JP3882378B2 - Optical sensor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は光センサに係り、詳しくは、光の入射角に対するセンサ出力として所望の特性を得るための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
図28に示すように、車両用の光センサとして日射センサ100が用いられており、日射センサ100は自動車のダッシュパネル101の上面で日射を受ける位置に取り付けられ、日射量を検出してエアコンの日射による室温変化を補正するために使用される。日射センサの一例を図29に示す。センサハウジング102の上面に受光素子103が配置されるとともに受光素子103は光学レンズ(蓋材)104で覆われている。この光学レンズ104はダッシュパネル101の上面に配置した場合において意匠上の理由により着色ガラスや樹脂(半透明材)で、かつ、その表面がシボ加工されている。また、光学レンズ104の裏面には凹部105が形成され、光を受光素子103に導くことができる。つまり、図30のように、仰角90°の光は受光素子103にそのまま入射できるが、仰角0°の光は壁102aに遮られ検出できないが、図29のように、光学レンズ104のレンズ作用により光を受光素子103に導くことができる。また、仰角90°の光は図29のように光学レンズ104により発散され受光素子103に導かれる。このように、光学レンズ104によるレンズ作用により、受光素子103に照射される光の量がコントロールされる。また、光学レンズ104にレンズ機能を持たせるために凹レンズの他にもプリズムの集合体レンズ(フレネルレンズ)等が用いられる。
【0003】
従来、光の入射角に対する出力特性(指向性)の調整は、光学レンズ104の出射面の形状(特に、凹部105の形状)を調整することにより、単一感度(単一出力)の受光素子103への光路を調整することにより行っていた。つまり、光路設計の方法については、特開平6−43028号公報に開示されているように、光学プリズムの設計が必要となる。しかし、センサ表面(光学レンズ104の表面)にはシボ加工が施されており、拡散の影響を見込んだ光学レンズ設計が必要となるが、拡散の程度は経験と勘に頼る割合が大きく、シボ加工等による拡散の要素を含む光学系の光路設計は経験と勘による見込みの要素が含まれる。そのため、所望の指向性を有する日射センサを短期間に設計(開発)することは困難であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この発明の目的は、光の入射角に対する出力特性の調整を容易に行うことができる光センサを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の光センサは、光量に応じた信号を出力する受光素子と、前記受光素子の上方に支持され、光の入射角に応じて前記受光素子への光量を変更する光量変更部材と、を備えている。そして、受光領域に複数の受光素子を配置するとともに前記各受光素子の出力に重み付けすることにより光源位置によって変化する所望の出力特性を得るようにしたことを特徴としている。
【0006】
この構成を採用すると、レンズ系を作成した後に、即ち、光学的特性の決まったレンズ系を用いて各受光素子の出力を重み付けすることで所望の出力特性を得ることができる。その結果、従来ではレンズ系を複数用いて最適化を図る場合にはその手間も多く面倒であったばかりか、レンズ型が多数必要であったが、本発明においては光学的特性の決まったレンズ系を用いて各受光素子の出力を重み付けするものであり、その調整作業は容易である。
【0007】
なお、「光量を変更する」とは、光の透過量が変わるというものだけでなく、照射範囲が変わる場合も意味するものである。
特に、請求項1に記載では、各受光素子の出力の重み付けを、各受光素子から出力される信号のゲインを調整するものとしているため、実用上好ましいものとなる。
【0012】
請求項2に記載のように、前記複数の受光素子は同心円状に形成されるものとすると、光源の方位による影響を抑制できる。
請求項4に記載のように、同心円状に配置された前記複数の受光素子のうち、最も中心に位置する受光素子を第1の指向特性用として使用し、当該素子と他の受光素子とを第2の指向特性用として使用すると、複数の指向特性が得られ、中心の受光素子を多目的化することでセンサとして好ましいものとなる。
【0016】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、この発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。
【0017】
本実施の形態においては、図28を用いて説明した日射センサに適用している。図1には、日射センサの平面図を示す。図2には、図1のA−A断面図を示す。ただし、図1は、図2に示すキャップ材である光学レンズ4とスリット板(遮光板)5を取り外した状態での平面図である。本例では太陽が光源であり、光源位置とは太陽の位置である。
【0018】
図2において、日射センサ1は、コネクタを兼ねるセンサハウジング2と、センサチップ3と、光学レンズ4と、スリット板5と、ターミナル6とを備えている。センサハウジング2は、ケース7とホルダ8から構成され、両部材7,8は共に合成樹脂よりなる。ケース7は、円筒状をなし、立設した状態で使用される。また、ホルダ8は、ケース7内の上部に嵌入されている。ここで、センサハウジング2がケース7とホルダ8にて構成されていることから、ケース7を共通部材とし、ホルダ8(受光素子実装部とコネクタ部)をセンサ仕様毎に変えて用いることができる。
【0019】
図2に示すように、ケース7の外周面にはセンサ取付け爪9が設けられており、日射センサ1が自動車のダッシュパネル10の取付け孔10aに対し図2中、X方向に挿入され、センサ取付け爪9の外方への付勢力により本センサ1がダッシュパネル10に取り付けられる。
【0020】
ホルダ8の上面中央部にはセンサチップ3が固定されている。また、ホルダ8にはセンサ信号を外部に出力するための外部出力端子としてのターミナル6がインサート成形され、ホルダ8の中にターミナル6を埋設した構造となっている。ターミナル6の一端がホルダ8の上面に露出し、ターミナル6の他端がホルダ8の下面から突出している。
【0021】
図1に示すように、四角形状のセンサチップ3には4つのフォトダイオード(受光素子)D1,D2,D3,D4が形成され、フォトダイオードD1〜D4は入射する光の量に応じた信号をそれぞれ出力する。
【0022】
センサチップ3の詳細を図3を用いて詳細に説明する。センサチップ3はフォトダイオードD1〜D4と信号処理回路を具備した光ICである。センサチップ3は円形の受光領域11を有している。この受光領域11は、中心の円形受光領域12とその外周側のリング状受光領域13とその外周のリング状受光領域14とその外周のリング状受光領域15に区画されている。各領域12〜15は電気的に絶縁されている。より詳しくは、図4に示すように、n型シリコン基板16の表層部において円形のp型領域17が形成され、その外周側にリング状のp型領域18,19,20がそれぞれ形成されている。また、n型シリコン基板16の裏面にはカソード電極21が形成されるとともに、基板16の表面側においてp型領域17,18,19,20にはアノード電極22,23,24,25が設けられている。このように、p型領域17にてフォトダイオードD1が、p型領域18にてフォトダイオードD2が、p型領域19にてフォトダイオードD3が、p型領域20にてフォトダイオードD4が形成され、図3の各領域12〜15に光が当たるとそれぞれ受光量に応じた電気信号(光電流)が取り出される。また、図3において、円形の受光領域11の外周側に信号処理回路が形成されている。
【0023】
このように、複数のフォトダイオード(受光素子)D1〜D4を同心円状に形成すると、太陽(光源)の方位による影響を抑制できるようになる(詳細は後述する)。
【0024】
図2において、センサチップ3の上方において、ホルダ8の上面にはスリット板5がセンサチップ3を覆うように支持されている。図5にはスリット板5の詳細を示す。スリット板5は遮光材料よりなる。スリット板5はその中央部に上下に貫通するスリット(透孔)26が形成され、導光部であるスリット26は円形をなしている。スリット板5のスリット26の位置は、図2に示すように、センサチップ3の真上に設定されている。
【0025】
図2において、光学レンズ4は着色ガラスや樹脂(半透明材)よりなり、お碗型をなしている。また、光学レンズ4の表面(上面)4aにはシボ加工が施され、スリガラスの表面と同様にザラザラしている。この光学レンズ4がケース7の外周面に嵌入され、センサチップ3の上方においてハウジング2に支持されている。さらに、光学レンズ4の内周面(下面)の中央部には凹部27が形成され、この凹部27により光学レンズ4がレンズ機能を持つことになる。
【0026】
本例においては、光学レンズ4とスリット板5により、光の入射角(仰角)に応じてセンサチップ3への光量を変更する光量変更部材が構成されている。このように、光量変更部材は、単純形状の凹レンズ(4)を有するものであるので、レンズ形状が単純であるため開発期間の短縮が図れる。
【0027】
なお、光学レンズ4にレンズ機能を持たせるために凹レンズの他にもプリズムの集合体レンズ(フレネルレンズ)等を用いてもよい。
図6は、同センサの電気的構成を示す図である。つまり、前記センサチップ3に形成された4つのフォトダイオードD1〜D4、およびフォトダイオードD1〜D4から出力される信号を処理する信号処理回路の回路構成を示すものである。
【0028】
図6において、フォトダイオードD1はオペアンプOP1の反転入力端子に接続されている。このフォトダイオードD1には受光量に応じた電流(光電流)ID1が流れる。また、オペアンプOP1はレーザトリミング抵抗R1を介して負帰還がかけられている。そして、フォトダイオードD1に流れる電流ID1に応じてオペアンプOP1の出力電圧E1が変化し、このオペアンプOP1とレーザトリミング抵抗R1により電流・電圧変換回路(I−V変換回路)が構成されている。このI−V変換回路において、レーザトリミング抵抗R1の抵抗値を調整することによりゲイン(増幅率)を調整することができるようになっている。
【0029】
同様に、フォトダイオードD2にはオペアンプOP2とレーザトリミング抵抗R2によるI−V変換回路が接続され、フォトダイオードD2に流れる電流ID2に応じてオペアンプOP2の出力電圧E2が変化する。ここで、レーザトリミング抵抗R2の抵抗値を調整することによりゲインを調整することができるようになっている。また、フォトダイオードD3にはオペアンプOP3とレーザトリミング抵抗R3によるI−V変換回路が接続され、フォトダイオードD3に流れる電流ID3に応じてオペアンプOP3の出力電圧E3が変化する。ここで、レーザトリミング抵抗R3の抵抗値を調整することによりゲインを調整することができるようになっている。さらに、フォトダイオードD4にはオペアンプOP4とレーザトリミング抵抗R4によるI−V変換回路が接続され、フォトダイオードD4に流れる電流ID4に応じてオペアンプOP4の出力電圧E4が変化する。ここで、レーザトリミング抵抗R4の抵抗値を調整することによりゲインを調整することができるようになっている。
【0030】
このようにレーザトリミング抵抗R1〜R4の抵抗値を調整することにより各フォトダイオードD1〜D4から出力される信号のゲイン調整が行われ、各フォトダイオードD1〜D4の出力(感度)を重み付けすることできる。
【0031】
図6において、各オペアンプOP1〜OP4の出力端子は抵抗R11〜R14を介してそれぞれオペアンプOP10の反転入力端子に接続されている。ここで、4つのフォトダイオードD1〜D4に対応する各オペアンプOP1〜OP4の出力信号(電圧)E1〜E4は加算されて、オペアンプOP10に入力される。オペアンプOP10は抵抗R20を介して負帰還がかけられている。そして、オペアンプOP10と抵抗R20により、各オペアンプOP1〜OP4の出力信号(電圧)E1〜E4の加算値(=E1+E2+E3+E4)に対し所定の倍率で増幅された信号がセンサ信号(出力電圧VOUT )としてオペアンプOP10の出力端子から送出される。
【0032】
ここで、センサ出力EOUT は、
EOUT =E1・k1+E2・k2+E3・k3+E4・k4
にて表される。ただし、k1,k2,k3,k4は各I−V変換回路のゲインである。
【0033】
本例では、前述したようにレーザトリミング抵抗R1〜R4の抵抗値の調整にて、k1=1、k2=0、k3=3、k4=5とし、EOUT =E1+3×E3+5×E4を成立させている。このようにして、各フォトダイオードD1〜D4の出力(感度)の重み付けが行われている。
【0034】
次に、このように構成した日射センサ1の作用を説明する。
図2の光学レンズ4の表面側に照射された光は光学レンズ4を通過し、スリット板5に照射される。さらに、スリット板5のスリット26を通過した光はセンサチップ3のフォトダイオードD1〜D4(図1参照)に照射される。この光照射によりフォトダイオードD1〜D4から信号が出力される。つまり、センサ表面(光学レンズ4)に照射された光は、レンズ材の屈折率と形状により光路変更されレンズ4内を進み、センサチップ3に向かって出射され、スリット板5のスリット26を通してセンサチップ3に至る。ここで、光学レンズ4の出射側形状を凹形状にすることで、水平方向からの光(センサ仰角0°の光)をセンサチップ3側に導くことができる。
【0035】
つまり、図7に示すように、仰角0°の光は光学レンズ4のレンズ作用により集光されるとともにスリット板5のスリット26を通してセンサチップ3に導かれる。このときのセンサチップ3での光の照射位置(光照射範囲)を図8に示す。この図8に示すように、センサチップ3の受光領域11の端部に光が当たる。
【0036】
また、図9に示すように、仰角40°の光は、光学レンズ4の内部で拡散されつつスリット板5のスリット26を通してセンサチップ3に導かれる。このときのセンサチップ3での光の照射位置(光照射範囲)を図10に示す。この図10に示すように、センサチップ3の受光領域11の略半分(図10での左半分)に光が当たる。
【0037】
また、図11に示すように、仰角90°の光は、光学レンズ4の内部で拡散されつつスリット板5のスリット26を通してセンサチップ3に導かれる。このときのセンサチップ3での光の照射位置(光照射範囲)を図12に示す。この図12に示すように、センサチップ3の受光領域11の中央部に光が当たる。図7,9,11から分かるように、光の照射範囲において、入射角度が低く(低仰角側)なると、入射方向とは反対側に照射されることになる。
【0038】
このように、光学レンズ4およびスリット板5により光量変調された光は、センサチップ3の表面に照射されるが、照射された光の角度(仰角)によって受光面側の照射範囲が変化する。
【0039】
図13には、仰角に対するセンサチップ(受光素子)3の受光量を示す。図13の横軸には仰角をとり、縦軸に受光量をとっている。図13において、光学レンズ4が無いときの受光特性をL1で示すとともに、光学レンズ4が有るときの受光特性をL2で示す。この図13から、光学レンズ4が無いときの受光特性L1においては仰角が大きいときには受光量が多く、仰角が小さいときには受光量がほとんど「0」である。これに対し、光学レンズ4が有るときの受光特性L2は仰角が大きいときには受光量を小さくすることができるとともに、仰角が小さいときには受光量をある程度大きくすることができることが分かる。
【0040】
ここで、従来では、光学レンズ4の出射側の形状(図2の凹部27の形状)を調整してレンズ特性を調整することにより光路調整して、光の量が所望の値になるように設計することで所望のセンサ指向性(感度特性)を得るようにしてきた。
【0041】
これに対し、本実施形態では、図6のレーザトリミング抵抗R1〜R4の抵抗値を調整することにより所望のセンサ指向性が得られる。
また、図7〜図11を用いて説明したように、光量変更部材としての光学レンズ4およびスリット板5は、太陽が受光面に対して直上方向にあるときに(図11,12の状態)、同心円状に配置された複数のフォトダイオード(受光素子)D1〜D4のうち、同心円の中心から離れた位置の素子(特にD4)からの出力が、太陽が受光面に対して直上から離れた方向にあるときに比べて(図7〜図10の状態に比べて)低くなる。よって、同心円状の素子D1〜D4のうち、外周に位置する素子(特にD4)の出力を任意に制御することで、所望のセンサ出力特性(指向性)が容易に得られる。特に、検出対象の太陽の仰角特性において、高仰角、すなわちセンサに対して太陽が直上に位置する場合の出力を抑える場合に外周部の素子の出力を操作することは非常に有効である。
【0042】
換言すると、光量変更部材としての光学レンズ4およびスリット板5は、太陽が受光面に対して直上方向にあるときに(図11,12の状態)、同心円状に配置された複数のフォトダイオード(受光素子)D1〜D4のうち、同心円の中心から離れた位置の素子(特にD4)が遮光されるように形成されているものとすることにより、同心円状の素子D1〜D4のうち、外周に位置する素子(特にD4)の遮光特性を任意に制御することで、所望のセンサ出力特性(指向性)が容易に得られる。特に、検出対象の太陽の仰角特性において、高仰角、すなわちセンサに対して太陽が直上に位置する場合の出力を抑える場合に外周部の素子の遮光特性を操作することは非常に有効である。
【0043】
以下、指向性(感度特性)の設計手順について説明する。
はじめに、所定のレンズ特性を有する光学レンズ4および所定の形状のスリット26を有するスリット板5を用意するとともに、図3,4のようにフォトダイオードD1〜D4を有するセンサチップ3を用意する。そして、図6のレーザトリミング抵抗R1〜R4をトリミングすることにより、各フォトダイオードD1〜D4における感度(ゲイン)の調整を行う。これにより、各フォトダイオードD1〜D4を所望な感度特性とすることができる。その結果、図14に示すような仰角に対する所望な出力特性を得ることができる。
【0044】
図15には4つのフォトダイオードD1〜D4の各々の出力電流を取り出した場合の出力の測定結果を示す。つまり、図3の円形受光領域12を有するフォトダイオードD1の出力をL10で、図3のリング状受光領域13を有するフォトダイオードD2の出力をL20で、図3のリング状受光領域14を有するフォトダイオードD3の出力をL30で、図3のリング状受光領域15を有するフォトダイオードD4の出力をL40で示す。図15において、フォトダイオードD1,D2(出力特性L10,L20)は高仰角の出力が大きく、低仰角の出力が小さい。一方、フォトダイオードD3,D4(出力特性L30,L40)は低仰角の出力が大きいが、中および高仰角ではフォトダイオードD1,D2(出力特性L10,L20)ほどの出力が出ない。
【0045】
このような特性を得るためには、光学レンズ4の屈折特性およびスリット板5のスリット26により、高仰角のときにフォトダイオードD3,4が遮光されるようにし、かつ低仰角のときにフォトダイオードD1,D2に照射される光量が小さくなるようにすればよい。
【0046】
この図15のように、複数のフォトダイオード(受光素子)D1〜D4の出力は同じ光(仰角)に対して、指向性がそれぞれ異なるものとしたので、異なる指向性の素子を組み合わすことで所望の特性を得ることが可能となる。つまり、複数の受光素子D1〜D4の指向特性は同じ光に対して、それぞれ異なるものとし、この仰角特性(指向特性)の異なる複数のフォトダイオードD1〜D4の出力に対し後段の増幅部で所定量の重み付けを行い、これを組み合わすことで所望の特性が得られる。
【0047】
この図15の特性より、図14の要求される特性を実現させるために、後段の回路部にて信号を増幅させ、所望の指向性を得るようにしている。つまり、ゲインk1=1、k2=0、k3=3、k4=5となるように図6の抵抗R1,R2,R3,R4に対しレーザトリミングを行い、センサ出力EOUT =E1+3×E3+5×E4としている。
【0048】
その結果、図14に示すように、所望のセンサ出力特性を有するものとすることができる。図14においては、仰角が40〜50°でセンサ出力値がピークとなり、かつ、低い仰角のときにセンサ出力値が低くなる特性である。この特性はエアコンを制御するときの熱負荷特性であり、車両の形状(特にフロントガラスの形状等)により決定されるものである。
【0049】
以上、本実施形態では、光学レンズ4におけるシボや材料による拡散の影響を含んだレンズ特性に対し、フォトダイオードD1〜D4の形状(受光部形状)と回路増幅部の組み合わせで所望なセンサ出力特性(センサ感度特性)を得ることができるため、レンズ形状のチューニング時間が軽減できる。そのため、短期設計(開発)が可能となる。
【0050】
このように本実施形態は下記の特徴を有する。
(イ)受光領域11に4つのフォトダイオード(受光素子)D1〜D4を配置するとともに、各フォトダイオードD1〜D4の出力に重み付けすることにより太陽位置(光源位置)によって変化する所望の出力特性を得るようにした。よって、レンズ系を作成した後に、即ち、光学的特性の決まったレンズ4およびスリット板5を用いて各フォトダイオードD1〜D4の出力が重み付けされる。その結果、従来ではレンズ系を複数用いて最適化を図る場合にはその手間も多く面倒であったばかりか、レンズ型が多数必要であった。より詳しくは、図29の凹部105の形状や光学レンズ104と受光素子103との距離やレンズ104における外表面の半径および直線面の長さ等を調整して所望の出力特性を得るようにしていた。これに対し、本実施形態においてはレンズ4およびスリット板5を作成した後(レンズ形状およびスリット形状を決定した後)に、光学的特性の決まったレンズ系を用いて各フォトダイオードD1〜D4の出力を重み付けするものであり、その調整作業は容易である。つまり、従来、1つの受光素子にて複数の指向性を実現させることは、単一レンズでは不可能であったが、照射された光を光学レンズ等で制限するとともに、受光素子側の出力をフォトダイオードD1〜D4毎に変えることで、所望な指向性を実現させることができる。
(ロ)各フォトダイオードD1〜D4の出力の重み付けを、各フォトダイオードD1〜D4から出力される信号を処理する信号処理回路において、各フォトダイオードD1〜D4から出力される信号のゲインを調整するものとしたので、実用上好ましいものとなる。
(ハ)各フォトダイオードD1〜D4は同心円状に形成されているため、方位角特性の影響を受けにくい。つまり、車載用フォトセンサにおいては、検出対象としての太陽は仰角以外に方位角も変化する。この方位角に依存せずに仰角特性を得るためには、太陽がいかなる方位の時にも一定の仰角特性を有するものとする必要がある。本実施形態で示した同心円状の配置により、この条件をクリアすることができる。
【0051】
なお、エアコン用日射センサに必要な熱負荷特性を得る場合について説明したが、他のセンサに必要な出力特性(感度特性)を得る場合に適用してもよい。
本実施形態の応用例を次に説明する。
【0052】
図3の構成ではセンサチップ3の受光領域11を4分割しているが、さらに細分化することで設計自由度が増える。例えば図16のように、多数の角形受光領域(フォトダイオード)28によるマトリックスパターンとしてもよい。あるいは、図17に示すように、リングパターンを分割して多数の受光領域(フォトダイオード)29に区画してもよい。
【0053】
また、図3の構成に対し、図18に示すように、受光素子パターンを変更することで、図19に示すように、複数の指向特性を両立させることが可能である。詳しくは、図18に示すごとく、中央の円形受光領域30と、その回りの円弧状受光領域31,32,33,34と、その外周側の円弧状受光領域35,36,37,38に区画し、円形受光領域30を指向特性(I )用として使用し、受光領域30〜38を指向特性(II)用として使用する。その結果、指向特性(I )の特性および指向特性(II)の特性が容易に設計可能となる。具体的には、図19に示すように、低い仰角で出力(感度)が低く大きな仰角で感度が高い特性(低仰角カット)が得られるとともに、所定の仰角(図では35°程度)でピークをもち低い仰角で感度が低い特性が得られる。
【0054】
つまり、同心円状に配置された複数のフォトダイオード(受光素子)30〜38の組み合わせにより、1つの受光チップで複数(2つ以上)の指向特性を得るようにしたので、1チップから複数の特性が得られ、好ましい。詳しくは、同心円状に配置された複数のフォトダイオード(受光素子)30〜38のうち、最も中心に位置する素子30を第1の指向特性用として使用し、当該素子30と他の素子31〜38とを第2の指向特性用として使用した。よって、複数の指向特性が得られ、中心の素子30を多目的化することでセンサとして好ましいものとなる。
【0055】
このように、1つのセンサチップにて異なる特性の出力を得ることができ、より具体的には、例えば、指向特性(I )は自動車のヘッドライト等を自動的に点灯・消灯させるオートライトに利用し、また、指向特性(II)は車載用エアコンの制御に用いる日射センサとして利用する。こうすることで1つのセンサで2つの異なる対象の制御が可能となり効率がよい。
【0056】
なお、指向特性(I )を得るためには、後述する図24に示されるフォトダイオードD1に対応するカレントミラー回路(フォトダイオードD1に対応するトランジスタQ1,Q11)におけるカレントミラー比(k5値)を適宜設定すればよい。
【0057】
一方、図18の円形受光領域30と円弧状受光領域31,32,33,34との間は所定の距離d1だけ離間しており、この領域に信号処理回路が形成されている。
【0058】
この信号処理回路が形成された領域は、同心円状のフォトダイオード(受光素子)30〜34のうち、センサ全体としての所望の出力特性(指向特性(II))に寄与しない領域が受光領域としてデッドスペースになるため、この領域を有効活用するために信号処理回路を形成したものである。これにより同心円状の受光素子形成領域外に必要となる信号処理回路のスペースを省くことができ、小型化に有利である。
【0059】
このように、同心円状の受光素子30と31〜34は所定領域離れて形成されており、この所定領域内に、各受光素子から出力される信号を処理する信号処理回路が形成されているものとすることにより、同心円状の受光素子のうち、デッドスペースとなる領域を別の用途に用いることで有効利用することができ、小型化が可能となる。特に受光素子と信号処理回路とが集積化されるセンサにおいては有効である。
【0060】
また、スリット板5は図5に示した円形のスリット(透孔)26を有するものの他にも、図20に示すように角形のスリット(透孔)40であったり、図21に示すようにL字状のスリット(透孔)41であったり、図22に示すようにI字状のスリット(透孔)42であってもよい。
【0061】
また、図2の構成では、スリット板5と光学レンズ4を設けたが、いずれか一方のみ備えるものとしてもよい。ここで、図2の構成では、スリット板5を用いているので、光の照射範囲を制御でき設計自由度が高いものである。
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0062】
フォトダイオードD1〜D4における出力(感度)の重み付け(調整方法)として、図6ではレーザトリミング抵抗R1〜R4の抵抗値を調整してゲイン調整を行ったが、本実施形態ではそれに代わり、カレントミラー回路のカレントミラー比を調整することによりゲイン調整を行っている。
【0063】
図23に示すように、フォトダイオードD1に対し、トランジスタQ1,Q2によるカレントミラー回路が接続されている。つまり、フォトダイオードD1にトランジスタQ1が直列に接続されている。同様に、ダイオードD2に対しトランジスタQ3,Q4によるカレントミラー回路が、ダイオードD3に対しトランジスタQ5,Q6によるカレントミラー回路が、ダイオードD4に対しトランジスタQ7,Q8によるカレントミラー回路が接続されている。さらに、トランジスタQ1,Q3,Q5,Q7は並列接続されるとともに、各トランジスタQ2,Q4,Q6,Q8にはトランジスタQ9,Q10によるカレントミラー回路が接続されている。つまり、並列接続されたトランジスタQ2,Q4,Q6,Q8にに対しトランジスタQ9が直列に接続されている。
【0064】
ここで、トランジスタQ2,Q4,Q6,Q8におけるエミッタ面積が調整できるようになっており、このエミッタ面積の調整により、カレントミラー比が変えられる。具体的には、センサチップ3に図23の回路が組み込まれるが、トランジスタQ2,Q4,Q6,Q8のエミッタ領域の形成工程においてトランジスタQ2,Q4,Q6,Q8毎にエミッタ領域の面積を調整する(面積を異ならせる)。その結果、図23のゲインk1,k2,k3,k4を調整してセンサ出力信号IOUT が所望の特性(指向性)を有するものに調整される。
【0065】
なお、上述のようにゲインk1〜k4を設定して指向特性を得るが、全体の出力の大きさはセンサ出力信号IOUT を調整すればよい。具体的には、図示しない抵抗値をレーザトリミング等により調整したりすることで可能である。例えば図6に示す回路の場合、抵抗R20を調整するようにすればよい。
【0066】
このように本実施形態は、下記の特徴を有する。
(イ)各フォトダイオードD1〜D4から出力される信号、即ち、フォト電流ID1〜ID4を処理する信号処理回路において、トランジスタQ2,Q4,Q6,Q8におけるエミッタ面積の調整にてカレントミラー比を変えて各フォトダイオードD1〜D4から出力される信号のゲインk1,k2,k3,k4を調整するようにし、これにより、各フォトダイオードD1〜D4の出力(感度)の重み付けを行うようにしたので、実用上好ましいものとなる。
【0067】
なお、図18,19を用いて説明したように、2つの指向特性を得る場合には、図23の代わりに、図24に示すように、フォトダイオードD1に対応するトランジスタQ1に対しトランジスタQ11を追加し(ゲインk5)、このトランジスタQ11に対しトランジスタQ12,Q13によるカレントミラー回路を接続する。そして、トランジスタQ10に流れる電流(出力)IOUT1により日射センサ用の指向特性(II)を得るとともに、トランジスタQ13に流れる電流(出力)IOUT2によりコンライト用の指向特性(I)を得る。
(第3の実施の形態)
次に、第3の実施の形態を、第1,2の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0068】
第1,2の実施の形態では信号処理回路の抵抗値R1〜R4またはエミッタ面積をトリミングする構成であったが、本実施形態では、信号処理回路ではなくセンサチップ3の工夫にてフォトダイオードD1〜D4の出力(感度)に重み付けを行うことができるようにしている。
【0069】
図25に示すように、センサチップ3におけるn型シリコン基板16の表層部において円形のp型領域17が形成され、その外周側にリング状のp型領域18,19,20が形成されている。ここまでは図3,4と同じ構成である。本例では、基板16の上面にアルミ薄膜50が形成され、各フォトダイオードD1〜D4毎に面積の異なるアルミ薄膜51,52,53,54が形成されている。図25ではアルミ薄膜52が最も大きな面積であり、アルミ薄膜51,53,54の順に小さくなっている。つまり、実質的に前述のゲインk1=1、k2=0、k3=3、k4=5となるようにし、実質的にEOUT =E1+3×E3+5×E4を満足するようにしている。より詳しいアルミ薄膜51,52,53,54の配置手順は、基板16上にアルミ薄膜50をデポし、所望の形状にパターニングすることにより図25の形状とする。
【0070】
このように本実施形態は下記の特徴を有する。
(イ)各フォトダイオードD1〜D4の出力の重み付けを、各フォトダイオードD1〜D4を被覆する膜50の光透過特性(透過光量)を調整するものとしたので、実用上好ましいものとなる。
(ロ)この膜50の光透過特性の調整は、膜50の占有面積を調整するものであるので、実用上好ましいものとなる。
【0071】
本実施形態の応用例を次に説明する。
図26に示すように、センサチップ3における基板16の上面にシリコン酸化60が形成され、シリコン酸化膜60は各フォトダイオードD1〜D4(領域17〜20)毎に厚さが異なっている(t2>t1>t3>t4)。つまり、実質的に前述のゲインk1=1、k2≒0、k3=3、k4=5となるようにし、実質的にEOUT =E1+3×E3+5×E4を満足するようにしている。このように、フォトダイオードD1〜D4を被覆する膜の光透過特性の調整を、シリコン酸化膜60の厚さt1〜t4を調整するものとし、フォトダイオードD1〜D4上での酸化膜厚t1〜t4の調整によって出力(感度)を部分的に変えるようにしてもよい。
【0072】
あるいは、図27に示すように、フォトダイオードD1を構成するp型領域17と、フォトダイオードD2を構成するp型領域18と、フォトダイオードD3を構成するp型領域19と、フォトダイオードD4を構成するp型領域20における不純物濃度を異ならせることによって特性を部分的に変えることが可能である。
【0073】
また、これまでの説明においては受光素子としてフォトダイオードを用いてきたが、他にも例えばフォトトランジスタを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施の形態における日射センサの平面図。
【図2】 図1のA−A断面図。
【図3】 センサチップの平面図。
【図4】 センサチップの説明図。
【図5】 スリット板の平面図。
【図6】 日射センサの回路構成図。
【図7】 光路を示す断面図。
【図8】 受光部での光照射部を示す平面図。
【図9】 光路を示す断面図。
【図10】 受光部での光照射部を示す平面図。
【図11】 光路を示す断面図。
【図12】 受光部での光照射部を示す平面図。
【図13】 仰角に対する受光量を示す図。
【図14】 仰角に対するセンサ出力を示す図。
【図15】 仰角に対する素子出力を示す図。
【図16】 別例の日射センサの平面図。
【図17】 別例の日射センサの平面図。
【図18】 別例の日射センサの平面図。
【図19】 仰角に対する相対感度を示す図。
【図20】 別例のスリット板の平面図。
【図21】 別例のスリット板の平面図。
【図22】 別例のスリット板の平面図。
【図23】 第2の実施形態における日射センサの回路構成図。
【図24】 センサの回路構成図。
【図25】 第3の実施形態における日射センサの説明図。
【図26】 別例の日射センサを示す図。
【図27】 別例の日射センサを示す図。
【図28】 車両における日射センサを示す図。
【図29】 日射センサの断面図。
【図30】 日射センサの断面図。
【符号の説明】
1…日射センサ、2…センサハウジング、3…センサチップ、4…光学レンズ、5…スリット板、11…受光領域、12…円形受光領域、13…リング状受光領域、14…リング状受光領域、15…リング状受光領域、50…アルミ薄膜、60…シリコン酸化膜。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical sensor, and more particularly to a technique for obtaining desired characteristics as a sensor output with respect to an incident angle of light.
[0002]
[Prior art]
As shown in FIG. 28, a
[0003]
Conventionally, the adjustment of the output characteristic (directivity) with respect to the incident angle of light is performed by adjusting the shape of the exit surface of the optical lens 104 (particularly, the shape of the recess 105), thereby receiving a single sensitivity (single output) light receiving element. This was done by adjusting the optical path to 103. In other words, the optical path design method requires the design of an optical prism as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-43028. However, the surface of the sensor (the surface of the optical lens 104) is textured, and an optical lens design that takes into account the influence of diffusion is necessary. However, the degree of diffusion largely depends on experience and intuition. The optical path design of an optical system including elements of diffusion due to processing and the like includes elements expected from experience and intuition. For this reason, it has been difficult to design (develop) a solar radiation sensor having a desired directivity in a short time.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical sensor that can easily adjust output characteristics with respect to an incident angle of light.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The optical sensor according to
[0006]
When this configuration is adopted, a desired output characteristic can be obtained by weighting the output of each light receiving element after the lens system is created, that is, using a lens system having a predetermined optical characteristic. As a result, in the past, when using a plurality of lens systems for optimization, it was troublesome and cumbersome, and a large number of lens types were required. Is used to weight the output of each light receiving element, and the adjustment work is easy.
[0007]
Note that “changing the amount of light” not only means that the amount of transmitted light changes, but also means that the irradiation range changes.
In particular ,
[0012]
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0017]
The present embodiment is applied to the solar radiation sensor described with reference to FIG. FIG. 1 shows a plan view of the solar radiation sensor. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. However, FIG. 1 is a plan view in a state in which the
[0018]
In FIG. 2, the
[0019]
As shown in FIG. 2, a sensor mounting claw 9 is provided on the outer peripheral surface of the case 7, and the
[0020]
The
[0021]
As shown in FIG. 1, four photodiodes (light receiving elements) D1, D2, D3, and D4 are formed on the
[0022]
Details of the
[0023]
As described above, when the plurality of photodiodes (light receiving elements) D1 to D4 are formed concentrically, the influence of the orientation of the sun (light source) can be suppressed (details will be described later).
[0024]
In FIG. 2, the
[0025]
In FIG. 2, the
[0026]
In this example, the
[0027]
In order to give the optical lens 4 a lens function, a prism assembly lens (Fresnel lens) or the like may be used in addition to the concave lens.
FIG. 6 is a diagram showing an electrical configuration of the sensor. That is, the circuit configuration of the four photodiodes D1 to D4 formed on the
[0028]
In FIG. 6, the photodiode D1 is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier OP1. A current (photocurrent) ID1 corresponding to the amount of received light flows through the photodiode D1. The operational amplifier OP1 is negatively fed back via a laser trimming resistor R1. The output voltage E1 of the operational amplifier OP1 changes according to the current ID1 flowing through the photodiode D1, and the operational amplifier OP1 and the laser trimming resistor R1 constitute a current / voltage conversion circuit (IV conversion circuit). In this IV conversion circuit, the gain (amplification factor) can be adjusted by adjusting the resistance value of the laser trimming resistor R1.
[0029]
Similarly, an IV conversion circuit including an operational amplifier OP2 and a laser trimming resistor R2 is connected to the photodiode D2, and an output voltage E2 of the operational amplifier OP2 changes according to a current ID2 flowing through the photodiode D2. Here, the gain can be adjusted by adjusting the resistance value of the laser trimming resistor R2. The photodiode D3 is connected to an IV conversion circuit including an operational amplifier OP3 and a laser trimming resistor R3, and an output voltage E3 of the operational amplifier OP3 changes according to a current ID3 flowing through the photodiode D3. Here, the gain can be adjusted by adjusting the resistance value of the laser trimming resistor R3. Further, an IV conversion circuit including an operational amplifier OP4 and a laser trimming resistor R4 is connected to the photodiode D4, and an output voltage E4 of the operational amplifier OP4 changes according to a current ID4 flowing through the photodiode D4. Here, the gain can be adjusted by adjusting the resistance value of the laser trimming resistor R4.
[0030]
Thus, by adjusting the resistance values of the laser trimming resistors R1 to R4, the gain of the signal output from each photodiode D1 to D4 is adjusted, and the output (sensitivity) of each photodiode D1 to D4 is weighted. it can.
[0031]
In FIG. 6, the output terminals of the operational amplifiers OP1 to OP4 are connected to the inverting input terminals of the operational amplifier OP10 via resistors R11 to R14, respectively. Here, the output signals (voltages) E1 to E4 of the operational amplifiers OP1 to OP4 corresponding to the four photodiodes D1 to D4 are added and input to the operational amplifier OP10. The operational amplifier OP10 is negatively fed back through the resistor R20. Then, the operational amplifier OP10 and the resistor R20 are used as a sensor signal (output voltage VOUT) as a signal amplified by a predetermined magnification with respect to the added values (= E1 + E2 + E3 + E4) of the output signals (voltages) E1 to E4 of the operational amplifiers OP1 to OP4. Sent from the output terminal of OP10.
[0032]
Here, the sensor output EOUT is
EOUT = E1 · k1 + E2 · k2 + E3 · k3 + E4 · k4
It is represented by However, k1, k2, k3, k4 are gains of the respective IV conversion circuits.
[0033]
In this example, by adjusting the resistance values of the laser trimming resistors R1 to R4 as described above, k1 = 1, k2 = 0, k3 = 3, k4 = 5, and EOUT = E1 + 3 × E3 + 5 × E4 is established. Yes. In this way, the outputs (sensitivities) of the photodiodes D1 to D4 are weighted.
[0034]
Next, the operation of the
The light irradiated on the surface side of the
[0035]
That is, as shown in FIG. 7, light having an elevation angle of 0 ° is condensed by the lens action of the
[0036]
As shown in FIG. 9, light having an elevation angle of 40 ° is guided to the
[0037]
As shown in FIG. 11, light having an elevation angle of 90 ° is guided to the
[0038]
As described above, the light whose light amount is modulated by the
[0039]
FIG. 13 shows the amount of light received by the sensor chip (light receiving element) 3 with respect to the elevation angle. In FIG. 13, the horizontal axis represents the elevation angle and the vertical axis represents the amount of received light. In FIG. 13, the light receiving characteristic when the
[0040]
Here, conventionally, the optical path is adjusted by adjusting the shape of the exit side of the optical lens 4 (the shape of the
[0041]
On the other hand, in this embodiment, desired sensor directivity can be obtained by adjusting the resistance values of the laser trimming resistors R1 to R4 in FIG.
Further, as described with reference to FIGS. 7 to 11, the
[0042]
In other words, the
[0043]
The directivity (sensitivity characteristic) design procedure will be described below.
First, an
[0044]
FIG. 15 shows the output measurement results when the output currents of the four photodiodes D1 to D4 are taken out. That is, the output of the photodiode D1 having the circular
[0045]
In order to obtain such characteristics, the refraction characteristics of the
[0046]
As shown in FIG. 15, since the outputs of the plurality of photodiodes (light receiving elements) D1 to D4 have different directivities with respect to the same light (elevation angle), it is possible to combine elements having different directivities. Desired characteristics can be obtained. That is, the directivity characteristics of the plurality of light receiving elements D1 to D4 are different from each other with respect to the same light, and the output of the plurality of photodiodes D1 to D4 having different elevation angle characteristics (directivity characteristics) is provided in the subsequent amplification section. Desired characteristics can be obtained by performing quantitative weighting and combining them.
[0047]
From the characteristics shown in FIG. 15, in order to realize the required characteristics shown in FIG. 14, a signal is amplified in a circuit section at a later stage to obtain a desired directivity. That is, laser trimming is performed on the resistors R1, R2, R3, and R4 in FIG. 6 so that the gains k1 = 1, k2 = 0, k3 = 3, and k4 = 5, and the sensor output EOUT = E1 + 3 × E3 + 5 × E4. Yes.
[0048]
As a result, as shown in FIG. 14, it can have a desired sensor output characteristic. In FIG. 14, the sensor output value peaks when the elevation angle is 40 to 50 °, and the sensor output value decreases when the elevation angle is low. This characteristic is a heat load characteristic when the air conditioner is controlled, and is determined by the shape of the vehicle (particularly the shape of the windshield).
[0049]
As described above, in the present embodiment, desired sensor output characteristics are obtained by combining the shape of the photodiodes D1 to D4 (the shape of the light receiving part) and the circuit amplifying part with respect to the lens characteristic including the influence of diffusion due to the texture and material in the
[0050]
Thus, this embodiment has the following characteristics.
(A) While arranging four photodiodes (light receiving elements) D1 to D4 in the
(B) In the signal processing circuit that processes the signals output from the photodiodes D1 to D4, the gains of the signals output from the photodiodes D1 to D4 are adjusted by weighting the outputs of the photodiodes D1 to D4. Therefore, it is preferable for practical use.
(C) Since the photodiodes D1 to D4 are formed concentrically, they are not easily affected by the azimuth characteristics. That is, in the on-vehicle photosensor, the sun as a detection target changes not only in elevation but also in azimuth. In order to obtain an elevation angle characteristic without depending on this azimuth angle, it is necessary to have a certain elevation angle characteristic at any azimuth of the sun. This condition can be cleared by the concentric arrangement shown in the present embodiment.
[0051]
In addition, although the case where the thermal load characteristic required for the solar radiation sensor for air conditioners was acquired was demonstrated, you may apply when obtaining the output characteristic (sensitivity characteristic) required for another sensor.
An application example of this embodiment will be described next.
[0052]
In the configuration of FIG. 3, the
[0053]
Further, by changing the light receiving element pattern as shown in FIG. 18 with respect to the configuration of FIG. 3, it is possible to achieve a plurality of directional characteristics as shown in FIG. Specifically, as shown in FIG. 18, the
[0054]
That is, since a plurality of (two or more) directivity characteristics are obtained with one light receiving chip by combining a plurality of photodiodes (light receiving elements) 30 to 38 arranged concentrically, a plurality of characteristics are obtained from one chip. Is preferable. Specifically, among the plurality of photodiodes (light receiving elements) 30 to 38 arranged concentrically, the
[0055]
In this way, an output with different characteristics can be obtained with one sensor chip. More specifically, for example, the directivity (I) is an auto light that automatically turns on and off the headlight of an automobile. In addition, the directivity (II) is used as a solar radiation sensor used for controlling an on-vehicle air conditioner. By doing so, it is possible to control two different objects with one sensor, and the efficiency is high.
[0056]
In order to obtain the directivity (I), the current mirror ratio (k5 value) in the current mirror circuit (transistors Q1, Q11 corresponding to the photodiode D1) corresponding to the photodiode D1 shown in FIG. What is necessary is just to set suitably.
[0057]
On the other hand, the circular
[0058]
In the region where the signal processing circuit is formed, a region which does not contribute to a desired output characteristic (directional characteristic (II)) of the entire sensor among the concentric photodiodes (light receiving elements) 30 to 34 is dead as a light receiving region. Since this space is used, a signal processing circuit is formed in order to effectively use this area. As a result, the space for the signal processing circuit required outside the concentric light receiving element formation region can be saved, which is advantageous for downsizing.
[0059]
As described above, the concentric
[0060]
Further, the
[0061]
In the configuration of FIG. 2, the
(Second Embodiment)
Next, the second embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.
[0062]
As the weighting (adjustment method) of the outputs (sensitivity) in the photodiodes D1 to D4, the gain adjustment is performed by adjusting the resistance values of the laser trimming resistors R1 to R4 in FIG. Gain adjustment is performed by adjusting the current mirror ratio of the circuit.
[0063]
As shown in FIG. 23, a current mirror circuit including transistors Q1 and Q2 is connected to the photodiode D1. That is, the transistor Q1 is connected in series with the photodiode D1. Similarly, a current mirror circuit including transistors Q3 and Q4 is connected to the diode D2, a current mirror circuit including transistors Q5 and Q6 is connected to the diode D3, and a current mirror circuit including transistors Q7 and Q8 is connected to the diode D4. Further, the transistors Q1, Q3, Q5, and Q7 are connected in parallel, and the transistors Q2, Q4, Q6, and Q8 are connected to a current mirror circuit including transistors Q9 and Q10. That is, the transistor Q9 is connected in series to the transistors Q2, Q4, Q6, and Q8 connected in parallel.
[0064]
Here, the emitter areas of the transistors Q2, Q4, Q6, and Q8 can be adjusted, and the current mirror ratio can be changed by adjusting the emitter area. Specifically, the circuit of FIG. 23 is incorporated in the
[0065]
Although the directivity is obtained by setting the gains k1 to k4 as described above, the overall output may be adjusted by adjusting the sensor output signal IOUT. Specifically, it is possible to adjust a resistance value (not shown) by laser trimming or the like. For example, in the case of the circuit shown in FIG. 6, the resistor R20 may be adjusted.
[0066]
Thus, this embodiment has the following features.
(A) In the signal processing circuit that processes the signals output from the photodiodes D1 to D4, that is, the photocurrents ID1 to ID4, the current mirror ratio is changed by adjusting the emitter area in the transistors Q2, Q4, Q6, and Q8. Since the gains k1, k2, k3, k4 of the signals output from the photodiodes D1 to D4 are adjusted, thereby weighting the outputs (sensitivities) of the photodiodes D1 to D4. This is preferable for practical use.
[0067]
As described with reference to FIGS. 18 and 19, when two directional characteristics are obtained, instead of FIG. 23, as shown in FIG. 24, the transistor Q11 is replaced with the transistor Q1 corresponding to the photodiode D1. In addition (gain k5), a current mirror circuit comprising transistors Q12 and Q13 is connected to this transistor Q11. The current (output) IOUT flowing through the transistor Q10 1 To obtain the directivity (II) for the solar radiation sensor and the current (output) IOUT flowing in the transistor Q13 2 Thus, the directivity (I) for conlite is obtained.
(Third embodiment)
Next, the third embodiment will be described focusing on the differences from the first and second embodiments.
[0068]
In the first and second embodiments, the resistance values R1 to R4 or the emitter area of the signal processing circuit are trimmed, but in the present embodiment, the photodiode D1 is not devised by the
[0069]
As shown in FIG. 25, a circular p-
[0070]
Thus, this embodiment has the following characteristics.
(A) Since the output weights of the photodiodes D1 to D4 are adjusted for the light transmission characteristics (transmitted light amount) of the
(B) The adjustment of the light transmission characteristics of the
[0071]
An application example of this embodiment will be described next.
As shown in FIG. 26, the
[0072]
Alternatively, as shown in FIG. 27, the p-
[0073]
In the above description, the photodiode is used as the light receiving element. However, for example, a phototransistor may be used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a solar radiation sensor according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
FIG. 3 is a plan view of a sensor chip.
FIG. 4 is an explanatory diagram of a sensor chip.
FIG. 5 is a plan view of a slit plate.
FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a solar radiation sensor.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an optical path.
FIG. 8 is a plan view showing a light irradiation unit in the light receiving unit.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an optical path.
FIG. 10 is a plan view showing a light irradiation unit in the light receiving unit.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an optical path.
FIG. 12 is a plan view showing a light irradiation unit in the light receiving unit.
FIG. 13 is a diagram showing a received light amount with respect to an elevation angle.
FIG. 14 is a diagram showing a sensor output with respect to an elevation angle.
FIG. 15 is a diagram showing an element output with respect to an elevation angle.
FIG. 16 is a plan view of another example of a solar radiation sensor.
FIG. 17 is a plan view of another example of a solar radiation sensor.
FIG. 18 is a plan view of another example of a solar radiation sensor.
FIG. 19 is a diagram showing relative sensitivity with respect to an elevation angle.
FIG. 20 is a plan view of another example of a slit plate.
FIG. 21 is a plan view of another example slit plate.
FIG. 22 is a plan view of another example slit plate.
FIG. 23 is a circuit configuration diagram of a solar radiation sensor according to the second embodiment.
FIG. 24 is a circuit configuration diagram of a sensor.
FIG. 25 is an explanatory diagram of a solar radiation sensor according to the third embodiment.
FIG. 26 is a view showing another example of a solar radiation sensor.
FIG. 27 is a diagram showing another example of a solar radiation sensor.
FIG. 28 is a diagram showing a solar radiation sensor in a vehicle.
FIG. 29 is a cross-sectional view of a solar radiation sensor.
FIG. 30 is a cross-sectional view of a solar radiation sensor.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記受光素子の上方に支持され、光の入射角に応じて前記受光素子への光量を変更する光量変更部材と、
を備え、
受光領域に複数の受光素子を配置するとともに前記各受光素子の出力に重み付けすることにより光源位置によって変化する所望の出力特性を得るようにした光センサであって、
前記各受光素子の出力の重み付けは、各受光素子から出力される信号のゲインを調整するものである光センサ。A light receiving element that outputs a signal according to the amount of light;
A light amount changing member that is supported above the light receiving element and changes the light amount to the light receiving element according to the incident angle of light;
Bei to give a,
An optical sensor to obtain the desired output characteristics that change by the light source position by weighting the outputs of the respective light receiving elements with arranging a plurality of light receiving elements in the light receiving region,
The weight of the output of each light receiving element adjusts the gain of the signal output from each light receiving element .
前記受光素子の上方に支持され、光の入射角に応じて前記受光素子への光量を変更する光量変更部材と、
を備え、
受光領域に複数の受光素子を同心円状に配置するとともに前記各受光素子の出力に重み付けすることにより光源位置によって変化する所望の出力特性を得るようにした光センサであって、
同心円状に配置された前記複数の受光素子のうち、最も中心に位置する受光素子を第1の指向特性用として使用し、当該素子と他の受光素子とを第2の指向特性用として使用した光センサ。 A light receiving element that outputs a signal according to the amount of light;
A light amount changing member that is supported above the light receiving element and changes the light amount to the light receiving element according to the incident angle of light;
With
A plurality of light receiving elements arranged concentrically in a light receiving region and weighting the output of each light receiving element to obtain a desired output characteristic that changes depending on the light source position,
Among the plurality of light receiving elements arranged concentrically, the light receiving element located at the center is used for the first directivity, and the element and the other light receiving elements are used for the second directivity. Optical sensor.
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