JP3911460B2 - Optical fiber pigtail, manufacturing method thereof, and optical fiber module - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信等に使用される光ファイバピグテイルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、図13に示すように、光ファイバピグテイル9は光パッケージ26の内部で発光源25と共に組み込まれ、光ファイバモジュールとして用いられる。例えばレーザダイオードモジュール(以降LDモジュール)27として形成される。上記光ファイバピグテイル9は光パッケージ26に組み込まれる際に、光軸合わせをしたのち半田28にて光パッケージ26に固定される。
【0003】
光パッケージ26の内部は長期稼働中に空中の酸素や湿度により内部の部品が酸化し、それによる通信不良等の不具合を発生させないように、内部空間には金属と反応しない窒素を封入し、酸素や湿度が流入しないように開口部を気密封止している。光ファイバピグテイル9と光パッケージ26を固定するために半田28使用するのは気密封止するための最適な方法であるからである。
【0004】
従来の光ファイバピグテイル90は図14に示すように光ファイバの被覆10から先端が露出した石英ガラスからなる素線50の表面にクロム、クロム−金合金、金の順で薄膜20が形成され、その上にニッケル、金の厚膜30を形成した構造になっており、この厚膜30の部分を半田28で接合することを本出願人は提案していた(特開2001−42172号公報参照)。
【0005】
このとき、薄膜20と厚膜30からなるメタライズ層40の端部40aは、通常、光ファイバの素線50の側面に対して垂直になるように形成されていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光ファイバピグテイル90は、地上系で採用される場合には問題が生じなかったが、光ファイバの普及により海底ケーブルの中継器内で採用されることとなり、万一故障した場合、引き上げ交換する経費が膨大に掛かるために、特に厳しい信頼性を要求される様になった。
【0007】
そのためにヒートサイクル試験を行った後、薄膜20及び厚膜30と素線50との熱伝導率の差があるために、半田固定後に光ファイバ先端にマイクロクラックが増長し、引っ張り強度が低下するという課題があった。特に、メタライズ層40の端部40aに応力が集中するため強度劣化することが知られている。これは薄膜20の形成時に100℃以上、厚膜30の形成時に80℃以上まで素線50が加熱されるため、熱膨張率の小さい素線50の材料である石英ガラスに対して熱膨張率の大きい薄膜20や厚膜30が収縮することにより図14の矢印方向に応力が発生するものである。
【0008】
素線50である石英ガラスの熱膨張係数が0.5×10-6/℃であるのに対して、薄膜20であるクロムの熱膨張係数が45×10-6/℃、厚膜30であるニッケルの熱膨張係数が13〜14×10-6/℃とあまりにも大きいことから素線50の表面のマイクロクラックが増長したものと推測できる。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題に鑑み、光パッケージ等に光ファイバの被覆部から先端が露出した石英ガラスからなる光ファイバ素線が組み込まれ、該光ファイバ素線の側面に、半田により固定されるメタライズ層を形成してなる光ファイバピグテイルであって、前記メタライズ層は、前記光ファイバ素線に直付けされるクロム薄膜を含んでなり、前記光ファイバ素線の先端部に達しないように、かつ膜厚が前記光ファイバ素線の先端部になるにしたがって薄くなるように形成された光ファイバピグテイルを提供する。
【0011】
更に、上記光ファイバピグテイルと、光素子が組み込まれた基板とを有し、該基板に前記光ファイバピグテイルのメタライズ層を前記光素子と結合する位置に接合固定してなる光ファイバーモジュールを提供する。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態を説明する。
図1は本発明の第一実施形態を示す光ファイバピグテイル9の側面図である。本発明の実施形態の光ファイバピグテイル9は、光ファイバの被覆部1の先端領域を除去し、石英ガラスからなる光ファイバの素線5先端面6の形状がフラット面を呈し、素線5の先端近傍の側面にメタライズ層4を形成したものであり、メタライズ層4は、薄膜2と厚膜3から構成されている。また、メタライズ層4の端部4a付近(以下、領域Xとする)はメタライズ層4の膜厚が素線5の先端部になるにしたがって薄くなったテーパー形状となっており、メタライズ層4の薄膜2および厚膜3がテーパー形状となるように調整されている。
【0013】
ここでテーパー状とはその領域Xの範囲が0.1mm以上1mm以下のものを意味し、0.1mm以下では領域Xで応力集中が急増して素線5の引っ張り強度が低下する一方、1mm以上では領域Xで4aに近い膜厚の薄い側程、密着性が低下して膜剥がれの原因となる。
【0014】
この薄膜2と厚膜3の材質は、図2の光ファイバの素線5側から順にクロム薄膜34、クロム−金合金薄膜21、金薄膜22の薄膜を形成し、その上に金厚膜23、ニッケル厚膜24、金厚膜23の順で厚膜を形成したものである。
【0015】
このように光ファイバの素線5から順にクロム薄膜34、クロム−金合金薄膜21、金薄膜22の薄膜としたのは、光ファイバの素線5の熱膨張係数が0.5×10-6/℃と小さいため、熱膨張係数が23×10-6/℃と低熱膨張係数であり、石英ガラスと濡れ性がよいクロム薄膜34素線5に直付けする金属として採用した。又、厚膜形成までに金属膜が酸化されないように、最外周に耐食性、耐熱性に優れ特に空気中及び水中では永久に酸化しない金薄膜22を用いる必要がある。そのため、熱膨張係数が118×10-6/℃の金と低熱膨張係数のクロムとの中間的な熱膨張係数でしかも金、クロムともに濡れ性が良い、両金属を溶け合わせたクロム−金合金薄膜21を中間層として採用した。
【0016】
上記薄膜3上に厚膜2を形成した理由は、光ファイバピグテイル9を光パッケージに半田固定するときに、薄膜だけであると光ファイバピグテイル9の素線5に形成された薄膜が半田に吸い取られる「半田食われ現象」が生じ、素線5と薄膜3との密着性がなくなり、気密がとれなくなる。その為に、上記薄膜3上に厚膜2を形成する必要が生じる。
又、上記厚膜を金厚膜23、ニッケル厚膜24、金厚膜23としたのは、厚膜を全て金だけで形成すると、光ファイバピグテイル9のコストが高くなってしまうからである。その為に、比較的安価でしかも厚膜2を形成しやすいニッケル24で下地を形成し、最外周には上記薄膜3同様、耐食性、耐熱性に優れ特に空気中及び水中では永久に酸化しない金厚膜23を用いる必要がある。
【0017】
また、薄膜3と接触する側の金厚膜23は素線5と厚膜であるニッケル厚膜24の熱膨張率差により発生する応力をその延性によって応力緩和させるために設けられている。金薄膜22の薄膜上にさらに金厚膜23の厚膜を設けるのは、金厚膜23をメッキ等で仕上げることによって金厚膜23を厚く形成して半田ぬれ性を向上させるためである。また、金厚膜23はイオンプレーテイングもしくはスパッタリングで形成される場合、内部応力が高くなり、光ファイバの強度を低下させるため、金薄膜22は金厚膜23と密着性を良くする程度に薄く形成し、大部分は内部応力の少ない電気メッキで金厚膜23を形成すればよい。厚膜2の厚みは半田の上記半田食われ現象に鑑みたとき、図2におけるニッケル厚膜24は1.5〜3μm、金厚膜23は0.5〜1.5μmが適当である。
【0018】
薄膜3と接触する側の金厚膜23はニッケル厚膜24で保護されるため半田食われ現象の影響を受けないが、応力緩和の効果が顕著に得られる膜厚範囲は、0.1μm〜1.5μmの範囲である。金厚膜23が0.1μm未満では引っ張り強度特性が急速に劣化し、また、1.5μmを超えると引っ張り強度特性への効果が鈍くなり、金消費量を増加させるだけになる。
【0019】
以上のようにして得られた本発明の光ファイバピグテイル9は、図13のような光ファイバモジュールであるLDモジュール27内に半田で固定することによって、好適に用いることができる。
【0020】
以上の構成により、図14における従来の構成では、メタライズ層40の端部40aに応力が集中するため強度劣化するのに対して、図1では薄膜形成時に100℃以上、メッキ等の厚膜形成時に80℃以上まで加熱して熱膨張率の小さい素線5の石英ガラスに対して熱膨張率の大きい薄膜2や厚膜3が形成後収縮することにより矢印方向に応力が発生していたが、本発明の第一実施形態によれば、領域Xがテーパー形状にすることでメタライズ層4の端部4aにかかる応力集中を拡散することができるので強度劣化が低減されている。
【0021】
図3は本発明の第二実施形態を示す光ファイバピグテイルの側面図である。
【0022】
第1実施形態ではメタライズ層4の領域Xが素線の先端になるに従って薄くなるテーパー形状としているのに対し、メタライズ層4の端部4a付近(以下領域Yという)は素線5の先端にいくに従って形成する膜の積層数が少なくなっていく段違いの形状となっている。
【0023】
この場合も第一実施形態同様、領域Yに段違い形状とすることにより領域Yにかかる応力が拡散され強度劣化を低減する効果がある。
次に、薄膜形成方法について説明する。
光ファイバピグテイル9への薄膜2の形成方法は蒸着、気相成長、スパッタ、イオンプレーティングの4方法が考えられる。
【0024】
図5に示すように蒸着は、るつぼ15とそれを加熱するヒータ150、蒸発した蒸気を付着させる基板13があり、形成される膜はヒータに近いところが厚くなり、光ファイバ全周に渡り均一の膜厚とならないために高温作用時に熱応力の不均一から膜剥離が生じ、現実的には光ファイバピグテイルへの適用は好ましくない。
【0025】
また、気相成長は不図示であるが、膜とする元素を含んだ蒸発しやすい気体を高温に加熱した基板表面に送り、分解、酸化、還元、置換などの化学反応により薄膜を形成する方法であるが、酸化物、窒化物、炭化物などの安定した化合物の薄膜生成に用いられ、光ファイバピグテイルにおける金属単体の薄膜には好ましくない。
【0026】
そこで図4に示すスパッタにより形成するのが望ましい。スパッタは、プラズマ中のイオン35がターゲット11の表面にある原子12をはねとばし、はねとばされた原子12はターゲット11の近くにおかれた基板13の上について膜14を形成する方法で、ターゲットの温度を上げる必要がないことが特徴で、樹脂製被覆をもつ光ファイバピグテイル9の薄膜形成方法として適している。
【0027】
また、図5に示すようにイオンプレーティングにより、るつぼ15から蒸発させながら、スパッタにおけるターゲットを基板13として膜14を付けて、蒸着とスパッタの中間的な方法を用いるのが好ましい。この方法では、基板13はスパッタのターゲットと同様にイオンによって表面がスパッタされ清浄化されるのと同時に高温になるので、付着強度が大きくなり、光ファイバピグテイル9には最も適した方法である。以上より、本発明の光ファイバピグテイル9を形成する方法としてはスパッタ又はイオンプレーティングを用いるのが好ましく、いずれの方法においても半田付けする等の高温作用時においても石英ガラスと薄膜間の剥離は生じない。
【0028】
以上によりスパッタ及びイオンプレーテイングいずれの成膜方法でも、図2におけるクロム薄膜34、クロム−金合金薄膜21、金薄膜22のそれぞれの最適な膜厚範囲0.01〜0.09μm程度に形成することができる。
【0029】
一方光ファイバピグテイルの薄膜形成後の厚膜形成方法は電気メッキ、置換メッキ、化学還元メッキの3方法が考えられる。
【0030】
置換メッキは、電解質溶液中の異種金属間の電位差を利用したものであるが、被メッキ品表面上を置換した金属で被覆されると反応は停止するために、析出膜厚は薄く、しかも素材との密着性も悪いので光ファイバピグテイル9に採用することは好ましくない。
【0031】
又、化学還元メッキは一般的には無電解メッキといい、金属塩を含む溶液は可溶性の還元剤、ph調整剤、メッキ液の安定剤等からなり、上記溶液中に被メッキ品を浸漬すると、還元剤の酸化によって放たれる電子が金属イオンに転移し、金属皮膜が得られるものである。しかし、無電解金メッキは膜厚が1.5μm以下ではピンホール数が極端に多く、半田付け時に高温加熱することにより下地のニッケルが酸化し褐色に呈色する。又、金は貴金属のため高価なので膜厚を1.5μm以上にすることはコスト上昇につながり、現実的なものとならない。
【0032】
そこで、本発明に適用できる厚膜形成方法について図6を用いて説明する。
【0033】
図6は電気メッキを示す概要図である。電気メッキはメッキ液16、陽極17、直流電源18とからなり、被メッキ品19を陰極にし外部からの電気エネルギーを用いて被メッキ品19に所望の金属を析出させるものである。同時に金属源が陽極17から溶解して補給されるため、一度建浴すると経時変化するものが少なく、液組成分中不足分を補給するだけで半永久的に使用できる。
【0034】
その為に、密着性、経済性ともに3方法の中で最も優れており、本発明の光ファイバピグテイル9の厚膜形成方法として最も適している。
【0035】
次に第一実施形態を実施するための蒸着時のマスキングの方法について説明する。
【0036】
図7に示すマスキング7には通常エタノールに可溶な熱効果型樹脂やUV効果型樹脂が塗布されてなるものが一般的であるが、冶具でメタライズ層4の端部4aまで掩蔽することでマスキングしてもよい。
【0037】
これにより被覆部1を除去して露出した素線5に飛来する薄膜粒子8はマスキング部材7との境界付近のみシャドウ効果により薄膜の厚みに勾配ができる。即ち、図1に示すメタライズ層4の端部4aをテーパ状にするには、光ファイバピグテイル9の素線5の先端側面にメタライズ層4の厚みよりも厚いマスキング部材7で覆った後、マスキング部材7及び素線5の双方に金属材料を被着して素線5にメタライズ層4を形成し、しかる後に、マスキング部材7を除去することで、メタライズ層4の厚みが素線5の先端部になるに従って薄くなるように形成する。
【0038】
このマスキング部材7の厚みをそのシャドウ効果によりX=0.1〜1mmの範囲で膜厚勾配ができる程度とすることが好ましい。
【0039】
図12に示すように、範囲Xが0.1mm以下であると図14に示す矢印方向の応力がメタライズ層4aに集中することにより引っ張り強度が低下し、1mm以上であると薄膜2の端部が厚膜3の応力により引っ張られ、薄膜2の端部の密着性が低下するため、これを起点としてメタライズ層4が剥離し易くなってしまう。
【0040】
図1に示す第一実施形態は、蒸着による薄膜2の端部4をテーパー状にすることで、メッキによる厚膜3をテーパー状の薄膜の膜厚に比例したテーパー状の厚膜を形成することができる。これは薄膜の電気抵抗がその厚みに反比例するからである。
【0041】
次に、第二実施形態を実施するためのメッキ時のマスキング方法について説明する。
【0042】
光ファイバピグテイルの素線5の先端部側面を第1のマスキング部材(不図示)で覆った後、第1のマスキング部材及び素線5の双方に金属材料を被着して素線5に第1の金属膜2を形成する。そして、図8に示すように第1の金属膜2の先端部側面を第2のマスキング部材70で覆った後、第2のマスキング部材70及び第1の金属膜2の表面に第2の金属膜(不図示)を形成する。この工程を繰り返して形成し、随時もしくは最終的にマスキング部材を除去することで、図3のように前記素線の先端になるに従って形成される金属膜の積層数が少なくなる様に形成してなる。
【0043】
図3に示す第二実施形態は、被覆部1を除去した素線5に形成するメタライズ層4の端部4aを薄膜2と厚膜3の段違い32の領域YがY=0.1〜1mmとなることが好ましい。
【0044】
そのためには、メッキ時のマスキングが必要であり、図9に示すように被覆部1を除去した素線5に既に形成されている薄膜2上に0.1〜1mmの範囲で重なるように熱硬化型もしくはUV硬化型樹脂のマスキング7を塗布するかまたは、冶具でマスキングすることにより図3の領域Yにメッキによる厚膜が形成されないようにすることができる。
【0045】
熱硬化型もしくはUV硬化型樹脂のマスキング7を塗布する場合、素線5の先端をマスキング剤に浸漬して塗布するだけなのでマスキングが容易であり、マスキングの除去は素線5の先端をエタノールに1時間浸漬することで容易に除去することができる。
【0046】
冶具でマスキング7をする場合は、冶具としてシリコンゴム製のチューブなどを用意して素線5をチューブの穴に挿通する。蒸着後チューブを外すだけなので、マスキングの洗浄が不要という点で有効である。
【0047】
図12に示すように、この範囲が0.1mm以下であると矢印方向の応力が集中することにより引っ張り強度が低下し、1mm以上であると薄膜2の端部が厚膜3の応力により引っ張られるため、薄膜2の端部の密着性が低下するため、これを起点として剥離し易くなってしまう。
【0048】
【実施例】
ここで、以下に示す方法で実験を行った。
【0049】
端面形状がテーパ球面である光ファイバピグテイルのサンプルを150本作成し、内50本を本発明の第一実施形態としてUV硬化型樹脂を厚さ0.5mm程度で先端をマスキングしてクロム、クロム−金合金、金の順に薄膜をイオンプレーティングでそれぞれ0.1μm以下の膜厚で形成し、この薄膜の上に金、ニッケル、金の順に厚膜を電気メッキでそれぞれ1〜3μmの膜厚で形成した。
【0050】
別の50本を本発明の第二実施形態としてUV硬化型樹脂を従来の厚み(0.1mm程度)で先端をマスキングしてクロム、クロム−金合金、金の順で薄膜をイオンプレーティングでそれぞれ0.1μm以下の膜厚で形成し、UV硬化型樹脂を100um程度薄膜に重なるように先端をマスキングして薄膜の上にニッケル、金の順で厚膜を電気メッキでそれぞれ1〜3μmの膜厚で形成した。
【0051】
残りの50本を本発明の比較例としてUV硬化型樹脂を従来の厚み(0.1mm程度)で先端をマスキングしてクロム、クロム−金合金、金の順で薄膜をイオンプレーティングでそれぞれ0.1μm以下の膜厚で形成し、この薄膜の上にニッケル、金の順で厚膜を電気メッキでそれぞれ1〜3μmの膜厚で形成した。尚、上記サンプルについて被覆の除去部分の長さは40mm、マスキングの長さは20mmで統一してある。
【0052】
これらのサンプルをヒートサイクル試験後に引っ張り荷重を加えて引っ張り強度試験をおこなった。
また、図10に示すように光ファイバの被覆部1を万力33で固定して素線5をシリコンゴム31で挟み固定した。この状態で万力33を矢印方向へ引き、メタライズ層29及び素線5での破断時の引っ張り荷重を測定した。ヒートサイクル条件は、温度範囲が40〜85℃、温度昇降速度10℃/分、滞留時間30分間、サイクル回数200回とした。
【0053】
図11より本発明の第一実施形態(実施例1)及び第二実施形態(実施例2)は、初期で高い引っ張り強度を示し、200サイクル後も10N以上を十分に保持している。これに対して従来例(比較例)としては、初期では10N以上を保持するが100サイクル以降で、メタライズ端部での破断による引っ張り強度の低下が顕れた。
【0054】
この結果より、本発明の実施形態によれば、メタライズ端部での応力集中が緩和されて引っ張り強度が強い光ファイバピグテイルが得られた。従って、本発明の光パッケージ等に組み込まれる光ファイバピグテイルにおいて、引っ張り強度性に優れた効果があらわれた。
【0055】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、光ファイバ素線の先端部近傍の側面に形成されたメタライズ層の端部がテーパー状もしくは段違い状とすることによりサイクル試験後の引っ張り強度も強い光ファイバピグテイルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施形態の光ファイバピグテイルを示す断面図である。
【図2】本発明の光ファイバピグテイルのメタライズを説明するための断面図である。
【図3】本発明の第二実施形態の光ファイバピグテイルを示す断面図である。
【図4】本発明の光ファイバピグテイルにおける薄膜を形成するための方法であるスパッタリング装置を示す図である。
【図5】本発明の光ファイバピグテイルにおける薄膜を形成するための方法であるイオンプレーティング装置を示す図である。
【図6】本発明の光ファイバピグテイルにおける厚膜を形成するための方法である電気メッキを示す断面図である。
【図7】本発明の第一実施形態の光ファイバピグテイルにおける蒸着時のマスキング部材を形成した状態を示す図である。
【図8】本発明の第一実施形態の光ファイバピグテイルにおける蒸着時のマスキング部材を形成した状態を示す図である。
【図9】本発明の第二実施形態の光ファイバピグテイルにおけるメッキ時のマスキング部材を形成した状態を示す図である。
【図10】光ファイバピグテイルにおける引っ張り強度測定方法を示す図である。
【図11】本発明の実施例と比較例の引っ張り強度のサイクル試験結果を示すグラフである。
【図12】本発明の実施例における引っ張り強度と薄膜剥離の境界部範囲依存性を示す図である。
【図13】本発明の光ファイバピグテイルのパッケージを説明するための一部透視斜視図である。
【図14】従来例の光ファイバピグテイルを示す断面図である。
【符号の説明】
1:被覆
2:薄膜
3:厚膜
4:メタライズ層
4a:メタライズ層の端部
5:石英ガラス部
6:先端面
7:マスキング
8:薄膜粒子
9:光ファイバピグテイル
35:イオン
11:ターゲット
12:原子
13:基板
14:膜
15:るつぼ
16:メッキ液
17:陽極
18:直流電源
19:被メッキ品
34:クロム薄膜
21:クロム−金合金薄膜
22:金薄膜
23:金厚膜
24:ニッケル厚膜
25:発光源
26:光パッケージ
27:レーザーダイオードモジュール
28:半田
29:メタライズ層
33:万力
31:シリコンゴム
32:段違い
10:被覆
20:薄膜
30:厚膜
40:メタライズ層
40a:メタライズ層の端部
50:素線
90:光ファイバピグテイル
150:ヒーター[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical fiber pigtail used for optical communication and the like.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as shown in FIG. 13, the
[0003]
The inside of the
[0004]
In the conventional
[0005]
At this time, the
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional
[0007]
Therefore, after conducting a heat cycle test, there is a difference in thermal conductivity between the
[0008]
The thermal expansion coefficient of quartz glass as the
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In view of the above problems, an optical fiber made of quartz glass tip is exposed from the covering portion of the optical fiber is incorporated in the optical package such as a side surface of the optical fiber, metallized layer which is fixed by solder The metallized layer includes a chromium thin film that is directly attached to the optical fiber strand so that it does not reach the tip of the optical fiber strand, and Provided is an optical fiber pigtail formed such that the film thickness becomes thinner toward the tip of the optical fiber.
[0011]
Furthermore, the present invention provides an optical fiber module comprising the above-mentioned optical fiber pigtail and a substrate in which an optical element is incorporated, wherein a metallized layer of the optical fiber pigtail is bonded and fixed to the substrate at a position where it is coupled to the optical element. To do.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
FIG. 1 is a side view of an
[0013]
Here, the taper shape means that the range of the region X is 0.1 mm or more and 1 mm or less. If the region X is 0.1 mm or less, the stress concentration rapidly increases in the region X and the tensile strength of the
[0014]
The
[0015]
Thus, the chromium
[0016]
The reason why the
The reason why the thick film is made of the gold
[0017]
The
[0018]
The
[0019]
The
[0020]
With the above configuration, in the conventional configuration in FIG. 14, the stress deteriorates because stress concentrates on the
[0021]
FIG. 3 is a side view of an optical fiber pigtail showing a second embodiment of the present invention.
[0022]
In the first embodiment, the region X of the metallized
[0023]
Also in this case, as in the first embodiment, by forming a stepped shape in the region Y, the stress applied to the region Y is diffused, and there is an effect of reducing strength deterioration.
Next, a thin film forming method will be described.
There are four possible methods for forming the
[0024]
As shown in FIG. 5, the vapor deposition has a
[0025]
In addition, although vapor phase growth is not shown, a method of forming a thin film by sending a gas that easily evaporates containing an element to be a film to a substrate surface heated to a high temperature, and by a chemical reaction such as decomposition, oxidation, reduction, or substitution However, it is used for forming a thin film of a stable compound such as an oxide, nitride, or carbide, and is not preferable for a thin film of a single metal in an optical fiber pigtail.
[0026]
Therefore, it is desirable to form by sputtering shown in FIG. Sputtering is a method in which
[0027]
Further, as shown in FIG. 5, it is preferable to use an intermediate method between vapor deposition and sputtering by attaching a
[0028]
As described above, both the sputtering and ion plating methods are used to form the optimum thin film thickness range of 0.01 to 0.09 μm for each of the chromium
[0029]
On the other hand, there are three possible methods for forming a thick film after forming a thin film of optical fiber pigtails: electroplating, displacement plating and chemical reduction plating.
[0030]
Displacement plating uses the potential difference between dissimilar metals in the electrolyte solution, but the reaction stops when the surface of the plated product is covered with the substituted metal, so the deposited film thickness is thin and the material Therefore, it is not preferable to employ it for the
[0031]
Chemical reduction plating is generally referred to as electroless plating, and a solution containing a metal salt is composed of a soluble reducing agent, a ph adjusting agent, a plating solution stabilizer, and the like. Electrons released by oxidation of the reducing agent are transferred to metal ions, and a metal film is obtained. However, the electroless gold plating has an extremely large number of pinholes when the film thickness is 1.5 μm or less, and the underlying nickel is oxidized and colored brown when heated at a high temperature during soldering. Also, since gold is a noble metal and expensive, making the film thickness 1.5 μm or more leads to an increase in cost and is not realistic.
[0032]
A thick film forming method applicable to the present invention will be described with reference to FIG.
[0033]
FIG. 6 is a schematic diagram showing electroplating. The electroplating is composed of a
[0034]
Therefore, both adhesion and economy are the best among the three methods, and are most suitable as a method for forming a thick film of the
[0035]
Next, a masking method during vapor deposition for carrying out the first embodiment will be described.
[0036]
The masking 7 shown in FIG. 7 is generally coated with a heat-effect resin or UV-effect resin that is usually soluble in ethanol, but by covering up to the
[0037]
As a result, the
[0038]
It is preferable to set the thickness of the masking
[0039]
As shown in FIG. 12, when the range X is 0.1 mm or less, the stress in the direction of the arrow shown in FIG. 14 is concentrated on the metallized
[0040]
In the first embodiment shown in FIG. 1, by forming the
[0041]
Next, a masking method during plating for carrying out the second embodiment will be described.
[0042]
After the tip side surface of the
[0043]
In the second embodiment shown in FIG. 3, the
[0044]
For this purpose, masking at the time of plating is necessary, and as shown in FIG. 9, heat is applied so as to overlap the
[0045]
When applying masking 7 of thermosetting type or UV curable resin, masking is easy because the tip of the
[0046]
When masking 7 with a jig, a silicon rubber tube or the like is prepared as a jig and the
[0047]
As shown in FIG. 12, when the range is 0.1 mm or less, the stress in the direction of the arrow is concentrated, and when it is 1 mm or more, the end of the
[0048]
【Example】
Here, the experiment was conducted by the following method.
[0049]
150 samples of optical fiber pigtails having a tapered spherical end face shape were prepared, 50 of which were used as the first embodiment of the present invention, and the UV curable resin was masked at the tip with a thickness of about 0.5 mm, and chrome, A thin film is formed in order of chromium-gold alloy and gold by ion plating to a thickness of 0.1 μm or less, and a thick film in the order of gold, nickel and gold is formed on the thin film by electroplating in a thickness of 1 to 3 μm. Formed with thickness.
[0050]
Another 50 pieces are used as a second embodiment of the present invention, and a UV curable resin is masked at the tip with a conventional thickness (about 0.1 mm), and the thin film is ion-plated in the order of chromium, chromium-gold alloy, and gold. Each is formed with a film thickness of 0.1 μm or less, the UV curable resin is masked at the tip so that it overlaps the thin film by about 100 μm, and the thick film in the order of nickel and gold is electroplated on the thin film to 1 to 3 μm respectively. It was formed with a film thickness.
[0051]
The remaining 50 pieces are comparative examples of the present invention, and the UV curable resin is masked at the tip with a conventional thickness (about 0.1 mm), and the thin films are each ion-plated in the order of chromium, chromium-gold alloy, and gold. The film was formed to a thickness of 1 μm or less, and a thick film was formed on the thin film in the order of nickel and gold in a thickness of 1 to 3 μm by electroplating. In addition, about the said sample, the length of the removal part of coating | cover is 40 mm, and the length of masking is 20 mm and is unified.
[0052]
These samples were subjected to a tensile strength test by applying a tensile load after the heat cycle test.
Further, as shown in FIG. 10, the
[0053]
From FIG. 11, the first embodiment (Example 1) and the second embodiment (Example 2) of the present invention show high tensile strength at the initial stage and sufficiently hold 10N or more after 200 cycles. On the other hand, as a conventional example (comparative example), 10N or more was initially maintained, but after 100 cycles, a decrease in tensile strength due to fracture at the metallized end portion was apparent.
[0054]
From this result, according to the embodiment of the present invention, an optical fiber pigtail having a high tensile strength by reducing the stress concentration at the end of the metallization was obtained. Therefore, the optical fiber pigtail incorporated in the optical package or the like of the present invention has an excellent effect on tensile strength.
[0055]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the end of the metallized layer formed on the side surface near the tip of the optical fiber strand is tapered or stepped so that the tensile strength after the cycle test is strong. Pigtails can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an optical fiber pigtail according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining metallization of the optical fiber pigtail of the present invention.
FIG. 3 is a sectional view showing an optical fiber pigtail according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a sputtering apparatus which is a method for forming a thin film in the optical fiber pigtail of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing an ion plating apparatus which is a method for forming a thin film in the optical fiber pigtail of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing electroplating, which is a method for forming a thick film in the optical fiber pigtail of the present invention.
FIG. 7 is a view showing a state in which a masking member is formed at the time of vapor deposition in the optical fiber pigtail according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view showing a state in which a masking member is formed during vapor deposition in the optical fiber pigtail according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a view showing a state in which a masking member is formed at the time of plating in the optical fiber pigtail of the second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram showing a method for measuring tensile strength in an optical fiber pigtail.
FIG. 11 is a graph showing the results of a cycle test of the tensile strength of an example of the present invention and a comparative example.
FIG. 12 is a diagram showing the boundary range dependence of tensile strength and thin film peeling in an example of the present invention.
FIG. 13 is a partially transparent perspective view for explaining an optical fiber pigtail package of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a conventional optical fiber pigtail.
[Explanation of symbols]
1: Coating 2: Thin film 3: Thick film 4:
Claims (2)
前記メタライズ層は、前記光ファイバ素線に直付けされるクロム薄膜を含んでなり、前記光ファイバ素線の先端部に達しないように、かつ膜厚が前記光ファイバ素線の先端部になるにしたがって薄くなるように形成されていることを特徴とする光ファイバピグテイル。 Optical fiber is built consisting of quartz glass tip is exposed from the covering portion of the optical fiber to the optical package and the like, on the side surface of the optical fiber, the light by forming a metalized layer which is fixed by solder Faibapigu Tail,
The metallized layer includes a chromium thin film that is directly attached to the optical fiber, and does not reach the tip of the optical fiber, and the film thickness is the tip of the optical fiber. The optical fiber pigtail is formed so as to be thinner.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002250790A JP3911460B2 (en) | 2002-05-30 | 2002-08-29 | Optical fiber pigtail, manufacturing method thereof, and optical fiber module |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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