JP3931719B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特に高い温度環境下で用いられる自動車用、計測用または校正用などの各種半導体集積回路において抵抗素子として使用されるポリシリコン抵抗を備えた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路において、導体の変形や回路不良を引き起こす原因となるエレクトロマイグレーションの発生率に影響する要素は、電流密度、温度および結晶構造であることが知られている(「CMOSVLSl設計の原理 システムの視点から」、富沢孝、松山泰男監修、丸善株式会社発行、122頁)。しかし、これら3つの要素のうち、温度の影響については未だ十分な検討がされていないため、温度に関する具体的な制約条件などについては不明である。
【0003】
ところで、自動車用やプラント計測用、その他の高い温度(たとえば常温よりも高い温度)環境下で用いられる半導体集積回路では、温度的なストレスが半導体集積回路に及ぼす影響を十分考慮する必要がある。特に、各種センサ装置のように、検知した物理量に応じて生成したアナログ微小信号を50倍から1000倍程度まで増幅する装置では、その微小信号が伝搬する導体の抵抗値が変動すると、その影響がそのまま増幅される。そのため、このような装置では、たとえばポリシリコン抵抗を金属配線に電気的に接続するポリシリコンコンタクトなどの微妙な断面構造の部分における抵抗変化に敏感に反応してしまう。
【0004】
従来より、ポリシリコン抵抗の抵抗値のばらつきやコンタクト抵抗のばらつきを抑制する提案がなされている。たとえば、特開平9−232521号公報には、ポリシリコン抵抗の抵抗値をモニターしながら熱処理をおこなうことによって、ポリシリコン抵抗の上のBSG膜から不純物を拡散させて抵抗値を調整する構成の半導体装置およびその製造方法が開示されている。また、特開平11−150010号公報には、ポリシリコン抵抗と金属配線とのコンタクト位置を調整することにより抵抗値を調整する方法が開示されている。また、特開平11−330365号公報には、ポリシリコン抵抗の上に窒化膜を形成し、コンタクトホールを開口する際のポリシリコン抵抗へのオーバーエッチングによるダメージを抑制することによって、コンタクト抵抗のばらつきを抑制する構成の半導体装置およびその製造方法が開示されている。これらはいずれも製造段階において抵抗値を設計値に近づけるための提案であり、高温環境下での抵抗値の経時変化を抑制することを目的としたものではない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、発明者らは、ポリシリコン抵抗に対する温度の影響について検討をおこなった。その際、ポリシリコン抵抗をポリシリコンコンタクトを介して金属配線に電気的に接続した構成とし、その構成は、半導体集積回路において従来より一般的に用いられている構成とした。その結果、従来の構成のポリシリコン抵抗およびポリシリコンコンタクトよりなる半導体装置を高い温度環境下に放置すると、図9に示すように、その抵抗値が拡散抵抗よりも大きく変動することがわかった。
【0006】
これは、高い温度環境下、たとえば常温よりも高い温度環境下でポリシリコンコンタクトの抵抗値が大きく変動することが原因である。図9は、従来のポリシリコン抵抗よりなる半導体装置と拡散抵抗について、220℃で放置したときの抵抗値の変動量を比較するためのグラフである。なお、自動車用などの半導体集積回路の使用環境の温度は、最高でも150℃程度であるが、ここではそれよりも高温に設定して加速試験をおこなっている。
【0007】
したがって、このような従来の構成のポリシリコン抵抗よりなる半導体装置を、高い温度環境下で使用される回路のアンプ増幅回路に用いた場合には、高温環境下において時間の経過とともにアンプ増幅率が変動してしまうため、長期信頼性を確保することが困難であるという問題点がある。
【0008】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、高温環境下で使用しても、抵抗値が殆ど変動しないポリシリコン抵抗を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体装置は、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された2つの端部を有するポリシリコン抵抗と、該ポリシリコン抵抗の前記2つの端部に、接続手段を介して電気的に接続された2つの金属配線と、からなる半導体装置において、前記ポリシリコン抵抗の抵抗値をRpolyとし、前記接続手段の抵抗値の合計をRconとすると、RpolyとRconとがつぎの式で表される関係を満たすことを特徴とする。
【0010】
Rcon/(Rpoly+Rcon)≦0.02
【0011】
そして、前記接続手段は、一つまたは複数のポリシリコンコンタクトからなるものであってもよい。
【0012】
ここで、この半導体装置は、同一半導体基板上に集積されたアナログ回路、特にセンサ素子から出力された電気信号を増幅する増幅回路内の抵抗素子として用いられる。この増幅回路は、高い温度環境で用いられ、たとえば自動車用や計測用や校正用の集積回路に含まれる。
【0013】
この発明によれば、ポリシリコンコンタクトの抵抗値Rconが、ポリシリコンコンタクトの抵抗値Rconとポリシリコン抵抗の抵抗値Rpolyとの和の2%以下に抑えられるため、ポリシリコンコンタクトの抵抗変化の影響が少ない半導体装置を構成することが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明者らが本発明を完成するに至るまでにおこなった検討内容について説明する。この検討にあたっては、以下に説明する第1〜第4のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置を用意した。図1〜図3は、それぞれ第1〜第3のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置の概略構成を示す平面図である。これら3つの半導体装置は、ポリシリコン抵抗の幅および抵抗値が異なるだけであり、その他の構成は同じである。したがって、これらの図1〜図3A−Aにおける縦断面構造は同じであり、図4に示す構造となる。また、図5および図6は、第4のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置の概略構成を示す平面図、およびそのB−Bにおける縦断面図である。なお、図1〜図6では、各部の大きさや長さについては正確に表されているわけではない。
【0015】
第1のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置は、図1および図4に示すように、半導体基板1上にBPSGやPSGなどの絶縁膜2を介して矩形状のポリシリコン抵抗3が形成され、このポリシリコン抵抗3の略両端が、それぞれ、酸化膜等の層間絶縁膜6を貫通するポリシリコンコンタクト4を介してアルミニウム等の金属配線5に電気的に接続された構成となっている。ポリシリコンコンタクト4は、金属配線5の形成時にコンタクトホール内に被着した金属膜により構成されている。ここで、ポリシリコン抵抗3の幅は2μmである(図1参照)。ポリシリコンコンタクト4,4間の距離、すなわちポリシリコン抵抗3の抵抗値Rpolyに寄与する部分の長さは100μmである(図4参照)。このとき、ポリシリコン抵抗3のシート抵抗を31Ω/□とすると、ポリシリコン抵抗Rpolyの値は1.55kΩである。
【0016】
また、ポリシリコンコンタクト4の大きさ、厳密にはコンタクトホールの開口寸法は、設計ルールで定められたものであり、この場合は2μm×2μmであり、コンタクト抵抗Rconはコンタクト1箇所につき54Ωである。したがってこの例では、Rcon/(Rpoly+Rcon)は約7%となる。なお、ポリシリコンコンタクト4の大きさ(2μm×2μm)は、設計ルールで定められているため、つぎに説明する第2乃至第4のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置においても同じである。
【0017】
図2に示す第2のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置では、ポリシリコン抵抗7の幅は4μmであり(図2参照)、このときのRpolyの値は790Ωである。したがってこの例では、Rcon/(Rpoly+Rcon)は約12%となる。また、図3に示す第3のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置では、ポリシリコン抵抗8の幅は7.6μmであり(図3参照)、このときのRpolyの値は400Ωである。したがってこの例では、Rcon/(Rpoly+Rcon)は約21%となる。また、上記2つの場合においても同様にコンタクトホールの開口寸法は2μm×2μmであり、コンタクト抵抗Rconはコンタクト1箇所につき54Ωである。
【0018】
図5および図6に示す第4のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置では、ポリシリコン抵抗9の幅は9.2μmであり、前記ポリシリコン抵抗9上のポリシリコンコンタクト104,104間の最短距離は400μmである。このときのRpolyの値は約1.35kΩである。したがってこの例では、Rcon/(Rpoly+Rcon)は1.96%となる。設計ルールでコンタクトホールの形状が定められており、コンタクト抵抗はコンタクト1箇所につき54Ωであるため、所望のコンタクト抵抗の値Rconを得るためには、コンタクトホールを複数個設ければよく、図5に示す例では、片側につき4箇所のコンタクトホールを設けている。
【0019】
ポリシリコンコンタクト104の底面は、金属配線5の形成時にコンタクトホール内に金属配線5と同じ金属(たとえばアルミニウム)を被着した金属膜でポリシリコン抵抗9に接している。ポリシリコンコンタクト104の開口部内は図示しない層間絶縁膜あるいはパッシベーション膜形成時に上記膜と同材料にて平坦化される。
【0020】
ポリシリコンコンタクト104を確実にポリシリコン抵抗9と接続するために、ポリシリコン抵抗9のポリシリコンコンタクト104との接続領域を、ポリシリコンコンタクト104よりも若干大きく形成してもよい。
【0021】
ポリシリコン抵抗9の抵抗値Rpolyの値を所望の抵抗値とし、かつRcon/(Rpoly+Rcon)≦2%を充足するためには、コンタクト抵抗Rconの値を規定すればよく、設計ルールでコンタクトホールの形状が規定されているような場合には、その個数によって値を調整すればよい。
【0022】
上述した構成の第1〜第4のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置を複数個ずつ用意し、220℃の高温放置加速試験を実施し、4時間、10時間および14時間経過時点での抵抗値を測定した。その結果を図7に示す。図7において、Rcon/(Rpoly+Rcon)の値がおおよそ7%のプロット群は図1に示す第1のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置のものであり、おおよそ12%のプロット群は図2に示す第2のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置のものであり、おおよそ21%のプロット群は図3に示す第3のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置のものであり、2%のプロット群は図5に示す第4のポリシリコン抵抗を備えた半導体装置のものである。
【0023】
図7より、Rcon/(Rpoly+Rcon)の値がいずれの値であっても放置時間が長くなるにつれて抵抗値の変動量が大きくなり、また、Rcon/(Rpoly+Rcon)の値が大きくなるにつれて抵抗値の変動量が大きくなることがわかる。高い温度(たとえば常温より高い温度)における抵抗値の変動量を0.1%以下に抑制する場合には、図7よりRcon/(Rpoly+Rcon)の値をおおよそ2%以下に設定すればよいことがわかる。
【0024】
なお、Rcon/(Rpoly+Rcon)の値は2%以下に限定されるものではなく、抵抗値の変動量の要求値に対応して、適宜、図7よりRcon/(Rpoly+Rcon)の値を求めればよい。すなわち、抵抗値の変動量の許容値が0.1%よりも緩い場合にはRcon/(Rpoly+Rcon)の値は2%よりも大きい値でもよいし、逆に、抵抗値の変動量の許容値が0.1%よりも厳しい場合にはRcon/(Rpoly+Rcon)の値は2%よりも小さい値となる。ちなみに、図9に示す従来構成のポリシリコン抵抗およびポリシリコンコンタクトよりなる半導体装置では、Rcon/(Rpoly+Rcon)の値は30%である。
【0025】
つぎに、本発明にかかる半導体装置を適用したアナログ回路の一例について説明する。図8は、そのアナログ回路の要部を示す回路図である。このアナログ回路は、圧力、温度、加速度、音または光などの物理量を検知し、その検知した強度に応じた電気信号を出力するセンサ素子を備えたセンサ装置の一部を構成する。図8において、符号11は、センサ素子を構成するゲージ回路であり、符号12は、ゲージ回路11の出力信号を増幅するアンプであり、符号13は、本発明にかかる半導体装置よりなる抵抗素子、すなわちRcon/(Rpoly+Rcon)の値がたとえば2%以下になるように設計されたポリシリコンでできた抵抗素子である。この抵抗素子13は、ゲージ回路11やアンプ12などとともに同一半導体基板上に作製される。
【0026】
上述した実施の形態によれば、Rcon/(Rpoly+Rcon)の値がたとえば2%以下に抑えられるため、ポリシリコンコンタクトの抵抗変化の影響が少ない半導体装置を構成することが可能となる。したがって、高い温度(たとえば常温よりも高い温度)環境下で使用しても、抵抗値が殆ど変動しないポリシリコン抵抗を備えた半導体装置が得られる。そして、この半導体装置を用いることによって長期信頼性の高い高温向けの半導体集積回路が実現できる。特に、高い温度(たとえば常温よりも高い温度)環境下で使用される自動車用、プラント計測用または校正用などの各種半導体集積回路の抵抗素子として有効である。
【0027】
以上において本発明は、上述した実施の形態に制限されるものではないことは明らかである。たとえば、図5,図6に示した半導体装置のポリシリコン抵抗9の寸法および抵抗値は一例であり、これらの値は実際の設計にあたって、Rcon/(Rpoly+Rcon)≦2%を満たす範囲において種々変更される。
【0028】
【発明の効果】
本発明によれば、ポリシリコンコンタクトの抵抗値Rconが、ポリシリコンコンタクトの抵抗値Rconとポリシリコン抵抗の抵抗値Rpolyとの和の2%以下に抑えられるため、ポリシリコンコンタクトの抵抗変化の影響が少ない半導体装置を構成することが可能となる。したがって、高い温度環境下で使用しても、抵抗値が殆ど変動しないポリシリコン抵抗を備えた半導体装置が得られ、これを用いることによって長期信頼性の高い高温向けの半導体集積回路が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態において用いた第1のポリシリコン抵抗よりなる半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図2】本発明の実施の形態において用いた第2のポリシリコン抵抗よりなる半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図3】本発明の実施の形態において用いた第3のポリシリコン抵抗よりなる半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図4】図1〜図3のA−Aにおける縦断面図である。
【図5】本発明の実施の形態において用いた第4のポリシリコン抵抗よりなる半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図6】図5のB−Bにおける縦断面図である。
【図7】第1〜第4のポリシリコン抵抗よりなる半導体装置について高温での加速試験をおこなった結果を示すグラフである。
【図8】本発明にかかるポリシリコン抵抗よりなる半導体装置を適用したアナログ回路の一例の要部を示す回路図である。
【図9】従来のポリシリコン抵抗と拡散抵抗について、220℃で放置したときの抵抗値の変動量を比較するために本発明者らがおこなった検討結果を示すグラフである。
【符号の説明】
1 半導体基板
2 絶縁膜
3,7,8,9 ポリシリコン抵抗
4,104 ポリシリコンコンタクト
5 金属配線
11 ゲージ回路(センサ素子)
13 抵抗素子
Claims (7)
- 半導体基板上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン抵抗と、該ポリシリコン抵抗上を覆う層間絶縁膜に開口された少なくとも2つのコンタクトホールと、該少なくとも2つのコンタクトホールのうちの異なるコンタクトホール内において前記ポリシリコン抵抗とそれぞれ電気的に接続された2つの金属配線と、からなる半導体装置において、
前記ポリシリコン抵抗の抵抗値をRpolyとし、前記ポリシリコン抵抗と前記金属配線のコンタクト抵抗値の合計をRconとすると、
Rcon/(Rpoly+Rcon)≦0.02
の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。 - 前記コンタクトホールは、前記2つの金属配線それぞれに対して複数個備え、
該複数個のコンタクトホール内のそれぞれにおいて、前記ポリシリコン抵抗と前記金属配線とが電気的に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 同一半導体基板上に集積されたアナログ回路内の抵抗素子として用いられることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記アナログ回路は、検知した物理量に応じた電気信号を生成するセンサ素子に接続され、該センサ素子から出力された電気信号を増幅する増幅回路であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記増幅回路は、高い温度環境で用いられる自動車用の集積回路に含まれることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記増幅回路は、高い温度環境で用いられる計測用の集積回路に含まれることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記増幅回路は、高い温度環境で用いられる校正用の集積回路に含まれることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
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