JP3950594B2 - Display device - Google Patents

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JP3950594B2
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    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機物のエレクトロルミネッセント（ＥＬ）を利用した表示装置に関する。さらに詳しくは、電極形成の際に有機層にダメージを与えることなく、両面に透明電極を用い、両面から光を取り出すことができるようにし、光フィードバック回路を形成した表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の有機ＥＬ素子は、たとえば図４に示されるような構造になっている。すなわち、図４において、ガラスなどの透明基板３１上に、ＩＴＯなどからなる陽極電極３２が設けられ、その上に正孔輸送層３３、ＥＬ発光層３４、電子輸送層３５などからなる有機層３７、およびＭｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの仕事関数の小さい金属からなる陰極電極３９が設けられることにより形成されている。ＩＴＯ膜は、一般に抵抗の小さい膜として成膜するには、３００℃程度の高温で成膜することが望ましい。しかし、正孔輸送層３３、ＥＬ発光層３４、電子輸送層３５などの有機層材料を成膜した後は、有機層材料が劣化するため、１００℃程度以上に上昇することができない。さらに、陽極電極３２の仕事関数と有機層材料の価電子レベルとの間、および陰極電極３９と有機層材料の伝導レベルとの間でギャップが大きすぎると、電荷の注入性が低下し、何でもよいというわけにはいかない。
【０００３】
そのため、従来の有機ＥＬ素子は、図４に示されるように、陽極電極３２を基板３１側に設け、基板３１としてガラスなどの透明な基板を用い、有機層３７の上に設けられる電極３９を陰極として、前述のように、仕事関数の小さい金属電極が用いられ、ガラス基板３１の裏面側に光を取り出す構造に形成されている。
【０００４】
一方、たとえばL.S.Hungらによる「インターフェース エンジニアリング イン プリパレーション オブ オーガニック サーフェスエミッティング ダイオード（Interface engineering in preparation of organic surface-emitting diodes）」（アプライドフィジックスレター(Applied Physics Letters)第７４巻第２１号、１９９９年５月２４日、３２０９〜３２１１頁）にも記載されているように、高解像度の表示装置に用いるためには、陰極電極を透明にして表面発光型にすることが要求され、種々の研究がなされている。そして、同文献においては、有機層の上にＣｕＰｃを介してＩＴＯ膜を設けたり、電子輸送層であるＡｌｑとＣｕＰｃとの間、またはＣｕＰｃとＩＴＯとの間にＬｉ膜を設ける構造が開示されている。ＣｕＰｃは、ＩＴＯを成膜する際に有機層へのスパッタダメージを防止するために、ＬｉはＡｌｑとＣｕＰｃとの間の電子注入バリアを減ずるために設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来の有機ＥＬ素子は、基板上に陽極電極を形成し、その上に有機層が設けられ、最表面の陰極電極は、ＭｇＡｇなどの光を通さない金属電極か、Ｌｉ、ＣｕＰｃなどを介して、ＩＴＯ膜により形成する構造になっている。しかし、表面側の電極にＩＴＯ膜を用いると、ＩＴＯは３００℃程度の高温で成膜しないと充分に抵抗値の低い膜を得にくく、そのような高温で成膜すると、その下に積層される有機層が、前述のスパッタダメージとは別に、温度によるダメージを受け、膜質が低下して電気的特性が劣化するという問題がある。
【０００６】
また、前述の有機層上にＬｉ-ＣｕＰｃ-ＩＴＯを積層しようとすると、全く異なる蒸発源による成膜を繰り返さなければならず、非常に工数増となり、コストアップの原因になるという問題がある。
【０００７】
さらに、表面側の電極が透明であるのみならず、両面が透明電極により形成されることにより、シースルーの表示装置を形成したりすることができるため、その応用用途が広がる。そのため、製造上の問題がなく、しかも電極の仕事関数と有機層のバンドレベルとの間で整合がとれるような状態で、両電極が透明電極の有機ＥＬ素子が期待されている。
【００１０】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子の光をモニターし、その光により発光しつづける自己保持回路を形成したり、有機ＥＬ素子の輝度を所望の輝度にすることができる光フィードバック回路を、簡単な構成で外部からの光や隣接する画素からの光による影響を受けないで構成することができる構造の表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示装置は、非透光性の基板と、該基板上に設けられ、光透過性導電膜からなる第１の電極、少なくともＥＬ発光層を有する有機層、および光透過性導電膜からなる第２の電極を有する有機ＥＬ素子と、前記基板に設けられ、該有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタと、前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子からの光を受光する受光素子とを有し、該受光素子の出力により前記駆動用トランジスタを動作させることにより前記有機ＥＬ素子の発光または非発光を維持する自己保持回路を構成されている。前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に設けられ、前記有機ＥＬ素子が各画素を構成し、デューティ駆動される場合にとくに効果が大きい。
【００１６】
この構造にすることにより、有機ＥＬ素子をマトリクス状に配列して表示装置を構成する場合でも、各画素ごとに自己保持回路や輝度調整回路を構成しながら、基板が非透光性であるため、特別な遮光壁などを設けることなく、外部からの光や隣接する画素からの光の影響を受けにくくすることができる。その結果、高密度な画素で、階調表示なども簡単に行うことができ、表示特性の優れた繊細な表示画面を形成することができる。
【００１７】
前記基板が半導体基板からなり、該半導体基板上に前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成され、かつ、前記駆動用トランジスタが、該半導体基板に形成され、入力用ベース端子を有するホトトランジスタからなることにより前記受光素子を兼用することにより、各画素ごとの自己保持回路を非透光性の基板内に容易に形成することができる。
【００１８】
前記基板がシリコン基板からなり、該シリコン基板の表面に各画素ごとに拡散によるベース領域、該ベース領域への拡散によるエミッタ領域が形成されると桃に、該ベース領域に端子が形成されることにより前記駆動用トランジスタが形成され、該エミッタ領域上に該エミッタ領域と電気的に接続されるように前記有機ＥＬ素子の第１の電極が形成され、前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成されることができる。
【００１９】
前記有機ＥＬ素子の第１の電極が陽極電極として前記基板上にＩＴＯ膜により形成され、前記有機ＥＬ素子の第２の電極が酸化インジウムからなり、該第２の電極が前記有機層上にインジウム薄膜層を介して形成されてもよいし、前記有機ＥＬ素子の第１の電極が陰極電極として前記基板上に酸化インジウム膜により形成され、該陰極電極上にインジウム薄膜を介して前記有機層が設けられ、該有機層上に仕事関数が５ｅＶ以上の金属薄膜層を介して酸化インジウム膜からなる前記第２の電極が陽極電極として形成されてもよい。
この構造にすることにより、酸化インジウムは１００℃以下の低温で低抵抗な導電膜を成膜することができるため、有機層にダメージを与えることなく成膜することができ、高特性の有機ＥＬ素子を得ることができる。さらに、酸化インジウム膜と有機層との間に、インジウム薄膜が設けられることにより、有機層の価電子レベルまたは伝導レベルと酸化インジウムの仕事関数とのギャップを小さくすることができ、動作電圧を下げることができるため好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の有機ＥＬ素子およびその製法、ならびにそれを用いた表示装置について、図面を参照しながら説明をする。
【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子は、その一実施形態の断面説明図が図１に示されるように、基板１上に光透過性の第１の電極２が設けられ、その第１の電極２の上に少なくともＥＬ発光層４を有する有機層７が設けられている。そして、その有機層７の上に光透過性の第２の電極９が設けられ、少なくとも第２の電極９は酸化インジウムからなっている。
【００２２】
基板１は、たとえばガラス基板のような光透過性の基板を用いることもできるし、シリコン基板などの半導体基板を用いることにより、後述するような発光量をモニターする受光素子を設けたり、ＥＬ素子を駆動する駆動回路を容易に形成することができ、マトリクス状にＥＬ素子を並べて表示装置を構成する場合にとくに便利である。
【００２３】
第１の電極２は、図１に示される例では、陽極電極を構成しており、基板１上に蒸着などにより設けられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなっている。ＩＴＯの仕事関数は、４.６ｅＶであり、有機層７の正孔輸送層３の価電子レベルとの整合がとれており好ましい。しかも、有機層を積層する前の基板上に設けることができるため、高い温度で成膜することができ、抵抗値の小さい透明電極を形成することができる。しかし、陰極電極を基板側に形成する場合には、ＩＴＯは電子輸送層の伝導レベルとの整合がとれないため好ましくない。この場合、後述する第２の電極９のように、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）を陰極電極として用い、電子注入層または電子輸送層との間にインジウムメタル層を挿入することが好ましい。
【００２４】
第２の電極９は、図１に示される例では、陰極電極を構成しており、有機層７が形成された後に設けられるため、１００℃以上の温度で成膜することができず、１５００Å程度の厚さの酸化インジウム（たとえばＩｎ2Ｏ3）からなっている。酸化インジウムは、室温から高々１００℃までの温度でＩｎの蒸発およびプラズマ酸素などの酸素の供給により成膜することができる。そのため、有機層７を成膜した後の第２の電極９としては、酸化インジウムを使用することにより、有機層７の温度によるダメージを防止することができる。しかし、Ｉｎ2Ｏ3の仕事関数は、４.３８ｅＶで、後述する電子注入層または電子輸送層の伝導レベルとの整合が充分ではないため、Ｉｎ（仕事関数：４.０９ｅＶ）メタル層８を介することが好ましい。このＩｎメタル層８は、あまり厚くすると光を透過しなくなり、逆にＩｎメタル層８は、仕事関数を下げて電子の注入をしやすくすればよく、数Åから１００Å程度の厚さ設けられればよい。
【００２５】
第２の電極９が陽極電極である場合、仕事関数としてはＩＴＯが好ましいが、すでに有機層７が積層されているため、前述のように３００℃程度にしてＩＴＯ膜を形成することができず、同様に酸化インジウムを用いる必要がある。この場合、正孔輸送層の価電子レベルとの整合をとるため、Ａｕ（仕事関数：５.１ｅＶ）、Ｎｉ（仕事関数：５.１５ｅＶ）、Ｐｔ（仕事関数：５.６４ｅＶ）などの仕事関数が５ｅＶ以上と大きいメタル層を介して設けることが動作電圧を下げるために好ましい。この金属メタル層の厚さも、前述と同様に数Åから１００Å程度設ければ、光を透過すると共に、仕事関数の調整をすることができる。
【００２６】
有機層７は、図１に示される例では、たとえばＮＰＤからなる正孔輸送層３が６００Å程度、キナクリドンまたはクマリンを１重量％程度ドープしたＡｌｑからなるＥＬ発光層４を３００Å程度、Ａｌｑからなる電子輸送層５を３００Å程度、ＬｉＦからなる電子注入層６を５Å程度積層することにより形成されている。有機層７は、この例に限らず、最低限ＥＬ発光層４を有しておればよい。しかし、前述のように多層構造にすることにより、電荷（キャリア）の注入性などを向上させることができるため、好ましい。たとえば正孔輸送層３が用いられることにより、直接陽極電極からＥＬ発光層４へ注入されるよりも、注入性が向上する。また、ＥＬ発光層４と正孔輸送層との伝導レベルの差より、電子はＥＬ発光層にたまりやすい状態になっている。通常、有機ＥＬ素子では、電子が少数キャリアになっているため、この電子の障壁は発光効率の向上に効果的である。本明細書では、有機層７は電荷（電子または正孔）輸送層や電荷注入層などを含む層を意味し、これらのいずれかに無機物が含まれる場合もある。
【００２７】
正孔輸送層３は、一般的にはＥＬ発光層４への正孔注入性の向上のため、イオン化エネルギーがある程度小さく、ＥＬ発光層４への電子の閉じ込め（エネルギー障壁）が可能であることが求められており、アミン系の材料が用いられる。また、図には示されていないが、正孔輸送層３と陽極電極２との間に正孔注入層を設け、正孔輸送層３へのキャリアの注入性をさらに向上させることも行われる。この場合も、陽極電極２からの正孔の注入性を向上させるため、イオン化エネルギーの小さい材料が用いられ、代表例として、アミン系やフタロシアニン系が用いられる。
【００２８】
ＥＬ発光層４としては、発光波長に応じて選択されるが、たとえば青色系の材料として、ＤＳＡ系などの材料が用いられ、緑色の発光材料として、Ａｌｑなどが用いられる。このＥＬ発光層４は、有機物蛍光材料をドーピングすることにより、ドーピング材料固有の発光色を得ることができ、また発光効率や安定性を向上させることができる。このドーピングは、発光材料に対して数重量（ｗｔ）％程度で行われる。
【００２９】
電子輸送層５は、陰極電極９からの電子の注入性を向上させるためのもので、代表例としてＡｌｑが用いられる。この層があまり厚くなると、発光層ではなくこの層で発光するため、あまり厚くはしない。図１に示される例では、この電子輸送層５と陰極電極９との間に電子注入層６が設けられている。
【００３０】
このＥＬ素子を製造するには、まず、０.２μｍ程度の厚さにＩＴＯ膜が設けられたＩＴＯ付きガラス板１を酸素プラズマ処理して、表面を活性化させる。そして、真空蒸着法により、ＮＰＤからなる正孔輸送層３を６００Å程度、キナクリドンを１ｗｔ％程度ドーピングしたＡｌｑからなる発光層４を３００Å程度、Ａｌｑからなる電子輸送層５を３００Å程度、ＬｉＦからなる電子注入層６を５Å程度、それぞれ順次積層する。その後、真空蒸着装置で、Ｉｎメタルを蒸発させてＩｎ層７を成膜し、１０Å程度の厚さ成膜した状態で、Ｉｎの蒸発を続けながら酸素とＲＦパワーを導入し、プラズマ化した酸素を供給する。その結果、Ｉｎ層７上にＩｎが酸化した酸化インジウムＩｎ2Ｏ3が成膜される。この酸化インジウムからなる陰極電極９を１５００Å程度成膜することにより、図１に示される構造の有機ＥＬ素子が得られる。
【００３１】
本発明の有機ＥＬ素子によれば、基板側の陽極電極はＩＴＯにより、また表面側の陰極電極は酸化インジウムからなっているため、両面が透明電極からなり、どちらの面側にも光を取り出すことができる。しかも有機層を形成した後の第２の電極が、酸化インジウムにより形成されているため、１００℃以下の低温で成膜することができ、有機層へのダメージを与えることがない。その結果、発光効率が高く両面に光を出すことができる有機ＥＬ素子が得られる。
【００３２】
また、本発明の製法によれば、有機層７の成膜は、従来と同様に蒸着法により行われるが、陰極電極９の形成を、Ｉｎメタルを蒸発させながら酸素を供給することにより行っているため、電子注入層または電子輸送層６との仕事関数を調整する透明金属層７であるＩｎメタル層の成膜と連続して酸素の供給を追加するだけで連続して形成することができる。このＩｎメタル層は、仕事関数の点から好ましいが、酸化インジウムを成膜する際の酸素から有機層７を保護する役割も果たし、同じ材料系で陰極電極９を形成することができるため、非常に製造工程が簡単になる。
【００３３】
本発明の有機ＥＬ素子は、前述のように、両面が透明電極により形成されているため、有機ＥＬ素子の光によるフィードバック回路を設けて、一方からの光をモニター用として有機ＥＬ素子の発光量が一定になるような駆動回路を設けることもできるし、その光により有機ＥＬ素子を駆動する自己保持回路などを形成した表示装置を構成することもできる。この場合、支持基板に光を透過しない非透光性基板を用いることにより、外部からの光を遮断したり、隣接する画素からの光を遮断する遮光膜などを設けることなく、密集する画素を有する表示装置においても、各画素のみでの光フィードバック回路を構成することができる。とくにシリコン基板などの半導体基板を用いることにより、その基板に直接光をモニターする受光素子やフィードバック回路を形成することができるためとくに好ましい。このような不透明基板を支持基板として用いても、その反対面が透明電極により形成されているため、表示面とすることができる。
【００３４】
図２（ａ）は、このような裏面側の光を利用して自己保持回路を形成した表示装置の概念的な断面説明図である。すなわち、ｎ形のシリコン基板１１にｐ形の拡散領域によりベース領域１２が形成され、さらにｎ形拡散領域が形成されてエミッタ領域１３が形成されることにより、駆動用トランジスタ１５が形成されている。このトランジスタのエミッタ領域１３上に、前述の有機ＥＬ素子１０が形成され、第１の電極（陽極電極）２、有機層７、第２の電極（陰極電極）９が順次積層されている。トランジスタ１５のエミッタ１３と第１の電極２とが電気的に接続されているため、図２（ｂ）に等価回路図で示されるような、駆動用トランジスタ１５と有機ＥＬ素子１０とが直列に接続された構造になっている。
【００３５】
このベース領域１２に接続して設けられているコントロール電極（ベース電極）１４に駆動用トランジスタ１５をオンさせる信号が入ることにより、有機ＥＬ素子１０に電圧が印加され発光する。この駆動用トランジスタ１５は、またホトトランジスタにもなる。そのため、図２（ｂ）に示されるように、駆動用トランジスタ１５により有機ＥＬ素子１０が一旦発光すると、その光のエネルギーｈνが駆動用トランジスタ１５を駆動し発光を続ける。そして、コントロール電極１４に駆動用トランジスタ１５をオフする信号が入力されると有機ＥＬ素子１０もオフになり、発光しなくなるため、光による駆動もなく非発光を続ける。すなわち、ホトトランジスタ１５の信号により有機ＥＬ素子１０を駆動するように構成することにより、有機ＥＬ素子１０を発光させる場合には、その発光を続けさせ、発光させないときは非発光を続けさせる保持回路を構成することができる。
【００３６】
この例では、シリコン基板に光フィードバック回路を形成する例であったが、シリコン基板に限らず、他の半導体基板、または他の基板に薄膜半導体素子を形成したり、個別半導体素子をマウントして受光素子やフィードバック回路を組み込んで形成してもよい。しかし、前述のように、非透光性の基板、とくに半導体基板を用いることが、マトリクス状に有機ＥＬ素子を配列する表示装置では、その集積度を上げて、簡単に形成することができるため好ましい。また、有機ＥＬ素子の電極は、基板側が陽極電極である必要はなく、前述の材料関係が保たれれば、基板側に陰極電極が形成されてもよい。
【００３７】
このような表示装置によれば、有機ＥＬ素子の基板側に進む光を利用して、基板に光フィードバックを構成することができ、この有機ＥＬ素子をマトリクス状に配列して各画素を構成する表示装置とし、デューティ駆動をする場合でも、一旦信号を与えれば、その信号の発光または非発光を持続するため、外部信号を印加するインターバルを長く取ることができる。しかもその間隔においても、自己保持回路により発光を続けるため、つぎの駆動までの時間分を考慮した強い発光をする必要がなく、低い動作電圧で駆動することができる。すなわち、たとえば１／１０００のデューティで駆動する場合、瞬間的に視認する輝度の１０００倍の輝度（明るさ）で光らせる必要があるが、自己保持回路が形成されることにより、瞬間最大輝度を上げなくても所望の視認輝度が得られる。
【００３８】
その結果、ＥＬ素子の寿命を長くすることができると共に、非常に画素数の多い大型の表示装置になっても、輝度を落すことなく鮮明な表示をすることができる。さらに、アナログ的に入力信号を調整することができ、階調表示をすることもできる。すなわち、保持回路が設けられていないと、デューティ比１／１２０の線順次走査が限度で、画素数の多い表示装置では分割して別々に駆動回路を形成しなければならないが、本発明によればこのような制限はない。
【００３９】
図３に示される例は、光フィードバック回路を有する他の表示装置の例で、裏面側の光をモニター用として利用し、製造工程などによりばらつく有機ＥＬ素子の発光量を一定にする例の回路構成説明図である。すなわち、図３において、有機ＥＬ素子１０は、その駆動用ＭＯＳトランジスタ２１を介して駆動電源Ｖccとアースとの間に接続され、駆動用トランジスタ２１のゲートＧに印加される駆動信号に応じて有機ＥＬ素子を駆動する電力が制御される構造になっている。
【００４０】
駆動信号は、入力信号（設定電圧）Ｖsと受光素子２により検出した発光量とを比較して両者が等しくするような信号として駆動用ＭＯＳトランジスタ３１を制御する。すなわち、図３に示されるように、基板側に設けられる受光素子２２によるモニター光の出力電流を、スイッチ素子２３を介して取り出せるようにし、抵抗Ｒにより変換した電圧と、入力信号（設定電圧）Ｖsとを比較回路２４により比較し、入力信号Ｖsのレベルと異なる場合には、同じレベルにするように、比較回路２４から駆動信号をＭＯＳトランジスタ２１のゲートＧに印加する。
【００４１】
図３に示される例では、有機ＥＬ素子１０および受光素子２２などがマトリクス状に配列され、デューティ駆動することができるようにされると共に、その外部信号により駆動される時間に発光量をモニターし、駆動信号を調整することができるように、スイッチ素子２３が設けられている。そのため、駆動用ＭＯＳトランジスタ２１に印加する駆動信号とモニター用受光素子２２の出力電流を取り出すスイッチを同時にオン・オフする連動のスイッチ素子２３で構成されている。そして、制御端子２５によりその画素の選択が制御され、比較回路２４は、各画素に共通の１個で構成できるようになっている。なお、図３において、２６は電圧保持用のコンデンサで、デューティ駆動する場合でも、つぎの駆動信号までの間電圧を保持し、発光を続けられるようにするものである。
【００４２】
このような光フィードバック回路を設けると、たとえば有機ＥＬ素子などをマトリクス状に配列し、画素数の多い表示装置を構成する場合に、製造上のバラツキなどにより各画素で輝度のバラツキが生じても、その駆動電圧を調整して全ての画素で同じ輝度になるように各画素ごとの輝度を調整することができる。あるいは、階調表示をする場合、所望の画素の輝度を大きくしたり小さくするような場合でも、予め設定した駆動電圧を入力信号としてその電圧に相当する輝度で光らすことができ、階調表示をアナログ的に制御することができる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、有機ＥＬ素子の表面電極側に酸化インジウムを用いているため、有機層にダメージを与えることなく両面の電極を透明電極により形成することができる。
【００４４】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製法によれば、酸化インジウム膜を成膜する場合に、Ｉｎメタルを蒸発させながら酸素を導入して酸化させて成膜するため、有機層のバンドギャップとの関係で仕事関数を調整するＩｎメタルを介在させながら連続的に成膜することができる。そのため、工数がかからず、非常に簡単にＩｎメタル層と酸化インジウム膜を積層することができる。さらにＩｎメタルを蒸発させることにより、酸化インジウムを蒸発させるより、均一に蒸発させることができ、安定した酸化膜を形成することができる。
【００４５】
さらに本発明の表示装置によれば、両面が透明電極により形成された有機ＥＬ素子を用いて光フィードバック回路が形成されているため、自己保持回路や輝度調整回路を構成することができ、画素数が非常に多い、大きな表示装置をデューティ駆動することができ、鮮明な画像を表示することができる。さらに、各画素の輝度を均一に調整したり、各画素の輝度を変えて階調表示をしたりすることができ、非常に繊細な画像表示をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態である断面説明図である。
【図２】本発明の表示装置における光フィードバック回路の一例である自己保持回路の例を示す説明図である。
【図３】本発明の表示装置における光フィードバック回路の一例である各画素の発光部の輝度を調整する回路の例を示す説明図である。
【図４】従来の有機ＥＬ素子の断面説明図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 第１の電極
４ ＥＬ発光層
７ 有機層
９ 第２の電極
１０ 有機ＥＬ素子
１５ 駆動用トランジスタ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates Viewing apparatus using the organic electroluminescent (EL). More specifically, the present invention relates to a display device in which a transparent electrode is used on both sides without causing damage to the organic layer during electrode formation so that light can be extracted from both sides and an optical feedback circuit is formed.
[0002]
[Prior art]
A conventional organic EL element has a structure as shown in FIG. That is, in FIG. 4, an anode electrode 32 made of ITO or the like is provided on a transparent substrate 31 such as glass, and an organic layer 37 made of a hole transport layer 33, EL light emitting layer 34, electron transport layer 35, etc. , And a cathode electrode 39 made of a metal having a small work function such as Mg, Li, or Ca. In general, the ITO film is desirably formed at a high temperature of about 300 ° C. in order to form it as a film having a low resistance. However, after organic layer materials such as the hole transport layer 33, the EL light emitting layer 34, and the electron transport layer 35 are formed, the organic layer material is deteriorated, and thus cannot rise to about 100 ° C. or more. Furthermore, if the gap is too large between the work function of the anode electrode 32 and the valence electron level of the organic layer material and between the cathode electrode 39 and the conduction level of the organic layer material, the charge injectability is reduced. It's not good.
[0003]
Therefore, in the conventional organic EL element, as shown in FIG. 4, the anode electrode 32 is provided on the substrate 31 side, a transparent substrate such as glass is used as the substrate 31, and the electrode 39 provided on the organic layer 37 is provided. As described above, a metal electrode having a small work function is used as the cathode, and the cathode is formed in a structure for extracting light to the back side of the glass substrate 31.
[0004]
On the other hand, for example, “Interface engineering in preparation of organic surface-emitting diodes” by LSHung et al. (Applied Physics Letters, Vol. 74, No. 21, May 1999) On the 24th, pages 3209 to 3211), it is required to make the cathode electrode transparent to be a surface-emitting type in order to be used in a high-resolution display device, and various studies have been made. Yes. In this document, a structure is disclosed in which an ITO film is provided on an organic layer via CuPc, or an Li film is provided between Alq and CuPc, which are electron transport layers, or between CuPc and ITO. ing. CuPc is provided to reduce the electron injection barrier between Alq and CuPc in order to prevent sputter damage to the organic layer when depositing ITO.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the conventional organic EL element has an anode electrode formed on a substrate and an organic layer provided thereon, and the outermost cathode electrode is a metal electrode such as MgAg that does not transmit light, Li, The structure is formed of an ITO film via CuPc or the like. However, if an ITO film is used for the electrode on the surface side, it is difficult to obtain a film having a sufficiently low resistance unless it is formed at a high temperature of about 300 ° C. In addition to the above-described sputter damage, the organic layer is damaged by temperature, resulting in a problem that the film quality is deteriorated and the electrical characteristics are deteriorated.
[0006]
In addition, when Li—CuPc—ITO is to be laminated on the organic layer, the film formation by completely different evaporation sources must be repeated, which increases the number of steps and causes a cost increase.
[0007]
Furthermore, since the electrodes on the surface side are not only transparent, but both surfaces are formed of transparent electrodes, a see-through display device can be formed, and its application is expanded. Therefore, an organic EL element in which both electrodes are transparent electrodes is expected in a state where there is no problem in manufacturing and the work function of the electrode and the band level of the organic layer can be matched.
[0010]
The purpose of the present invention monitors the light of the organic EL element, or to form a self-holding circuit to continue to emit light by the light, the optical feedback circuit the luminance of the organic EL element can be set to a desired brightness, easy An object of the present invention is to provide a display device having a structure that can be configured without being affected by light from the outside or light from adjacent pixels.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The display device of the present invention includes a non-translucent substrate, a first electrode provided on the substrate and made of a light transmissive conductive film, an organic layer having at least an EL light emitting layer, and a light transmissive conductive film. an organic EL element having a second electrode comprising, provided on said substrate, a transistor for driving the organic EL elements, provided on the substrate, and a light receiving element for receiving light from the organic EL device The self-holding circuit is configured to maintain light emission or non-light emission of the organic EL element by operating the driving transistor according to the output of the light receiving element. The effect is particularly great when the organic EL elements are provided in a matrix and the organic EL elements constitute each pixel and are driven by duty.
[0016]
With this structure, even when organic EL elements are arranged in a matrix, a substrate is non-transparent while forming a self-holding circuit and a luminance adjustment circuit for each pixel. Further, it is possible to reduce the influence of light from the outside and light from adjacent pixels without providing a special light shielding wall. As a result, gradation display and the like can be easily performed with high-density pixels, and a delicate display screen with excellent display characteristics can be formed.
[0017]
The substrate is a semiconductor substrate, the organic EL elements are formed in a matrix on the semiconductor substrate, and the driving transistor is a phototransistor formed on the semiconductor substrate and having an input base terminal. wherein the Rukoto be also used a light receiving element, a self-holding circuit of each pixel can be easily formed on the non-light-transmitting in the substrate by.
[0018]
When the substrate is made of a silicon substrate and a base region by diffusion and an emitter region by diffusion to the base region are formed on the surface of the silicon substrate, a terminal is formed in the base region. by the driving transistor is formed, the first electrode of the organic EL device as the emitter region and electrically connected is formed on the emitter region, the organic EL element Ru is formed in a matrix be able to.
[0019]
The first electrode of the organic EL element is formed as an anode electrode with an ITO film on the substrate, the second electrode of the organic EL element is made of indium oxide, and the second electrode is indium on the organic layer. The first electrode of the organic EL element may be formed of an indium oxide film on the substrate as a cathode electrode, and the organic layer is formed on the cathode electrode through an indium thin film. The second electrode made of an indium oxide film may be formed on the organic layer as an anode electrode through a metal thin film layer having a work function of 5 eV or more .
With this structure, indium oxide can form a low-resistance conductive film at a low temperature of 100 ° C. or lower, so that the organic layer can be formed without damaging the organic layer. An element can be obtained. Furthermore, by providing an indium thin film between the indium oxide film and the organic layer, the gap between the valence level or conduction level of the organic layer and the work function of indium oxide can be reduced, and the operating voltage is lowered. This is preferable.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, the organic EL element of the present invention, its manufacturing method, and a display device using the same will be described with reference to the drawings.
[0021]
The organic EL element of the present invention is provided with a light transmissive first electrode 2 on a substrate 1, as shown in FIG. The organic layer 7 having at least the EL light emitting layer 4 is provided. A light transmissive second electrode 9 is provided on the organic layer 7, and at least the second electrode 9 is made of indium oxide.
[0022]
As the substrate 1, for example, a light-transmitting substrate such as a glass substrate can be used, and by using a semiconductor substrate such as a silicon substrate, a light receiving element for monitoring the amount of light emission as described later is provided, or an EL element is used. Can be easily formed, and is particularly convenient when a display device is configured by arranging EL elements in a matrix.
[0023]
In the example shown in FIG. 1, the first electrode 2 constitutes an anode electrode and is made of ITO (Indium Tin Oxide) provided on the substrate 1 by vapor deposition or the like. The work function of ITO is 4.6 eV, which is preferable because it matches the valence electron level of the hole transport layer 3 of the organic layer 7. And since it can provide on the board | substrate before laminating | stacking an organic layer, it can form into a film at high temperature and can form a transparent electrode with small resistance value. However, when the cathode electrode is formed on the substrate side, ITO is not preferable because it cannot match the conduction level of the electron transport layer. In this case, it is preferable to use indium oxide (In 2 O 3 ) as a cathode electrode and insert an indium metal layer between the electron injection layer or the electron transport layer as in the second electrode 9 described later.
[0024]
In the example shown in FIG. 1, the second electrode 9 forms a cathode electrode and is provided after the organic layer 7 is formed. It is made of indium oxide (for example, In 2 O 3 ) having a thickness of a certain degree. Indium oxide can be formed by evaporation of In and supply of oxygen such as plasma oxygen at a temperature from room temperature to 100 ° C. at most. Therefore, as the second electrode 9 after the organic layer 7 is formed, indium oxide can be used to prevent damage due to the temperature of the organic layer 7. However, the work function of In 2 O 3 is 4.38 eV, which is not sufficiently matched with the conductivity level of the electron injection layer or the electron transport layer, which will be described later, so that the In (work function: 4.09 eV) metal layer 8 is formed. It is preferable to pass through. If this In metal layer 8 is made too thick, it will not transmit light. On the contrary, the In metal layer 8 may be made easier to inject electrons by lowering the work function. Good.
[0025]
When the second electrode 9 is an anode electrode, ITO is preferable as a work function. However, since the organic layer 7 is already laminated, the ITO film cannot be formed at about 300 ° C. as described above. Similarly, it is necessary to use indium oxide. In this case, work such as Au (work function: 5.1 eV), Ni (work function: 5.15 eV), Pt (work function: 5.64 eV) is used to match the valence electron level of the hole transport layer. It is preferable to provide a metal layer having a large function of 5 eV or more in order to lower the operating voltage. If the thickness of the metal metal layer is also set to about several to 100 mm as described above, the light can be transmitted and the work function can be adjusted.
[0026]
In the example shown in FIG. 1, for example, the hole transport layer 3 made of NPD is made of about 600 liters, and the organic light emitting layer 4 made of Alq doped with about 1% by weight of quinacridone or coumarin is made of about 300 liters of Alq. The electron transport layer 5 is formed by laminating about 300 mm and the electron injection layer 6 made of LiF is stacked about 5 mm. The organic layer 7 is not limited to this example, and it is sufficient that the EL light emitting layer 4 is provided at the minimum. However, it is preferable to use a multilayer structure as described above because charge (carrier) injection properties and the like can be improved. For example, when the hole transport layer 3 is used, the injection property is improved as compared with the case where it is directly injected from the anode electrode into the EL light emitting layer 4. In addition, due to the difference in conduction level between the EL light emitting layer 4 and the hole transport layer, electrons are likely to accumulate in the EL light emitting layer. Usually, in an organic EL element, electrons are minority carriers, and thus the barrier of electrons is effective in improving luminous efficiency. In this specification, the organic layer 7 means a layer including a charge (electron or hole) transport layer, a charge injection layer, and the like, and any of these layers may contain an inorganic substance.
[0027]
The hole transport layer 3 generally has a small ionization energy to improve the hole injection property to the EL light emitting layer 4 and can confine electrons (energy barrier) to the EL light emitting layer 4. And amine-based materials are used. Although not shown in the figure, a hole injection layer is provided between the hole transport layer 3 and the anode electrode 2 to further improve the carrier injection property to the hole transport layer 3. . Also in this case, in order to improve the injection property of holes from the anode electrode 2, a material having a small ionization energy is used, and as a typical example, an amine or phthalocyanine is used.
[0028]
The EL light-emitting layer 4 is selected according to the emission wavelength. For example, a DSA-based material is used as a blue material, and Alq is used as a green light-emitting material. The EL light emitting layer 4 can obtain an emission color unique to a doping material by doping an organic fluorescent material, and can improve luminous efficiency and stability. This doping is performed at about several weight (wt)% with respect to the light emitting material.
[0029]
The electron transport layer 5 is for improving the injectability of electrons from the cathode electrode 9, and Alq is used as a representative example. If this layer becomes too thick, light is emitted from this layer instead of the light emitting layer, so it is not so thick. In the example shown in FIG. 1, an electron injection layer 6 is provided between the electron transport layer 5 and the cathode electrode 9.
[0030]
In order to manufacture this EL element, first, the glass plate 1 with ITO provided with an ITO film having a thickness of about 0.2 μm is subjected to oxygen plasma treatment to activate the surface. Then, by vacuum evaporation, the hole transport layer 3 made of NPD is made about 600 mm, the light emitting layer 4 made of Alq doped with about 1 wt% of quinacridone is made about 300 mm, the electron transport layer 5 made of Alq is made about 300 mm, and LiF. The electron injecting layer 6 is sequentially laminated by about 5 mm. Thereafter, the In metal 7 is formed by evaporating the In metal with a vacuum deposition apparatus, and oxygen and RF power are introduced while continuing the evaporation of In in a state where the In layer 7 is formed to a thickness of about 10 mm. Supply. As a result, indium oxide In 2 O 3 in which In is oxidized is formed on the In layer 7. An organic EL element having the structure shown in FIG. 1 can be obtained by depositing about 1500 mm of the cathode electrode 9 made of indium oxide.
[0031]
According to the organic EL element of the present invention, the anode electrode on the substrate side is made of ITO, and the cathode electrode on the surface side is made of indium oxide. Therefore, both sides are made of transparent electrodes, and light is extracted to either side. be able to. In addition, since the second electrode after the organic layer is formed is formed of indium oxide, the second electrode can be formed at a low temperature of 100 ° C. or lower, and the organic layer is not damaged. As a result, an organic EL element having high luminous efficiency and capable of emitting light on both sides is obtained.
[0032]
Further, according to the manufacturing method of the present invention, the organic layer 7 is formed by vapor deposition as in the prior art, but the cathode electrode 9 is formed by supplying oxygen while evaporating In metal. Therefore, it can be formed continuously only by adding oxygen supply in succession to the formation of the In metal layer that is the transparent metal layer 7 for adjusting the work function with the electron injection layer or the electron transport layer 6. . This In metal layer is preferable from the viewpoint of work function, but also serves to protect the organic layer 7 from oxygen when forming an indium oxide film, and the cathode electrode 9 can be formed with the same material system. In addition, the manufacturing process is simplified.
[0033]
As described above, since the organic EL element of the present invention is formed on both surfaces by the transparent electrodes, a feedback circuit using light of the organic EL element is provided, and the light emission amount of the organic EL element is used for monitoring light from one side. Can be provided, or a display device in which a self-holding circuit or the like for driving the organic EL element by the light is formed can be configured. In this case, by using a non-translucent substrate that does not transmit light as the support substrate, pixels that are densely packed can be formed without blocking light from the outside or providing a light-shielding film that blocks light from adjacent pixels. Even in the display device having the above-described structure, an optical feedback circuit including only each pixel can be configured. In particular, it is particularly preferable to use a semiconductor substrate such as a silicon substrate because a light receiving element and a feedback circuit for directly monitoring light can be formed on the substrate. Even when such an opaque substrate is used as a support substrate, the opposite surface is formed by a transparent electrode, and thus can be used as a display surface.
[0034]
FIG. 2A is a conceptual cross-sectional explanatory view of a display device in which a self-holding circuit is formed using such light on the back side. That is, the base region 12 is formed by the p-type diffusion region on the n-type silicon substrate 11, and the n-type diffusion region is formed to form the emitter region 13, thereby forming the driving transistor 15. . On the emitter region 13 of the transistor, the organic EL element 10 described above is formed, and a first electrode (anode electrode) 2, an organic layer 7, and a second electrode (cathode electrode) 9 are sequentially stacked. Since the emitter 13 of the transistor 15 and the first electrode 2 are electrically connected, the driving transistor 15 and the organic EL element 10 are connected in series as shown in an equivalent circuit diagram in FIG. It has a connected structure.
[0035]
When a signal for turning on the driving transistor 15 is input to a control electrode (base electrode) 14 connected to the base region 12, a voltage is applied to the organic EL element 10 to emit light. The driving transistor 15 is also a phototransistor. Therefore, as shown in FIG. 2B, once the organic EL element 10 emits light by the driving transistor 15, the energy hν of the light drives the driving transistor 15 and continues to emit light. When a signal for turning off the driving transistor 15 is input to the control electrode 14, the organic EL element 10 is also turned off and no light is emitted. That is, the organic EL element 10 is driven by the signal of the phototransistor 15 so that when the organic EL element 10 emits light, the light emission is continued, and when it does not emit light, the non-light emission is continued. Can be configured.
[0036]
In this example, the optical feedback circuit is formed on the silicon substrate. However, the semiconductor substrate is not limited to the silicon substrate, a thin film semiconductor element is formed on another semiconductor substrate, or another semiconductor element is mounted. A light receiving element or a feedback circuit may be incorporated. However, as described above, the use of a non-light-transmitting substrate, particularly a semiconductor substrate, can increase the degree of integration in a display device in which organic EL elements are arranged in a matrix and can be easily formed. preferable. Further, the electrode of the organic EL element does not need to be an anode electrode on the substrate side, and a cathode electrode may be formed on the substrate side as long as the above-described material relationship is maintained.
[0037]
According to such a display device, light traveling toward the substrate side of the organic EL element can be used to configure optical feedback on the substrate, and each pixel is configured by arranging the organic EL elements in a matrix. Even when the display device is duty-driven, once a signal is applied, the signal is continuously emitted or not emitted, so that the interval for applying an external signal can be increased. Moreover, since the light emission is continued by the self-holding circuit even in the interval, it is not necessary to emit strong light considering the time until the next driving, and the driving can be performed with a low operating voltage. That is, for example, when driving with a duty of 1/1000, it is necessary to shine at a brightness (brightness) 1000 times as high as the instantaneously visible brightness. However, by forming a self-holding circuit, the instantaneous maximum brightness is increased. Even if it is not, a desired visual luminance can be obtained.
[0038]
As a result, the lifetime of the EL element can be extended and a clear display can be performed without reducing the luminance even when the display device is a large display device having a very large number of pixels. Further, the input signal can be adjusted in an analog manner, and gradation display can be performed. That is, if a holding circuit is not provided, line-sequential scanning with a duty ratio of 1/120 is the limit, and a display device with a large number of pixels must be divided and separately formed drive circuits. There is no such restriction.
[0039]
The example shown in FIG. 3 is an example of another display device having an optical feedback circuit, in which the light on the back side is used for monitoring and the light emission amount of the organic EL element that varies depending on the manufacturing process is made constant. FIG. That is, in FIG. 3, the organic EL element 10 is connected between the driving power source Vcc and the ground via the driving MOS transistor 21, and is organic according to the driving signal applied to the gate G of the driving transistor 21. The power for driving the EL element is controlled.
[0040]
The drive signal controls the drive MOS transistor 31 as a signal that compares the input signal (set voltage) V s with the light emission amount detected by the light receiving element 2 and makes them equal. That is, as shown in FIG. 3, the output current of the monitor light from the light receiving element 22 provided on the substrate side can be taken out via the switch element 23, and the voltage converted by the resistor R and the input signal (set voltage) V s is compared by the comparison circuit 24, and when the level is different from the level of the input signal V s , the drive signal is applied from the comparison circuit 24 to the gate G of the MOS transistor 21 so as to be the same level.
[0041]
In the example shown in FIG. 3, the organic EL elements 10 and the light receiving elements 22 and the like are arranged in a matrix so that they can be driven by duty, and the amount of light emission is monitored during the time driven by the external signal. The switch element 23 is provided so that the drive signal can be adjusted. For this reason, it is composed of an interlocking switch element 23 for simultaneously turning on / off a drive signal applied to the drive MOS transistor 21 and a switch for extracting the output current of the monitor light receiving element 22. The selection of the pixel is controlled by the control terminal 25, and the comparison circuit 24 can be configured by one common to each pixel. In FIG. 3, reference numeral 26 denotes a voltage holding capacitor, which holds the voltage until the next drive signal even when duty driving, so that light emission can be continued.
[0042]
When such an optical feedback circuit is provided, for example, when organic EL elements are arranged in a matrix and a display device having a large number of pixels is configured, even if luminance variation occurs in each pixel due to manufacturing variation or the like. The luminance for each pixel can be adjusted such that the drive voltage is adjusted so that all the pixels have the same luminance. Alternatively, in the case of gradation display, even when the luminance of a desired pixel is increased or decreased, a preset drive voltage can be illuminated as an input signal with luminance corresponding to that voltage, and gradation display can be performed. It can be controlled in an analog manner.
[0043]
【The invention's effect】
According to the present invention, since indium oxide is used on the surface electrode side of the organic EL element, the electrodes on both sides can be formed by the transparent electrodes without damaging the organic layer.
[0044]
In addition, according to the method of manufacturing an organic EL element of the present invention, when an indium oxide film is formed, oxygen is introduced and oxidized while evaporating In metal to form a film. The film can be continuously formed while interposing an In metal that adjusts the work function according to the relationship. Therefore, the In metal layer and the indium oxide film can be stacked very easily without man-hours. Further, by evaporating In metal, it is possible to evaporate uniformly rather than evaporating indium oxide, and a stable oxide film can be formed.
[0045]
Furthermore, according to the display device of the present invention, since the optical feedback circuit is formed using the organic EL element having both surfaces formed of the transparent electrodes, a self-holding circuit and a brightness adjusting circuit can be configured, and the number of pixels Therefore, a large display device can be driven by duty and a clear image can be displayed. Furthermore, the luminance of each pixel can be adjusted uniformly, or gradation can be displayed by changing the luminance of each pixel, so that a very delicate image can be displayed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional explanatory view illustrating an embodiment of an organic EL element of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a self-holding circuit which is an example of an optical feedback circuit in the display device of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an example of a circuit that adjusts the luminance of a light emitting unit of each pixel, which is an example of an optical feedback circuit in the display device of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional explanatory view of a conventional organic EL element.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 1st electrode 4 EL light emitting layer 7 Organic layer 9 2nd electrode 10 Organic EL element 15 Drive transistor

Claims (6)

非透光性の基板と、該基板上に設けられ、光透過性導電膜からなる第１の電極、少なくともＥＬ発光層を有する有機層、および光透過性導電膜からなる第２の電極を有する有機ＥＬ素子と、前記基板に設けられ、該有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタと、前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子からの光を受光する受光素子とを有し、該受光素子の出力により前記駆動用トランジスタを動作させることにより前記有機ＥＬ素子の発光または非発光を維持する自己保持回路を構成する表示装置。A non-light-transmitting substrate; a first electrode provided on the substrate and made of a light-transmitting conductive film; an organic layer having at least an EL light-emitting layer; and a second electrode made of a light-transmitting conductive film and the organic EL element, provided on the substrate, a transistor for driving the organic EL elements, provided on the substrate, and a light receiving element for receiving light from the organic EL element, the output of the light receiving element emission or non-emission that make up the self-holding circuit to maintain the display device of the organic EL element by operating the driving transistor. 前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に設けられ、前記有機ＥＬ素子が各画素を構成し、デューティ駆動される請求項１記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the organic EL elements are provided in a matrix, and the organic EL elements constitute each pixel and are duty-driven . 前記基板が半導体基板からなり、該半導体基板上に前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成され、かつ、前記駆動用トランジスタが、該半導体基板に形成され、入力用ベース端子を有するホトトランジスタからなることにより前記受光素子を兼用する請求項１または２記載の表示装置。The substrate is a semiconductor substrate, the organic EL elements are formed in a matrix on the semiconductor substrate, and the driving transistor is a phototransistor formed on the semiconductor substrate and having an input base terminal. display device according to claim 1, wherein you alternate the light receiving element by. 前記基板がシリコン基板からなり、該シリコン基板の表面に各画素ごとに拡散によるベース領域、該ベース領域への拡散によるエミッタ領域が形成されると共に、該ベース領域に端子が形成されることにより前記駆動用トランジスタが形成され、該エミッタ領域上に該エミッタ領域と電気的に接続されるように前記有機ＥＬ素子の第１の電極が形成され、前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成されてなる請求項３記載の表示装置。 The substrate is a silicon substrate, and a base region by diffusion for each pixel is formed on the surface of the silicon substrate, an emitter region by diffusion to the base region, and a terminal is formed in the base region. A driving transistor is formed, a first electrode of the organic EL element is formed on the emitter region so as to be electrically connected to the emitter region, and the organic EL element is formed in a matrix. Item 4. The display device according to Item 3 . 前記有機ＥＬ素子の第１の電極が陽極電極として前記基板上にＩＴＯ膜により形成され、前記有機ＥＬ素子の第２の電極が酸化インジウムからなり、該第２の電極が前記有機層上にインジウム薄膜層を介して形成されてなる請求項４記載の表示装置。The first electrode of the organic EL element is formed by an ITO film on the substrate as an anode electrode, the second electrode of the organic EL element is indium oxide, indium second electrode on the organic layer comprising been made form through a thin layer according to claim 4 display device according. 前記有機ＥＬ素子の第１の電極が陰極電極として前記基板上に酸化インジウム膜により形成され、該陰極電極上にインジウム薄膜を介して前記有機層が設けられ、該有機層上に仕事関数が５ｅＶ以上の金属薄膜層を介して酸化インジウム膜からなる前記第２の電極が陽極電極として形成されてなる請求項４記載の表示装置。The first electrode of the organic EL element is formed as an indium oxide film on the substrate as a cathode electrode, the organic layer is provided on the cathode electrode through an indium thin film, and the work function is 5 eV on the organic layer. 5. The display device according to claim 4, wherein the second electrode made of an indium oxide film is formed as an anode electrode through the metal thin film layer.
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