JP3880301B2 - Method for producing hexafluoroaluminum ammonium - Google Patents

Method for producing hexafluoroaluminum ammonium Download PDF

Info

Publication number
JP3880301B2
JP3880301B2 JP2000311357A JP2000311357A JP3880301B2 JP 3880301 B2 JP3880301 B2 JP 3880301B2 JP 2000311357 A JP2000311357 A JP 2000311357A JP 2000311357 A JP2000311357 A JP 2000311357A JP 3880301 B2 JP3880301 B2 JP 3880301B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alf
ammonium
reaction
producing
hexafluoroaluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000311357A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002121020A (en
Inventor
正 田中
直樹 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Central Glass Co Ltd filed Critical Central Glass Co Ltd
Priority to JP2000311357A priority Critical patent/JP3880301B2/en
Publication of JP2002121020A publication Critical patent/JP2002121020A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3880301B2 publication Critical patent/JP3880301B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置等のクリ−ニングガスとして有用な三フッ化窒素の製造原料として用いられるヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする問題点】
三フッ化窒素[NF3]は、通常無色のガスで、沸点約−129℃、融点約−208℃の、半導体製造装置等のクリ−ニングガスとして使用されている。このNF3の製造方法としては、種々提案されており、例えば、米国特許第3304248号には、気体窒素を、1000℃を越える温度でプラズマア−ク中を通過させ、また、気体フッ素を陽極に出来る限り近いポスト・ア−ク域に導入することによりNF3を得る方法が開示されている。
【0003】
このほか、アジ化水素酸ガスと二フッ化酸素との反応、アンモニアの直接フッ素化等の気相反応が知られている。また、アンモニウム・酸フッ化物の溶融塩電解も知られている。しかし、これらの方法は、いずれも反応が気相であるために、反応の制御が困難であったり、可燃性または爆発性の水素を含有する雰囲気の発生を防止することが必要である。
【0004】
さらに、特公昭55−8926号公報には、アンモニア酸フッ化物を溶融状態にて気体フッ素と反応する方法が開示されている。しかし、この方法は気液反応であるために、反応の制御が必ずしも容易ではなく、装置の腐食が著しく、また、NF3の収率も低く工業的には、十分な方法ではない。
【0005】
かかる不都合を解決するものとして、特開昭60−71503号公報には、固体状の金属フッ化物、例えば、ヘキサフルオロアルミニウムアンモニウム[(NH43AlF6]と元素状フッ素とを室温以上で反応させる方法が開示されている。
【0006】
この(NH43AlF6を少量製造する方法としては、水酸化アルミニウムをフッ化アンモニウム水溶液に入れて煮沸する、或いはフッ化アンモニウム水溶液と水酸化アルミニウムをフッ酸溶解したものとを反応させて得る方法が知られている。
【0007】
しかし、このようにして得られる(NH43AlF6は、粒径が小さく、また、嵩密度が小さいため、NF3を製造するための原料としては必ずしも十分なものではない。具体的には、粒径が小さいと元素状フッ素との反応が急激に進行し、反応系温度の制御が容易ではなくなり、反応温度が大幅に上昇することとなるため、(NH43AlF6が自己分解を起こし、NF3の収率が低下することである。また、嵩密度が小さいと装置容積効率が悪くなるなどの問題がある。その他、粉塵の発生等が生じるなどの取り扱い上の問題がある。
【0008】
そのため前記不都合を解決するものとして、特許第2856636号公報にはテトラフルオロアルミニウムアンモニウム[NH4AlF4]のフッ酸スラリ−とアンモニアとの反応においてかかる目的を達成している。しかし、原料のNH4AlF4は一般には製造されてなく、フッ酸に水酸化アルミニウムを溶解し、アンモニアで中和することで得られるが、そのための製造工程を必要とする。
【0009】
従って、NF3の製造において(NH43AlF6と元素状フッ素を反応させた場合、反応残滓として得られるNH4AlF4を使用するリサイクル工程をとることが考えられる。
【0010】
しかし、反応残滓として得られるNH4AlF4には、未反応の(NH43AlF6が残存する。この未反応の(NH43AlF6の含有量は、NF3の製造条件により異なる。すなわち、NF3の生産性及び原料の元素状フッ素の効率を高めるためには、未反応の(NH43AlF6の含有量は高くなる。この未反応の(NH43AlF6を含有するNH4AlF4を原料にして特許第2856636号公報記載の方法で製造した場合、晶出する(NH43AlF6の粒径及び嵩密度は小さくなり、NF3を製造する原料としては必ずしも十分なものではない。
【0011】
そこで、上記問題点を解決するため、(NH43AlF6を含有するNH4AlF4のフッ酸スラリーとアンモニアとを反応させる際に、種結晶を添加する方法(特開2000−351001号公報)を先に提案した。しかし、NH4AlF4に含有する(NH43AlF6量により粒子径及び嵩密度が変動し、安定した(NH43AlF6が得られないためNF3を製造する原料としては必ずしも十分なものではない。
【0012】
【問題点を解決するための手段】
本発明者らは、前記問題点を解決するため鋭意検討した結果、(NH43AlF6を含有するNH4AlF4と種結晶、フッ酸及びアンモニアとの反応において、(NH43AlF6を含有するNH4AlF4と種結晶のスラリーにフッ酸とアンモニアを同時に添加し、反応させることによりかかる目的を達成することができることを見い出し本発明に到達した。
【0013】
すなわち本発明は、ヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムを含有するテトラフルオロアルミニウムアンモニウムと種結晶にフッ酸とアンモニアとを同時に添加し反応させ、さらに、テトラフルオロアルミニウムアンモニウムに含有したヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムに対して重量で2〜200倍量の種結晶を添加することを特徴とするヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムの製造方法を提供するものである。
【0014】
以下、本発明について詳細に説明する。
【0015】
反応に使用する原料は、(NH43AlF6を含有するNH4AlF4、フッ酸、アンモニア、種結晶である。先ず(NH43AlF6を含有するNH4AlF4と種晶を反応容器に仕込んだ後、フッ酸とアンモニアとを反応pHが中性になるように同時に添加し、反応させる。反応終了後の(NH43AlF6のスラリ−は、固液分離し、洗浄し150℃で乾燥した。その結果、平均粒子径350μm以上、嵩密度1.1g/cm3以上の(NH43AlF6が得られた。NF3を製造するための原料である(NH43AlF6に要求される粉体特性は、平均粒径が300μm以上、嵩密度が1.1g/cm3以上である。これらの値を下回ると効率的なNF3の製造ができない。
【0016】
原料として使用するNH4AlF4は、(NH43AlF6の含有量が、5〜50重量%の範囲のものが好ましい。かかる範囲未満では種結晶を添加してもその効果が見られない。またこの範囲を超えると粒子径、嵩密度ともに小さいものとなる。従って(NH43AlF6の含有量がこの範囲を超える場合、200〜350℃で加熱分解させて上記範囲内に調整したものを使用することが好ましい。
【0017】
種結晶の添加量は、(NH43AlF6に対して重量で2〜200倍量の範囲が好ましい。かかる範囲未満では効果が少なく、またこの範囲を超えても平均粒径、嵩密度等の粉体物性に顕著な効果は見られない。また、種結晶の種類(NH43AlF6 からなるものとする
【0018】
また、用いるアンモニアは、ガスでも液体でも良く、反応終了時のpHは、6〜8付近が好ましい。pHが8を超えるとアンモニアのロスとなり、また母液処理及び環境面においても好ましくない。一方、pHが6未満だと反応するために必要なアンモニアが不足することになり、反応が完全に進行せず、そのため、純度が低くなり好ましくない。
【0019】
反応温度は、40〜90℃の範囲が好ましい。反応温度が低い場合、粒子径及び嵩密度が小さくなり、純度も低下する。一方、90℃以上では、純度及び平均粒径、嵩密度等の粉体物性の改善が見られず、加熱によるエネルギ−のロスとなり好ましくない。
【0020】
このようにして得られた反応スラリ−を固液分離、洗浄、乾燥することによりNF3の製造に適した平均粒子径、嵩密度が大きい(NH43AlF6を安定して得ることができる。
【0021】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、かかる実施例に限定されるものではない。。
【0022】
実施例1〜12、比較例1〜6
100lのポリテトラフルオロエチレン製の反応槽に水50kgと、(NH43AlF6を特定の割合量で含有したNH4AlF4を12kgと、種結晶として平均粒径が250μmの(NH43AlF6を所定量仕込んだ。その後攪拌しながら、反応温度70℃でフッ酸とアンモニア水をpH7になるように同時に添加し、反応させた。その後反応スラリーは、固液分離し、水洗後150℃で乾燥した。結果を表1、表2に示した。尚、嵩密度は、JIS K5101により測定した。
【0023】
【表1】

Figure 0003880301
【0024】
【表2】
Figure 0003880301
【0025】
【発明の効果】
本発明の方法により、NF3の製造に適した平均粒子径、嵩密度が大きい(NH43AlF6を安定して得ることができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for producing hexafluoroaluminum ammonium used as a raw material for producing nitrogen trifluoride which is useful as a cleaning gas for a semiconductor production apparatus or the like.
[0002]
[Prior art and problems to be solved by the invention]
Nitrogen trifluoride [NF 3 ] is usually a colorless gas and has a boiling point of about −129 ° C. and a melting point of about −208 ° C., and is used as a cleaning gas for semiconductor manufacturing equipment and the like. Various methods for producing this NF 3 have been proposed. For example, in US Pat. No. 3,034,248, gaseous nitrogen is passed through a plasma arc at a temperature exceeding 1000 ° C., and gaseous fluorine is used as an anode. Discloses a method for obtaining NF 3 by introducing it in the post-arc region as close as possible.
[0003]
In addition, gas phase reactions such as a reaction between hydrazide gas and oxygen difluoride and direct fluorination of ammonia are known. In addition, molten salt electrolysis of ammonium / acid fluoride is also known. However, in any of these methods, since the reaction is in the gas phase, it is difficult to control the reaction, and it is necessary to prevent the generation of an atmosphere containing flammable or explosive hydrogen.
[0004]
Furthermore, Japanese Patent Publication No. 55-8926 discloses a method of reacting ammonia oxyfluoride with gaseous fluorine in a molten state. However, since this method is a gas-liquid reaction, the control of the reaction is not always easy, the corrosion of the apparatus is remarkable, and the yield of NF 3 is also low, which is not an industrially sufficient method.
[0005]
In order to solve such inconvenience, JP-A-60-71503 discloses a solid metal fluoride such as hexafluoroaluminum ammonium [(NH 4 ) 3 AlF 6 ] and elemental fluorine at room temperature or higher. A method of reacting is disclosed.
[0006]
As a method for producing a small amount of (NH 4 ) 3 AlF 6 , aluminum hydroxide is put in an aqueous ammonium fluoride solution and boiled, or an aqueous solution of ammonium fluoride and aluminum hydroxide dissolved in hydrofluoric acid are reacted. The method of obtaining is known.
[0007]
However, (NH 4 ) 3 AlF 6 obtained in this way is not necessarily sufficient as a raw material for producing NF 3 because of its small particle size and low bulk density. Specifically, when the particle size is small, the reaction with elemental fluorine proceeds rapidly, the control of the reaction system temperature is not easy, and the reaction temperature is greatly increased. Therefore, (NH 4 ) 3 AlF 6 is self-decomposing and the yield of NF 3 decreases. In addition, when the bulk density is small, there is a problem that the volumetric efficiency of the apparatus is deteriorated. In addition, there are problems in handling such as generation of dust.
[0008]
Therefore, as a solution to the inconvenience, Japanese Patent No. 2856636 achieves such an object in the reaction of tetrafluoroaluminum ammonium [NH 4 AlF 4 ] hydrofluoric acid slurry with ammonia. However, NH 4 AlF 4 as a raw material is not generally produced, and can be obtained by dissolving aluminum hydroxide in hydrofluoric acid and neutralizing with ammonia, but a production process therefor is required.
[0009]
Therefore, when (NH 4 ) 3 AlF 6 and elemental fluorine are reacted in the production of NF 3 , it is conceivable to take a recycling process using NH 4 AlF 4 obtained as a reaction residue.
[0010]
However, unreacted (NH 4 ) 3 AlF 6 remains in NH 4 AlF 4 obtained as a reaction residue. The content of unreacted (NH 4 ) 3 AlF 6 varies depending on the production conditions of NF 3 . That is, in order to increase the productivity of NF 3 and the efficiency of elemental fluorine as a raw material, the content of unreacted (NH 4 ) 3 AlF 6 is increased. When this unreacted (NH 4 ) 3 AlF 6 -containing NH 4 AlF 4 is used as a raw material and produced by the method described in Japanese Patent No. 2856636, the particle size and bulk of (NH 4 ) 3 AlF 6 that crystallizes out. The density becomes small and is not always sufficient as a raw material for producing NF 3 .
[0011]
In order to solve the above problems, a method of adding a seed crystal when reacting ammonia with NH 4 AlF 4 hydrofluoric acid slurry containing (NH 4 ) 3 AlF 6 (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-35001). Gazette) was proposed earlier. However, since the particle diameter and bulk density vary depending on the amount of (NH 4 ) 3 AlF 6 contained in NH 4 AlF 4 and stable (NH 4 ) 3 AlF 6 cannot be obtained, it is not necessarily a raw material for producing NF 3. Not enough.
[0012]
[Means for solving problems]
The present inventors have made intensive studies to solve the above problems, (NH 4) 3 AlF 6 The NH 4 AlF 4 and the seed crystal containing, in the reaction of hydrofluoric acid and ammonia, (NH 4) 3 It has been found that such an object can be achieved by simultaneously adding and reacting hydrofluoric acid and ammonia to a slurry of NH 4 AlF 4 and seed crystals containing AlF 6 .
[0013]
That is, in the present invention, tetrafluoroaluminum ammonium containing hexafluoroaluminum ammonium and seed crystal are simultaneously added with hydrofluoric acid and ammonia to react, and further, by weight relative to hexafluoroaluminum ammonium contained in tetrafluoroaluminum ammonium. The present invention provides a method for producing hexafluoroaluminum ammonium characterized by adding 2 to 200 times the amount of seed crystals.
[0014]
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[0015]
The raw materials used for the reaction are NH 4 AlF 4 containing (NH 4 ) 3 AlF 6 , hydrofluoric acid, ammonia, and seed crystals. First, NH 4 AlF 4 containing (NH 4 ) 3 AlF 6 and seed crystals are charged into a reaction vessel, and then hydrofluoric acid and ammonia are simultaneously added and reacted so that the reaction pH becomes neutral. The (NH 4 ) 3 AlF 6 slurry after completion of the reaction was separated into solid and liquid, washed and dried at 150 ° C. As a result, (NH 4 ) 3 AlF 6 having an average particle diameter of 350 μm or more and a bulk density of 1.1 g / cm 3 or more was obtained. The powder characteristics required for (NH 4 ) 3 AlF 6 , which is a raw material for producing NF 3 , are an average particle size of 300 μm or more and a bulk density of 1.1 g / cm 3 or more. Below these values, NF 3 cannot be produced efficiently.
[0016]
NH 4 AlF 4 used as a raw material preferably has a (NH 4 ) 3 AlF 6 content in the range of 5 to 50% by weight. Below this range, the effect is not seen even if seed crystals are added. When the range is exceeded, both the particle size and the bulk density are small. Therefore, when the content of (NH 4 ) 3 AlF 6 exceeds this range, it is preferable to use one that is thermally decomposed at 200 to 350 ° C. and adjusted to the above range.
[0017]
The amount of seed crystals added is preferably in the range of 2 to 200 times the weight of (NH 4 ) 3 AlF 6 . Below this range, there are few effects, and even if it exceeds this range, there is no significant effect on the powder physical properties such as average particle diameter and bulk density. The type of the seed crystal is assumed to consist of (NH 4) 3 AlF 6.
[0018]
The ammonia used may be gas or liquid, and the pH at the end of the reaction is preferably around 6-8. If the pH exceeds 8, it results in loss of ammonia and is not preferable in terms of mother liquor treatment and environmental aspects. On the other hand, if the pH is less than 6, the ammonia necessary for the reaction will be insufficient, and the reaction will not proceed completely.
[0019]
The reaction temperature is preferably in the range of 40 to 90 ° C. When the reaction temperature is low, the particle size and bulk density are decreased, and the purity is also decreased. On the other hand, when the temperature is 90 ° C. or higher, improvement in powder physical properties such as purity, average particle diameter and bulk density is not observed, and energy loss due to heating is not preferable.
[0020]
It is possible to stably obtain (NH 4 ) 3 AlF 6 having a large average particle diameter and large bulk density suitable for the production of NF 3 by solid-liquid separation, washing and drying of the reaction slurry thus obtained. it can.
[0021]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, it is not limited to this Example. .
[0022]
Examples 1-12, Comparative Examples 1-6
In a 100 l polytetrafluoroethylene reaction vessel, 50 kg of water, 12 kg of NH 4 AlF 4 containing (NH 4 ) 3 AlF 6 in a specific proportion, (NH 4 having an average particle size of 250 μm as a seed crystal) 3 ) A predetermined amount of AlF 6 was charged. Then, while stirring, hydrofluoric acid and aqueous ammonia were simultaneously added to a pH of 7 at a reaction temperature of 70 ° C. for reaction. Thereafter, the reaction slurry was separated into solid and liquid, washed with water and dried at 150 ° C. The results are shown in Tables 1 and 2. The bulk density was measured according to JIS K5101.
[0023]
[Table 1]
Figure 0003880301
[0024]
[Table 2]
Figure 0003880301
[0025]
【The invention's effect】
By the method of the present invention, (NH 4 ) 3 AlF 6 having a large average particle diameter and large bulk density suitable for the production of NF 3 can be obtained stably.

Claims (2)

ヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムを5〜50重量%含有するテトラフルオロアルミニウムアンモニウムと、ヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムからなる種結晶にフッ酸とアンモニアとを同時に添加し、温度40〜90℃で反応させることを特徴とするヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムの製造方法。Tetrafluoroethylene aluminum ammonium containing hexafluoro ammonium aluminum 5 to 50 wt%, the seed crystal consisting of hexafluoro aluminum ammonium, and characterized in that the addition of the hydrofluoric acid and ammonia simultaneously, the reaction is carried out at a temperature 40 to 90 ° C. A method for producing hexafluoroaluminum ammonium. テトラフルオロアルミニウムアンモニウムに含有したヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムに対して重量で2〜200倍量の種結晶を添加することを特徴とする請求項1記載のヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムの製造方法。  The method for producing hexafluoroaluminum ammonium according to claim 1, wherein the seed crystal is added in an amount of 2 to 200 times by weight with respect to hexafluoroaluminum ammonium contained in tetrafluoroaluminum ammonium.
JP2000311357A 2000-10-12 2000-10-12 Method for producing hexafluoroaluminum ammonium Expired - Fee Related JP3880301B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000311357A JP3880301B2 (en) 2000-10-12 2000-10-12 Method for producing hexafluoroaluminum ammonium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000311357A JP3880301B2 (en) 2000-10-12 2000-10-12 Method for producing hexafluoroaluminum ammonium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002121020A JP2002121020A (en) 2002-04-23
JP3880301B2 true JP3880301B2 (en) 2007-02-14

Family

ID=18791139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000311357A Expired - Fee Related JP3880301B2 (en) 2000-10-12 2000-10-12 Method for producing hexafluoroaluminum ammonium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3880301B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4984426B2 (en) * 2005-05-09 2012-07-25 セントラル硝子株式会社 Method for producing ammonium cryolite
JP4978051B2 (en) * 2006-04-26 2012-07-18 セントラル硝子株式会社 Method for producing ammonium cryolite

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002121020A (en) 2002-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8722005B1 (en) Synthesis of hydrogen bis(fluorosulfonyl)imide
JP2987713B2 (en) Method for producing high-purity hexafluorophosphoric acid compound
EP1807354B1 (en) Process for producing manganese fluoride
JP3727797B2 (en) Method for producing nitrogen trifluoride
JP4842272B2 (en) Method for fluorinating manganese compounds
JP3880301B2 (en) Method for producing hexafluoroaluminum ammonium
JP2000169141A (en) Production of ammonium hexafluoroaluminate
WO2001085603A2 (en) Process for producing nitrogen trifluoride and use thereof
JP2856636B2 (en) Production method of ammonium cryolite
US2551571A (en) Method of producing silanes
JP2001048531A (en) Production of ammonium hexafluoroaluminate
JP4166025B2 (en) Method for producing carbonyl difluoride
JP3187544B2 (en) Production method of ammonium cryolite
JP2006342021A (en) Manufacturing method of high purity silver tetrafluoroborate
JPS6261572B2 (en)
JP5036990B2 (en) Method for producing manganese fluoride
WO2007004409A1 (en) Process for synthesis of halogenated nitrogen
JPH06263715A (en) Production of high-purity methanesulfonyl chloride
JP2930351B2 (en) Manufacturing method of NF (3)
US5211921A (en) Process of making niobium oxide
US5302360A (en) Method of working up antimony halide catalyst solutions
JP2002018286A (en) Method for treating metal fluoride and synthesizing catalyst comprising the same
JP2010116395A (en) Manufacturing method of decafluorocyclohexene
JP2006312570A (en) Producing method of ammonium cryolite
JPH0481970B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060131

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060830

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees