JP3942873B2 - Extrusion processing apparatus and extrusion processing method - Google Patents
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Landscapes
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、金属、半導体材料、酸化物等に対して塑性変形加工の一種である押出し加工を施すために用いられる押出し加工装置及び押出し加工方法に関し、特に、熱電素子を製造するために用いられる熱電材料の押出し加工に適した押出し加工装置及び押出し加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
熱電素子とは、トムソン効果、ペルチェ効果、ゼーベック効果等の熱電効果を利用した素子、熱電対、電子冷却素子等をいい、構造が簡単かつ取扱いが容易で安定な特性を維持できることから、広範囲にわたる利用が注目されている。特に、電子冷却素子としては、局所冷却や室温付近の精密な温度制御が可能であることから、オプトエレクトロニクスや半導体レーザ等の温度調節、並びに、小型冷蔵庫等への適用に向けて、広く研究開発が進められている。
【0003】
熱電素子としては、比抵抗(抵抗率)ρ、熱伝導率κ、ゼーベック係数αを用いて、Z=α2/ρκで表される性能指数Zの大きなものが望まれる。また、熱電半導体材料の多くは、結晶構造に起因した異方性を有する。一般に、異方性結晶はへき開性を有し、材料強度が脆弱である。このため、実用材料としては、単結晶材料ではなく、性能指数の大きな結晶方位に配向させた多結晶材料が使用される。良好な性能指数を得るためには、凝固させた結晶材料を粉体化後に燒結し、燒結後にせん断応力を与える押出し加工等の塑性加工の工程を設けることが有効である。
【0004】
日本国特許出願公開(特開)2000−124512号公報には、熱電半導体材料の配向度を高めると共に、直方体状の熱電素子を切り出す際の歩留まり率を高め、表面の研磨工程と圧密工程を可能とする熱電半導体材料の製造方法が開示されている。
【0005】
図15は、特開2000−124512号公報に開示されている熱電半導体材料の製造方法を模式的に説明する図であり、図15の(A)はパンチ押圧前、(B)はパンチ押圧後の状態を示している。この製造方法においては、熱電材料を直方体状の焼結体210とし、この焼結体210をダイス211に注入してパンチ213を下降させる。ダイス211には、焼結体210が注入される入口側経路215と、入口側経路215より断面積の小さい直方体状の押出し経路217とが設けられている。パンチ213の下方向Dの押圧力により、焼結体210は押出し経路217から押し出され、直方体状の成形品が得られる。この押出しの際には、焼結体210が、ダイス211の側面方向Eから外力を受けて塑性変形する。このため、材料にかかる外力は大きく、かつ、材料全体に力がかかり易い。
【0006】
従って、この製造方法によれば、塑性変形による破壊と成形中の動的再結晶が良好に行われ、結晶粒が微細化する。この結晶粒の微細化により熱伝導率κが小さくなり、性能指数Zが向上する。また、熱間鍛造よりも外力の加わり度合いが良好であり、異方性が高まって性能指数が向上する。
【0007】
また、祝迫らによる文献「強せん断付加押し出しによるBi−Te系材料の配向制御」(第51回塑性加工連合講演会、2000年11月3〜5日)には、L字型の経路を有するダイスを用いて熱電材料に高いせん断応力を与えることにより、より完全な異方性の再発現を可能にすることが開示されている。
【0008】
図16は、上記文献に開示されている方法を模式的に説明する図であり、図16の(A)はパンチ押圧前、(B)はパンチ押圧後の状態を示している。この方法においては、入口側経路225と出口側経路227とからなるL字型の経路を有するダイス221中にBi−Te系材料220を封入し、パンチ223により押圧する。材料220は、経路の直角部Xで強いせん断応力を受けながら押し出される。このとき、Bi−Te結晶の容易すべり面(へき開面)ですべりが発生し、同時に回転を起こすことにより、結晶は再配列する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年では、熱電素子が適用されるオプトエレクトロニクス、半導体レーザなどの高性能化や高速化にともなって、より性能の高い熱電素子の開発が進んでいる。さらに、この分野の発展により、熱電素子の効率的な大量生産も要求されている。
【0010】
上述の特開2000−124512号公報に開示されている方法によれば、ダイス中の材料とダイスとの接触面近傍では十分なせん断応力が得られており結晶が再配列し易いが、図15(B)に示す材料の中心部Cと側部Pとのせん断応力の差をなくすことにより、さらに均一な配向度を得ることが期待される。
【0011】
また、「強せん断付加押し出しによるBi−Te系材料の配向制御」に開示されている方法によれば、材料は断面中のどの部分をとっても均一にせん断応力を受けるため、材料の内部において特性が一様な製品が得られる。しかしながら、材料がせん断応力を受けるのは、ダイスの直角部(L字型部)Xを通過する際の1回だけである。このため、付加されるせん断応力の量が十分とはいえず、十分な配向が得られ難い。
【0012】
一方、従来の他の金属材料のL字押出しにおいては、ダイスの入口と出口の形状を同じにして複数回のL字押出しをすることによって、せん断応力を複数回付加することができる。しかし、Bi−Te等の脆い脆性材料を用いる場合には、出口を入口より小さくすることにより、出口において圧縮応力を付加する必要がある。これは、入口と出口の形状を等しくすると、L字部で材料が破壊(座屈)してしまうためである。従って、熱電材料の成形においては、複数回のL字押出しを行うことができず、せん断応力を複数回付加することができない。
【0013】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、材料に十分なせん断応力を付加することにより、高い熱電性能をもつ熱電材料を製造できる押出し加工装置及び押出し加工方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明の第1の観点に係る押出し加工装置は、材料の入口側に位置する第1の押出し経路と、第1の押出し経路に継続する第2の押出し経路であって、第1の押出し経路に対して0度より大きく180度より小さい角度を成す第2の押出し経路とが少なくとも形成されたダイスと、第1の押出し経路に注入された材料を押すための押出し工具と、背圧をかけながら後退させることにより、第2の押出し経路から押し出される材料を押し返すための押さえ工具とを具備する。
【0017】
本発明の第1の観点によれば、背圧をかけながら後退させることによりダイスの第2の押出し経路から押し出される材料を押し返す工具を備えることにより、材料の破壊(座屈)を防ぐことができる。また、第2の押出し経路から高い圧縮応力を付加できるため、L字部でのせん断応力も高くなる。その後、押出しパンチ13と押さえパンチ14の動きを逆転させて往復させることにより、繰り返し押出しを行うこともできる。
さらに、第1の押出し経路と第2の押出し経路の形状を同じにすることができるため、材料の繰り返し押出しが可能となる。従って、同一の装置を用いて、せん断応力を複数回付加することにより、結晶粒がさらに微細化し、配向度が向上する。
【0018】
以上において、第1及び第2の押出し経路の各々が矩形断面を有することが望ましい。断面を矩形とすることにより、ダイスの幅方向におけるせん断応力のバラツキをなくして、せん断応力を均一化することができる。また、ダイスが複数の出口を有するようにすれば、1度に複数の材料を製造することができるので量産に適している。
【0019】
また、本発明の第2の観点に係る押出し加工装置は、第1の方向に設けられた材料の入口側に位置する第1の押出し経路と、第2の方向に設けられた材料の入口側に位置する第2の押出し経路と、第1及び第2の押出し経路に継続する第3の押出し経路であって、第1及び第2の押出し経路に対して0度より大きく180度より小さい角度を成す第3の押出し経路とが少なくとも形成されたダイスと、第1の押出し経路に注入された材料を第1の方向から押すための第1の押出し工具と、第2の押出し経路に注入された材料を第2の方向から押すための第2の押出し工具と、第3の押出し経路から押し出される材料を押し返すための押さえ工具とを具備する。
【0020】
本発明の第2の観点によれば、第1及び第2の経路において熱電材料に両側から押し圧力をかけて第3の経路に押し出すので、熱電材料に左右対称のせん断応力が付加される。従って、熱電材料において、結晶粒の配向の対称性を向上させることができる。
【0022】
本発明に係る押出し加工方法は、上記のいずれかの押出し加工装置を用いて材料の押出し加工を行う。また、本発明の第1の観点に係る押出し加工装置を用いる場合には、材料の先端にダミー材を入れながら材料の押出し加工を複数回行うことが好ましい。特に、複数回L字押出しを行う際に、材料の破壊(座屈)を防ぐことができる。さらに、以上において、熱間で材料の押出し加工を行うことが望ましい。その場合には、材料が破壊し難くなり、再結晶が起こり易くなる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基いて本発明の実施の形態について説明する。なお、同一の構成要素については同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る押出し加工装置の概要を示す図である。
図1に示すように、押出し加工装置10は、粉末成形された熱電材料20を押し出すパンチ(押出し工具)13と、パンチ13によって押し出される熱電材料20を塑性変形させる金型であるダイス11を含んでいる。パンチ13は、例えば油圧アクチュエータ(油圧シリンダ)によって駆動されるスライド1によって上下動を行う。パンチ13の押出し圧力は、荷重計2によって計測され、パンチ13の変位は、変位計5によって計測される。変位計5の計測値と経過時間との関係をモニターすることにより、パンチ13がほぼ一定の押出し速度で熱電材料20を押し出すように、スライド1の駆動を制御することができる。
【0024】
ダイス11が設置されているベース7の上には、ダイス11及び熱電材料20を加熱するためのヒータ6が設置されている。ヒータ6を用いることにより、熱間押出し加工を行うことが可能である。ダイス11の温度は、ダイス11の近傍に配置された温度センサ8によって計測される。温度センサ8の計測値をフィードバックしてヒータ6の発熱量を制御することにより、ダイス11及び熱電材料20を所望の温度に保つことができる。
【0025】
熱間押出し加工は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気もしくは真空中で、加工温度を350℃〜600℃、より好ましくは420℃〜500℃程度に保ちながら、押出し速度を例えば0.1mm/minとして行うことが望ましい。なお、本実施形態においては、ダイス11を固定してパンチ13を移動させたが、この逆に、パンチ13を固定してダイス11を移動させてもかまわない。
【0026】
図2は、本発明の第1の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図であり、図2の(A)と(B)は、押出し加工中の2つの状態を示している。
ダイス11には、パンチ13が上下に出し入れされる入口側経路15と、成形品が押し出される出口側経路17とが形成されている。入口側経路15と出口側経路17は連通(継続)しており、入口側経路15の長手方向の軸と出口側経路17の長手方向の軸とが角度θを形成している。本発明においては、角度θが0°より大きく180°より小さい範囲にあることが必要であり、望ましくは45〜135°とする。以下の実施形態においては、角度θを約90°としている。
【0027】
入口側経路15は、四角形(より好ましくは矩形)の断面形状を有し、断面積は経路の長手方向においてほぼ一定である。出口側経路17は、四角形(より好ましくは矩形)の断面形状を有し、ダイス11の出口に向かって断面積が減少する領域を有するように形成されている。すなわち、出口側経路17は、入口側経路15との連通部17aと、断面積が徐々に減少する絞り部17bと、断面積が減少したままの縮径部17cとを含んでいる。なお、出口側経路17の断面は、幅方向(紙面と垂直な方向)の寸法をほぼ一定として、図中の上下方向においてのみ絞りをかけることが望ましい。
【0028】
熱電素子の製造に使用される熱電材料としては、アンチモン、ビスマス、セレン、テルル、コバルト、マンガン、シリコン、亜鉛、マグネシウム、鉄、ゲルマニウム等、及びこれらを含む化合物が挙げられる。このような材料の溶製材、粉体、圧粉体、焼結体、及びこれらの加工体に対して、押出し加工が行われる。
【0029】
さらに詳しく説明すると、例えば、V族元素としてアンチモン(Sb)やビスマス(Bi)を用い、VI族元素としてセレン(Se)やテルル(Te)を用いる。V族元素とVI族元素の固溶体は、六方晶構造を有する。熱電材料の具体的な組成については、P型素子の材料として、テルル化ビスマス(Bi2Te3)とテルル化アンチモン(Sb2Te3)との混晶系固溶体にP型のドーパントを添加して用いたり、N型素子の材料として、テルル化ビスマス(Bi2Te3)とセレン化ビスマス(Bi2Se3)との混晶系固溶体にN型のドーパントを添加して用いることができる。
【0030】
ダイス11を用いて熱電材料20の押出し加工する際には、熱電材料20を入口側経路15に注入し、パンチ13を下降させると、出口側経路17から成形品が押し出される。このとき、図2(B)に示すように、焼結体20には、様々なせん断応力が付加される。入口側経路15と出口側経路17がほぼ直角に連通する境界部Xがせん断帯となり、境界部Xにおいて熱電材料20は強いせん断応力を受ける。
【0031】
さらに、熱電材料20が出口側経路17に進むと、同径路の絞り部17bの側面方向Eから外力を受け、熱電材料20が塑性変形する。従って、L字押出しと通常押出しのそれぞれの場合におけるせん断応力を加えることができるので、結晶粒がさらに微細化し、配向度が向上する。特に、径路の断面を矩形とすることにより、ダイスの幅方向におけるせん断応力のバラツキをなくして、せん断応力を均一化することができる。
また、ダイス11の出口側の形状は、上述のように絞り形状となっているので、ダイス11の出口から加工を受けて出てくる材料を拘束し、材料の破壊(座屈)を防ぐことができる。
【0032】
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図であり、図3の(A)はパンチ押圧前、(B)はパンチ押圧後の状態を示している。
【0033】
本実施形態に係る押出し加工装置は、2つのパンチ13、14を備えている。ダイス21には、パンチ13が上下に出し入れされる入口側経路25と、パンチ14が左右に出し入れされる出口側経路27とが形成されている。ダイス21において、入口側経路25と出口側経路27は連通している。入口側経路25と出口側経路27は、同じ四角形(より好ましくは矩形)の断面形状を有し、それぞれの経路の断面積は長手方向においてほぼ一定であることが望ましい。入口側経路25には、同径路に注入された材料を押すための押出しパンチ(押出し工具)13が、同経路をスライドするように設けられている。また、出口側経路27には、同径路から押し出される材料を押し返すことにより背圧をかける押さえパンチ(押さえ工具)14が、同経路をスライドするように設けられている。
【0034】
ダイス21を用いて熱電材料の押出し加工する際には、入口側経路25に熱電材料を注入し、押出しパンチ13を下降させるとともに、押さえパンチ14を背圧をかけながら後退させる。このとき、図3(B)に示すように、熱電材料20には、様々なせん断応力が付加される。すなわち、第1の実施形態と同様に、入口側経路25と出口側経路27がほぼ直角に連通する境界部Xがせん断帯となり、境界部Xにおいて熱電材料20は強いせん断応力を受ける。さらに、熱電材料20は、出口側経路27において押さえパンチ14から高い圧縮応力Sを受けているため、境界部Xでのせん断応力が強くなる。
その後、押出しパンチ13と押さえパンチ14の動きを逆転させて往復させることにより、繰り返し押出しを行うこともできる。
【0035】
また、本実施形態においては、入口側経路25と出口側経路27の断面形状を同じにすることにより、材料の繰り返し押出しが可能となる。その場合には、材料に複数回せん断応力を付加することができるので、結晶粒がさらに微細化し、配向度が向上する。
【0036】
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図4は、本発明の第3の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図であり、図4の(A)と(B)は、押出し加工中の2つの状態を示している。
【0037】
本実施形態に係る押出し加工装置は、第2の実施形態における2つのパンチの形状を変更したものである。押出しパンチ23は、その押出し面が、ダイス21の境界部Xにおける熱電材料20のせん断面とほぼ平行を保ちながら、入口側経路25をスライドする。また、押さえパンチ24は、ダイス21の境界部Xにおける熱電材料20のせん断面とほぼ平行を保ちながら、出口側経路27をスライドする。これにより、押出し力の方向を材料の移動方向と一致させて、よりスムーズな押出し加工を行うことができる。
【0038】
なお、本実施形態においては、燒結された熱電材料のバルクを斜めに切り出すことにより押出し加工用の熱電材料20を作成し、結晶のへき開面がダイス21の境界部Xにおけるせん断面とほぼ平行となるようにして押出し加工を行うことが望ましい。
【0039】
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図5は、本発明の第4の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
ダイス31には、パンチ33が上下に出し入れされる入口側経路35と、成形品が押し出される出口側経路37とが形成されている。ダイス31において、入口側経路35と出口側経路37は連通している。
【0040】
入口側経路35は、四角形(より好ましくは矩形)の断面形状を有し、出口側経路37との連通部に向かって断面積が減少する領域を有するように形成されている。すなわち、入口側経路35は、断面積がほぼ一定の入口部35aと、断面積が徐々に減少する絞り部35bと、断面積が減少したままの縮径部35cとを含んでいる。出口側経路37は、四角形(より好ましくは矩形)の断面形状を有し、断面積は経路の長手方向においてほぼ一定である。なお、入口側経路35の断面は、幅方向(紙面と垂直な方向)の寸法をほぼ一定として、図中の上下方向においてのみ絞りをかけることが望ましい。
【0041】
ダイス31を用いて熱電材料の押出し加工する際には、熱電材料20を入口側経路35に注入し、パンチ33を下降させると、出口側経路37から成形品が押し出される。このとき、入口側経路35の絞り部35bの側面方向から外力を受け、熱電材料20が塑性変形する。さらに、熱電材料20が出口側経路37に進むと、入口側経路35と出口側経路37がほぼ直角に連通する境界部Xがせん断帯となり、境界部Xにおいて熱電材料20は強いせん断応力を受ける。従って、通常押出しとL字押出しのそれぞれの場合におけるせん断応力を加えることができるので、結晶粒がさらに微細化し、配向度が向上する。特に、断面を矩形とすることにより、ダイスの幅方向におけるせん断応力のバラツキをなくして、せん断応力を均一化することができる。
【0042】
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。
図6は、本発明の第5の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
ダイス41には、パンチ33が上下に出し入れされる入口側経路45と、成形品が押し出される出口側経路47とが形成されている。ダイス41において、入口側経路45と出口側経路47は連通している。
【0043】
入口側経路45は、四角形(より好ましくは矩形)の断面形状を有し、出口側経路47との連通部に向かって断面積が減少する領域を有するように形成されている。すなわち、入口側経路45は、断面積がほぼ一定の入口部45aと、断面積が徐々に減少する絞り部45bとを含んでいる。出口側経路47は、四角形(より好ましくは矩形)の断面形状を有し、ダイス41の出口に向かって断面積が減少する領域を有するように形成されている。すなわち、出口側経路47は、入口側経路45との連通部47aと、断面積が徐々に減少する絞り部47bと、断面積が減少したままの縮径部47cとを含んでいる。なお、入口側経路45及び出口側経路47の断面は、幅方向(紙面と垂直な方向)の寸法をほぼ一定として、図中の上下方向においてのみ絞りをかけることが望ましい。
【0044】
ダイス41を用いて熱電材料の押出し加工する際には、熱電材料20を入口側経路45に注入し、パンチ33を下降させると、出口側経路47から成形品が押し出される。このとき、入口側経路45の絞り部45bの側面方向から外力を受け、熱電材料20が塑性変形する。さらに、熱電材料20が出口側経路47に進むと、入口側経路45と出口側経路47がほぼ直角に連通する境界部Xがせん断帯となり、熱電材料20は、強いせん断応力を受ける。加えて、出口側経路47の絞り部47bの側面方向から外力を受け、熱電材料20が塑性変形する。
【0045】
従って、L字押出しと2回分の通常押出しのそれぞれの場合におけるせん断応力を加えることができるので、結晶粒がさらに微細化し、配向度が向上する。特に、断面を矩形とすることにより、ダイスの幅方向におけるせん断応力のバラツキをなくして、せん断応力を均一化することができる。また、ダイス41の出口側の形状は、上述のように絞り形状となっているので、ダイス41の出口から加工を受けて出てくる材料を拘束して、材料の破壊(座屈)を防ぐことができる。
【0046】
次に、本発明の第6の実施形態について説明する。
図7は、本発明の第6の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
本実施形態に係る押出し加工装置のダイス51には、パンチ13が上下に出し入れされる入口側経路55と、成形品が押し出される2つの出口側経路57、58とが形成されている。入口側経路55と出口側経路57、58は連通しており、出口側経路57、58は、入口側経路55に対してそれぞれ約90°の角度を成し、互いに反対方向に延びている。また、出口側経路57、58は、第1の実施形態と同様に、ダイスの出口に向かって断面積が減少するように形成されている。
【0047】
入口側経路55に熱電材料20を注入し、パンチ13を下降させると、2つの出口側経路57、58から成形品が押し出される。このとき、入口側経路55と2つの出口側経路57、58とがほぼ直角に連通する2つの境界部X、Yはせん断帯となり、熱電材料20にせん断応力が付加される。
【0048】
なお、本実施形態においては2つの出口側経路57、58を入口側経路55に対してそれぞれ約90°の角度を成すように設けたが、出口側経路は3つ以上設けても良い。また、入口側経路と出口側経路との成す角度は、0°より大きく180°より小さい範囲にあれば良く、特に45°〜135°の範囲が望ましい。
【0049】
次に、本発明の第7の実施形態について説明する。
図8は、本発明の第7の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
本実施形態に係る押出し加工装置は、3つのパンチ12、13、14を備えている。ダイス61には、パンチ13が上下に出し入れされる入口側経路65と、パンチ12が左右に出し入れされる出口側経路67と、パンチ14が左右に出し入れされる出口側経路68とが形成されている。ダイス61において、入口側経路65と出口側経路67、68は連通している。入口側経路65には、同径路に注入された材料を押すための押出しパンチ(押出し工具)13が、同経路をスライドするように設けられている。また、出口側経路67には、同径路から押し出される材料を押し返すことにより背圧をかける押さえパンチ(押さえ工具)12が、同経路をスライドするように設けられている。同様に、出口側経路68には、同径路から押し出される材料を押し返すことにより背圧をかける押さえパンチ14が、同経路をスライドするように設けられている。
【0050】
ダイス61を用いて熱電材料の押出し加工する際には、入口側経路65に熱電材料を注入し、押出しパンチ13を下降させるとともに、押さえパンチ12、14を背圧をかけながら後退させる。このとき、入口側経路65と2つの出口側経路67、68とがほぼ直角に連通する2つの境界部X、Yはせん断帯となり、熱電材料20にせん断応力が付加される。さらに、熱電材料20は、出口側経路67、68において押さえパンチ12、14から高い圧縮応力を受けているため、境界部X、Yでのせん断応力が強くなる。
【0051】
次に、本発明の第8の実施形態について説明する。
図9は、本発明の第8の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
本実施形態に係る押出し加工装置のダイス71には、パンチ13が上下に出し入れされる入口側経路75と、成形品が押し出される出口側経路77と、入口側経路75と出口側経路77とを接続する中間経路76とが形成されている。各経路は連通しており、入口側経路75と中間経路76のなす角度は約90°であり、中間経路76と出口側経路77のなす角度は約90°である。各経路の断面形状は、四角形(より好ましくは矩形)である。また、入口側経路75の断面積と中間経路76の断面積とは等しい。出口側経路77は、ダイス71の出口に向かって断面積が減少するように形成されている。即ち、出口側経路77は、中間経路76との連通部から断面積が徐々に減少する絞り部77aと、断面積が減少したままの縮径部77bとを含んでいる。
【0052】
入口側経路75に熱電材料を注入し、パンチ13を下降させると、焼結体は中間経路76を通って出口側経路77から押し出される。このとき、連通する経路内には、入口側経路75と中間経路76が直角に連通する境界部X、及び、中間経路76と出口側経路77が直角に連通する境界部Yの2ヶ所において、熱電材料20に強いせん断帯が付加される。さらに、出口側経路77には絞り部77aが形成されているため、この絞り部77aにおいても側面方向Eから外力を受け、熱電材料20が塑性変形する。従って、結晶粒をさらに微細化させ、配向性を高めることが可能である。また、ダイス71の出口側の形状は、上述のように絞り形状となっているので、ダイス71の出口から加工を受けて出てくる材料を拘束して、材料の破壊(座屈)を防ぐことができる。
【0053】
次に、本発明の第9の実施形態について説明する。
図10は、本発明の第9の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
本実施形態に係る押出し加工装置のダイス81には、パンチ13が上下に出し入れされる入口側経路85と、成形品が押し出される出口側経路87と、入口側経路85と出口側経路87とを接続する中間経路86とが形成されている。各経路は連通しており、入口側経路85と中間経路86のなす角度は約90°であり、中間経路86と出口側経路87のなす角度は約90°である。各経路の断面形状は、四角形(より好ましくは矩形)である。また、各経路の断面積は、入口側経路85、中間経路86、出口側経路87の順に小さくなっている。さらに、出口側経路87は、ダイス81の出口に向かって断面積が減少するように形成されている。
【0054】
入口側経路85に熱電材料20を注入し、パンチ13を下降させると、焼結体は中間経路86を通って出口経路87から押し出される。このとき、これらの経路は材料の出口側に向かうに従って断面積が減少しているため、材料の座屈を防ぐのに大変効果的である。
【0055】
特に、第8の実施形態又は第9の実施形態におけるように、押出し経路が複数の湾曲部をもつ場合には、熱電材料20の先端にダミー材を入れて押出し加工を行うことにより、材料の破壊を抑えることができる。
【0056】
次に、本発明の第10の実施形態について説明する。以下の実施形態においては、2つのパンチを用いてT字押出しを行う。
図11は、本発明の第10の実施形態に係る押出し加工装置の概要を示す図である。図11に示すように、押出し加工装置100は、粉末成形された熱電材料20を押し出す2つのパンチ112、113と、パンチ112、113によって押し出される熱電材料20を塑性変形させる金型であるダイス111とを含んでいる。パンチ112、113は、例えば油圧アクチュエータ(油圧シリンダ)によって駆動されるスライド101、102によって左右に移動する。パンチ112、113の押出し圧力は、荷重計103、104によってそれぞれ計測され、パンチ112、113の変位は、変位計105、106によってそれぞれ計測される。変位計105、106の計測値と経過時間との関係をモニターすることにより、パンチ112、113がほぼ一定の押出し速度で熱電材料20を押し出すように、スライド101、102の駆動を制御することができる。
【0057】
ダイス111が設置されているベース107の上には、ダイス111及び熱電材料20を加熱するためのヒータ108が設置されている。ヒータ108を用いることにより、熱間押出し加工を行うことが可能である。ダイス111の温度は、ダイス111の近傍に配置された温度センサ109によって計測される。温度センサ109の計測値をフィードバックしてヒータ108の発熱量を制御することにより、ダイス111及び熱電材料20を所望の温度に保つことができる。
【0058】
熱間押出し加工は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気もしくは真空中で、加工温度を350℃〜600℃、より好ましくは420℃〜500℃程度に保ちながら、押出し速度を例えば0.1mm/minとして行うことが望ましい。
【0059】
図12は、本発明の第10の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
本実施形態に係る押出し加工装置のダイス111には、2つのパンチ112、113が左右にそれぞれ出し入れされる2つの入口側経路121、122と、成形品が押し出される出口側経路123とが形成されている。入口側経路112、113と出口側経路123は連通している。本発明においては、出口側経路123が、入口側経路112及び113に対して0°より大きく180°より小さい角度を成すことが必要であり、望ましくは45°〜135°とする。以下の実施形態においては、この角度を約90°とし、また、入口側経路112と113とが成す角を約180°としている。
【0060】
入口側経路121又は122から熱電材料20を注入し、パンチ112及び113を駆動すると、熱電材料20は両側から均等に加圧され、出口側経路123から成形品が押し出される。このとき、2つの入口側経路121、122と出口側経路123とがほぼ直角に連通する2つの境界部X、Yはせん断帯となり、熱電材料20にせん断応力が付加される。このように、左右から均等にせん断応力を付加することにより、熱電材料における結晶粒の配向が、熱電材料の中心面に対して左右対称となる。
【0061】
次に、本発明の第11の実施形態について説明する。
図13は、本発明の第11の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
本実施形態に係る押出し加工装置のダイス130には、2つのパンチ112、113が左右にそれぞれ出し入れされる入口側経路131、132と、成形品が押し出される2つの出口側経路133とが形成されている。出口側経路133には、第1の実施形態と同様に、ダイスの出口に向かって断面積が減少するように、絞り部134が形成されている。
【0062】
入口側経路131又は132に熱電材料20を注入し、パンチ112及び113を駆動すると、熱電材料20は両側から均等に加圧され、出口側経路133から成形品が押し出される。このとき、2つの入口側経路131、132と出口側経路133とがほぼ直角に連通する2つの境界部X、Yはせん断帯となり、熱電材料20にせん断応力が付加される。さらに、熱電材料20が出口側経路133に進むと、同径路の絞り部134の側面方向Eから外力を受け、熱電材料20が塑性変形する。これにより、熱電材料を構成する結晶粒がさらに微細化し、配向度が向上する。
【0063】
本実施形態によれば、T字押出しと通常押出しとの両方により、熱電材料の中心線に対して左右対称なせん断応力を受ける。従って、熱電材料の内部全体に渡って、粒界の配向が左右対称であり、位置による組織の特性にバラツキがない熱電材料を製造することができる。
【0064】
次に、本発明の第12の実施形態について説明する。
図14は、本発明の第12の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
本実施形態に係る押出し加工装置は、3つのパンチ112、113、114を備えている。ダイス140には、2つのパンチ112、113が左右にそれぞれ出し入れされる入口側経路141、142と、パンチ114が上下に出し入れされる出口側経路143とが形成されている。入口側経路141、142には、同径路に注入された材料を両側から押すための押出しパンチ112、113が、同経路をスライドするように設けられている。また、出口側経路67には、同径路から押し出される材料を押し返すことにより背圧をかける押さえパンチ(押さえ工具)114が、同経路をスライドするように設けられている。
【0065】
ダイス140を用いて熱電材料の押出し加工する際には、入口側経路141又は142から熱電材料を注入し、押出しパンチ112及び113を駆動させるとともに、押さえパンチ114を背圧をかけながら後退させる。このとき、2つの入口側経路141、142と出口側経路143とがほぼ直角に連通する2つの境界部X、Yはせん断帯となり、熱電材料20にせん断応力が付加される。さらに、熱電材料20は、出口側経路143において押さえパンチ114から高い圧縮応力を受けているため、境界部X、Yでのせん断応力が強くなる。
【0066】
【発明の効果】
以上述べた様に、本発明によれば、L字押出しと通常押出しのそれぞれの場合におけるせん断応力を加えることができるので、結晶粒をさらに微細化し、配向度を向上させることができる。この結晶粒の微細化により熱伝導率κが小さくなり、性能指数Zが向上する。また、配向度の向上によっても性能指数Zが向上する。従って、高い熱電性能をもつ熱電材料を製造することが可能となる。また、T字押出しによりせん断応力を加える場合には、結晶粒を微細化すると共に、押出し方向に対して左右対称な配向性を有し、位置による組織の特性にバラツキがない、均質な熱電材料を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る押出し加工装置の概要を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図であり、(A)と(B)は、押出し加工中の2つの状態を示している。
【図3】本発明の第2の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図であり、(A)はパンチ押圧前、(B)はパンチ押圧後の状態を示している。
【図4】本発明の第3の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図であり、(A)と(B)は、押出し加工中の2つの状態を示している。
【図5】本発明の第4の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図6】本発明の第5の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図7】本発明の第6の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図8】本発明の第7の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図9】本発明の第8の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図10】本発明の第9の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図11】本発明の第10の実施形態に係る押出し加工装置の概要を示す図である。
【図12】本発明の第10の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図13】本発明の第11の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図14】本発明の第12の実施形態に係る押出し加工装置において用いるダイスとパンチの構造を示す側面断面図である。
【図15】特開2000−124512号公報に開示されている熱電半導体材料の製造方法を模式的に説明する図であり、(A)はパンチ押圧前、(B)はパンチ押圧後の状態を示している。
【図16】文献「強せん断付加押し出しによるBi−Te系材料の配向制御」に開示されている方法を模式的に説明する図であり、(A)はパンチ押圧前、(B)はパンチ押圧後の状態を示している。
【符号の説明】
1、101、102 スライド
2、103、104 荷重計
5、105、106 変位計
6、108 ヒータ
7、107 ベース
8、109 温度センサ
10、100 押出し加工装置
11、21、31、41、51、61、71、81 ダイス
12、13、14、23、24、33 パンチ
15、25、35、45、55、65、75、85 入口側経路
76、86 中間経路
17、27、37、47、57、58、67、68、77、87 出口側経路
20 熱電材料
111、130、140 ダイス
112、113、114 パンチ
121、122、131、142、141、142 入口側経路
123、133、143 出口側経路
134 絞り部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention generally relates to an extrusion processing apparatus and an extrusion processing method used to perform extrusion processing, which is a kind of plastic deformation processing, on metals, semiconductor materials, oxides, and the like, and in particular, manufactures thermoelectric elements. The present invention relates to an extrusion apparatus and an extrusion method suitable for extruding a thermoelectric material used for the purpose.
[0002]
[Prior art]
Thermoelectric elements refer to elements that use thermoelectric effects such as the Thomson effect, Peltier effect, Seebeck effect, thermocouples, electronic cooling elements, etc., and have a wide range of features because they are simple in structure, easy to handle, and maintain stable characteristics. Use is drawing attention. In particular, as an electronic cooling element, since local cooling and precise temperature control near room temperature are possible, it is widely researched and developed for temperature control of optoelectronics and semiconductor lasers, and application to small refrigerators, etc. Is underway.
[0003]
As a thermoelectric element, using a specific resistance (resistivity) ρ, thermal conductivity κ, and Seebeck coefficient α, Z = α 2 A material having a large figure of merit Z expressed by / ρκ is desired. Many thermoelectric semiconductor materials have anisotropy due to the crystal structure. In general, anisotropic crystals have cleaving properties and weak material strength. For this reason, as a practical material, not a single crystal material but a polycrystalline material oriented in a crystal orientation with a large figure of merit is used. In order to obtain a good figure of merit, it is effective to provide a plastic processing step such as extrusion processing in which the solidified crystal material is sintered after powdering and shear stress is applied after sintering.
[0004]
Japanese Patent Application Publication (JP-A) 2000-124512 discloses a surface polishing process and a consolidation process that increase the degree of orientation of the thermoelectric semiconductor material and the yield rate when cutting a rectangular thermoelectric element. A method for producing a thermoelectric semiconductor material is disclosed.
[0005]
FIGS. 15A and 15B are diagrams schematically illustrating a method of manufacturing a thermoelectric semiconductor material disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-124512. FIG. 15A is before punch pressing, and FIG. 15B is after punch pressing. Shows the state. In this manufacturing method, the thermoelectric material is a rectangular parallelepiped
[0006]
Therefore, according to this manufacturing method, fracture due to plastic deformation and dynamic recrystallization during molding are performed well, and crystal grains are refined. The refinement of crystal grains reduces the thermal conductivity κ and improves the figure of merit Z. In addition, the degree of external force applied is better than that of hot forging, and anisotropy is increased to improve the figure of merit.
[0007]
In addition, in the literature by Congratulations et al., “Orientation control of Bi-Te-based materials by high shear additional extrusion” (51st Plastic Processing Joint Lecture, November 3-5, 2000), there is an L-shaped path. It has been disclosed that a high shear stress can be applied to a thermoelectric material using a die, thereby enabling more complete anisotropy.
[0008]
FIGS. 16A and 16B are diagrams for schematically explaining the method disclosed in the above-mentioned document. FIG. 16A shows a state before punch pressing, and FIG. 16B shows a state after punch pressing. In this method, a Bi-Te-based
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, in recent years, the development of thermoelectric elements with higher performance has progressed with the improvement in performance and speed of optoelectronics and semiconductor lasers to which thermoelectric elements are applied. Furthermore, with the development of this field, efficient mass production of thermoelectric elements is also required.
[0010]
According to the method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-124512, sufficient shear stress is obtained near the contact surface between the material in the die and the die, and the crystals are easily rearranged. By eliminating the difference in shear stress between the central portion C and the side portion P of the material shown in (B), it is expected that a more uniform degree of orientation is obtained.
[0011]
In addition, according to the method disclosed in “Orientation control of Bi-Te-based material by strong shear additional extrusion”, the material is subjected to a uniform shear stress in any part of the cross section, and therefore, the characteristics within the material are A uniform product is obtained. However, the material is subjected to shear stress only once when passing through the right-angle part (L-shaped part) X of the die. For this reason, it cannot be said that the amount of shear stress applied is sufficient, and it is difficult to obtain sufficient orientation.
[0012]
On the other hand, in the conventional L-shaped extrusion of other metal materials, the shear stress can be applied a plurality of times by performing the L-shaped extrusion a plurality of times with the same shape of the inlet and the outlet of the die. However, when a brittle material such as Bi-Te is used, it is necessary to apply a compressive stress at the outlet by making the outlet smaller than the inlet. This is because if the shapes of the inlet and the outlet are equal, the material breaks (buckles) at the L-shaped portion. Therefore, in the formation of the thermoelectric material, the L-shaped extrusion cannot be performed a plurality of times, and the shear stress cannot be applied a plurality of times.
[0013]
Therefore, in view of the above points, an object of the present invention is to provide an extrusion processing apparatus and an extrusion processing method capable of producing a thermoelectric material having high thermoelectric performance by applying sufficient shear stress to the material.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, an extrusion processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a first extrusion path located on the material inlet side and a second extrusion path continuing to the first extrusion path. And at least a second extrusion path that forms an angle greater than 0 degrees and less than 180 degrees with respect to the first extrusion path. A die, an extrusion tool for pushing the material injected into the first extrusion path, and a pressing tool for pushing back the material extruded from the second extrusion path by retreating while applying back pressure. It comprises.
[0017]
First of the present invention 1 From the point of view By retracting while applying back pressure By providing a tool that pushes back the material extruded from the second extrusion path of the die, it is possible to prevent the material from being broken (buckled). Further, since a high compressive stress can be applied from the second extrusion path, the shear stress at the L-shaped portion is also increased. Thereafter, the
Furthermore, since the shapes of the first extrusion path and the second extrusion path can be made the same, the material can be repeatedly extruded. Therefore, by applying the shear stress multiple times using the same apparatus, the crystal grains are further refined and the degree of orientation is improved.
[0018]
In the above, it is desirable that each of the first and second extrusion paths has a rectangular cross section. By making the cross section rectangular, the shear stress can be made uniform by eliminating variations in the shear stress in the width direction of the die. If the die has a plurality of outlets, a plurality of materials can be manufactured at a time, which is suitable for mass production.
[0019]
In addition, the first of the present invention 2 The extrusion processing apparatus according to the above aspect includes a first extrusion path located on the material inlet side provided in the first direction, and a second extrusion located on the material inlet side provided in the second direction. A third extrusion path continuing from the path and the first and second extrusion paths, wherein the third extrusion path forms an angle greater than 0 degrees and less than 180 degrees with respect to the first and second extrusion paths. And at least formed dies A first extrusion tool for pushing the material injected into the first extrusion path from the first direction, and a second for pushing the material injected into the second extrusion path from the second direction. An extrusion tool, and a pressing tool for pushing back the material extruded from the third extrusion path, It comprises.
[0020]
First of the present invention 2 According to this aspect, since the thermoelectric material is pressed from both sides in the first and second paths and pushed out to the third path, symmetrical shear stress is applied to the thermoelectric material. Therefore, in the thermoelectric material, the symmetry of crystal grain orientation can be improved.
[0022]
In the extrusion method according to the present invention, the material is extruded using any of the above-described extrusion apparatuses. In addition, the first of the present invention 1's When the extrusion apparatus according to the aspect is used, it is preferable to extrude the material a plurality of times while putting a dummy material at the tip of the material. In particular, when the L-shaped extrusion is performed a plurality of times, the material can be prevented from being broken (buckled). Further, in the above, it is desirable to extrude the material hot. In that case, the material is difficult to break and recrystallization is likely to occur.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same reference number is attached | subjected about the same component, and description is abbreviate | omitted.
FIG. 1 is a diagram showing an outline of an extrusion processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, an extrusion processing apparatus 10 includes a punch (extrusion tool) 13 for extruding a
[0024]
A
[0025]
In the hot extrusion process, the extrusion speed is set to, for example, 0.1 mm / min while maintaining the processing temperature at about 350 ° C. to 600 ° C., more preferably about 420 ° C. to 500 ° C. in an inert gas atmosphere such as argon or in a vacuum. It is desirable to do. In this embodiment, the
[0026]
FIG. 2 is a side cross-sectional view showing the structure of a die and a punch used in the extrusion processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 2 (A) and 2 (B) show the two during extrusion processing. Indicates the state.
The
[0027]
The entrance-
[0028]
Examples of thermoelectric materials used in the manufacture of thermoelectric elements include antimony, bismuth, selenium, tellurium, cobalt, manganese, silicon, zinc, magnesium, iron, germanium, and compounds containing these. Extrusion is performed on the melted material, powder, green compact, sintered body, and these processed bodies of such materials.
[0029]
More specifically, for example, antimony (Sb) or bismuth (Bi) is used as a group V element, and selenium (Se) or tellurium (Te) is used as a group VI element. A solid solution of a group V element and a group VI element has a hexagonal crystal structure. Regarding the specific composition of the thermoelectric material, bismuth telluride (Bi) is used as the material of the P-type element. 2 Te Three ) And antimony telluride (Sb) 2 Te Three P-type dopant added to a mixed crystal solid solution with bismuth), or bismuth telluride (Bi) as an N-type element material 2 Te Three ) And bismuth selenide (Bi) 2 Se Three N-type dopants can be added to the mixed crystal solid solution.
[0030]
When the
[0031]
Further, when the
Moreover, since the shape of the exit side of the die 11 is a drawing shape as described above, the material that is processed and processed from the exit of the die 11 is restrained to prevent destruction (buckling) of the material. Can do.
[0032]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
3A and 3B are side cross-sectional views showing the structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 3A is before punch pressing, and FIG. 3B is after punch pressing. Shows the state.
[0033]
The extrusion processing apparatus according to the present embodiment includes two
[0034]
When extruding the thermoelectric material using the
Thereafter, the
[0035]
Moreover, in this embodiment, by making the cross-sectional shapes of the
[0036]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 4 is a side cross-sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, and FIGS. 4 (A) and 4 (B) show two parts during the extrusion processing. Indicates the state.
[0037]
The extrusion processing apparatus according to the present embodiment is obtained by changing the shapes of the two punches in the second embodiment. The
[0038]
In the present embodiment, the
[0039]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
The
[0040]
The inlet-side passage 35 has a quadrangular (more preferably rectangular) cross-sectional shape, and is formed so as to have a region where the cross-sectional area decreases toward the communication portion with the outlet-
[0041]
When the thermoelectric material is extruded using the
[0042]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 6 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
The
[0043]
The inlet-
[0044]
When extruding the thermoelectric material using the
[0045]
Therefore, since shear stress can be applied in each case of L-shaped extrusion and normal extrusion for two times, the crystal grains are further refined and the degree of orientation is improved. In particular, by making the cross section rectangular, it is possible to make the shear stress uniform by eliminating variations in the shear stress in the width direction of the die. Moreover, since the shape of the exit side of the die 41 is a drawing shape as described above, the material that is processed and processed from the exit of the die 41 is restrained to prevent destruction (buckling) of the material. be able to.
[0046]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
The die 51 of the extrusion processing apparatus according to the present embodiment is formed with an
[0047]
When the
[0048]
In the present embodiment, the two outlet-
[0049]
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a side sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.
The extrusion processing apparatus according to the present embodiment includes three
[0050]
When extruding the thermoelectric material using the
[0051]
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a side sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.
The die 71 of the extrusion processing apparatus according to the present embodiment includes an
[0052]
When a thermoelectric material is injected into the
[0053]
Next, a ninth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a side sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a ninth embodiment of the present invention.
The die 81 of the extrusion processing apparatus according to the present embodiment includes an
[0054]
When the
[0055]
In particular, as in the eighth embodiment or the ninth embodiment, when the extrusion path has a plurality of curved portions, by inserting a dummy material at the tip of the
[0056]
Next, a tenth embodiment of the present invention will be described. In the following embodiment, T-shaped extrusion is performed using two punches.
FIG. 11 is a diagram showing an outline of an extrusion processing apparatus according to the tenth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 11, the extrusion processing apparatus 100 includes two
[0057]
A heater 108 for heating the
[0058]
In the hot extrusion process, the extrusion speed is set to, for example, 0.1 mm / min while maintaining the processing temperature at about 350 ° C. to 600 ° C., more preferably about 420 ° C. to 500 ° C. in an inert gas atmosphere such as argon or in a vacuum. It is desirable to do.
[0059]
FIG. 12 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a tenth embodiment of the present invention.
The die 111 of the extrusion processing apparatus according to the present embodiment is formed with two inlet-
[0060]
When the
[0061]
Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 13 is a side sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion apparatus according to an eleventh embodiment of the present invention.
In the
[0062]
When the
[0063]
According to this embodiment, both T-shaped extrusion and normal extrusion are subjected to shear stress that is symmetrical with respect to the center line of the thermoelectric material. Therefore, a thermoelectric material in which the orientation of grain boundaries is bilaterally symmetric throughout the entire thermoelectric material and there is no variation in the characteristics of the structure depending on the position can be produced.
[0064]
Next, a twelfth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is a side sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion apparatus according to a twelfth embodiment of the present invention.
The extrusion processing apparatus according to this embodiment includes three
[0065]
When the thermoelectric material is extruded using the
[0066]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since shear stress can be applied in each of L-shaped extrusion and normal extrusion, crystal grains can be further refined and the degree of orientation can be improved. The refinement of crystal grains reduces the thermal conductivity κ and improves the figure of merit Z. Further, the figure of merit Z is improved by improving the degree of orientation. Therefore, it becomes possible to manufacture a thermoelectric material having high thermoelectric performance. In addition, when shear stress is applied by T-shaped extrusion, the crystal grains are refined, the orientation is symmetrical with respect to the extrusion direction, and there is no variation in the characteristics of the structure depending on the position. Can be manufactured.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an outline of an extrusion processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are side cross-sectional views showing the structure of a die and a punch used in the extrusion apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B show two states during the extrusion process. ing.
FIGS. 3A and 3B are side cross-sectional views showing the structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A shows a state before punch pressing, and FIG. Show.
FIGS. 4A and 4B are side cross-sectional views showing structures of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIGS. 4A and 2B show two states during the extrusion processing. ing.
FIG. 5 is a side cross-sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a side cross-sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a side sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion processing apparatus according to a ninth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing an outline of an extrusion processing apparatus according to a tenth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion apparatus according to a tenth embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a side sectional view showing a structure of a die and a punch used in an extrusion apparatus according to an eleventh embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a side sectional view showing the structure of a die and a punch used in an extrusion apparatus according to a twelfth embodiment of the present invention.
FIGS. 15A and 15B are diagrams schematically illustrating a method of manufacturing a thermoelectric semiconductor material disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-124512. FIG. 15A shows a state before punch pressing, and FIG. 15B shows a state after punch pressing. Show.
FIGS. 16A and 16B are diagrams schematically illustrating a method disclosed in the document “Controlling the orientation of a Bi—Te-based material by high shear additional extrusion”, where FIG. 16A is before punch pressing, and FIG. 16B is punch pressing. The later state is shown.
[Explanation of symbols]
1, 101, 102 slides
2, 103, 104 Load cell
5, 105, 106 Displacement meter
6,108 Heater
7, 107 base
8,109 Temperature sensor
10, 100 Extrusion processing equipment
11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81 dice
12, 13, 14, 23, 24, 33 punch
15, 25, 35, 45, 55, 65, 75, 85 Inlet side path
76, 86 intermediate route
17, 27, 37, 47, 57, 58, 67, 68, 77, 87 Exit side path
20 Thermoelectric materials
111, 130, 140 dice
112, 113, 114 punches
121, 122, 131, 142, 141, 142 Entrance side path
123, 133, 143 Exit side route
134 Aperture
Claims (8)
前記第1の押出し経路に注入された材料を押すための押出し工具と、
背圧をかけながら後退させることにより、前記第2の押出し経路から押し出される材料を押し返すための押さえ工具と、
を具備する押出し加工装置。A first extrusion path located on the inlet side of the material and a second extrusion path continuing to the first extrusion path, the angle being greater than 0 degrees and less than 180 degrees with respect to the first extrusion path A die formed with at least the second extrusion path comprising:
An extrusion tool for pushing the material injected into the first extrusion path;
A pressing tool for pushing back the material extruded from the second extrusion path by retreating while applying back pressure;
An extrusion apparatus comprising:
前記第1の押出し経路に注入された材料を第1の方向から押すための第1の押出し工具と、
前記第2の押出し経路に注入された材料を第2の方向から押すための第2の押出し工具と、
前記第3の押出し経路から押し出される材料を押し返すための押さえ工具と、
を具備する押出加工装置。 A first extrusion path located on the material inlet side provided in the first direction, a second extrusion path located on the material inlet side provided in the second direction, and the first and second At least a third extrusion path that is formed at an angle greater than 0 degrees and smaller than 180 degrees with respect to the first and second extrusion paths. With dice,
A first extrusion tool for pushing the material injected into the first extrusion path from a first direction;
A second extrusion tool for pushing material injected into the second extrusion path from a second direction;
A pressing tool for pushing back the material extruded from the third extrusion path;
Comprising the extrusion apparatus.
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