JP2000115018A - High frequency switch circuit and high frequency switch circuit board - Google Patents

High frequency switch circuit and high frequency switch circuit board

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JP2000115018A
JP2000115018A JP10276888A JP27688898A JP2000115018A JP 2000115018 A JP2000115018 A JP 2000115018A JP 10276888 A JP10276888 A JP 10276888A JP 27688898 A JP27688898 A JP 27688898A JP 2000115018 A JP2000115018 A JP 2000115018A
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JP
Japan
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switch circuit
strip line
frequency switch
line
terminal
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JP10276888A
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Japanese (ja)
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Motoo Nakagawa
元雄 中川
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Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high frequency which circuit by which low pass filters on a reception route are eliminated or the number is reduced by grounding a strip line within the range of its line length through a capacitive component. SOLUTION: An antenna terminal 14 is connected to one end of the strip line 23 on a reception line through a capacitor 19 shared with a transmission line and the other end of the strip line 23 is connected to a reception terminal 16 through the capacitor 27. The anode side of a PIN diode 26 is connected to an intermediate point between the strip line 23 and the capacitor 27 and a cathode side is grounded. The strip line 23 is provided with the line length to be λ/4 as against the wave length λ of a transmission signal. Thus, the strip line 23 itself shows a low pass filter characteristic so that the low pass filter for coping with a high frequency is unnecessitated on the reception route. Then, whole communication equipment is made to be small.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波スイッチ回
路及び高周波スイッチ回路基板、特に携帯電話機など通
信機器において信号経路の切替を行うための高周波スイ
ッチ回路に属する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency switch circuit and a high-frequency switch circuit board, and more particularly to a high-frequency switch circuit for switching a signal path in a communication device such as a portable telephone.

【0002】[0002]

【従来の技術】高周波スイッチ回路は、携帯電話機など
の移動体通信機において図9に示すように送信回路Tx
と受信回路Rxとで同じアンテナANT を共用するため
に、このアンテナと送信回路間及び受信回路間を切り替
えるために用いられる。高周波スイッチ回路の構成とし
ては、図10のようにストリップ線路SLとスイッチ素
子SWとを組み合わせたものが従来より汎用されてい
る。
2. Description of the Related Art A high-frequency switch circuit is used in a mobile communication device such as a portable telephone as shown in FIG.
In order to share the same antenna ANT between the antenna and the receiving circuit Rx, it is used for switching between the antenna and the transmitting circuit and between the receiving circuit. As a configuration of a high-frequency switch circuit, a combination of a strip line SL and a switch element SW as shown in FIG.

【0003】スイッチ素子SWとしてPIN ダイオードが
用いられている回路例を図11とともに説明する。PIN
ダイオードを用いた高周波スイッチ回路は、送信端子1
からアンテナ端子2までの送信ラインと、アンテナ端子
2から受信端子3までの受信ラインとからなる。送信ラ
イン上では、送信端子1がコンデンサ4を介してPINダ
イオード5のアノード側に接続され、このダイオード5
のカソード側がコンデンサ6を介してアンテナ端子2に
接続されている。コンデンサ4とダイオード5との中間
点にはコイル10及び抵抗11の直列回路を介してコン
トロール端子12が接続される。一方、受信ライン上で
は、アンテナ端子が送信ラインと共用のコンデンサ6を
介してストリップ線路7の一端に接続され、ストリップ
線路7の他端がコンデンサ8を介して受信端子3に接続
されている。ストリップ線路7とコンデンサ8との中間
点は、PIN ダイオード9を介して接地されている。スト
リップ線路7は、送信信号の波長λに対してλ/4とな
るような線路長をもつ。コンデンサ4,6,8は、各PI
N ダイオードに流れるバイアス電流が高周波スイッチ回
路の外に流れ出すことを防止するためのカップリングコ
ンデンサである。また、コイル10は、コントロール端
子12と送信端子1間をハイインピーダンスに保ち、送
信信号がコントロール端子12に流れることを防止す
る。
An example of a circuit in which a PIN diode is used as the switch element SW will be described with reference to FIG. PIN
A high-frequency switch circuit using a diode has a transmission terminal 1
And a transmission line from the antenna terminal 2 to the reception terminal 3. On the transmission line, the transmission terminal 1 is connected via a capacitor 4 to the anode side of a PIN diode 5, and this diode 5
Is connected to the antenna terminal 2 via the capacitor 6. A control terminal 12 is connected to an intermediate point between the capacitor 4 and the diode 5 via a series circuit of a coil 10 and a resistor 11. On the other hand, on the reception line, the antenna terminal is connected to one end of the strip line 7 via the capacitor 6 shared with the transmission line, and the other end of the strip line 7 is connected to the reception terminal 3 via the capacitor 8. An intermediate point between the strip line 7 and the capacitor 8 is grounded via a PIN diode 9. The strip line 7 has a line length that is λ / 4 with respect to the wavelength λ of the transmission signal. Capacitors 4, 6, and 8 are connected to each PI
This is a coupling capacitor for preventing the bias current flowing through the N diode from flowing out of the high frequency switch circuit. Further, the coil 10 maintains a high impedance between the control terminal 12 and the transmission terminal 1 and prevents a transmission signal from flowing to the control terminal 12.

【0004】上記の高周波スイッチ回路において、送信
時にはコントロール端子12より印加した正電圧により
ダイオード5,9はバイアス電流が流れてON状態とな
り、送信端子1とアンテナ端子2間はダイオード5によ
りほとんど損失なく接続される。また、ストリップ線路
7が送信信号の波長の1/4となるような線路長をもつ
ために、アンテナ端子2と受信端子3間のインピーダン
スは非常に高くなりアンテナ端子2と受信端子3は切り
離された状態となる。従って、送信端子1に入力された
送信信号は受信端子3側にほとんど流れずにアンテナ端
子2に伝送される。
In the high-frequency switch circuit described above, at the time of transmission, a bias current flows through the diodes 5 and 9 due to the positive voltage applied from the control terminal 12, and the diodes 5 and 9 are turned on. Connected. Further, since the strip line 7 has a line length that is 1/4 of the wavelength of the transmission signal, the impedance between the antenna terminal 2 and the receiving terminal 3 becomes very high, and the antenna terminal 2 and the receiving terminal 3 are separated. State. Therefore, the transmission signal input to the transmission terminal 1 is transmitted to the antenna terminal 2 without flowing to the reception terminal 3 side.

【0005】一方、受信時にはコントロール端子12に
電圧を印加しないか負電圧を印加するかしてダイオード
5,9を共にOFF状態にすることで、送信端子1とア
ンテナ端子2の間を切断状態とする。このときストリッ
プ線路7は伝送線路として動作するため、アンテナ端子
2と受信端子3間はほとんど損失なく接続される。従っ
て、アンテナ端子2に入力された受信信号は送信端子1
側にほとんど流れずに受信端子3に伝送される。このよ
うにコントロール端子12に印加する電圧を制御するこ
とによって送受信を切り替えることができる。
On the other hand, at the time of reception, no voltage is applied to the control terminal 12 or a negative voltage is applied to turn off both the diodes 5 and 9 so that the transmission terminal 1 and the antenna terminal 2 are disconnected. I do. At this time, since the strip line 7 operates as a transmission line, the antenna terminal 2 and the receiving terminal 3 are connected with almost no loss. Therefore, the received signal input to the antenna terminal 2 is
The signal is transmitted to the receiving terminal 3 without flowing to the side. Thus, by controlling the voltage applied to the control terminal 12, transmission and reception can be switched.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記構成の高周波スイ
ッチ回路を実際に使用する場合、図12に示すように、
送信回路Txと送信端子の間に不要なスプリアスの輻射
を防止する目的で低域通過型フィルター(LPF)が、
また受信回路Rxと受信端子との間にスプリアスの受信
を防止する目的で帯域通過型(低域通過型+高域通過
型)フィルター(BPF)が接続されるのが一般的であ
る。従って、アンテナから送信側パワーアンプ、受信側
ローノイズアンプの間には高周波スイッチ回路の他に2
個の低域通過型フィルターが必要となり、通信機の小型
化を妨げていた。
When the high-frequency switch circuit having the above configuration is actually used, as shown in FIG.
A low-pass filter (LPF) is provided between the transmission circuit Tx and the transmission terminal to prevent unnecessary spurious radiation.
In general, a band-pass (low-pass + high-pass) filter (BPF) is connected between the receiving circuit Rx and the receiving terminal for the purpose of preventing spurious reception. Therefore, between the antenna and the transmitting-side power amplifier and the receiving-side low-noise amplifier, in addition to the high-frequency switch circuit, 2
This required a number of low-pass filters, which hindered miniaturization of the communication device.

【0007】それ故、本発明の目的は、受信経路上の低
域通過フィルターを無くするか、その数を減らすことの
できる高周波スイッチ回路及び高周波スイッチ回路基板
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a high-frequency switch circuit and a high-frequency switch circuit board which can eliminate or reduce the number of low-pass filters on a receiving path.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】その目的を達成するため
に、本発明の高周波スイッチ回路は、同一のアンテナを
送信及び受信の一方に切り替えて使用すべく、アンテナ
端子と受信端子との間にストリップ線路が接続されてい
る高周波スイッチ回路において、前記ストリップ線路
が、その線路長の範囲内で容量成分を介して接地されて
いることを特徴とする。
In order to achieve the object, a high-frequency switch circuit according to the present invention is provided between an antenna terminal and a reception terminal so that the same antenna can be switched to one of transmission and reception. In a high frequency switch circuit to which a strip line is connected, the strip line is grounded via a capacitance component within a range of the line length.

【0009】このような構成を採ることにより、ストリ
ップ線路の全長のうち容量成分が接続されている点より
受信端子側の部分のインダクタンスLと当該容量Cとで
分布定数回路が構成されて低域通過フィルター特性が発
揮される。
By adopting such a configuration, a distributed constant circuit is formed by the inductance L and the capacitance C on the receiving terminal side from the point where the capacitance component is connected to the entire length of the strip line, and the low frequency band is formed. Pass filter characteristics are exhibited.

【0010】前記容量成分は、ストリップ線路の第一の
接続点で形成される小容量と、ストリップ線路の第二の
接続点で形成される小容量との2つの小容量からなるの
が好ましい。接続される容量が一つである場合の二段バ
タワース型相当のLPF特性に比べて、カットオフ周波
数で三段チェビシェフ型相当の急峻な減衰量が得られ、
周波数選択性能に優れるからである。
It is preferable that the capacitance component comprises two small capacitances, a small capacitance formed at a first connection point of the strip line and a small capacitance formed at a second connection point of the strip line. Compared to the LPF characteristic equivalent to the two-stage Butterworth type when the connected capacitance is one, a steep attenuation equivalent to the three-stage Chebyshev type is obtained at the cutoff frequency,
This is because the frequency selection performance is excellent.

【0011】本発明の高周波スイッチ回路に適切な回路
基板は、グランド電極が形成された誘電体基板と、グラ
ンド電極に対して誘電体基板の厚さ方向の間隔をあけて
誘電体基板に形成され、同一のアンテナを送信及び受信
の一方に切り替える高周波スイッチ回路の要素として、
アンテナ端子と受信端子との間に介在されるストリップ
線路とを備える高周波スイッチ回路基板において、グラ
ンド電極に接続されるとともに、前記ストリップ線路と
の間で層間容量を形成する容量形成電極が誘電体基板に
設けられていることを特徴とする。
A circuit board suitable for the high-frequency switch circuit of the present invention is formed on a dielectric substrate on which a ground electrode is formed, and on the dielectric substrate with an interval in the thickness direction of the dielectric substrate with respect to the ground electrode. As an element of a high-frequency switch circuit that switches the same antenna to one of transmission and reception,
In a high-frequency switch circuit board including a strip line interposed between an antenna terminal and a receiving terminal, a capacitance forming electrode connected to a ground electrode and forming an interlayer capacitance with the strip line is provided on a dielectric substrate. It is characterized by being provided in.

【0012】この構成の回路基板によれば、送信時には
ストリップ線路はショートスタブとして送信信号が受信
回路側に流れないように動作する。また、受信時にはス
トリップ線路は伝送路として動作する。特に、伝送路と
して動作するにあたり、その一部に容量を付加すること
により、低域通過特性を有するフィルターとなる。これ
により、受信回路に出力される受信信号は伝送路中で所
定周波数帯域の信号のみとなり、受信回路の構成が簡単
になる。
According to the circuit board having this configuration, the strip line operates as a short stub during transmission so that the transmission signal does not flow to the reception circuit side. At the time of reception, the strip line operates as a transmission line. In particular, when operating as a transmission path, a filter having low-pass characteristics is obtained by adding a capacity to a part of the filter. As a result, the reception signal output to the reception circuit is only a signal of a predetermined frequency band in the transmission path, and the configuration of the reception circuit is simplified.

【0013】しかも、この容量成分は、例えば誘電体基
板内に上記ストリップ線路の所定位置と対向するように
容量形成電極を設けるだけで達成される。即ち、ストリ
ップ線路を有する誘電体基板の形成工程でこの容量形成
電極を同時に形成することができ、新たに別のコンデン
サを配置するなどの必要が無い。従って、他の配線を大
きく変更することなく、誘電体基板への部品の実装点数
を少なくすることができる。その結果、ストリップ線路
を有する誘電体基板の高機能化、小型化を同時に達成で
きる。
Further, this capacitance component can be achieved only by providing a capacitance forming electrode in the dielectric substrate so as to face a predetermined position of the strip line. That is, in the process of forming the dielectric substrate having the strip line, the capacitance forming electrodes can be formed at the same time, and there is no need to newly arrange another capacitor. Therefore, the number of components mounted on the dielectric substrate can be reduced without largely changing other wiring. As a result, high performance and miniaturization of the dielectric substrate having the strip line can be achieved at the same time.

【0014】また、前記容量形成電極は、少なくとも一
部が誘電体基板の表面に露出していると好ましい。露出
した部分をトリミングすることにより容易に容量値を調
整することができるからである。
Preferably, at least a part of the capacitance forming electrode is exposed on the surface of the dielectric substrate. This is because the capacitance value can be easily adjusted by trimming the exposed portion.

【0015】尚、本発明の回路基板は、上記誘電体基板
に所定のストリップ線路と容量形成電極とを具備する限
り、他に何ら限定されない。例えば回路基板外への電流
流出を防止するカップリングコンデンサや各種抵抗、コ
イルなどは上記誘電体基板に設けても良いし、他の箇所
に設けても良い。
The circuit board of the present invention is not particularly limited as long as the dielectric substrate is provided with a predetermined strip line and a capacitance forming electrode. For example, a coupling capacitor, various resistors, a coil, and the like for preventing a current from flowing out of the circuit board may be provided on the dielectric substrate, or may be provided at another location.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図面と共に説
明する。図1は実施形態の高周波スイッチ回路を示す回
路図である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a high-frequency switch circuit according to the embodiment.

【0017】高周波スイッチ回路は、送信端子13から
アンテナ端子14までの送信ラインと、アンテナ端子1
4から受信端子16までの受信ラインとからなる。送信
ライン上では、送信端子13から順にコンデンサ18、
PIN ダイオード20、コンデンサ19及びアンテナ端子
14が直列に接続されている。コンデンサ18とダイオ
ード20との中間点にはコイル21及び抵抗22の直列
回路を介してコントロール端子15が接続されている。
従って、送信ラインに関しては図11で示した従来の回
路構成と同様であり、各構成要素は従来の回路構成にお
けると同様に機能する。
The high-frequency switch circuit includes a transmission line from the transmission terminal 13 to the antenna terminal 14 and an antenna terminal 1.
4 to the receiving terminal 16. On the transmission line, capacitors 18,
The PIN diode 20, the capacitor 19, and the antenna terminal 14 are connected in series. A control terminal 15 is connected to an intermediate point between the capacitor 18 and the diode 20 via a series circuit of a coil 21 and a resistor 22.
Therefore, the transmission line is the same as the conventional circuit configuration shown in FIG. 11, and each component functions as in the conventional circuit configuration.

【0018】一方、受信ライン上では、アンテナ端子1
4が送信ラインと共用のコンデンサ19を介してストリ
ップ線路23の一端に接続され、ストリップ線路23の
他端がコンデンサ27を介して受信端子16に接続され
ている。ストリップ線路23とコンデンサ27との中間
点にはPIN ダイオード26のアノード側が接続され、カ
ソード側が接地されている。ストリップ線路23は、送
信信号の波長λに対してλ/4となるような線路長をも
つ。このストリップ線路23において、アンテナ端子1
4側端部より長さlだけ受信端子16側に寄った位置と
グランド電極との間にコンデンサ24が設けられてい
る。また、その位置から更に長さmだけ受信端子16側
に寄った位置とグランド電極との間にコンデンサ25が
設けられている。
On the other hand, on the receiving line, the antenna terminal 1
4 is connected to one end of a strip line 23 via a capacitor 19 shared with a transmission line, and the other end of the strip line 23 is connected to a reception terminal 16 via a capacitor 27. The anode side of the PIN diode 26 is connected to an intermediate point between the strip line 23 and the capacitor 27, and the cathode side is grounded. The strip line 23 has a line length that is λ / 4 with respect to the wavelength λ of the transmission signal. In this strip line 23, the antenna terminal 1
A capacitor 24 is provided between the ground electrode and a position closer to the receiving terminal 16 by a length 1 from the end on the fourth side. Further, a capacitor 25 is provided between a position closer to the receiving terminal 16 by a length m from the position and the ground electrode.

【0019】この実施形態の高周波スイッチ回路におい
て、送信時にはコントロール端子15より印加した正電
圧によりダイオード20はバイアス電流が流れてON状
態、すなわち接続状態となる。このときダイオード26
もON状態となり、ストリップ線路23が送信信号の波
長の1/4となるような線路長のショートスタブとして
動作し、アンテナ端子14と受信端子16間のインピー
ダンスは非常に高くなりアンテナ端子14と受信端子1
6は切り離された状態となる。従って、送信端子13に
入力された送信信号は受信端子16側にほとんど流れず
にアンテナ端子14に伝送される。
In the high-frequency switch circuit of this embodiment, at the time of transmission, a positive current applied from the control terminal 15 causes a bias current to flow through the diode 20, so that the diode 20 is turned on, that is, connected. At this time, the diode 26
Also turns on, the strip line 23 operates as a short stub having a line length such that the wavelength becomes 1/4 of the wavelength of the transmission signal, the impedance between the antenna terminal 14 and the receiving terminal 16 becomes extremely high, and the Terminal 1
6 is in a disconnected state. Therefore, the transmission signal input to the transmission terminal 13 is transmitted to the antenna terminal 14 without flowing to the reception terminal 16 side.

【0020】一方、受信時にはコントロール端子15に
電圧を印加しないか負電圧を印加するかしてダイオード
20,26を共にOFF状態にすることで、送信端子1
3とアンテナ端子14の間を切断状態とする。このとき
ストリップ線路23は伝送線路として動作するため、ア
ンテナ端子14と受信端子16間が接続される。このと
きの受信周波数特性は平坦であり、通過帯域においてア
ンテナ端子14と受信端子16間の良好な挿入損失を得
ることができる。
On the other hand, at the time of reception, no voltage is applied to the control terminal 15 or a negative voltage is applied so that the diodes 20 and 26 are both in the OFF state.
3 and the antenna terminal 14 are cut off. At this time, since the strip line 23 operates as a transmission line, the antenna terminal 14 and the receiving terminal 16 are connected. The reception frequency characteristic at this time is flat, and a good insertion loss between the antenna terminal 14 and the reception terminal 16 can be obtained in the pass band.

【0021】ストリップ線路23の受信端子16寄りの
長さm部分は、そのインダクタンスLとコンデンサ24
及びコンデンサ25の各容量C1及びC2とで図2に示
すような分布定数型回路を構成し、三段チェビシェフ型
低域通過フィルターとして機能する。従って、受信時に
不要な高周波成分はここで除去される。所望の周波数の
減衰を得るためには長さmにより定まるインダクタンス
と付加する容量成分とを調整して最適にすれば良い。ス
トリップ線路23の長さm部分の両端での通過特性を図
3に示す。GSM(GROUP SPECIAL MOBILE)の受信周波
数が925〜960MHzであるから、カットオフ周波
数が1GHzとなるようにするには、C1、C2、Lが
各々2.7pF、2.7pF、8.8nHとなるように
設計する必要がある。比誘電率10、厚み0.1の誘電
体基板に特性インピーダンス50Ωのストリップ線路で
このインダクタンスを形成するには長さmを約13mm
に定めればよい。また、2.7pFの容量は同じ誘電体
基板で容易に作成することができる。
The length m of the strip line 23 near the receiving terminal 16 is determined by the inductance L and the capacitor 24.
The capacitors C1 and C2 of the capacitor 25 form a distributed constant type circuit as shown in FIG. 2, and functions as a three-stage Chebyshev type low-pass filter. Therefore, unnecessary high-frequency components at the time of reception are removed here. In order to obtain a desired frequency attenuation, the inductance determined by the length m and the added capacitance component may be adjusted and optimized. FIG. 3 shows transmission characteristics at both ends of the length m portion of the strip line 23. Since the reception frequency of GSM (GROUP SPECIAL MOBILE) is 925 to 960 MHz, C1, C2, and L are 2.7 pF, 2.7 pF, and 8.8 nH, respectively, so that the cutoff frequency is 1 GHz. It is necessary to design. In order to form this inductance with a strip line having a characteristic impedance of 50Ω on a dielectric substrate having a relative dielectric constant of 10 and a thickness of 0.1, the length m is about 13 mm.
Should be determined. Further, a capacitance of 2.7 pF can be easily formed on the same dielectric substrate.

【0022】以上の実施形態においては受信側の伝送路
としてマイクロストリップ線路を用いたが、これに代え
てストリップ線路などの他の伝送路を用いても同様の効
果を生じる。また、コンデンサ24,25はディスクリ
ートタイプでもよいし、伝送路とグラウンド間の層内に
容量形成電極を設けて得られる層間容量でもよい。更に
低域通過フィルターを構成するコンデンサの数は、上記
のように2個に限られず、1個又は3個以上でもよい。
In the above embodiment, the microstrip line is used as the transmission line on the receiving side. However, similar effects can be obtained by using another transmission line such as a strip line instead. The capacitors 24 and 25 may be discrete types, or may be interlayer capacitors obtained by providing a capacitor forming electrode in a layer between the transmission path and the ground. Further, the number of capacitors constituting the low-pass filter is not limited to two as described above, but may be one or three or more.

【0023】次に上記実施形態の高周波スイッチ回路を
基板に適用した場合の実施形態を図面と共に説明する。
図4は高周波スイッチ回路基板の第一の実施形態を示す
斜視図、図5は図4のX−X線断面図である。
Next, an embodiment in which the high-frequency switch circuit of the above embodiment is applied to a substrate will be described with reference to the drawings.
FIG. 4 is a perspective view showing a first embodiment of the high-frequency switch circuit board, and FIG. 5 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【0024】この高周波スイッチ回路基板は、複数のガ
ラスセラミック層が積層してからなる誘電体基板32
と、その第一の主面に線状に形成されたストリップ線路
28と、その反対側の第二の主面のほぼ全面に形成され
たグランド電極29と、誘電体基板32内部にストリッ
プ線路28の一部と所定の間隔をもって対向するように
形成された2つの容量形成電極30,30と、グランド
電極29と容量形成電極30,30とを接続する接続ビ
ア31,31とを備える。
This high-frequency switch circuit board is composed of a dielectric substrate 32 formed by laminating a plurality of glass ceramic layers.
A strip line 28 linearly formed on the first main surface thereof, a ground electrode 29 formed substantially over the entire second main surface on the opposite side, and a strip line 28 formed inside the dielectric substrate 32. And two connection vias 31 that connect the ground electrode 29 and the capacitor formation electrodes 30 to each other.

【0025】誘電体基板32は、結晶化ガラス成分とセ
ラミック成分とを有機ビヒクルで混練し、シート成形
し、ストリップ線路28、グランド電極29、容量形成
電極30、接続ビア31等の各導体を印刷した後に積層
し焼成することにより得られる。尚、セラミック成分と
して主成分のアルミナの他に誘電率向上のための副成分
としてチタン酸ストロンチウム等が添加されている。そ
の比誘電率は8〜10で、層間厚みは50〜100μm
である。誘電体基板32が低温焼成可能なガラスセラミ
ックからなるので、導体材料としては金、銀、銅、銀白
金合金などの低抵抗材料を適用することができる。この
うち銅は酸化されやすくて還元性雰囲気で焼成されなけ
ればならないのに対して、銀及び銀白金合金は大気中で
焼成可能である点で好ましい。上記三段チェビシェフ型
低域通過フィルターに必要な2.7pFの容量値は、ス
トリップ線路28と容量形成電極30との対向面積を約
9〜18mm2 に設定することで実現される。
The dielectric substrate 32 is formed by kneading a crystallized glass component and a ceramic component with an organic vehicle, forming a sheet, and printing conductors such as a strip line 28, a ground electrode 29, a capacitance forming electrode 30, and a connection via 31. It is obtained by laminating and firing. Strontium titanate or the like is added as a ceramic component in addition to alumina as a main component as a subcomponent for improving a dielectric constant. Its relative dielectric constant is 8 to 10 and the interlayer thickness is 50 to 100 μm
It is. Since the dielectric substrate 32 is made of a glass ceramic that can be fired at a low temperature, a low-resistance material such as gold, silver, copper, or a silver-platinum alloy can be used as the conductor material. Among them, copper is easily oxidized and must be fired in a reducing atmosphere, whereas silver and a silver-platinum alloy are preferable because they can be fired in the air. The capacitance value of 2.7 pF required for the three-stage Chebyshev low-pass filter is realized by setting the area where the strip line 28 and the capacitance forming electrode 30 face each other to about 9 to 18 mm 2 .

【0026】次に高周波スイッチ回路基板の第二の実施
形態について説明する。図6は第二実施形態の高周波ス
イッチ回路基板を示す斜視図、図7は図6のY−Y線断
面図である。この形態では、誘電体基板33の第一の主
面に容量形成電極35、それと反対側の第二の主面にグ
ランド電極34、誘電体基板33の内部にストリップ線
路36が設けられている。容量形成電極35とグランド
電極34とはストリップ線路37とねじれの位置関係を
もつ接続ビア36で接続されている。このように容量形
成電極35を誘電体基板33の表面に露出させた場合、
焼成後に容量形成電極35をトリミング等することによ
り層間容量値を調整することができる。
Next, a second embodiment of the high-frequency switch circuit board will be described. FIG. 6 is a perspective view showing a high-frequency switch circuit board according to the second embodiment, and FIG. 7 is a sectional view taken along line YY of FIG. In this embodiment, a capacitance forming electrode 35 is provided on a first main surface of a dielectric substrate 33, a ground electrode 34 is provided on a second main surface opposite thereto, and a strip line 36 is provided inside the dielectric substrate 33. The capacitance forming electrode 35 and the ground electrode 34 are connected to the strip line 37 by a connection via 36 having a twisted positional relationship. When the capacitance forming electrode 35 is thus exposed on the surface of the dielectric substrate 33,
The interlayer capacitance value can be adjusted by trimming the capacitance forming electrode 35 after firing.

【0027】尚、第一実施形態及び第二実施形態では、
ストリップ線路及び容量形成電極のいずれかが誘電体基
板の表面に露出していたが、例えば図8に第三実施形態
として示すように誘電体基板42の両主面にグランド電
極38,39を形成し、ストリップ線路41及び容量形
成電極40の両方を誘電体基板42内部に設けても良
い。
In the first and second embodiments,
Either the strip line or the capacitance forming electrode is exposed on the surface of the dielectric substrate. For example, ground electrodes 38 and 39 are formed on both main surfaces of the dielectric substrate 42 as shown in FIG. 8 as a third embodiment. Alternatively, both the strip line 41 and the capacitance forming electrode 40 may be provided inside the dielectric substrate 42.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ストリ
ップ線路自身が低域通過フィルター特性を発揮するの
で、高周波対策用の低域通過フィルターを受信経路上で
不要にすることができ、通信機全体を小型化することが
できる。
As described above, according to the present invention, since the strip line itself exhibits low-pass filter characteristics, a low-pass filter for high-frequency measures can be eliminated on the receiving path. The entire communication device can be reduced in size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態の高周波スイッチ回路の構成図であ
る。
FIG. 1 is a configuration diagram of a high-frequency switch circuit according to an embodiment.

【図2】図1の一点鎖線で囲まれる領域の等価回路図で
ある。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a region surrounded by a chain line in FIG.

【図3】図2の回路構成による低域通過フィルター特性
を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph illustrating low-pass filter characteristics according to the circuit configuration of FIG. 2;

【図4】高周波スイッチ回路基板の第一実施形態を示す
斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a first embodiment of the high-frequency switch circuit board.

【図5】図4のX−X線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line XX of FIG. 4;

【図6】高周波スイッチ回路基板の第二実施形態を示す
斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a second embodiment of the high-frequency switch circuit board.

【図7】図6のY−Y線断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line YY of FIG. 6;

【図8】高周波スイッチ回路基板の第三実施形態を示す
断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a third embodiment of the high-frequency switch circuit board.

【図9】高周波スイッチ回路の用途を示す概念図であ
る。
FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating an application of the high-frequency switch circuit.

【図10】従来の高周波スイッチ回路の概念図である。FIG. 10 is a conceptual diagram of a conventional high-frequency switch circuit.

【図11】従来の高周波スイッチ回路の構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram of a conventional high-frequency switch circuit.

【図12】従来の高周波スイッチ回路を実際の送受信ブ
ロックに使用する場合のブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram when a conventional high-frequency switch circuit is used for an actual transmission / reception block.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,13 送信端子 2,14 アンテナ端子 3,16 受信端子 12,15 コントロール端子 24,28,37,41 ストリップ線路 30,35,40 容量形成電極 32,33,42 誘電体基板 29,34,38,39 グランド電極 1,13 Transmission terminal 2,14 Antenna terminal 3,16 Receiving terminal 12,15 Control terminal 24,28,37,41 Strip line 30,35,40 Capacitance forming electrode 32,33,42 Dielectric substrate 29,34,38 , 39 Ground electrode

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】同一のアンテナを送信及び受信の一方に切
り替えて使用すべくアンテナ端子と受信端子との間にス
トリップ線路が接続されている高周波スイッチ回路にお
いて、 前記ストリップ線路が、その線路長の範囲内で容量成分
を介して接地されていることを特徴とする高周波スイッ
チ回路。
A high-frequency switch circuit in which a strip line is connected between an antenna terminal and a reception terminal so that the same antenna can be switched to one of transmission and reception. A high-frequency switch circuit which is grounded via a capacitance component within a range.
【請求項2】前記容量成分が、ストリップ線路の第一の
接続点で形成された小容量と、ストリップ線路の第二の
接続点で形成された小容量とを備えてなる請求項1に記
載の高周波スイッチ回路。
2. The capacitance component according to claim 1, wherein the capacitance component includes a small capacitance formed at a first connection point of the strip line and a small capacitance formed at a second connection point of the strip line. High frequency switch circuit.
【請求項3】グランド電極が形成された誘電体基板と、
グランド電極に対して誘電体基板の厚さ方向の間隔をあ
けて誘電体基板に形成され、同一のアンテナを送信及び
受信の一方に切り替える高周波スイッチ回路の要素とし
て、アンテナ端子と受信端子との間に介在されるストリ
ップ線路とを備える高周波スイッチ回路基板において、 グランド電極に接続されるとともに、前記ストリップ線
路との間で層間容量を形成する容量形成電極が誘電体基
板に設けられていることを特徴とする高周波スイッチ回
路基板。
3. A dielectric substrate on which a ground electrode is formed;
As an element of a high-frequency switch circuit formed on the dielectric substrate at an interval in the thickness direction of the dielectric substrate with respect to the ground electrode and for switching the same antenna to one of transmission and reception, an element between the antenna terminal and the reception terminal A high frequency switch circuit board including a strip line interposed therebetween, wherein a capacitance forming electrode connected to a ground electrode and forming an interlayer capacitance with the strip line is provided on the dielectric substrate. High frequency switch circuit board.
【請求項4】前記容量形成電極は、少なくとも一部が誘
電体基板の表面に露出している請求項3に記載の高周波
スイッチ回路基板。
4. The high-frequency switch circuit board according to claim 3, wherein at least a part of the capacitance forming electrode is exposed on a surface of the dielectric substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006128912A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Ntt Docomo Inc Resonator and variable resonator
JP4638711B2 (en) * 2004-10-27 2011-02-23 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ Resonator

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