JP3858879B2 - Light unit - Google Patents

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Description

本発明は、積層した熱可塑性樹脂部材を加熱状態でプレスすることにより熱可塑性樹脂部材内に発光素子を内蔵したライトユニットに関する。   The present invention relates to a light unit in which a light emitting element is built in a thermoplastic resin member by pressing laminated thermoplastic resin members in a heated state.

例えば、液晶ディスプレイアッセンブリに用いられるバックライトユニットとしては、図5に示すように電源基板1に搭載された冷陰極管2を用いたものが提供されており、冷陰極管2から発した光をプリズムシート3に導入し、拡散板4で前方に光をムラなく反射するようにしている。
特開2002−9349号公報
For example, as a backlight unit used in a liquid crystal display assembly, one using a cold cathode tube 2 mounted on a power supply substrate 1 as shown in FIG. 5 is provided, and light emitted from the cold cathode tube 2 is provided. The light is introduced into the prism sheet 3 so that the light is reflected evenly by the diffusion plate 4.
JP 2002-9349 A

しかしながら、冷陰極管2は寿命が短いと共に、電源基板1が必要となるため、バックライトユニットの薄型化の障害となっている。また、冷陰極管2には環境に対して強負荷物質である水銀が含有しているので、環境への懸念がある。
そこで、特開2002−9349号公報のように基板上にLEDチップを配列し、LEDチップからの光を拡散板で拡散する構成が考えられるものの、LEDチップが実装された基板と拡散板とは別体であることから、組立てが面倒であると共に、一層の薄型化が要望されている。
However, the cold cathode tube 2 has a short life and requires the power supply substrate 1, which is an obstacle to reducing the thickness of the backlight unit. Moreover, since the cold cathode tube 2 contains mercury, which is a substance that is a heavy load to the environment, there is a concern about the environment.
Then, although the structure which arrange | positions an LED chip on a board | substrate like Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-9349, and diffuses the light from an LED chip with a diffusing plate can be considered, the board | substrate with which the LED chip was mounted, and a diffusing plate Since it is a separate body, it is troublesome to assemble and further reduction in thickness is desired.

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、組立てが容易であると共に、一層の薄型化が可能であるライトユニットを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a light unit that can be easily assembled and can be further reduced in thickness.

請求項1の発明によれば、配線用フィルム基板のビアホール内に充填された導電材に導通するように発光素子を位置すると共に、その配線用フィルム基板の発光素子載置面側に光拡散用フィルム基板を位置するように積層し、それらを加熱状態でプレスする。これにより、熱可塑性樹脂部材が互いに溶着し、熱可塑性樹脂部材内に発光素子を内蔵した形態となる。この場合、光拡散手段を一体化することができるので、薄型化を図ることができる。また、プレスにより製造することができるので、製造が容易である。   According to the invention of claim 1, the light emitting element is positioned so as to be electrically connected to the conductive material filled in the via hole of the wiring film substrate, and the light emitting element mounting surface side of the wiring film substrate is used for light diffusion. The film substrates are laminated so as to be positioned, and they are pressed in a heated state. Thereby, the thermoplastic resin members are welded to each other, and the light emitting element is built in the thermoplastic resin member. In this case, since the light diffusing means can be integrated, the thickness can be reduced. Moreover, since it can manufacture with a press, manufacture is easy.

請求項2の発明によれば、発光素子からの光を効果的に散乱することができる。
請求項3,4の発明によれば、LEDチップを用いるようにしたので、一層の薄型化を図ることができる。
請求項5の発明によれば、発光素子から後方に発せられた光を前方に無駄なく向かわせることができる。
According to invention of Claim 2, the light from a light emitting element can be scattered effectively.
According to the third and fourth aspects of the invention, since the LED chip is used, the thickness can be further reduced.
According to the invention of claim 5, the light emitted backward from the light emitting element can be directed forward without waste.

以下、本発明を液晶ディスプレイアッセンブリに適用した一実施の形態を図1ないし図4に基づいて説明する。
図2は、液晶ディスプレイアッセンブリに用いられるバックライトユニットの構造を模式的に示す断面図である。この図2において、バックライトユニット11は、光源用基板12とアルミ板(反射部材に相当)13とを貼り合わして製造されており、以下、光源用基板12について説明する。
Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a liquid crystal display assembly will be described with reference to FIGS.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the backlight unit used in the liquid crystal display assembly. In FIG. 2, the backlight unit 11 is manufactured by bonding a light source substrate 12 and an aluminum plate (corresponding to a reflecting member) 13. Hereinafter, the light source substrate 12 will be described.

本実施の形態で使用している光源用基板12は、出願人が先に開発した多層基板を用いたもので、従来の多層基板よりも高品質、低コストでリサイクルでき、一括プレス加工で高多層化が可能な結晶性転移型熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを基材とするフィルム基板を用いたものである。この結晶性転移型熱可塑性樹脂は、図3に示すように低温度では非晶質性を示し、温度上昇に伴って溶解し、さらに温度が上昇して所定の結晶化温度以上となると結晶化して固化するもので、結晶化した状態では温度低下にかかわらず弾性率がほとんど変化しないという特性を有する特殊な樹脂である。   The light source substrate 12 used in the present embodiment is a multilayer substrate previously developed by the applicant, and can be recycled at a higher quality and lower cost than the conventional multilayer substrate. The film substrate is based on a resin film made of a crystalline transition type thermoplastic resin that can be multilayered. As shown in FIG. 3, this crystalline transition type thermoplastic resin is amorphous at a low temperature, melts as the temperature rises, and further crystallizes when the temperature rises above a predetermined crystallization temperature. It is a special resin that has the property that in a crystallized state, the elastic modulus hardly changes regardless of the temperature drop.

図4は、多層基板の製造方法を簡略的に示している。
(1)第1工程……絶縁基板である樹脂フィルム14の片面に貼り付けられた導体箔(厚さ18ミクロンの銅箔で、以下、導体パターンと称する。アルミ箔等でも可能)15をエッチングにてパターニングする。樹脂フィルム14は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂35〜65重量%とポリエーテルイミド35〜65重量%からなる厚さ25〜75ミクロンの樹脂フィルムを用いる。
FIG. 4 schematically shows a method for manufacturing a multilayer substrate.
(1) First step: Etching the conductor foil (a copper foil having a thickness of 18 microns, hereinafter referred to as a conductor pattern, which may be an aluminum foil or the like) 15 attached to one side of the resin film 14 as an insulating substrate Pattern with. The resin film 14 is a resin film having a thickness of 25 to 75 microns made of 35 to 65% by weight of polyetheretherketone resin and 35 to 65% by weight of polyetherimide.

(2)第2工程……導体パターニングが完了すると、導体が形成されていない面に保護フィルム16を貼付する。保護フィルム16貼付後、樹脂フィルム14側から炭酸ガスレーザを照射して導体パターン15を底面とする有低ビアホール17を形成する。ビアホール17の形成は炭酸ガスレーザの出力と照射時間を調整することで導体パターン15に孔が開かないようにしている。ビアホール17の形成には炭酸ガスレーザ以外にエキシマレーザ等が使用可能である。また、ドリル加工等の機械的加工も可能であるが、微細な穴を開けるにはレーザが望ましい。   (2) Second step: When the conductor patterning is completed, the protective film 16 is attached to the surface where the conductor is not formed. After the protective film 16 is pasted, a carbon dioxide laser is irradiated from the resin film 14 side to form a low via hole 17 having the conductor pattern 15 as a bottom surface. The formation of the via hole 17 prevents the opening of the conductor pattern 15 by adjusting the output of the carbon dioxide laser and the irradiation time. An excimer laser or the like can be used for forming the via hole 17 in addition to the carbon dioxide laser. In addition, although mechanical processing such as drilling is possible, a laser is desirable for making a fine hole.

(3)第3工程……ビアホール17の形成が完了すると、ビアホール17内に層間接続材である導電ペースト(導電材に相当)18を充填する。導電ペースト18は銅、銀、スズ等の金属粒子にバインダ樹脂や有機溶剤を加え、混練してペースト化したものである。導電ペースト18はメタルマスクを用いたスクリーン印刷機により片面導体フィルムの導体パターン15側を下にしてビアホール17内に印刷充填する。   (3) Third step: When the formation of the via hole 17 is completed, the via hole 17 is filled with a conductive paste (corresponding to a conductive material) 18 as an interlayer connection material. The conductive paste 18 is obtained by adding a binder resin or an organic solvent to metal particles such as copper, silver, and tin and kneading them into a paste. The conductive paste 18 is printed and filled into the via hole 17 with a screen printing machine using a metal mask with the conductor pattern 15 side of the single-sided conductor film facing down.

(4)第4工程……導電ペースト18充填後、保護フィルム16を剥離する。以上のようにして、配線用フィルム基板19を製作することができる。
(5)第5工程……上述のようにして製作した配線用フィルム基板19を導体パターン15が下側となるように裏返し、LEDチップ(発光素子に相当)20を導電ペースト18上に位置するようにチップマウンタで実装する。これらのLEDチップ20は、実際には赤色LEDチップ、緑色LEDチップ、青色LEDチップを交互に配列して構成されている。
(4) Fourth step: After filling the conductive paste 18, the protective film 16 is peeled off. The wiring film substrate 19 can be manufactured as described above.
(5) Fifth step: The wiring film substrate 19 manufactured as described above is turned over so that the conductor pattern 15 is on the lower side, and the LED chip (corresponding to a light emitting element) 20 is positioned on the conductive paste 18. Mount with a chip mounter. These LED chips 20 are actually configured by alternately arranging red LED chips, green LED chips, and blue LED chips.

次に、配線用フィルム基板19の表面上に、LEDチップ20を覆うように白色の光拡散用フィルム基板21を複数枚積層する。これらの光拡散用フィルム基板21は透過率がそれぞれ異なっており、通過する光を効果的に拡散するようになっている。この場合、配線用フィルム基板19に積層される一層目の光拡散用フィルム基板21には、LEDチップ20に対応した位置に窓部21aが形成されており、その光拡散用フィルム基板21が配線用フィルム基板19に積層された状態では、その窓部21a内にLEDチップ20が位置するようになっている。   Next, a plurality of white light diffusion film substrates 21 are laminated on the surface of the wiring film substrate 19 so as to cover the LED chips 20. These light diffusing film substrates 21 have different transmittances so that light passing therethrough is effectively diffused. In this case, a window portion 21a is formed at a position corresponding to the LED chip 20 on the first light diffusion film substrate 21 laminated on the wiring film substrate 19, and the light diffusion film substrate 21 is connected to the wiring substrate 19 by wiring. In the state of being laminated on the film substrate 19, the LED chip 20 is positioned in the window portion 21 a.

また、配線用フィルム基板19の裏面上に、導体パターン15を覆うようにカバーレイヤ22を積層する。ここで、カバーレイヤ22層の弾性率は1から1000Mpaが望ましい。これは、それ以上の弾性率では、フィルム間の熱溶着が難しくなるからである。
(6)第6工程……真空加圧プレス機により、200〜350℃で0.1から10Mpaの圧力で加圧する。
Further, the cover layer 22 is laminated on the back surface of the wiring film substrate 19 so as to cover the conductor pattern 15. Here, the elastic modulus of the cover layer 22 is preferably 1 to 1000 MPa. This is because heat welding between films becomes difficult at an elastic modulus higher than that.
(6) Sixth step: Pressurization is performed at 200 to 350 ° C. with a pressure of 0.1 to 10 MPa by a vacuum press machine.

以上のようにして、LEDチップ20を内蔵した多層基板23を製造することができる。
ここで、本実施の形態では、図3に示すように、上記第6工程におけるプレス温度は200℃前後に設定している。この温度では、配線用フィルム基板19及び光拡散用フィルム基板21は非晶質状態で溶解し、各層の熱可塑性樹脂が熱融着により一体化するもので、各層の熱可塑性樹脂は溶解時に優れた接着強度を発揮し、多層基板でも層間の剥離がない優れた特性を有する。
As described above, the multilayer substrate 23 in which the LED chip 20 is incorporated can be manufactured.
Here, in this Embodiment, as shown in FIG. 3, the press temperature in the said 6th process is set to about 200 degreeC. At this temperature, the wiring film substrate 19 and the light diffusion film substrate 21 are melted in an amorphous state, and the thermoplastic resins of the respective layers are integrated by thermal fusion, and the thermoplastic resins of the respective layers are excellent when dissolved. It exhibits excellent adhesive strength, and has excellent characteristics with no delamination even in a multilayer substrate.

バックライトユニット11の製造方法を示す図1において、上述のようにして製造された多層基板23の外周面に遮光部材24を貼り合わせると共に、導体パターン15にコネクタ付きのケーブル25を電気的に接続することにより光源用基板12を製造することができると共に、斯様な光源用基板12にアルミ板13を貼り合わせることによりバックライトユニット11を製造することができる。このアルミ板13は、光源用基板12の放熱とLEDチップ20からの光を前方に反射する機能を有する。   In FIG. 1 showing the manufacturing method of the backlight unit 11, a light shielding member 24 is bonded to the outer peripheral surface of the multilayer substrate 23 manufactured as described above, and a cable 25 with a connector is electrically connected to the conductor pattern 15. Thus, the light source substrate 12 can be manufactured, and the backlight unit 11 can be manufactured by bonding the aluminum plate 13 to the light source substrate 12. The aluminum plate 13 has a function of radiating heat from the light source substrate 12 and reflecting light from the LED chip 20 forward.

さて、以上のように構成されたバックライトユニット11に通電すると、導体パターン15を通じて各赤色LEDチップ20、各緑色LEDチップ20、各青色LEDチップ20に通電されるので、これらのLEDチップ20が点灯し、図2に示すように赤色、緑色、青色の各色の光が光拡散用フィルム基板21を通過するようになる。このとき、LEDチップ20から後方に照射された光は、アルミ板13で反射されるので、LEDチップ20から照射された光を効果的に前方に向かわせることができる。
尚、LEDチップ20に対する通電制御としては、各LEDチップ20に同時に通電する他に、各色のLEDチップに順に通電するようにしてもよい。
When the backlight unit 11 configured as described above is energized, the red LED chip 20, the green LED chip 20, and the blue LED chip 20 are energized through the conductor pattern 15. As shown in FIG. 2, the light is turned on, and light of each color of red, green, and blue passes through the light diffusion film substrate 21. At this time, since the light irradiated backward from the LED chip 20 is reflected by the aluminum plate 13, the light irradiated from the LED chip 20 can be effectively directed forward.
In addition, as energization control with respect to the LED chip 20, in addition to energizing each LED chip 20 simultaneously, you may make it energize to the LED chip of each color in order.

ここで、光拡散用フィルム基板21は、透過率の異なる樹脂フィルムからなるので、光が通過して拡散する際に、その拡散の態様が図2に示すように不均一化される。これにより、光拡散用フィルム基板21から外部に出射する光は、不均一な状態で出射されるので、赤色、緑色、青色の光がよく混合され、明るさのムラがない白色光となって前方に照射される。   Here, since the light diffusing film substrate 21 is made of resin films having different transmittances, when light passes and diffuses, the diffusion mode is nonuniform as shown in FIG. As a result, the light emitted to the outside from the light diffusion film substrate 21 is emitted in a non-uniform state, so that red, green, and blue light are well mixed and become white light with no uneven brightness. Irradiated forward.

このような実施の形態によれば、結晶性転移型熱可塑性樹脂からなる配線用フィルム基板19と光拡散用フィルム基板21とを積層し、加熱状態でプレスすることにより熱可塑性樹脂内にLEDチップ20を内蔵した多層基板からなるバックライトユニット11を製造するようにしたので、冷陰極管を用いる従来例のものと違って、薄型で軽くて長寿命、さらに自然に対する強負荷物質である水銀を使用することがないバックライトユニットを製作することができる。
しかも、本実施の形態で採用している多層基板は大量生産に適しているので、コストの低減を図ることができる。
According to such an embodiment, the wiring film substrate 19 made of the crystalline transition type thermoplastic resin and the light diffusion film substrate 21 are laminated, and pressed in a heated state, whereby the LED chip is placed in the thermoplastic resin. Unlike the conventional example using a cold cathode tube, the backlight unit 11 made of a multilayer substrate 20 is manufactured, so that it is thin and light, has a long life, and is a heavy load substance against nature. A backlight unit that is not used can be manufactured.
In addition, since the multilayer substrate employed in this embodiment is suitable for mass production, cost can be reduced.

(その他の実施の形態)
本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、次のように変形または拡張できる。
青色LEDチップのみが搭載された配線用フィルム基板と、緑色LEDチップのみが搭載された配線用フィルム基板と、青色LEDチップのみが搭載された配線用フィルム基板とを積層し、それらのLEDチップを点灯或いは点滅させることにより白色光を生成するようにしてもよい。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified or expanded as follows.
Laminating a wiring film substrate on which only a blue LED chip is mounted, a wiring film substrate on which only a green LED chip is mounted, and a wiring film substrate on which only a blue LED chip is mounted White light may be generated by lighting or blinking.

LEDチップとして白色LEDを用いるようにしてもよい。
カバーレイヤ22層の裏面にアルミ箔を貼り付けたり、アルミを蒸着したりすることにより反射部材を構成するようにしてもよい。
フィルム基板間に光透過性を有するプリプレグを用いるようにしてもよい。
A white LED may be used as the LED chip.
You may make it comprise a reflection member by sticking aluminum foil on the back surface of the cover layer 22 layer, or vapor-depositing aluminum.
You may make it use the prepreg which has a light transmittance between film substrates.

本発明の一実施の形態におけるバックライトユニットの製造方法を示す図The figure which shows the manufacturing method of the backlight unit in one embodiment of this invention 光源用基板を模式的に示す断面図Sectional drawing which shows the board | substrate for light sources typically 樹脂フィルムの処理温度と弾性率との関係を示す図The figure which shows the relationship between the processing temperature and elastic modulus of a resin film 光源用基板の製造方法を示す図The figure which shows the manufacturing method of the board | substrate for light sources 従来例を示す図2相当図FIG. 2 equivalent diagram showing a conventional example

符号の説明Explanation of symbols

11はバックライトユニット、12は光源用基板、13はアルミ板(反射部材)、15は導体パターン、17はビアホール、19は配線用フィルム基板、20はLEDチップ(発光素子)、21は光拡散用フィルム基板である。   11 is a backlight unit, 12 is a light source substrate, 13 is an aluminum plate (reflecting member), 15 is a conductor pattern, 17 is a via hole, 19 is a film substrate for wiring, 20 is an LED chip (light emitting element), and 21 is light diffusion. Film substrate.

Claims (5)

一方の面に配線用の導体パターンが形成されると共に当該導体パターンを底とするビアホールが形成され、上記導体パターンと導通するように上記ビアホール内に導電材が充填された結晶性転移型熱可塑性樹脂部材からなる配線用フィルム基板と、
この配線用フィルム基板上に位置し、前記導電材を通じて前記導体パターンと導通する発光素子と、
前記配線用フィルム基板の前記発光素子側に位置し、通過する光を拡散する結晶性転移型熱可塑性樹脂部材からなる光拡散用フィルム基板とを備え、
前記各フィルム基板は、加熱状態でプレスされることにより前記発光素子を熱可塑性樹脂内に埋没した形態で互いに熱溶着されていることを特徴とするライトユニット。
A crystalline transition type thermoplastic resin in which a conductor pattern for wiring is formed on one surface and a via hole is formed at the bottom of the conductor pattern, and the via hole is filled with a conductive material so as to be electrically connected to the conductor pattern. A wiring film substrate made of a resin member;
A light emitting element that is located on the wiring film substrate and is electrically connected to the conductor pattern through the conductive material;
A film substrate for light diffusion which is located on the light emitting element side of the wiring film substrate and is made of a crystalline transition type thermoplastic resin member which diffuses light passing therethrough,
The light units, wherein the film substrates are heat-welded to each other in a form in which the light-emitting elements are buried in a thermoplastic resin by being pressed in a heated state.
前記光拡散用フィルム基板は、透過率の異なる複数のフィルム基板からなることを特徴とする請求項1記載のライトユニット。   The light unit according to claim 1, wherein the light diffusion film substrate includes a plurality of film substrates having different transmittances. 前記発光素子は、LEDチップであることを特徴とする請求項1または2記載のライトユニット。   The light unit according to claim 1, wherein the light emitting element is an LED chip. 前記LEDチップは、赤色LEDチップ、緑色LEDチップ、青色LEDチップであることを特徴とする請求項3記載のライトユニット。   The light unit according to claim 3, wherein the LED chip is a red LED chip, a green LED chip, or a blue LED chip. 前記配線用フィルム基板の導体パターン側に設けられた反射部材を備えていることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載のライトユニット。   The light unit according to claim 1, further comprising a reflecting member provided on a conductor pattern side of the wiring film substrate.
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