JP3956382B2 - measuring device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は測定装置に関し、詳しくは測定データのメモリへの取り込みの改善に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図3は、従来のデジタルオシロスコープにおける測定データのメモリへの測定データの取り込み系統の一例を示すブロック図である。
アナログ測定信号はA/D変換器001に入力され、デジタル信号に変換される。このA/D変換器001から変換出力されるデジタル信号はSRAMなどのメモリ002に書き込まれて格納される。これらA/D変換器001の変換動作とメモリ002の書き込み動作は、クロック発生器004から入力されるクロックに基づき同期して行われる。トリガ発生器005は測定データをメモリ002に取り込む開始点を決めるトリガ信号を発生して、メモリアドレス制御器003に出力する。メモリアドレス制御器003は、トリガ発生器005から入力されるトリガ信号に基づきメモリ002に測定データの書き込みを許可するイネーブル信号ENを出力する。
【0003】
これにより、A/D変換器001からメモリ002への測定データの書き込みがクロック発生器004から入力されるクロックに同期して行われる。なお、メモリアドレス制御器003におけるメモリアドレスのカウントアップも、クロック発生器004から入力されるクロックに同期して行われる。
【0004】
図4は従来のメモリアドレス制御器003によるメモリアドレス制御の説明図である。トリガ発生器005からトリガ信号が入力されることによりメモリ002に測定データの書き込みを許可するイネーブル信号ENを出力し、メモリ002はメモリアドレスに従って0000番地から測定データの書き込みを行う。そして、メモリアドレスが××××番地に達するとメモリアドレス制御器003からメモリ002にディスイネーブル信号が出力され、測定データの書き込みを終了する。
【0005】
ところが、この方法は最も簡単なメモリの制御方法であるが、トリガ信号が入力された以降の測定データしか取り込めないという問題がある。
一般に、デジタルオシロスコープやロジックアナライザなどではトリガ信号が出力されるよりも前の状態も測定できることが望ましく、トリガ信号が出力される以前の測定データもメモリ2に書き込む必要がある。
【0006】
図5はトリガ信号が出力される以前の測定データもメモリ002に書き込めるようにしたメモリアドレス制御の説明図である。図5におけるメモリ002への測定データの書き込みは、トリガ信号が出力される以前から、メモリアドレスに従って0000番地から××××番地までの間で常に繰り返して行われている。
【0007】
この状態でトリガ信号が出力されると、メモリアドレス制御器003は予め決められている所定のメモリ長分の期間だけイネーブル信号ENをメモリ002に出力するとともに、メモリアドレスをカウントアップしてメモリ002に測定データを書き込む。そして、所定メモリ長分の書き込みが完了するとメモリアドレス制御器003からメモリ002にディスイネーブル信号が出力され、測定データの書き込みを終了する。
【0008】
すなわち、メモリ002にはトリガ信号発生以前から測定データが書き込まれているので、トリガ信号発生後に書き込むメモリ長をポストトリガメモリ領域(B)として決めておくことによりメモリ002の残り部分にはプリトリガメモリ領域(A=T−B)としてトリガ信号発生以前の測定データが書き込まれることになる。
【0009】
なお、図3ではデジタルオシロスコープの例を示しているが、ロジックアナライザの場合の入力信号はデジタル信号になるので、A/D変換器001の代わりにフリップフロップなどのデータラッチ回路に置き換えればよい。
【0010】
ところで、図3では、メモリ002としてリフレッシュ動作が不要で随時書き込みと読み出しができるSRAMを使用する例を説明したが、SRAMは高価で実装面積も大きくなり、大量のデータを格納するための大容量メモリ化は困難である。
そこで、大容量メモリ化を安価に実現する手段として、図6に示すように例えばハードディスク103が用いられている。
【0011】
図6において、A/D変換器101から変換出力されるデジタル信号はFIFORAM(First In First Out RAM)102に書き込まれる。これらA/D変換器101とFIFORAM102の動作は、クロック発生器104から入力されるクロックに同期して行われる。
【0012】
一方、FIFORAM102からハードディスク103へのデータの書き込みは、ハードディスク103へのデータの書き込み位置によるシーク等の発生の有無により異なるので、CPU107がハードディスク103の状況を監視判断しながらランダムな非同期のタイミングで実行する。FIFO制御器106はFIFORAM102がこのようなタイミングの非同期のずれを吸収するようにFIFORAM102の読み書きのタイミングを制御する。
【0013】
FIFO制御器106は、クロック発生器104から入力されるクロックに同期して内部カウンタのカウント値を1加算し、CPU107から入力される書き込み信号に従って1減算する制御を行う。そして、このカウンタ値が所定値以下の時にはCPU107からの書き込みに対して許可を与える。
これにより、
クロック周期>CPU107からの書き込み時間
の関係が成立するときカウンタ値は一定値を保ち、FIFORAM102はバッファメモリとして正常に機能する。
【0014】
トリガ発生器105は、トリガ信号が発生した時点からFIFO制御器106によるFIFOを開始させ、測定データの取り込みを開始させる。図6と図3の異なる点は、アドレス制御回路が不要になっていることである。これは、ハードディスク103への測定データの書き込みにあたりCPU107を介在させているので、測定データを書き込むアドレスをCPU107が自由に決められることに基づく。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このように大容量メモリとしてハードディスク103を用いるのにあたって、トリガ信号が発生する前の測定データも取り込むようにするためには、常にハードディスク103に測定データを書き込み続けなければならない。
ところが、ハードディスク103は動作中常にディスクとヘッドが接触しているので、長期間連続使用すると信頼性が著しく低下するという問題がある。
【0016】
本発明は、このような従来の大容量メモリを用いた測定装置の問題点に着目したものであって、その目的は、トリガ信号が発生する前の測定データも取り込むのにあたり、大容量メモリとして用いられるハードディスクへのアクセス回数を減少させてメモリの信頼性を向上させた測定装置を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成する本発明のうちで請求項1記載の発明は、トリガ信号に基づい
て測定データの格納を制御する測定装置において、
トリガ信号発生前の測定データが繰り返し格納される半導体メモリと、トリガ信号発生後の測定データが格納されるハードディスクとを有し、
トリガ信号が出力されるまでのプリトリガ領域では前記半導体メモリへの測定データの格納はメモリアドレス制御器から出力されるメモリアドレスに従って所定の番地間で繰り返して実行し、
トリガ信号が発生した後のポストトリガ領域ではハードディスクへの測定データの格納はトリガ信号が発生した時点から所定長さ分の測定データが書き込まれるまでの間だけ間欠的にアクセスすることにより実行することを特徴とする。
【0018】
これにより、大容量メモリのアクセス回数は大幅に減少するので、大容量メモリに対する信頼性は高くなる。
【0019】
本発明のうちで請求項2記載の発明は、請求項1記載の測定装置において、半導体メモリはSRAMであることを特徴とする。
【0020】
SRAMはリフレッシュ動作が不要であり、高速動作が実現できる。
【0021】
本発明のうちで請求項3記載の発明は、請求項1記載の測定装置において、半導体メモリはDRAMであることを特徴とする。
【0022】
DRAMはリフレッシュ動作が必要になるものの、比較的安価に大容量化が実現できる。
【0024】
本発明のうちで請求項4記載の発明は、請求項1記載の測定装置において、ハードディスクの代わりに光磁気ディスクを用いることを特徴とする。
【0025】
ハードディスクは比較的安価に大容量のものが入手でき、光磁気ディスクは記憶媒体を入れ替えられるとともに携帯できる。
【0026】
本発明のうちで請求項5記載の発明は、請求項1記載の測定装置において、トリガ信号発生後に半導体メモリとハードディスクに格納する測定データの一部を重ならせることを特徴とする。
【0027】
これにより、トリガ信号発生における半導体メモリから大容量メモリへの測定データの格納先切り換え時の測定データの欠落を防止できる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明の実施の形態の一例を示すブロック図である。図において、A/D変換器201から変換出力されるデジタル信号はFIFORAM202に書き込まれる。これらA/D変換器201とFIFORAM202の動作は、クロック発生器204から入力されるクロックに同期して行われる。
【0029】
一方、FIFORAM202から大容量メモリとして用いるハードディスク203へのデータの書き込みは、ハードディスク203へのデータの書き込み位置によるシーク等の発生の有無により異なるので、CPU207がハードディスク203の状況を監視判断しながらランダムな非同期のタイミングで実行する。FIFO制御器206はFIFORAM202がこのようなタイミングの非同期のずれを吸収するようにFIFORAM202の読み書きのタイミングを制御するが、このFIFORAM202の読み書きのタイミングはトリガ信号発生の前後で異なる。
【0030】
トリガ信号が発生するまでのプリトリガ領域では、A/D変換器201の変換動作とFIFORAM202への書き込み動作がクロック発生器204から入力されるクロックに同期して行われるとともに、CPU207によるメモリ208への測定データの書き込みがメモリアドレス制御器209から入力されるメモリアドレスに従って0000番地から××××番地までの間で常に繰り返して行われる。
【0031】
トリガ信号が発生した後のポストトリガ領域では、メモリ208への測定データの書き込みは終了し、CPU207は前述図6と同様なハードディスク203への測定データの書き込みを行う。このポストトリガ領域のメモリ長はユーザーが任意に設定すればよく、CPU207は所定長の測定データの書き込んだ時点で測定データの書き込みを終了する。
【0032】
図2は図1のメモリアドレス制御の説明図である。トリガ信号が出力されるまでのプリトリガ状態では、メモリ208への測定データの書き込みはメモリアドレス制御器209から入力されるメモリアドレスに従って0000番地から××××番地までの間で常に繰り返して行われている。
トリガ信号が発生すると、測定データの書き込みはメモリ208からハードディスク203に切り換えられる。この切り換えは例えばスイッチ手段によりハード的に行ってもよいし、CPU207によりソフト的に行ってもよい。
【0033】
これにより、メモリ208にはトリガ信号発生以前からの測定データが書き込まれて、ハードディスク203にはトリガ信号発生後の測定データがユーザーにより設定される所定長さ分書き込まれる。
すなわち、ハードディスク203は、トリガ信号が発生した時点からユーザーにより設定される所定長さ分の測定データが書き込まれるまでの間だけ、間欠的にアクセスされることになり、図6のようなハードディスク103のみの構成に比べてアクセス回数を大幅に減らすことができ、高い信頼性が実現できる。
【0034】
なお、トリガ信号が発生してから測定データの書き込みをメモリ208からハードディスク203に切り換えるまでの間に若干の時間を要するので、この間の測定データの取り込みもれを防止するために、トリガ信号が発生してから少しの間はハードディスク203への書き込みと並行してメモリ208への書き込みを継続させるようにする。CPU207は、これらメモリ208とハードディスク203との測定データの重なり部分を検出することにより、メモリ208とハードディスク203との測定データのつなぎ目を判断する。
【0035】
また、上記実施例では半導体メモリとしてSRAMを用いる例を説明したが、回路構成の複雑化が許容できるならばDRAMであってもよい。
【0036】
また、大容量メモリは光磁気ディスクであってもよい。光磁気ディスクは記憶媒体1枚当たりの記憶容量はハードディスクより少ないものの記憶媒体そのものを交換したり携帯できるという利便性がある。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、トリガ信号に基づいて測定データの格納を制御する測定装置において、大容量メモリへのアクセス回数を減少させることができるので、大容量メモリの信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示すブロック図である。
【図2】図1のメモリアドレス制御の説明図である。
【図3】従来の測定装置の一例を示すブロック図である。
【図4】図3のメモリアドレス制御の説明図である。
【図5】図3のプリトリガのメモリアドレス制御の説明図である。
【図6】従来の測定装置の他の例を示すブロック図である。
【符号の説明】
201 A/D変換器
202 FIFORAM
203 大容量メモリ(ハードディスク)
204 クロック発生器
205 トリガ発生器
206 FIFO制御器
207 CPU
208 半導体メモリ(SRAM)
209 メモリアドレス制御器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a measurement apparatus, and more particularly to an improvement in capturing measurement data into a memory.
[0002]
[Prior art]
FIG. 3 is a block diagram showing an example of a system for fetching measurement data into a memory in a conventional digital oscilloscope.
The analog measurement signal is input to the A / D converter 001 and converted into a digital signal. The digital signal converted and output from the A / D converter 001 is written and stored in a
[0003]
Thus, the measurement data is written from the A / D converter 001 to the
[0004]
FIG. 4 is an explanatory diagram of memory address control by the conventional
[0005]
However, although this method is the simplest memory control method, there is a problem that only measurement data after the trigger signal is input can be captured.
In general, in a digital oscilloscope, a logic analyzer, or the like, it is desirable to be able to measure a state before a trigger signal is output, and it is also necessary to write measurement data before the trigger signal is output to the memory 2.
[0006]
FIG. 5 is an explanatory diagram of memory address control in which measurement data before a trigger signal is output can also be written into the
[0007]
When a trigger signal is output in this state, the
[0008]
That is, since the measurement data is written in the
[0009]
Although FIG. 3 shows an example of a digital oscilloscope, since an input signal in the case of a logic analyzer is a digital signal, it may be replaced with a data latch circuit such as a flip-flop instead of the A / D converter 001.
[0010]
FIG. 3 illustrates an example in which an SRAM that does not require a refresh operation and can be written and read as needed is used as the
Therefore, for example, a
[0011]
In FIG. 6, a digital signal converted and output from the A /
[0012]
On the other hand, data writing from the
[0013]
The
This
When the relationship of clock cycle> write time from the
[0014]
The
[0015]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the
However, since the
[0016]
The present invention, which focuses on problems of a measuring device using such a conventional large-capacity memory, and an object, when capture also the measurement data before the trigger signal is generated, as a large capacity memory An object of the present invention is to provide a measuring apparatus that improves the reliability of a memory by reducing the number of accesses to a hard disk used .
[0017]
[Means for Solving the Problems]
Among the aspects of the present invention that achieves such an object, the invention according to claim 1 is a measurement apparatus that controls storage of measurement data based on a trigger signal.
It has a semiconductor memory in which measurement data before trigger signal generation is repeatedly stored, and a hard disk in which measurement data after trigger signal generation is stored,
In the pre-trigger area until the trigger signal is output , the measurement data is stored in the semiconductor memory repeatedly according to the memory address output from the memory address controller.
In the post-trigger area after the trigger signal is generated , the measurement data is stored in the hard disk by accessing intermittently only from the time when the trigger signal is generated until the measurement data for a predetermined length is written. It is characterized by.
[0018]
As a result, the number of accesses to the large-capacity memory is greatly reduced, and the reliability of the large-capacity memory is increased.
[0019]
According to a second aspect of the present invention, in the measuring apparatus according to the first aspect, the semiconductor memory is an SRAM.
[0020]
The SRAM does not require a refresh operation and can realize a high-speed operation.
[0021]
According to a third aspect of the present invention, in the measuring apparatus according to the first aspect, the semiconductor memory is a DRAM.
[0022]
Although DRAM requires a refresh operation, the capacity can be increased relatively inexpensively.
[0024]
According to a fourth aspect of the present invention, in the measuring apparatus according to the first aspect, a magneto-optical disk is used in place of the hard disk .
[0025]
A hard disk with a large capacity can be obtained at a relatively low cost, and a magneto-optical disk can be carried while the storage medium is replaced.
[0026]
According to a fifth aspect of the present invention, in the measuring apparatus according to the first aspect, a part of the measurement data stored in the semiconductor memory and the hard disk is overlapped after the trigger signal is generated.
[0027]
As a result, it is possible to prevent missing measurement data when switching the storage destination of measurement data from the semiconductor memory to the large-capacity memory when the trigger signal is generated.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
FIG. 1 is a block diagram showing an example of an embodiment of the present invention. In the figure, the digital signal converted and output from the A /
[0029]
On the other hand, the writing of data from the
[0030]
In the pre-trigger area until the trigger signal is generated, the conversion operation of the A /
[0031]
In the post-trigger area after the trigger signal is generated, the writing of the measurement data to the memory 208 is completed, and the
[0032]
FIG. 2 is an explanatory diagram of the memory address control of FIG. In the pre-trigger state until the trigger signal is output, the measurement data is written to the memory 208 repeatedly at addresses from 0000 to xxxxxx in accordance with the memory address input from the
When the trigger signal is generated, measurement data writing is switched from the memory 208 to the
[0033]
As a result, measurement data from before the trigger signal is generated is written to the memory 208, and measurement data after the trigger signal is generated is written to the
That is, the
[0034]
In addition, since it takes some time from the generation of the trigger signal to the switching of the measurement data writing from the memory 208 to the
[0035]
In the above embodiment, an example in which an SRAM is used as the semiconductor memory has been described. However, a DRAM may be used if the circuit configuration can be complicated.
[0036]
The large capacity memory may be a magneto-optical disk. Although the magneto-optical disk has a smaller storage capacity per storage medium than the hard disk, it has the convenience that the storage medium itself can be exchanged or carried.
[0037]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the number of accesses to the large-capacity memory can be reduced in the measurement apparatus that controls the storage of the measurement data based on the trigger signal. Can be increased.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing an example of an embodiment of the present invention.
2 is an explanatory diagram of memory address control in FIG. 1; FIG.
FIG. 3 is a block diagram showing an example of a conventional measuring apparatus.
4 is an explanatory diagram of memory address control of FIG. 3; FIG.
FIG. 5 is an explanatory diagram of memory address control of the pre-trigger in FIG. 3;
FIG. 6 is a block diagram showing another example of a conventional measuring apparatus.
[Explanation of symbols]
201 A /
203 Large-capacity memory (hard disk)
204 Clock generator 205
208 Semiconductor memory (SRAM)
209 Memory address controller
Claims (5)
トリガ信号発生前の測定データが繰り返し格納される半導体メモリと、トリガ信号発生後の測定データが格納されるハードディスクとを有し、
トリガ信号が出力されるまでのプリトリガ領域では前記半導体メモリへの測定データの格納はメモリアドレス制御器から出力されるメモリアドレスに従って所定の番地間で繰り返して実行し、
トリガ信号が発生した後のポストトリガ領域ではハードディスクへの測定データの格納はトリガ信号が発生した時点から所定長さ分の測定データが書き込まれるまでの間だけ間欠的にアクセスすることにより実行することを特徴とする測定装置。In a measurement device that controls storage of measurement data based on a trigger signal,
It has a semiconductor memory in which measurement data before trigger signal generation is repeatedly stored, and a hard disk in which measurement data after trigger signal generation is stored,
In the pre-trigger area until the trigger signal is output , the measurement data is stored in the semiconductor memory repeatedly according to the memory address output from the memory address controller.
In the post-trigger area after the trigger signal is generated , the measurement data is stored in the hard disk by accessing intermittently only from the time when the trigger signal is generated until the measurement data for a predetermined length is written. Measuring device characterized by.
半導体メモリはSRAMであることを特徴とする測定装置。The measuring apparatus according to claim 1,
A measuring apparatus, wherein the semiconductor memory is an SRAM.
半導体メモリはDRAMであることを特徴とする測定装置。The measuring apparatus according to claim 1,
A measuring apparatus, wherein the semiconductor memory is a DRAM.
ハードディスクの代わりに光磁気ディスクを用いることを特徴とする測定装置。The measuring apparatus according to claim 1,
A measuring apparatus using a magneto-optical disk instead of a hard disk.
トリガ信号発生後に半導体メモリとハードディスクに格納する測定データの一部を重ならせることを特徴とする測定装置。The measuring apparatus according to claim 1,
A measurement apparatus characterized by overlapping a part of measurement data stored in a semiconductor memory and a hard disk after generation of a trigger signal.
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