JP3832576B2 - WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, PANEL MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE - Google Patents

WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, PANEL MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE Download PDF

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JP3832576B2 JP2002091568A JP2002091568A JP3832576B2 JP 3832576 B2 JP3832576 B2 JP 3832576B2 JP 2002091568 A JP2002091568 A JP 2002091568A JP 2002091568 A JP2002091568 A JP 2002091568A JP 3832576 B2 JP3832576 B2 JP 3832576B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板、半導体装置及びその製造方法、パネルモジュール並びに電子機器に関する。
【0002】
【発明の背景】
半導体チップの実装形態として知られるCOF(Chip On Film)では、基板に反りやゆがみが生じないようすることが難しかった。特に、基板に、その方向を知るなどのためにマークを形成することが知られているが、マークを形成することで基板上のパターンが左右非対称になるため、基板の反りやゆがみを抑えることが難しかった。
【0003】
本発明は、従来の問題点を解決するものであり、その目的は、基板の少なくとも方向を認識することができ、かつ、基板の反りやゆがみを抑えることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る配線基板は、基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
前記基板に形成された一対のダミーパターンと、
を有し、
前記一対のダミーパターンの外形は、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記ダミーパターンの外形の内側の表面形状は、マークを有し、
他方の前記ダミーパターンの外形の内側は、前記マークを有する表面形状と異なる表面形状になっている。
【0005】
本発明によれば、基板にダミーパターンが形成されているので、基板における配線パターンが形成されていない部分が減って、基板の反りやゆがみを抑えることができる。また、一対のダミーパターンの形状が線対称になっているので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。また、マークによって基板の少なくとも方向を認識することができる。マークは、一方のダミーパターンの外形の内側に存在し、他方のダミーパターンの外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターンの外形が線対称であるので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。
【0006】
(2)この配線基板において、
前記配線パターンは、1つ又はそれ以上のグループの配線からなり、
それぞれのグループの前記配線は、一方の先端が一直線に並ぶように形成されていてもよい。
【0007】
(3)この配線基板において、
それぞれの前記ダミーパターンは、前記配線パターンに囲まれた領域に形成されていてもよい。
【0008】
(4)この配線基板において、
前記ダミーパターンは、前記配線パターンと同じ材料で形成されていてもよい。
【0009】
(5)この配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターンに形成された貫通穴であってもよい。
【0010】
(6)この配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターン及び前記基板に形成された貫通穴であってもよい。
【0011】
(7)この配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターン上の樹脂層に形成された貫通穴であってもよい。
【0012】
(8)この配線基板において、
前記一対のダミーパターンを一対の第1のダミーパターンとし、前記マークを第1のマークとして、
一対の第2のダミーパターンをさらに有し、
前記一対の第2のダミーパターンの外形は、前記一対の第1のダミーパターンの対称の基準となる線を基準として、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記第2のダミーパターンの外形の内側の表面形状は、第2のマークを有し、
他方の前記第2のダミーパターンの外形の内側は、前記第2のマークを有する表面形状と異なる表面形状になっていてもよい。
【0013】
(9)この配線基板において、
前記対称の基準となる線を境界として一方の側に、前記第1のマークが形成され、
前記対称の基準となる線を境界として他方の側に、前記第2のマークが形成されていてもよい。
【0014】
(10)この配線基板において、
前記第1及び第2のマークは、大きさ又は形状において異っていてもよい。
【0015】
(11)本発明に係る半導体装置は、基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
前記基板に形成された一対のダミーパターンと、
前記基板に搭載され、前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を有し、
前記一対のダミーパターンの外形は、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記ダミーパターンの外形の内側の表面形状は、マークを有し、
他方の前記ダミーパターンの外形の内側は、前記マークを有する表面形状と異なる表面形状になっている。
【0016】
本発明によれば、基板にダミーパターンが形成されているので、基板における配線パターンが形成されていない部分が減って、基板の反りやゆがみを抑えることができる。また、一対のダミーパターンの形状が線対称になっているので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。また、マークによって基板の少なくとも方向を認識することができる。マークは、一方のダミーパターンの外形の内側に存在し、他方のダミーパターンの外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターンの外形が線対称であるので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。
【0017】
(12)この半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記半導体チップと電気的に接続されなくてもよい。
【0018】
(13)この半導体装置において、
それぞれの前記ダミーパターンは、前記配線パターンに囲まれた領域に形成されていてもよい。
【0019】
(14)この半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記配線パターンと同じ材料で形成されていてもよい。
【0020】
(15)この半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターンに形成された貫通穴であってもよい。
【0021】
(16)この半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターン及び前記基板に形成された貫通穴であってもよい。
【0022】
(17)この半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターン上の樹脂層に形成された貫通穴であってもよい。
【0023】
(18)この半導体装置において、
前記一対のダミーパターンを一対の第1のダミーパターンとし、前記マークを第1のマークとして、
一対の第2のダミーパターンをさらに有し、
前記一対の第2のダミーパターンの外形は、前記一対の第1のダミーパターンの対称の基準となる線を基準として、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記第2のダミーパターンの外形の内側の表面形状は、第2のマークを有し、
他方の前記第2のダミーパターンの外形の内側は、前記第2のマークを有する表面形状と異なる表面形状になっていてもよい。
【0024】
(19)この半導体装置において、
前記対称の基準となる線を境界として一方の側に、前記第1のマークが形成され、
前記対称の基準となる線を境界として他方の側に、前記第2のマークが形成されていてもよい。
【0025】
(20)この半導体装置において、
前記第1及び第2のマークは、大きさ又は形状において異っていてもよい。
【0026】
(21)本発明に係るパネルモジュールは、上記半導体装置と、
前記基板に取り付けられ、前記配線パターンに電気的に接続されてなるパネルと、
を有する。
【0027】
(22)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【0028】
(23)本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記配線基板に半導体チップを実装することを含み、
前記配線基板の方向を前記マークの有無によって認識する。
【0029】
本発明によれば、配線基板の方向を認識するので、不良品の発生を減らすことができる。また、基板にダミーパターンが形成されているので、基板における配線パターンが形成されていない部分が減って、基板の反りやゆがみを抑えることができる。さらに、一対のダミーパターンの形状が線対称になっているので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。マークは、一方のダミーパターンの外形の内側に存在し、他方のダミーパターンの外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターンの外形が線対称であるので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。以上のことから、半導体チップの実装の信頼性を高めることができる。
【0030】
(24)本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記配線基板に半導体チップを実装することを含み、
前記配線基板の方向を前記第1のマークの有無によって認識し、
前記配線パターンと前記半導体チップとの位置合わせを、前記第1及び第2のマークを基準として行う。
【0031】
本発明によれば、配線基板の方向を認識し、配線パターンと半導体チップとの位置合わせを行うので、不良品の発生を減らすことができる。また、基板にダミーパターンが形成されているので、基板における配線パターンが形成されていない部分が減って、基板の反りやゆがみを抑えることができる。さらに、一対のダミーパターンの形状が線対称になっているので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。マークは、一方のダミーパターンの外形の内側に存在し、他方のダミーパターンの外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターンの外形が線対称であるので、非対称的な基板の反りやゆがみが生じにくい。以上のことから、半導体チップの実装の信頼性を高めることができる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【0033】
配線基板は、基板10を有する。基板10は、ポリイミド等の樹脂で形成されていてもよい。基板10は、可撓性を有していてもよい。基板10は、テープであってもよく、その場合、基板10にスプロケットホール12が形成されていてもよい。配線基板は、TAB(Tape Automated Bonding)テープであってもよい。
【0034】
基板10には、配線パターン20が形成されている。配線パターン20は、他の部品(例えば図2に示す半導体チップ60や図3に示すパネル80)に電気的に接続される。配線パターン20は、銅などの導電材料(例えば金属)で形成してもよい。配線パターン20は、基板10に貼り付けた金属箔をエッチングして形成してもよいし、基板10に材料を蒸着して形成してもよい。図1には、1つの配線パターン20が示されているが、複数の配線パターン20が基板10に形成されていてもよい。
【0035】
配線パターン20は、1つ又はそれ以上のグループの配線(例えば、第1〜第4のグループの配線21〜24)からなる。それぞれのグループの配線は、一方の先端(以下、第1の先端という。)が一直線に並ぶように形成されてなる。第1の先端は、基板10に搭載される部品(例えば図2に示す半導体チップ60)と電気的に接続される側の先端であってもよい。第2〜第4のグループの配線22〜24も同様である。
【0036】
少なくとも1グループの配線(例えば第1のグループの配線21)は、他方の先端(第1の先端とは反対側の先端。以下、第2の先端という。)も一直線(第1の先端が並ぶ直線とは別の直線)に並ぶように形成されていてもよい。少なくとも1グループの配線(例えば第2のグループの配線22)は、第2の先端が一直線に並ぶ3つ以上の配線26と、その直線から外れる位置に第2の先端が位置する少なくとも1つの配線28と、から構成されていてもよい。
【0037】
少なくとも1グループの配線(例えば第3又は第4のグループの配線23,24)は、第2の先端が、他のグループの配線(例えば第1及び第2のグループの配線21,22)の第2の先端(一直線に並ぶ3つ以上の第2の先端)と一直線に並ぶ配線30,32を含んでいてもよい。詳しくは、少なくとも1グループの配線(例えば第3又は第4のグループの配線23,24)は、1つのグループの配線(例えば第1のグループの配線21)の第2の先端(一直線に並ぶ3つ以上の第2の先端)と一直線に並ぶ配線30と、他のグループの配線(例えば第2のグループの配線22)の第2の先端(一直線に並ぶ3つ以上の第2の先端)と一直線に並ぶ配線32と、を含む。少なくとも1グループの配線(例えば第3又は第4のグループの配線23,24)は、一直線に並ばないように第2の先端が位置する配線34をさらに含んでもよい。
【0038】
少なくとも1つのグループの配線(例えば第1のグループの配線21)において、一直線に並ぶ第2の先端は、基板10に取り付けられる部品(例えば図3に示すパネル80)と電気的に接続される側の先端であってもよい。基板10がテープである場合、配線パターン20は、基板10の長手方向に延びるように形成されていてもよい。一直線に並ぶ第2の先端は、基板10の幅方向に並んでいてもよい。
【0039】
基板10には、一対のダミーパターン40,42が形成されている。詳しくは、1つの配線パターン20に対応して、一対のダミーパターン40,42が形成されている。したがって、複数の配線パターン20が基板10に形成されている場合、基板10には、それぞれの配線パターン20に対応して、一対のダミーパターン40,42が形成される。
【0040】
基板10にダミーパターン40が形成されているので、基板10における配線パターン20が形成されていない部分が減って、基板10の反りやゆがみを抑えることができる。一対のダミーパターン40,42の外形は、線Lを基準として、相互に線対称となる形状である。線Lは、基板10の長手軸に沿った方向に延びていてもよい。線Lは、基板10の幅方向の中心を通っていてもよい。一対のダミーパターン40,42の形状が線対称になっているので、非対称的な基板10の反りやゆがみが生じにくい。それぞれのダミーパターン40,42の外形形状は、特に限定されず、多角形であっても、円形であっても、これらを組み合わせた形状であってもよい。一対のダミーパターン40,42の外形は、線Lを基準として、相互に線対称となる位置に形成されていてもよい。それぞれのダミーパターン40,42は、配線パターン20(例えば配線26,32)に囲まれた領域に形成されていてもよい。ダミーパターン40,42は、配線パターン20と同じ材料で形成してもよい。ダミーパターン40,42は、配線パターン20と同時に形成してもよい。
【0041】
一方のダミーパターン40の外形の内側の表面形状は、マーク44を有している。マーク44は、ダミーパターン40に形成された貫通穴であってもよいし、ダミーパターン40及び基板10に形成された貫通穴であってもよいし、ダミーパターン40上の樹脂層(例えばレジスト層)に形成された貫通穴であってもよい。マーク44の形状は、特に限定されず、円形であっても、多角形であっても、これらを組み合わせた形状であってもよい。
【0042】
他方のダミーパターン42の外形の内側は、マーク44を有する表面形状(ダミーパターン40の外形の内側の表面形状)と異なる表面形状になっている。図1に示すダミーパターン42の外形の内側には、複数のラインが形成されている。あるいは、ダミーパターン42は無模様であってもよい。
【0043】
マーク44によって基板10の少なくとも方向を認識することができる。マーク44は、一方のダミーパターン40の外形の内側に存在し、他方のダミーパターン42の外形の内側には存在しないが、両方のダミーパターン40,42の外形が線対称であるので、非対称的な基板10の反りやゆがみが生じにくい。
【0044】
一対のダミーパターン40,42を一対の第1のダミーパターンとして、基板10には、一対の第2のダミーパターン50,52が形成されていてもよい。一対の第2のダミーパターン50,52の外形は、一対の第1のダミーパターン40,42の対称の基準となる線Lを基準として、相互に線対称となる形状であってもよい。
【0045】
マーク44を第1のマークとして、一方の第2のダミーパターン50の外形の内側の表面形状は、第2のマーク54を有していてもよい。他方の第2のダミーパターン52の外形の内側は、第2のマーク54を有する表面形状と異なる表面形状になっていてもよい。その他の点に関して、第2のダミーパターン50,52及び第2のマーク54について、ダミーパターン40,42及び第1のマーク44について説明した内容が該当する。
【0046】
本実施の形態によれば、2つのマーク(第1及び第2のマーク44,54)によって、基板10に搭載する部品(例えば半導体チップ)の位置合わせを行うことができる。一対のダミーパターン40,42の対称の基準となる線Lを境界として一方の側に、第1のマーク44が形成され、他方の側に、第2のマーク54が形成されていてもよい。その場合、第1及び第2のマーク44,54の距離が大きくなるので、位置合わせの精度が高くなる。第1及び第2のマーク44,54は、大きさ又は形状において異なっていてもよい。こうすることで、基板10の方向を認識することが可能である。
【0047】
図2は、本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図2に示す半導体装置は、図1に示す配線基板と、基板10に搭載された半導体チップ60と、を有する。基板10に複数の配線パターン20が形成されている場合、半導体装置は、複数の半導体チップ60を有する。
【0048】
半導体チップ60は、配線パターン20に電気的に接続されている。詳しくは、半導体チップ60は、1つ又はそれ以上のグループの配線(例えば、第1〜第4のグループの配線21〜24)において、上述した一直線に並ぶ第1の先端側の部分に電気的に接続されている。電気的接続には、COF実装で一般に行われる方法を適用することができる。第1及び第2のダミーパターン40,42,50,52は、半導体チップ60と電気的に接続されない。半導体装置に関するその他の内容は、上述した配線基板についての内容が該当する。
【0049】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板10に半導体チップ60を実装することを含む。そして、基板10の方向をマーク44の有無によって認識してもよい。また、配線パターン20と半導体チップ60との位置合わせを、第1及び第2のマーク44,54を基準として行ってもよい。
【0050】
本実施の形態では、基板10の方向を認識し、配線パターン20と半導体チップ60との位置合わせを行うので、不良品の発生を減らすことができる。また、上述したように、基板10の反りやゆがみを抑えることができるので、半導体チップ60の実装の信頼性を高めることができる。
【0051】
図3は、本実施の形態に係るパネルモジュールを示す図である。パネルモジュールは、半導体装置70とパネル80を有する。半導体装置70は、基板72と半導体チップ60を有する。基板72は、図2に示す基板10を打ち抜いて得られたものであってもよい。パネル80は、表示パネル(例えば液晶パネル、有機EL(Electroluminescence)パネル)であってもよい。その場合、パネルモジュールは、表示パネルモジュールということができる。基板72はパネル80に取り付けられている。基板72に形成された配線パターン20は、パネル20に形成された図示しない配線パターン(又はリード)に電気的に接続されている。
【0052】
上述した半導体装置又はパネルモジュールを有する電子機器として、図4にはノート型パーソナルコンピュータ1000が示され、図5には携帯電話2000が示されている。
【0053】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図2】図2は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図3】図3は、本発明を適用した実施の形態に係るパネルモジュールを示す図である。
【図4】図4は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図5】図5は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
10 基板
20 配線パターン
40 ダミーパターン
42 ダミーパターン
44 マーク
50 第2のダミーパターン
52 第2のダミーパターン
54 第2のマーク
60 半導体チップ
70 半導体装置
80 パネル
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wiring board, a semiconductor device, a manufacturing method thereof, a panel module, and an electronic device.
[0002]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In COF (Chip On Film), which is known as a semiconductor chip mounting form, it is difficult to prevent the substrate from warping or distortion. In particular, it is known to form a mark on the substrate to know its direction, etc. However, the formation of the mark makes the pattern on the substrate asymmetrical, so that the warpage and distortion of the substrate can be suppressed. It was difficult.
[0003]
The present invention solves the conventional problems, and an object of the present invention is to recognize at least the direction of the substrate and to suppress warping and distortion of the substrate.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
(1) A wiring board according to the present invention comprises: a board;
A wiring pattern formed on the substrate;
A pair of dummy patterns formed on the substrate;
Have
The external shape of the pair of dummy patterns is a shape that is line-symmetric with each other,
The surface shape inside the outer shape of one of the dummy patterns has a mark,
The inside of the outer shape of the other dummy pattern has a surface shape different from the surface shape having the mark.
[0005]
According to the present invention, since the dummy pattern is formed on the substrate, the portion of the substrate where the wiring pattern is not formed is reduced, and the warpage and distortion of the substrate can be suppressed. In addition, since the shape of the pair of dummy patterns is axisymmetric, asymmetric substrate warpage and distortion are unlikely to occur. Further, at least the direction of the substrate can be recognized by the mark. The mark exists inside the outer shape of one dummy pattern and does not exist inside the outer shape of the other dummy pattern. However, since the outer shapes of both dummy patterns are axisymmetric, the warp and distortion of the asymmetric substrate Is unlikely to occur.
[0006]
(2) In this wiring board,
The wiring pattern is composed of one or more groups of wirings;
The wirings of each group may be formed so that one end thereof is aligned.
[0007]
(3) In this wiring board,
Each of the dummy patterns may be formed in a region surrounded by the wiring pattern.
[0008]
(4) In this wiring board,
The dummy pattern may be formed of the same material as the wiring pattern.
[0009]
(5) In this wiring board,
The mark may be a through hole formed in the dummy pattern.
[0010]
(6) In this wiring board,
The mark may be a through hole formed in the dummy pattern and the substrate.
[0011]
(7) In this wiring board,
The mark may be a through hole formed in the resin layer on the dummy pattern.
[0012]
(8) In this wiring board,
The pair of dummy patterns as a pair of first dummy patterns, and the mark as a first mark,
A pair of second dummy patterns;
The outer shape of the pair of second dummy patterns is a shape that is symmetrical with respect to each other with respect to a line that is a reference for symmetry of the pair of first dummy patterns,
The surface shape inside the outer shape of one of the second dummy patterns has a second mark,
The inside of the outer shape of the other second dummy pattern may have a surface shape different from the surface shape having the second mark.
[0013]
(9) In this wiring board,
The first mark is formed on one side with the symmetrical reference line as a boundary,
The second mark may be formed on the other side with the line serving as the reference of symmetry as a boundary.
[0014]
(10) In this wiring board,
The first and second marks may be different in size or shape.
[0015]
(11) A semiconductor device according to the present invention includes a substrate,
A wiring pattern formed on the substrate;
A pair of dummy patterns formed on the substrate;
A semiconductor chip mounted on the substrate and electrically connected to the wiring pattern;
Have
The external shape of the pair of dummy patterns is a shape that is line-symmetric with each other,
The surface shape inside the outer shape of one of the dummy patterns has a mark,
The inside of the outer shape of the other dummy pattern has a surface shape different from the surface shape having the mark.
[0016]
According to the present invention, since the dummy pattern is formed on the substrate, the portion of the substrate where the wiring pattern is not formed is reduced, and the warpage and distortion of the substrate can be suppressed. In addition, since the shape of the pair of dummy patterns is axisymmetric, asymmetric substrate warpage and distortion are unlikely to occur. Further, at least the direction of the substrate can be recognized by the mark. The mark exists inside the outer shape of one dummy pattern and does not exist inside the outer shape of the other dummy pattern. However, since the outer shapes of both dummy patterns are axisymmetric, the warp and distortion of the asymmetric substrate Is unlikely to occur.
[0017]
(12) In this semiconductor device,
The dummy pattern may not be electrically connected to the semiconductor chip.
[0018]
(13) In this semiconductor device,
Each of the dummy patterns may be formed in a region surrounded by the wiring pattern.
[0019]
(14) In this semiconductor device,
The dummy pattern may be formed of the same material as the wiring pattern.
[0020]
(15) In this semiconductor device,
The mark may be a through hole formed in the dummy pattern.
[0021]
(16) In this semiconductor device,
The mark may be a through hole formed in the dummy pattern and the substrate.
[0022]
(17) In this semiconductor device,
The mark may be a through hole formed in the resin layer on the dummy pattern.
[0023]
(18) In this semiconductor device,
The pair of dummy patterns as a pair of first dummy patterns, and the mark as a first mark,
A pair of second dummy patterns;
The outer shape of the pair of second dummy patterns is a shape that is symmetrical with respect to each other with respect to a line that is a reference for symmetry of the pair of first dummy patterns,
The surface shape inside the outer shape of one of the second dummy patterns has a second mark,
The inside of the outer shape of the other second dummy pattern may have a surface shape different from the surface shape having the second mark.
[0024]
(19) In this semiconductor device,
The first mark is formed on one side with the symmetrical reference line as a boundary,
The second mark may be formed on the other side with the line serving as the reference of symmetry as a boundary.
[0025]
(20) In this semiconductor device,
The first and second marks may be different in size or shape.
[0026]
(21) A panel module according to the present invention includes the above semiconductor device,
A panel attached to the substrate and electrically connected to the wiring pattern;
Have
[0027]
(22) An electronic apparatus according to the present invention includes the semiconductor device.
[0028]
(23) A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes mounting a semiconductor chip on the wiring board,
The direction of the wiring board is recognized by the presence or absence of the mark.
[0029]
According to the present invention, since the direction of the wiring board is recognized, the occurrence of defective products can be reduced. Further, since the dummy pattern is formed on the substrate, the portion where the wiring pattern is not formed on the substrate is reduced, and the warpage and distortion of the substrate can be suppressed. Further, since the shape of the pair of dummy patterns is axisymmetric, asymmetric substrate warpage and distortion are unlikely to occur. The mark exists inside the outer shape of one dummy pattern and does not exist inside the outer shape of the other dummy pattern. However, since the outer shapes of both dummy patterns are axisymmetric, the warp and distortion of the asymmetric substrate Is unlikely to occur. From the above, it is possible to improve the reliability of mounting a semiconductor chip.
[0030]
(24) A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes mounting a semiconductor chip on the wiring board,
Recognizing the direction of the wiring board by the presence or absence of the first mark;
The wiring pattern and the semiconductor chip are aligned with reference to the first and second marks.
[0031]
According to the present invention, since the direction of the wiring board is recognized and the wiring pattern and the semiconductor chip are aligned, the occurrence of defective products can be reduced. Further, since the dummy pattern is formed on the substrate, the portion where the wiring pattern is not formed on the substrate is reduced, and the warpage and distortion of the substrate can be suppressed. Further, since the shape of the pair of dummy patterns is axisymmetric, asymmetric substrate warpage and distortion are unlikely to occur. The mark exists inside the outer shape of one dummy pattern and does not exist inside the outer shape of the other dummy pattern. However, since the outer shapes of both dummy patterns are axisymmetric, the warp and distortion of the asymmetric substrate Is unlikely to occur. From the above, it is possible to improve the reliability of mounting a semiconductor chip.
[0032]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a wiring board according to the present embodiment.
[0033]
The wiring board has a substrate 10. The substrate 10 may be formed of a resin such as polyimide. The substrate 10 may have flexibility. The substrate 10 may be a tape, in which case the sprocket holes 12 may be formed in the substrate 10. The wiring board may be a TAB (Tape Automated Bonding) tape.
[0034]
A wiring pattern 20 is formed on the substrate 10. The wiring pattern 20 is electrically connected to other components (for example, the semiconductor chip 60 shown in FIG. 2 or the panel 80 shown in FIG. 3). The wiring pattern 20 may be formed of a conductive material (for example, metal) such as copper. The wiring pattern 20 may be formed by etching a metal foil attached to the substrate 10 or may be formed by evaporating a material on the substrate 10. Although one wiring pattern 20 is shown in FIG. 1, a plurality of wiring patterns 20 may be formed on the substrate 10.
[0035]
The wiring pattern 20 includes one or more groups of wirings (for example, the first to fourth groups of wirings 21 to 24). Each group of wirings is formed such that one end (hereinafter referred to as a first end) is aligned. The first tip may be a tip on the side electrically connected to a component (for example, the semiconductor chip 60 shown in FIG. 2) mounted on the substrate 10. The same applies to the wirings 22 to 24 of the second to fourth groups.
[0036]
At least one group of wires (for example, the first group of wires 21) has a straight line (the first tip is aligned) with the other tip (the tip opposite to the first tip; hereinafter referred to as the second tip). It may be formed so as to line up with a straight line different from the straight line). At least one group of wirings (for example, the second group of wirings 22) includes three or more wirings 26 having second ends arranged in a straight line, and at least one wiring having a second tip positioned at a position deviating from the straight lines. 28.
[0037]
At least one group of wirings (for example, the third or fourth group of wirings 23 and 24) has a second tip that is the second of the other groups of wirings (for example, the first and second groups of wirings 21 and 22). Two tips (three or more second tips arranged in a straight line) and wirings 30 and 32 arranged in a straight line may be included. Specifically, at least one group of wirings (for example, the third or fourth group of wirings 23 and 24) is the second tip (for example, 3 aligned in a straight line) of one group of wirings (for example, the first group of wirings 21). Wiring 30 aligned with one or more second tips) and second tips (three or more second tips aligned) of another group of wires (for example, second group of wires 22); Wiring 32 arranged in a straight line. At least one group of wirings (for example, the third or fourth group of wirings 23 and 24) may further include a wiring 34 in which the second tip is positioned so as not to be aligned.
[0038]
In at least one group of wirings (for example, the first group of wirings 21), the second ends aligned in a straight line are electrically connected to components (for example, the panel 80 shown in FIG. 3) attached to the substrate 10. It may be the tip. When the substrate 10 is a tape, the wiring pattern 20 may be formed so as to extend in the longitudinal direction of the substrate 10. The second ends aligned in a straight line may be aligned in the width direction of the substrate 10.
[0039]
A pair of dummy patterns 40 and 42 are formed on the substrate 10. Specifically, a pair of dummy patterns 40 and 42 are formed corresponding to one wiring pattern 20. Therefore, when a plurality of wiring patterns 20 are formed on the substrate 10, a pair of dummy patterns 40 and 42 are formed on the substrate 10 corresponding to each wiring pattern 20.
[0040]
Since the dummy pattern 40 is formed on the substrate 10, the portion of the substrate 10 where the wiring pattern 20 is not formed is reduced, and warpage and distortion of the substrate 10 can be suppressed. The outer shapes of the pair of dummy patterns 40 and 42 are shapes that are symmetrical with respect to each other with respect to the line L. The line L may extend in a direction along the longitudinal axis of the substrate 10. The line L may pass through the center of the substrate 10 in the width direction. Since the shape of the pair of dummy patterns 40 and 42 is axisymmetric, asymmetrical warpage and distortion of the substrate 10 are unlikely to occur. The outer shape of each of the dummy patterns 40 and 42 is not particularly limited, and may be a polygon, a circle, or a combination of these. The outer shapes of the pair of dummy patterns 40 and 42 may be formed at positions that are line-symmetric with respect to the line L. Each of the dummy patterns 40 and 42 may be formed in a region surrounded by the wiring pattern 20 (for example, the wirings 26 and 32). The dummy patterns 40 and 42 may be formed of the same material as the wiring pattern 20. The dummy patterns 40 and 42 may be formed simultaneously with the wiring pattern 20.
[0041]
The surface shape inside the outer shape of one dummy pattern 40 has a mark 44. The mark 44 may be a through hole formed in the dummy pattern 40, a through hole formed in the dummy pattern 40 and the substrate 10, or a resin layer (for example, a resist layer) on the dummy pattern 40. ) May be a through hole formed. The shape of the mark 44 is not particularly limited, and may be a circle, a polygon, or a combination of these.
[0042]
The inside of the outer shape of the other dummy pattern 42 has a surface shape different from the surface shape having the mark 44 (the surface shape inside the outer shape of the dummy pattern 40). A plurality of lines are formed inside the outer shape of the dummy pattern 42 shown in FIG. Alternatively, the dummy pattern 42 may be blank.
[0043]
At least the direction of the substrate 10 can be recognized by the mark 44. The mark 44 exists inside the outer shape of one dummy pattern 40 and does not exist inside the outer shape of the other dummy pattern 42. However, since the outer shapes of both the dummy patterns 40 and 42 are axisymmetric, they are asymmetric. Warp and distortion of the substrate 10 are difficult to occur.
[0044]
A pair of second dummy patterns 50 and 52 may be formed on the substrate 10 by using the pair of dummy patterns 40 and 42 as a pair of first dummy patterns. The external shape of the pair of second dummy patterns 50 and 52 may be a shape that is symmetrical with respect to each other with respect to a line L that is a reference for symmetry of the pair of first dummy patterns 40 and 42.
[0045]
With the mark 44 as the first mark, the inner surface shape of the outer shape of one second dummy pattern 50 may have the second mark 54. The inside of the outer shape of the other second dummy pattern 52 may have a surface shape different from the surface shape having the second mark 54. Regarding the other points, the contents described for the dummy patterns 40 and 42 and the first mark 44 are applicable to the second dummy patterns 50 and 52 and the second mark 54.
[0046]
According to the present embodiment, it is possible to align a component (for example, a semiconductor chip) mounted on the substrate 10 by using two marks (first and second marks 44 and 54). The first mark 44 may be formed on one side and the second mark 54 may be formed on the other side with the line L serving as a symmetrical reference of the pair of dummy patterns 40 and 42 as a boundary. In this case, since the distance between the first and second marks 44 and 54 is increased, the alignment accuracy is increased. The first and second marks 44, 54 may differ in size or shape. By doing so, it is possible to recognize the direction of the substrate 10.
[0047]
FIG. 2 is a diagram illustrating the semiconductor device according to the present embodiment. The semiconductor device illustrated in FIG. 2 includes the wiring substrate illustrated in FIG. 1 and the semiconductor chip 60 mounted on the substrate 10. When a plurality of wiring patterns 20 are formed on the substrate 10, the semiconductor device has a plurality of semiconductor chips 60.
[0048]
The semiconductor chip 60 is electrically connected to the wiring pattern 20. Specifically, the semiconductor chip 60 is electrically connected to the first tip side portion arranged in a straight line in one or more groups of wirings (for example, the first to fourth groups of wirings 21 to 24). It is connected to the. For the electrical connection, a method generally used in COF mounting can be applied. The first and second dummy patterns 40, 42, 50, 52 are not electrically connected to the semiconductor chip 60. The other contents relating to the semiconductor device correspond to the contents relating to the wiring board described above.
[0049]
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes mounting the semiconductor chip 60 on the substrate 10. Then, the direction of the substrate 10 may be recognized by the presence or absence of the mark 44. Further, the alignment between the wiring pattern 20 and the semiconductor chip 60 may be performed with reference to the first and second marks 44 and 54.
[0050]
In this embodiment, since the direction of the substrate 10 is recognized and the wiring pattern 20 and the semiconductor chip 60 are aligned, the occurrence of defective products can be reduced. Further, as described above, since the warpage and distortion of the substrate 10 can be suppressed, the mounting reliability of the semiconductor chip 60 can be improved.
[0051]
FIG. 3 is a diagram showing a panel module according to the present embodiment. The panel module includes a semiconductor device 70 and a panel 80. The semiconductor device 70 includes a substrate 72 and a semiconductor chip 60. The substrate 72 may be obtained by punching the substrate 10 shown in FIG. The panel 80 may be a display panel (for example, a liquid crystal panel or an organic EL (Electroluminescence) panel). In that case, the panel module can be referred to as a display panel module. The substrate 72 is attached to the panel 80. The wiring pattern 20 formed on the substrate 72 is electrically connected to a wiring pattern (or lead) (not shown) formed on the panel 20.
[0052]
As an electronic apparatus having the above-described semiconductor device or panel module, a notebook personal computer 1000 is shown in FIG. 4, and a mobile phone 2000 is shown in FIG.
[0053]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a wiring board according to an embodiment to which the present invention is applied.
FIG. 2 is a diagram illustrating a semiconductor device according to an embodiment to which the present invention is applied.
FIG. 3 is a diagram showing a panel module according to an embodiment to which the present invention is applied.
FIG. 4 is a diagram showing an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
10 substrate 20 wiring pattern 40 dummy pattern 42 dummy pattern 44 mark 50 second dummy pattern 52 second dummy pattern 54 second mark 60 semiconductor chip 70 semiconductor device 80 panel

Claims (24)

基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
前記基板に形成された一対のダミーパターンと、
を有し、
前記一対のダミーパターンの外形は、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記ダミーパターンの外形の内側の表面形状は、マークを有し、
他方の前記ダミーパターンの外形の内側は、前記マークを有する表面形状と異なる表面形状になっている配線基板。
A substrate,
A wiring pattern formed on the substrate;
A pair of dummy patterns formed on the substrate;
Have
The external shape of the pair of dummy patterns is a shape that is line-symmetric with each other,
The surface shape inside the outer shape of one of the dummy patterns has a mark,
The inside of the outer shape of the other dummy pattern is a wiring board having a surface shape different from the surface shape having the mark.
請求項1記載の配線基板において、
前記配線パターンは、1つ又はそれ以上のグループの配線からなり、
それぞれのグループの前記配線は、一方の先端が一直線に並ぶように形成されてなる配線基板。
The wiring board according to claim 1,
The wiring pattern is composed of one or more groups of wirings;
The wiring board in each group is formed such that one end is aligned in a straight line.
請求項1又は請求項2記載の配線基板において、
それぞれの前記ダミーパターンは、前記配線パターンに囲まれた領域に形成されてなる配線基板。
In the wiring board according to claim 1 or 2,
Each of the dummy patterns is a wiring board formed in a region surrounded by the wiring pattern.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の配線基板において、
前記ダミーパターンは、前記配線パターンと同じ材料で形成されてなる配線基板。
The wiring board according to any one of claims 1 to 3,
The dummy pattern is a wiring board formed of the same material as the wiring pattern.
請求項1から請求項4のいずれかに記載の配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターンに形成された貫通穴である配線基板。
In the wiring board according to any one of claims 1 to 4,
The wiring board is a through hole formed in the dummy pattern.
請求項1から請求項4のいずれかに記載の配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターン及び前記基板に形成された貫通穴である配線基板。
In the wiring board according to any one of claims 1 to 4,
The mark is a wiring board which is a through hole formed in the dummy pattern and the substrate.
請求項1から請求項4のいずれかに記載の配線基板において、
前記マークは、前記ダミーパターン上の樹脂層に形成された貫通穴である配線基板。
In the wiring board according to any one of claims 1 to 4,
The wiring board is a through hole formed in the resin layer on the dummy pattern.
請求項1から請求項7のいずれかに記載の配線基板において、
前記一対のダミーパターンを一対の第1のダミーパターンとし、前記マークを第1のマークとして、
一対の第2のダミーパターンをさらに有し、
前記一対の第2のダミーパターンの外形は、前記一対の第1のダミーパターンの対称の基準となる線を基準として、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記第2のダミーパターンの外形の内側の表面形状は、第2のマークを有し、
他方の前記第2のダミーパターンの外形の内側は、前記第2のマークを有する表面形状と異なる表面形状になっている配線基板。
The wiring board according to any one of claims 1 to 7,
The pair of dummy patterns as a pair of first dummy patterns, and the mark as a first mark,
A pair of second dummy patterns;
The outer shape of the pair of second dummy patterns is a shape that is symmetrical with respect to each other with respect to a line that is a reference for symmetry of the pair of first dummy patterns,
The surface shape inside the outer shape of one of the second dummy patterns has a second mark,
The wiring board having a surface shape different from the surface shape having the second mark on the inner side of the outer shape of the other second dummy pattern.
請求項8記載の配線基板において、
前記対称の基準となる線を境界として一方の側に、前記第1のマークが形成され、
前記対称の基準となる線を境界として他方の側に、前記第2のマークが形成されてなる配線基板。
The wiring board according to claim 8,
The first mark is formed on one side with the symmetrical reference line as a boundary,
A wiring board in which the second mark is formed on the other side with the line serving as a reference of symmetry as a boundary.
請求項8又は請求項9記載の配線基板において、
前記第1及び第2のマークは、大きさ又は形状において異なる配線基板。
In the wiring board according to claim 8 or 9,
The first and second marks are wiring boards that differ in size or shape.
基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
前記基板に形成された一対のダミーパターンと、
前記基板に搭載され、前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を有し、
前記一対のダミーパターンの外形は、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記ダミーパターンの外形の内側の表面形状は、マークを有し、
他方の前記ダミーパターンの外形の内側は、前記マークを有する表面形状と異なる表面形状になっている半導体装置。
A substrate,
A wiring pattern formed on the substrate;
A pair of dummy patterns formed on the substrate;
A semiconductor chip mounted on the substrate and electrically connected to the wiring pattern;
Have
The external shape of the pair of dummy patterns is a shape that is line-symmetric with each other,
The surface shape inside the outer shape of one of the dummy patterns has a mark,
A semiconductor device in which the inside of the outer shape of the other dummy pattern has a surface shape different from the surface shape having the mark.
請求項11記載の半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記半導体チップと電気的に接続されない半導体装置。
The semiconductor device according to claim 11.
The dummy pattern is a semiconductor device that is not electrically connected to the semiconductor chip.
請求項11又は請求項12記載の半導体装置において、
それぞれの前記ダミーパターンは、前記配線パターンに囲まれた領域に形成されてなる半導体装置。
The semiconductor device according to claim 11 or 12,
Each of the dummy patterns is a semiconductor device formed in a region surrounded by the wiring pattern.
請求項11から請求項13のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ダミーパターンは、前記配線パターンと同じ材料で形成されてなる半導体装置。
The semiconductor device according to any one of claims 11 to 13,
The dummy pattern is a semiconductor device formed of the same material as the wiring pattern.
請求項11から請求項14のいずれかに記載の半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターンに形成された貫通穴である半導体装置。
The semiconductor device according to any one of claims 11 to 14,
The semiconductor device in which the mark is a through hole formed in the dummy pattern.
請求項11から請求項14のいずれかに記載の半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターン及び前記基板に形成された貫通穴である半導体装置。
The semiconductor device according to any one of claims 11 to 14,
The semiconductor device in which the mark is a through hole formed in the dummy pattern and the substrate.
請求項11から請求項14のいずれかに記載の半導体装置において、
前記マークは、前記ダミーパターン上の樹脂層に形成された貫通穴である半導体装置。
The semiconductor device according to any one of claims 11 to 14,
The said mark is a semiconductor device which is a through-hole formed in the resin layer on the said dummy pattern.
請求項11から請求項17のいずれかに記載の半導体装置において、
前記一対のダミーパターンを一対の第1のダミーパターンとし、前記マークを第1のマークとして、
一対の第2のダミーパターンをさらに有し、
前記一対の第2のダミーパターンの外形は、前記一対の第1のダミーパターンの対称の基準となる線を基準として、相互に線対称となる形状であり、
一方の前記第2のダミーパターンの外形の内側の表面形状は、第2のマークを有し、
他方の前記第2のダミーパターンの外形の内側は、前記第2のマークを有する表面形状と異なる表面形状になっている半導体装置。
The semiconductor device according to any one of claims 11 to 17,
The pair of dummy patterns as a pair of first dummy patterns, and the mark as a first mark,
A pair of second dummy patterns;
The outer shape of the pair of second dummy patterns is a shape that is symmetrical with respect to each other with respect to a line that is a reference for symmetry of the pair of first dummy patterns,
The surface shape inside the outer shape of one of the second dummy patterns has a second mark,
A semiconductor device in which the inside of the outer shape of the other second dummy pattern has a surface shape different from the surface shape having the second mark.
請求項18記載の半導体装置において、
前記対称の基準となる線を境界として一方の側に、前記第1のマークが形成され、
前記対称の基準となる線を境界として他方の側に、前記第2のマークが形成されてなる半導体装置。
The semiconductor device according to claim 18.
The first mark is formed on one side with the symmetrical reference line as a boundary,
A semiconductor device in which the second mark is formed on the other side with the line serving as a reference of symmetry as a boundary.
請求項17又は請求項18記載の半導体装置において、
前記第1及び第2のマークは、大きさ又は形状において異なる半導体装置。
The semiconductor device according to claim 17 or 18,
The first and second marks are different semiconductor devices in size or shape.
請求項11から請求項20のいずれかに記載の半導体装置と、
前記基板に取り付けられ、前記配線パターンに電気的に接続されてなるパネルと、
を有するパネルモジュール。
A semiconductor device according to any one of claims 11 to 20,
A panel attached to the substrate and electrically connected to the wiring pattern;
A panel module having.
請求項11から請求項20のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。An electronic apparatus comprising the semiconductor device according to claim 11. 請求項1から請求項10のいずれかに記載の配線基板に半導体チップを実装することを含み、
前記配線基板の方向を前記マークの有無によって認識する半導体装置の製造方法。
Mounting a semiconductor chip on the wiring substrate according to claim 1,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the direction of the wiring board is recognized by the presence or absence of the mark.
請求項8から請求項10のいずれかに記載の配線基板に半導体チップを実装することを含み、
前記配線基板の方向を前記第1のマークの有無によって認識し、
前記配線パターンと前記半導体チップとの位置合わせを、前記第1及び第2のマークを基準として行う半導体装置の製造方法。
Mounting a semiconductor chip on the wiring substrate according to claim 8,
Recognizing the direction of the wiring board by the presence or absence of the first mark;
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the wiring pattern and the semiconductor chip are aligned with reference to the first and second marks.
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