JP3830369B2

JP3830369B2 - High frequency circuit, composite high frequency component, and communication device using the same

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Publication number: JP3830369B2
Application number: JP2001296099A
Authority: JP
Inventors: 悦子大塚; 和弘山田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2001-09-27
Filing date: 2001-09-27
Publication date: 2006-10-04
Anticipated expiration: 2021-09-27
Also published as: JP2003110456A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、移動体通信システムなどの通信装置に用いる高周波回路、それを実現した複合高周波部品、及びそれを用いた通信装置に関し、特に複数の通信システムに対応する高周波回路、それを実現した複合高周波部品、及びそれを用いた通信装置に関する。
【０００２】
現在、移動体通信装置として、多数の通信方式／複数の高周波帯域が有る。例えば、ＴＤＭＡ方式としては、ヨーロッパでは９００ＭＨｚ帯を使用したＥＧＳＭ（EｘｔｅｎｄｅｄＧｌｏｂａｌ; Ｓｙｓｔｅｍ; ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）通信システムや１．８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ; Ｃｅｌｌｕｌａｒ; Ｓｙｓｔｅｍ）通信システムがあり、２つの通信システムで動作可能なデュアルバンド携帯電話器が提案されている。例えば、特開２００１−１８５９０２号や特開２０００−４９６５１号に開示されたＤＣＳとＥＧＳＭとのデュアルバンド携帯電話器は、ＤＣＳの周波数帯とＥＧＳＭの周波数帯とに対応し、ある時はＤＣＳの周波数帯で通信をし、またある時はＥＧＳＭの周波数帯で通信をする。このように、複数の規格の周波数帯を扱うことにより、一方の規格の周波数帯で通信が不可能である場合には、他方の規格の周波数帯で通信をすることができる。
【０００３】
さらには、例えば１．９ＧＨｚ帯を使用するＰＣＳ（ＰｅｒｓｏｎａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＳｅｒｖｉｃｅｓ）通信システムなど、他の通信システムも加え、３つの通信システムで動作が可能トリプルバンド携帯電話器も提案されている。特開２０００−１６５２８８号には、３つの通信システムで動作可能な複合高周波部品及び移動体通信装置が開示されている。
【０００４】
図１は、一般的なトリプルバンド携帯電話器のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムに１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及び１．９ＧＨｚ帯のＰＣＳ、それらと周波数が異なる第３の通信システムに９００ＭＨｚ帯のＥＧＳＭとした場合の一例を示したものである。
【０００５】
トリプルバンド携帯電話器に用いられる複合高周波部品２０は、アンテナ１、ダイプレクサ２、第１乃至第３のダイオードスイッチ３〜５、第１及び第２のフィルタ６，７を備える。ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＥＧＳＭの送信信号を結合し、受信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＥＧＳＭに受信信号を分配する役目を担う。第１のダイオードスイッチ３は、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信部側とＤＣＳ及びＰＣＳの受信部側とを切り換え、第２のダイオードスイッチ４は、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ側とＰＣＳの受信部Ｒｘｐ側とを切り換え、第３のダイオードスイッチ５は、ＥＧＳＭの送信部Ｔｘｇ側と受信部Ｒｘｇ側とを切り換える役目を担う。第１のフィルタ６は、ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させ、第２のフィルタ７は、ＥＧＳＭの送受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させる役目を担う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
複合高周波部品２０は、携帯電話などの通信装置に搭載されることから、小型化が要求されている。同時に、通信品質向上のための複合高周波部品の高性能化も要求されている。
【０００７】
ダイオード、コンデンサ、インダクタ等で構成されるダイオードスイッチ、コイルやコンデンサで構成されるダイプレクサやフィルタを備える従来の複合高周波部品２０は、多数の部品（素子）で構成され、さらには、非常に複雑な回路構成となっている。特に、ダイオードなど多層基板の内部に形成することのできないチップ部品などは、多層基板上に搭載するため、複合高周波部品の小型化の妨げとなっていた。また、多数の部品（素子）が複雑な回路で構成されていることから、部品（素子）同士を接続するための回路配線が多層基板内で複数の基板にわたって複雑に引き回されている。別の基板に配置された部品（素子）同士を接続するためには通常、基板にビアを設け接続する。そのため、回路配線が長くなり、伝送損失の増加や,回路配線同士のカップリングによるノイズ発生などを引き起こすといった場合があった。
【０００８】
例えば、特開２０００−４９６５１号に開示されているマルチバンド用高周波スイッチモジュールでは、通信システムの送受信を切り換えるスイッチはダイオードと伝送線路とコンデンサとから構成され、伝送線路などはビアを用い複数の基板にわたって形成されており、伝送線路や別の基板に形成されているコンデンサなどの接続も同様にビアを介して接続されている。その結果、多層基板の厚みが大きくなり低背化が困難である場合があった。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、回路を構成する部品（素子）数を減らすことで回路を簡略化し、複合高周波部品の小型化、特に低背化と、高性能化を可能にする高周波回路および、それを実現した複合高周波部品および通信装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
本発明の請求項１に記載の高周波回路は、第１通信システムの周波数帯に対し、第２通信システムの周波数帯が第３通信システムの周波数帯よりも近接するように、使用する周波数帯域が互いに近接して定められた第１通信システム及び第２通信システム、並びに、これら第１及び第２通信システムと使用する周波数帯域が離れた第３通信システムに対応した高周波回路であって、
アンテナに接続される第１の共通端子と、前記第２通信システムと前記第３通信システムとの送信信号が入力される第１の入力端子と、前記第２通信システムと前記第３通信システムとの受信信号が入力される第１の出力端子と、ＣＤＭＡ方式による前記第１通信システムの送受信に共用される第１の入出力端子とを有し、前記第１の入力端子、前記第１の出力端子および前記第１の入出力端子のいずれか１つを、前記第１の共通端子に切換接続する単一のスイッチ部と、
前記スイッチ部の前記第１の入力端子に接続される第２の共通端子、前記第２通信システムの送信端子に接続される第２の入力端子及び前記第３通信システムの送信端子に接続される第３の入力端子とを有する第１のダイプレクサと、
前記スイッチ部の前記第１の出力端子に接続される第３の共通端子、前記第２通信システムの受信端子に接続される第３の出力端子及び前記第３通信システムの受信端子に接続される第４の出力端子とを有する第２のダイプレクサと、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の高周波回路は、前記第1の入力端子と前記第２の共通端子との間にフィルタが接続されていることを特徴とする。フィルタとしては、ローパスフィルタなどが挙げられる。
【００１２】
さらに、本発明の高周波回路は、前記スイッチ部がGａＡｓ半導体素子を含むスイッチ素子とコンデンサとからなることを特徴とする。
【００１３】
本発明の複合高周波部品は、複数の誘電体基板を積層してなる多層基板を有してなる複合高周波部品であって、第1の共通端子と第１の入力端子と第1の出力端子と第１の入出力端子とを有し、第1の入力端子、第１の出力端子および第１の入出力端子のいずれか１つの端子が、第1の共通端子に切換接続されるスイッチ部と、第２の共通端子と第２の入力端子と第３の入力端子とを有する第1のダイプレクサと、第３の共通端子と第３の出力端子と第4の出力端子とを有する第２のダイプレクサとからなり、前記第１の入力端子が前記第２の共通端子に接続され、前記第２の出力端子が前記第３の共通端子に接続され、前記スイッチ部は、GａＡｓ半導体素子を含むスイッチ素子とコンデンサとからなり、前記スイッチ素子は前記多層基板上に搭載され、前記第１のダイプレクサおよび第２のダイプレクサが前記多層基板の内部に形成されている
ことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の複合高周波部品は、前記第1の入力端子と前記第２の共通端子との間にフィルタが接続され、該フィルタは前記多層基板の内部に形成されていることを特徴とする。フィルタとしてはローパスフィルタなどが挙げられる。
【００１５】
さらに、本発明の複合高周波部品は、前記スイッチ部を構成するコンデンサが多層基板上にチップ部品として搭載されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の通信装置は、前記高周波回路を用いたことを特徴とする。
【００１７】
本発明の通信装置は、前記複合高周波部品を用いたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の高周波回路及び複合高周波部品は、前記第３の出力端子と前記第４の出力端子のそれぞれに表面弾性波フィルタが接続され、前記表面弾性波フィルタが基板表面に搭載されていてもよい。
【００１９】
本発明の高周波回路及び複合高周波部品は、ノイズ除去のためのインダクタ及びコンデンサを含む回路が前記第１の共通端子に接続され、前記多層基板の内部に形成されていても良い。
【００２０】
上記の構成することにより本発明の高周波回路および複合高周波部品は、回路を構成する部品（素子）数を減らすことができるため、回路構成が簡素化される。また、複数の基板にわたって形成されていた送受信を切り換えるためのスイッチ部を構成する部品（素子）の伝送線路を省略することができるため、多層基板を薄く形成することができ、複合高周波部品全体として、小型化及び低背化が可能となる。さらに、回路を構成する部品（素子）同士を接続すらための配線の長さが短くなることで、伝送損失の増加を抑制し、配線同士のカップリングによるノイズ発生を防止することができる。
【００２１】
また、本発明の高周波回路および複合高周波部品は、使用する周波数帯域が近接する第１通信システム及び第２通信システム、並びに、これら第１及び第２通信システムと使用する周波数帯域が離れた第３通信システムに対応することが可能となる。さらに、前記第１通信システムは、ＣＤＭＡ方式の通信システムであり、前記第１通信システムの送信部及び受信部とは、回路配線のみまたは回路配線のみによって結ばれている高周波回路としてもよい。ＣＤＭＡ方式の通信システムとしては、Ｗ−ＣＤＭＡ通信システムやＵＭＴＳ(Universal Mobile Telecommunications System)通信システム等が挙げられる。
【００２２】
本発明の複合高周波部品は、第１のダイプレクサと第２のダイプレクサとスイッチ部、さらには、フィルタやノイズ除去のための回路とを、多層基板に一体化し、ＧａＡｓ半導体素子を含むスイッチ素子を多層基板上に搭載し、第１のダイプレクサと第２のダイプレクサ、フィルタ、ノイズ除去のための回路とを多層基板の内部に形成することで、複合高周波部品の小型化が可能となる。
【００２３】
また、本発明の複合高周波部品は、スイッチ部にＧａＡｓ半導体素子を用いることで、複数の通信システムの送受信を切り換えるスイッチ部を構成する部品（素子）が少なくて済む。そのため、高周波回路が簡略化される。また、多層基板上に搭載される部品（素子）も少なくて済むために複合高周波部品の小型化が可能となる。さらには、多層基板上に搭載する部品数が減少することで部品実装の作業性も向上する。
【００２４】
本発明の複合高周波部品のスイッチ部を構成するコンデンサは、直流電流カット用のコンデンサの機能を有している。通常、直流電流カット用のコンデンサは大容量のものが用いられるが、多層基板に内層する場合には、コンデンサ電極の電極面積を大きくしたり、あるいは複数層にもわたってコンデンサ電極を形成しなければならないため、多層基板の小型化の妨げとなる場合がある。しかし、本発明の複合高周波部品は、スイッチ部を構成するコンデンサを多層基板上に搭載するために多層基板を小型化ひいては複合高周波部品の小型化を可能とする。
【００２５】
また、本発明の通信装置も、本発明の高周波回路および複合高周波部品を用いることで同様の作用効果を奏するものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の１つの実施例である複合高周波部品２０１は図２に示すような構成となっている。
【００２７】
図２と図３において、ガラスセラミックなどの誘電体基板を絶縁層とし、ＡｇもしくはＡｇ合金を主成分とした導電層とする多層基板１０１の内部に形成された図示しない第１のダイプレクサ２１、第２のダイプレクサ２２、ローパスフィルタ６１と、多層基板上１０２に搭載されたＧａＡｓ半導体素子３１５とコンデンサ３１６、３１７、３１８、３１９とからなるスイッチ部３１により構成されている。また、多層基板１０１は略直方体形状であり、４つの側面には、下方が半円筒状の凹部とされ、その内側面が導体層とされたキャステレーション４０１が複数個形成されている。複合高周波部品２０１は、このキャステレーション４０１により、他の基板上に搭載接続することができる。また、キャステレーション４０１は、高周波回路におけるアンテナ端子、各通信システムの送受信部端子、制御端子、接地端子などに対応する。
【００２８】
本発明の複合高周波部品２０１に形成されている使用する周波数帯域が近接する第１通信システム及び第２通信システム、並びに、これら第１及び第２通信システムと使用する周波数帯域が離れた第３通信システムに対応したトリプルバンド携帯電話器に用いる高周波回路９について図３と図４を参照して説明する。図３はブロック図であり、図４は回路図である。ここで、本実施例では、第一の通信システムとして、ＣＤＭＡ方式の通信システムのＵＭＴＳ(Universal Mobile Telecommunications
System)、第２の通信システムとしてＴＤＭＡ方式のＤＣＳ、第３の通信システムとしてＴＤＭＡ方式のＥＧＳＭとする。
【００２９】
図４において、高周波回路９は、アンテナ端子ANTに接続され各通信システムの送信信号と受信信号とを切り換えるスイッチ部３１とＥＧＳＭとＤＣＳの通信システムの送信部に接続される第１のダイプレクサ２１とＥＧＳＭとＤＣＳの通信システムの受信部に接続される第２のダイプレクサ２２、各通信システムから送信部からの送信信号において２次高調波及び３次高調波を減衰させるローパスフィルタ６１とを有している。スイッチ部３１は、アンテナに接続される第１の共通端子３１４とローパスフィルタの第1のフィルタ端子６１１に接続される第１の入力端子３１１と、ＵＭＴＳの送受信部端子ＴＲＸ１に接続される第１の入出力端子３１２と、第２のダイプレクサ２２の第３の共通端子２２１に接続される第１の出力端子３１３を有している。
【００３０】
スイッチ部は、ＧａＡｓ半導体素子を含むスイッチ素子３１５とコンデンサ３１６、３１７、３１８、３１９とで構成されている。またスイッチ素子は第１の共通端子と第１の入力端子の接続／切断を制御する第１制御端子ＶＣ１、第１の共通端子と第１の入出力端子の接続／切断を制御する第２の制御端子ＶＣ２、第１の共通端子と第１の出力端子の接続／切断を制御する第３の制御端子ＶＣ３を有している。ここで、コンデンサ３１６、３１７、３１８、３１９は制御端子ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３からの直流電流をカットするための機能を有しており、３０ｐＦ程度以上の容量のものが使用される。
【００３１】
第１のダイプレクサ２１は、ローパスフィルタの第２のフィルタ端子６１２に接続される第２の共通端子２１１とＤＣＳ送信部端子ＴＸ２に接続される第２入力端子２１２とＥＧＳＭの送信部端子ＴＸ１に接続される第３の入力端子２１３とを有している。また、第１のダイプレクサ２１は第２の共通端子２１１と第２の出力端子２１２との間で、ＤＣＳ送信部端子ＴＸ２からの送信信号を通過させるハイパスフィルタの機能と、第２の共通端子２１１と第３の出力端子２１３との間で、ＥＧＳＭの送信部端子ＴＸ１からの送信信号を通過させるローパスフィルタの機能とを備えている。
【００３２】
第１のダイプレクサ２１は、コンデンサ１２１、１２２、およびインダクタンス１２３からなるローパスフィルタと、コンデンサ１２７、１２８、１２９及びインダクタンス１３０からなるハイパスフィルタとで構成される。
【００３３】
第２のダイプレクサ２２は、スイッチ部３１の第２の入力端子３１３に接続される第３の共通端子２２１とＤＣＳの受信部端ＲＸ２に接続される第３の出力端子２２３とＥＧＳＭの受信部端子ＲＸ１に接続される第２出力端子２２４とを有している。また、第２のダイプレクサ２２は第３の共通端子２２１と第２の出力端子２２４との間で、スイッチ部３１の第１の出力端子３１３からのＥＧＳＭの送信信号を通過させるローパスフィルタの機能と、第３の共通端子２２１と第３の出力端子２２３との間で、スイッチ部３１の第２の出力端子からのＤＣＳの受信信号を通過させるハイパスフィルタの機能とを備えている。
【００３４】
第２のダイプレクサ２２は、コンデンサ１２４、１２５およびインダクタンス１２６からなるローパスフィルタと、コンデンサ１３１、１３２、１３３及びインダクタンス１３４からなるハイパスフィルタとで構成される。
【００３５】
上述した第1と第２のダイプレクサはローパスフィルタとハイパスフィルタとを組み合わせてなるものであるが、これに限定されるわけではなく、この組み合わせ以外のローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ等を任意に組み合わせたダイプレクサを用いても良い。
【００３６】
ローパスフィルタ６１はスイッチ部３１の第１の入力端子３１１と第１のダイプレクサ２１の第２の共通端子２１１との間に接続されている。これにより、第1のダイプレクサ２１とＥＧＳＭの送信端子TX１およびＤＣＳの送信部端子TX２との間に接続するよりも、ローパスフィルタの数を少なくできる。すなわち、部品（素子）の数を増やすことなく、送信信号の高調波を除去することができる。
【００３７】
ローパスフィルタ６１は、コンデンサ１３６、１３７、１１３８、１３９、１４０およびインダクタンス１４１、１４２を備え、２段のローパスフィルタで構成される
【００３８】
このような構成を有する本発明の高周波回路９では、各通信システムの送信もしくは受信の際では、以下のように動作する。ＥＧＳＭの送信信号は、ＥＧＳＭの送信部端子ＴＸ１から第１のダイプレクサ２１が有する第３の入力端子２１３に入力され、ダイプレクサ２１を構成するローパスフィルタを通過し、第１のダイプレクサ２１が有する第２の共通端子２１１に出力され、ローパスフィルタ６１を介して、スイッチ部３１の第１の入力端子３１１に入力され、スイッチ部３１の第１の共通端子３１４から出力される。このとき、スイッチ素子３１５の第１制御端子VC１に第１の共通端子３１４と第１の入力端子３１１とを接続するように信号が送信され、第２、第3制御端子VC２、VC３からは第１の入出力端子と第１の出力端子は切断するように信号が送信される。一方、ＥＧＳＭの受信信号は、スイッチ部３１の第１の共通端子３１４から入力され、第１の出力端子３１３から出力される。出力されたＥＧＳＭ受信信号は、第２のダイプレクサ２２の第３の共通端子２２１から入力され、第2のダイプレクサ２２を構成するローパスフィルタを通過し、第２の出力端子２２４から出力されＥＧＳＭ受信部端子ＲＸ１へと送られる。このとき、スイッチ素子３１５の第３制御端子に第１の共通端子３１４と第１の出力端子３１３とを接続するように信号が送信され、第１制御端子ＶＣ１と第２制御端子ＶＣ２に第1の入力端子３１１と第1の入出力端子３１２は切断するように信号が送信される。
【００３９】
また、ＤＣＳ送信信号は、ＤＣＳ送信部端子ＴＸ２から第１のダイプレクサ２１が有する第２の入力端子２１２に入力され、第1のダイプレクサ２１を構成するハイパスフィルタを通過し、第１のダイプレクサ２１が有する第２の共通端子２１１に出力され、ローパスフィルタ６１を通過して、スイッチ部３１の第１の入力端子３１１に入力され、スイッチ部３１の第１の共通端子３１４から出力される。このとき、スイッチ素子３１５の第１制御端子ＶＣ１に第１の共通端子３１４と第１の入力端子３１１とを接続するように信号が送信され、第２、第3制御端子VC２、VC３からは第1の入出力端子３１２と第１の出力端子３１３は切断するように信号が送信される。一方、ＤＣＳの受信信号は、スイッチ部３１の第１の共通端子３１４から入力され、第１の出力端子３１３から出力される。出力されたＤＣＳ受信信号は、第２のダイプレクサ２２の第３の共通端子２２１から入力され、第３の出力端子２２３から出力されＤＣＳ受信部端子ＲＸ２へと送られる。このとき、スイッチ素子３１５の第３制御端子ＶＣ３に第１の共通端子３１４と第１の出力端子３１３とを接続するように信号が送信され、第１制御端子ＶＣ１と第２制御端子ＶＣ２には、第1の入力端子３１１と第1の入出力端子３１２は切断するように信号が送信される。
【００４０】
また、ＵＭＴＳ送信信号は、ＵＭＴＳの送信部端子ＴＲＸ１からスイッチ部３１の第１の入出力端子３１２に入力され、スイッチ部３１の第１の共通端子３１４から出力される。このとき、スイッチ素子３１５の第１制御端子ＶＣ２に第１の共通端子３１４と第１の入出力端子３１２とを接続するように信号が送信され、第１、第3制御端子VC１、VC３からは第１の入力端子３１１と第１の出力端子３１３は切断するように信号が送信される。一方、ＵＭＴＳの受信信号は、スイッチ部３１の第１の共通端子３１４から入力され、第１の入出力端子３１２から出力される。出力されたＵＭＴＳ受信信号は、ＵＭＴＳ受信部端子ＴＲＸ１へと送られる。このとき、送信時と同様に、スイッチ素子３１５の第１制御端子ＶＣ２に第１の共通端子３１４と第１の入出力端子３１２とを接続するように信号が送信され、第１、第3制御端子VC１、VC３からは第１の入力端子３１１と第１の出力端子３１３は切断するように信号が送信される。
【００４１】
なお、ＥＧＳＭとＤＣＳとＵＭＴＳのトリプルバンド携帯電話器の場合、ＥＧＳＭの送信信号が、８８０ＭＨｚから９１５ＭＨｚ、受信信号が９２５ＭＨｚから９６０ＭＨｚ、ＤＣＳの送信信号が１７１０ＭＨｚから１７８５ＭＨｚ、受信信号が１８０５ＭＨｚから１８８０ＭＨｚ、ＵＭＴＳの送信信号が１９２０ＭＨｚから１９８０ＭＨｚ、受信信号が２１１０ＭＨｚから２１７０ＭＨｚである。よって、スイッチ素子３１５は、その周波数帯域が１０００ＭＨｚから２０００ＭＨｚ程度である、ＧａＡｓ半導体からなるＧａＡｓＭＭＩＣを用いている。また、各通信システムの送受信の切換がＧａＡｓＭＭＩＣを用いるだけで行うことができるため、高周波回路を構成する部品（素子）数が減少し、複合高周波部品の小型化が可能となる。ＧａＡｓＭＭＩＣはチップ部品として構成されているため、複合高周波部品に用いる場合は、多層基板上に搭載される。また、ＧａＡｓＭＭＩＣの各端子と第１、第２のダイプレクサやローパスフィルタなどの部品（素子）との接続は図示しない電極パッドを介して多層基板内に形成される第１、第２のダイプレクサやローパスフィルタと接続される。
【００４２】
一方、ＧａＡｓＭＭＩＣは、静電気の影響を非常に受けやすいデバイスであることから、静電気防止回路を高周波回路に付加してもよい。具体的には、アンテナ端子とスイッチ部３１の第一の共通電極との間にコンデンサとインダクタンスを含む回路を設ける。また、前記静電気防止回路も多層基板内に形成できる可能性があり、複合高周波部品の小型化が維持できる。
【００４３】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更して適用できることはいうまでもない。例えば、第２のダイプレクサとＥＧＳＭとＤＣＳの各受信部端子との間にそれぞれ、表面弾性波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）を接続しても良い。ＳＡＷフィルタを付加した高周波回路を複合高周波部品に用いる場合には、ＳＡＷフィルタを多層基板に搭載する。多層基板に設けた凹部に、ＳＡＷフィルタを搭載してもよい。また、前記凹部は、ＧａＡｓＭＭＩＣチップ素子が搭載されている面に形成してもよいが、ＧａＡｓＭＭＩＣチップ素子が搭載されていない多層基板の底面に形成すると、平面的に見て多層基板が小型化するため好ましい。
【００４４】
さらには、ＵＭＴＳの送受信部端子ＴＲＸ１に、ＵＭＴＳの送信信号と受信信号を切り換えるデュプレクサを接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のトリプルバンド用携帯電話器に用いられるトリプルバンド用高周波回路のブロック図である。
【図２】本発明の一実施例である複合高周波部品の斜視図である。
【図３】本発明の一実施例である高周波回路のブロック図である。
【図４】本発明の一実施例である高周波回路図である。
【符号の説明】
９高周波回路
３１１第1の入力端子
３１２第1の入出力端子
３１３第１の出力端子
３１４第1の共通端子
３１スイッチ部
３１５スイッチ素子
３１６〜３１９コンデンサ
２１第1のダイプレクサ
２２第２のダイプレクサ
２１１第２の共通端子
２１２第２の入力端子
２１３第３の入力端子
２２１第３の共通端子
２２４第３の出力端子
２２３第４の出力端子
６１ローパスフィルタ
;[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency circuit used in a communication device such as a mobile communication system, a composite high-frequency component that realizes the high-frequency circuit, and a communication device that uses the high-frequency circuit. The present invention relates to a high-frequency component and a communication device using the same.
[0002]
Currently, there are many communication systems / multiple high frequency bands as mobile communication devices. For example, TDMA systems include an EGSM (Extended Global; System; communication) communication system using a 900 MHz band and a DCS (Digital; Cellular; System) communication system using a 1.8 GHz band in Europe. A dual-band mobile phone that can be operated on the Internet has been proposed. For example, DCS and EGSM dual-band mobile phones disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-185902 and 2000-49651 are compatible with DCS frequency bands and EGSM frequency bands. Communication is performed in the frequency band, and in other cases, communication is performed in the EGSM frequency band. In this way, by handling a plurality of standard frequency bands, when communication is impossible in one standard frequency band, communication can be performed in the other standard frequency band.
[0003]
Furthermore, for example, a triple band mobile phone capable of operating in three communication systems has been proposed, including other communication systems such as a PCS (Personal Communication Services) communication system using the 1.9 GHz band. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-165288 discloses a composite high-frequency component and a mobile communication device that can operate in three communication systems.
[0004]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a front end portion of a general triple band mobile phone, and includes a 1.8 GHz DCS and a 1.9 GHz PCS in first and second communication systems having close frequencies. FIG. 5 shows an example in which a third communication system having a frequency different from those of 900 MHz band EGSM is used.
[0005]
A composite high-frequency component 20 used in a triple-band mobile phone includes an antenna 1, a diplexer 2, first to third diode switches 3 to 5, and first and second filters 6 and 7. The diplexer 2 combines DCS, PCS, or EGSM transmission signals when transmitting, and distributes the received signals to the DCS, PCS, or EGSM when receiving. The first diode switch 3 switches between the DCS and PCS transmitter side and the DCS and PCS receiver side, and the second diode switch 4 switches between the DCS receiver Rxd side and the PCS receiver Rxp side. The switching and third diode switch 5 plays a role of switching between the transmission unit Txg side and the reception unit Rxg side of the EGSM. The first filter 6 passes the DCS and PCS transmission / reception signals and attenuates the second and third harmonics, and the second filter 7 passes the EGSM transmission / reception signals and passes the third harmonics. It plays a role to attenuate.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
Since the composite high-frequency component 20 is mounted on a communication device such as a mobile phone, downsizing is required. At the same time, higher performance of composite high-frequency components for improving communication quality is also required.
[0007]
A conventional composite high-frequency component 20 including a diode switch composed of a diode, a capacitor, an inductor, and the like, a diplexer composed of a coil and a capacitor, and a filter is composed of a large number of components (elements), and is very complicated. It has a circuit configuration. In particular, chip components that cannot be formed inside the multilayer substrate such as diodes are mounted on the multilayer substrate, which hinders the miniaturization of the composite high-frequency component. In addition, since a large number of components (elements) are composed of complicated circuits, circuit wiring for connecting the components (elements) to each other is complicatedly routed across a plurality of substrates in the multilayer substrate. In order to connect components (elements) arranged on different boards, vias are usually provided on the boards for connection. As a result, the circuit wiring becomes longer, which may cause an increase in transmission loss and generation of noise due to coupling between circuit wirings.
[0008]
For example, in the multiband high-frequency switch module disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-49651, a switch for switching between transmission and reception in a communication system is composed of a diode, a transmission line, and a capacitor. Connections such as a capacitor formed on a transmission line or another substrate are similarly connected via vias. As a result, the thickness of the multilayer substrate becomes large, and it may be difficult to reduce the height.
[0009]
Accordingly, an object of the present invention is to simplify the circuit by reducing the number of components (elements) constituting the circuit, and to reduce the size of the composite high-frequency component, in particular, to reduce the height and increase the performance, and It is to provide a composite high-frequency component and a communication device that realize this.
[0010]
[Means, actions and effects for solving the problems]
The high frequency circuit according to claim 1 of the present invention uses a frequency band to be used so that the frequency band of the second communication system is closer to the frequency band of the third communication system than the frequency band of the first communication system. A high-frequency circuit corresponding to a first communication system and a second communication system defined close to each other, and a third communication system in which a frequency band to be used with the first and second communication systems is separated;
A first common terminal connected to an antenna; a first input terminal to which transmission signals from the second communication system and the third communication system are input; the second communication system and the third communication system; A first output terminal to which the received signal is input, and a first input / output terminal shared for transmission / reception of the first communication system by the CDMA system , the first input terminal, the first input terminal A single switch unit for switching and connecting any one of an output terminal and the first input / output terminal to the first common terminal;
A second common terminal connected to the first input terminal of the switch unit, a second input terminal connected to the transmission terminal of the second communication system, and a transmission terminal of the third communication system. A first diplexer having a third input terminal;
A third common terminal connected to the first output terminal of the switch unit, a third output terminal connected to the reception terminal of the second communication system, and a reception terminal of the third communication system. And a second diplexer having a fourth output terminal.
[0011]
In the high-frequency circuit of the present invention, a filter is connected between the first input terminal and the second common terminal. An example of the filter is a low-pass filter.
[0012]
Furthermore, the high-frequency circuit of the present invention is characterized in that the switch section includes a switch element including a GaAs semiconductor element and a capacitor.
[0013]
A composite high-frequency component of the present invention is a composite high-frequency component having a multilayer substrate formed by laminating a plurality of dielectric substrates, and includes a first common terminal, a first input terminal, and a first output terminal. A switch unit having a first input / output terminal, and one of the first input terminal, the first output terminal, and the first input / output terminal being switched and connected to the first common terminal; A first diplexer having a second common terminal, a second input terminal, and a third input terminal, and a second diplexer having a third common terminal, a third output terminal, and a fourth output terminal. A switch comprising a diplexer, wherein the first input terminal is connected to the second common terminal, the second output terminal is connected to the third common terminal, and the switch unit includes a GaAs semiconductor element The switch element is mounted on the multilayer substrate. The first diplexer and the second diplexer are formed in the multilayer substrate.
[0014]
In the composite high frequency component of the present invention, a filter is connected between the first input terminal and the second common terminal, and the filter is formed inside the multilayer substrate. . Examples of the filter include a low-pass filter.
[0015]
Furthermore, the composite high frequency component of the present invention is characterized in that a capacitor constituting the switch section is mounted as a chip component on a multilayer substrate.
[0016]
A communication apparatus according to the present invention uses the high-frequency circuit.
[0017]
The communication apparatus of the present invention is characterized by using the composite high frequency component.
[0018]
In the high-frequency circuit and the composite high-frequency component of the present invention, a surface acoustic wave filter may be connected to each of the third output terminal and the fourth output terminal, and the surface acoustic wave filter may be mounted on the substrate surface. .
[0019]
In the high-frequency circuit and the composite high-frequency component of the present invention, a circuit including an inductor and a capacitor for removing noise may be connected to the first common terminal and formed inside the multilayer substrate.
[0020]
With the above configuration, the high-frequency circuit and the composite high-frequency component of the present invention can reduce the number of components (elements) constituting the circuit, and thus the circuit configuration is simplified. In addition, since a transmission line of a component (element) constituting a switch unit for switching transmission / reception formed over a plurality of substrates can be omitted, a multilayer substrate can be formed thinly, and the composite high frequency component as a whole It is possible to reduce the size and height. Furthermore, since the length of the wiring for connecting the components (elements) constituting the circuit is shortened, an increase in transmission loss can be suppressed, and the generation of noise due to the coupling between the wirings can be prevented.
[0021]
The high-frequency circuit and the composite high-frequency component of the present invention include a first communication system and a second communication system in which the frequency bands to be used are close to each other, and a third frequency band to be used apart from the first and second communication systems. It becomes possible to cope with a communication system. Further, the first communication system may be a CDMA communication system, and the transmission unit and the reception unit of the first communication system may be a circuit wiring alone or a high-frequency circuit connected only by the circuit wiring. Examples of the CDMA communication system include a W-CDMA communication system and a UMTS (Universal Mobile Telecommunications System) communication system.
[0022]
The composite high-frequency component according to the present invention includes a first diplexer, a second diplexer, a switch unit, and a filter and a circuit for noise removal, which are integrated on a multi-layer substrate. By mounting on the substrate and forming the first diplexer, the second diplexer, the filter, and the circuit for noise removal inside the multilayer substrate, the composite high frequency component can be miniaturized.
[0023]
Further, the composite high frequency component of the present invention uses a GaAs semiconductor element for the switch unit, so that the number of components (elements) constituting the switch unit for switching transmission / reception of a plurality of communication systems can be reduced. Therefore, the high frequency circuit is simplified. In addition, since the number of components (elements) mounted on the multilayer substrate is small, the composite high frequency component can be miniaturized. Furthermore, workability of component mounting is improved by reducing the number of components mounted on the multilayer substrate.
[0024]
The capacitor constituting the switch part of the composite high frequency component of the present invention has a function of a capacitor for cutting direct current. Usually, a capacitor for cutting direct current is used with a large capacity. However, when the inner layer is formed on a multilayer substrate, the electrode area of the capacitor electrode must be increased or the capacitor electrode must be formed over a plurality of layers. Therefore, there is a case where miniaturization of the multilayer substrate is hindered. However, the composite high-frequency component according to the present invention enables the miniaturization of the multilayer substrate and the composite high-frequency component in order to mount the capacitor constituting the switch unit on the multilayer substrate.
[0025]
Further, the communication device of the present invention also exhibits the same effect by using the high frequency circuit and the composite high frequency component of the present invention.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A composite high frequency component 201 according to one embodiment of the present invention has a configuration as shown in FIG.
[0027]
2 and 3, a first diplexer 21 (not shown) formed inside a multilayer substrate 101 having a dielectric substrate such as glass ceramic as an insulating layer and a conductive layer mainly composed of Ag or an Ag alloy, 2, a diplexer 22, a low-pass filter 61, a switch unit 31 including a GaAs semiconductor element 315 and capacitors 316, 317, 318, and 319 mounted on the multilayer substrate 102. The multilayer substrate 101 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and a plurality of castellations 401 each having a semicylindrical concave portion on the lower side and a conductor layer on the inner side surface are formed on the four side surfaces. The composite high frequency component 201 can be mounted and connected on another substrate by the castellation 401. The castellation 401 corresponds to an antenna terminal in a high-frequency circuit, a transmission / reception unit terminal of each communication system, a control terminal, a ground terminal, and the like.
[0028]
The first communication system and the second communication system in which the frequency bands to be used formed in the composite high-frequency component 201 of the present invention are close to each other, and the third communication in which the frequency bands to be used are separated from the first and second communication systems. A high-frequency circuit 9 used in a triple-band mobile phone corresponding to the system will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a block diagram, and FIG. 4 is a circuit diagram. In this embodiment, the first communication system is a UMTS (Universal Mobile Telecommunications) of a CDMA communication system.
System), TDMA DCS as the second communication system, and TDMA EGSM as the third communication system.
[0029]
In FIG. 4, the high-frequency circuit 9 is connected to the antenna terminal ANT and switches between a transmission signal and a reception signal of each communication system, and a first diplexer 21 connected to a transmission unit of the communication system of EGSM and DCS. A second diplexer 22 connected to the receiver of the communication system of EGSM and DCS, and a low-pass filter 61 for attenuating the second harmonic and the third harmonic in the transmission signal from the transmitter from each communication system. Yes. The switch unit 31 includes a first common terminal 314 connected to the antenna, a first input terminal 311 connected to the first filter terminal 611 of the low-pass filter, and a first connected to the transmission / reception unit terminal TRX1 of the UMTS. Input / output terminals 312 and a first output terminal 313 connected to the third common terminal 221 of the second diplexer 22.
[0030]
The switch unit includes a switch element 315 including a GaAs semiconductor element and capacitors 316, 317, 318, and 319. The switch element includes a first control terminal VC1 that controls connection / disconnection between the first common terminal and the first input terminal, and a second control circuit that controls connection / disconnection between the first common terminal and the first input / output terminal. The control terminal VC2 has a third control terminal VC3 for controlling connection / disconnection of the first common terminal and the first output terminal. Here, the capacitors 316, 317, 318, and 319 have a function of cutting a direct current from the control terminals VC1, VC2, and VC3, and capacitors having a capacity of about 30 pF or more are used.
[0031]
The first diplexer 21 is connected to the second common terminal 211 connected to the second filter terminal 612 of the low-pass filter, the second input terminal 212 connected to the DCS transmitter terminal TX2, and the transmitter terminal TX1 of the EGSM. And a third input terminal 213. In addition, the first diplexer 21 has a function of a high-pass filter that passes a transmission signal from the DCS transmission unit terminal TX2 between the second common terminal 211 and the second output terminal 212, and a second common terminal 211. And a third output terminal 213 are provided with a function of a low-pass filter that passes a transmission signal from the transmission unit terminal TX1 of EGSM.
[0032]
The first diplexer 21 includes a low-pass filter composed of capacitors 121 and 122 and an inductance 123 and a high-pass filter composed of capacitors 127, 128 and 129 and an inductance 130.
[0033]
The second diplexer 22 includes a third common terminal 221 connected to the second input terminal 313 of the switch unit 31, a third output terminal 223 connected to the receiver end RX2 of the DCS, and a receiver terminal of the EGSM. And a second output terminal 224 connected to RX1. The second diplexer 22 has a function of a low-pass filter that passes an EGSM transmission signal from the first output terminal 313 of the switch unit 31 between the third common terminal 221 and the second output terminal 224. The high-pass filter function of passing the DCS received signal from the second output terminal of the switch unit 31 between the third common terminal 221 and the third output terminal 223 is provided.
[0034]
The second diplexer 22 includes a low-pass filter composed of capacitors 124 and 125 and an inductance 126 and a high-pass filter composed of capacitors 131, 132 and 133 and an inductance 134.
[0035]
The first and second diplexers described above are a combination of a low-pass filter and a high-pass filter. However, the present invention is not limited to this, and low-pass filters, high-pass filters, notch filters, band-pass filters other than this combination are not limited thereto. A diplexer that is a combination of these may be used.
[0036]
The low-pass filter 61 is connected between the first input terminal 311 of the switch unit 31 and the second common terminal 211 of the first diplexer 21. As a result, the number of low-pass filters can be reduced as compared with the connection between the first diplexer 21 and the EGSM transmission terminal TX1 and the DCS transmission unit terminal TX2. That is, the harmonics of the transmission signal can be removed without increasing the number of components (elements).
[0037]
The low-pass filter 61 includes capacitors 136, 137, 1138, 139, and 140 and inductances 141 and 142, and is configured by a two-stage low-pass filter.
The high-frequency circuit 9 of the present invention having such a configuration operates as follows when transmitting or receiving each communication system. The EGSM transmission signal is input from the EGSM transmission unit terminal TX1 to the third input terminal 213 included in the first diplexer 21, passes through a low-pass filter constituting the diplexer 21, and is supplied to the second diplexer 21. The first common terminal 211 of the switch unit 31 and the first common terminal 314 of the switch unit 31 are output via the low-pass filter 61. At this time, a signal is transmitted so as to connect the first common terminal 314 and the first input terminal 311 to the first control terminal VC1 of the switch element 315, and the second and third control terminals VC2 and VC3 receive the first signal. A signal is transmitted so that one input / output terminal and the first output terminal are disconnected. On the other hand, an EGSM reception signal is input from the first common terminal 314 of the switch unit 31 and output from the first output terminal 313. The output EGSM reception signal is input from the third common terminal 221 of the second diplexer 22, passes through a low-pass filter constituting the second diplexer 22, and is output from the second output terminal 224 to be an EGSM reception unit It is sent to the terminal RX1. At this time, a signal is transmitted to connect the first common terminal 314 and the first output terminal 313 to the third control terminal of the switch element 315, and the first control terminal VC1 and the second control terminal VC2 receive the first signal. A signal is transmitted so that the input terminal 311 and the first input / output terminal 312 are disconnected.
[0039]
The DCS transmission signal is input from the DCS transmission unit terminal TX2 to the second input terminal 212 of the first diplexer 21, passes through a high-pass filter that constitutes the first diplexer 21, and the first diplexer 21 Output to the second common terminal 211, passing through the low-pass filter 61, input to the first input terminal 311 of the switch unit 31, and output from the first common terminal 314 of the switch unit 31. At this time, a signal is transmitted to connect the first common terminal 314 and the first input terminal 311 to the first control terminal VC1 of the switch element 315, and the second and third control terminals VC2 and VC3 receive the first signal. A signal is transmitted so that the 1 input / output terminal 312 and the first output terminal 313 are disconnected. On the other hand, the DCS reception signal is input from the first common terminal 314 of the switch unit 31 and output from the first output terminal 313. The output DCS reception signal is input from the third common terminal 221 of the second diplexer 22, is output from the third output terminal 223, and is sent to the DCS receiving unit terminal RX2. At this time, a signal is transmitted so that the first common terminal 314 and the first output terminal 313 are connected to the third control terminal VC3 of the switch element 315, and the first control terminal VC1 and the second control terminal VC2 are connected to each other. A signal is transmitted so that the first input terminal 311 and the first input / output terminal 312 are disconnected.
[0040]
The UMTS transmission signal is input from the transmission unit terminal TRX1 of the UMTS to the first input / output terminal 312 of the switch unit 31 and output from the first common terminal 314 of the switch unit 31. At this time, a signal is transmitted so as to connect the first common terminal 314 and the first input / output terminal 312 to the first control terminal VC2 of the switch element 315. From the first and third control terminals VC1 and VC3, A signal is transmitted so that the first input terminal 311 and the first output terminal 313 are disconnected. On the other hand, a reception signal of UMTS is input from the first common terminal 314 of the switch unit 31 and output from the first input / output terminal 312. The output UMTS reception signal is sent to the UMTS receiver terminal TRX1. At this time, similarly to the transmission, a signal is transmitted so that the first common terminal 314 and the first input / output terminal 312 are connected to the first control terminal VC2 of the switch element 315, and the first and third control are performed. Signals are transmitted from the terminals VC1 and VC3 so that the first input terminal 311 and the first output terminal 313 are disconnected.
[0041]
In the case of an EGSM, DCS, and UMTS triple band mobile phone, an EGSM transmission signal is 880 MHz to 915 MHz, a reception signal is 925 MHz to 960 MHz, a DCS transmission signal is 1710 MHz to 1785 MHz, a reception signal is 1805 MHz to 1880 MHz, and UMTS Transmission signals of 1920 MHz to 1980 MHz, and reception signals of 2110 MHz to 2170 MHz. Therefore, the switch element 315 uses a GaAs MMIC made of a GaAs semiconductor having a frequency band of about 1000 MHz to 2000 MHz. In addition, since transmission / reception switching of each communication system can be performed only by using GaAsMMIC, the number of components (elements) constituting the high-frequency circuit is reduced, and the composite high-frequency component can be downsized. Since GaAs MMIC is configured as a chip component, it is mounted on a multilayer substrate when used for a composite high-frequency component. In addition, the connection between each terminal of the GaAs MMIC and the components (elements) such as the first and second diplexers and the low-pass filter is made through the first and second diplexers and the low-pass formed in the multilayer substrate through electrode pads (not shown). Connected with filter.
[0042]
On the other hand, since GaAsMMIC is a device that is very susceptible to static electricity, an antistatic circuit may be added to the high-frequency circuit. Specifically, a circuit including a capacitor and an inductance is provided between the antenna terminal and the first common electrode of the switch unit 31. In addition, there is a possibility that the antistatic circuit can also be formed in the multilayer substrate, and the miniaturization of the composite high frequency component can be maintained.
[0043]
In the above, the present invention has been described with reference to the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and it is needless to say that the present invention can be appropriately modified and applied without departing from the gist thereof. For example, a surface acoustic wave filter (SAW filter) may be connected between the second diplexer, the EGSM, and the DCS receiver terminals. When a high-frequency circuit with a SAW filter added is used for a composite high-frequency component, the SAW filter is mounted on a multilayer substrate. You may mount a SAW filter in the recessed part provided in the multilayer substrate. The recess may be formed on the surface on which the GaAs MMIC chip element is mounted. However, if the recess is formed on the bottom surface of the multilayer substrate on which the GaAs MMIC chip element is not mounted, the multilayer substrate is reduced in size in plan view. Therefore, it is preferable.
[0044]
Furthermore, a duplexer for switching between a UMTS transmission signal and a reception signal may be connected to the UMTS transceiver terminal TRX1.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of a triple-band high-frequency circuit used in a conventional triple-band mobile phone.
FIG. 2 is a perspective view of a composite high-frequency component that is one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram of a high frequency circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a high-frequency circuit diagram according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
9 High-frequency circuit 311 First input terminal 312 First input / output terminal 313 First output terminal 314 First common terminal 31 Switch unit 315 Switch elements 316 to 319 Capacitor 21 First diplexer 22 Second diplexer 211 First Two common terminals 212 Second input terminal 213 Third input terminal 221 Third common terminal 224 Third output terminal 223 Fourth output terminal 61 Low-pass filter
;

Claims

The first communication system and the first communication system in which the frequency bands to be used are determined close to each other so that the frequency band of the second communication system is closer to the frequency band of the first communication system than the frequency band of the third communication system A high-frequency circuit corresponding to a second communication system and a third communication system in which a frequency band to be used is separated from the first and second communication systems,
A first common terminal connected to an antenna; a first input terminal to which transmission signals from the second communication system and the third communication system are input; the second communication system and the third communication system; A first output terminal to which the received signal is input, and a first input / output terminal shared for transmission / reception of the first communication system by the CDMA system , the first input terminal, the first input terminal A single switch unit that switches and connects any one of the output terminal and the first input / output terminal to the first common terminal;
A second common terminal connected to the first input terminal of the switch unit, a second input terminal connected to the transmission terminal of the second communication system, and a transmission terminal of the third communication system. A first diplexer having a third input terminal;
A third common terminal connected to the first output terminal of the switch unit, a third output terminal connected to the reception terminal of the second communication system, and a reception terminal of the third communication system. A second diplexer having a fourth output terminal;
A high-frequency circuit comprising:

A filter for removing harmonics from transmission signals of the second communication system and the third communication system is connected between the first input terminal and the second common terminal. The high-frequency circuit according to claim 1.

3. The high-frequency circuit according to claim 1, wherein the switch unit includes a switch element including a GaAs semiconductor element and a capacitor. 4.

4. A composite high-frequency component comprising the high-frequency circuit according to claim 3 and having a multilayer substrate formed by laminating a plurality of dielectric substrates, wherein the switch section includes a switch element including a GaAs semiconductor element and a capacitor. The switch element is mounted on the multilayer substrate, and the first diplexer and the second diplexer are formed inside the multilayer substrate.

A filter for removing harmonics from transmission signals of the second communication system and the third communication system is connected between the first input terminal and the second common terminal. The composite high-frequency component according to claim 4, wherein the composite high-frequency component is formed inside a multilayer substrate.

6. The composite high frequency component according to claim 4, wherein the capacitor constituting the switch unit is mounted as a chip component on the multilayer substrate.

A communication apparatus using the composite high-frequency component according to any one of claims 4 to 6.