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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号経路を不要な信号が通過することを阻止するためのトラップ回路、およびこのトラップ回路を含み、携帯電話等の通信装置において送信信号および受信信号を処理するフロントエンドモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、複数の周波数帯域(マルチバンド)に対応可能な携帯電話が実用化されている。時分割多重接続方式で複数の周波数帯域に対応可能な携帯電話におけるフロントエンドモジュールとしては、送信信号と受信信号の切り替えを高周波スイッチを用いて行うものが知られている。このようなフロントエンドモジュールは、例えばアンテナスイッチモジュールまたは高周波スイッチモジュールと呼ばれる。
【0003】
特許文献1には、GSM(Global System for Mobile Communications)方式とDCS(Digital Cellular System)方式とに対応可能な高周波スイッチモジュールが記載されている。
【0004】
また、特許文献2には、DCS方式とPCS(Personal Communications Service)方式とGSM方式とに対応可能な高周波スイッチモジュールが記載されている。
【0005】
一般的に、複数の周波数帯域に対応可能な高周波スイッチモジュールは、高周波信号を入力または出力するためのポートとして、アンテナに接続されるアンテナポートと、各周波数帯域毎の送信信号を入力する送信信号ポートと、各周波数帯域毎の受信信号を出力する受信信号ポートとを備えている。高周波スイッチモジュールは、更に、アンテナポートに接続され、複数の周波数帯域を分離するダイプレクサと、各周波数帯域における送信信号と受信信号の切り替えを行う複数の高周波スイッチとを備えている。ダイプレクサは、ローパスフィルタとハイパスフィルタを有している。高周波スイッチは、ダイプレクサと送信信号ポートと受信信号ポートとに接続される。高周波スイッチとしては、PINダイオードを利用したものや、GaAsスイッチを利用したものが主に用いられている。
【0006】
高周波スイッチモジュールでは、1つのポートより入力または出力される信号が他のポートに漏れ込むことを防止するために、各ポート間のアイソレーション(分離)を充分に確保することが重要である。高周波スイッチモジュールにおける各ポート間のアイソレーションは、ダイプレクサのローパスフィルタまたはハイパスフィルタにおける通過阻止帯域に対する減衰量と、高周波スイッチのポート間のアイソレーション特性に依存する。また、高周波スイッチモジュールでは、挿入損失を低減することも重要である。
【0007】
ここで、図6ないし図8を参照して、従来の高周波スイッチのポート間のアイソレーション特性の改善方法について説明する。図6は、高周波スイッチの構成の一例を示す回路図である。この高周波スイッチは、3つのポート301〜303と、制御端子304とを有している。高周波スイッチは、更に、アノードがポート302に接続され、カソードがポート301に接続されたダイオード305と、一端がダイオード305のアノードに接続されたインダクタ306と、一端がインダクタ306の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ307とを有している。制御端子304は、インダクタ306とキャパシタ307との接続点に接続されている。高周波スイッチは、更に、一端がポート301に接続され、他端がポート303に接続された1/4波長の長さの分布定数線路(以下、λ/4線路と記す。)308と、アノードがλ/4線路308の他端に接続されたダイオード309と、一端がダイオード309のカソードに接続され、他端が接地されたキャパシタ310と、一端がダイオード309のカソードに接続され、他端が接地された抵抗器311とを有している。ダイオード305,309としては、例えばPINダイオードが用いられる。λ/4線路308の長さの基準となる波長は、ポート302より入力または出力される信号の波長またはその近傍の波長である。
【0008】
図6に示した高周波スイッチでは、制御端子304に印加される制御信号がハイレベルのときには、2つのダイオード305,309が共に導通状態となり、ポート301にポート302が接続される。なお、ダイオード309が導通状態となることにより、λ/4線路308は1/4波長ショートスタブを構成する。その結果、ポート302より入力または出力される信号の周波数において、ポート301とダイオード305とλ/4線路308の接続点から見てポート303側のインピーダンスは大きくなる。一方、制御端子304に印加される制御信号がローレベルのときには、2つのダイオード305,309が共に非導通状態となり、ポート301にポート303が接続される。
【0009】
図7は、アイソレーション特性を改善した高周波スイッチの構成の一例を示す回路図である。図7に示した高周波スイッチは、図6に示した高周波スイッチにおけるポート301とダイオード305との間にダイオード312を挿入した構成になっている。ダイオード312のアノードはダイオード305のカソードに接続され、ダイオード312のカソードはポート301に接続されている。このように、2つのダイオード305,312を直列に接続してアイソレーション特性を改善する技術は、例えば非特許文献1に記載されている。
【0010】
図8は、アイソレーション特性を改善した高周波スイッチの構成の他の例を示す回路図である。図8に示した高周波スイッチは、図6に示した高周波スイッチにおけるλ/4線路308とポート303との間にλ/4線路313を挿入すると共に、ダイオード314、キャパシタ315および抵抗器316を設けた構成になっている。λ/4線路313の一端は、λ/4線路308とダイオード309との接続点に接続され、λ/4線路313の他端はポート303に接続されている。ダイオード314のアノードはλ/4線路313の他端に接続されている。キャパシタ315の一端はダイオード314のカソードに接続され、キャパシタ315の他端は接地されている。抵抗器316の一端はダイオード314のカソードに接続され、抵抗器316の他端は接地されている。このように、λ/4線路とシャントダイオードとを含む回路を縦続接続してアイソレーション特性を改善する技術は、例えば非特許文献2に記載されている。
【0011】
【特許文献1】
特開2000−49651号公報
【特許文献2】
特許第3304898号公報
【非特許文献1】
吉田武著,「高周波回路設計ノウハウ」,CQ出版株式会社,1985年7月20日,p.200
【非特許文献2】
「トランジスタ技術2000年7月号」,CQ出版株式会社,p.289
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
図7、図8に示した各技術によれば、高周波スイッチのアイソレーションを改善することができる。しかしながら、各技術には以下のような問題点がある。まず、図7に示した技術では、直列に接続されたダイオードが3個必要になる。各々のダイオードを導通状態にするためには、アノード−カソード間の電位差として0.6〜0.8Vが必要となる。そのため、3つのダイオードを導通状態にするためには、最低でも1.8〜2.4Vの電圧が必要になる。近年の携帯電話は、動作の持続性向上のために、動作電圧の低減が望まれている。図7に示した技術は、動作電圧を低減するのに適していないという問題点がある。
【0013】
また、図8に示した技術では、図6に示した回路に比べて、λ/4線路313の導体損失の分だけ、ポート301,303間の挿入損失が増加するという問題点がある。
【0014】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、挿入損失を大きくすることなく、信号経路を不要な信号が通過することを阻止することのできるトラップ回路、およびこのトラップ回路を含み、挿入損失を大きくすることなく、各ポート間のアイソレーションを改善できるようにしたフロントエンドモジュールを提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明のトラップ回路は、信号経路を不要な信号が通過することを阻止するための回路であって、
印加される制御信号に応じて導通状態と非導通状態が選択され、且つ導通状態においてインダクタンス成分を有する半導体スイッチ素子と、
半導体スイッチ素子に対して直列に接続され、半導体スイッチ素子が導通状態のときに、半導体スイッチ素子のインダクタンス成分と共に直列共振回路を構成するキャパシタとを備え、
信号経路とグランドとを接続するように配置されるものである。
【0016】
本発明のトラップ回路では、半導体スイッチ素子が導通状態のときにのみ、半導体スイッチ素子のインダクタンス成分とキャパシタとによって直列共振回路が構成され、この直列共振回路によって、信号経路とグランドとが接続される。これにより、信号経路において、直列共振回路の共振周波数近傍の周波数の信号が減衰される。
【0017】
本発明のトラップ回路において、半導体スイッチ素子はPINダイオードであってもよい。
【0018】
また、本発明のトラップ回路において、直列共振回路の共振周波数は、トラップ回路によって通過を阻止する信号の周波数帯域内に設定されていてもよい。
【0019】
本発明のフロントエンドモジュールは、アンテナに接続されるアンテナポートと、それぞれ特定の周波数帯域の送信信号または受信信号を入力または出力する複数の信号ポートと、アンテナポートに接続される信号ポートを切り替える切替回路と、1つの信号ポートと切替回路の間の信号経路とグランドとを接続するように配置され、他の信号ポートを通過する信号が信号経路を通過することを阻止するためのトラップ回路とを備えている。
【0020】
トラップ回路は、印加される制御信号に応じて導通状態と非導通状態が選択され、且つ導通状態においてインダクタンス成分を有する半導体スイッチ素子と、半導体スイッチ素子に対して直列に接続され、半導体スイッチ素子が導通状態のときに、半導体スイッチ素子のインダクタンス成分と共に直列共振回路を構成するキャパシタとを有している。
【0021】
本発明のフロントエンドモジュールでは、トラップ回路の半導体スイッチ素子が導通状態のときにのみ、半導体スイッチ素子のインダクタンス成分とキャパシタとによって直列共振回路が構成され、この直列共振回路によって、1つの信号ポートと切替回路の間の信号経路とグランドとが接続される。これにより、信号経路において、直列共振回路の共振周波数近傍の周波数の信号が減衰される。
【0022】
本発明のフロントエンドモジュールにおいて、半導体スイッチ素子はPINダイオードであってもよい。
【0023】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、直列共振回路の共振周波数は、トラップ回路によって通過を阻止する信号の周波数帯域内に設定されていてもよい。
【0024】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、制御信号は、トラップ回路が設けられた信号ポート以外の信号ポートがアンテナポートに接続されるときに半導体スイッチ素子を導通状態とするものであってもよい。
【0025】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、複数の信号ポートは、それぞれ特定の周波数帯域の送信信号を入力する複数の送信信号ポートと、それぞれ特定の周波数帯域の受信信号を出力する複数の受信信号ポートとを含んでいてもよい。
【0026】
また、本発明のフロントエンドモジュールは、更に、切替回路およびトラップ回路を集積するための1つの集積用多層基板を備えていてもよい。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
始めに、本発明の第1の実施の形態に係るフロントエンドモジュールおよびトラップ回路について説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、E−GSM(Extended GSM)方式の送信信号および受信信号と、DCS方式の送信信号および受信信号と、PCS方式の送信信号および受信信号とを処理するモジュールである。
【0028】
E−GSM方式の送信信号の周波数帯域は880MHz〜915MHzである。E−GSM方式の受信信号の周波数帯域は925MHz〜960MHzである。DCS方式の送信信号の周波数帯域は1710MHz〜1785MHzである。DCS方式の受信信号の周波数帯域は1805MHz〜1880MHzである。PCS方式の送信信号の周波数帯域は1850MHz〜1910MHzである。PCS方式の受信信号の周波数帯域は1930MHz〜1990MHzである。
【0029】
図1は、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを示す回路図である。本実施の形態に係るフロントエンドモジュール1は、アンテナ接続されるアンテナポート2と、受信信号ポート3,5,7と、送信信号ポート4,6と、アンテナポート2に接続される信号ポートを切り替える切替回路8と、本実施の形態に係るトラップ回路60とを備えている。トラップ回路60は、受信信号ポート7と切替回路8の間の信号経路とグランドとを接続するように配置されている。
【0030】
受信信号ポート3,5,7は、それぞれ、E−GSM方式の受信信号(図では、E−GSM/RXと記す。)、PCS方式の受信信号(図では、PCS/RXと記す。)、DCS方式の受信信号(図では、DCS/RXと記す。)を出力する。送信信号ポート4は、E−GSM方式の送信信号(図では、E−GSM/TXと記す。)を入力する。送信信号ポート6は、DCS方式の送信信号(図では、DCS/TXと記す。)およびPCS方式の送信信号(図では、PCS/TXと記す。)を入力する。
【0031】
切替回路8は、ダイプレクサ10と、2つの高周波スイッチ20,30と、2つのローパスフィルタ(以下、LPFとも記す。)71,72とを有している。ダイプレクサ10は、アンテナポート2に接続されるポート11と、E−GSM方式の送信信号および受信信号を入出力するポート12と、DCS方式の送信信号、受信信号およびPCS方式の送信信号、受信信号を入出力するポート13とを有している。
【0032】
高周波スイッチ20は、3つのポート21〜23を有している。ポート21は、ダイプレクサ10のポート12に接続されている。ポート22は受信信号ポート3に接続されている。ポート23は、LPF71を介して送信信号ポート4に接続されている。高周波スイッチ20は、ポート22がポート21に接続された状態と、ポート23がポート21に接続された状態とを切り替える。
【0033】
高周波スイッチ30は、4つのポート31〜34を有している。ポート31は、LPF72を介してダイプレクサ10のポート13に接続されている。ポート32は、受信信号ポート5に接続されている。ポート33は、送信信号ポート6に接続されている。ポート34は、トラップ回路60を介して受信信号ポート7に接続されている。高周波スイッチ30は、ポート32がポート31に接続された状態と、ポート33がポート31に接続された状態と、ポート34がポート31に接続された状態とを切り替える。
【0034】
LPF71は、E−GSM方式の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。同様に、LPF72は、DCS方式の送信信号およびPCS方式の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。
【0035】
ダイプレクサ10は、一端がポート11に接続され、他端がポート12に接続されたインダクタ14と、一端がポート11に接続され、他端がポート12に接続されたキャパシタ15とを有している。これらは、E−GSM方式の信号を通過させ、DCS方式の信号およびPCS方式の信号を遮断するローパスフィルタを構成している。高周波スイッチ20においてポート22がポート21に接続されると、高周波スイッチ20およびダイプレクサ10を介して、受信信号ポート3がアンテナポート2に接続される。また、高周波スイッチ20においてポート23がポート21に接続されると、LPF71、高周波スイッチ20およびダイプレクサ10を介して、送信信号ポート4がアンテナポート2に接続される。
【0036】
ダイプレクサ10は、更に、一端がポート11に接続されたキャパシタ16と、一端がキャパシタ16の他端に接続され、他端がポート13に接続されたキャパシタ17と、一端がキャパシタ16,17の接続点に接続されたインダクタ18と、一端がインダクタ18の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ19とを有している。これらは、DCS方式の信号およびPCS方式の信号を通過させ、E−GSM方式の信号を遮断するハイパスフィルタを構成している。
【0037】
高周波スイッチ30は、カソードがポート31に接続され、アノードがポート32に接続されたダイオード35と、一端がポート31に接続されたキャパシタ36と、一端がキャパシタ36の他端に接続され、他端がポート32に接続されたインダクタ37と、一端がポート32に接続されたインダクタ38と、一端がインダクタ38の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ39と、インダクタ38とキャパシタ39との接続点に接続された制御端子40とを有している。
【0038】
高周波スイッチ30は、更に、カソードがポート31に接続され、アノードがポート33に接続されたダイオード41と、一端がポート31に接続されたキャパシタ42と、一端がキャパシタ42の他端に接続され、他端がポート33に接続されたインダクタ43と、一端がポート33に接続されたインダクタ44と、一端がインダクタ44の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ45と、インダクタ44とキャパシタ45との接続点に接続された制御端子46とを有している。
【0039】
高周波スイッチ30は、更に、一端がポート31に接続されたλ/4線路51と、一端がλ/4線路51の他端に接続され、他端がポート34に接続されたキャパシタ52と、アノードがλ/4線路51の他端に接続されたダイオード53と、一端がダイオード53のカソードに接続され、他端が接地されたキャパシタ54と、一端がダイオード53のカソードに接続され、他端が接地された抵抗器55とを有している。ダイオード35,41,53としては、例えばPINダイオードが用いられる。λ/4線路51の長さの基準となる波長は、高周波スイッチ30を通過する信号の周波数帯域内の周波数に対応した波長である。
【0040】
高周波スイッチ30では、制御端子40に印加される制御信号がハイレベルで、制御端子46に印加される制御信号がローレベルのときには、ダイオード35,53が導通状態となり、ポート32がポート31に接続される。なお、ダイオード53が導通状態となることにより、λ/4線路51は1/4波長ショートスタブを構成し、その結果、ポート31とダイオード41とλ/4線路51の接続点Aから見てポート34側のインピーダンスは大きくなる。従って、この状態では、ポート32を通過する信号がポート34側には現れることが防止される。
【0041】
また、高周波スイッチ30では、制御端子46に印加される制御信号がハイレベルで、制御端子40に印加される制御信号がローレベルのときには、ダイオード41,53が導通状態となり、ポート33がポート31に接続される。このときも、前述と同様に、接続点Aから見てポート34側のインピーダンスは大きくなり、ポート33を通過する信号がポート34側には現れることが防止される。
【0042】
また、高周波スイッチ30では、制御端子46に印加される制御信号と制御端子40に印加される制御信号が共にローレベルのときには、ダイオード35,41,53が非導通状態となり、ポート34がポート31に接続される。
【0043】
高周波スイッチ30においてポート32がポート31に接続されると、高周波スイッチ30、LPF72およびダイプレクサ10を介して、受信信号ポート5がアンテナポート2に接続される。また、高周波スイッチ30においてポート33がポート31に接続されると、高周波スイッチ30、LPF72およびダイプレクサ10を介して、送信信号ポート6がアンテナポート2に接続される。また、高周波スイッチ30においてポート34がポート31に接続されると、高周波スイッチ30、LPF72およびダイプレクサ10を介して、受信信号ポート7がアンテナポート2に接続される。
【0044】
高周波スイッチ20の構成は、高周波スイッチ30の構成から、ポート32、ダイオード35、キャパシタ36,39、インダクタ37,38および制御端子40を除いた構成となっている。
【0045】
トラップ回路60は、アノードが、受信信号ポート7とポート34との間の信号経路61に接続されたダイオード62と、一端がダイオード62のカソードに接続され、他端が接地されたキャパシタ63と、一端がダイオード62のカソードに接続され、他端が接地された抵抗器64と、一端がダイオード62のアノードに接続されたインダクタ65と、一端がインダクタ65の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ66とを有している。また、インダクタ65とキャパシタ66との接続点は、高周波スイッチ30の制御端子46に接続されている。従って、ダイオード62のアノードには、制御端子46に印加される制御信号が、インダクタ65を介して印加される。ダイオード62は、本発明における半導体スイッチ素子に対応する。ダイオード62としては、例えばPINダイオードが用いられる。
【0046】
インダクタ65はチョークコイルである。キャパシタ66はバイパスキャパシタである。抵抗器64は、ダイオード62に流す電流を制限するためのものである。
【0047】
ダイオード62は、制御端子46に印加される制御信号がハイレベルのときに導通状態となり、制御端子46に印加される制御信号がローレベルのときに非導通状態となる。ダイオード62は、導通状態においてインダクタンス成分を有する。ダイオード62が導通状態のときには、ダイオード62のインダクタンス成分とキャパシタ63とによって直列共振回路が構成される。この直列共振回路は、信号経路61とをグランドとを接続する。これにより、信号経路61において直列共振回路の共振周波数近傍の周波数の信号が減衰され、この信号が信号経路61を通過することが阻止される。
【0048】
ダイオード62が非導通状態のときには、ダイオード62は小さな容量のキャパシタとみなすことができる。従って、ダイオード62が非導通状態のときには、信号経路61を通過する高周波信号は、トラップ回路60によってほとんど減衰されない。
【0049】
本実施の形態において、トラップ回路60によって通過を阻止する信号の周波数帯域は、DCS方式の送信信号の周波数帯域とPCS方式の送信信号の周波数帯域とを含む帯域、例えば1710MHz〜1910MHzである。直列共振回路の共振周波数は、このトラップ回路60によって通過を阻止する信号の周波数帯域内に設定されている。また、トラップ回路60には、制御端子46に印加される制御信号が印加される。この制御信号は、高周波スイッチ30においてポート33をポート31に接続するときにハイレベルとなる。従って、トラップ回路60では、高周波スイッチ30においてポート33がポート31に接続され、その結果、送信信号ポート6がアンテナポート2に接続されるときには、ダイオード62が導通状態となる。これにより、DCS方式の送信信号またはPCS方式の送信信号がポート33を通過する際には、DCS方式の送信信号またはPCS方式の送信信号が信号経路61を通過することが阻止され、その結果、DCS方式の送信信号またPDCS方式の送信信号が受信信号ポート7に現れることが防止される。
【0050】
ダイオード62のインダクタンス成分は、ダイオード62によって決まっている。従って、トラップ回路60では、ダイオード62のインダクタンス成分とキャパシタ63とによって構成される直列共振回路の共振周波数が所望の周波数になるように、キャパシタ63の容量を決定する。
【0051】
なお、本実施の形態に係るトラップ回路60は、図1に示した位置に限らず、図1中の符号81〜84で示した各位置のいずれかに配置してもよい。また、トラップ回路60は、図1に示した位置と符号81〜84で示した各位置のうちの複数の位置に設けてもよい。符号81で示した位置は、受信信号ポート5とポート32との間の位置である。符号82で示した位置は、送信信号ポート6とポート33との間の位置である。符号83で示した位置は、受信信号ポート3とポート22との間の位置である。符号84で示した位置は、送信信号ポート4とLPF71との間の位置である。
【0052】
トラップ回路60が配置される位置に応じて、ダイオード62のインダクタンス成分とキャパシタ63とによって構成される直列共振回路の共振周波数は、トラップ回路60によって通過を阻止する信号の周波数帯域内に設定される。また、トラップ回路60のダイオード62のアノードに印加する制御信号は、通過を阻止する信号に対応したフロントエンドモジュール1のポートがアンテナポート2に接続されるときにハイレベルとなり、他の状態ではローレベルとなる信号とする。
【0053】
次に、図2および図3を参照して、フロントエンドモジュール1の構造について説明する。図2はフロントエンドモジュール1の外観の一例を示す斜視図である。図3はフロントエンドモジュール1における集積用多層基板の構造の一例を示す断面図である。図2および図3に示したように、フロントエンドモジュール1は、切替回路8およびトラップ回路60を集積するための1つの集積用多層基板200を備えている。集積用多層基板200は、誘電体層201と、パターン化された導体層202とが交互に積層された構造になっている。切替回路8およびトラップ回路60は、集積用多層基板200の内部または表面上の導体層202と、集積用多層基板200に搭載された素子とを用いて構成されている。図2には、集積用多層基板200に6つのダイオードDと2つの抵抗器Rが搭載されている例を示している。集積用多層基板200は、例えば低温焼成セラミック多層基板になっている。
【0054】
以上説明したように、本実施の形態に係るトラップ回路60によれば、挿入損失を大きくすることなく、信号経路61を不要な信号が通過することを阻止することができる。また、このトラップ回路60を含む本実施の形態に係るフロントエンドモジュール1によれば、挿入損失を大きくすることなく、各ポート間のアイソレーションを改善することができる。
【0055】
近年、一般的に用いられている高周波スイッチモジュールにおけるポート間のアイソレーションは、−20〜−25dB程度である。後で示す実験結果から分かるように、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール1では、ポート間のアイソレーションを、上記高周波スイッチモジュールにおけるポート間のアイソレーションよりも16〜23dB程度改善することができる。なお、ポート間のアイソレーションは、2つのポート間における信号の減衰量(dB)で表わされる。
【0056】
次に、本実施の形態に係るトラップ回路60およびフロントエンドモジュール1の効果を確認するために行った実験について説明する。この実験では、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール1と、図4に示した比較例のフロントエンドモジュールについて、ポート間のアイソレーションと、挿入損失とを測定した。比較例のフロントエンドモジュールは、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール1の構成から、トラップ回路60を除いた構成になっている。
【0057】
実験では、インダクタ65のインダクタンスを47nHとし、キャパシタ66の容量を100pFとし、キャパシタ63の容量を6.2pFとし、抵抗器64の抵抗値を1.2kΩとした。また、導通状態のときのダイオード62のインダクタンス成分は、0.85nHである。導通状態のときのダイオード62のインダクタンス成分とキャパシタ63とによって構成される直列共振回路の共振周波数は2190MHzである。ただし、上記直列共振回路には、ダイオード62のカソードとキャパシタ63とを接続する配線によるインダクタンス成分が追加されるため、直列共振回路の実際の共振周波数は1800MHzとなっている。
【0058】
また、実験では、ポート6,7間のアイソレーションと、ポート2,7間の挿入損失とを測定した。アイソレーションについては、DCS方式の送信信号の周波数帯域の下限周波数1710MHzと上限周波数1785MHzと、PCS方式の送信信号の周波数帯域の下限周波数1850MHzと上限周波数1910MHzとについて測定した。挿入損失については、DCS方式の受信信号の周波数帯域の下限周波数1805MHzと上限周波数1880MHzとについて測定した。実験の結果を以下の表に示す。
【0059】
【表1】
【0060】
この実験の結果から、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール1によれば、比較例のフロントエンドモジュールに比べて、挿入損失をほとんど大きくすることなく、ポート間のアイソレーションを16〜23dB程度改善できることが分かる。
【0061】
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。図5は、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを示す回路図である。本実施の形態に係るフロントエンドモジュール101は、E−GSM方式の送信信号および受信信号と、DCS方式の送信信号および受信信号とを処理するモジュールである。
【0062】
フロントエンドモジュール101は、アンテナ接続されるアンテナポート102と、受信信号ポート103,107と、送信信号ポート104,106と、アンテナポート102に接続される信号ポートを切り替える切替回路108とを備えている。受信信号ポート103,107は、それぞれ、E−GSM方式の受信信号、DCS方式の受信信号を出力する。送信信号ポート104,106は、それぞれ、E−GSM方式の送信信号、DCS方式の送信信号を入力する。
【0063】
切替回路108は、ダイプレクサ10と、2つの高周波スイッチ20,130と、2つのLPF71,172とを有している。ダイプレクサ10と高周波スイッチ20の構成は、第1の実施の形態と同様である。ダイプレクサ10のポート11はアンテナポート102に接続されている。ダイプレクサ10のポート12は、高周波スイッチ20のポート21に接続されている。高周波スイッチ20のポート22は受信信号ポート103に接続されている。高周波スイッチ20のポート23は、LPF71を介して送信信号ポート104に接続されている。
【0064】
高周波スイッチ20においてポート22がポート21に接続されると、高周波スイッチ20およびダイプレクサ10を介して、受信信号ポート103がアンテナポート102に接続される。また、高周波スイッチ20においてポート23がポート21に接続されると、LPF71、高周波スイッチ20およびダイプレクサ10を介して、送信信号ポート104がアンテナポート102に接続される。
【0065】
高周波スイッチ130は、3つのポート131〜133を有している。ポート131は、ダイプレクサ10のポート13に接続されている。ポート132は、LPF172を介して送信信号ポート106に接続されている。ポート133は受信信号ポート107に接続されている。高周波スイッチ130は、ポート132がポート131に接続された状態と、ポート133がポート131に接続された状態とを切り替える。
【0066】
また、高周波スイッチ130は、カソードがポート131に接続され、アノードがポート132に接続されたダイオード141と、一端がポート131に接続されたキャパシタ142と、一端がキャパシタ142の他端に接続され、他端がポート132に接続されたインダクタ143と、一端がポート132に接続されたインダクタ144と、一端がインダクタ144の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ145と、インダクタ144とキャパシタ145との接続点に接続された制御端子146とを有している。
【0067】
高周波スイッチ130は、更に、一端がポート131に接続され、他端がポート133に接続されたλ/4線路151と、アノードがλ/4線路151の他端に接続されたダイオード153と、一端がダイオード153のカソードに接続され、他端が接地されたキャパシタ154と、一端がダイオード153のカソードに接続され、他端が接地された抵抗器155とを有している。ダイオード141,153としては、例えばPINダイオードが用いられる。λ/4線路151の長さの基準となる波長は、高周波スイッチ130を通過する信号の周波数帯域内の周波数に対応した波長である。
【0068】
高周波スイッチ130では、制御端子146に印加される制御信号がハイレベルのときには、ダイオード141,153が導通状態となり、ポート132がポート131に接続される。なお、ダイオード153が導通状態となることにより、λ/4線路151は1/4波長ショートスタブを構成し、その結果、ポート131とダイオード141とλ/4線路151の接続点から見てポート133側のインピーダンスは大きくなる。従って、この状態では、ポート132を通過する信号がポート133側には現れることが防止される。
【0069】
また、高周波スイッチ130では、制御端子146に印加される制御信号がローレベルのときには、ダイオード141,153が非導通状態となり、ポート133がポート131に接続される。
【0070】
高周波スイッチ130においてポート132がポート131に接続されると、LPF172、高周波スイッチ130およびダイプレクサ10を介して、送信信号ポート106がアンテナポート102に接続される。また、高周波スイッチ130においてポート133がポート131に接続されると、高周波スイッチ130およびダイプレクサ10を介して、受信信号ポート107がアンテナポート102に接続される。
【0071】
LPF71は、E−GSM方式の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。同様に、LPF172は、DCS方式の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。
【0072】
本実施の形態では、図5中の符号181〜184で示した4つの位置のうちの1箇所以上に、第1の実施の形態と同様の構成のトラップ回路60が設けられる。符号181で示した位置は、受信信号ポート107とポート133との間の位置である。符号182で示した位置は、送信信号ポート106とLPF172との間の位置である。符号183で示した位置は、受信信号ポート103とポート22との間の位置である。符号184で示した位置は、送信信号ポート104とLPF71との間の位置である。
【0073】
第1の実施の形態と同様に、トラップ回路60が配置される位置に応じて、ダイオード62のインダクタンス成分とキャパシタ63とによって構成される直列共振回路の共振周波数は、トラップ回路60によって通過を阻止する信号の周波数帯域内に設定される。また、トラップ回路60のダイオード62のアノードに印加する制御信号は、通過を阻止する信号に対応したフロントエンドモジュール101のポートがアンテナポート102に接続されるときにハイレベルとなり、他の状態ではローレベルとなる信号とする。
【0074】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。
【0075】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、半導体スイッチ素子は、PINダイオードに限らず、印加される制御信号に応じて導通状態と非導通状態が選択され、且つ導通状態においてインダクタンス成分を有するものであればよい。
【0076】
また、各実施の形態で挙げた周波数帯域の組み合わせは一例であり、本発明は、他の周波数帯域の組み合わせに対しても適用することができる。
【0077】
また、本発明は、1つの周波数帯域の送信信号および受信信号を処理するフロントエンドモジュールや、4つ以上の周波数帯域の送信信号および受信信号を処理するフロントエンドモジュールにも適用することができる。
【0078】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のトラップ回路によれば、挿入損失を大きくすることなく、信号経路を不要な信号が通過することを阻止することができるという効果を奏する。
【0079】
また、本発明のフロントエンドモジュールによれば、挿入損失を大きくすることなく、各ポート間のアイソレーションを改善することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを示す回路図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係るフロントエンドモジュールの外観の一例を示す斜視図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係るフロントエンドモジュールにおける集積用多層基板の構造の一例を示す断面図である。
【図4】比較例のフロントエンドモジュールを示す回路図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを示す回路図である。
【図6】高周波スイッチの構成の一例を示す回路図である。
【図7】アイソレーション特性を改善した高周波スイッチの構成の一例を示す回路図である。
【図8】アイソレーション特性を改善した高周波スイッチの構成の他の例を示す回路図である。
【符号の説明】
1…フロントエンドモジュール、8…切替回路、10…ダイプレクサ、20,30…高周波スイッチ、60…トラップ回路、61…信号経路、62…ダイオード、63…キャパシタ、64…抵抗器、65…インダクタ、66…キャパシタ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a trap circuit for preventing an unnecessary signal from passing through a signal path, and a front end module including the trap circuit and processing a transmission signal and a reception signal in a communication device such as a mobile phone.
[0002]
[Prior art]
In recent years, mobile phones capable of supporting a plurality of frequency bands (multiband) have been put into practical use. As a front-end module in a cellular phone that can handle a plurality of frequency bands by a time division multiple access method, a module that switches between a transmission signal and a reception signal using a high-frequency switch is known. Such a front end module is called, for example, an antenna switch module or a high frequency switch module.
[0003]
[0004]
[0005]
Generally, a high-frequency switch module that can handle a plurality of frequency bands has an antenna port connected to the antenna as a port for inputting or outputting a high-frequency signal, and a transmission signal for inputting a transmission signal for each frequency band. And a reception signal port for outputting a reception signal for each frequency band. The high-frequency switch module further includes a diplexer that is connected to the antenna port and separates a plurality of frequency bands, and a plurality of high-frequency switches that switch between a transmission signal and a reception signal in each frequency band. The diplexer has a low-pass filter and a high-pass filter. The high frequency switch is connected to the diplexer, the transmission signal port, and the reception signal port. As a high-frequency switch, a switch using a PIN diode or a switch using a GaAs switch is mainly used.
[0006]
In the high-frequency switch module, it is important to sufficiently secure isolation between each port in order to prevent a signal input or output from one port from leaking to another port. The isolation between the ports in the high-frequency switch module depends on the amount of attenuation with respect to the pass-stop band in the low-pass filter or high-pass filter of the diplexer and the isolation characteristics between the ports of the high-frequency switch. In the high-frequency switch module, it is also important to reduce insertion loss.
[0007]
Here, with reference to FIGS. 6 to 8, a method of improving the isolation characteristics between ports of the conventional high-frequency switch will be described. FIG. 6 is a circuit diagram illustrating an example of the configuration of the high-frequency switch. This high-frequency switch has three
[0008]
In the high frequency switch shown in FIG. 6, when the control signal applied to the control terminal 304 is at a high level, the two
[0009]
FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a high-frequency switch with improved isolation characteristics. The high frequency switch shown in FIG. 7 has a configuration in which a
[0010]
FIG. 8 is a circuit diagram showing another example of the configuration of a high-frequency switch with improved isolation characteristics. The high frequency switch shown in FIG. 8 includes a λ / 4
[0011]
[Patent Document 1]
JP 2000-49651 A
[Patent Document 2]
Japanese Patent No. 3304898
[Non-Patent Document 1]
Takeshi Yoshida, “High-frequency circuit design know-how”, CQ Publishing Co., Ltd., July 20, 1985, p. 200
[Non-Patent Document 2]
“Transistor Technology July 2000”, CQ Publishing Co., Ltd., p. 289
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
According to each technique shown in FIGS. 7 and 8, the isolation of the high frequency switch can be improved. However, each technique has the following problems. First, the technique shown in FIG. 7 requires three diodes connected in series. In order to make each diode conductive, 0.6 to 0.8 V is required as a potential difference between the anode and the cathode. Therefore, in order to make the three diodes conductive, a voltage of 1.8 to 2.4 V is required at least. In recent mobile phones, it is desired to reduce the operating voltage in order to improve the sustainability of the operation. The technique shown in FIG. 7 has a problem that it is not suitable for reducing the operating voltage.
[0013]
Further, the technique shown in FIG. 8 has a problem that the insertion loss between the
[0014]
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a trap circuit capable of preventing an unnecessary signal from passing through a signal path without increasing insertion loss, and to provide the trap circuit. It is another object of the present invention to provide a front end module that can improve isolation between ports without increasing insertion loss.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The trap circuit of the present invention is a circuit for preventing an unnecessary signal from passing through a signal path,
A semiconductor switching element having a conduction component and a non-conduction state selected according to the applied control signal and having an inductance component in the conduction state;
A capacitor that is connected in series to the semiconductor switch element and forms a series resonance circuit together with an inductance component of the semiconductor switch element when the semiconductor switch element is in a conductive state;
It is arranged so as to connect the signal path and the ground.
[0016]
In the trap circuit of the present invention, only when the semiconductor switch element is in a conductive state, a series resonance circuit is constituted by the inductance component and the capacitor of the semiconductor switch element, and the signal path and the ground are connected by this series resonance circuit. . Thereby, in the signal path, a signal having a frequency near the resonance frequency of the series resonance circuit is attenuated.
[0017]
In the trap circuit of the present invention, the semiconductor switch element may be a PIN diode.
[0018]
In the trap circuit of the present invention, the resonance frequency of the series resonance circuit may be set within a frequency band of a signal that is blocked by the trap circuit.
[0019]
The front-end module of the present invention switches an antenna port connected to an antenna, a plurality of signal ports for inputting or outputting a transmission signal or a reception signal of a specific frequency band, and a signal port connected to the antenna port. And a trap circuit arranged to connect a signal path between one signal port and the switching circuit and the ground, and for preventing a signal passing through the other signal port from passing through the signal path. I have.
[0020]
The trap circuit is selected between a conducting state and a non-conducting state in accordance with an applied control signal, and is connected in series with the semiconductor switch element having an inductance component in the conducting state. When in the conductive state, it has a capacitor that forms a series resonant circuit together with the inductance component of the semiconductor switch element.
[0021]
In the front end module of the present invention, only when the semiconductor switch element of the trap circuit is in a conductive state, a series resonance circuit is configured by the inductance component and the capacitor of the semiconductor switch element. A signal path between the switching circuits and the ground are connected. Thereby, in the signal path, a signal having a frequency near the resonance frequency of the series resonance circuit is attenuated.
[0022]
In the front end module of the present invention, the semiconductor switch element may be a PIN diode.
[0023]
In the front end module of the present invention, the resonance frequency of the series resonance circuit may be set within a frequency band of a signal that is blocked by the trap circuit.
[0024]
In the front end module of the present invention, the control signal may be a signal that makes the semiconductor switch element conductive when a signal port other than the signal port provided with the trap circuit is connected to the antenna port.
[0025]
In the front-end module of the present invention, the plurality of signal ports include a plurality of transmission signal ports for inputting transmission signals of specific frequency bands, and a plurality of reception signal ports for outputting reception signals of specific frequency bands, respectively. And may be included.
[0026]
Further, the front end module of the present invention may further include one multi-layer substrate for integration for integrating the switching circuit and the trap circuit.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[First Embodiment]
First, the front end module and the trap circuit according to the first embodiment of the present invention will be described. The front-end module according to the present embodiment is a module that processes E-GSM (Extended GSM) transmission signals and reception signals, DCS transmission signals and reception signals, and PCS transmission signals and reception signals. It is.
[0028]
The frequency band of the E-GSM transmission signal is 880 MHz to 915 MHz. The frequency band of E-GSM received signals is 925 MHz to 960 MHz. The frequency band of the DCS transmission signal is 1710 MHz to 1785 MHz. The frequency band of the DCS reception signal is 1805 to 1880 MHz. The frequency band of the PCS transmission signal is 1850 MHz to 1910 MHz. The frequency band of PCS reception signals is 1930 MHz to 1990 MHz.
[0029]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a front end module according to the present embodiment. The
[0030]
The
[0031]
The
[0032]
The
[0033]
The
[0034]
The
[0035]
The
[0036]
The
[0037]
The high-
[0038]
The high-
[0039]
The high-
[0040]
In the high-
[0041]
In the
[0042]
Further, in the
[0043]
When the
[0044]
The configuration of the
[0045]
The
[0046]
The
[0047]
The
[0048]
When the
[0049]
In the present embodiment, the frequency band of the signal blocked by the
[0050]
The inductance component of the
[0051]
Note that the
[0052]
Depending on the position where the
[0053]
Next, the structure of the
[0054]
As described above, according to the
[0055]
In recent years, isolation between ports in a generally used high-frequency switch module is about −20 to −25 dB. As can be seen from the experimental results shown later, in the
[0056]
Next, an experiment conducted for confirming the effects of the
[0057]
In the experiment, the inductance of the
[0058]
In the experiment, the isolation between the
[0059]
[Table 1]
[0060]
From the results of this experiment, according to the
[0061]
[Second Embodiment]
Next, a front end module according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a circuit diagram showing the front end module according to the present embodiment. The front-
[0062]
The
[0063]
The
[0064]
When the
[0065]
The
[0066]
The
[0067]
The
[0068]
In the
[0069]
In the high-
[0070]
When the
[0071]
The
[0072]
In the present embodiment, a
[0073]
Similar to the first embodiment, the
[0074]
Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.
[0075]
In addition, this invention is not limited to said each embodiment, A various change is possible. For example, the semiconductor switch element is not limited to the PIN diode, and any semiconductor switch element may be used as long as the conductive state and the non-conductive state are selected according to the applied control signal and the conductive state has an inductance component.
[0076]
Further, the combinations of frequency bands given in the embodiments are examples, and the present invention can also be applied to combinations of other frequency bands.
[0077]
The present invention can also be applied to a front-end module that processes transmission signals and reception signals in one frequency band and a front-end module that processes transmission signals and reception signals in four or more frequency bands.
[0078]
【The invention's effect】
As described above, according to the trap circuit of the present invention, it is possible to prevent an unnecessary signal from passing through the signal path without increasing the insertion loss.
[0079]
Further, according to the front end module of the present invention, there is an effect that the isolation between the respective ports can be improved without increasing the insertion loss.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a front end module according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing an example of an appearance of a front end module according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the multilayer substrate for integration in the front end module according to the first embodiment of the invention.
FIG. 4 is a circuit diagram showing a front end module of a comparative example.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a front end module according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a circuit diagram illustrating an example of a configuration of a high-frequency switch.
FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a high-frequency switch with improved isolation characteristics.
FIG. 8 is a circuit diagram showing another example of a configuration of a high-frequency switch having improved isolation characteristics.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (6)
それぞれ特定の周波数帯域の送信信号または受信信号を入力または出力する複数の信号ポートと、
前記アンテナポートに接続される信号ポートを切り替える切替回路と、
1つの信号ポートと前記切替回路の間の信号経路とグランドとを接続するように配置され、他の信号ポートを通過する信号が前記信号経路を通過することを阻止するためのトラップ回路とを備え、
前記トラップ回路は、
印加される制御信号に応じて導通状態と非導通状態が選択され、且つ導通状態においてインダクタンス成分を有する半導体スイッチ素子と、
前記半導体スイッチ素子に対して直列に接続され、前記半導体スイッチ素子が導通状態のときに、前記半導体スイッチ素子のインダクタンス成分と共に直列共振回路を構成するキャパシタとを有し、
前記切替回路は、前記制御信号が印加される制御端子を有し、
前記制御信号は、前記切替回路において前記アンテナポートに接続される信号ポートを切り替えるために用いられ、
前記半導体スイッチ素子は、前記制御端子に接続され、前記切替回路において前記制御信号によって前記他の信号ポートが前記アンテナポートに接続されるときに導通状態となることを特徴とするフロントエンドモジュール。An antenna port connected to the antenna;
A plurality of signal ports each for inputting or outputting a transmission signal or reception signal of a specific frequency band; and
A switching circuit for switching a signal port connected to the antenna port;
A trap circuit arranged to connect a signal path between one signal port and the switching circuit and the ground, and for preventing a signal passing through the other signal port from passing through the signal path; ,
The trap circuit is
A semiconductor switching element having a conduction component and a non-conduction state selected according to the applied control signal and having an inductance component in the conduction state;
Which is connected in series to the semiconductor switch device, when the semiconductor switching element is conductive, have a capacitor constituting a series resonant circuit with the inductance component of the semiconductor switching element,
The switching circuit has a control terminal to which the control signal is applied,
The control signal is used for switching a signal port connected to the antenna port in the switching circuit,
The front end module , wherein the semiconductor switch element is connected to the control terminal, and becomes conductive when the other signal port is connected to the antenna port by the control signal in the switching circuit .
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