JP3894640B2 - Wiring board manufacturing method - Google Patents

Wiring board manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP3894640B2
JP3894640B2 JP35753497A JP35753497A JP3894640B2 JP 3894640 B2 JP3894640 B2 JP 3894640B2 JP 35753497 A JP35753497 A JP 35753497A JP 35753497 A JP35753497 A JP 35753497A JP 3894640 B2 JP3894640 B2 JP 3894640B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
layer
connection terminal
base
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP35753497A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH11186452A (en
Inventor
修 島田
義孝 福岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP35753497A priority Critical patent/JP3894640B2/en
Publication of JPH11186452A publication Critical patent/JPH11186452A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3894640B2 publication Critical patent/JP3894640B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板の製造方法および半導体装置に係り、さらに詳しくは高密度実装が可能な配線基板の製造方法、およびこの配線基板を使用した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子(もしくは半導体装置)などを実装する配線基板においては、実装回路のコンパクト化や高機能化などが要求されており、この要求に対応して、高密度配線化ないし微細な配線化が進められている。すなわち、半導体素子などの電子部品を高密度に実装するに当たっては、電子部品間の接続配線長を短く、かつ高密度な配線網が要求される一方、たとえば半導体素子自体の高密度化や多ピン化に対し、接続パッドの微細化ないし微小ピッチ化が必然的に望まれる。
【0003】
ところで、この種の高密度実装用配線基板は、一般的に、セラミックスを絶縁体とした厚膜多層配線基板をベース配線基材とし、このベース配線基材の表面に、いわゆる薄膜技術で使用されるフォトリソグラフ技術および絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼き付け操作を繰り返し、薄膜配線層を形成した配線基板が使用されている。
【0004】
しかしながら、前記ベース配線基材がセラミックス系の場合は、表面平滑性
(平坦性)の確保が困難であるため、結果的に、薄膜配線層の高密度配線ないし微細ピッチの配線に限界がある。また、前記配線基板表面が平坦性に欠けることは、たとえばフリップチップの実装・位置精度や確実な接合などを困難にし易くするので、実装の高密度化、あるいは半導体装置の高機能化を十分に果たし得ないという不都合がある。
【0005】
一方、汎用性などを考慮した場合、比較的低コストに、また、量産的には、歩留まりよく製造できることが望まれる。こうした観点から、たとえばガラス・エポキシ樹脂を層間絶縁体とした一般的な多層配線基板をベース配線基材とし、このベース配線基材面に、いわゆる薄膜技術で使用されるフォトリソグラフ技術および絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼き付け操作を繰り返して、薄膜配線層を形成した配線基板の使用が試みられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ガラス・エポキシ樹脂などを層間絶縁体とするベース基材の場合、製造上の制約から次のような問題がある。すなわち、一般的な多層配線基板(ベース配線基材)は、配線パターン層間を電気的に接続するため、層間絶縁体層に接続用の孔(スルーホール)を穿設し、この孔の内壁面に、繁雑な工程を伴う無電解銅メッキ処理などを施して、孔の内壁面を導電体層化する構成を採っている。したがって、配線基板の製造に当たっては、少なくともスルーホール穿設領域面に配線、実装することを回避した構成とすることになる。
【0007】
換言すると、ベース配線基材面に、フォトリソグラフ技術および絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼き付け操作を繰り返し、薄膜配線層を形成するに当たっては、スルーホール穿設領域を除いた面に、配線を施す必要がある。
【0008】
また、このときの接続スルーホールの形設は、できるだけ小径に設定されるが、電気的な接続の信頼性の確保などの点から、その微細化程度は配線ピッチ 150〜 200μm 、スルーホール径 300μm が限界(この場合でも穿設孔のピッチは、 600〜 700μm 程度となる)で、高密度実装化や高密度配線化の点で十分といえない。なお、ベース基材に、薄膜配線層を形成する際は、絶縁樹脂あるいは導電性樹脂で、ベース基材のスルーホールを予め埋める操作も必要である。
【0009】
一方、平坦な導体回路(配線パターン)面化のために、層間接続部を導電体の充填で形成する構成が知られている(特開平6-314883号公報)。すなわち、層間絶縁層の所要位置に、層間接続形成用の孔を穿設し、この穿孔内に無電解メッキ層を成長させ、穿孔内を全体的に充填することによって、主面を全体的に平坦面化する手段が知られている。
【0010】
しかし、前記無電解メッキ処理による接続スルーホールの形成は、層間絶縁体層に対する孔開け作業、繁雑なメッキ処理を前提とするため、ベース配線基材の生産性や接続の信頼性が劣るだけでなく、配線などの微細化にも限界があるため、実用的に十分満足できる手段とはいえない。
【0011】
本発明は、上記事情に対処してなされたもので、高密度実装が可能で、かつ接続などの信頼性も高い配線基板の製造方法、および配線基板を使用した半導体装置の提供を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材を準備する工程と、前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に絶縁樹脂層を設ける工程と、前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して前記接続端子を露出する開口部を形成する工程と、前記開口部の内壁面を含む前記絶縁樹脂層の表面に無電解メッキ処理を施し、前記接続端子と電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、前記導電性メッキ層を配線パターニングする工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【0013】
なお、この配線基板の製造方法において、無電解メッキ処理の前処理として、絶縁樹脂層表面を粗面化しておくことが望ましい。
【0014】
請求項2の発明は、表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材を準備する工程と、前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に、絶縁樹脂層を介して導電体層を接合一体化する工程と、前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を前記導電体層のエッチングにより露出させるべく前記導電体層上にレジストをパターニング形成する工程と、前記パターニングされたレジストをマスクに前記導電体層を選択的にエッチングする工程と、前記導電体層のエッチングで露出した前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して前記接続端子の露出する開口部を形成する工程と、前記開口部の内壁面に無電解メッキ処理を施し、前記導電体層と前記接続端子とを電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、前記導電体層を配線パターニングする工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【0015】
請求項3の発明は、請求項2記載の配線基板の製造方法において、前記導電体層が銅もしくは銅合金であることを特徴とする。
【0016】
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3いずれか一記載の配線基板の製造方法において、前記無電解メッキ処理前に、真空乾燥処理によって不要残渣を取り除くことを特徴とする。
【0017】
なお、この請求項4の発明に係る配線基板の製造方法において、真空乾燥処理は、ケミカルドライエッチング、反応性イオンエッチングもしくは逆スパッタリングが好ましい。
【0018】
さらに、上記請求項1ないし請求項5いずれか一記載の配線基板の製造方法において、層簡絶縁体層を加圧によって貫挿した層間接続導体は、銀粉末を含む導電性組成物、銅粉末を含む導電性組成物、金属銅あるいは半田で形成することが好ましい。また、絶縁樹脂層は、エポキシ樹脂もしくはエポキシ樹脂組成物で形成するのが望ましい。
【0019】
本発明の配線基板の製造方法を用いた半導体装置は、例えば、配線基板と、前記配線基板面に搭載・実装された半導体素子とを具備する半導体装置であって、前記配線基板が、表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材と、前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に設けられ前記接続端子と対応する領域に選択的なレーザ光照射による焼却除去によって形成された開口部が形成された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層上に形成された配線パターンと、前記絶縁樹脂層の開口部の内壁面に形成された前記絶縁樹脂層上の配線パターンと前記接続端子とを接続する導電性メッキ層とを有することを特徴とする半導体装置である。
【0020】
上記各発明において、ベース配線基材の配線パターン層間の絶縁体層としては、たとえば熱可塑性樹脂シート、硬化前の状態に保持される熱硬化性樹脂(プリプレグ)シートなどが挙げられ、その厚さは40〜 800μm 程度が好ましい。ここで、熱可塑性樹脂シートとしては、たとえばポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、4フッ化ポリエチレン樹脂、6フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などのシート類が挙げられる。また、硬化前の状態に保持される熱硬化性樹脂(プリプレグ)シートとしては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノ一ル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、あるいはブタジエンゴム、プチルゴム、天然ゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴムなどの生ゴムのシート類が挙げられる。
【0021】
なお、これらの樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよく、さらにガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせて成るシートであってもよい。
【0022】
上記各発明のベース配線基材において、層間絶縁体層を加圧によって貫挿し、対向する配線パターン同士を電気的に接続する層間接続導体は、導電性組成物や導電性金属であり、次のような手段で形成配置することができる。たとえば、銅箔もしくは配線パターンの所定位置に、比較的厚いメタルマスクを用いた印刷法により、アスペクト比の高い突起(柱状体)を形成する。そして、その突起ないし柱状体の高さ、径、および分布は、形成する貫通型の導体配線部の構成に応じて適宜設定される。
【0023】
具体的には、最終的に構成する貫通型の層間接続部の配置・構造などを考慮して決められる。たとえば合成樹脂系シートが、ガラスクロス入りの Bステージエポキシ樹脂層の場合、両面側から圧入する形態のときは Bステージエポキシ樹脂層厚の80〜 200%程度、片面側から圧入する形態のときは Bステージエポキシ樹脂層厚の 180〜 400%程度の高さが好ましい。
【0024】
なお、前記突起(柱状体)の配置は、たとえば厚さ 5mm程度のステンレス板の所定位置に、 0.3mmの孔が明けられたマスクを筐体の前面に配置し、この筐体内に収容した導電性組成物(ペースト)を加圧して、マスクの孔から押し出す構成のスタンプ方式などで形成される。
【0025】
ここで、導電性組成物(ペースト)としては、たとえば銀、金、銅、半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末もしくは複合(混合)金属粉末と、樹脂バインダー成分とを混合して調製されたペースト類が挙げられる。なお、樹脂バインダー成分としては、たとえばポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂などの熱可塑性樹脂、フェノ一ル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などが一般的に挙げられる。
【0026】
その他、メチルメタアクリレート、ジエチルメチルメタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジエチレングリコールジエチルアクリレート、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ジエチレングリコールエトキシレート、ε−カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールのアクリレートなどのアクリル酸エステル、メタアクリル酸エステルなどの紫外線硬化型樹脂もしくは電子線照射硬化型樹脂などが挙げられる。
【0027】
上記各発明に係るベース配線基材は、その製造工程において、導電性の突起
(柱状体)を形設した支持基体面に、絶縁体層および導電体層(導電体箔)を順次積層・配置して成る積層体を加熱・加圧・一体化する。このとき、両側に当て板として、寸法や変形の少ない金属板もしくは耐熱性樹脂板、たとえばステンレス板、真鍮板、ポリイミド樹脂板(シート)、ポリテトラフロロエチレン樹脂板(シート)などを使用することが、より平滑な面を呈するベース配線基材化する上で望ましい。
【0028】
また、加熱によって絶縁体層の樹脂分が柔らかくなった状態で、積層体の加圧を行うと、導電性の突起(柱状体)が絶縁体層を貫挿し易くなる。
【0029】
上記各発明に係る積み上げ層の形成は、通常のプリント配線板の製造工程と一般的な薄膜プロセス、およびレーザー加工技術を合わせた方法によって行われる。たとえば、プリント配線基板の製造工程からは積層プレス技術、メッキ技術などを用いており、薄膜プロセスからはフォトリソグラフ技術、真空ドライ(真空乾燥)処理技術などを用いており、積み上げ層への層間接続穴の形成には、レーザー加工技術などを用いている。
【0030】
また、上記各発明に係るベース配線基材の表面導体パターンは、積み上げ層への接続端子(もしくは接続パッド)部を除き、表面ほぼ全体に導体パターン(好ましくはメッシュ状)を有することが望ましい。つまり、ベース配線基材面が接続端子の他に、メッシュ状パターンなどが配置されることにより積み上げ層形成面の平滑化が図られる。加えて、半導体素子を搭載・実装した場合、メッシュ状パターンをリファレンスプレーン(安定電位)として扱うことにより、半導体素子の高速化に伴う積み上げ信号配線の電気的な特性制御が可能となり、半導体装置の高性能化が図られる。
【0031】
さらに、上記メッシュ状パターンなどをベース配線基材面に配置した場合は、積み上げ層における信号配線の接地容量を低減できるので、前記積み上げ層の薄膜化が可能となって、材料費の低減化などコストダウンも図られる。
【0032】
請求項1〜4の発明では、配線基板の高密度配線、微小ピッチ配線、および層間接続の微細化が容易であるとともに、ベース配線基材が主面の平坦性も良好で、かつスルホール接続部など形成する切り欠き(孔)など露出していないため、主面が全体的に配線領域や実装領域として使用できる。つまり、ベース配線基材の良好な平坦性に伴って、その面上に形成される積み上げ層の配線パターンなども、容易に微細化できるとともに、実装・接続の信頼性など確保し易くなるので、高密度実装用の配線基板として機能する。
【0033】
本発明の配線基板の製造方法を用いることで、配線基板における実装・接続の信頼性などを確保し易さと相俟って、歩留まりよく、コンパクトで高性能な実装回路的な半導体装置の提供が可能となる。
【0034】
【発明の実施の形態】
以下図1、図2 (a)〜 (g)および図3 (a)〜 (e)を参照して実施例を説明する。 実施例1
図1は、この実施例に係る配線基板の製造で使用するベース基材の要部構成を示す断面図である。図1において、1はベース配線基材で、層間絶縁体層2を介して配置された配線パターン層3、前記層間絶縁体層2を貫挿して配線パターン3同士を電気的に接続する層間接続部4を有する構造と成っている。ここで、層間絶縁体層2は、たとえばガラス・エポキシ樹脂系であり、また、配線パターン3は、たとえば銅箔をパタ−ニングしたものである。さらに、層間接続部4は、たとえばエポキシ樹脂をバインダとして銀粉末を分散含有する導電性組成物であり、前記層間絶縁体層2を加圧・貫挿して配線パターン3同士を電気的に接続している。
【0035】
次に、図2 (a)〜 (g)を参照し、この実施例の実施態様を説明する。
【0036】
先ず、前記図1に図示した構造のベース配線基材1の一主面に、厚さ30μm 程度の絶縁体層5を介して厚さ12μm 程度の導体層(銅箔)6を積層し、一般的な配線基板の製造工程に準じて、図2 (a)に断面的に示すように加圧一体化する。ここで、絶縁体層5は、たとえばエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などであり、前記銅箔6の一主面に、ほぼ一様な厚さに塗布されている。なお、銅箔6は、できるだけ薄いものが好ましく、また、印刷配線板用として市販されている樹脂膜(層)付きの銅箔を使用することができる。
【0037】
上記ベース配線基板1に対して銅箔6を積層・一体化した後、ベース配線基材1面の接続端子ないしパターン(図示せず)と、銅箔5との電気的接続部を形成する開口部を設けるため、図2 (b)に断面的に示すごとく、一体化した導体層を成す銅箔6面上に、感光性のレジストによってパターニング7を行う。ここで、パターニング7する感光性のレジストは、たとえばノボラック樹脂系の液体レジスト、ドライフィルム、電着レジストなどが挙げられるが、ほとんどのレジストを使用できる。また、このレジストパターニング7による開口7a径は、たとえば50μm など、絶縁体層5の厚さ、銅箔6の厚み、または必要な電流密度などによって適宜選択する。
【0038】
次いで、前記レジストパターニング7した銅箔6をエッチング処理し、露出面(開口7a部)を選択的にエッチング除去する。ここで、エッチャントとしては、たとえば塩化銅や塩化鉄などの水溶液が使用できるが、銅をエッチングできるものであれば特に限定されない。その後、図2 (c)に断面的に示すごとく、レジストパターン7を除去する。
【0039】
次に、一部を選択的にエッチング除去して残った銅箔6をマスクにし、レーザー光を使用(レーザー光照射)して、図2 (d)に断面的に示すごとく、絶縁体層5の露出した領域を選択的に焼却・除去する。この絶縁体層5の選択的な焼却・除去によって、絶縁体層5の一部が開口5aし、ベース配線基材1面の接続端子ないしパターンが露出する。ここで、照射するレーザー光は、たとえば炭酸ガスレーザー、 YAGレーザーなど挙げられるが、絶縁体層5の成分および下地(ベース基材の接続端子ないし接続パッド)の材料によって決められる。
【0040】
なお、このレーザー光による絶縁体層5の選択的に焼却・除去後、要すれば、たとえば酸素プラズマによるアッシング方法、ケミカルドライエッチング方法、反応性イオンエッチング方法、逆スパッタリング方法などのドライエッチングによって、前記絶縁体層5の焼却・除去で形成した穴(開口部)5aの底に残存する樹脂を除去することが望ましい。
【0041】
上記絶縁体層5にベース配線基板と連通する開口部(穴)5aを形設した後、前記開口部(穴)5aを含めて銅箔6上に無電解銅メッキ層8を形成する。ここで、無電解銅メッキ層8の厚みは、たとえば10μm 程度に設定するが、信頼性、絶縁体層5や銅箔6の厚さ、銅メッキ層厚の制御性、メッキ層8のパタ−ニングの容易性などによって任意に変更・設定できる。
【0042】
なお、この実施例では、全面を銅メッキしているが、場合によっては、周囲を含む開口部(開口穴)5a領域のみを無電解メッキしてもよい。たとえば前記レジストパターン7によるマスキングなどを利用し、必要な部分のみに銅メッキ層8を形成してもよい。このとき、開口部(開口穴)5a領域の被メッキ面を粗面がしておくと、メッキ被膜の付着強度を上げることができる。このように銅メッキ層8を選択的に形成すると、銅箔6の開口部以外の厚みが肉盛りされないため、微細パターンを形成する上で有利となる。
【0043】
次に、図2 (f)に断面的に示すごとく、前記銅箔6に肉盛りした銅メッキ層8を含む銅メッキ層8面に、所望の導体パターンを形成するためのレジストパターニングン9を行う。ここで、レジストパターニング9は、前記銅箔6の選択エッチングにおけるレジストパターン7形成の場合と同様に行われる。
【0044】
上記、レジストパターニング9後、このレジストパターン9をマスクとし、銅メッキ層8および銅箔6を選択エッチングすることによって、図2 (g)に断面的に示すような配線基板10を得る。ここでの選択エッチングは、前記銅箔6の選択エッチングにおける場合と同様に行われる。
【0045】
上記製造した配線基板は、平坦性の良好なベース配線基材1面に、薄い絶縁体層5およびベース配線基材1面と電気的に接続する薄い配線パターンで形成する表面配線層が一体的に設けられている。ここで、薄い表面配線層が形成されることは、この表面配線層とベース配線基材1面側との層間接続部を微細化できることになり、表面の平坦性と相俟って、配線の高密度化、接続パッドの微細・高密度化による高密度実装が可能となる。
【0046】
すなわち、前記表面配線層を成す絶縁体層が薄いことは、レーザ光による微細な穿孔などを可能として、層間接続部の微細化を容易にするとともに、表面配線層の配線パターンを形成する導体層が薄いことは、その導体層のファインパターン化を容易にする。そして、これら相互の作用によって、高密度な配線パター網の形成、あるいは半導体素子(ベアチップなどを含む)との微細な電気的接続の達成となって、信頼性の高い高密度実装に適する配線基板として機能する。
【0047】
なお、上記実施例において、ベース配線基材として、図3に示すように、その表面の接続端子(もしくは接続パッド)部領域1aを除き、表面ほぼ全体に導体パターン(好ましくはメッシュ状)1bを有する構成とした場合は、ベース配線基材1面が接続端子の他に、メッシュ状パターン1bなどが配置されることにより積み上げ層形成面の平滑化が図られる。また、半導体素子を搭載・実装した場合、メッシュ状パターン1bをリファレンスプレーン(安定電位)として扱うことにより、半導体素子の高速化に伴う積み上げ信号配線の電気的な特性制御が可能となって、半導体装置の高性能化が図られる。
【0048】
実施例2
図4 (a)〜 (e)は、第2の実施例に係る配線基板の製造方法の実施態様を模式的に示す断面図である。この実施例では、先ず、図4 (a)に示すごとく、ベース配線基材1の一主面に絶縁性樹脂から成る絶縁体層5を形成する。ここで、絶縁体層5を成す絶縁性樹脂の成分は、前記実施例1の場合と同様であり、また、その絶縁体層5の厚さも同様に選択される。
【0049】
なお、絶縁体層5の形成は、たとえば塗布・乾燥による方法、印刷・乾燥による方法、転写方法などがあり、一般的に、前記形成方法順に、形成する絶縁体層5の厚さが厚くなるので、適宜選択することができる。
【0050】
次に、ベース配線基材1面の接続端子ないしパターン(図示せず)との接続予定位置に対応した絶縁体層5領域をレーザー光で選択的に照射し、前記レーザー光の照射領域の絶縁体層5を選択的に焼却・除去して、図4 (b)に示すごとく、絶縁体層5に接続用の穴明け(開口化)を行う。ここで、レーザー光は、前記実施例1の場合と同様で、たとえば炭酸ガスレーザー、 YAGレーザーなどが用いられ、また、開口(穴明け)は、たとえばレーザー光用マスクを使用する方法、プリズムなどを使用して直接描画する方法などが使用される。
【0051】
その後、前記開口(穴明け)した絶縁体層5面に、開口部5aを含めて銅の無電解メッキ処理を行い、図4 (c)に示すように、所望の厚みまで銅を成長させて導電体層6′を形成する。なお、この無電解メッキ処理は、前記実施例1の場合と同様であるが、この実施例では、開口部およびその周辺のみを無電解メッキすると表面導体パターンを形成できないため、全面的に無電解銅メッキ層6′を形成する。また、この無電解銅メッキ処理に当たっては、無電解銅メッキ処理に先立って、絶縁体層5の表面処理(たとえば表面を荒らすなど)を施すことが好ましい。
【0052】
次いで、前記形成した銅メッキ層6′を所望の導体パターン化するために、図4 (d)に示すごとく、レジストパターニング9を行なって、このレジストパター9をマスクとした無電解銅メッキ層6′のエッチング処理を、前記実施例1の場合に準じて行って、図4 (e)に示すような配線基板10を製造する。
【0053】
また、表面層の導体パターンは、次のような手段で形成することもできる。すなわち、絶縁体層5の選択的な焼却・除去による接続用の穴明け(開口化)までは同様であるが、その後、所要の導体パターン形成部以外の領域をレジストパターニングする。次いで、無電解銅メッキ処理を行ってから、前記レジストパターンを膨潤・溶解させて剥離すると、所要の導体パターンが残り、不要な銅メッキ層はレジストパターンとともに除去される。
【0054】
この実施例の場合は、上記実施例1の場合に比べて、製造工程の短縮化ないし簡略化を図ることができる。また、この配線基板の場合も、実施例1の場合と同様に、平坦性が良好なベース配線基材面に、薄い絶縁体層およびベース基材面と電気的に接続する薄い配線パターンで形成する表面配線層が一体的に設けられている。
【0055】
そして、薄い表面配線層が形成されることに伴って、表面配線層とベース配線基材面側との層間接続部を微細化できるので、表面の平坦性と相俟って、配線の高密度化、接続パッドの微細・高密度化による高密度実装が可能となる。たとえば、前記配線基板の表面配線層に、常套的な手段で、半導体素子(ベアチップを含む)を搭載・実装して構成した半導体装置(もしくは実装回路装置)は、コンパクトで信頼性の高いものであった。
【0056】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を採ることができる、たとえばベース基材の構成、すなわち配線パターン層の数や層間絶縁体層の材質などは、配線基板の用途に応じて適宜選択することができる。
【0057】
【発明の効果】
請求項1〜4の発明によれば、ベース基材の良好な平坦性に伴って、その面上に形成される積み上げ層の配線パターンなども、容易に微細化できるとともに、実装・接続の信頼性など確保し易い配線基板を容易に製造することができる。すなわち、高密度配線、微小ピッチ配線、および層間接続の微細化が容易であるとともに、ベース基材が主面の平坦性も良好で、かつスルホール接続部など形成する切り欠き(孔)など露出していないため、主面が全体的に配線領域や実装領域として使用できる配線基板を提供できる。
【0058】
本発明の配線基板の製造方法を用いて半導体装置を製造する場合には、高密度実装に適する配線基板を使用するので、コンパクトで、高性能・高信頼性の半導体装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例で使用したベース配線基材の要部構成を示す断面図。
【図2】 (a) ,(b) ,(c) ,(d) ,(e) ,(f) ,(g) は、第1の実施例の実施態様を工程順に模式的にそれぞれ示す断面図。
【図3】他のベース配線基材の要部構成を示す上面図。
【図4】 (a) ,(b) ,(c) ,(d) ,(e) は、第2の実施例の実施態様を工程順に模式的にそれぞれ示す断面図。
【符号の説明】
1……ベース配線基材
1a……ベース配線基材の接続端子部領域
1b……ベース配線基材面のメッシュ状パターン
2……層間絶縁体層
3……配線パターン層
4……層間接続部
5……絶縁体層
6,6′……銅箔(導体層)
7,9……レジストパターン(レジストパターニング)
7a……開口
8……銅メッキ層
10……配線基板
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board and a semiconductor device, and more particularly to a method of manufacturing a wiring board capable of high-density mounting and a semiconductor device using the wiring board.
[0002]
[Prior art]
In recent years, wiring boards for mounting semiconductor elements (or semiconductor devices) have been required to have a compact and highly functional mounting circuit. In response to this requirement, high-density wiring or fine wiring is required. Is underway. That is, when mounting electronic components such as semiconductor elements at a high density, a short connection wiring length between electronic components and a high-density wiring network are required. For this reason, it is inevitably desired to make the connection pads finer or finer pitches.
[0003]
By the way, this type of high-density mounting wiring board is generally used as a base wiring base material with a thick film multilayer wiring board made of ceramics as an insulator, and is used on the surface of this base wiring base material by so-called thin film technology. A wiring board on which a thin film wiring layer is formed by repeatedly applying photolithographic technology and insulating varnish coating / drying or baking operations is used.
[0004]
However, if the base wiring substrate is ceramic, surface smoothness
Since it is difficult to ensure (flatness), there is a limit to high-density wiring or fine-pitch wiring in the thin film wiring layer as a result. In addition, the lack of flatness on the surface of the wiring board makes it difficult to mount, position accuracy, and secure bonding of flip chips, for example. There is an inconvenience that it cannot be achieved.
[0005]
On the other hand, in consideration of versatility, it is desired that the product can be manufactured at a relatively low cost and with a high yield in mass production. From such a point of view, for example, a general multilayer wiring board having glass / epoxy resin as an interlayer insulator is used as a base wiring base, and the surface of the base wiring base is made of a photolithographic technique and an insulating varnish used in so-called thin film technology. Attempts have been made to use a wiring board on which a thin film wiring layer is formed by repeating coating, drying or baking operations.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the case of a base substrate using the above glass / epoxy resin or the like as an interlayer insulator, there are the following problems due to manufacturing restrictions. That is, a general multilayer wiring board (base wiring substrate) has a hole for connection (through hole) formed in an interlayer insulator layer in order to electrically connect wiring pattern layers, and the inner wall surface of the hole. In addition, an electroless copper plating process involving complicated processes is applied to form a conductor layer on the inner wall surface of the hole. Therefore, when manufacturing the wiring board, it is configured to avoid wiring and mounting at least on the surface of the through hole drilling region.
[0007]
In other words, when the thin film wiring layer is formed by repeating the photolithography technique and the application / drying / baking operation of the insulating varnish on the surface of the base wiring substrate, it is necessary to apply wiring to the surface excluding the through hole drilling region. There is.
[0008]
In addition, the formation of the connection through hole at this time is set as small as possible, but from the viewpoint of ensuring the reliability of electrical connection, the degree of miniaturization is the wiring pitch 150-200μm, the through hole diameter 300μm However, this is the limit (in this case, the pitch of the drill holes is about 600 to 700 μm), which is not sufficient in terms of high-density mounting and high-density wiring. When forming the thin film wiring layer on the base substrate, it is also necessary to pre-fill the through hole of the base substrate with an insulating resin or a conductive resin.
[0009]
On the other hand, in order to make a flat conductor circuit (wiring pattern) surface, a structure in which an interlayer connection portion is formed by filling a conductor is known (Japanese Patent Laid-Open No. 6-314883). That is, a hole for forming an interlayer connection is formed at a required position of the interlayer insulating layer, an electroless plating layer is grown in the perforation, and the inside of the perforation is entirely filled, so that the main surface is entirely Means for flattening are known.
[0010]
However, since the formation of the connection through hole by the electroless plating process is premised on the drilling work for the interlayer insulator layer and the complicated plating process, the productivity of the base wiring substrate and the connection reliability are only inferior. In addition, since there is a limit to miniaturization of wiring and the like, it cannot be said that it is a practically satisfactory means.
[0011]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board capable of high-density mounting and having high reliability such as connection, and a semiconductor device using the wiring board. .
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The invention of claim 1 has a front surface and a back surface, and includes a wiring pattern on at least the front surface. Of the surface Wiring pattern Connection terminals with other wiring patterns through an insulator layer Continuity Let Wiring interlayer connection Said Consists of interlayer connection conductor with insulating layer inserted by pressure Have multiple layers of wiring patterns A step of preparing a base wiring substrate and the base wiring substrate; On the wiring pattern on the surface of Providing an insulating resin layer; A region corresponding to the connection terminal of the insulating resin layer Incineration removal by selective laser light irradiation Forming an opening exposing the connection terminal; Process, and Inner wall surface of the opening Insulating resin layer containing Table The surface is subjected to electroless plating, Connecting terminal A method of manufacturing a wiring board, comprising: a step of forming a conductive plating layer electrically connected to the substrate; and a step of wiring patterning the conductive plating layer.
[0013]
In this wiring board manufacturing method, it is desirable that the surface of the insulating resin layer is roughened as a pretreatment for the electroless plating treatment.
[0014]
The invention of claim 2 has a front surface and a back surface, and has a wiring pattern on at least the surface, Of the surface Wiring pattern Connection terminals with other wiring patterns through an insulator layer Continuity Let Wiring interlayer connection Said Consists of interlayer connection conductor with insulating layer inserted by pressure Have multiple layers of wiring patterns A step of preparing a base wiring substrate; and Surface wiring pattern A step of bonding and integrating a conductor layer via an insulating resin layer; The region corresponding to the connection terminal of the insulating resin layer is exposed by etching the conductor layer. A step of patterning a resist on the conductor layer, and using the patterned resist as a mask Said Selectively etching the conductor layer; Said Exposed by etching conductor layer A region corresponding to the connection terminal of the insulating resin layer is selectively selected. Laser light irradiation By Remove by incineration Forming an exposed opening of the connection terminal; Process, and Inner wall surface of the opening An electroless plating treatment is applied to the conductor layer and the Connecting terminal A method of manufacturing a wiring board, comprising: a step of forming a conductive plating layer that is electrically connected to each other; and a step of patterning the conductor layer.
[0015]
The invention of claim 3 is the method of manufacturing a wiring board according to claim 2, Said The conductor layer is copper or a copper alloy.
[0016]
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of the first to third aspects, Said Not required by vacuum drying before electroless plating Residue It is characterized by removing.
[0017]
In the method for manufacturing a wiring substrate according to the invention of claim 4, the vacuum drying treatment is preferably chemical dry etching, reactive ion etching, or reverse sputtering.
[0018]
Further, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of claims 1 to 5, the interlayer connection conductor having the layered insulating layer inserted by pressurization is a conductive composition containing silver powder, copper powder It is preferable to form the conductive composition containing copper, metallic copper, or solder. The insulating resin layer is preferably formed of an epoxy resin or an epoxy resin composition.
[0019]
A semiconductor device using the method for manufacturing a wiring board of the present invention is, for example, A semiconductor device comprising a wiring board and a semiconductor element mounted and mounted on the wiring board surface, wherein the wiring board has a front surface and a back surface, and has a wiring pattern on at least the front surface. A wiring interlayer connection portion for connecting a connection terminal in the wiring pattern with another wiring pattern through an insulator layer is composed of an interlayer connection conductor in which the insulator layer is inserted under pressure. And a base wiring substrate having an insulating resin provided on a wiring pattern on the surface of the base wiring substrate and having an opening formed by incineration removal by selective laser light irradiation in a region corresponding to the connection terminal A wiring pattern formed on the insulating resin layer, a wiring pattern formed on an inner wall surface of the opening of the insulating resin layer, and a connection terminal for connecting the connection terminal. A semiconductor device characterized by having a sexual plating layer.
[0020]
In each of the above inventions, examples of the insulating layer between the wiring pattern layers of the base wiring substrate include, for example, a thermoplastic resin sheet, a thermosetting resin (prepreg) sheet held in a state before curing, and the thickness thereof. Is preferably about 40 to 800 μm. Here, examples of the thermoplastic resin sheet include sheets such as polycarbonate resin, polysulfone resin, thermoplastic polyimide resin, tetrafluoropolyethylene resin, hexafluoropolypropylene resin, and polyetherketone resin. In addition, as a thermosetting resin (prepreg) sheet held in a state before curing, epoxy resin, bismaleimide triazine resin, polyimide resin, phenol resin, polyester resin, melamine resin, butadiene rubber, butyl rubber, natural Examples thereof include raw rubber sheets such as rubber, neoprene rubber and silicone rubber.
[0021]
These resins may be used alone or may contain an insulating inorganic or organic filler, and are further combined with a reinforcing material such as glass cloth, mat, organic synthetic fiber cloth or mat, or paper. It may be a sheet.
[0022]
In the base wiring substrate of each of the above inventions, the interlayer connection conductor that penetrates the interlayer insulator layer by pressurization and electrically connects the opposing wiring patterns is a conductive composition or a conductive metal. It can be formed and arranged by such means. For example, a projection (columnar body) having a high aspect ratio is formed at a predetermined position of a copper foil or a wiring pattern by a printing method using a relatively thick metal mask. The height, diameter, and distribution of the protrusions or columnar bodies are appropriately set according to the configuration of the through-type conductor wiring portion to be formed.
[0023]
Specifically, it is determined in consideration of the arrangement and structure of the through-type interlayer connection portion to be finally configured. For example, if the synthetic resin sheet is a B-stage epoxy resin layer containing glass cloth, when it is pressed from both sides, it is about 80 to 200% of the thickness of the B-stage epoxy resin layer, and pressed from one side. A height of about 180 to 400% of the B-stage epoxy resin layer thickness is preferable.
[0024]
The protrusions (columnar bodies) are arranged, for example, at a predetermined position of a stainless steel plate having a thickness of about 5 mm with a mask having a 0.3 mm hole formed on the front surface of the housing, and the conductive material housed in the housing. It is formed by, for example, a stamp method in which a composition (paste) is pressed and extruded from a hole in a mask.
[0025]
Here, the conductive composition (paste) is prepared, for example, by mixing conductive powder such as silver, gold, copper, solder powder, alloy powder or composite (mixed) metal powder, and resin binder component. Pasted pastes. Examples of the resin binder component generally include thermoplastic resins such as polycarbonate resin, polysulfone resin, polyester resin, and phenoxy resin, and thermosetting resins such as phenol resin, polyimide resin, and epoxy resin.
[0026]
Other acrylic esters such as methyl methacrylate, diethyl methyl methacrylate, trimethylol propane triacrylate, diethylene glycol diethyl acrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, diethylene glycol ethoxylate acrylate, ε-caprolactone modified dipentaerythritol acrylate, Examples thereof include ultraviolet curable resins such as methacrylic acid esters and electron beam irradiation curable resins.
[0027]
In the manufacturing process, the base wiring substrate according to each of the above inventions has conductive protrusions.
A laminated body formed by sequentially laminating and arranging an insulator layer and a conductor layer (conductor foil) on the support base surface on which the (columnar body) is formed is heated, pressurized, and integrated. At this time, use metal plates or heat-resistant resin plates with small dimensions and deformation, such as stainless steel plates, brass plates, polyimide resin plates (sheets), polytetrafluoroethylene resin plates (sheets), etc., as backing plates on both sides. However, it is desirable to make a base wiring substrate that exhibits a smoother surface.
[0028]
In addition, when the laminate is pressed in a state where the resin component of the insulator layer is softened by heating, the conductive protrusions (columnar bodies) can easily penetrate the insulator layer.
[0029]
The formation of the stacked layer according to each of the above inventions is performed by a method combining a normal printed wiring board manufacturing process, a general thin film process, and a laser processing technique. For example, multilayer press technology and plating technology are used in the manufacturing process of printed wiring boards, and photolithographic technology and vacuum drying (vacuum drying) processing technology are used in thin film processes. Interlayer connection to the stacked layers Laser processing technology or the like is used to form the holes.
[0030]
Moreover, it is desirable that the surface conductor pattern of the base wiring substrate according to each of the above inventions has a conductor pattern (preferably mesh shape) on almost the entire surface except for the connection terminal (or connection pad) portion to the stacked layer. In other words, the surface of the base wiring substrate can be smoothed by forming a mesh pattern or the like in addition to the connection terminals. In addition, when a semiconductor element is mounted and mounted, the electrical characteristics of the stacked signal wiring can be controlled as the speed of the semiconductor element is increased by handling the mesh pattern as a reference plane (stable potential). High performance is achieved.
[0031]
Further, when the mesh pattern or the like is arranged on the base wiring substrate surface, the ground capacity of the signal wiring in the stacked layer can be reduced, so that the stacked layer can be made thin, and the material cost is reduced. Costs can be reduced.
[0032]
According to the first to fourth aspects of the present invention, the high-density wiring, the fine pitch wiring, and the interlayer connection of the wiring board can be easily miniaturized, the base wiring substrate has good flatness of the main surface, and the through-hole connecting portion. Since the notches (holes) to be formed are not exposed, the main surface can be used as a wiring area or a mounting area as a whole. In other words, along with the good flatness of the base wiring substrate, the wiring pattern of the stacked layer formed on the surface can be easily miniaturized, and it becomes easy to ensure the reliability of mounting and connection. Functions as a wiring board for high-density mounting.
[0033]
By using the method for manufacturing a wiring board of the present invention, Combined with the ease of securing the mounting / connection reliability on the wiring board, it is possible to provide a compact, high-performance mounting circuit-like semiconductor device with a high yield.
[0034]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The embodiment will be described below with reference to FIGS. 1, 2 (a) to (g) and FIGS. 3 (a) to (e). Example 1
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the main configuration of a base substrate used in the manufacture of a wiring board according to this embodiment. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a base wiring substrate, a wiring pattern layer 3 disposed via an interlayer insulator layer 2, and an interlayer connection that penetrates the interlayer insulator layer 2 and electrically connects the wiring patterns 3 to each other. The structure has a portion 4. Here, the interlayer insulator layer 2 is, for example, a glass / epoxy resin system, and the wiring pattern 3 is, for example, a pattern of copper foil. Furthermore, the interlayer connection portion 4 is a conductive composition containing silver powder dispersed in, for example, an epoxy resin as a binder, and presses and penetrates the interlayer insulator layer 2 to electrically connect the wiring patterns 3 to each other. ing.
[0035]
Next, an embodiment of this embodiment will be described with reference to FIGS.
[0036]
First, a conductor layer (copper foil) 6 having a thickness of about 12 μm is laminated on one main surface of the base wiring substrate 1 having the structure shown in FIG. 1 with an insulator layer 5 having a thickness of about 30 μm. In accordance with a typical manufacturing process of a wiring board, pressure integration is performed as shown in a sectional view in FIG. Here, the insulator layer 5 is, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, or the like, and is applied to one main surface of the copper foil 6 with a substantially uniform thickness. The copper foil 6 is preferably as thin as possible, and a copper foil with a resin film (layer) commercially available for printed wiring boards can be used.
[0037]
After the copper foil 6 is laminated and integrated with the base wiring board 1, an opening for forming an electrical connection portion between the connection terminal or pattern (not shown) on the surface of the base wiring substrate 1 and the copper foil 5 is formed. In order to provide the portion, patterning 7 is performed with a photosensitive resist on the surface of the copper foil 6 forming the integrated conductor layer, as shown in a cross-sectional view in FIG. Here, examples of the photosensitive resist to be patterned 7 include a novolak resin-based liquid resist, a dry film, and an electrodeposition resist, but most resists can be used. Further, the diameter of the opening 7a by the resist patterning 7 is appropriately selected depending on the thickness of the insulator layer 5, the thickness of the copper foil 6, or the necessary current density, for example, 50 μm.
[0038]
Next, the copper foil 6 subjected to the resist patterning 7 is etched, and the exposed surface (opening 7a portion) is selectively etched away. Here, as the etchant, for example, an aqueous solution such as copper chloride or iron chloride can be used, but it is not particularly limited as long as copper can be etched. Thereafter, the resist pattern 7 is removed as shown in cross section in FIG.
[0039]
Next, a part of the copper foil 6 which is selectively removed by etching is used as a mask, laser light is used (laser light irradiation), and as shown in a sectional view in FIG. Selectively incinerate and remove the exposed areas. By selective incineration / removal of the insulator layer 5, a part of the insulator layer 5 is opened 5a, and the connection terminal or pattern on the surface of the base wiring substrate 1 is exposed. Here, the laser beam to be irradiated includes, for example, a carbon dioxide laser, a YAG laser, and the like, and is determined by the components of the insulator layer 5 and the material of the base (a connection terminal or connection pad of the base substrate).
[0040]
In addition, after the selective incineration / removal of the insulator layer 5 by the laser light, if necessary, for example, by dry etching such as an ashing method using oxygen plasma, a chemical dry etching method, a reactive ion etching method, a reverse sputtering method, It is desirable to remove the resin remaining at the bottom of the hole (opening) 5a formed by incineration / removal of the insulator layer 5.
[0041]
After forming an opening (hole) 5a communicating with the base wiring board in the insulator layer 5, an electroless copper plating layer 8 is formed on the copper foil 6 including the opening (hole) 5a. Here, the thickness of the electroless copper plating layer 8 is set to about 10 μm, for example, but the reliability, the thickness of the insulator layer 5 and the copper foil 6, the controllability of the copper plating layer thickness, the pattern of the plating layer 8, and the like. It can be changed and set arbitrarily according to the ease of operation.
[0042]
In this embodiment, the entire surface is plated with copper, but in some cases, only the opening (opening hole) 5a region including the periphery may be electrolessly plated. For example, the copper plating layer 8 may be formed only on a necessary portion by using masking by the resist pattern 7 or the like. At this time, if the surface to be plated in the region of the opening (opening hole) 5a is rough, the adhesion strength of the plating film can be increased. When the copper plating layer 8 is selectively formed in this way, the thickness other than the opening of the copper foil 6 is not built up, which is advantageous in forming a fine pattern.
[0043]
Next, as shown in cross section in FIG. 2 (f), a resist patterning pattern 9 for forming a desired conductor pattern is formed on the surface of the copper plating layer 8 including the copper plating layer 8 built up on the copper foil 6. Do. Here, the resist patterning 9 is performed similarly to the case of forming the resist pattern 7 in the selective etching of the copper foil 6.
[0044]
After the resist patterning 9, using the resist pattern 9 as a mask, the copper plating layer 8 and the copper foil 6 are selectively etched to obtain a wiring substrate 10 as shown in cross section in FIG. The selective etching here is performed in the same manner as in the selective etching of the copper foil 6.
[0045]
In the manufactured wiring board, the surface wiring layer formed by the thin insulating layer 5 and the thin wiring pattern electrically connected to the surface of the base wiring substrate 1 is integrally formed on the surface of the base wiring substrate 1 having good flatness. Is provided. Here, the formation of a thin surface wiring layer means that the interlayer connection portion between this surface wiring layer and the base wiring substrate 1 side can be miniaturized, and in combination with the flatness of the surface, High-density mounting is possible by increasing the density and miniaturizing and increasing the density of the connection pads.
[0046]
That is, the fact that the insulator layer constituting the surface wiring layer is thin enables fine drilling by a laser beam and the like, facilitates the miniaturization of the interlayer connection portion, and forms the wiring pattern of the surface wiring layer. The thinness facilitates the fine patterning of the conductor layer. These mutual actions result in the formation of a high-density wiring pattern network or fine electrical connection with semiconductor elements (including bare chips), which is suitable for highly reliable high-density mounting. Function as.
[0047]
In the above embodiment, as shown in FIG. 3, the base wiring substrate is provided with a conductor pattern (preferably mesh) 1b on almost the entire surface except for the connection terminal (or connection pad) portion region 1a on the surface. In the case of having the configuration, the surface of the base layer 1 is smoothed by arranging the mesh pattern 1b and the like in addition to the connection terminals. In addition, when a semiconductor element is mounted / mounted, the electrical characteristics of the stacked signal wiring can be controlled by increasing the speed of the semiconductor element by treating the mesh pattern 1b as a reference plane (stable potential). The performance of the device is improved.
[0048]
Example 2
4A to 4E are cross-sectional views schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a wiring board according to a second embodiment. In this embodiment, first, as shown in FIG. 4A, an insulator layer 5 made of an insulating resin is formed on one main surface of the base wiring substrate 1. Here, the components of the insulating resin forming the insulator layer 5 are the same as those in the first embodiment, and the thickness of the insulator layer 5 is also selected in the same manner.
[0049]
The formation of the insulator layer 5 includes, for example, a coating / drying method, a printing / drying method, a transfer method, and the like. Generally, the thickness of the insulator layer 5 to be formed increases in the order of the forming method. Therefore, it can select suitably.
[0050]
Next, the insulating layer 5 region corresponding to the position to be connected to the connection terminal or pattern (not shown) on the surface of the base wiring substrate 1 is selectively irradiated with a laser beam to insulate the irradiation region of the laser beam. The body layer 5 is selectively incinerated and removed, and connection holes are formed (opened) in the insulator layer 5 as shown in FIG. Here, the laser light is the same as in the first embodiment, and for example, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like is used, and the opening (drilling) is, for example, a method using a laser light mask, a prism, or the like. The method of drawing directly using is used.
[0051]
Thereafter, the electroless plating process of copper including the opening 5a is performed on the surface of the insulating layer 5 having the opening (drilled), and copper is grown to a desired thickness as shown in FIG. 4 (c). A conductor layer 6 'is formed. This electroless plating process is the same as in the case of Example 1. However, in this example, if only the opening and its periphery are electrolessly plated, a surface conductor pattern cannot be formed. A copper plating layer 6 'is formed. In addition, in the electroless copper plating process, it is preferable to subject the insulator layer 5 to a surface treatment (for example, to roughen the surface) prior to the electroless copper plating process.
[0052]
Next, in order to make the formed copper plating layer 6 'into a desired conductor pattern, resist patterning 9 is performed as shown in FIG. 4D, and the electroless copper plating layer 6 using the resist pattern 9 as a mask. The etching process of ′ is performed according to the case of the first embodiment, and the wiring board 10 as shown in FIG.
[0053]
Further, the conductor pattern of the surface layer can be formed by the following means. That is, the process is the same up to the drilling (opening) for connection by selective incineration / removal of the insulator layer 5, but thereafter, regions other than the required conductor pattern forming part are subjected to resist patterning. Next, after performing an electroless copper plating process, the resist pattern is swelled and dissolved and peeled off, and a required conductor pattern remains, and an unnecessary copper plating layer is removed together with the resist pattern.
[0054]
In the case of this embodiment, the manufacturing process can be shortened or simplified as compared with the case of the first embodiment. Also, in the case of this wiring board, as in the case of Example 1, it is formed on the base wiring base material surface having good flatness with a thin insulating layer and a thin wiring pattern electrically connected to the base base material surface. A surface wiring layer is integrally provided.
[0055]
As the thin surface wiring layer is formed, the interlayer connection between the surface wiring layer and the base wiring substrate surface side can be miniaturized. High-density mounting is possible by miniaturization and high-density connection pads. For example, a semiconductor device (or mounting circuit device) configured by mounting and mounting a semiconductor element (including a bare chip) on a surface wiring layer of the wiring board by a conventional means is a compact and highly reliable device. there were.
[0056]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. For example, the configuration of the base substrate, that is, the number of wiring pattern layers and the interlayer insulator The material of the layer can be appropriately selected according to the use of the wiring board.
[0057]
【The invention's effect】
According to the first to fourth aspects of the present invention, along with the good flatness of the base substrate, the wiring pattern of the stacked layer formed on the surface can be easily miniaturized, and the mounting / connection reliability can be improved. It is possible to easily manufacture a wiring board that can be easily secured. That is, high-density wiring, fine pitch wiring, and interlayer connection can be easily miniaturized, and the base substrate has good flatness of the main surface, and notches (holes) that form through-hole connections are exposed. Therefore, it is possible to provide a wiring board whose main surface can be used as a wiring area or a mounting area as a whole.
[0058]
When manufacturing a semiconductor device using the method for manufacturing a wiring board of the present invention, Since a wiring board suitable for high-density mounting is used, a compact, high-performance and high-reliability semiconductor device is provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main configuration of a base wiring substrate used in an example.
FIG. 2 (a), (b), (c), (d), (e), (f), (g) are cross sections schematically showing the embodiment of the first embodiment in the order of steps. Figure.
FIG. 3 is a top view showing a main configuration of another base wiring substrate.
4 (a), (b), (c), (d), and (e) are cross-sectional views schematically showing the embodiment of the second embodiment in the order of steps.
[Explanation of symbols]
1 …… Base wiring substrate
1a …… Base wiring substrate connection terminal area
1b ...... Mesh pattern on base wiring substrate surface
2. Interlayer insulator layer
3. Wiring pattern layer
4 …… Interlayer connection
5 …… Insulator layer
6,6 '…… Copper foil (conductor layer)
7, 9 ... Resist pattern (resist patterning)
7a …… Open
8 …… Copper plating layer
10 …… Wiring board

Claims (4)

表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材を準備する工程と、
前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に絶縁樹脂層を設ける工程と、
前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して前記接続端子を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部の内壁面を含む前記絶縁樹脂層の表面に無電解メッキ処理を施し、前記接続端子と電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、
前記導電性メッキ層を配線パターニングする工程と、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
A wiring interlayer connection portion that has a front surface and a back surface, has a wiring pattern on at least the front surface, and connects a connection terminal in the wiring pattern on the surface with another wiring pattern through the insulating layer, adds the insulating layer. A step of preparing a base wiring substrate having a plurality of layers of wiring patterns composed of interlayer connection conductors inserted by pressure; and
Providing an insulating resin layer on the wiring pattern on the surface of the base wiring substrate;
Forming an opening that exposes the connection terminal by burning and removing the region corresponding to the connection terminal of the insulating resin layer by selective laser light irradiation;
Performing electroless plating on the surface of the insulating resin layer including the inner wall surface of the opening, and forming a conductive plating layer electrically connected to the connection terminal;
Wiring patterning the conductive plating layer;
A method for manufacturing a wiring board, comprising:
表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材を準備する工程と、
前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に、絶縁樹脂層を介して導電体層を接合一体化する工程と、
前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を前記導電体層のエッチングにより露出させるべく前記導電体層上にレジストをパターニング形成する工程と、
前記パターニングされたレジストをマスクに前記導電体層を選択的にエッチングする工程と、
前記導電体層のエッチングで露出した前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して前記接続端子の露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部の内壁面に無電解メッキ処理を施し、前記導電体層と前記接続端子とを電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、
前記導電体層を配線パターニングする工程と、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
A wiring interlayer connection portion that has a front surface and a back surface, has a wiring pattern on at least the front surface, and connects a connection terminal in the wiring pattern on the surface with another wiring pattern through the insulating layer, adds the insulating layer. A step of preparing a base wiring substrate having a plurality of layers of wiring patterns composed of interlayer connection conductors inserted by pressure; and
On the wiring pattern on the surface of the base wiring substrate, a step of bonding and integrating a conductor layer via an insulating resin layer;
Patterning a resist on the conductor layer to expose a region corresponding to the connection terminal of the insulating resin layer by etching the conductor layer;
Selectively etching the conductor layer using the patterned resist as a mask;
A step of incinerating and removing a region corresponding to the connection terminal of the insulating resin layer exposed by etching of the conductor layer by selective laser light irradiation to form an opening that exposes the connection terminal;
Performing an electroless plating process on the inner wall surface of the opening, and forming a conductive plating layer that electrically connects the conductor layer and the connection terminal;
Wiring patterning the conductor layer;
A method for manufacturing a wiring board, comprising:
前記導電体層が銅もしくは銅合金であることを特徴とする請求項2記載の配線基板の製造方法。  3. The method of manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein the conductor layer is copper or a copper alloy. 前記無電解メッキ処理前に、真空乾燥処理によって不要残渣を取り除くことを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一記載の配線基板の製造方法。  The method for manufacturing a wiring board according to any one of claims 1 to 3, wherein unnecessary residues are removed by a vacuum drying process before the electroless plating process.
JP35753497A 1997-12-25 1997-12-25 Wiring board manufacturing method Expired - Fee Related JP3894640B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35753497A JP3894640B2 (en) 1997-12-25 1997-12-25 Wiring board manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35753497A JP3894640B2 (en) 1997-12-25 1997-12-25 Wiring board manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11186452A JPH11186452A (en) 1999-07-09
JP3894640B2 true JP3894640B2 (en) 2007-03-22

Family

ID=18454627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35753497A Expired - Fee Related JP3894640B2 (en) 1997-12-25 1997-12-25 Wiring board manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3894640B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5655244B2 (en) * 2010-11-01 2015-01-21 新光電気工業株式会社 WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11186452A (en) 1999-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5258094A (en) Method for producing multilayer printed wiring boards
JP4291279B2 (en) Flexible multilayer circuit board
JP4538486B2 (en) Multilayer substrate and manufacturing method thereof
US5915753A (en) Method of producing a high-density printed wiring board for mounting
JPH08139450A (en) Manufacturing method of printed-wiring board
JP2005079402A (en) Circuit board and its manufacturing method
JP3600317B2 (en) Multilayer printed wiring board and method of manufacturing the same
KR100455892B1 (en) Build-up printed circuit board and manufacturing method thereof
JP3474936B2 (en) Printed wiring board for mounting and manufacturing method thereof
JPH02501175A (en) Manufacturing method of laminated circuit board
JP3894640B2 (en) Wiring board manufacturing method
JPH11233946A (en) Substrate for forming high-density wiring, its manufacture, and manufacture of high-density wiring board
JP3474897B2 (en) Printed wiring board and method of manufacturing the same
JP3830911B2 (en) Manufacturing method of multilayer wiring board
JP3694708B2 (en) Printed wiring board manufacturing method and printed wiring board
JP2004031812A (en) Method of manufacturing wiring board
JP4330855B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP3549063B2 (en) Manufacturing method of printed wiring board
JP3993047B2 (en) Wiring board manufacturing method, wiring board
JP2003318534A (en) Interlayer connecting structure and its forming method
JPH0786749A (en) Manufacture of printed-wiring board
WO2004043120A1 (en) Method for manufacturing resin substrate, method for manufacturing multilayer resin substrate, and resin substrate
JP2003188536A (en) Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board
JP2002185134A (en) Printed circuit board and its manufacturing method
JP2007258736A (en) Method for manufacturing wiring board, and wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040408

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050511

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050908

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051011

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060110

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060411

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060612

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060727

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061107

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131222

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees