JP3926186B2

JP3926186B2 - High frequency switch and wireless communication device

Info

Publication number: JP3926186B2
Application number: JP2002092879A
Authority: JP
Inventors: 一英瓜生; 徹山田; 中久保英明; 正治田中
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2007-06-06
Anticipated expiration: 2022-03-28
Also published as: JP2002368646A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば携帯電話などに用いられる高周波スイッチ、および無線通信機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、移動体通信利用者の拡大やそのシステムのグローバル化から、たとえば、図１１に示されているような対応周波数帯を有するＥＧＳＭ、ＤＣＳ、およびＰＣＳの各システムを一つの携帯電話などで利用するための高周波スイッチが注目されている。なお、図１１は、ＥＧＳＭ、ＤＣＳ、およびＰＣＳの対応周波数帯の説明図である。
【０００３】
そこで、従来の高周波スイッチの回路図である図１２を参照しながら、携帯電話などに利用される従来の高周波スイッチの構成および動作について説明する。
【０００４】
従来の高周波スイッチは、送受信切換回路１２１、１２２、および送受信切換回路１２１、１２２をアンテナ（ＡＮＴ）に接続するための分波回路１２３を備えたトリプルバンド（前述のＥＧＳＭ、ＤＣＳ、およびＰＣＳ）対応の高周波スイッチである。
【０００５】
送受信切換回路１２１は、ＥＧＳＭの送信を行うための送信端子Ｔｘ１、およびＥＧＳＭの受信を行うための受信端子Ｒｘ１を有し、送受信切換回路１２２はＤＣＳおよびＰＣＳの送信を行うための送信端子Ｔｘ２、ＤＣＳの受信を行うための受信端子Ｒｘ２、およびＰＣＳの受信を行うための受信端子Ｒｘ３を有している。
【０００６】
なお、受信端子Ｒｘ３は、送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う際にオフ状態となるダイオードＤ１を介して、アンテナに接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の高周波スイッチには、送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う際、オフ状態となるダイオードＤ１のために高調波歪みが発生してしまうという課題があった。
【０００８】
本発明は、上記従来のこのような課題を考慮し、高調波歪みの低減された高周波スイッチ、および無線通信機器を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
第一の本発明は、第一の送信端子、第一、第二の受信端子を介して行われる送信と受信との切換を行うための送受信切換回路であって、前記送信を行う際にオフ状態となる第一のダイオードを有する第一の送受信切換回路と、
前記送信を行う際に前記第一のダイオードによって発生する高調波歪みを抑制するための第一のローパスフィルタと、を備え、
前記第一の送受信切換回路は、前記送信と前記受信とを行うためのアンテナに接続され、
前記第一のローパスフィルタは、前記第一の送受信切換回路と前記アンテナとの間に挿入され、
前記第一の送信端子は、前記送信を行う際に順方向となる第二のダイオードおよび前記第一のローパスフィルタを介して前記アンテナに接続され、
前記第一の送信端子と前記第二のダイオードのアノードとの間に挿入される、前記送信を行う際に発生する高調波歪みを抑制するための第二のローパスフィルタをさらに備え、
前記第一のローパスフィルタは、前記第二のローパスフィルタと比較して信号ロスがより小さい特性を有し、
前記第二のローパスフィルタは、前記第一のローパスフィルタと協働して前記送信を行う際に発生する高調波歪みを抑制する高周波スイッチである。
第２の本発明は、第一の送信端子、第一、第二の受信端子を介して行われる送信と受信との切換を行うための送受信切換回路であって、前記送信を行う際にオフ状態となる第一のダイオードを有する第一の送受信切換回路と、
前記送信を行う際に前記第一のダイオードによって発生する高調波歪みを抑制するための第一のローパスフィルタと、を備え、
前記第一の送受信切換回路は、前記送信と前記受信とを行うためのアンテナに接続され、
前記第一の受信端子は、前記第一のダイオードを介して前記アンテナに接続され、
前記第一のローパスフィルタは、前記第一のダイオードと前記アンテナとの間に挿入される高周波スイッチである。
第３の本発明は、前記第一の送信端子は、二つの送信を行うために共用される第１または２の何れかの本発明の高周波スイッチである。
第４の本発明は、送信端子、受信端子を介して行われる送信と受信との切換を行うための第二の送受信切換回路と、
前記第一の送受信切換回路および前記第二の送受信切換回路を前記アンテナに接続するための分波手段と、をさらに備えた第１から３の何れかの本発明の高周波スイッチである。
第５の本発明は、送信端子、受信端子を介して行われる送信と受信との切換を行うための複数の送受信切換回路と、
前記複数の送受信切換回路をアンテナに接続するための分波手段と、を備え、
前記それぞれの受信端子は、前記アンテナに接続されるとともに順方向のダイオードおよび接地抵抗を介してそれぞれ接地され、
前記受信端子の内の全部または一部の受信端子は、前記接地抵抗にインダクタを介して接続され、
前記それぞれの接地に利用される接地抵抗は、一つの抵抗で共有化されている高周波スイッチである。
第６の本発明は、前記受信端子の内、（１）最も低い周波数帯域を利用して受信を行うための受信端子は前記接地抵抗に前記インダクタを介して接続されており、（２）最も高い周波数帯域を利用して受信を行うための受信端子は前記接地抵抗に前記インダクタを介さずに接続されている第５の本発明の高周波スイッチである。
第７の本発明は、前記最も低い周波数帯域を利用して受信を行うための受信端子を前記接地抵抗に接続するための前記インダクタは、前記受信端子側への前記送信端子側からの信号の回り込みを抑制可能な所定値以上のインダクタンスを有する第６の本発明の高周波スイッチである。
第８の本発明は、前記接地抵抗は、インダクタを介して接地されている第５の本発明の高周波スイッチである。
第９の本発明は、前記接地抵抗を接地するための前記インダクタは、ビアホール導体を利用して形成されている第８の本発明の高周波スイッチである。
第１０の本発明は、複数のストリップラインおよび複数のコンデンサが複数の誘電体層上に形成され、前記誘電体層間に前記複数のストリップラインおよび前記複数のコンデンサを形成するためのビアホール導体が形成され、前記誘電体層を積層することにより形成された積層体上に、ダイオード、コンデンサ、抵抗、インダクタの内の少なくとも一つが搭載された第１から９の何れかの本発明の高周波スイッチである。
第１１の本発明は、複数のストリップラインおよび複数のコンデンサが複数の誘電体層上に形成され、前記誘電体層間に前記複数のストリップラインおよび前記複数のコンデンサを形成するためのビアホール導体が形成され、前記誘電体層を積層することにより形成された積層体上に、ダイオード、コンデンサ、抵抗、インダクタの内の少なくとも一つが搭載され、
前記第一のローパスフィルタを構成する第一のストリップラインが前記複数の誘電体層の内の第一の誘電体層上に形成され、前記第一の誘電体層の一方の側にある第二の誘電体層を介して接地電極が形成され、前記第一のストリップラインの他方の側には前記第一のストリップラインとは異なる他のストリップラインの電極パターンは配置されていない第１から４の何れかの本発明の高周波スイッチである。
第１２の本発明は、前記積層体の表層にＳＡＷフィルタが実装されている第１０または１１の何れかの本発明の高周波スイッチである。
第１３の本発明は、前記送信を行う送信回路と、
前記受信を行う受信回路と、
前記送信または前記受信の切換を行うために利用される、第１から１２の何れかの本発明の高周波スイッチと、を備えた無線通信機器である。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明にかかる実施の形態について、図面を参照しつつ説明を行う。
【００２９】
（実施の形態１）
はじめに、主として図１を参照しながら、本実施の形態の高周波スイッチの構成について説明する。なお、図１は、本実施の形態における高周波スイッチのブロック図である。
【００３０】
本実施の形態の高周波スイッチは、第１の周波数帯（ＥＧＳＭ）、第２の周波数帯（ＤＣＳ）、および第３の周波数帯（ＰＣＳ）のそれぞれにおける送信周波数帯および受信周波数帯を通過させるフィルタ機能を有したトリプルバンドの高周波スイッチであって、スイッチ回路（送受信切換回路）１、２、および分波手段（分波回路）３を備えている。なお、後に詳述されるように、分波手段３とスイッチ回路２との間にローパスフィルタ（ＬＰＦ）１１が挿入されている点が、本実施の形態の高周波スイッチの大きな特徴である。
【００３１】
つぎに、本実施の形態の高周波スイッチの各手段について、さらに詳しく説明する。
【００３２】
分波手段３は、内部端子２１、２２と、アンテナ（ＡＮＴ）に接続するためのアンテナ端子２０と、内部端子２１とアンテナ端子２０との間に接続された第１の周波数帯を通過させるローパスフィルタ（ＬＰＦ）と、内部端子２２とアンテナ端子２０との間に接続された第２および第３の周波数帯を通過させるハイパスフィルタ（ＨＰＦ）とを有する手段である。
【００３３】
スイッチ回路１は、第１の周波数帯の送信に利用される送信端子Ｔｘ１と、第１の周波数帯の受信に利用される受信端子Ｒｘ１とを切り換えるための、内部端子２１に接続された手段である。なお、スイッチ回路１と送信端子Ｔｘ１との間には、送信端子Ｔｘ１を利用して送信を行う際の増幅による高調波歪みを低減するためのローパスフィルタ（ＬＰＦ）１２が挿入されている。
【００３４】
スイッチ回路２は、第２および第３の周波数帯の送信周波数帯の送信に利用される（二つの送信を行うために共用される）送信端子Ｔｘ２と、第２の周波数帯の受信周波数帯の受信に利用される受信端子Ｒｘ２と、第３の周波数帯の受信周波数帯の受信に利用される受信端子Ｒｘ３とを切り換えるための、内部端子２２に接続された手段である。なお、スイッチ回路２と送信端子Ｔｘ２との間には、送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う際の増幅による高調波歪みを低減するためのローパスフィルタ（ＬＰＦ）１３が挿入されている。
【００３５】
つぎに、図２を参照しながら、本実施の形態の高周波スイッチの回路構成について説明する。なお、図２は、本実施の形態における高周波スイッチの回路図である。
【００３６】
送信端子Ｔｘ１は送信を行う際に順方向となるダイオードＤ２を介してアンテナ側に接続され、ローパスフィルタ１２は送信端子Ｔｘ１とダイオードＤ２のアノードとの間に挿入されている。また、受信端子Ｒｘ１は、アンテナ側に接続されるとともに順方向のダイオードＤ４を介して接地されている。また、コントロール端子ＶＣ１は、抵抗Ｒ１を介して電圧制御部（図示省略）に接続されている。
【００３７】
送信端子Ｔｘ２は送信を行う際に順方向となるダイオードＤ３を介してアンテナ側に接続され、ローパスフィルタ１３は送信端子Ｔｘ２とダイオードＤ３のアノードとの間に挿入されている。また、受信端子Ｒｘ２は、アンテナ側に接続されるとともに順方向のダイオードＤ５を介して接地されている。また、受信端子Ｒｘ３は、送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う際に逆方向（オフ状態）となるダイオードＤ１を介してアンテナ側に接続されている。なお、ダイオードＤ１は受信端子Ｒｘ３からアンテナ側に順方向である。また、コントロール端子ＶＣ２は抵抗Ｒ２を介して電圧制御部（図示省略）に接続され、コントロール端子ＶＣ３は抵抗Ｒ３を介して電圧制御部（図示省略）に接続されている。
【００３８】
そして、ローパスフィルタ１１は、送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う際にダイオードＤ１によって発生する高調波歪みを抑制できるように、分波手段３とスイッチ回路２との間に挿入されている。
【００３９】
なお、ローパスフィルタ１３は、ローパスフィルタ１１と協働して送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う際に発生する高調波歪みを抑制することができるように、特性を設定されている。
【００４０】
より具体的に述べると、ローパスフィルタ１３は、ローパスフィルタの特性の説明図である図１３における特性曲線ｆ１で表されるような特性を有している。つまり、ローパスフィルタ１１との協働により高域周波数帯のカットを行うため、ローパスフィルタ１３の特性としては、特性曲線ｆ１で表されるようなフィルタとしての性能が多少悪くとも信号ロスが小さい特性の方が、特性曲線ｆ２で表されるようなフィルタとしての性能が良く信号ロスが大きい特性よりも望ましい。ローパスフィルタは、ローパスフィルタとしての性能がよいほど信号ロスは大きくなってしまうという性質を有するのである。
【００４１】
なお、送信端子Ｔｘ２は本発明の第一の送信端子に対応し、受信端子Ｒｘ２、Ｒｘ３はそれぞれ本発明の第二、第一の受信端子に対応し、ダイオードＤ１、Ｄ３はそれぞれ本発明の第一、第二のダイオードに対応し、ローパスフィルタ１１、１３はそれぞれ本発明の第一、第二のローパスフィルタに対応し、スイッチ回路２は本発明の第一の送受信切換回路に対応する。また、スイッチ回路１は、本発明の第二の送受信切換回路に対応する。また、分波手段３は、本発明の分波手段に対応する。
【００４２】
つぎに、本実施の形態の高周波スイッチの動作について説明する。なお、本実施の形態の高周波スイッチの動作について説明しながら、本発明に関連する発明の高周波スイッチング方法の一実施の形態についても説明する（以下の実施の形態についても、同様である）。
【００４３】
本実施の形態の高周波スイッチの動作は、従来の高周波スイッチの動作とほぼ同様である。そこで、以下では、本実施の形態の高周波スイッチの大きな特徴であるローパスフィルタ１１が威力を発揮するような、送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う場合について説明する。
【００４４】
ローパスフィルタ１３は、増幅器（図示省略）によって増幅され送信端子Ｔｘ２から入力された送信信号より増幅による高調波歪みを除去し、その高調波歪みを除去した送信信号をスイッチ回路２に対して出力する。
【００４５】
スイッチ回路２は、送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行うように切り換えられており、ローパスフィルタ１３から入力された送信信号をローパスフィルタ１１に対して出力する。ただし、アンテナ側に出力される送信信号には、その信号経路との関係上オフ状態となっているダイオードＤ１のために高調波歪みが発生する。
【００４６】
ローパスフィルタ１１は、スイッチ回路２から入力された送信信号よりダイオードＤ１による高調波歪みを除去し、その高調波歪みを除去した送信信号を分波手段３に対して出力する。
【００４７】
分波手段３は、ローパスフィルタ１１から入力された送信信号をアンテナに対して出力し、アンテナは、この送信信号を無線電波として送出する。
【００４８】
かくして、高周波帯（２ＧＨｚ帯）側のアンテナスイッチを１入力３出力（ＳＰ３Ｔ）のスイッチ回路２とし、これとアンテナ側の分波回路３との間に高調波歪のみを抑圧するローパスフィルタ１１を挿入し、送信端に接続されたローパスフィルタ１３の減衰量を緩和し、挿入損失を改善することにより、従来の各ポートへの特性をほとんど劣化させることなく、ＯＦＦのダイオードの歪を抑圧することができる。
【００４９】
（実施の形態２）
つぎに、図３および４を参照しながら、本実施の形態の高周波スイッチの構成および動作について説明する。なお、図３は本実施の形態における高周波スイッチのブロック図であり、図４は本実施の形態における高周波スイッチの回路図である。
【００５０】
本実施の形態の高周波スイッチの構成は、前述した本実施の形態１の高周波スイッチの構成と類似している。ただし、本実施の形態の高周波スイッチは、分波手段３とスイッチ回路２’との間にローパスフィルタ１１が挿入されておらず、ダイオードＤ１のカソードとアンテナとの間にローパスフィルタ１１’が挿入されている（図１〜４参照）。なお、図４においてはローパスフィルタ１１’がスイッチ回路２’の一部となっている。
【００５１】
このため、本実施の形態の高周波スイッチは、送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う場合のダイオードＤ１によって発生する高調波歪みを低減しつつ、受信端子Ｒｘ２を利用して受信を行う場合の信号ロスを低減できる。前述のような回路構成により、ローパスフィルタ１１’は、受信端子Ｒｘ２から出力される受信信号の信号経路上にはないため、受信端子Ｒｘ２を利用して受信を行う際に信号ロスを発生させることがほとんどないからである。
【００５２】
なお、ローパスフィルタ１１’は本発明の第一のローパスフィルタに対応し、スイッチ回路２’は本発明の第一の送受信切換回路に対応する。
【００５３】
（実施の形態３）
つぎに、図５、および図６（ａ）〜（ｂ）を参照しながら、本実施の形態の高周波スイッチの構成および動作について説明する。なお、図５は、本実施の形態における高周波スイッチの回路図である。また、図６（ａ）は本実施の形態における高周波スイッチ（表側）の説明図であり、図６（ｂ）は本実施の形態における高周波スイッチ（裏側）の説明図である。
【００５４】
本実施の形態の高周波スイッチの構成は、前述した本実施の形態１の高周波スイッチの構成と類似している。ただし、本実施の形態の高周波スイッチは、コントロール端子ＶＣ１〜ＶＣ３にそれぞれ接続された抵抗Ｒ１〜Ｒ３（図２参照）を有しておらず、受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２がそれぞれ順方向のダイオードＤ４、Ｄ５および共有化された制御抵抗Ｒを介して接地されている（図２および５参照）。
【００５５】
このため、本実施の形態の高周波スイッチは、（１）送信端子Ｔｘ１を利用して送信を行う場合のダイオードＤ１、Ｄ３、Ｄ５によって発生する高調波歪みを低減でき、（２）送信端子Ｔｘ２を利用して送信を行う場合のダイオードＤ２、Ｄ４によって発生する高調波歪みを低減できる。前述のような回路構成により、ダイオードＤ１、Ｄ３、Ｄ５（ダイオードＤ２、Ｄ４）は、逆バイアス電圧が印加されるため、送信端子Ｔｘ１（送信端子Ｔｘ２）を利用して送信を行う際に高調波歪みを発生させることがほとんどないからである。
【００５６】
なお、本実施の形態の高周波スイッチにおいては、図６（ａ）〜（ｂ）に示されているように、チップ部品（抵抗、インダクタ、コンデンサ）ＸやＰＩＮダイオードＹが積層基板（インダクタ、コンデンサ内蔵）Ｚの表層に実装されている。
【００５７】
かくして、抵抗数を二個減少できるため、抵抗による電流管理が容易となる。ダイオードの抵抗値は制御抵抗に比べると無視できるほど小さく、電流はほぼ制御抵抗値のみに依存するからである。また、部品実装の信頼性が向上し、部品数減によって装置が小型化できる。なお、抵抗を表面に実装するために内部からの接続が必要となるが、接続のインナービアの減少により、容量結合が減少し特性良化する。
【００５８】
また、従来は、２経路のコントロール端子をＯＮした場合、電流値が１経路のコントロール端子をＯＮした場合の約２倍になっていたが、本実施の形態のこの回路によると消費電流値の上昇はほとんど無く、セットでの消費電力を抑えることができる。
【００５９】
また、制御抵抗Ｒの一端は、ダイオードＤ４、Ｄ５のカソードからλ／４（λは波長である）以上のインダクタＬ１、Ｌ２を介してＧＮＤに接続されるため（図５参照）、各ポートからの高周波成分は遮断され、アイソレーションが悪くならず特性劣化しない。
【００６０】
また、送信を行わないＯＦＦ側の送受信切換回路のダイオードには逆バイアス電圧がかかっており、空乏層の変化により接合容量が小さくなりため、アイソレーションが良くなり、漏洩電力が少なくなって特性良化する。また、送信を行う際にＯＦＦ状態となるダイオードにパワー印加があったとしても、スプリアスの発生は抑えられる。
【００６１】
なお、制御抵抗Ｒは、本発明の接地抵抗に対応する。
【００６２】
（実施の形態４）
つぎに、図１４を参照しながら、本実施の形態の高周波スイッチの構成について説明する。なお、図１４は、本実施の形態における高周波スイッチの分解斜視図である。ただし、図面上で誘電体層Ｏの下に示されているのは誘電体層Ｏの裏面である。
【００６３】
本実施の形態の高周波スイッチの構成は前述した本実施の形態１の高周波スイッチの構成と類似しているが、ここではその実装構造について詳述する。
【００６４】
図１４において、本実施の形態の高周波スイッチは、十五層の誘電体層Ａ〜Ｏから構成されている。なお、誘電体層の積層枚数は、高周波スイッチの必要特性に応じて適宜に選択されるものである。
【００６５】
高周波スイッチを構成する各種のストリップラインおよびコンデンサが内蔵された多層構造を有する積層体の上面には、二個のＳＡＷフィルタＦ１〜Ｆ２、五個のダイオードＤ１〜Ｄ５、およびコンデンサなどのチップ部品ＳＤ１〜ＳＤ８が、積層体の上面に形成されたそれぞれの端子Ｔ１を介して搭載され、積層体の内部回路に電気的に接続されている。
【００６６】
なお、誘電体層としては、フォルステライトなどのセラミック粉体に低融点ガラスフリットを混合したいわゆるガラスセラミック基板を用いることができる。また、そのセラミック粉体に有機バインダおよび有機溶媒を混合して得られたスラリーを成形したグリーンシートには、多層配線間を電気的に接続するための多数のビアホールがパンチングまたはレーザ加工により穿孔されている。
【００６７】
所定のグリーンシート上には、銀（あるいは金や銅）の粉体を導電体の主成分とする導電性ペーストを用いて印刷を行い配線パターンを形成するとともに、各グリーンシートの配線パターンを層間接続するためのビアホール内に同じく導電性ペーストを印刷充填することにより、ストリップラインおよびコンデンサ電極が形成されている。
【００６８】
このようにして得られた十五層のグリーンシートを正確に位置合わせして積層し、一定の条件下において加温および加圧することによって、一体化された積層体を得ることができる。この積層体を乾燥後、酸化雰囲気中の焼成炉にて４００〜５００度で焼成してグリンシート内の有機バインダをバーンアウトし、導電体の主成分として、（１）金や銀の粉体を用いた場合は通常の空気中で、（２）銅の粉体を用いた場合には不活性ガスあるいは還元性雰囲気中で、約８５０〜９５０度の温度範囲において焼成することにより、積層体を最終的に得ることができる。
【００６９】
誘電体層Ａの上面にはＳＡＷフィルタおよびダイオードなどを搭載するための複数の端子Ｔ１が形成され、表面に接地電極Ｇ１が形成されている誘電体層Ｏの裏面には高周波スイッチを電子機器のメイン基板に表面実装するための複数の端子Ｔ２が形成されている。なお、これら端子Ｔ１、Ｔ２の形成は、前述のような導電性ペーストを印刷、パターンニングすることにより行われている。
【００７０】
つぎに、このような多層構造を有する高周波スイッチの配線パターンの積層構造について説明する。
【００７１】
たとえば、誘電体層Ｂ上のストリップライン電極パターンは、ビアホールＢＶ１、ＢＶ２を介して誘電体層Ｃのストリップラインパターンへ層間接続される。また、誘電体層Ｃのストリップライン電極パターンは、ビアホールＣＶ１、ＣＶ２を介して誘電体層Ｄのストリップラインパターンへ層間接続される。このようにして、たとえばストリップラインＳ１およびストリップラインＳ２は、それぞれビアホールを介して順次に誘電体層Ｂ〜Ｇの六層にわたって接続されているのである。
【００７２】
また、たとえばコンデンサＣ１、Ｃ２は、誘電体層Ｅ上にコンデンサＣ１の電極パターンを設け、誘電体層Ｆ上にコンデンサＣ１、Ｃ２が共用する電極パターンを設け、誘電体層Ｇ上にコンデンサＣ２の電極パターンを設けることにより、直列に接続されている。
【００７３】
このようにして、ストリップラインやコンデンサの構成がなされているが、本実施の形態における高周波スイッチの入出力端子はすべてビアホールを介して誘電体層Ｏの裏面に集結されているため、電子機器のメイン基板に実装される際の実装面積を小さく押さえることが可能になる。
【００７４】
以上では、本実施の形態１〜４について詳細に説明を行った。
【００７５】
なお、本発明の第一の送信端子は、上述された本実施の形態においては、二つの送信を行うために共用される端子であったが、これに限らず、たとえば、一つの送信を専ら行うための端子であってもよいし、共用器を接続するための端子であってもよい。
【００７６】
また、本発明の高周波スイッチは、たとえば、図７、８、および図９（ａ）〜（ｂ）に示されているように、チップ部品（抵抗、インダクタ、コンデンサ）ＸやＰＩＮダイオードＹとともにＳＡＷフィルタＷが積層基板（インダクタ、コンデンサ内蔵）Ｚの表層に実装されていてもよい。なお、図７はオフ状態のダイオードによる高調波歪みを抑制するためのローパスフィルタを備え、受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２にＳＡＷフィルタが実装された高周波スイッチの回路図であり、図８は、さらに複数の送受信切換回路で共有される抵抗を有し、受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２にＳＡＷフィルタが実装された高周波スイッチの回路図である。また、図９（ａ）はＳＡＷフィルタが実装された高周波スイッチ（表側）の説明図であり、図９（ｂ）はＳＡＷフィルタが実装された高周波スイッチ（裏側）の説明図である。
【００７７】
また、本発明の高周波スイッチは、上述された本実施の形態においては、トリプルバンドの高周波スイッチであったが、これに限らず、たとえば、デュアルバンドの高周波スイッチの回路図である図１０に示されているように、デュアルバンドの高周波スイッチであってもよい。
【００７８】
なお、送信端子Ｔｘ１、受信端子Ｒｘ１を有する低周波帯のスイッチ回路（図１０参照）において、インダクタＬ２を削除してもよい。より具体的には、本発明の、抵抗およびインダクタが削減されたデュアルバンドの高周波スイッチの回路図である図１５に示されているように、受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２の内、（１）最も低い周波数帯域を利用して受信を行うための受信端子Ｒｘ１は接地抵抗ＲにインダクタＬを介して接続されており、（２）最も高い周波数帯域を利用して受信を行うための受信端子Ｒｘ２は接地抵抗Ｒにインダクタを介さずに接続されていてもよい（インダクタＬ２が削除されたことを示すため、該当部分に楕円マークを附した）。インダクタＬのインダクタンスを十分に大きく（たとえば、インダクタＬ２（図１０参照）のインダクタンスと等しく）とることにより、送信端子Ｔｘ１を利用して送信を行う際にも受信端子Ｒｘ２に送信信号が回り込んだりすることもなくなり、通過帯域の低域側に極を形成することが可能となる。
【００７９】
また、送信端子Ｔｘ１、受信端子Ｒｘ１を有する低周波帯のスイッチ回路（図１０参照）において、抵抗Ｒと接地点（接地電極）との間にインダクタを形成してもよい。より具体的には、本発明の、抵抗が削減され、接地抵抗と接地点との間にインダクタが形成されたデュアルバンドの高周波スイッチの回路図である図１６に示されているように、接地抵抗ＲがインダクタＬ′を介して接地されていてもよい（インダクタＬ′が形成されたことを示すため、該当部分に楕円マークを附した）。インダクタＬ′を利用して十分なインダクタンスを有するチョークコイルを形成することにより、送信端子Ｔｘ１を利用して送信を行う際にも、受信端子Ｒｘ２に送信信号が回り込んだり、グランドに送信信号が流れ込んだりすることもなくなり、高周波的によりオープンな状態を実現することが可能となる。
【００８０】
もちろん、デュアルバンドの高周波スイッチのみならずトリプルバンドの高周波スイッチに関しても、同様のことがいえる。すなわち、本発明の、抵抗が削減され、接地抵抗と接地点との間にインダクタが形成されたトリプルバンドの高周波スイッチの回路図である図１７に示されているような高周波スイッチも、本発明に含まれる。
【００８１】
なお、このような抵抗Ｒと接地点との間のインダクタは、部品がわざわざ実装されるのではなく、積層内挿パターンや表層パターンなどを利用して自然に形成されてもよい。より具体的には、本発明の、抵抗が削減され、接地抵抗と接地点との間にインダクタが形成されたトリプルバンドの高周波スイッチの高周波スイッチの分解斜視図である図１８に示されているように、インダクタＬ′がビアホール導体（図１８上で左側最上に図示されている誘電体層から同図上で右側最上に図示されている誘電体層まで貫通している）を利用して形成されていてもよい。もちろん、このようなビアホール導体が基板面に対して垂直になるように回路パターン設計を行っておけば、インダクタの形成を少ない面積でコンパクトに実現することが可能となり、より望ましい。
【００８２】
また、本発明の高周波スイッチは、上述された本実施の形態１および２においては、オフ状態のダイオードによる高調波歪みを抑制するためのローパスフィルタを備えた高周波スイッチであり、上述された本実施の形態３においては、さらに複数の送受信切換回路で共有された抵抗を有する高周波スイッチであったが、これに限らず、要するに、（ａ）オフ状態のダイオードによる高調波歪みを抑制するためのローパスフィルタを備えた、および／または（ｂ）複数の送受信切換回路で共有された抵抗を有する高周波スイッチである。
【００８３】
このように、本発明は、たとえば、複数の周波数に対応した複数の信号経路を有する高周波スイッチであって、送信時には前記複数の信号経路から送信信号を結合させ、受信時には前記複数の信号経路に受信信号を分配する分波回路と、前記複数の信号経路のそれぞれを送信部と受信部を切り換える複数の送受信切換回路と、前記信号経路中に配置された複数のフィルタで構成され、前記複数の周波数のうち、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムに対応し、前記第１及び第２の通信システム共通の送信部と前記第１の通信システムの受信部と前記第２の通信システムの受信部に分離する４ポートを有する第１の送受信切換回路と前記分波回路の間に第１のローパスフィルタを配置し、前記送信部に第２のローパスフィルタを配置することを特徴とした高周波スイッチである。
【００８４】
より具体的には、たとえば図１４に示されているように、ローパスフィルタ１１（図１参照）を構成するインダクタＬ３（図２参照）の電極パターンＰ１の下部に誘電体層Ｍ〜Ｎを介して接地電極Ｇ１が形成され、上部には他のインダクタの電極パターンＰ２は配置されていない構成をとってもよい。なお、誘電体層Ａが最上の表層であって誘電体層Ｏが最下の底層となるように積層が行われるゆえ、電極パターンＰ１より上部にあるのは誘電体層Ａ〜Ｌであり、電極パターンＰ１より下部にあるのは誘電体層Ｍ〜Ｏであることになる。したがって、前述した他のインダクタの電極パターンＰ２は、実際には誘電体層Ａ〜Ｌに形成されたインダクタの電極パターン（図面上では細線を利用して図示されている）の全てに対応するわけである。
【００８５】
要するに、複数のストリップラインおよび複数のコンデンサが複数の誘電体層上に形成され、誘電体層間に複数のストリップラインおよび複数のコンデンサを形成するためのビアホール導体が形成され、誘電体層を積層することにより形成された積層体上に、ダイオード、コンデンサ、抵抗、インダクタの内の少なくとも一つが搭載されていればよい。
【００８６】
なお、トリプルバンド高周波スイッチはインダクタ、容量、ダイオード、抵抗で構成されており（図２参照）、積層デバイスとして実現する際には、低温焼結セラミックシートに銀または銅を用いてインダクタや容量を構成する電極パターンを印刷し、積層後に同時焼成を行い、ダイオード、抵抗、（ＳＡＷフィルタ）、さらに内層できなかったインダクタや容量を表層に実装し、積層デバイスとしてこれを完成する。かくして、ローパスフィルタ１１による信号損失を抑制し、装置全体の特性劣化を回避できる。
【００８７】
また、本発明は、たとえば、前記第１の送受信切換回路はアノードが前記第２の通信システムの受信部側に接続され、カソードは前記第１のローパスフィルタを介して分波回路に接続することを特徴とした高周波スイッチである。
【００８８】
また、本発明は、たとえば、複数の周波数に対応した複数の信号経路を有する高周波スイッチであって、送信時には前記複数の信号経路から送信信号を結合させ、受信時には前記複数の信号経路に受信信号を分配する分波回路と、前記複数の信号経路のそれぞれを送信部と受信部を切り換える複数の送受信切換回路と、前記信号経路中に配置された複数のフィルタで構成され、前記複数の送受信切換回路はカソードが抵抗を介して接地されるダイオードを含み、前記抵抗が前記複数の送受信切換回路の少なくとも２つ以上で兼用されることを特徴とした高周波スイッチである。
【００８９】
また、本発明は、たとえば、前記複数の送受信切換回路は２つの送受信切換回路により構成され、第１の送受信切換回路は第１及び第２の通信システム共通の送信部と前記第１の通信システムの受信部と前記第２の通信システムの受信部に分離する４ポートにより構成され、第２の送受信切換回路は第３の通信システムの送信部と前記第３の通信システムの受信部とに分離する３ポートにより構成され、前記第１及び第２の送受信切換回路は分波回路に接続され、前記各送信部にはローパスフィルタを接続することを特徴とした高周波スイッチである。
【００９０】
また、本発明は、たとえば、前記複数の送受信切換回路は２つの送受信切換回路により構成され、第１の送受信切換回路は、アノードが前記第１、（第２の）通信システム（共通の）送信回路側端子に接続され、カソードが前記分波回路に接続された第１のダイオードと、一端が前記第１のダイオードのアノードに接続され、他端が第１のコンデンサを介して接地されるとともに第１のコントロール端子に接続された第１のストリップラインと、アノードが前記第１の通信システムの受信回路側端子に接続されカソードが第２のコンデンサと第１の抵抗の並列回路を介して接地された第２のダイオードと、一端が前記第２のダイオードのアノードに接続され他端が前記分波回路に接続された第２のストリップラインと、（アノードが前記第２の通信システムの受信回路側端子に接続され、カソードが前記分波回路に接続された第３のダイオードと、一端が前記第３のダイオードのアノードに接続され、他端が第３のコンデンサを介して接地されると共に、第２のコントロール端子に接続された第３のストリップラインを備え、）第２の送受信切換回路は、アノードが前記第３の通信システムの送信回路側端子に接続され、カソードが前記分波回路に接続された第４のダイオードと、一端が前記第４のダイオードのアノードに接続され、他端が第４のコンデンサを介して接地されるとともに第３のコントロール端子に接続された第４のストリップラインと、アノードが前記第３の通信システムの受信回路側端子に接続されカソードが第５のコンデンサと第２の抵抗の並列回路を介して接地された第５のダイオードと、一端が前記第５のダイオードのアノードに接続され他端が前記分波回路に接続された第５のストリップラインを備えることを特徴とした高周波スイッチである。なお、括弧内の文言はトリプルスイッチ回路用である。
【００９１】
また、本発明は、たとえば、前記複数の送受信切換回路が２つの送受信切換回路により構成され、第１の送受信切換回路は、アノードが前記第１、第２の通信システム共通の送信回路側端子に接続され、カソードが前記分波回路に接続された第１のダイオードと、一端が前記第１のダイオードのアノードに接続され、他端が第１のコンデンサを介して接地されるとともに第１のコントロール端子に接続された第１のストリップラインと、アノードが前記第１の通信システムの受信回路側端子に接続されカソードが第２のコンデンサと第１の抵抗の並列回路を介して接地された第２のダイオードと、一端が前記第２のダイオードのアノードに接続され他端が前記分波回路に接続された第２のストリップラインと、アノードが前記第２の通信システムの受信回路側端子に接続され、カソードが前記分波回路に接続された第３のダイオードと、一端が前記第３のダイオードのアノードに接続され、他端が第３のコンデンサを介して接地されると共に、第２のコントロール端子に接続された第３のストリップラインを備え、第２の送受信切換回路は、アノードが前記第３の通信システムの送信回路側端子に接続され、カソードが前記分波回路に接続された第４のダイオードと、一端が前記第４のダイオードのアノードに接続され、他端が第４のコンデンサを介して接地されるとともに第３のコントロール端子に接続された第４のストリップラインと、アノードが前記第３の通信システムの受信回路側端子に接続されカソードが第５のコンデンサと第２の抵抗の並列回路を介して接地された第５のダイオードと、一端が前記第５のダイオードのアノードに接続され他端が前記分波回路に接続された第５のストリップラインを備え、前記分波回路はローパスフィルタとハイパスフィルタにより構成され、前記ローパスフィルタ側に前記第２の送受信切換回路を接続し、前記ハイパスフィルタ側に前記第１の送受信切換回路を接続することを特徴とした高周波スイッチである。
【００９２】
なお、送信を行う送信回路と、受信を行う受信回路と、送信または受信の切換を行うために利用される上述の高周波スイッチとを備えた無線通信機器も、本発明に含まれる。より具体的に述べると、このような無線通信機器の構成においては、たとえば、送信回路を増幅器を介して高周波スイッチの送信端子Ｔｘ１（図１参照）に接続することになる。
【００９３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明は、高調波歪みの低減された高周波スイッチ、および無線通信機器を提供することができるという長所を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における高周波スイッチのブロック図
【図２】本発明の実施の形態１における高周波スイッチの回路図
【図３】本発明の実施の形態２における高周波スイッチのブロック図
【図４】本発明の実施の形態２における高周波スイッチの回路図
【図５】本発明の実施の形態３における高周波スイッチの回路図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態３における、高周波スイッチ（表側）の説明図
（ｂ）本発明の実施の形態３における、高周波スイッチ（裏側）の説明図
【図７】本発明の、オフ状態のダイオードによる高調波歪みを抑制するためのローパスフィルタを備え、受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２にＳＡＷフィルタが実装された高周波スイッチの回路図
【図８】本発明の、さらに複数の送受信切換回路で共有される抵抗を有し、受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２にＳＡＷフィルタが実装された高周波スイッチの回路図
【図９】（ａ）本発明の、ＳＡＷフィルタが実装された高周波スイッチ（表側）の説明図
（ｂ）本発明の、ＳＡＷフィルタが実装された高周波スイッチ（裏側）の説明図
【図１０】本発明のデュアルバンドの高周波スイッチの回路図
【図１１】ＥＧＳＭ、ＤＣＳ、およびＰＣＳの対応周波数帯の説明図
【図１２】従来の高周波スイッチの回路図
【図１３】ローパスフィルタの特性の説明図
【図１４】本発明の実施の形態４における高周波スイッチの分解斜視図
【図１５】本発明の、抵抗およびインダクタが削減されたデュアルバンドの高周波スイッチの回路図
【図１６】本発明の、抵抗が削減され、接地抵抗と接地点との間にインダクタが形成されたデュアルバンドの高周波スイッチの回路図
【図１７】本発明の、抵抗が削減され、接地抵抗と接地点との間にインダクタが形成されたトリプルバンドの高周波スイッチの回路図
【図１８】本発明の、抵抗が削減され、接地抵抗と接地点との間にインダクタが形成されたトリプルバンドの高周波スイッチの高周波スイッチの分解斜視図
【符号の説明】
１、２スイッチ回路（送受信切換回路）
３分波手段（分波回路）
２０アンテナ端子
２１、２２内部端子
１１〜１３ローパスフィルタ（ＬＰＦ）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a high-frequency switch used for, for example, a mobile phone,andWireless communication equipmentInIt is related.
[0002]
[Prior art]
In recent years, due to the expansion of mobile communication users and the globalization of the system, for example, the EGSM, DCS, and PCS systems having the corresponding frequency bands as shown in FIG. High-frequency switches for doing so have attracted attention. In addition, FIG. 11 is explanatory drawing of the frequency band corresponding to EGSM, DCS, and PCS.
[0003]
Therefore, the configuration and operation of a conventional high frequency switch used for a mobile phone or the like will be described with reference to FIG. 12 which is a circuit diagram of a conventional high frequency switch.
[0004]
The conventional high frequency switch is compatible with triple band (the aforementioned EGSM, DCS, and PCS) including transmission / reception switching circuits 121 and 122 and a branching circuit 123 for connecting the transmission / reception switching circuits 121 and 122 to an antenna (ANT). This is a high frequency switch.
[0005]
The transmission / reception switching circuit 121 has a transmission terminal Tx1 for transmitting EGSM and a reception terminal Rx1 for receiving EGSM, and the transmission / reception switching circuit 122 has a transmission terminal Tx2 for transmitting DCS and PCS, It has a receiving terminal Rx2 for receiving DCS and a receiving terminal Rx3 for receiving PCS.
[0006]
The reception terminal Rx3 is connected to the antenna via a diode D1 that is turned off when transmission is performed using the transmission terminal Tx2.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, such a conventional high frequency switch has a problem that harmonic distortion occurs due to the diode D1 that is turned off when transmission is performed using the transmission terminal Tx2.
[0008]
  In consideration of the above-described conventional problems, the present invention provides a high-frequency switch with reduced harmonic distortion,andWireless communication equipmentTheIt is intended to provide.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
  A first aspect of the present invention is a transmission / reception switching circuit for switching between transmission and reception performed via a first transmission terminal, first and second reception terminals, and is turned off when the transmission is performed. A first transmission / reception switching circuit having a first diode in a state;
A first low-pass filter for suppressing harmonic distortion generated by the first diode when performing the transmission,
The first transmission / reception switching circuit is connected to an antenna for performing the transmission and the reception;
The first low-pass filter is inserted between the first transmission / reception switching circuit and the antenna;
The first transmission terminal is connected to the antenna via a second diode and a first low-pass filter that are forward when performing the transmission,
A second low-pass filter inserted between the first transmission terminal and the anode of the second diode for suppressing harmonic distortion generated when performing the transmission;
The first low-pass filter has a characteristic that the signal loss is smaller than that of the second low-pass filter,
The second low-pass filter is a high-frequency switch that suppresses harmonic distortion generated when the transmission is performed in cooperation with the first low-pass filter.
A second aspect of the present invention is a transmission / reception switching circuit for switching between transmission and reception performed via a first transmission terminal, first and second reception terminals, and is turned off when the transmission is performed. A first transmission / reception switching circuit having a first diode in a state;
A first low-pass filter for suppressing harmonic distortion generated by the first diode when performing the transmission,
The first transmission / reception switching circuit is connected to an antenna for performing the transmission and the reception;
The first receiving terminal is connected to the antenna via the first diode;
The first low-pass filter is a high-frequency switch inserted between the first diode and the antenna.
A third aspect of the present invention is the high-frequency switch according to the first or the second aspect of the present invention, wherein the first transmission terminal is shared to perform two transmissions.
A fourth transmission / reception switching circuit for performing switching between transmission and reception performed via a transmission terminal and a reception terminal;
The high-frequency switch according to any one of the first to third aspects of the present invention, further comprising a demultiplexing unit for connecting the first transmission / reception switching circuit and the second transmission / reception switching circuit to the antenna.
A fifth aspect of the present invention is a transmission terminal, a plurality of transmission / reception switching circuits for switching between transmission and reception performed via the reception terminal,
Demultiplexing means for connecting the plurality of transmission / reception switching circuits to an antenna,
Each receiving terminal is connected to the antenna and grounded through a forward diode and a grounding resistor,
All or some of the receiving terminals among the receiving terminals are connected to the ground resistor via an inductor,
The grounding resistor used for each grounding is a high frequency switch shared by a single resistor.
In the sixth aspect of the present invention, among the reception terminals, (1) a reception terminal for performing reception using the lowest frequency band is connected to the ground resistor via the inductor, and (2) most The reception terminal for performing reception using a high frequency band is the high-frequency switch according to the fifth aspect of the present invention, which is connected to the ground resistor without the inductor.
In a seventh aspect of the present invention, there is provided a receiving terminal for performing reception using the lowest frequency band. The inductor for connecting to a ground resistor is the high-frequency switch according to the sixth aspect of the present invention having an inductance of a predetermined value or more that can suppress a signal from the transmission terminal side to the reception terminal side.
An eighth aspect of the present invention is the high-frequency switch according to the fifth aspect of the present invention, wherein the grounding resistor is grounded via an inductor.
A ninth aspect of the present invention is the high-frequency switch according to the eighth aspect of the present invention, wherein the inductor for grounding the ground resistor is formed using a via-hole conductor.
According to a tenth aspect of the present invention, a plurality of strip lines and a plurality of capacitors are formed on a plurality of dielectric layers, and via hole conductors for forming the plurality of strip lines and the plurality of capacitors are formed between the dielectric layers. The high-frequency switch according to any one of the first to ninth aspects, wherein at least one of a diode, a capacitor, a resistor, and an inductor is mounted on a laminate formed by laminating the dielectric layers. .
In an eleventh aspect of the present invention, a plurality of striplines and a plurality of capacitors are formed on a plurality of dielectric layers, and via hole conductors for forming the plurality of striplines and the plurality of capacitors are formed between the dielectric layers. And at least one of a diode, a capacitor, a resistor, and an inductor is mounted on the stacked body formed by stacking the dielectric layers,
A first strip line constituting the first low-pass filter is formed on a first dielectric layer of the plurality of dielectric layers, and is a second on one side of the first dielectric layer. A ground electrode is formed through the first dielectric layer, and no electrode pattern of another strip line different from the first strip line is arranged on the other side of the first strip line. The high-frequency switch according to any one of the present inventions.
A twelfth aspect of the present invention is the high-frequency switch according to any one of the tenth or eleventh aspects of the present invention, wherein a SAW filter is mounted on the surface layer of the laminate.
A thirteenth aspect of the present invention is a transmission circuit that performs the transmission;
A receiving circuit for performing the reception;
A wireless communication device including any one of the first to twelfth high-frequency switches according to the present invention, which is used for switching between transmission and reception.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[0029]
(Embodiment 1)
First, the configuration of the high-frequency switch according to the present embodiment will be described mainly with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram of the high-frequency switch in the present embodiment.
[0030]
The high frequency switch according to the present embodiment is a filter that passes the transmission frequency band and the reception frequency band in each of the first frequency band (EGSM), the second frequency band (DCS), and the third frequency band (PCS). This is a triple-band high-frequency switch having a function, and includes switch circuits (transmission / reception switching circuits) 1 and 2 and demultiplexing means (demultiplexing circuit) 3. As described in detail later, the high-frequency switch according to the present embodiment is characterized in that a low-pass filter (LPF) 11 is inserted between the branching means 3 and the switch circuit 2.
[0031]
Next, each means of the high frequency switch according to the present embodiment will be described in more detail.
[0032]
The demultiplexing means 3 is a low-pass device that passes through the internal terminals 21 and 22, the antenna terminal 20 for connection to the antenna (ANT), and the first frequency band connected between the internal terminal 21 and the antenna terminal 20. This means includes a filter (LPF) and a high-pass filter (HPF) that passes between the second and third frequency bands connected between the internal terminal 22 and the antenna terminal 20.
[0033]
The switch circuit 1 is a means connected to the internal terminal 21 for switching between a transmission terminal Tx1 used for transmission in the first frequency band and a reception terminal Rx1 used for reception in the first frequency band. is there. A low-pass filter (LPF) 12 is inserted between the switch circuit 1 and the transmission terminal Tx1 to reduce harmonic distortion due to amplification when transmission is performed using the transmission terminal Tx1.
[0034]
The switch circuit 2 is used for transmission in the transmission frequency bands of the second and third frequency bands (shared for performing two transmissions) and the reception frequency band of the second frequency band. It is a means connected to the internal terminal 22 for switching between the reception terminal Rx2 used for reception and the reception terminal Rx3 used for reception of the reception frequency band of the third frequency band. A low-pass filter (LPF) 13 is inserted between the switch circuit 2 and the transmission terminal Tx2 for reducing harmonic distortion due to amplification when transmission is performed using the transmission terminal Tx2.
[0035]
Next, the circuit configuration of the high-frequency switch according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a circuit diagram of the high-frequency switch in the present embodiment.
[0036]
The transmission terminal Tx1 is connected to the antenna side via a diode D2 that is forward when transmitting, and the low-pass filter 12 is inserted between the transmission terminal Tx1 and the anode of the diode D2. The reception terminal Rx1 is connected to the antenna side and grounded via a forward diode D4. The control terminal VC1 is connected to a voltage control unit (not shown) via a resistor R1.
[0037]
The transmission terminal Tx2 is connected to the antenna side via a diode D3 that is forward when transmitting, and the low-pass filter 13 is inserted between the transmission terminal Tx2 and the anode of the diode D3. The reception terminal Rx2 is connected to the antenna side and grounded via a forward diode D5. The reception terminal Rx3 is connected to the antenna side via a diode D1 that is in the reverse direction (off state) when transmission is performed using the transmission terminal Tx2. The diode D1 is forward from the receiving terminal Rx3 to the antenna side. The control terminal VC2 is connected to a voltage control unit (not shown) through a resistor R2, and the control terminal VC3 is connected to a voltage control unit (not shown) through a resistor R3.
[0038]
The low-pass filter 11 is inserted between the demultiplexing unit 3 and the switch circuit 2 so as to suppress harmonic distortion generated by the diode D1 when transmission is performed using the transmission terminal Tx2.
[0039]
Note that the low-pass filter 13 has characteristics set so as to suppress harmonic distortion generated when transmission is performed using the transmission terminal Tx2 in cooperation with the low-pass filter 11.
[0040]
More specifically, the low-pass filter 13 has a characteristic represented by a characteristic curve f1 in FIG. 13, which is an explanatory diagram of the characteristic of the low-pass filter. That is, since the high frequency band is cut in cooperation with the low-pass filter 11, the characteristic of the low-pass filter 13 is that the signal loss is small even if the performance as a filter represented by the characteristic curve f1 is somewhat poor. This is preferable to the characteristic that the filter performance as shown by the characteristic curve f2 is good and the signal loss is large. The low-pass filter has the property that the signal loss increases as the performance as the low-pass filter increases.
[0041]
The transmission terminal Tx2 corresponds to the first transmission terminal of the present invention, the reception terminals Rx2 and Rx3 correspond to the second and first reception terminals of the present invention, respectively, and the diodes D1 and D3 respectively correspond to the first transmission terminal of the present invention. The low-pass filters 11 and 13 correspond to the first and second low-pass filters of the present invention, respectively, and the switch circuit 2 corresponds to the first transmission / reception switching circuit of the present invention. The switch circuit 1 corresponds to the second transmission / reception switching circuit of the present invention. The demultiplexing unit 3 corresponds to the demultiplexing unit of the present invention.
[0042]
  Next, the operation of the high frequency switch of the present embodiment will be described. While explaining the operation of the high-frequency switch of the present embodiment, the present inventionInventions related toOne embodiment of the high-frequency switching method will also be described (the same applies to the following embodiments).
[0043]
The operation of the high frequency switch of the present embodiment is almost the same as the operation of the conventional high frequency switch. Therefore, hereinafter, a case will be described in which transmission is performed using the transmission terminal Tx2 such that the low-pass filter 11, which is a major feature of the high-frequency switch of the present embodiment, exhibits its power.
[0044]
The low-pass filter 13 removes harmonic distortion due to amplification from the transmission signal amplified by an amplifier (not shown) and input from the transmission terminal Tx2, and outputs the transmission signal from which the harmonic distortion has been removed to the switch circuit 2. .
[0045]
The switch circuit 2 is switched to perform transmission using the transmission terminal Tx2, and outputs the transmission signal input from the low-pass filter 13 to the low-pass filter 11. However, harmonic distortion occurs in the transmission signal output to the antenna side due to the diode D1 that is in an off state in relation to the signal path.
[0046]
The low pass filter 11 removes harmonic distortion due to the diode D 1 from the transmission signal input from the switch circuit 2, and outputs the transmission signal from which the harmonic distortion has been removed to the demultiplexing unit 3.
[0047]
The demultiplexing unit 3 outputs the transmission signal input from the low-pass filter 11 to the antenna, and the antenna transmits the transmission signal as a radio wave.
[0048]
Thus, the antenna switch on the high frequency band (2 GHz band) side is used as the switch circuit 2 of 1 input 3 output (SP3T), and the low pass filter 11 that suppresses only the harmonic distortion is provided between this and the branch circuit 3 on the antenna side. Insertion and attenuation of the low-pass filter 13 connected to the transmission end are reduced, and insertion loss is improved, so that distortion of the OFF diode is suppressed without substantially degrading the characteristics of each conventional port. Can do.
[0049]
(Embodiment 2)
Next, the configuration and operation of the high-frequency switch of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a block diagram of the high-frequency switch in the present embodiment, and FIG. 4 is a circuit diagram of the high-frequency switch in the present embodiment.
[0050]
The configuration of the high frequency switch according to the present embodiment is similar to the configuration of the high frequency switch according to the first embodiment described above. However, in the high-frequency switch of the present embodiment, the low-pass filter 11 is not inserted between the branching means 3 and the switch circuit 2 ′, and the low-pass filter 11 ′ is inserted between the cathode of the diode D1 and the antenna. (See FIGS. 1 to 4). In FIG. 4, the low-pass filter 11 'is a part of the switch circuit 2'.
[0051]
For this reason, the high frequency switch according to the present embodiment reduces the harmonic distortion generated by the diode D1 when transmitting using the transmission terminal Tx2, and the signal when receiving using the reception terminal Rx2. Loss can be reduced. With the circuit configuration as described above, the low-pass filter 11 ′ is not on the signal path of the reception signal output from the reception terminal Rx2, and thus generates a signal loss when performing reception using the reception terminal Rx2. Because there is almost no.
[0052]
The low-pass filter 11 'corresponds to the first low-pass filter of the present invention, and the switch circuit 2' corresponds to the first transmission / reception switching circuit of the present invention.
[0053]
(Embodiment 3)
Next, the configuration and operation of the high-frequency switch of the present embodiment will be described with reference to FIG. 5 and FIGS. 6 (a) to 6 (b). FIG. 5 is a circuit diagram of the high-frequency switch in the present embodiment. 6A is an explanatory diagram of the high-frequency switch (front side) in the present embodiment, and FIG. 6B is an explanatory diagram of the high-frequency switch (back side) in the present embodiment.
[0054]
The configuration of the high frequency switch according to the present embodiment is similar to the configuration of the high frequency switch according to the first embodiment described above. However, the high-frequency switch of the present embodiment does not have resistors R1 to R3 (see FIG. 2) connected to the control terminals VC1 to VC3, respectively, and the receiving terminals Rx1 and Rx2 are forward diodes D4, It is grounded via D5 and a shared control resistor R (see FIGS. 2 and 5).
[0055]
For this reason, the high frequency switch of this embodiment can reduce (1) the harmonic distortion generated by the diodes D1, D3, and D5 when transmitting using the transmission terminal Tx1, and (2) the transmission terminal Tx2. Harmonic distortion generated by the diodes D2 and D4 when transmission is performed can be reduced. With the circuit configuration as described above, the reverse bias voltage is applied to the diodes D1, D3, and D5 (diodes D2 and D4), and therefore harmonics are generated when transmission is performed using the transmission terminal Tx1 (transmission terminal Tx2). This is because there is almost no distortion.
[0056]
In the high-frequency switch according to the present embodiment, as shown in FIGS. 6A to 6B, a chip component (resistor, inductor, capacitor) X or PIN diode Y is a multilayer substrate (inductor, capacitor). Built-in) Mounted on the surface of Z.
[0057]
Thus, since the number of resistors can be reduced by two, current management by resistors becomes easy. This is because the resistance value of the diode is negligibly small compared to the control resistance, and the current substantially depends only on the control resistance value. In addition, the reliability of component mounting is improved, and the apparatus can be miniaturized by reducing the number of components. In addition, in order to mount the resistor on the surface, connection from the inside is required. However, by reducing the inner via of the connection, capacitive coupling is reduced and the characteristics are improved.
[0058]
Conventionally, when the two-path control terminal is turned on, the current value is about twice that when the one-path control terminal is turned on. However, according to this circuit of the present embodiment, the current consumption value There is almost no increase, and power consumption in the set can be suppressed.
[0059]
Further, one end of the control resistor R is connected to GND through the inductors L1 and L2 which are equal to or larger than λ / 4 (λ is a wavelength) from the cathodes of the diodes D4 and D5 (see FIG. 5). The high-frequency component is blocked, and the isolation does not deteriorate and the characteristics do not deteriorate.
[0060]
In addition, a reverse bias voltage is applied to the diode in the transmission / reception switching circuit on the OFF side that does not transmit, and the junction capacitance is reduced due to the change of the depletion layer. Turn into. Moreover, even if power is applied to the diode that is turned off when transmission is performed, the occurrence of spurious is suppressed.
[0061]
The control resistance R corresponds to the ground resistance of the present invention.
[0062]
(Embodiment 4)
Next, the configuration of the high-frequency switch according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 14 is an exploded perspective view of the high-frequency switch in the present embodiment. However, what is shown below the dielectric layer O in the drawing is the back surface of the dielectric layer O.
[0063]
The configuration of the high-frequency switch according to the present embodiment is similar to the configuration of the high-frequency switch according to the first embodiment described above. Here, the mounting structure will be described in detail.
[0064]
In FIG. 14, the high-frequency switch of the present embodiment is composed of 15 dielectric layers A to O. The number of laminated dielectric layers is appropriately selected according to the required characteristics of the high frequency switch.
[0065]
On the upper surface of the multilayer body having a multilayer structure in which various strip lines and capacitors constituting the high-frequency switch are built, two SAW filters F1 to F2, five diodes D1 to D5, and a chip component SD1 such as a capacitor. To SD8 are mounted via respective terminals T1 formed on the upper surface of the multilayer body, and are electrically connected to the internal circuit of the multilayer body.
[0066]
As the dielectric layer, a so-called glass ceramic substrate in which a ceramic powder such as forsterite is mixed with a low melting point glass frit can be used. In addition, many via holes are drilled by punching or laser processing in the green sheet formed by mixing the ceramic powder with an organic binder and an organic solvent to form a slurry. ing.
[0067]
A predetermined green sheet is printed using a conductive paste whose main component is silver (or gold or copper) powder to form a wiring pattern, and the wiring pattern of each green sheet is placed between layers. A strip line and a capacitor electrode are formed by printing and filling a conductive paste in the via hole for connection.
[0068]
The fifteen layers of green sheets thus obtained are accurately aligned and laminated, and heated and pressurized under certain conditions, whereby an integrated laminate can be obtained. After drying this laminate, it is fired at 400 to 500 degrees in a firing furnace in an oxidizing atmosphere, and the organic binder in the green sheet is burned out. Is fired at a temperature range of about 850 to 950 ° C. in an inert gas or reducing atmosphere when copper powder is used. Can finally be obtained.
[0069]
A plurality of terminals T1 for mounting SAW filters, diodes, and the like are formed on the top surface of the dielectric layer A, and a high-frequency switch is provided on the back surface of the dielectric layer O on which the ground electrode G1 is formed. A plurality of terminals T2 for surface mounting on the main substrate are formed. The terminals T1 and T2 are formed by printing and patterning the conductive paste as described above.
[0070]
Next, the laminated structure of the wiring pattern of the high-frequency switch having such a multilayer structure will be described.
[0071]
For example, the stripline electrode pattern on the dielectric layer B is interlayer-connected to the stripline pattern on the dielectric layer C via via holes BV1 and BV2. In addition, the stripline electrode pattern of the dielectric layer C is interlayer-connected to the stripline pattern of the dielectric layer D through via holes CV1 and CV2. In this way, for example, the strip line S1 and the strip line S2 are sequentially connected across the six layers of the dielectric layers B to G through the via holes, respectively.
[0072]
Further, for example, the capacitors C1 and C2 are provided with the electrode pattern of the capacitor C1 on the dielectric layer E, the electrode pattern shared by the capacitors C1 and C2 is provided on the dielectric layer F, and the capacitor C2 is provided on the dielectric layer G. By providing an electrode pattern, they are connected in series.
[0073]
In this way, the stripline and the capacitor are configured. However, since all the input / output terminals of the high frequency switch in the present embodiment are concentrated on the back surface of the dielectric layer O through the via holes, It is possible to reduce the mounting area when mounted on the main board.
[0074]
The first to fourth embodiments have been described in detail above.
[0075]
In the present embodiment described above, the first transmission terminal of the present invention is a terminal shared for performing two transmissions. However, the present invention is not limited to this, and for example, only one transmission is performed. The terminal for performing may be sufficient, and the terminal for connecting a duplexer may be sufficient.
[0076]
In addition, the high frequency switch of the present invention includes a SAW together with a chip component (resistor, inductor, capacitor) X and PIN diode Y as shown in FIGS. 7 and 8 and FIGS. The filter W may be mounted on the surface layer of the multilayer substrate (inductor and capacitor built-in) Z. FIG. 7 is a circuit diagram of a high-frequency switch having a low-pass filter for suppressing harmonic distortion caused by an off-state diode and having a SAW filter mounted on the receiving terminals Rx1 and Rx2, and FIG. FIG. 5 is a circuit diagram of a high-frequency switch having a resistor shared by a transmission / reception switching circuit and having a SAW filter mounted on reception terminals Rx1 and Rx2. FIG. 9A is an explanatory diagram of a high-frequency switch (front side) on which a SAW filter is mounted, and FIG. 9B is an explanatory diagram of a high-frequency switch (back side) on which a SAW filter is mounted.
[0077]
The high-frequency switch of the present invention is a triple-band high-frequency switch in the above-described embodiment. However, the present invention is not limited to this. For example, FIG. 10 is a circuit diagram of a dual-band high-frequency switch. As shown, a dual-band high-frequency switch may be used.
[0078]
Note that the inductor L2 may be omitted in the low-frequency band switch circuit (see FIG. 10) having the transmission terminal Tx1 and the reception terminal Rx1. More specifically, as shown in FIG. 15 which is a circuit diagram of a dual-band high-frequency switch with reduced resistance and inductor according to the present invention, (1) the lowest among the receiving terminals Rx1, Rx2. The receiving terminal Rx1 for receiving using the frequency band is connected to the grounding resistor R via the inductor L. (2) The receiving terminal Rx2 for receiving using the highest frequency band is grounded. The resistor R may be connected without an inductor (an ellipse mark is added to the corresponding portion to indicate that the inductor L2 has been deleted). By making the inductance of the inductor L sufficiently large (for example, equal to the inductance of the inductor L2 (see FIG. 10)), even when transmission is performed using the transmission terminal Tx1, the transmission signal wraps around the reception terminal Rx2. Thus, it becomes possible to form a pole on the lower side of the pass band.
[0079]
Further, in the low frequency band switch circuit (see FIG. 10) having the transmission terminal Tx1 and the reception terminal Rx1, an inductor may be formed between the resistor R and the ground point (ground electrode). More specifically, as shown in FIG. 16, which is a circuit diagram of a dual-band high-frequency switch in which the resistance is reduced and an inductor is formed between the ground resistance and the ground point, as shown in FIG. The resistor R may be grounded via an inductor L ′ (an ellipse mark is added to the corresponding portion to indicate that the inductor L ′ has been formed). By forming a choke coil having sufficient inductance using the inductor L ′, even when transmission is performed using the transmission terminal Tx1, the transmission signal wraps around the reception terminal Rx2, or the transmission signal is transmitted to the ground. It is possible to realize a more open state in terms of high frequency.
[0080]
Of course, the same can be said of the triple-band high-frequency switch as well as the dual-band high-frequency switch. That is, the high-frequency switch as shown in FIG. 17 which is a circuit diagram of a triple-band high-frequency switch in which the resistance is reduced and an inductor is formed between the ground resistance and the ground point is also the present invention. include.
[0081]
In addition, such an inductor between the resistor R and the ground point may be naturally formed by using a laminated interpolation pattern, a surface layer pattern, or the like, instead of mounting the components purposely. More specifically, FIG. 18 is an exploded perspective view of the high-frequency switch of the triple-band high-frequency switch in which the resistance is reduced and the inductor is formed between the ground resistance and the ground point according to the present invention. Thus, the inductor L ′ is formed using a via-hole conductor (from the dielectric layer shown on the upper left side in FIG. 18 to the dielectric layer shown on the upper right side in FIG. 18). May be. Of course, it is more desirable to design the circuit pattern so that such via-hole conductors are perpendicular to the substrate surface, because the inductor can be formed compactly with a small area.
[0082]
The high-frequency switch of the present invention is a high-frequency switch provided with a low-pass filter for suppressing harmonic distortion due to an off-state diode in the above-described first and second embodiments. In the third embodiment, the high-frequency switch has a resistance shared by a plurality of transmission / reception switching circuits. However, the present invention is not limited to this. In short, (a) a low-pass for suppressing harmonic distortion caused by an off-state diode. A high-frequency switch having a filter and / or (b) a resistor shared by a plurality of transmission / reception switching circuits.
[0083]
Thus, the present invention is, for example, a high-frequency switch having a plurality of signal paths corresponding to a plurality of frequencies, wherein a transmission signal is combined from the plurality of signal paths at the time of transmission, and is connected to the plurality of signal paths at the time of reception. A branching circuit that distributes a received signal; a plurality of transmission / reception switching circuits that switch between a transmission unit and a reception unit for each of the plurality of signal paths; and a plurality of filters that are arranged in the signal path, Of the frequencies, corresponding to the first and second communication systems having close frequencies, the transmission unit common to the first and second communication systems, the reception unit of the first communication system, and the second communication A first low-pass filter is disposed between the first transmission / reception switching circuit having four ports separated into the reception unit of the system and the branching circuit, and a second low-pass filter is disposed in the transmission unit. Is a high-frequency switch is characterized in that location.
[0084]
More specifically, as shown in FIG. 14, for example, dielectric layers M to N are provided below the electrode pattern P1 of the inductor L3 (see FIG. 2) constituting the low-pass filter 11 (see FIG. 1). Alternatively, the ground electrode G1 may be formed, and the electrode pattern P2 of another inductor may not be disposed on the top. Since the lamination is performed so that the dielectric layer A is the uppermost surface layer and the dielectric layer O is the lowermost bottom layer, the dielectric layers A to L are above the electrode pattern P1, The dielectric layers M to O are below the electrode pattern P1. Therefore, the electrode pattern P2 of the other inductor described above actually corresponds to all of the electrode patterns of the inductor formed on the dielectric layers A to L (shown using thin lines in the drawing). It is.
[0085]
In short, a plurality of strip lines and a plurality of capacitors are formed on a plurality of dielectric layers, via hole conductors for forming a plurality of strip lines and a plurality of capacitors are formed between the dielectric layers, and the dielectric layers are stacked. It is only necessary that at least one of a diode, a capacitor, a resistor, and an inductor is mounted on the stacked body formed by the above.
[0086]
A triple band high frequency switch is composed of an inductor, a capacitor, a diode, and a resistor (see Fig. 2). When realizing a multilayer device, the inductor or capacitor is made of silver or copper on a low-temperature sintered ceramic sheet. An electrode pattern to be configured is printed, and simultaneous firing is performed after stacking, and a diode, a resistor, a (SAW filter), and an inductor or a capacitor that could not be formed on the inner layer are mounted on the surface layer, thereby completing a stacked device. Thus, signal loss due to the low-pass filter 11 can be suppressed, and characteristic deterioration of the entire apparatus can be avoided.
[0087]
Further, according to the present invention, for example, the first transmission / reception switching circuit has an anode connected to the receiving unit side of the second communication system, and a cathode connected to the branching circuit via the first low-pass filter. This is a high-frequency switch characterized by
[0088]
The present invention is also a high frequency switch having a plurality of signal paths corresponding to a plurality of frequencies, for example, wherein a transmission signal is combined from the plurality of signal paths at the time of transmission, and a reception signal is connected to the plurality of signal paths at the time of reception. Each of the plurality of signal paths, a plurality of transmission / reception switching circuits for switching between the transmission unit and the reception unit, and a plurality of filters arranged in the signal path, the plurality of transmission / reception switchings The circuit includes a diode whose cathode is grounded via a resistor, and the resistor is shared by at least two of the plurality of transmission / reception switching circuits.
[0089]
Further, according to the present invention, for example, the plurality of transmission / reception switching circuits are configured by two transmission / reception switching circuits, and the first transmission / reception switching circuit is a transmission unit common to the first and second communication systems and the first communication system. And the second transmission / reception switching circuit is divided into a transmission unit of the third communication system and a reception unit of the third communication system. The first and second transmission / reception switching circuits are connected to a demultiplexing circuit, and a low-pass filter is connected to each transmission unit.
[0090]
Further, according to the present invention, for example, the plurality of transmission / reception switching circuits are constituted by two transmission / reception switching circuits, and the first transmission / reception switching circuit has the anode having the first (second) communication system (common) transmission. A first diode connected to the circuit side terminal, having a cathode connected to the branching circuit, one end connected to the anode of the first diode, and the other end grounded via a first capacitor; A first strip line connected to the first control terminal, an anode connected to the receiving circuit side terminal of the first communication system, and a cathode grounded via a parallel circuit of a second capacitor and a first resistor And a second strip line having one end connected to the anode of the second diode and the other end connected to the branching circuit (the anode is the second diode). A third diode having a cathode connected to the branching circuit, one end connected to the anode of the third diode, and the other end via a third capacitor connected to the receiving circuit side terminal of the communication system The second transmission / reception switching circuit is grounded and includes a third strip line connected to the second control terminal. The second transmission / reception switching circuit has an anode connected to the transmission circuit side terminal of the third communication system and a cathode A fourth diode connected to the branching circuit, one end connected to the anode of the fourth diode, and the other end grounded via a fourth capacitor and connected to the third control terminal The fourth strip line, the anode is connected to the receiving circuit side terminal of the third communication system, and the cathode is connected through a parallel circuit of a fifth capacitor and a second resistor. A fifth diode which is the earth, a high frequency switch having one the other end is connected to the anode of the fifth diode and further comprising a fifth strip line connected to said branching circuit. The wording in parentheses is for a triple switch circuit.
[0091]
Further, according to the present invention, for example, the plurality of transmission / reception switching circuits are constituted by two transmission / reception switching circuits, and the first transmission / reception switching circuit has an anode connected to the transmission circuit side terminal common to the first and second communication systems. A first diode having a cathode connected to the branching circuit, one end connected to the anode of the first diode, and the other end grounded via a first capacitor and a first control; A first strip line connected to a terminal, a second connected to a receiving circuit side terminal of the first communication system, and a cathode grounded via a parallel circuit of a second capacitor and a first resistor. A second strip line having one end connected to the anode of the second diode and the other end connected to the branching circuit, and an anode connected to the second communication system. A third diode having a cathode connected to the branching circuit, one end connected to the anode of the third diode, and the other end grounded via a third capacitor. And a third strip line connected to the second control terminal, wherein the second transmission / reception switching circuit has an anode connected to a transmission circuit side terminal of the third communication system and a cathode connected to the distribution terminal. A fourth diode connected to the wave circuit, a fourth diode having one end connected to the anode of the fourth diode and the other end grounded via a fourth capacitor and connected to the third control terminal The strip line, the anode is connected to the receiving circuit side terminal of the third communication system, and the cathode is grounded via a parallel circuit of a fifth capacitor and a second resistor. And a fifth strip line having one end connected to the anode of the fifth diode and the other end connected to the branching circuit, the branching circuit comprising a low-pass filter and a high-pass filter, The high-frequency switch is characterized in that the second transmission / reception switching circuit is connected to the low-pass filter side and the first transmission / reception switching circuit is connected to the high-pass filter side.
[0092]
Note that a wireless communication device including a transmission circuit that performs transmission, a reception circuit that performs reception, and the above-described high-frequency switch that is used for switching between transmission and reception is also included in the present invention. More specifically, in the configuration of such a wireless communication device, for example, the transmission circuit is connected to the transmission terminal Tx1 (see FIG. 1) of the high-frequency switch through an amplifier.
[0093]
【The invention's effect】
  As is apparent from the above description, the present invention provides a high-frequency switch with reduced harmonic distortion,andWireless communication equipmentTheIt has the advantage that it can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of a high-frequency switch according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram of a high-frequency switch according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram of a high-frequency switch according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram of a high-frequency switch according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 5 is a circuit diagram of a high-frequency switch according to Embodiment 3 of the present invention.
6A is an explanatory diagram of a high-frequency switch (front side) according to Embodiment 3 of the present invention. FIG.
(B) Explanatory drawing of the high frequency switch (back side) in Embodiment 3 of this invention.
FIG. 7 is a circuit diagram of a high-frequency switch according to the present invention that includes a low-pass filter for suppressing harmonic distortion caused by an off-state diode, and in which a SAW filter is mounted on receiving terminals Rx1 and Rx2.
FIG. 8 is a circuit diagram of a high-frequency switch according to the present invention having a resistor shared by a plurality of transmission / reception switching circuits and having a SAW filter mounted on the reception terminals Rx1 and Rx2.
FIG. 9A is an explanatory diagram of a high-frequency switch (front side) mounted with a SAW filter according to the present invention.
(B) Explanatory drawing of the high frequency switch (back side) mounted with the SAW filter of the present invention
FIG. 10 is a circuit diagram of a dual-band high-frequency switch according to the present invention.
FIG. 11 is an explanatory diagram of the corresponding frequency bands of EGSM, DCS, and PCS
FIG. 12 is a circuit diagram of a conventional high-frequency switch.
FIG. 13 is an explanatory diagram of characteristics of a low-pass filter.
FIG. 14 is an exploded perspective view of a high-frequency switch according to Embodiment 4 of the present invention.
FIG. 15 is a circuit diagram of a dual-band high-frequency switch with reduced resistance and inductor according to the present invention.
FIG. 16 is a circuit diagram of a dual-band high-frequency switch according to the present invention in which resistance is reduced and an inductor is formed between a ground resistance and a ground point.
FIG. 17 is a circuit diagram of a triple-band high-frequency switch according to the present invention in which resistance is reduced and an inductor is formed between a grounding resistor and a grounding point.
FIG. 18 is an exploded perspective view of a high-frequency switch of a triple-band high-frequency switch according to the present invention in which the resistance is reduced and an inductor is formed between the ground resistor and the ground point.
[Explanation of symbols]
1, 2 Switch circuit (Transmission / reception switching circuit)
3 Demultiplexing means (demultiplexing circuit)
20 Antenna terminal
21, 22 Internal terminal
11-13 Low-pass filter (LPF)

Claims

A transmission / reception switching circuit for switching between transmission and reception performed via a first transmission terminal, a first and a second reception terminal, and a first diode which is turned off when performing the transmission A first transmission / reception switching circuit having:
A first low-pass filter for suppressing harmonic distortion generated by the first diode when performing the transmission,
The first transmission / reception switching circuit is connected to an antenna for performing the transmission and the reception;
The first low-pass filter is inserted between the first transmission / reception switching circuit and the antenna;
The first transmission terminal is connected to the antenna via a second diode and a first low-pass filter that are forward when performing the transmission,
A second low-pass filter inserted between the first transmission terminal and the anode of the second diode for suppressing harmonic distortion generated when performing the transmission;
The first low-pass filter has a characteristic that the signal loss is smaller than that of the second low-pass filter,
It said second low pass filter suppresses high-frequency switch harmonic distortion generated when performing the transmission in cooperation with the first low-pass filter.

A transmission / reception switching circuit for switching between transmission and reception performed via a first transmission terminal, a first and a second reception terminal, and a first diode which is turned off when performing the transmission A first transmission / reception switching circuit having:
A first low-pass filter for suppressing harmonic distortion generated by the first diode when performing the transmission,
The first transmission / reception switching circuit is connected to an antenna for performing the transmission and the reception;
The first receiving terminal is connected to the antenna via the first diode;
Wherein the first low-pass filter, a high-frequency switch that is inserted between said first diode antenna.

3. The high-frequency switch according to claim 1, wherein the first transmission terminal is shared to perform two transmissions.

A second transmission / reception switching circuit for switching between transmission and reception performed via the transmission terminal and the reception terminal;
High-frequency switch according to any one of 3 the first transceiver switching circuit and said second transmission and reception switching circuit and demultiplexing means for connecting to the antenna, further from claim 1, further comprising a.

A plurality of transmission / reception switching circuits for switching between transmission and reception performed via a transmission terminal and a reception terminal;
And a demultiplexing means for connecting said plurality of transceiver switching circuit to the antenna,
Each receiving terminal is connected to the antenna and grounded through a forward diode and a grounding resistor,
All or some of the receiving terminals among the receiving terminals are connected to the ground resistor via an inductor,
A grounding resistor used for each grounding is a high frequency switch shared by a single resistor.

Among the receiving terminals are connected via the inductor receiving terminal to said ground resistor for performing reception using the lowest frequency band (1), by using the highest frequency band (2) The high-frequency switch according to claim 5 , wherein a reception terminal for performing reception is connected to the ground resistor without passing through the inductor.

The lowest frequency band said inductor for connecting the receiving terminal for reception using the ground resistance, the transmission wraparound allow for repression, predetermined value of the signal from the terminal side to the receiving terminal side The high-frequency switch according to claim 6 having the above inductance.

The high-frequency switch according to claim 5 , wherein the grounding resistor is grounded via an inductor.

The high-frequency switch according to claim 8 , wherein the inductor for grounding the ground resistor is formed using a via-hole conductor.

A plurality of strip lines and a plurality of capacitors are formed on a plurality of dielectric layers, via hole conductors for forming the plurality of strip lines and the plurality of capacitors are formed between the dielectric layers, and the dielectric layers are formed. The high-frequency switch according to any one of claims 1 to 9 , wherein at least one of a diode, a capacitor, a resistor, and an inductor is mounted on a laminated body formed by laminating.

A plurality of striplines and a plurality of capacitors are formed on a plurality of dielectric layers, via hole conductors for forming the plurality of striplines and the plurality of capacitors are formed between the dielectric layers, and the dielectric layers are formed. On the laminated body formed by laminating, at least one of a diode, a capacitor, a resistor, and an inductor is mounted,
A first strip line constituting the first low-pass filter is formed on a first dielectric layer of the plurality of dielectric layers, and is a second on one side of the first dielectric layer. A ground electrode is formed through a dielectric layer of the first strip line, and an electrode pattern of another strip line different from the first strip line is not disposed on the other side of the first strip line. 5. The high frequency switch according to any one of 4 above.

High-frequency switch according to claim 1 0 or 1 1 SAW filter in the surface layer of the laminate is mounted.

A transmission circuit for performing the transmission;
A receiving circuit for performing the reception;
The utilized to perform switching of the transmission or the reception, wireless communication device and a high frequency switch according to claim 1 1 2.