer of 0.1 [μm].
[0060]
Immediately after the electron beam exposure, post exposure baking at 100 [° C.] / 60 [seconds] was performed, and development was performed with a 2.38 [%] TMAH aqueous solution. From [Å / s] to 5 [解 / s] in the unexposed area, a pattern of 0.3 [μm] was resolved from the difference in dissolution rate.
[0061]
Further, using a parallel plate type RIE (reactive ion etching) apparatus, the etching rate was measured at an RF power of 0.16 [W / cm 2 ], an oxygen flow rate of 10 [sccm], and a gas pressure of 10 [mTorr]. However, the O 2 -RIE resistance was about 100 times higher than that of the lower novolac resist.
[0062]
Example 4 ( Reference example regarding resist composition)
Reference examples for preparing a resist composition will be described.
[0063]
100 parts by weight of a silicon-containing polymer having a molecular weight of 8500 obtained in Example 2 and having a phenol group, 20 parts by weight of methoxymeter melamine as a crosslinking agent, and 3 parts by weight of triphenylsulfonium triflate as an acid generator are dissolved in MIBK. Thus, a resist solution was prepared.
[0064]
The resist solution prepared above was spin-coated on a lower resist layer having a layer thickness of 0.4 [μm] formed in the same manner as in Example 3, and pre-baking was performed at 110 [° C.] and 60 [seconds]. An upper resist layer of 1 [μm] was formed.
[0065]
Immediately after the electron beam exposure, post exposure baking at 110 [° C.] / 120 [seconds] was performed, followed by development with an aqueous 2.38 [%] TMAH solution. The dissolution rate in the developer was 1 in the exposed area. [Å / s] and below, 1000 [Å / s] or more in the unexposed area, and a pattern of 0.35 [μm] was resolved from the difference in dissolution rate.
[0066]
Similarly to the above, the etching rate was measured using a parallel plate type RIE apparatus at an RF power of 0.16 [W / cm 2 ], an oxygen flow rate of 10 [sccm], and a gas pressure of 10 [mTorr]. The O 2 -RIE resistance was about 100 times higher than that of the lower novolac resist.
[0067]
The constituent elements of the present invention are as described in the claims, but many modifications can be realized without departing from the scope of the present invention. Here, the constituent elements of the present invention described in claim 1 are represented by symbol (a).
[0068]
(B)
Use of a silicon-containing polymer characterized in that Re in (a) is an acid catalyst and a functional group that is released by heating.
[0069]
(C)
In (a) or (b), a silicon-containing polymer in which the skeleton portion of the silicon-containing polymer is a tetrafunctional siloxane polymer skeleton portion represented by the general formula (3) is used. In the general formula (3), Rf represents -H, a monovalent organic group, or a trioganosilyl group, and m> 1 and n ≧ 0.
[0070]
(D)
In (a) or (b), a silicon-containing polymer in which the skeleton portion of the silicon-containing polymer is a trifunctional siloxane polymer skeleton portion represented by the general formula (4) is used. In general formula (4), Rf represents —H, a monovalent organic group or a triorganosilyl group, Rg represents a monovalent organic group, and m> 1 and n ≧ 0.
[0071]
(E)
In (a) or (b), a silicon-containing polymer in which the skeleton portion of the silicon-containing polymer is a bifunctional siloxane polymer skeleton portion represented by the general formula (5) is used. In the general formula (5), Rf is —H, a monovalent organic group or a triorganosilyl group, Rh and Rh ′ may be the same or different, and each represents a monovalent organic group, m > 1, n ≧ 0.
[0072]
(F)
In (a) or (b), a silicon-containing polymer in which the skeleton portion of the silicon-containing polymer is a siloxane polymer skeleton portion represented by the general formula (6) is used. In general formula (6), Rf represents -H, either a monovalent organic group or a triorganosilyl group, Ri represents a divalent organic group, and m> 1 and n ≧ 0.
[0073]
(G)
Use a resist composition containing the silicon-containing polymers shown in (a) to (f) alone or in combination.
[0074]
(H)
Use the resist composition of (g) containing a photoacid generator.
[0075]
(I)
Use the resist composition (h) containing a crosslinking agent and a dissolution inhibitor.
[0076]
(J)
Using the resist composition shown in (g), (h), (i), a resist layer is formed on the substrate to be processed, and the resist layer is exposed, and post-exposure baking and development are performed as necessary. To form a resist pattern.
[0077]
All of the above modifications are effective when applied not only to the manufacture of electronic devices but also to the manufacture of magnetic heads and the manufacture of photomasks.
[0078]
【The invention's effect】
In the pattern forming method using a chemically amplified resist composition containing a silicon-containing polymer according to the present invention, a lower resist layer is formed on a substrate to be processed using a first resist material. to form a layer chemically amplified resist layer using the second resist material comprising a silicon-containing polymer represented by the general formula (1), exposing the upper layer chemically amplified resist layer, baking after exposure, Development is performed for patterning, and the lower resist layer is etched using the upper chemically amplified resist layer remaining after the patterning as a mask.
[0079]
By using the above configuration, using a chemically amplified resist composition mainly composed of a silicon-containing polymer having excellent performance capable of obtaining a fine pattern by development with an alkali developer, excellent in O 2 -RIE resistance, A method of forming a fine and precise pattern is realized, which can contribute to higher integration of a semiconductor device or higher recording density of a magnetoresistive head.
Claims (1)
前記下層レジスト上に、一般式（１）、即ち、
Ｒ：ケイ素含有ポリマの骨格であって、以下の一般式（３）、（４）、（５）、（６） で表される。
ポリマ骨格Ｒは、一般式（３）、（４）、（５）、（６）で表される骨格構造の一 種か二種以上を有することができるが、少なくとも一般式（３）の骨格構造を一部 に含むものとする。
ｐ及びｑ：１以上の整数。
Ｒｆ：−Ｈ又は一価の有機基又はトリオルガノシリル基。
Ｒｇ：一価の有機基。
Ｒｈ、Ｒｈ’：同一或いは異なる一価の有機基。
Ｒｉ：二価の有機基。
であって、何れも、ｍ＞１、ｎ≧０のシロキサンポリマ骨格である。
一般式（１）中で、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ：それぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アリール基または一般 式（２）で表される物質の何れかであり、Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃの少な くとも一つは一般式（２）、即ち、
Ｒｄ：二価の有機基。
Ｒｅ：−Ｈ、一価の有機基又はオルガノシリル基、但し、一価の有機基又はオルガノ シリル基の場合は少なくとも一部は酸触媒及び加熱に依って離脱する官能基
ｒ：０または１
上記各一般式中で、
Ｒａ〜Ｒｅ：それぞれ一種類或いは複数種類の官能基として存在しても良い。
で表されるケイ素含有ポリマを含んでなる第２のレジスト材料を用いて上層化学増幅型レジスト層を形成する工程と、
前記上層化学増幅型レジスト層を露光、露光後のべーク、現像を行なってパターニングする工程と、
前記パターニングに依って残った前記上層化学増幅型レジスト層をマスクとして前記下層レジスト層をエッチングする工程と
を順に実施することを特徴とするケイ素含有ポリマを含む化学増幅型レジスト組成物を用いるパターン形成方法。Forming a lower resist layer on the substrate to be processed using the first resist material;
On the lower resist, the general formula (1), that is,
R: a skeleton of a silicon-containing polymer, represented by the following general formulas (3), (4), (5), (6).
The polymer skeleton R may have one or more skeleton structures represented by the general formulas (3), (4), (5), and (6), but at least the skeleton of the general formula (3) The structure shall be included in part.
p and q: integers of 1 or more.
Rf: —H or a monovalent organic group or triorganosilyl group.
Rg: monovalent organic group.
Rh, Rh ′: the same or different monovalent organic group.
Ri: a divalent organic group.
All of them are siloxane polymer skeletons with m> 1 and n ≧ 0.
In general formula (1),
Ra, Rb, Rc: each independently an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a substance represented by the general formula (2), and at least one of Ra, Rb, Rc is represented by the general formula (2 ), That is,
Rd: a divalent organic group.
Re: -H, monovalent organic group or organosilyl group, provided that in the case of a monovalent organic group or organosilyl group, at least part of the functional group is released by acid catalyst and heating. R: 0 or 1
In each of the above general formulas,
Ra to Re: Each may be present as one or more types of functional groups.
Forming an upper chemically amplified resist layer using a second resist material comprising a silicon-containing polymer represented by:
Patterning the upper chemical amplification resist layer by exposing, baking after exposure, and developing;
Etching the lower resist layer using the upper chemically amplified resist layer remaining after the patterning as a mask, and sequentially performing the pattern formation using the chemically amplified resist composition containing a silicon-containing polymer Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34163899A JP4006723B2 (en) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Pattern formation method using chemically amplified resist composition containing silicon-containing polymer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34163899A JP4006723B2 (en) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Pattern formation method using chemically amplified resist composition containing silicon-containing polymer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001154366A JP2001154366A (en) | 2001-06-08 |
| JP4006723B2 true JP4006723B2 (en) | 2007-11-14 |
Family
ID=18347652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34163899A Expired - Fee Related JP4006723B2 (en) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Pattern formation method using chemically amplified resist composition containing silicon-containing polymer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4006723B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4373082B2 (en) | 2001-12-28 | 2009-11-25 | 富士通株式会社 | Alkali-soluble siloxane polymer, positive resist composition, resist pattern and method for producing the same, and electronic circuit device and method for producing the same |
| US9176377B2 (en) | 2010-06-01 | 2015-11-03 | Inpria Corporation | Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods |
-
1999
- 1999-12-01 JP JP34163899A patent/JP4006723B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001154366A (en) | 2001-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4270708B2 (en) | Silicon-containing polymer, method for producing the same, resist composition using the same, pattern forming method, and method for producing electronic device | |
| US8029971B2 (en) | Photopatternable dielectric materials for BEOL applications and methods for use | |
| US8470516B2 (en) | Method of forming a relief pattern by e-beam lithography using chemical amplification, and derived articles | |
| TW200912538A (en) | Photosensitive compound, photosensitive composition, resist pattern forming method, and device production process | |
| JP4759107B2 (en) | Silicon-containing polymer, resist composition using the same, and resist pattern forming method | |
| WO2009091704A2 (en) | Aromatic fluorine-free photoacid generators and photoresist compositions containing the same | |
| US8741545B2 (en) | Fluorine-free fused ring heteroaromatic photoacid generators and resist compositions containing the same | |
| US20010036594A1 (en) | Resist composition for use in chemical amplification and method for forming a resist pattern thereof | |
| JPH0643650A (en) | Positive type photo-resist composition photosensitized by short wave-length ultraviolet ray | |
| JPH05323611A (en) | Radiation sensitive resin composition | |
| JP4006723B2 (en) | Pattern formation method using chemically amplified resist composition containing silicon-containing polymer | |
| JPH05249681A (en) | Acid decomposable compound and positive radiation sensitive resist composition containing the same | |
| JPH07271037A (en) | Positive ionization-sensitive radioactive resin composition | |
| KR101113149B1 (en) | Siloxane monomer and polymer for photoresist including the same | |
| US7824845B2 (en) | Functionalized carbosilane polymers and photoresist compositions containing the same | |
| JP4406806B2 (en) | Positive photosensitive resin composition, pattern manufacturing method, and electronic component | |
| JP2003098670A (en) | Resist composition and pattern forming method using the same | |
| KR20060109697A (en) | Photoresist polymer, photoresist composition comprising the same and method for forming patten of semiconductor device using it | |
| KR20060109696A (en) | Photoresist polymer, photoresist composition comprising the same and method for forming patten of semiconductor device using it |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060710 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070116 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070214 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070327 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070717 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070814 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070817 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |