JP4003994B2 - Solid state laser equipment - Google Patents

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Description

【0010】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Qスイッチパルスレーザ光を発振出力するQスイッチ型の固体レーザ装置に関する。
【0020】
【従来の技術】
YAGレーザ装置等の固体レーザ装置は、Qスイッチを用いることで、連続発振を尖頭出力値の高い高速繰返しパルス発振に変えることが可能である。YAGレーザ装置には、一般に、超音波によるブラッグ回折を利用する音響光学Qスイッチが使われている。
【0030】
図11に示すように、音響光学Qスイッチ100は、入射面および出射面に反射防止膜102を施された偏光媒体である合成石英ガラス104と、この石英ガラス104の一面(底面)に接着層106を介して結合された超音波発生用の圧電体108と、高周波整合回路110とから構成される。
【0040】
Qスイッチ・ドライバ112よりたとえば24MHz、50Wの高周波電気信号ESが整合回路110を介して圧電体108に与えられると、ピエゾ効果によって高周波電気信号ESが超音波ASに変換され、その超音波ASが石英ガラス104内を伝播する。そうすると、光弾性効果により石英ガラス104内に周期的な屈折率分布が生じ、ここに適当な角度で光LBi を入射させると、入射した光LBi がLBR のように回折される(音響光学効果)。
【0050】
図12にYAGレーザ共振器の構成を示す。楕円反射鏡筒114内の一対の楕円焦点位置にYAGロッド116および励起ランプ118が平行に配置される。YAGロッド116の両端面と対向して出力ミラー120および全反射ミラー122が配置され、YAGロッド116の一端面と出力ミラー120との間にQスイッチ100が配置される。
【0060】
上記のように高周波電気信号ESがQスイッチ100に入力されて石英ガラス104内を超音波ASが伝播すると、YAGロッド116からのレーザ光LBi の一部がQスイッチ100で回折され、レーザ共振器の損失が増加してQ値が下がり、レーザ発振が停止する。
【0070】
しかし、レーザ発振が止まっても、励起ランプ118によるYAGロッド116の励起は継続されているため、YAGロッド116内の反転分布(熱平衡状態の低いエネルギーレベルにある原子の数よりも励起状態の高いエネルギーレベルにある原子の数が多い割合)は増大する。この反転分布が十分に大きくなった時に高周波電気信号ESを遮断して急激にQ値を戻すと、レーザ共振器でパルス発振が起こり、きわめて尖頭出力の高いQスイッチパルスレーザ光LBQ が得られる。
【0080】
実際の応用では、図13に示すような所望の周波数(変調周波数)を有するパルス信号MPで変調されてパルス信号MPのLレベルに応じたオン期間とパルス信号MPのHレベルに応じたオフ期間とを有する高周波電気信号ESをQスイッチ100に供給し、これによって変調周波数に等しい繰返し周波数でQスイッチパルスレーザ光LBQ を発振出力させるようにしている。
【0090】
ところが、このようなQスイッチ型の固体レーザ装置では、高周波電気信号ESのオン期間の長さに依存して、その直後のQスイッチング開始時の反転分布が変化し、Qスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値(レーザ出力ピーク値)が変化するという特性がある。
【0100】
このため、レーザ発振の開始または再開直後では概して反転分布が飽和値になっている状態でQスイッチングが行われるのに対して、それ以降の定常時では概して反転分布が飽和値に達する前にQスイッチングが行われるので、図13に示すように最初のQスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値が定常時のものよりも異常に高くなりやすい。
【0110】
このようなQスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値における不所望なばらつきは、実際の応用たとえばレーザマーキング装置では印字ドットのばらつきを来すため、好ましくない現象とされている。
【0120】
そこで、Qスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値を自在に可変制御するための技法が従来より種々考案されている。その中の1つの方式は、図14に示すように、パルス信号MPのパルスをLレベルからHレベルに瞬時に立ち上げるのではなく、適当な傾斜度を有するアップスロープ波形にして、高周波電気信号ESの振幅を減衰させながらオフにする方法である。
【0130】
この方式によれば、高周波電気信号ESの振幅が或るしきい値を割った時点でQスイッチングのパルス発振が起こる。パルス信号MPにおけるアップスロープの傾斜度または勾配を小さくするほど高周波電気信号ESの振幅がしきい値を割るまでの時間が長くなって(それだけQスイッチング開始時の反転分布の損失が大きくなって)、Qスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値が低くなる。
【0140】
この方式を用いると、図14に示すように、レーザ発振の開始または再開直後からQスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値を一定に揃えることができる。あるいは、定常時において、特定のQスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値を他のものの尖頭値よりも所定値だけ高くしたり低くすることも可能である。
【0150】
従来のこの種固体レーザ装置では、上記の方式を実現するために、変調用パルス信号を生成するための回路を演算増幅器からなる積分回路で構成して、該演算増幅器の入力または帰還ループに可変抵抗を設け、この可変抵抗の抵抗値(つまり積分定数)を適当な値に選ぶことにより、アップスロープ勾配の可変制御可能な変調用パルス信号MPを得るようにしていた。
【0160】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の固体レーザ装置では、変調用パルス信号を生成するための積分回路において演算増幅器のゼロ点変動等により積分定数が変動しやすく、変調用パルス信号のアップスロープ勾配を安定かつ高精度に制御するのが難しく、ひいてはQスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値を自在に制御するのが難しかった。また、安定度および精度を上げるための補正回路を該演算増幅器回りに付加するとなると、回路全体が複雑・高価で大掛かりなものになってしまうという問題がある。
【0170】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、変調用パルス信号の立ち上げ時のアップスロープ勾配を安定かつ高精度に制御し、Qスイッチパルスレーザ光の尖頭値を設定通りに制御できるようにした固体レーザ装置を提供することを目的とする。
【0180】
また、本発明は、簡単な構成でもって、Qスイッチパルスレーザ光の尖頭値を設定通りに制御できるようにした固体レーザ装置を提供することを目的とする。
【0190】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のうち請求項1に記載の発明は、レーザ共振器内にQスイッチを設け、所望の繰り返し周波数を有するパルス信号で変調されて前記パルス信号の第1の論理値レベルに応じたオン期間と前記パルス信号の第2の論理値レベルに応じたオフ期間とを有する一定周波数の高周波電気信号を前記Qスイッチ供給し、前記パルス信号の第1の論理値レベルから第2の論理値レベルへ移行する速度を制御することにより、前記レーザ共振器より発振出力されるQスイッチパルスレーザ光の尖頭値を制御するようにした固体レーザ装置において、前記繰り返し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有する矩形波形の基準パルスを生成する基準パルス信号生成手段と、それぞれの制御端子を互いに共通接続された第1および第2のトランジスタを有するカレントミラー回路と、第1の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間に接続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルスのパルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレントミラー回路に前記第1の電源電圧を供給せしめるスイッチ手段と、第2の電源電圧の端子と前記第1のトランジスタとの間に接続されたコンデンサと、前記第2の電源電圧の端子と前記第2のトランジスタとの間に接続された抵抗値可変型の抵抗回路と、前記抵抗回路の抵抗値を所望の値に選択するための抵抗値選択手段と、前記コンデンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパルス幅に対応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可能とし、前記時間の終了後に前記コンデンサを放電させる放電手段と、前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出力するパルス信号出力手段とを具備することを特徴とする。
【0200】
また、請求項2に記載の発明は、レーザ共振器内にQスイッチを設け、所望の繰り返し周波数を有するパルス信号で変調されて前記パルス信号の第1の論理値レベルに応じたオン期間と前記パルス信号の第2の論理値レベルに応じたオフ期間とを有する一定周波数の高周波電気信号を前記Qスイッチに供給し、前記パルス信号の第1の論理値レベルから第2の論理値レベルへ移行する速度を制御することにより、前記レーザ共振器より発振出力されるQスイッチパルスレーザ光の尖頭値を制御するようにした固体レーザ装置において、前記繰り返し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有する矩形波形の基準パルスを生成する基準パルス信号生成手段と、それぞれの制御端子を互いに共通接続された第1および第2のトランジスタを有するカレントミラー回路と、第1の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間に接続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルスのパルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレントミラー回路に前記第1の電源電圧を供給せしめるスイッチ手段と、第2の電源電圧の端子と前記第1のトランジスタとの間に接続されたコンデンサと、前記第2の電源電圧の端子と前記第2のトランジスタとの間に接続された電流値可変型の定電流源と、前記定電流源の電流値を所望の値に選択するための電流値選択手段と、前記コンデンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパルス幅に対応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可能とし、前記時間の終了後に前記コンデンサを放電させる放電手段と、前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出力するパルス信号出力手段とを具備することを特徴とする。
【0210】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図10を参照して本発明の実施例を説明する。
【0220】
図1に、本発明の一実施例によるスキャニングマーキング用のQスイッチ型YAGレーザ加工装置の要部の構成を示す。
【0230】
このYAGレーザ加工装置において、YAGロッド10、励起ランプ12、出力ミラー14、全反射ミラー16およびQスイッチ18は、図12に示したものと同様のYAGレーザ共振器(発振器)19を構成する。
【0240】
励起ランプ12は、電源回路20より直流ランプ電流の供給を受けて連続発光する。YAGロッド10は、励起ランプ12より照射された光で励起され、その両端面より軸方向に光を出射する。Qスイッチ18において高周波電気信号ESの印加が止められると、YAGロッド10の両端面より出た光は、Qスイッチ18を通って出力ミラー14と全反射ミラー16との間で反射を繰り返して共振増幅ののちQスイッチパルスレーザ光LBQ として出力ミラー14を軸方向に抜け出る。出力ミラー14より出射されたQスイッチパルスレーザ光LBQ は、ミラーまたは光ファイバ等の伝送光学系(図示せず)を通ってスキャニングユニット22へ送られる。
【0250】
スキャニングユニット22は、Qスイッチパルスレーザ光LBQ のビームスポットを被加工材W上で所望の描画パターンでスキャニングするための光学スキャニング機構およびスキャング駆動回路等を内蔵している。
【0260】
Qスイッチ18は、図11に示したものと同様の構成および機能を有する音響光学Qスイッチでよい。したがって、このQスイッチ18は、Qスイッチ制御部24の制御の下でQスイッチ・ドライバ26より高周波電気信号ESを供給されている間はYAGロッド10からの入射光LBi を音響光学効果により回折させて(Q値を下げて)共振器内の反転分布を蓄積増大させておき、高周波電気信号ESの供給を断たれると入射光LBi を直進させて(Q値を戻して)Qスイッチパルスレーザ光LBQ を発振出力させるように機能する。
【0270】
主制御部28はマイクロコンピュータからなり、内蔵のメモリに蓄積されている所要のプログラムおよび設定部30より設定入力された各種設定値にしたがって、電源回路20、スキャニングユニット22およびQスイッチ制御部24等の動作を制御する。
【0280】
図2に、本実施例におけるQスイッチ制御部24の回路構成を示す。このQスイッチ制御部24は、パルス発生器32、パルス整形回路34、変調パルス生成回路36、高周波発振器38および変調回路40で構成されている。
【0290】
パルス発生器32は、たとえばV−F(電圧−周波数)コンバータからなり、主制御部28からの周波数制御電圧VS を入力し、この制御電圧VS の電圧レベルに比例した繰り返し周波数でパルス信号SPを発生する。
【0300】
図3に模式的に示すように、パルス発生器32より発生されるパルス信号SPにおいては、そのパルス幅TSPが繰り返し周波数に反比例して変化する。すなわち、繰り返し周波数が低いほどパルス幅TSPが大きく、繰り返し周波数が高くなるほどパルス幅TSPが小さくなる。
【0310】
パルス整形回路34はたとえばワンショット・マルチバイブレータからなり、パルス発生器32からのパルス信号SPを入力し、図3に示すようにパルス信号SPの立ち上がりエッジに応動して一定のパルス幅TW を有するパルス信号CPを出力する。
【0320】
本実施例では、パルス発生器32およびパルス整形回路34が基準パルス信号生成手段を構成し、パルス整形回路34より出力される一定パルス幅のパルス信号CPが基準パルスとなる。
【0330】
なお、図3では、本実施例における基準パルス信号生成手段の機能を説明するうえでパルス発生器32に対する周波数制御電圧VS のレベルを時間的に単調増加させているが、実際の応用ではQスイッチパルスレーザ光LBQ の繰り返し周波数の設定値に対応した電圧レベルに周波数制御電圧VS を選ぶ。
【0340】
変調パルス生成回路36は、パルス整形回路34からのパルス信号CPを入力し、図3に模式的に示すようにパルス信号CPに同期し、かつ個々のパルスについて立ち上がり部の勾配(速度)を可変制御できる変調用のパルス信号MPを生成する。変調パルス生成回路36は本実施例の主たる特徴をなす部分であり、その構成および作用については後に詳述する。
【0350】
変調回路40は、変調パルス生成回路36からの変調用パルス信号MPを入力するとともに、高周波発振器38よりたとえば24MHz、50Wで連続的に出力される高周波電気信号ES0 を搬送波として入力し、図13および図14に示したものと同様の仕方で高周波電気信号ES0 をパルス信号MPで変調して、Qスイッチング用の高周波電気信号ESを生成する。
【0360】
これら3つの信号MP,ES0 ,ESの間には次のような関係がある。すなわち、MPがLレベルになっている間はESがオン(出力)期間となってES0 がそのままESとして出力され、MPがHレベルになっている間はESがオフ(中断)期間となってES0 が遮断されESの振幅は零レベルとなる。そして、MPがLレベルからHレベルに立ち上がり、これに応動してESがオン期間からオフ期間に切り替わる際には、MPの立ち上がり速度の大きさ、つまりアップスロープ勾配に比例した減衰率でESの振幅が減衰する。
【0370】
Qスイッチ・ドライバ26は、図11に示すものと同様の構成および機能を有するパワーアンプ型の駆動回路でよく、変調回路40からの高周波電気信号ESを電力増幅してQスイッチ18に供給する。
【0380】
図4に、第1の実施例における変調パルス生成回路36の回路構成を示す。
【0390】
この変調パルス生成回路36において、それぞれのベース端子を互いに共通接続された一対のPNP型トランジスタ42,44はカレントミラー回路46を構成する。
【0400】
両トランジスタ42,44のエミッタ端子は互いに共通接続され、NPN型トランジスタ48を介してたとえば+5Vの電源電圧VB (第1の電源電圧)の端子に電気的に接続されている。第1のトランジスタ42のコレクタ端子は、コンデンサ50を介してグランド電位(第2の電源電圧)の端子に接続されている。第2のトランジスタ44のコレクタ端子は、抵抗値可変型の抵抗回路52を介してグランド電位の端子に接続されている。
【0410】
抵抗回路52は抵抗値選択部53に電気的、光学的または機械的に接続されており、主制御部28からの抵抗値選択信号RSに応じて抵抗値選択手段53が抵抗回路52の抵抗値RF を所望の値に選択または切換するようになっている。
【0420】
両トランジスタ42,44の共通接続されたベース端子は、第2のトランジスタ44のコレクタ端子に接続されるとともに、コンデンサ54を介してトランジスタ48のエミッタ端子に接続されている。
【0430】
トランジスタ48は、抵抗56を介してパルス整形回路34からの基準パルスCPをベース端子に入力し、基準パルスCPがHレベルになっている間だけ導通するスイッチである。トランジスタ48が導通すると、このトランジスタを介して電源電圧VB がカレントミラー回路46に供給されるようになっている。
【0440】
コンデンサ50には、ダイオード58および抵抗60からなる放電回路61が閉回路を形成するように接続されている。より詳細には、ダイオード58のアノード端子がコンデンサ50のグランド側とは反対の端子50aに接続され、カソード端子がトランジスタ48のエミッタ端子に接続されるとともに抵抗60を介してコンデンサ50のグランド側端子50bに接続されている。
【0450】
コンデンサ50の端子50aは、抵抗62を介してNPN型トランジスタ64のベース端子にも接続されている。このトランジスタ64はNPN型トランジスタ66とダーリントン接続されており、両トランジスタ64,66とバイアス抵抗68,70および負荷抵抗72とによってパルス信号出力回路74が構成されている。
【0460】
次に、図5および図6を参照して上記構成の変調パルス生成回路36の作用を説明する。
【0470】
パルス整形回路34より与えられる基準パルスCPがLレベルになっている間は、トランジスタ・スイッチ48がオフ(遮断)状態にあり、カレントミラー回路46に電流は流れない。コンデンサ50には充電電荷がほとんどなく、その電圧(端子50aの電位)Vc はほぼ0V(Lレベル)にある。パルス信号出力回路74においては、両増幅トランジスタ64,66がそれぞれオフ状態であり、トランジスタ66のエミッタ端子より得られる変調用の出力パルス信号MPはほぼ0V(Lレベル)になっている。
【0480】
基準パルスCPがLレベルからHレベルに変化すると、トランジスタ・スイッチ48がオン(導通)する。この基準パルスCPのLレベルからHレベルへの変化(立ち上がり)は、本実施例で制御対象となっている変調用パルス信号MPのLレベルからHレベルへの立ち上がり(アップスロープ部)の勾配からみれば、ほとんど常時直角(90゜)の勾配で瞬時に移行するとみてよい。
【0490】
トランジスタ・スイッチ48がオンすると、電源電圧VB がトランジスタ48を介してカレントミラー回路46に供給され、両トランジスタ42,44が同時にオンし、それぞれコレクタ電流I1 ,I2 が流れ始める。この際、コンデンサ54は、トランジスタ48のオン直後に両トランジスタ42,44のエミッタ・ベース間に電圧を印加し、両トランジスタ42,44のオンを早める(促進する)ように作用する。
【0500】
トランジスタ44がオンすることによって、このトランジスタ44と抵抗回路52とを通ってグランド電位へと至る電流パスに電流I2 が流れる。図5に示すように、抵抗回路52の抵抗値RF とこの電流I2 との間には一定の逆比例関係がある。主制御部28は、この抵抗−電流特性に基づき電流I2 が所望の電流値で流れるよう抵抗値選択部53を介して抵抗回路52の抵抗値RF を予め所定の値に選択している。
【0510】
このようにしてトランジスタ44側の電流パスで電流I2 が所望の電流値で流れると、カレントミラー効果によりトランジスタ42側の電流パスでも電流I2 と等しい電流値で電流I1 が流れる。そして、この電流I1 のほとんどがコンデンサ50に供給される。電流I1 のうちパルス信号出力回路74のトランジスタ64のベース端子に流れる分は相対的に非常に小さく、無視できる。
【0520】
これにより、コンデンサ50はほぼ一定の電流I1 で充電され、その電圧VC が次式(1)にしたがってほぼ直線的に上昇する。
VC =I1 ・t/C ………(1)
【0530】
ここで、Cはコンデンサ50の容量(ファラド)であり、tはスイッチ・トランジスタ48がオンしてからの経過時間(秒)である。
【0540】
そして、コンデンサ50の電圧VC が電源電圧VB 近くの所定レベルに達すると、放電回路61においてダイオード58が導通し、コンデンサ50から溢れた電荷がダイオード58および抵抗60を通ってグランドへ放電される。この放電電荷量と電流I1 による充電量とが平衡すると、コンデンサ50の電圧VC は平坦なレベル(Hレベル)となる。
【0550】
パルス信号出力回路74は、コンデンサ50の電圧VC を抵抗62を介して入力し、両トランジスタ64,66で増幅して、電圧VC と相似な波形の出力電圧をパルス信号MPとして出力する。
【0560】
その後、入力側で基準パルスCPがHレベルからLレベルに変化すると、トランジスタ・スイッチ48がオフ状態に変わり、電源電圧VB の端子とカレントミラー回路46とを遮断する。これにより、カレントミラー回路46では、両トランジスタ42,44の双方で電流I1 ,I2 が止まる。
【0570】
すると、コンデンサ50の充電も止まり、コンデンサ50に蓄積されていた電荷は全て放電回路61(58,60)で一瞬に放電され、コンデンサ電圧VC は瞬時にそれまでのHレベルからLレベル(0ボルト)へ立ち下がる。これに応動して、パルス信号出力回路74の出力電圧(パルス信号MP)もHレベルからLレベルに急速に立ち下がる。
【0580】
こうして、変調パルス生成回路36より、図6に示すように、矩形波形の入力パルス(基準パルスCP)に同期し、かつ立ち上がり時のアップスロープ勾配θを可変制御可能な変調用のパルス信号MPが得られる。
【0590】
この変調パルス生成回路36において、パルス信号MPのアップスロープ勾配θは上式(1)の係数(I1 /C)で規定され、I1 がパラメータ(変数)である。そして、I1 を可変制御するために、これと等しいI2 を規定する抵抗回路52の抵抗値RF を主制御部28が抵抗値選択部53を介して適当な値に選択するように構成されている。
【0600】
図5および図6に示すように、抵抗回路52の抵抗値RF を比較的小さな値Ra に選ぶことでアップスロープ勾配θを比較的大きな値θa とし、抵抗値RF を比較的大きな値Rb に選ぶことでアップスロープ勾配θを比較的小さな値θb とすることができる。
【0610】
上記したように、本実施例の変調パルス生成回路36にはカレントミラー回路46が設けられ、このカレントミラー回路46を構成する一対のトランジスタ42,44のうち第1のトランジスタ42側の電流パスにはコンデンサ50が接続されるとともに、第2のトランジスタ44側の電流パスには抵抗値可変型の抵抗回路52が接続される。また、カレントミラー回路46を基準パルスCPのパルス時間中だけ動作させるためのトランジスタ48からなるスイッチ手段も設けられている。
【0620】
そして、抵抗回路52の抵抗値RF が抵抗値選択部53を介して主制御部28により適当な値に選択されることで、基準パルスCPのパルス時間中に第2のトランジスタ44側の電流パスに流れる電流I2 ひいてはカレントミラー効果でこれと等しい大きさで第1のトランジスタ42側の電流パスに流れる電流I1 が所望の電流値に選択され、コンデンサ50の充電電圧の立ち上がりの勾配(速度)が所望の大きさに制御されるようになっている。
【0630】
コンデンサ50の電圧VC は、ダイオード58および抵抗60からなる放電回路61によって基準パルスCPに同期したパルス波形となる。そして、コンデンサ50の電圧VC は、パルス信号出力回路74によって増幅され、変調用のパルス信号MPとして出力される。
【0640】
このように、本実施例では、カレントミラー回路46における安定な電流I1 (I2 )をパラメータとして変調用パルス信号MPの立ち上がり時のアップスロープ勾配を制御するようにしたので、安定かつ高精度な制御が可能であり、Qスイッチパルスレーザ光の尖頭値を設定通りに制御することが可能である。
【0650】
図7に、本実施例における抵抗回路52および抵抗値選択部53の具体的な回路構成例を示す。この例では、抵抗回路52が直列接続された3つの抵抗74,76,78で構成され、抵抗値選択部53が抵抗76,78にそれぞれ並列接続されたアナログスイッチ80,82で構成されている。
【0660】
アナログスイッチ80,82は、主制御部28からの抵抗値選択信号RS1 ,RS2 によってそれぞれオン・オフ制御される。抵抗74,76,78のそれぞれの抵抗値をR74,R76,R78とすると、スイッチ80,82の双方をオフ状態にしたとき、抵抗回路52の抵抗値R53は(R74+R76+R78)で与えられる。スイッチ80をオン、スイッチ82をオフにすると、抵抗回路52の抵抗値R53は(R74+R78)となる。スイッチ80をオフ、スイッチ82をオンにすると、全抵抗値R53は(R74+R76)となる。両スイッチ80,82の双方をオンにすると、全抵抗値R53はR74となる。
【0670】
このように、この構成例では、抵抗回路52の抵抗値R53を4通りの値(R74+R76+R78)、(R74+R76)、(R74+R78)、R74に選択することが可能であり、したがって変調用パルス信号MPの立ち上がり時のアップスロープ勾配またはQスイッチパルスレーザ光の尖頭値を4通りの値に可変制御することができる。
【0680】
一般に、レーザマーキング加工では、図13に示したようにレーザ発振開始または再開直後の最初の1発ないし数発のQスイッチパルスレーザ光LBQ が定常時のものよりも異常に高くなるのが問題とされている。すなわち、マーキング始点付近のドットが後続の描画点のドットよりも異常に大きく形成されるという問題である。
【0690】
このような問題に対処するには、最初の1発ないし数発のQスイッチパルスレーザ光LBQ に対応する変調用パルス信号MPのアップスロープ勾配θだけを比較的小さな値にすればよく、定常時のQスイッチパルスレーザ光LBQ に対応する変調用パルス信号MPのアップスロープ勾配θは一定の値としてよい。したがって、アップスロープ勾配θを4通りの値で選択できる機能があれば十分に対応できる。その意味で、図7の例は回路構成が簡単で実用性に優れている。
【0700】
もっとも、抵抗回路52をより複雑な抵抗回路網たとえばラダー抵抗回路網や重み抵抗回路網で構成し、該抵抗回路網内の所要の分岐部に抵抗値選択部53のスイッチ素子を設ける構成によって、抵抗回路52の抵抗値RF の分解能ひいては変調用パルス信号MPのアップスロープ勾配θの分解能を高くすることができる。
【0710】
また、抵抗回路52を光の照射強度によって抵抗値が変化するような抵抗素子たとえばCdS素子で構成するとともに、抵抗値選択部53を該CdS素子に光を照射するための発光素子たとえばLEDとこのLEDに可変制御可能な駆動電流を供給するための可変電流源とで構成することによって、抵抗回路52の抵抗値RF ひいては変調用パルス信号MPのアップスロープ勾配θを連続的に可変制御することもできる。
【0720】
図8に、別の実施例による変調パルス生成回路36の回路構成を示す。図中、図4のものと同様の構成・機能を有する部分には同一の符号を付している。
【0730】
この第2の実施例では、図4の回路構成において、抵抗値可変型の抵抗回路52を電流値可変型の定電流源84で置き換えるとともに、抵抗値選択部53に代えて定電流源84の電流値IF を適宜選択するための電流値選択部86を設けている。
【0740】
この第2の実施例による変調パルス生成回路36において、スイッチ・トランジスタ48がオフ状態の間は、カレントミラー回路46の両トランジスタ42,44もオフ状態にあるため、定電流源84も非アクティブ状態にあり、電流IF を流さない。
【0750】
基準パルスCPに応動してスイッチ・トランジスタ48がオンし、カレントミラー回路46の両トランジスタ42,44もオンすると、定電流源84がアクティブ状態に変わり、所定の定電流IF を流す。
【0760】
これにより、カレントミラー回路46において、第2のトランジスタ44側の電流パスには定電流IF と同じ電流I2 が流れ、カレントミラー効果により第1のトランジスタ42側の電流パスでも定電流IF (I2 )に等しい電流I1 が流れる。その他の作用は図4の実施例と同様である。
【0770】
この実施例では、定電流源84によって、カレントミラー回路46で流れる電流I1 ,I2 を厳密に一定に制御し、コンデンサ50の充電電圧の立ち上がりの直線性を厳密に一定に制御できるため、より安定かつ高精度に変調用パルス信号MPのアップスロープ勾配θひいてはQスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値を可変制御することができる。
【0780】
図9に、図8の実施例における定電流源84および電流値選択部86の具体的構成例を示す。
【0790】
この構成例は、定電流源84をそれぞれI/2n ,I/2n-1 ,…,I/4,I/2の重み定電流値を流すn個の重み定電流源88(n) ,88(n-1) ,…,88(2) ,88(1) で構成し、電流値選択部86を各重み定電流源に1つずつ割り当てられたn個の切換スイッチ90(n) ,90(n-1) ,…,90(2) ,90(1) と各切換スイッチの切換位置を制御するためのレジスタ92とで構成している。
【0800】
各切換スイッチ90(i) の固定端子は各対応する重み定電流源88(i) のグランド側と反対側の端子に接続され、可動端子がレジスタ92の各対応する出力端子Y(i) より与えられる切換制御信号に応じて端子91もしくは93のいずれかに接続されるようになっている。端子91は、カレントミラー回路46の第2のトランジスタ44のエミッタ端子に接続されている。端子91には適当な電位(たとえば0ボルト)が与えられる。
【0810】
レジスタ92は、たとえばnビットのシリアル入力/パラレル出力のシフトレジスタで構成され、主制御部28からのnビットの電流値選択データISを格納し、このデータISの各桁のビットに対応する切換制御信号Y(i) を各切換スイッチ90(i) に与える。
【0820】
この構成例では、I/2n の分解能で0(アンペア)から(2n −1)・I/2n (アンペア)まで定電流源84の電流値IF (I2)つまりコンデンサ50の充電電流I1 を可変調整できる。
【0830】
図10に、Qスイッチパルスレーザ光LBQ の尖頭値を各パルス毎に制御するための主制御部28の機能的構成を示す。主制御部28は、パルス発生器32、パルス整形回路34あるいは変調パルス生成回路36より出力されるパルスSP(CP,MP)をカウンタ94で計数することで、次のパルスが何番目のものかを識別し、その次パルスに対応する電流設定値ISを設定値記憶部98に保持されている各種設定値(たとえば尖頭値の設定値)から演算で求め、求めた電流設定値ISをディジタルデータのまま、あるいはアナログ信号に変換したうえで、電流値選択部86に与える。
【0840】
上記した抵抗値可変方式(図4,図7)でも、主制御部28は図10のような構成を採ることができる。
【0850】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の固体レーザ装置によれば、カレントミラー回路により安定化された電流を用いて変調用パルス信号の立ち上げ時のアップスロープ勾配を制御するようにしたので、安定かつ高精度な可変制御が可能であり、Qスイッチパルスレーザ光の尖頭値を設定通りに制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるスキャニングマーキング用のQスイッチ型YAGレーザ加工装置の要部の構成を示すブロック図である。
【図2】実施例におけるQスイッチ制御部の回路構成を示すブロック図である。
【図3】実施例のQスイッチ制御部におけるパルス発生器、パルス整形回路および変調パルス生成回路の機能を説明するための各部の信号の波形を示す波形図である。
【図4】第1の実施例における変調パルス生成回路の回路構成を示す回路図である。
【図5】実施例の抵抗値可変型の抵抗回路における抵抗値と電流値との関係を示す図である。
【図6】実施例における変調パルス生成回路の作用を説明するための入力パルスおよび出力パルスの波形を示す図である。
【図7】第1の実施例における変調パルス生成回路の具体的な回路構成を示す回路図である。
【図8】第2の実施例における変調パルス生成回路の回路構成を示す回路図である。
【図9】第2の実施例における変調パルス生成回路の具体的な回路構成を示す回路図である。
【図10】Qスイッチパルスレーザ光の尖頭値を各パルス毎に制御するための実施例における主制御部の機能的構成を示すブロック図である。
【図11】音響光学Qスイッチの構成を示す図である。
【図12】YAGレーザ共振器の構成を示す斜視図である。
【図13】音響光学Qスイッチに供給する高周波電気信号をパルス信号で変調する方式を説明するための波形図である。
【図14】Qスイッチパルスレーザ光の尖頭値を制御するために変調用パルス信号の立ち上げ部にアップスロープ勾配を与える方式を説明するための波形図である。
【符号の説明】
18 Qスイッチ
19 YAGレーザ共振器(発振器)
24 Qスイッチ制御部
28 主制御部
46 カレントミラー回路
48 トランジスタ
50 コンデンサ
52 抵抗回路
53 抵抗値選択部
61 放電回路
74 パルス信号出力回路
84 定電流源
86 電流値選択部
[0010]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a Q-switch type solid-state laser device that oscillates and outputs a Q-switch pulse laser beam.
[0020]
[Prior art]
A solid-state laser device such as a YAG laser device can change continuous oscillation to high-speed repetitive pulse oscillation with a high peak output value by using a Q switch. The YAG laser device generally uses an acousto-optic Q switch that utilizes Bragg diffraction by ultrasonic waves.
[0030]
As shown in FIG. 11, the acousto-optic Q switch 100 includes a synthetic quartz glass 104 that is a polarizing medium having an entrance surface and an exit surface provided with an antireflection film 102, and an adhesive layer on one surface (bottom surface) of the quartz glass 104. A piezoelectric body 108 for generating ultrasonic waves and a high-frequency matching circuit 110 coupled via 106 are formed.
[0040]
When a high frequency electrical signal ES of 24 MHz, 50 W, for example, is given from the Q switch driver 112 to the piezoelectric body 108 via the matching circuit 110, the high frequency electrical signal ES is converted into an ultrasonic wave AS by the piezoelectric effect, and the ultrasonic wave AS is converted into the ultrasonic wave AS. Propagates through the quartz glass 104. Then, a periodic refractive index distribution is generated in the quartz glass 104 due to the photoelastic effect, and when the light LBi is incident at an appropriate angle, the incident light LBi is diffracted like LBR (acoustooptic effect). .
[0050]
FIG. 12 shows the configuration of the YAG laser resonator. A YAG rod 116 and an excitation lamp 118 are arranged in parallel at a pair of elliptical focal positions in the elliptical reflecting column 114. The output mirror 120 and the total reflection mirror 122 are disposed to face both end surfaces of the YAG rod 116, and the Q switch 100 is disposed between the one end surface of the YAG rod 116 and the output mirror 120.
[0060]
As described above, when the high frequency electrical signal ES is input to the Q switch 100 and the ultrasonic wave AS propagates in the quartz glass 104, a part of the laser light LBi from the YAG rod 116 is diffracted by the Q switch 100, and the laser resonator. Loss increases, the Q value decreases, and laser oscillation stops.
[0070]
However, even when the laser oscillation stops, the excitation of the YAG rod 116 by the excitation lamp 118 is continued, so that the inversion distribution in the YAG rod 116 (the excited state is higher than the number of atoms at a low energy level in the thermal equilibrium state). The ratio of the number of atoms at the energy level is increased). When the high frequency electric signal ES is cut off and the Q value is rapidly returned when this inversion distribution becomes sufficiently large, pulse oscillation occurs in the laser resonator, and a Q-switched pulsed laser beam LBQ having a very high peak output can be obtained. .
[0080]
In an actual application, an on period corresponding to the L level of the pulse signal MP modulated by the pulse signal MP having a desired frequency (modulation frequency) as shown in FIG. 13 and an off period corresponding to the H level of the pulse signal MP. Is supplied to the Q switch 100, whereby the Q switch pulse laser beam LBQ is oscillated and output at a repetition frequency equal to the modulation frequency.
[0090]
However, in such a Q-switch type solid-state laser device, the inversion distribution at the start of Q-switching immediately after that changes depending on the length of the on period of the high-frequency electrical signal ES, and the Q-switch pulse laser beam LBQ There is a characteristic that the peak value (laser output peak value) changes.
[0100]
For this reason, Q switching is performed in a state where the inversion distribution is generally saturated immediately after the start or restart of laser oscillation, whereas in the subsequent steady state, Q switching is generally performed before the inversion distribution reaches the saturation value. Since switching is performed, as shown in FIG. 13, the peak value of the first Q-switch pulse laser beam LBQ tends to be abnormally higher than that in the steady state.
[0110]
Such an undesired variation in the peak value of the Q-switched pulsed laser beam LBQ is an undesirable phenomenon because it causes variation in printed dots in an actual application such as a laser marking device.
[0120]
Therefore, various techniques have been devised conventionally for variably controlling the peak value of the Q-switch pulse laser beam LBQ. One of the methods is that, as shown in FIG. 14, the pulse of the pulse signal MP is not instantaneously raised from the L level to the H level, but an up-slope waveform having an appropriate gradient is used to generate a high-frequency electric signal. This is a method of turning off while attenuating the amplitude of the ES.
[0130]
According to this method, Q-switching pulse oscillation occurs when the amplitude of the high-frequency electrical signal ES divides a certain threshold value. The time until the amplitude of the high-frequency electrical signal ES divides the threshold value becomes longer as the slope or gradient of the up slope in the pulse signal MP is reduced (the loss of the inversion distribution at the start of Q switching is increased accordingly). The peak value of the Q switch pulse laser beam LBQ is lowered.
[0140]
When this method is used, as shown in FIG. 14, the peak value of the Q-switch pulse laser beam LBQ can be made constant immediately after the start or restart of laser oscillation. Alternatively, the peak value of a specific Q-switch pulse laser beam LBQ can be made higher or lower by a predetermined value than the other peak values in a steady state.
[0150]
In this type of conventional solid-state laser device, in order to realize the above-described method, a circuit for generating a modulation pulse signal is configured by an integration circuit composed of an operational amplifier, and is variable to the input or feedback loop of the operational amplifier. By providing a resistor and selecting the resistance value (that is, the integration constant) of this variable resistor to an appropriate value, the modulation pulse signal MP capable of variably controlling the upslope gradient is obtained.
[0160]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional solid-state laser device as described above, the integration constant in the integration circuit for generating the modulation pulse signal is likely to fluctuate due to the zero point fluctuation of the operational amplifier, and the up-slope gradient of the modulation pulse signal is stabilized. In addition, it is difficult to control with high accuracy, and as a result, it is difficult to freely control the peak value of the Q switch pulse laser beam LBQ. Further, if a correction circuit for increasing stability and accuracy is added around the operational amplifier, there is a problem that the entire circuit becomes complicated, expensive, and large.
[0170]
The present invention has been made in view of such problems, and controls the up-slope gradient at the time of startup of the modulation pulse signal stably and with high accuracy, and controls the peak value of the Q-switch pulse laser beam as set. An object of the present invention is to provide a solid-state laser device that can be used.
[0180]
Another object of the present invention is to provide a solid-state laser device that can control the peak value of Q-switched pulsed laser light as set with a simple configuration.
[0190]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, a Q switch is provided in a laser resonator and modulated by a pulse signal having a desired repetition frequency, A high frequency electrical signal having a constant frequency having an ON period corresponding to a logic value level of the pulse signal and an OFF period corresponding to a second logic value level of the pulse signal is supplied to the Q switch, and the first logic value of the pulse signal is supplied In the solid-state laser device that controls the peak value of the Q-switched pulsed laser light oscillated and output from the laser resonator by controlling the speed of transition from the level to the second logical value level, the repetition frequency And a reference pulse signal generating means for generating a rectangular reference pulse having a constant pulse width, and a first and second control terminal connected in common to each other. And a current mirror circuit having a second transistor, connected between a terminal of a first power supply voltage and the current mirror circuit, for inputting a reference pulse and for a time corresponding to a pulse width of the reference pulse. Switch means for conducting only the first power supply voltage to the current mirror circuit, a capacitor connected between a terminal of a second power supply voltage and the first transistor, and the second power supply A resistance value variable resistance circuit connected between a voltage terminal and the second transistor; resistance value selection means for selecting a resistance value of the resistance circuit to a desired value; A discharge means for forming a circuit, allowing the capacitor to be charged only for a time corresponding to a pulse width of the reference pulse, and discharging the capacitor after the end of the time; Characterized by comprising a pulse signal output means for outputting a voltage of capacitor as the pulse signal.
[0200]
According to a second aspect of the present invention, a Q switch is provided in the laser resonator, the ON period corresponding to the first logical value level of the pulse signal modulated by a pulse signal having a desired repetition frequency, and the pulse signal A high frequency electrical signal having a constant frequency having an off period corresponding to a second logic value level of the pulse signal is supplied to the Q switch, and the pulse signal is shifted from the first logic value level to the second logic value level. In the solid-state laser device that controls the peak value of the Q-switched pulsed laser light oscillated and output from the laser resonator by controlling the speed at which the laser resonator is controlled, the solid-state laser device has the repetition frequency and a constant pulse width. A reference pulse signal generating means for generating a reference pulse having a rectangular waveform and a first and second transistor having respective control terminals commonly connected to each other. A current mirror circuit, connected between a terminal of a first power supply voltage and the current mirror circuit, receiving the reference pulse and conducting only for a time corresponding to the pulse width of the reference pulse. Switch means for supplying the first power supply voltage, a capacitor connected between the terminal of the second power supply voltage and the first transistor, the terminal of the second power supply voltage, and the second power supply voltage. A constant current source of a variable current value type connected between the transistors, a current value selection means for selecting a current value of the constant current source to a desired value, and a closed circuit with the capacitor; Discharging means for allowing the capacitor to be charged only for a time corresponding to a pulse width of a reference pulse, discharging the capacitor after the end of the time, and a voltage of the capacitor as the pulse signal. Characterized by comprising a pulse signal output means for outputting Te.
[0210]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
[0220]
FIG. 1 shows a configuration of a main part of a Q-switch type YAG laser processing apparatus for scanning marking according to an embodiment of the present invention.
[0230]
In this YAG laser processing apparatus, the YAG rod 10, the excitation lamp 12, the output mirror 14, the total reflection mirror 16, and the Q switch 18 constitute a YAG laser resonator (oscillator) 19 similar to that shown in FIG.
[0240]
The excitation lamp 12 receives a direct current lamp current from the power supply circuit 20 and continuously emits light. The YAG rod 10 is excited by the light irradiated from the excitation lamp 12, and emits light in the axial direction from both end faces thereof. When the application of the high-frequency electrical signal ES is stopped in the Q switch 18, the light emitted from both end faces of the YAG rod 10 repeats reflection between the output mirror 14 and the total reflection mirror 16 through the Q switch 18 and resonates. After amplification, the output mirror 14 exits in the axial direction as Q-switched pulsed laser light LBQ. The Q-switch pulse laser beam LBQ emitted from the output mirror 14 is sent to the scanning unit 22 through a transmission optical system (not shown) such as a mirror or an optical fiber.
[0250]
The scanning unit 22 includes an optical scanning mechanism for scanning the beam spot of the Q switch pulse laser beam LBQ with a desired drawing pattern on the workpiece W, a scanning drive circuit, and the like.
[0260]
The Q switch 18 may be an acousto-optic Q switch having the same configuration and function as those shown in FIG. Therefore, the Q switch 18 diffracts the incident light LBi from the YAG rod 10 by the acoustooptic effect while the high frequency electrical signal ES is supplied from the Q switch driver 26 under the control of the Q switch control unit 24. (Increase the Q value) and increase the inversion distribution in the resonator, and when the supply of the high-frequency electric signal ES is cut off, the incident light LBi advances straight (returns the Q value) to the Q switch pulse laser It functions to oscillate and output the optical LBQ.
[0270]
The main control unit 28 is composed of a microcomputer, and in accordance with a required program stored in a built-in memory and various setting values set and inputted from the setting unit 30, the power supply circuit 20, the scanning unit 22, the Q switch control unit 24, etc. To control the operation.
[0280]
FIG. 2 shows a circuit configuration of the Q switch control unit 24 in the present embodiment. The Q switch control unit 24 includes a pulse generator 32, a pulse shaping circuit 34, a modulation pulse generation circuit 36, a high frequency oscillator 38, and a modulation circuit 40.
[0290]
The pulse generator 32 is composed of, for example, a VF (voltage-frequency) converter, receives the frequency control voltage VS from the main control unit 28, and outputs the pulse signal SP at a repetition frequency proportional to the voltage level of the control voltage VS. appear.
[0300]
As schematically shown in FIG. 3, in the pulse signal SP generated by the pulse generator 32, the pulse width TSP changes in inverse proportion to the repetition frequency. That is, the lower the repetition frequency, the larger the pulse width TSP, and the higher the repetition frequency, the smaller the pulse width TSP.
[0310]
The pulse shaping circuit 34 is composed of, for example, a one-shot multivibrator, receives the pulse signal SP from the pulse generator 32, and has a constant pulse width TW in response to the rising edge of the pulse signal SP as shown in FIG. The pulse signal CP is output.
[0320]
In the present embodiment, the pulse generator 32 and the pulse shaping circuit 34 constitute reference pulse signal generation means, and the pulse signal CP having a constant pulse width output from the pulse shaping circuit 34 becomes the reference pulse.
[0330]
In FIG. 3, the level of the frequency control voltage VS with respect to the pulse generator 32 is monotonically increased with time in order to explain the function of the reference pulse signal generation means in this embodiment. The frequency control voltage VS is selected at a voltage level corresponding to the set value of the repetition frequency of the pulse laser beam LBQ.
[0340]
The modulation pulse generation circuit 36 receives the pulse signal CP from the pulse shaping circuit 34, synchronizes with the pulse signal CP as schematically shown in FIG. 3, and varies the gradient (speed) of the rising portion for each pulse. A pulse signal MP for modulation that can be controlled is generated. The modulation pulse generation circuit 36 is a main feature of the present embodiment, and its configuration and operation will be described in detail later.
[0350]
The modulation circuit 40 receives the modulation pulse signal MP from the modulation pulse generation circuit 36, and also inputs, as a carrier wave, a high-frequency electrical signal ES0 that is continuously output from the high-frequency oscillator 38, for example, at 24 MHz and 50 W. The high frequency electrical signal ES0 is modulated with the pulse signal MP in the same manner as shown in FIG. 14 to generate the high frequency electrical signal ES for Q switching.
[0360]
These three signals MP, ES0, ES have the following relationship. That is, ES is on (output) period while MP is at L level and ES0 is output as ES as it is, and ES is off (interruption) period when MP is at H level. ES0 is cut off and the amplitude of ES becomes zero level. When the MP rises from the L level to the H level and the ES switches from the ON period to the OFF period in response to this, the ES rises with the magnitude of the rising speed of the MP, that is, the decay rate proportional to the upslope gradient. Amplitude is attenuated.
[0370]
The Q switch driver 26 may be a power amplifier type drive circuit having the same configuration and function as shown in FIG. 11, and amplifies the high frequency electric signal ES from the modulation circuit 40 and supplies it to the Q switch 18.
[0380]
FIG. 4 shows a circuit configuration of the modulation pulse generating circuit 36 in the first embodiment.
[0390]
In this modulation pulse generation circuit 36, a pair of PNP transistors 42 and 44 whose base terminals are connected in common constitute a current mirror circuit 46.
[0400]
The emitter terminals of both transistors 42 and 44 are commonly connected to each other, and are electrically connected to a terminal of a power supply voltage VB (first power supply voltage) of, for example, +5 V via an NPN transistor 48. The collector terminal of the first transistor 42 is connected to the terminal of the ground potential (second power supply voltage) via the capacitor 50. The collector terminal of the second transistor 44 is connected to a ground potential terminal via a resistance circuit 52 having a variable resistance value.
[0410]
The resistance circuit 52 is electrically, optically, or mechanically connected to the resistance value selection unit 53, and the resistance value selection means 53 responds to the resistance value selection signal RS from the main control unit 28 and the resistance value selection unit 53 determines the resistance value of the resistance circuit 52. RF is selected or switched to a desired value.
[0420]
A commonly connected base terminal of both transistors 42 and 44 is connected to the collector terminal of the second transistor 44 and to the emitter terminal of the transistor 48 via the capacitor 54.
[0430]
The transistor 48 is a switch that inputs the reference pulse CP from the pulse shaping circuit 34 to the base terminal via the resistor 56 and is conductive only while the reference pulse CP is at the H level. When the transistor 48 is turned on, the power supply voltage VB is supplied to the current mirror circuit 46 through this transistor.
[0440]
A discharge circuit 61 composed of a diode 58 and a resistor 60 is connected to the capacitor 50 so as to form a closed circuit. More specifically, the anode terminal of the diode 58 is connected to the terminal 50 a opposite to the ground side of the capacitor 50, the cathode terminal is connected to the emitter terminal of the transistor 48, and the ground side terminal of the capacitor 50 is connected via the resistor 60. 50b.
[0450]
The terminal 50 a of the capacitor 50 is also connected to the base terminal of the NPN transistor 64 through the resistor 62. The transistor 64 is Darlington-connected to the NPN transistor 66, and a pulse signal output circuit 74 is constituted by the transistors 64 and 66, the bias resistors 68 and 70, and the load resistor 72.
[0460]
Next, the operation of the modulation pulse generation circuit 36 configured as described above will be described with reference to FIGS.
[0470]
While the reference pulse CP supplied from the pulse shaping circuit 34 is at the L level, the transistor switch 48 is in an off (cut-off) state, and no current flows through the current mirror circuit 46. The capacitor 50 has almost no charge, and its voltage (potential of the terminal 50a) Vc is almost 0 V (L level). In the pulse signal output circuit 74, both the amplifying transistors 64 and 66 are in the OFF state, and the modulation output pulse signal MP obtained from the emitter terminal of the transistor 66 is substantially 0 V (L level).
[0480]
When the reference pulse CP changes from L level to H level, the transistor switch 48 is turned on (conductive). The change (rise) of the reference pulse CP from the L level to the H level is based on the gradient of the rise (up slope portion) from the L level to the H level of the modulation pulse signal MP to be controlled in this embodiment. If you look at it, you can almost instantaneously move at a right angle (90 °).
[0490]
When the transistor switch 48 is turned on, the power supply voltage VB is supplied to the current mirror circuit 46 via the transistor 48, both transistors 42 and 44 are turned on simultaneously, and collector currents I1 and I2 begin to flow, respectively. At this time, the capacitor 54 applies a voltage between the emitter and base of both the transistors 42 and 44 immediately after the transistor 48 is turned on, and acts to accelerate (promote) the turning on of both the transistors 42 and 44.
[0500]
When the transistor 44 is turned on, a current I2 flows through a current path passing through the transistor 44 and the resistance circuit 52 to the ground potential. As shown in FIG. 5, there is a constant inverse proportional relationship between the resistance value RF of the resistance circuit 52 and the current I2. Based on the resistance-current characteristics, the main control section 28 selects the resistance value RF of the resistance circuit 52 to a predetermined value via the resistance value selection section 53 so that the current I2 flows at a desired current value.
[0510]
In this way, when the current I2 flows in a desired current value in the current path on the transistor 44 side, the current I1 flows in the current path on the transistor 42 side with a current value equal to the current I2 due to the current mirror effect. Most of the current I1 is supplied to the capacitor 50. A portion of the current I1 that flows to the base terminal of the transistor 64 of the pulse signal output circuit 74 is relatively very small and can be ignored.
[0520]
As a result, the capacitor 50 is charged with a substantially constant current I1, and its voltage VC rises almost linearly according to the following equation (1).
VC = I1 t / C (1)
[0530]
Here, C is a capacitance (farad) of the capacitor 50, and t is an elapsed time (seconds) after the switch transistor 48 is turned on.
[0540]
When the voltage VC of the capacitor 50 reaches a predetermined level near the power supply voltage VB, the diode 58 becomes conductive in the discharge circuit 61, and the electric charge overflowing from the capacitor 50 is discharged to the ground through the diode 58 and the resistor 60. When the discharge charge amount and the charge amount by the current I1 are balanced, the voltage VC of the capacitor 50 becomes a flat level (H level).
[0550]
The pulse signal output circuit 74 inputs the voltage VC of the capacitor 50 through the resistor 62, amplifies the voltage by both transistors 64 and 66, and outputs an output voltage having a waveform similar to the voltage VC as the pulse signal MP.
[0560]
Thereafter, when the reference pulse CP changes from the H level to the L level on the input side, the transistor switch 48 is turned off, and the terminal of the power supply voltage VB and the current mirror circuit 46 are cut off. As a result, in the current mirror circuit 46, the currents I1 and I2 are stopped in both the transistors 42 and 44.
[0570]
Then, charging of the capacitor 50 is stopped, and all the electric charge accumulated in the capacitor 50 is instantaneously discharged by the discharge circuit 61 (58, 60), and the capacitor voltage VC is instantaneously changed from the previous H level to the L level (0 volts). ). In response to this, the output voltage (pulse signal MP) of the pulse signal output circuit 74 also falls rapidly from the H level to the L level.
[0580]
In this way, as shown in FIG. 6, the modulation pulse generating circuit 36 generates a modulation pulse signal MP that is synchronized with a rectangular waveform input pulse (reference pulse CP) and that can variably control the up-slope gradient θ at the time of rising. can get.
[0590]
In this modulation pulse generation circuit 36, the upslope gradient θ of the pulse signal MP is defined by the coefficient (I1 / C) of the above equation (1), and I1 is a parameter (variable). In order to variably control I1, the main controller 28 selects the appropriate resistance value RF of the resistor circuit 52 that defines I2 equal to this value via the resistance value selector 53. .
[0600]
As shown in FIGS. 5 and 6, by selecting the resistance value RF of the resistance circuit 52 to a relatively small value Ra, the up slope gradient θ is set to a relatively large value θa, and the resistance value RF is selected to a relatively large value Rb. Thus, the upslope gradient θ can be set to a relatively small value θb.
[0610]
As described above, the modulation pulse generation circuit 36 of the present embodiment is provided with the current mirror circuit 46, and the current path on the first transistor 42 side of the pair of transistors 42 and 44 constituting the current mirror circuit 46 is provided. A capacitor 50 is connected to the current path on the second transistor 44 side, and a resistance value variable resistance circuit 52 is connected to the current path on the second transistor 44 side. Also provided is a switch means comprising a transistor 48 for operating the current mirror circuit 46 only during the pulse time of the reference pulse CP.
[0620]
Then, the resistance value RF of the resistance circuit 52 is selected to an appropriate value by the main control unit 28 via the resistance value selection unit 53, so that the current path on the second transistor 44 side during the pulse time of the reference pulse CP. The current I2 flowing in the current transistor, and the current I1 flowing in the current path on the first transistor 42 side having the same magnitude due to the current mirror effect, is selected as a desired current value, and the rising gradient (speed) of the charging voltage of the capacitor 50 is The desired size is controlled.
[0630]
The voltage VC of the capacitor 50 has a pulse waveform synchronized with the reference pulse CP by the discharge circuit 61 including the diode 58 and the resistor 60. The voltage VC of the capacitor 50 is amplified by the pulse signal output circuit 74 and output as a modulation pulse signal MP.
[0640]
As described above, in this embodiment, the up-slope gradient at the rising edge of the modulation pulse signal MP is controlled by using the stable current I1 (I2) in the current mirror circuit 46 as a parameter, so that stable and highly accurate control is possible. It is possible to control the peak value of the Q-switch pulse laser beam as set.
[0650]
FIG. 7 shows a specific circuit configuration example of the resistance circuit 52 and the resistance value selection unit 53 in the present embodiment. In this example, the resistance circuit 52 includes three resistors 74, 76, and 78 connected in series, and the resistance value selection unit 53 includes analog switches 80 and 82 that are connected in parallel to the resistors 76 and 78, respectively. .
[0660]
The analog switches 80 and 82 are on / off controlled by resistance value selection signals RS1 and RS2 from the main control unit 28, respectively. Assuming that the resistance values of the resistors 74, 76, and 78 are R74, R76, and R78, when both the switches 80 and 82 are turned off, the resistance value R53 of the resistor circuit 52 is given by (R74 + R76 + R78). When the switch 80 is turned on and the switch 82 is turned off, the resistance value R53 of the resistance circuit 52 becomes (R74 + R78). When the switch 80 is turned off and the switch 82 is turned on, the total resistance value R53 becomes (R74 + R76). When both the switches 80 and 82 are turned on, the total resistance value R53 is R74.
[0670]
In this way, in this configuration example, the resistance value R53 of the resistance circuit 52 can be selected from four values (R74 + R76 + R78), (R74 + R76), (R74 + R78), and R74. Therefore, the modulation pulse signal MP The up-slope gradient at the time of rising or the peak value of the Q-switch pulse laser beam can be variably controlled to four values.
[0680]
In general, in laser marking processing, as shown in FIG. 13, the first one or several Q-switched pulsed laser beams LBQ immediately after the start or restart of laser oscillation are abnormally higher than those at normal times. Has been. That is, there is a problem that the dots near the marking start point are formed abnormally larger than the dots at the subsequent drawing points.
[0690]
In order to deal with such a problem, only the up slope slope θ of the modulation pulse signal MP corresponding to the first to several Q-switch pulse laser beams LBQ may be set to a relatively small value. The up-slope gradient θ of the modulation pulse signal MP corresponding to the Q switch pulse laser beam LBQ may be a constant value. Therefore, if there is a function capable of selecting the upslope gradient θ with four values, it can be sufficiently handled. In that sense, the example of FIG. 7 has a simple circuit configuration and excellent practicality.
[0700]
Of course, the resistor circuit 52 is configured by a more complicated resistor network such as a ladder resistor network or a weight resistor network, and the switch element of the resistance value selecting unit 53 is provided at a required branch in the resistor circuit network. It is possible to increase the resolution of the resistance value RF of the resistance circuit 52 and hence the resolution of the upslope gradient θ of the modulation pulse signal MP.
[0710]
The resistance circuit 52 is composed of a resistance element such as a CdS element whose resistance value changes depending on the light irradiation intensity, and the resistance value selection unit 53 is a light emitting element such as an LED for irradiating the CdS element with light. By configuring the LED with a variable current source for supplying a drive current that can be variably controlled, the resistance value R F of the resistance circuit 52 and thus the up-slope gradient θ of the modulation pulse signal MP can be continuously variably controlled. it can.
[0720]
FIG. 8 shows a circuit configuration of a modulation pulse generation circuit 36 according to another embodiment. In the figure, parts having the same configuration and function as those in FIG.
[0730]
In the second embodiment, in the circuit configuration of FIG. 4, the variable resistance type resistance circuit 52 is replaced with a variable current value type constant current source 84, and the constant current source 84 is replaced with the resistance value selection unit 53. A current value selection unit 86 is provided for appropriately selecting the current value IF.
[0740]
In the modulation pulse generating circuit 36 according to the second embodiment, both the transistors 42 and 44 of the current mirror circuit 46 are in the off state while the switch transistor 48 is in the off state, so that the constant current source 84 is also in the inactive state. Current IF is not applied.
[0750]
When the switch transistor 48 is turned on in response to the reference pulse CP and both the transistors 42 and 44 of the current mirror circuit 46 are also turned on, the constant current source 84 changes to an active state, and a predetermined constant current IF flows.
[0760]
As a result, in the current mirror circuit 46, the same current I2 as the constant current IF flows in the current path on the second transistor 44 side, and the constant current IF (I2) in the current path on the first transistor 42 side by the current mirror effect. Current I1 equal to. Other operations are the same as in the embodiment of FIG.
[0770]
In this embodiment, the currents I1 and I2 flowing in the current mirror circuit 46 are controlled strictly constant by the constant current source 84, and the linearity of the rising voltage of the capacitor 50 can be controlled strictly constant. In addition, it is possible to variably control the up-slope gradient θ of the modulation pulse signal MP and the peak value of the Q-switch pulse laser beam LBQ with high accuracy.
[0780]
FIG. 9 shows a specific configuration example of the constant current source 84 and the current value selector 86 in the embodiment of FIG.
[0790]
In this configuration example, each constant current source 84 is set to I / 2. n , I / 2 n-1 ,..., I / 4, I / 2 weight constant current sources 88 (n), 88 (n-1), ..., 88 (2), 88 (1). , 90 (n), 90 (2), 90 (1) and n changeover switches 90 (n), 90 (n-1),. It consists of a register 92 for controlling the switching position of the switch.
[0800]
The fixed terminal of each changeover switch 90 (i) is connected to the terminal opposite to the ground side of each corresponding weighted constant current source 88 (i), and the movable terminal is connected to each corresponding output terminal Y (i) of the register 92. It is connected to either the terminal 91 or 93 according to the switching control signal given. The terminal 91 is connected to the emitter terminal of the second transistor 44 of the current mirror circuit 46. An appropriate potential (for example, 0 volts) is applied to the terminal 91.
[0810]
The register 92 is composed of, for example, an n-bit serial input / parallel output shift register, stores n-bit current value selection data IS from the main control unit 28, and switches corresponding to the bits of each digit of the data IS. A control signal Y (i) is given to each changeover switch 90 (i).
[0820]
In this configuration example, I / 2 n Resolution from 0 (ampere) to (2 n -1) ・ I / 2 n The current value IF (I2) of the constant current source 84, that is, the charging current I1 of the capacitor 50 can be variably adjusted up to (ampere).
[0830]
FIG. 10 shows a functional configuration of the main control unit 28 for controlling the peak value of the Q-switched pulsed laser beam LBQ for each pulse. The main control unit 28 counts the pulse SP (CP, MP) output from the pulse generator 32, the pulse shaping circuit 34, or the modulation pulse generation circuit 36 with the counter 94, so that what number is the next pulse. And the current setting value IS corresponding to the next pulse is obtained by calculation from various setting values (for example, peak value setting values) held in the setting value storage unit 98, and the obtained current setting value IS is digitally calculated. The data is supplied to the current value selector 86 as it is or after being converted into an analog signal.
[0840]
Even in the above-described variable resistance method (FIGS. 4 and 7), the main control unit 28 can adopt the configuration shown in FIG.
[0850]
【The invention's effect】
As described above, according to the solid-state laser device of the present invention, the up-slope gradient at the time of rising of the modulation pulse signal is controlled using the current stabilized by the current mirror circuit, so that the stable and High-precision variable control is possible, and the peak value of the Q-switch pulse laser beam can be controlled as set.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a main part of a Q-switch type YAG laser processing apparatus for scanning marking according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram illustrating a circuit configuration of a Q switch control unit in the embodiment.
FIG. 3 is a waveform diagram showing signal waveforms of respective units for explaining functions of a pulse generator, a pulse shaping circuit, and a modulation pulse generating circuit in the Q switch control unit of the embodiment.
FIG. 4 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a modulation pulse generating circuit in the first embodiment.
FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between a resistance value and a current value in the resistance value variable resistance circuit of the example.
FIG. 6 is a diagram showing waveforms of an input pulse and an output pulse for explaining the operation of the modulation pulse generation circuit in the embodiment.
FIG. 7 is a circuit diagram showing a specific circuit configuration of a modulation pulse generating circuit in the first embodiment.
FIG. 8 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a modulation pulse generating circuit in a second embodiment.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a specific circuit configuration of a modulation pulse generating circuit according to a second embodiment.
FIG. 10 is a block diagram showing a functional configuration of a main control unit in an embodiment for controlling the peak value of the Q-switch pulse laser beam for each pulse.
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of an acousto-optic Q switch.
FIG. 12 is a perspective view showing a configuration of a YAG laser resonator.
FIG. 13 is a waveform diagram for explaining a method of modulating a high-frequency electrical signal supplied to an acousto-optic Q switch with a pulse signal.
FIG. 14 is a waveform diagram for explaining a method of giving an up slope to a rising portion of a modulation pulse signal in order to control a peak value of a Q-switch pulse laser beam.
[Explanation of symbols]
18 Q switch
19 YAG laser resonator (oscillator)
24 Q switch controller
28 Main control unit
46 Current mirror circuit
48 transistors
50 capacitors
52 Resistance circuit
53 Resistance value selector
61 Discharge circuit
74 Pulse signal output circuit
84 Constant current source
86 Current value selector

Claims (2)

レーザ共振器内にQスイッチを設け、所望の繰り返し周波数を有するパルス信号で変調されて前記パルス信号の第1の論理値レベルに応じたオン期間と前記パルス信号の第2の論理値レベルに応じたオフ期間とを有する一定周波数の高周波電気信号を前記Qスイッチに供給し、前記パルス信号の第1の論理値レベルから第2の論理値レベルへ移行する速度を制御することにより、前記レーザ共振器より発振出力されるQスイッチパルスレーザ光の尖頭値を制御するようにした固体レーザ装置において、
前記繰り返し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有する矩形波形の基準パルスを生成する基準パルス信号生成手段と、
それぞれの制御端子を互いに共通接続された第1および第2のトランジスタを有するカレントミラー回路と、
第1の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間に接続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルスのパルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレントミラー回路に前記第1の電源電圧を供給せしめるスイッチ手段と、
第2の電源電圧の端子と前記第1のトランジスタとの間に接続されたコンデンサと、
前記第2の電源電圧の端子と前記第2のトランジスタとの間に接続された抵抗値可変型の抵抗回路と、
前記抵抗回路の抵抗値を所望の値に選択するための抵抗値選択手段と、
前記コンデンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパルス幅に対応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可能とし、前記時間の終了後に前記コンデンサを放電させる放電手段と、
前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出力するパルス信号出力手段とを具備することを特徴とする固体レーザ装置。
A Q switch is provided in the laser resonator, and is modulated by a pulse signal having a desired repetition frequency, and is turned on according to the first logic value level of the pulse signal and according to the second logic value level of the pulse signal. A high frequency electrical signal having a constant frequency having an off period is supplied to the Q switch, and the laser resonance is controlled by controlling a speed at which the pulse signal shifts from a first logic value level to a second logic value level. In the solid-state laser device that controls the peak value of the Q-switched pulsed laser light that is oscillated and output from the device,
A reference pulse signal generating means for generating a reference pulse having a rectangular waveform having the repetition frequency and a constant pulse width;
A current mirror circuit having first and second transistors having respective control terminals commonly connected to each other;
Connected between a terminal of a first power supply voltage and the current mirror circuit, inputs the reference pulse, and conducts only for a time corresponding to the pulse width of the reference pulse, and then supplies the current mirror circuit to the first current mirror circuit. Switch means for supplying the power supply voltage of
A capacitor connected between a terminal of a second power supply voltage and the first transistor;
A variable resistance type resistance circuit connected between a terminal of the second power supply voltage and the second transistor;
Resistance value selection means for selecting a resistance value of the resistance circuit to a desired value;
A discharging means for forming a closed circuit with the capacitor, allowing the capacitor to be charged only for a time corresponding to a pulse width of the reference pulse, and discharging the capacitor after the end of the time;
A solid-state laser device comprising pulse signal output means for outputting the voltage of the capacitor as the pulse signal.
レーザ共振器内にQスイッチを設け、所望の繰り返し周波数を有するパルス信号で変調されて前記パルス信号の第1の論理値レベルに応じたオン期間と前記パルス信号の第2の論理値レベルに応じたオフ期間とを有する一定周波数の高周波電気信号を前記Qスイッチに供給し、前記パルス信号の第1の論理値レベルから第2の論理値レベルへ移行する速度を制御することにより、前記レーザ共振器より発振出力されるQスイッチパルスレーザ光の尖頭値を制御するようにした固体レーザ装置において、
前記繰り返し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有する矩形波形の基準パルスを生成する基準パルス信号生成手段と、
それぞれの制御端子を互いに共通接続された第1および第2のトランジスタを有するカレントミラー回路と、
第1の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間に接続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルスのパルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレントミラー回路に前記第1の電源電圧を供給せしめるスイッチ手段と、
第2の電源電圧の端子と前記第1のトランジスタとの間に接続されたコンデンサと、
前記第2の電源電圧の端子と前記第2のトランジスタとの間に接続された電流値可変型の定電流源と、
前記定電流源の電流値を所望の値に選択するための電流値選択手段と、
前記コンデンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパルス幅に対応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可能とし、前記時間の終了後に前記コンデンサを放電させる放電手段と、
前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出力するパルス信号出力手段とを具備することを特徴とする固体レーザ装置。
A Q switch is provided in the laser resonator, and is modulated by a pulse signal having a desired repetition frequency, and is turned on according to the first logic value level of the pulse signal and according to the second logic value level of the pulse signal. A high frequency electrical signal having a constant frequency having an off period is supplied to the Q switch, and the laser resonance is controlled by controlling a speed at which the pulse signal shifts from a first logic value level to a second logic value level. In the solid-state laser device that controls the peak value of the Q-switched pulsed laser light that is oscillated and output from the device,
A reference pulse signal generating means for generating a reference pulse having a rectangular waveform having the repetition frequency and a constant pulse width;
A current mirror circuit having first and second transistors having respective control terminals commonly connected to each other;
Connected between a terminal of a first power supply voltage and the current mirror circuit, inputs the reference pulse, and conducts only for a time corresponding to the pulse width of the reference pulse, and then supplies the current mirror circuit to the first current mirror circuit. Switch means for supplying the power supply voltage of
A capacitor connected between a terminal of a second power supply voltage and the first transistor;
A current value variable type constant current source connected between the terminal of the second power supply voltage and the second transistor;
Current value selection means for selecting a current value of the constant current source to a desired value;
A discharging means for forming a closed circuit with the capacitor, allowing the capacitor to be charged only for a time corresponding to a pulse width of the reference pulse, and discharging the capacitor after the end of the time;
A solid-state laser device comprising pulse signal output means for outputting the voltage of the capacitor as the pulse signal.
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US7897895B2 (en) * 2006-05-01 2011-03-01 General Electric Company System and method for controlling the power level of a laser apparatus in a laser shock peening process
WO2012153459A1 (en) 2011-05-11 2012-11-15 富士電機株式会社 Drive circuit for insulated-gate-type switching element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103560392A (en) * 2013-09-17 2014-02-05 中北大学 Driving power supply of linear acousto-optic modulator with 256 grey levels
CN103560392B (en) * 2013-09-17 2016-04-06 中北大学 One has 256 grades of linear Acousto-Optic Modulator Drivers of gray scale

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