JP3846697B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
Substrate processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP3846697B2 JP3846697B2 JP2001245984A JP2001245984A JP3846697B2 JP 3846697 B2 JP3846697 B2 JP 3846697B2 JP 2001245984 A JP2001245984 A JP 2001245984A JP 2001245984 A JP2001245984 A JP 2001245984A JP 3846697 B2 JP3846697 B2 JP 3846697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing apparatus
- shielding
- contact
- pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理液を用いて基板に処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板(以下、「基板」という。)の片面にエッチングを行う装置やベベルエッチングを行う装置では、従来より、基板の処理が行われない面に遮蔽板を対向させることにより非処理面への不要な処理液の付着が防止される。基板は、基板を挟んで遮蔽板と対向する回転台上のチャックピンに保持され、回転台側から処理液が供給されることにより基板に処理が行われる。遮蔽板と基板とは近接させるほど好ましいが、遮蔽板と基板とを平行に保つ精度の限界から遮蔽板と基板との間の距離は1mm程度が限界とされる。
【0003】
一方で、基板を所定の面に非常に近接させつつ非接触にて支持する手法として、ベルヌーイ効果を利用したものが知られている。この手法では、基板の主面に対向する面からガスを高速で噴出することにより基板と対向面との間隙を0.1mm程度とすることが実現される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ベルヌーイ効果を利用しつつ基板を遮蔽板にて支持するという手法を考えた場合、基板と遮蔽板とを非常に近接させることが可能となる。しかしながら、基板と遮蔽板とを非常に近接させることが実現されても上述のように基板を保持する回転台と遮蔽板との平行度の限界から、基板を保持して回転させることが困難となる。
【0005】
また、基板をチャックピンによる物理的接触により保持する場合、基板を保持するためにチャックピンを移動させる機構が必要となり、装置製造のコストアップや複雑な機構に起因する処理液の跳ね返りやパーティクルの増加が生じてしまう。さらに、チャック部分の処理ができないために基板に未処理(未洗浄)部分が残存し、後続の処理に悪影響を与えるという問題も生じる。
【0006】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、ベルヌーイ効果を利用して基板を上方から支持しつつ簡単な構成で適切な基板処理を実現することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、処理液を用いて基板に処理を行う基板処理装置であって、基板の上面に対向する面からガスを噴出することによりベルヌーイ効果を利用して前記基板を上方から支持する非接触支持手段と、前記基板の下面に向けて処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板の外周に配置された複数の当接部材と、前記複数の当接部材が固定されるとともに前記基板の下面に対向する回転台と、前記回転台および前記複数の当接部材を前記対向する面に平行な面内にて回転させることにより、前記複数の当接部材の少なくとも一部を前記基板の略周方向に当接させて前記基板を回転させる回転手段とを備える。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記複数の当接部材の少なくとも一部が、前記基板に形成されたノッチと当接する。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記複数の当接部材が前記対向する面に垂直な棒状の部材である。
【0011】
請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記非接触支持手段による前記基板の支持が解除された際に前記基板を下方から接触して支持する接触支持手段と、前記基板の上面に処理液を供給するもう一つの処理液供給手段とをさらに備える。
【0012】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の基板処理装置であって、前記接触支持手段が、前記複数の当接部材の下部である。
【0013】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置1の主要構成を示す断面図である。基板処理装置1は基板9を主面に平行な面内にて回転させつつ化学薬品、有機溶剤等の薬液や純水(以下、「処理液」という。)を供給することにより基板9の表面に処理を行う装置である。基板処理装置1では、基板9の下面に対してベベルエッチングを含む様々な処理を行うことが可能であり、さらに、基板9の上面に対しても処理を行うことが可能とされている。
【0014】
図1は基板処理装置1が基板9の下面に処理を行う様子を示している。基板9の下面は基板9を回転させる回転ベース11と対向し、基板9の上面は遮蔽部12に対向する。基板9は遮蔽部12が退避した状態で回転ベース11に移載され、その後、遮蔽部12が基板9に近接するように移動して遮蔽部12から窒素ガス(以下、「ガス」という。)が噴出される。基板9はガスの流れにより生じるベルヌーイ効果により遮蔽部12に非常に近接した状態で支持される。すなわち、遮蔽部12は基板9を上方から支持する支持体となっている。
【0015】
回転ベース11はモータ21の回転軸211に接続され、遮蔽部12もモータ22の回転軸221に接続される。モータ21の回転軸211は中空となっており、回転軸211内には処理液供給部31から供給される処理液の流路となる供給管311が配置される。供給管311からの処理液は基板9の下面に向けて吐出される。モータ22の回転軸221も中空となっており、回転軸221内には処理液供給部32からの処理液の流路となる供給管321が配置される。基板9の上面の処理の際には供給管321から処理液が基板9の上面に向けて吐出される。
【0016】
回転ベース11は、基板9の下面に対向する板状の回転台111上に複数のピン112が基板9の外周に沿って配置された構造となっている。各ピン112の上部は遮蔽面121aに垂直な棒状となってり、ピン112は基板9の外縁と当接して基板9の水平面内の移動範囲を拘束する部材としての役割を果たす。遮蔽部12は、基板9の上面に対向する遮蔽面121aを有する遮蔽部材121、および、遮蔽部材121の上部を覆う蓋部材122により構成される。遮蔽部材121は皿状となっており、蓋部材122が嵌め合わされることにより遮蔽部12の内部に空間12aが形成される。
【0017】
遮蔽部材121の下部には、空間12aから遮蔽面121aに向かって伸びる複数の穴である噴出口121bが形成されており、空間12aに供給されるガスが噴出口121bから基板9に向けて勢いよく噴出される。すなわち、空間12aは噴出口121bにガスを導く流路の一部となっている。
【0018】
遮蔽部12の上部には、空間12aにガスを供給するために流路部材131および供給ポート132が設けられており、供給ポート132にはガス供給部からチューブ133を介してガスが供給される。流路部材131は回転軸221に取り付けられ、供給ポート132は回転軸221の回転とは無関係な固定部位に取り付けられる。供給ポート132は流路部材131の外周を覆う形状をしており、流路部材131と供給ポート132との間には僅かな隙間が設けられる。このような構造により、回転軸221および流路部材131を回転させつつ固定設置される供給ポート132から流路部材131内の流路に向けて絶えずガスを供給することが可能とされる。
【0019】
図2は、遮蔽部材121の下面(すなわち、遮蔽部12の下面)を示す図である。遮蔽部材121の遮蔽面121aには基板9の周縁部に沿って微小な噴出口121bが多数(好ましくは30個以上)形成される。具体的には、穴の形成方向(穴が伸びる方向)に垂直な断面において直径0.3〜1mm程度の円形の噴出口121bが、1〜6mmの範囲内で環状に等間隔で形成される。また、噴出口121bの向きは基板9の外縁に向かって傾斜する方向とされる(図1参照)。好ましくは、遮蔽面121aに対して角度αが20°〜40°の範囲で形成される。これにより、噴出口121bからガスが勢いよく噴出されるとベルヌーイ効果により基板9が遮蔽面121aから0.1mm程度離れた状態で上方から支持される。
【0020】
また、微小な噴出口121bが基板9の周縁部に対向して等間隔に多数形成されることから、基板9が大型であってもガスの消費量を抑えつつ基板9の周縁部に均一かつ高速のガスの流れを生じさせることができ、安定して基板9を支持することが実現される。
【0021】
遮蔽部材121は処理液に対する耐腐食性を有する樹脂にて一体成型される。好ましくは、PVC(ポリ塩化ビニル)や、硬めのフッ素樹脂としてPCTFE(ポリクロロフルオロエチレン)や、フッ素樹脂より機械強度が高いPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)により一体成型される。噴出口121bは一体成型時に形成されてもよく、遮蔽部材121の原型に対してドリルを用いて形成されてもよい。いずれの手法を用いても精度のよい噴出口121bを有する遮蔽部材121を容易に作製することができる。その結果、基板処理装置1の製造コストを削減しつつ、処理性能の向上および安定化を図ることができる。
【0022】
図3は、遮蔽部12側からの回転ベース11および基板9の様子を示す図である。回転台111上には3つのピンが取り付けられており、1つのピン112aは基板9のノッチ91内に位置するように配置され、2つのピン112bは基板9の外縁に近接して配置される。以下の説明においてこれらのピンを総称する際に「ピン112」という。
【0023】
3つのピン112は、基板9の姿勢を固定するように基板9を強固に保持するのではなく、いずれかのピン112と基板9の外縁との間に隙間が生じるように(いわゆるガタを持たせるように)配置される。すなわち、基板9がピン112の間で僅かに水平方向に移動可能にピン112が配置される。したがって、各ピン112は回転台111に固定されるが、この状態で基板9を3つのピン112の間に挿入可能とされる。
【0024】
一方で、ピン112と基板9との間の隙間は基板9の回転を拘束するように設定される。すなわち、ピン112aがノッチ91から外れないように3つのピン112の間隔が設定される。したがって、回転台111と共に3つのピン112が遮蔽面121aに平行な面内にて回転を開始すると、ピン112aがノッチ91と当接するとともに他の2つのピン112bのうちのいずれか一方が基板9の外縁に当接し、基板9が主面に平行な面内にて回転する。このとき、他方のピン112bと基板9との間には隙間が生じる。このように、基板処理装置1ではノッチ91を利用することにより略円形の基板9を強固に保持することなく容易に回転させることができる。
【0025】
回転台111の回転が減速する際には、基板9と当接していなかったピン112bと基板9とが当接し、基板9と接していたピン112bが基板9から離れる。また、ノッチ91内のピン112aは回転の加速時と減速時とで接触位置が変化する。
【0026】
図1に示すように基板9の下面に処理が行われる場合、基板9はガスの噴出によるベルヌーイ効果により遮蔽部12と非接触の状態で支持され、基板9の水平方向の位置はピン112により制限される。そして、モータ21による回転ベース11の回転により遮蔽部12に支持された状態で基板9がピン112に当接して回転する。このとき、回転ベース11側の供給管311から基板9の下面に向けて処理液が吐出されることにより、基板9の下面および側面、さらには、側面から僅かに上面に至る部位に処理が施される。
【0027】
基板9はベルヌーイ効果を利用して支持され、かつ、基板9は回転ベース11のピン112に保持されないことから、遮蔽部12の遮蔽面121aと回転台111との平行度に多少の誤差が存在したり遮蔽面121aが多少上下したとしても基板9は遮蔽面121aに沿う状態で回転する。したがって、基板9と遮蔽面121aとが接することはない。また、基板9を回転させるピン112は回転台111に固定されているだけである。
【0028】
その結果、極めて簡素化された構成により基板9と遮蔽面121aとを0.1mm程度まで安定して近づけることが可能となり、基板9の上面の雰囲気制御(パーティクルの上面側への進入防止を含む。)を適切に行うことができるとともに、基板9から飛散する処理液が基板処理装置1内で跳ね返った後に基板9の上面に付着することが確実に防止される。
【0029】
なお、基板9が回転する際には、基板9の回転にほぼ合わせるようにして遮蔽部12がモータ22により回転する。これにより、基板9の上面と遮蔽面121aとの間の速度差をなくし、基板9と遮蔽面121aとの間に外気が引き込まれてしまうことが防止される。
【0030】
また、基板9の下面に施される処理として洗浄(例えば、ベベルエッチングによる洗浄)が行われる場合には、処理中に基板9と各ピン112とが接したり離れたりするとともに基板9がピン112に対して僅かに上下動することから、基板9と各ピン112との間の洗浄が特別な機構(例えば、ピン112を移動させる機構)を設けることなく行うことが可能となる。すなわち、未洗浄部分が基板9に残存したり、メカニカルなチャックで基板9が搬送される際にチャックを介して後続の基板9が汚染されることが、特別な機構を用いずに防止することが実現される。
【0031】
さらに、基板処理装置1は既述のように簡素化された構成であることから、基板処理装置1の製造コストの削減およびフットプリントの削減も実現される。
【0032】
図4は基板9の下面に処理が行われた後に上面に処理が行われる際の基板処理装置1の様子を示す断面図である。
【0033】
基板9の上面に処理が行われる際には、まず、図1に示す状態において遮蔽部12へのガスの供給が停止され、基板9が回転台111側へと落下する。図5はピン112の形状を示す図である。ピン112は上部が径の小さい当接部1121となっており、下部が径の大きい支持部1122となっている。すなわち、ピン112はいわゆる2段ピンとされる。
【0034】
当接部1121は、基板9が遮蔽部12に支持される際に基板9の外縁に当接して基板9を回転させる。一方、支持部1122は、遮蔽部12による基板9の支持が解除されて図5中の二点差線にて示す状態から実線にて示すように基板9が落下すると、基板9を下方から接触して支持する役割を果たす。このように、ピン112を2段ピンとすることにより、下面処理時の基板9の回転および上面処理時の基板9の支持が簡単な構成で実現される。
【0035】
基板9がピン112の支持部1122に支持されると、図4に示すように遮蔽部12が基板9から遠ざけられ、遮蔽部12側の供給管321から基板9の上面に向けて処理液が供給される。その後、モータ21が回転することにより基板9が回転ベース11と共に高速で回転し、基板9の表面に処理が施される。
【0036】
以上のように、基板処理装置1では回転ベース11に支持部1122を有するピン112が配置され、供給管311から処理液を吐出することが可能であるため、基板9の下面の処理のみならず上面の処理も行うことが実現される。
【0037】
以上、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置1について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【0038】
上記実施の形態では、基板処理装置1は半導体基板に処理を行うが、処理対象は、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板であってもよい。
【0039】
図6は、ガラス基板のような角形基板の場合の遮蔽部12の構造を示す図であり、図7は回転ベース11の構造を示す図である。図6に示すように、角形の基板9を取り扱う場合、基板9に覆われる領域内にて環状に多数の噴出口121bが遮蔽面121aに形成される。これは、回転ベース11の回転と遮蔽部12の回転とを同期させることができなくても基板9の周縁部全体にベルヌーイ効果を発生させるためである。もちろん、回転ベース11と遮蔽部12との回転を完全に同期させることができる場合には、噴出口121bは基板9の外周に沿って矩形状に配列されることが好ましい。
【0040】
一方、図7に示すように回転ベース11の回転台111上には6個のピン112が配置される。これらのピン112は略円形の基板の場合と同様に基板9を強固に保持するのではなく、基板9との間に僅かな隙間が生じるように配置される。これにより、基板9が回転する際には、各ピン112が基板9の外縁に当接したり離れたりすることにより、ピン112と基板9との間においても適切に処理が行われる。
【0041】
図7に示すように、基板9を回転させるためにはいずれかのピン112を周方向(回転方向)に対してほぼ垂直な方向から基板9に当接させる必要はない。複数のピン112の少なくとも一部が基板9と当接し、当接する際に生じる力が周方向の成分を有することにより基板9を回転させることが実現される。すなわち、基板9を非固定状態とし、基板9に当接させる複数の部材のうちの少なくとも一部を基板9の略周方向に当接させることにより、ベルヌーイ効果を利用しつつ基板9を回転させることが実現される。
【0043】
また、ピン112は加工の容易さおよび構造の簡素化の観点から棒状であることが好ましいが、棒状に限定されるものではなく、任意の形状であってよい。例えば、図8に示すように、平面112dを円形の基板9の外縁に当接させるピン112cが用いられてもよい。なお、図8に示すピン112cは縦断面においてL字状となっており、上面処理の際にはピン112cの下部が基板9を下方から当接して支持する。
【0044】
さらに、ピン112の下部が支持部とされる必要はなく、図9に示すように円筒状のピン112eを配置し、基板9を下方から支持する支持部材112fが別途設けられてもよい。
【0045】
上記実施の形態では、供給管から処理液を吐出することにより基板9に処理液を付与するが、処理液の供給はどのような手法が利用されてもよい。例えば、スプレー式、スリット式等が利用されてもよい。
【0046】
上記実施の形態において噴出口121bの直径は0.3〜1mmが好ましいと説明したが、2mm以下であれば8インチ以上の大型の基板9に対しても適切な支持が可能である。噴出口121bはドリルを用いることにより穴の形成方向に垂直な断面において円形となるものが容易に形成できるが、穴の形状は円形に限定されない。例えば、耐腐食性樹脂を用いて金型で一体成形する際に噴出口121bを形成する場合には矩形等であっても容易に形成することができる。この場合であっても穴の形成方向に垂直な断面において最大幅を2mm以下とすることにより、基板9を適切に支持することができる。
【0047】
上記実施の形態では噴出口121bの間隔は1〜6mmが好ましいと説明したが、実用上は30mm以下という条件が満たされると基板9を適切に支持することができる。また、噴出口121bは等間隔に形成される必要はなく、さらに、円環状に配置されなくても基板9を支持することができる。もちろん、ベルヌーイ効果を基板9の周縁部にて均等に発生するには、噴出口121bが基板9の周縁部に沿って等間隔に形成されることが好ましい。
【0048】
上記実施の形態では、基板9の周縁部に対向する位置からガスを噴出するようにしているが、ガスは基板9の中心に対向する位置からも噴出されてよい。これにより、大型の基板9の中央部に生じるたわみを制御することができる。
【0049】
上記実施の形態では、噴出口121bからガスを噴出することによりベルヌーイ効果を発生するようにしているが、ガスの噴出はスリット状の噴出口から行われてもよい。すなわち、噴出口121bの形状は任意の形状であってよい。
【0050】
【発明の効果】
請求項1ないし5の発明では、簡単な構成で基板と非接触支持手段とを近接させることができ、基板の上面の雰囲気制御を適切に行うことができるとともに、基板から飛散する処理液が跳ね返った後に基板の上面に付着することが確実に防止される。また、基板処理装置の構造を簡素化することができる。
【0051】
また、請求項2の発明では、ノッチを利用して基板を容易に回転させることができ、請求項3の発明では、基板処理装置の構造を簡素化することができる。
【0052】
また、請求項4の発明では、基板の上面にも処理を行うことができ、請求項5の発明では、簡単な構成で下面処理時の基板の回転および上面処理時の基板の支持が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】基板処理装置の主要構成を示す断面図である。
【図2】遮蔽部材の下面を示す図である。
【図3】遮蔽部側からの回転ベースおよび基板の様子を示す図である。
【図4】基板の上面に処理が行われる際の基板処理装置の様子を示す断面図である。
【図5】ピンを示す図である。
【図6】遮蔽部の他の構造を示す図である。
【図7】回転ベースの他の構造を示す図である。
【図8】ピンの他の形状を説明するための図である。
【図9】支持部材を設けた様子を示す図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
9 基板
11 回転ベース
12 遮蔽部
21 モータ
31,32 処理液供給部
91 ノッチ
112,112a,112b,112c,112e ピン
112f 支持部材
121a 遮蔽面
311,312 供給管
1121 当接部
1122 支持部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in an apparatus for performing etching on one side of a semiconductor substrate (hereinafter referred to as “substrate”) or an apparatus for performing bevel etching, a shield plate is opposed to a surface on which a substrate is not processed, so that a non-processed surface is formed. Adhesion of unnecessary treatment liquid is prevented. The substrate is held by chuck pins on a turntable facing the shielding plate with the substrate interposed therebetween, and the substrate is processed by supplying a processing liquid from the turntable side. The closer the shielding plate and the substrate are, the better. However, the distance between the shielding plate and the substrate is limited to about 1 mm from the limit of accuracy for keeping the shielding plate and the substrate parallel.
[0003]
On the other hand, as a technique for supporting a substrate in a non-contact manner while being very close to a predetermined surface, a technique using the Bernoulli effect is known. In this method, the gap between the substrate and the facing surface can be reduced to about 0.1 mm by ejecting gas at a high speed from the surface facing the main surface of the substrate.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, when a method of supporting the substrate with the shielding plate while utilizing the Bernoulli effect is considered, the substrate and the shielding plate can be brought very close to each other. However, even if it is realized that the substrate and the shielding plate are very close to each other, it is difficult to hold and rotate the substrate because of the limit of parallelism between the turntable that holds the substrate and the shielding plate as described above. Become.
[0005]
In addition, when the substrate is held by physical contact with the chuck pins, a mechanism for moving the chuck pins is required to hold the substrate, which increases the manufacturing cost of the apparatus and causes rebounding of processing liquid and particles caused by complicated mechanisms. An increase will occur. Furthermore, since the chuck portion cannot be processed, an unprocessed (uncleaned) portion remains on the substrate, which causes a problem of adversely affecting subsequent processing.
[0006]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to realize appropriate substrate processing with a simple configuration while supporting a substrate from above using the Bernoulli effect.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The invention described in
[0008]
A second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein at least a part of the plurality of abutting members abuts on notches formed in the substrate.
[0010]
A third aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect , wherein the plurality of contact members are bar-shaped members perpendicular to the facing surfaces.
[0011]
A fourth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the substrate is contacted from below when the support of the substrate by the non-contact support means is released. Contact support means for supporting the substrate and another processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate.
[0012]
A fifth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fourth aspect , wherein the contact support means is a lower portion of the plurality of contact members.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a sectional view showing a main configuration of a
[0014]
FIG. 1 shows how the
[0015]
The
[0016]
The
[0017]
A lower part of the shielding
[0018]
A
[0019]
FIG. 2 is a diagram illustrating the lower surface of the shielding member 121 (that is, the lower surface of the shielding portion 12). A large number (preferably 30 or more) of
[0020]
In addition, since a large number of the
[0021]
The shielding
[0022]
FIG. 3 is a diagram showing the state of the
[0023]
The three
[0024]
On the other hand, the gap between the
[0025]
When the rotation of the
[0026]
As shown in FIG. 1, when processing is performed on the lower surface of the substrate 9, the substrate 9 is supported in a non-contact state with the shielding
[0027]
Since the substrate 9 is supported using the Bernoulli effect, and the substrate 9 is not held by the
[0028]
As a result, the substrate 9 and the
[0029]
When the substrate 9 rotates, the
[0030]
Further, when cleaning (for example, cleaning by bevel etching) is performed as a process performed on the lower surface of the substrate 9, the substrate 9 and each
[0031]
Furthermore, since the
[0032]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the state of the
[0033]
When processing is performed on the upper surface of the substrate 9, first, the supply of gas to the
[0034]
The
[0035]
When the substrate 9 is supported by the
[0036]
As described above, in the
[0037]
The
[0038]
In the above embodiment, the
[0039]
FIG. 6 is a view showing the structure of the shielding
[0040]
On the other hand, as shown in FIG. 7, six
[0041]
As shown in FIG. 7, in order to rotate the substrate 9, any
[0043]
The
[0044]
Further, the lower portion of the
[0045]
In the above embodiment, the processing liquid is applied to the substrate 9 by discharging the processing liquid from the supply pipe, but any method may be used for supplying the processing liquid. For example, a spray type, a slit type, or the like may be used.
[0046]
In the above embodiment, it has been described that the diameter of the
[0047]
In the above embodiment, it has been described that the interval between the
[0048]
In the above embodiment, the gas is ejected from a position facing the peripheral edge of the substrate 9, but the gas may also be ejected from a position facing the center of the substrate 9. Thereby, the deflection | deviation which arises in the center part of the large sized board | substrate 9 is controllable.
[0049]
In the above-described embodiment, the Bernoulli effect is generated by ejecting gas from the
[0050]
【The invention's effect】
In the first to fifth aspects of the invention, the substrate and the non-contact support means can be brought close to each other with a simple configuration, the atmosphere on the upper surface of the substrate can be appropriately controlled, and the processing liquid splashed from the substrate rebounds. After that, it is reliably prevented from adhering to the upper surface of the substrate. Further, the structure of the substrate processing apparatus can be simplified.
[0051]
In the invention of claim 2, the substrate can be easily rotated using the notch, and in the invention of claim 3, the structure of the substrate processing apparatus can be simplified.
[0052]
Further, in the invention of claim 4, the processing can be performed also on the upper surface of the substrate, and in the invention of claim 5 , the rotation of the substrate during the lower surface processing and the support of the substrate during the upper surface processing are realized with a simple configuration. The
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main configuration of a substrate processing apparatus.
FIG. 2 is a view showing a lower surface of a shielding member.
FIG. 3 is a diagram showing a state of a rotating base and a substrate from a shielding part side.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of the substrate processing apparatus when processing is performed on the upper surface of the substrate.
FIG. 5 shows a pin.
FIG. 6 is a diagram showing another structure of the shielding part.
FIG. 7 is a view showing another structure of the rotation base.
FIG. 8 is a diagram for explaining another shape of a pin.
FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which a support member is provided.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (5)
基板の上面に対向する面からガスを噴出することによりベルヌーイ効果を利用して前記基板を上方から支持する非接触支持手段と、
前記基板の下面に向けて処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板の外周に配置された複数の当接部材と、
前記複数の当接部材が固定されるとともに前記基板の下面に対向する回転台と、
前記回転台および前記複数の当接部材を前記対向する面に平行な面内にて回転させることにより、前記複数の当接部材の少なくとも一部を前記基板の略周方向に当接させて前記基板を回転させる回転手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid,
Non-contact support means for supporting the substrate from above using the Bernoulli effect by jetting gas from the surface facing the upper surface of the substrate;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid toward the lower surface of the substrate;
A plurality of contact members disposed on an outer periphery of the substrate;
A turntable that fixes the plurality of contact members and faces the lower surface of the substrate;
By rotating the turntable and the plurality of contact members in a plane parallel to the opposing surface, at least a part of the plurality of contact members is contacted in a substantially circumferential direction of the substrate. A rotating means for rotating the substrate;
A substrate processing apparatus comprising:
前記複数の当接部材の少なくとも一部が、前記基板に形成されたノッチと当接することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein at least some of the plurality of contact members are in contact with notches formed in the substrate.
前記複数の当接部材が前記対向する面に垂直な棒状の部材であることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of contact members are rod-shaped members perpendicular to the facing surfaces.
前記非接触支持手段による前記基板の支持が解除された際に前記基板を下方から接触して支持する接触支持手段と、
前記基板の上面に処理液を供給するもう一つの処理液供給手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 ,
Contact support means for contacting and supporting the substrate from below when the support of the substrate by the non-contact support means is released;
Another processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate;
A substrate processing apparatus further comprising:
前記接触支持手段が、前記複数の当接部材の下部であることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 4 ,
The substrate processing apparatus, wherein the contact support means is a lower part of the plurality of contact members.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001245984A JP3846697B2 (en) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | Substrate processing equipment |
US10/102,391 US6669808B2 (en) | 2001-03-22 | 2002-03-18 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001245984A JP3846697B2 (en) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003059896A JP2003059896A (en) | 2003-02-28 |
JP3846697B2 true JP3846697B2 (en) | 2006-11-15 |
Family
ID=19075631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001245984A Expired - Fee Related JP3846697B2 (en) | 2001-03-22 | 2001-08-14 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3846697B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI348934B (en) * | 2007-08-30 | 2011-09-21 | Lam Res Ag | Apparatus for wet treatment of plate-like articles |
DE102008037404A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Schott Solar Ag | Process for the chemical treatment of a substrate |
CN110610894B (en) * | 2012-11-27 | 2023-08-04 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | Method for cleaning back surface of substrate using substrate supporting device |
JP6525080B1 (en) * | 2018-03-13 | 2019-06-05 | 信越半導体株式会社 | Wafer processing apparatus and processing method |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3027934A1 (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | METHOD FOR ONE-SIDED ASSEMBLY OF SEMICONDUCTOR DISC |
JP3088118B2 (en) * | 1991-04-01 | 2000-09-18 | 株式会社日立製作所 | Plate processing apparatus, plate processing method and semiconductor device manufacturing method |
JP3440655B2 (en) * | 1995-10-31 | 2003-08-25 | 株式会社日立製作所 | Sample holding method, sample rotating method, sample surface fluid processing method, and their devices |
JP2001015477A (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | Substrate-treating method and apparatus thereof |
JP2001060574A (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Nisso Engineering Co Ltd | Semiconductor wafer cleaning system |
JP3660581B2 (en) * | 2000-12-04 | 2005-06-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP3892676B2 (en) * | 2001-03-22 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
-
2001
- 2001-08-14 JP JP2001245984A patent/JP3846697B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003059896A (en) | 2003-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6669808B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP6521242B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP4397299B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4976949B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP5470306B2 (en) | Two-fluid nozzle, substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable recording medium recording a substrate liquid processing program | |
JP4657090B2 (en) | Substrate processing equipment | |
TWI698922B (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
US20160351421A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
TWI524399B (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
JP2008108830A (en) | Two-fluid nozzle unit and substrate processing apparatus employing the same | |
JP5726686B2 (en) | Liquid processing apparatus and method for controlling liquid processing apparatus | |
JP4128344B2 (en) | Substrate processing equipment | |
US20070193607A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning edges of a substrate | |
JP3846697B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4544634B2 (en) | Substrate support device | |
JP3292639B2 (en) | Rotation holding device and method | |
JP2008300454A (en) | Substrate-treating device and substrate treatment method | |
JP2006060161A (en) | Wafer processing apparatus | |
KR102096945B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
JP7187268B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
JP2008300453A (en) | Substrate-treating device and substrate treatment method | |
KR100858240B1 (en) | Substrate spin apparatus | |
JP6416652B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2006120666A (en) | Substrate-treating device | |
JP2006086384A (en) | Substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060531 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060817 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3846697 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130901 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |