JP3829554B2 - Manufacturing method of liquid crystal device - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板間に封止した液晶の配向を制御することによって文字、数字、図形等といった像を表示する液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶装置は、一般に、一対の基板間に液晶を封入した構造の液晶パネルに、バックライト等といった照明装置や、液晶駆動用IC等といった付帯機器を付設することによって形成される。また、液晶パネルは、一般に、第1電極が形成された第1基板と第2電極が形成された第2基板とをシール材によって互いに貼り合わせ、それらの基板間に形成される間隙、いわゆるセルギャップ内に液晶を封入することによって形成される。
【0003】
液晶駆動用IC等を液晶パネルに付設するための方法として、液晶パネルを構成する一対の基板の一方又は双方に相手側基板の外側へ張り出す基板張出し部を形成し、上記液晶パネル内部の第1電極及び第2電極につながる配線をその基板張出し部の表面に形成し、そして、この配線に液晶駆動用ICを接続するという方法が知られている。例えば、COG( Chip On Glass)方式の液晶装置では、基板張出し部の表面に液晶駆動用ICを直接に実装して、ICチップのバンプと基板張出し部上の配線とを導電接続する。
【0004】
このように基板張出し部を有する液晶装置に関しては、その基板張出し部の表面に形成された配線に電食すなわちコロージョンが発生することを防止する必要があり、そのため、従来から、シリコンモールド等といった保護剤を基板張出し部の表面に付着、例えば塗布して配線を被覆するという措置が講じられている。なお、電食とは、配線に異常な電流が流れることによってその配線が腐食して損耗することであり、例えば、配線に汚れが付着した状態で通電が行われたり、配線が外気に触れている状態で通電が行われること等に起因して発生する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、液晶装置の基板張出し部の表面に保護剤を付着、例えば塗布する際には、その保護剤は単に塗布するだけであって、その高さを一定値に制限するといった処理は行われていなかった。このため、保護剤の付着高さが高くなって、液晶装置を使用する電子機器の部品がその保護剤に当たってしまうという問題があった。
【0006】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、電食防止のための保護剤を基板張出し部の表面に薄く均一に付着させることができる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
(1) 上記の目的を達成するため、本発明に係る液晶装置の製造方法は、互いに貼り合わされた一対の基板間に液晶を封入して成り、少なくとも一方の基板が相手側基板の外側へ張り出す基板張出し部を有し、該基板張出し部の表面には配線が形成される液晶装置を製造するための製造方法において、前記基板張出し部の表面に流動性を有する保護剤を供給する保護剤供給工程と、前記基板張出し部の表面に供給された保護剤を前記一対の基板が貼り合わされている領域へ向けて流れるように該一対の基板を傾斜させる基板傾斜工程とを有することを特徴とする。
【0008】
この液晶装置の製造方法によれば、保護剤が有する流動性を利用してその保護剤を基板張出し部上で流動させるようにしたので、基板張出し部上に供給した保護剤の高さを均一な薄い厚さに形成できる。しかも、単に基板を傾斜させるという非常に簡単な処理だけでそのことを実現できる。
【0009】
また、一対の基板がシール材によって貼り合わされている液晶パネル構造において基板張出し部におけるシール材近傍の領域には、通常、保護剤が付着させにくいのであるが、本発明に係る製造方法によれば、その領域にも保護剤を極めて容易に行き渡らせることができる。
【0010】
(2) 上記(1)項記載の液晶装置の製造方法は、基板張出し部の表面にICチップを直接に実装する方式の液晶装置、すなわちCOG(Chip On Glass)方式の液晶装置に対して適用できる。この方式の液晶装置では、液晶表示領域を構成する電極とICチップの端子すなわちバンプを接続する配線が、基板張出し部の表面のかなり広い領域に亘って形成される。従って、このCOG方式の液晶装置に本発明を適用すれば、広い領域に亘って存在する配線を均一な薄い厚さの保護剤によってきれいに覆うことができる。
【0011】
(3) 上記(2)項記載の液晶装置、すなわちCOG方式の液晶装置を本発明に係る製造方法を用いて製造する場合には、ICチップと基板との間には保護剤を供給しないという方法を採用することができる。
【0012】
一般に、基板張出し部の表面に保護剤を供給するときには、図6に示すように、いわゆるディスペンサ24によって一定量の保護剤18を狭い領域に吐出しながらそのディスペンサ24を矢印Aのように移動させる。このような保護剤供給方法を採用する場合であって、ディスペンサ24から吐出される保護剤の吐出量が比較的多いとき、ディスペンサによってICチップと基板との間に保護剤を供給するものとすれば、該部分への保護剤の供給量が過剰となるおそれがある。これに対し、上記のように、ICチップと基板との間には保護剤を供給しないことにすれば、そのような保護剤の過剰な供給を防止できる。
【0013】
(4) 上記(2)項又は上記(3)項記載の液晶装置、すなわちCOG方式の液晶装置に対して保護剤の供給を行う場合には、基板張出し部の表面のうちICチップから見て一方の片側領域及び他方の片側領域において、保護剤の吐出口を基板辺端近傍とICチップ近傍との間の重ならない経路で往復移動させながら保護剤を供給することができる。この方法によれば、保護剤を吐出するための装置の吐出量が比較的小さい場合でも、保護剤を基板表面に均一に供給できる。
【0014】
(5) 上記(1)項から上記(4)項記載の液晶装置の製造方法において、前記保護剤は常温硬化型樹脂とすることができる。このような常温硬化型樹脂としては、例えばシリコンを含む樹脂であるシリコンモールドを用いることができる。常温硬化型樹脂を用いる場合には、その樹脂を基板張出し部の表面に供給した後、特別な樹脂硬化工程を行わなくても樹脂が自然に硬化させることができる。
【0015】
(6) 上記(1)項から上記(4)項記載の液晶装置の製造方法において、前記保護剤は紫外線硬化型樹脂とすることができる。この方法によれば、基板張出し部上に供給した保護剤の流れ具合を確認した上で保護剤を硬化できるので好都合である。
【0016】
また、COG方式の液晶装置の場合には一般的にはICチップと基板との間の部分に保護剤を充填することが難しいのであるが、保護剤として紫外線硬化型樹脂を用いれば、当該部分への保護剤の充填を確認してから保護剤を硬化できるので好都合である。
【0017】
【発明の実施の形態】
まず、本発明に係る液晶装置の製造方法を説明するのに先立って、その製造方法を用いて製造される液晶装置について、図1の平面図及び図2の断面図を用いて説明する。
【0018】
ここに示す液晶装置1は、互いに対向する一対の基板2a及び2bを有し、これらの基板はシール材3によってそれらの周囲が互いに接着される。シール材3の内部には、図2に示すように導電材4が含まれている。また、シール材3の一部には図1に示すように液晶注入口3aが形成される。
【0019】
図2において、第1基板2aは基板素材6aを有し、その基板素材6aの液晶側表面、すなわち第2基板2bに対向する面には、例えばコモン電極として作用する第1電極7aが所定のパターンに形成され、その上にオーバーコート層8aが形成され、さらにその上に配向膜9aが形成される。なお、図1では、便宜上、オーバーコート層8a及び配向膜9aの図示を省略してある。また、図2において、基板素材6aの外側表面には光学素子としての偏光板11aが貼着される。
【0020】
第1基板2aに対向する第2基板2bは基板素材6bを有し、その基板素材6bの液晶側表面、すなわち第1基板6aに対向する面には、例えばセグメント電極として作用する第2電極7bが所定のパターンに形成され、その上にオーバーコート層8bが形成され、さらにその上に配向膜9bが形成される。なお、図1では、便宜上、オーバーコート層8b及び配向膜9bの図示を省略してある。また、図2において、基板素材6bの外側表面には光学素子としての偏光板11b及び半透過反射板12が貼着される。つまり、本実施形態の液晶装置1は図2の下側面が像表示面となる。
【0021】
なお、第1基板2a及び第2基板2bの双方又は一方に設けられる光学素子としては、上記したもの以外に必要に応じて他の素子、例えば位相差板、光拡散板等が考えられる。また、基板素材6a,6bには、必要に応じて、その他の光学要素、例えばカラーフィルタ等を設けることもできる。
【0022】
基板素材6a,6bは、例えばガラス等といった硬質な光透過性材料や、プラスチック等といった可撓性を有する光透過性材料等によって所定形状、例えば長方形状や正方形状に形成される。また、第1電極7a及び第2電極7bは、例えばITO(Indium Tin Oxide)等といった透明電極によって1000オングストローム程度の厚さに形成され、オーバーコート層8a及び8bは、例えば酸化珪素、酸化チタン又はそれらの混合物等によって800オングストローム程度の厚さに形成され、そして配向膜9a及び9bは、例えばポリイミド系樹脂によって800オングストローム程度の厚さに形成される。
【0023】
第1電極7aは、図1に示すように、複数の直線パターンを互いに平行に配列することによって、いわゆるストライプ状に形成される。一方、第2電極7bは上記第1電極7aに交差するように複数の直線パターンを互いに平行に配列することによって、やはりストライプ状に形成される。これらの電極7aと電極7bとがドットマトリクス状に交差する複数の点が、像を表示するための画素を形成する。そして、それら複数の画素によって区画形成される領域が、文字等といった像を表示するための表示領域となる。
【0024】
以上のようにして形成された第1基板2a及び第2基板2bのいずれか一方の液晶側表面には、図2に示すように、複数のスペーサ13が分散され、さらにいずれか一方の基板の液晶側表面にシール材3が例えば印刷等によって図1に示すように枠状に設けられる。また、そのシール材3の適所に液晶注入口3aが形成される。
【0025】
両基板2a及び2bの間にはスペーサ13によって保持される均一な寸法、例えば5μm程度の間隙、いわゆるセルギャップが形成され、液晶注入口3aを通してそのセルギャップ内に液晶14が注入され、その注入の完了後、液晶注入口3aが樹脂等によって封止される。
【0026】
図1において、第1基板2aは第2基板2bの外側であって、さらにシール材3の外側へ張り出す基板張出し部2cを有する。第1基板2a上の第1電極7aはその基板張出し部2cへ直接に延び出て配線15となっている。また、第2基板2b上の第2電極7bはシール材3に含まれる導電材4(図2参照)を介して基板張出し部2c上の配線15につながっている。なお、符号20は、図示しない外部回路との間で電気的な接続をとるための外部接続端子を示している。
【0027】
各電極7a,7b、それらにつながる基板張出し部2c上の配線15及び外部接続端子20は、実際には極めて狭い間隔で多数本がそれぞれの基板2a及び2bの表面全域に形成されるが、図1及びこれから説明する各図では構造を分かり易く示すために実際の間隔よりも広い間隔でそれらの電極等を模式的に図示し、さらに一部の電極の図示は省略してある。また、電極7a及び7bは、直線状に形成されることに限られず、適宜の文字、図形等といったパターンとして形成されることもある。
【0028】
基板張出し部2c上には、ACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電膜)17によって液晶駆動用IC16が直接に実装され、いわゆるCOG方式の実装構造が構成される。液晶駆動用IC16は、図2に示すように、その能動面すなわち図2の下面に、複数の端子すなわちバンプ21を有する。
【0029】
ACF17は、周知の通り、一対の端子間を異方性を持たせて電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、例えば図2に示すように、熱可塑性又は熱硬化性の樹脂フィルム22の中に多数の導電粒子19を分散させることによって形成される。
【0030】
このACF17を挟んで基板張出し部2cと液晶駆動用IC16とを熱圧着、すなわち加熱下で加圧することにより、液晶駆動用IC16を基板張出し部2cに接着すると共に、液晶駆動用IC16のバンプ21と基板張出し部2c上の配線15との間及び液晶駆動用IC16のバンプ21と基板張出し部2cと上の外部接続端子20との間において単一方向の導電性を持つ接続を実現する。
【0031】
図1において、基板張出し部2cの表面には保護剤としてのシリコンモールド18が付着されている。このシリコンモールド18は基板張出し部2c上の配線15が外気に触れることによって電食を発生することを防止するために、それらの配線15の全てを覆うように設けられるものである。
【0032】
図2に示すように、第2基板2bはシール材3の外側へ張り出す延出部2dを有し、そのため、第1基板2aと第2基板2bとの間には、延出部2d、基板張出し部2c及びシール材3によって囲まれる凹部23が形成される。シリコンモールド18はこの凹部23の中にも充填されて、該部に存在する配線15を被覆する。
【0033】
以上のように構成された液晶装置1に関して、液晶駆動用IC16によって第1電極7a又は第2電極7bのいずれか一方に対して行ごとに走査電圧を印加し、さらにそれらの電極の他方に対して表示画像に基づいたデータ電圧を画素ごとに印加することにより、両電圧の印加によって選択された各画素部分を通過する光を変調し、もって、基板2a又は2bの外側、本実施形態の場合は基板2aの外側に文字、数字等といった像を表示する。
【0034】
以下、上記構成から成る液晶装置1を製造するための製造方法について、図3に示す工程図を参照して説明する。
【0035】
まず、図1の第1基板2aの複数個分の大きさを有する大判の基板素材をガラス、プラスチック等によって形成し、図3の工程A1において、その大判基板素材に対して第1電極形成工程を実施する。具体的には、ITOを材料として周知のパターン形成法、例えばフォトリソグラフィー法によって、図4(a)に示すように、大判基板素材6a’の表面に所定パターンの第1電極7a、配線15及び外部接続端子20を形成する。なお、図4(a)では、大判基板素材6a’のうち第1基板2aの1個分の領域だけを示している。
【0036】
次に、オーバーコート層8a(図2参照)を図4(a)の大判基板素材6a’の表面に、例えば酸化珪素、酸化チタンを材料としてオフセット印刷によって形成する(図3の工程A2)。そしてその上に、例えばポリイミド系樹脂を材料としてオフセット印刷によって配向膜9a(図2参照)を形成し(図3の工程A3)、その配向膜に配向性を持たせるためにラビング処理を行う(図3の工程A4)。
【0037】
さらにその上に、例えばエポキシ系樹脂を材料として例えばスクリーン印刷によってシール材3を枠形状に形成し(図3の工程A5)、さらにスペーサ13(図2参照)を分散する(図3の工程A6)。これにより、図4(a)に示すような大判の第1基板2a’が形成される。なお、図4(a)では、便宜上、オーバーコート層及び配向膜の図示を省略してある。
【0038】
他方、図1の第2基板2bの複数個分の大きさを有する大判の基板素材をガラス、プラスチック等によって形成し、図3の工程B1において、その大判基板素材に対して第2電極形成工程を実施する。具体的には、ITOを材料として周知のパターン形成法、例えばフォトリソグラフィー法によって、図4(b)に示すように、大判基板素材6b’の表面に所定パターンの第2電極7bを形成する。なお、図4(b)では、大判基板素材6b’のうち第2基板2bの1個分の領域だけを示している。
【0039】
次に、オーバーコート層8b(図2参照)を図4(b)の大判基板素材6b’の表面に、例えば酸化珪素、酸化チタンを材料としてオフセット印刷によって形成する(図3の工程B2)。そしてその上に、例えばポリイミド系樹脂を材料としてオフセット印刷によって配向膜9b(図2参照)を形成し(図3の工程B3)、その配向膜に配向性を持たせるためにラビング処理を行う(図3の工程B4)。これにより、図4(b)に示すような大判の第2基板2b’が形成される。なお、図4(b)では、便宜上、オーバーコート層及び配向膜の図示を省略してある。
【0040】
以上により大判第1基板2a’(図4(a))及び大判第2基板2b’(図4(b))が作製された後、図3の工程C1において、大判第1基板2a’と大判第2基板2b’とをシール材3を間に挟んで重ね合わせ、さらに圧着すること、すなわち加熱下で加圧することにより、両基板を互いに貼り合わせる。この貼り合わせにより、液晶装置1の主たる部分である液晶パネル構造を複数個含む大きさの大判パネル構造が形成される。なお、この貼り合わせに際しては、図4(a)の大判第1基板2a’又は図4(b)の大判第2基板2b’のいずれか一方を図示の状態から裏返した状態で相手側の大判基板と貼り合わせる。
【0041】
以上のようにして大判のパネル構造が作製された後、このパネル構造に対して第1ブレイク工程を実施する(図3の工程C2)。具体的には、パネル構造を構成する大判第1基板2a’に関して図4(a)に示す第1切断線L1aに沿って該大判基板を切断し、一方、大判第2基板2b’に関して図4(b)に示す第1切断線L1bに沿って該大判基板を切断する。
【0042】
これにより、液晶注入口3aが外部へ露出した状態の液晶パネル部分が複数個含まれる中判のパネル構造、いわゆる短冊状のパネル構造が複数個切り出される。そしてその後、各液晶注入口3aを通して各液晶パネル部分の内部に液晶14を注入し、さらにその注入の完了後にその液晶注入口3aを樹脂によって封止する(図3の工程C3)。
【0043】
その後、工程C4において中判パネル構造に対して第2ブレイクを実施する。具体的には、図4(a)の第2切断線L2a及び図4(b)の第2切断線L2bに沿って中判パネル構造を構成する第1基板及び第2基板を切断し、これにより、図2に示す液晶装置1であって、液晶駆動用IC16、シリコンモールド18偏光板11a,11b及び半透過反射板12が付設されていないものが1個ずつ分断される。
【0044】
その後、ACF17を用いて基板張出し部2cの表面に液晶駆動用IC16が実装され(工程C5)、さらに基板素材6a,6bの外側表面にそれぞれ偏光板11a,11bが貼着され(工程C6)、さらに、像が表示されない側の基板、本実施形態の場合は第2基板6bの外側表面に半透過反射板12が貼着される(工程C7)。
【0045】
その後、工程C8において、保護剤としてのシリコンモールドの供給工程が実行される。具体的には、図5に示すように、シリコンモールド18を吐出するためのディスペンサ24の吐出口を、基板張出し部2cの表面のうち液晶駆動用IC16から見て一方の片側領域2eにおいて、基板辺端近傍P1とICチップ近傍P2との間の重ならない経路K1で往復移動させながら、その吐出口からシリコンモールド18を吐出して基板張出し部2cの表面に塗布、すなわち供給する。
【0046】
なお、液晶駆動用IC16の長辺と第2基板2bの端辺との間の間隔Gは、例えば0.5mm〜1mm、平均的には0.8mm程度である。そして、吐出経路K1の終点は、液晶駆動用IC16の長辺と第2基板2bの端辺との間の上記の間隔Gの領域であって、液晶駆動用IC16の端辺から所定寸法D、例えば2mm程度内部へ入った所に設定される。
【0047】
他方、基板張出し部2cの表面のうち液晶駆動用IC16から見て他方の片側領域2fにおいては、ICチップ近傍P2と基板辺端近傍P1との間の重ならない経路K2でディスペンサ24を往復移動させながら、そのディスペンサ24の吐出口からシリコンモールド18を吐出する。この片側領域2fに関するシリコンモールドの供給は、もう一方の片側領域2eに引き続いて連続的に行われることに鑑み、その吐出の開始点は、液晶駆動用IC16の長辺と第2基板2bの端辺との間の間隔Gの領域であって、液晶駆動用IC16の端辺から所定寸法D、例えば2mm程度内部へ入った所に設定される。そして、基板辺端近傍P1を吐出の終了点とする。
【0048】
なお、液晶駆動用IC16の長辺と第2基板2bの端辺との間の間隔Gの領域であって、片側領域2eの吐出終了点ともう一方の片側領域2fの吐出開始点との間の領域では、シリコンモールド18の吐出を行わない。
【0049】
以上のような、シリコンモールド18の吐出処理により、液晶駆動用IC16のまわりの基板張出し部2cの表面にシリコンモールド18が供給される。なお、このときのシリコンモールドの表面状態は、基板張出し部2cの表面全体にわたって厳密に均一な薄い厚さとなっているわけではなく、ディスペンサ24の吐出口の口径の大きさに応じた凹凸を有している。
【0050】
その後、図3の工程C9において、図2に示すように、基板張出し部2cの表面に塗布、すなわち供給されたシリコンモールド18が常温によって硬化する前の適宜のタイミングで、一対の基板2a及び2bが貼り合わされている領域、換言すれば液晶14を封止しているシール材3へ向けてシリコンモールド18が矢印Bの方向へ流れるように、液晶装置1の全体を角度θで傾斜させる。
【0051】
これにより、工程C8において基板張出し部2cに供給されたシリコンモールド18は傾斜角度θに従って矢印Bのように流動して、基板張出し部2cの表面全体へ、例えば100μm以下の厚さで薄く均一に行き渡って配線15の全てを確実に被覆する。しかも、シリコンモールド18は、図2において基板張出し部2C、第2基板2bの延出部2d及びシール材3によって囲まれる凹部23にも確実に充填され、該領域に存在する配線15を確実に被覆する。
【0052】
このように、基板張出し部2cの表面に付着させるシリコンモールド18の厚さを無理なく非常に薄く形成できるので、本液晶装置1を電子機器、例えば携帯電話機や携帯情報端末機等に組み込む際、基板張出し部2cに対向する場所には広い空間が形成され、各種の部品を必要に応じてその空間内に配設することが可能となる。
【0053】
図5において、ディスペンサ24によって基板張出し部2cの表面にシリコンモールド18を供給する場合、液晶駆動用IC16の長辺と第2基板2bの端辺との間の間隔Gの領域であって、片側領域2eともう一方の片側領域2fとの間の領域において、ディスペンサ24からのシリコンモールド18の吐出を一旦停止するのは次に理由による。
【0054】
すなわち、ディスペンサ24から吐出されるシリコンモールド18の吐出量が比較的多いとき、ディスペンサ24によって液晶駆動用IC16の長辺と第2基板2bとの間の狭い間隙Gの部分にもシリコンモールド18を供給するものとすれば、該部分へのシリコンモールド18の供給量が過剰となるおそれがあるからであり、これに対して本実施形態のように、液晶駆動用IC16と第2基板2bとの間の狭い領域にはシリコンモールド18を供給しないことにすれば、そのようなシリコンモールド24の過剰な供給を防止できるからである。
【0055】
(その他の実施形態)
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【0056】
例えば、図3に示した工程図は、本発明を理解し易くするために挙げた一例であり、実際の製造工程においては、図3に例示した工程以外の各種の工程を必要に応じて追加することがでできる。
【0057】
また、図3の実施形態では、保護剤供給工程C8及び基板傾斜工程C9を、偏光板の貼付工程C6及び半透過反射板の貼付工程C7が終了した後の最終段階で実施したが、これらの工程C8及びC9を、より早い段階で実施することもできる。
【0058】
また、図1に示した実施形態では保護剤としてシリコンモールド、すなわち常温硬化型樹脂を用いたが、保護剤としてその他の種類の常温硬化型樹脂を用いることもできるし、あるいは、常温硬化型樹脂に替えて紫外線硬化型樹脂を用いることもできる。紫外線硬化型樹脂を用いる場合には、基板張出し部上に供給した保護剤の流れ具合を確認した上で保護剤を硬化できるので好都合である。
【0059】
また、基板張出し部上にICチップを直接に実装する構造のCOG方式の液晶装置の場合には、一般的に、ICチップと基板との間の部分に保護剤を充填することが難しいのであるが、保護剤として紫外線硬化型樹脂を用いれば、当該部分への保護剤の充填を確認してから保護剤を硬化できるので好都合である。
【0060】
【発明の効果】
本発明に係る液晶装置の製造方法によれば、保護剤が有する流動性を利用して保護剤を基板張出し部上で流動させるようにしたので、基板張出し部上に供給した保護剤の高さを均一な薄い厚さに形成できる。しかも、単に基板を傾斜させるという非常に簡単な処理だけでそのことを実現できる。
【0061】
また、一対の基板がシール材によって貼り合わされている液晶パネル構造において基板張出し部におけるシール材近傍の領域には、通常、保護剤が付着させにくいのであるが、本発明に係る製造方法によれば、その領域にも保護剤を極めて容易に行き渡らせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶装置の製造方法を用いて製造される液晶装置の一例を一部破断して示す平面図である。
【図2】図1の液晶装置の断面構造を示す断面図である。
【図3】本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図4】図3の製造方法の途中で形成される大判の基板の一部を示す平面図である。
【図5】図3の製造方法の主要工程を説明するための平面図である。
【図6】保護剤の塗布方法の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 液晶装置
2a,2b 基板
2a’,2b’ 大判基板
2c 基板張出し部
2d 基板の延出部
2e,2f 基板の片側領域
3 シール材
7a,7b 電極
14 液晶
15 配線
16 液晶駆動用IC
18 シリコンモールド(保護剤)
23 基板の凹部
24 ディスペンサ
D 寸法
G 間隔
K1,K2 シリコンモールドの供給経路
P1 基板辺端近傍
P2 ICチップ近傍
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal device for manufacturing a liquid crystal device that displays an image such as letters, numbers, and figures by controlling the alignment of liquid crystal sealed between a pair of substrates.
[0002]
[Prior art]
In general, a liquid crystal device is formed by attaching an illuminating device such as a backlight or an accessory device such as a liquid crystal driving IC to a liquid crystal panel having a structure in which liquid crystal is sealed between a pair of substrates. A liquid crystal panel generally includes a first substrate on which a first electrode is formed and a second substrate on which a second electrode is formed bonded to each other with a sealing material, and a gap formed between the substrates, a so-called cell. It is formed by enclosing liquid crystal in the gap.
[0003]
As a method for attaching a liquid crystal driving IC or the like to a liquid crystal panel, a substrate overhanging portion that protrudes to the outside of the counterpart substrate is formed on one or both of a pair of substrates constituting the liquid crystal panel. A method is known in which a wiring connected to the first electrode and the second electrode is formed on the surface of the substrate extension, and a liquid crystal driving IC is connected to the wiring. For example, in a COG (Chip On Glass) type liquid crystal device, a liquid crystal driving IC is directly mounted on the surface of the substrate overhanging portion, and the bumps of the IC chip and the wiring on the substrate overhanging portion are conductively connected.
[0004]
Thus, with respect to the liquid crystal device having the substrate overhanging portion, it is necessary to prevent the occurrence of electrolytic corrosion, that is, corrosion, on the wiring formed on the surface of the substrate overhanging portion. Measures are taken such that the agent is adhered to the surface of the substrate overhanging portion, for example, coated to coat the wiring. Electrocorrosion means that an abnormal current flows through the wiring and the wiring is corroded and worn.For example, energization is performed with dirt attached to the wiring, or the wiring touches the outside air. This occurs due to energization in a state where the power is on.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, conventionally, when a protective agent is attached to the surface of the substrate overhanging portion of the liquid crystal device, for example, when the protective agent is applied, the protective agent is simply applied, and the height is limited to a certain value. It wasn't. For this reason, the adhesion height of the protective agent is increased, and there is a problem that a part of an electronic device using the liquid crystal device hits the protective agent.
[0006]
The present invention has been made in view of the above problems, and provides a method for manufacturing a liquid crystal device capable of depositing a protective agent for preventing electrolytic corrosion thinly and uniformly on the surface of a substrate overhanging portion. For the purpose.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
(1) In order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal device according to the present invention includes a liquid crystal sealed between a pair of substrates bonded to each other, and at least one substrate is stretched to the outside of the counterpart substrate. In the manufacturing method for manufacturing a liquid crystal device having a substrate overhanging portion to be extended and wiring is formed on the surface of the substrate overhanging portion, a protective agent for supplying a fluid protective agent to the surface of the substrate overhanging portion And a substrate tilting step of tilting the pair of substrates so that the protective agent supplied to the surface of the substrate overhanging portion flows toward a region where the pair of substrates are bonded to each other. To do.
[0008]
According to this method for manufacturing a liquid crystal device, the protective agent is made to flow on the substrate overhanging portion by utilizing the fluidity of the protective agent, so that the height of the protective agent supplied onto the substrate overhanging portion is uniform. It can be formed to a thin thickness. Moreover, this can be realized by a very simple process of simply tilting the substrate.
[0009]
Further, in a liquid crystal panel structure in which a pair of substrates are bonded together with a sealing material, it is usually difficult for a protective agent to adhere to a region in the vicinity of the sealing material in the substrate overhang portion, but according to the manufacturing method according to the present invention. Further, the protective agent can be distributed to the area very easily.
[0010]
(2) The method for manufacturing a liquid crystal device described in (1) above is applied to a liquid crystal device in which an IC chip is directly mounted on the surface of the substrate overhanging portion, that is, a COG (Chip On Glass) liquid crystal device. it can. In this type of liquid crystal device, the wiring that connects the electrodes constituting the liquid crystal display area and the terminals of the IC chip, that is, the bumps, is formed over a considerably wide area on the surface of the substrate extension. Therefore, if the present invention is applied to this COG type liquid crystal device, the wiring existing over a wide area can be covered with the protective agent having a uniform thin thickness.
[0011]
(3) When the liquid crystal device described in the above item (2), that is, a COG type liquid crystal device is manufactured using the manufacturing method according to the present invention, no protective agent is supplied between the IC chip and the substrate. The method can be adopted.
[0012]
In general, when supplying the protective agent to the surface of the substrate overhanging portion, as shown in FIG. 6, the dispenser 24 is moved as indicated by an arrow A while discharging a predetermined amount of the protective agent 18 to a narrow region by a so-called dispenser 24. . When such a protective agent supply method is employed, and when the discharge amount of the protective agent discharged from the dispenser 24 is relatively large, the protective agent is supplied between the IC chip and the substrate by the dispenser. In this case, the supply amount of the protective agent to the portion may be excessive. On the other hand, as described above, if the protective agent is not supplied between the IC chip and the substrate, such excessive supply of the protective agent can be prevented.
[0013]
(4) When supplying the protective agent to the liquid crystal device described in the above (2) or (3), that is, a COG type liquid crystal device, the surface of the substrate overhanging portion is viewed from the IC chip. In one side region and the other side region, the protective agent can be supplied while reciprocating the discharge port of the protective agent along a non-overlapping route between the vicinity of the substrate side edge and the vicinity of the IC chip. According to this method, the protective agent can be uniformly supplied to the substrate surface even when the discharge amount of the apparatus for discharging the protective agent is relatively small.
[0014]
(5) In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the above (1) to (4), the protective agent may be a room temperature curable resin. As such a room temperature curable resin, for example, a silicon mold which is a resin containing silicon can be used. When a room temperature curable resin is used, the resin can be naturally cured without supplying a special resin curing step after the resin is supplied to the surface of the substrate overhanging portion.
[0015]
(6) In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the above (1) to (4), the protective agent may be an ultraviolet curable resin. This method is advantageous because the protective agent can be cured after confirming the flow of the protective agent supplied onto the substrate overhanging portion.
[0016]
In the case of a COG type liquid crystal device, it is generally difficult to fill a portion between the IC chip and the substrate with a protective agent. However, if an ultraviolet curable resin is used as the protective agent, the portion This is advantageous because the protective agent can be cured after confirming the filling of the protective agent into the.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
First, prior to describing a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, a liquid crystal device manufactured using the method will be described with reference to a plan view of FIG. 1 and a cross-sectional view of FIG.
[0018]
The liquid crystal device 1 shown here has a pair of substrates 2 a and 2 b facing each other, and these substrates are bonded to each other by a sealing material 3. As shown in FIG. 2, a conductive material 4 is contained inside the sealing material 3. Further, a liquid crystal injection port 3a is formed in a part of the sealing material 3 as shown in FIG.
[0019]
In FIG. 2, the first substrate 2a has a substrate material 6a. On the liquid crystal side surface of the substrate material 6a, that is, the surface facing the second substrate 2b, for example, a first electrode 7a acting as a common electrode is predetermined. An overcoat layer 8a is formed thereon, and an alignment film 9a is further formed thereon. In FIG. 1, the overcoat layer 8a and the alignment film 9a are not shown for convenience. In FIG. 2, a polarizing plate 11a as an optical element is attached to the outer surface of the substrate material 6a.
[0020]
The second substrate 2b facing the first substrate 2a has a substrate material 6b, and the liquid crystal side surface of the substrate material 6b, that is, the surface facing the first substrate 6a is, for example, a second electrode 7b acting as a segment electrode. Are formed in a predetermined pattern, an overcoat layer 8b is formed thereon, and an alignment film 9b is further formed thereon. In FIG. 1, the overcoat layer 8b and the alignment film 9b are not shown for convenience. In FIG. 2, a polarizing plate 11b and a transflective plate 12 as optical elements are attached to the outer surface of the substrate material 6b. That is, in the liquid crystal device 1 of the present embodiment, the lower side surface of FIG. 2 is an image display surface.
[0021]
In addition, as an optical element provided in both or one side of the 1st board | substrate 2a and the 2nd board | substrate 2b, other elements, for example, a phase difference plate, a light diffusing plate, etc. can be considered as needed other than the above-mentioned thing. Further, the substrate materials 6a and 6b can be provided with other optical elements such as a color filter, if necessary.
[0022]
The substrate materials 6a and 6b are formed in a predetermined shape, for example, a rectangular shape or a square shape by using a hard light-transmitting material such as glass or the like, or a light-transmitting material having flexibility such as plastic. The first electrode 7a and the second electrode 7b are formed with a thickness of about 1000 angstroms by a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, and the overcoat layers 8a and 8b are made of, for example, silicon oxide, titanium oxide or The alignment film 9a and 9b are formed to a thickness of about 800 Å by using, for example, a polyimide resin.
[0023]
As shown in FIG. 1, the first electrode 7a is formed in a so-called stripe shape by arranging a plurality of linear patterns in parallel with each other. On the other hand, the second electrode 7b is also formed in a stripe shape by arranging a plurality of linear patterns parallel to each other so as to intersect the first electrode 7a. A plurality of points where these electrodes 7a and 7b intersect in a dot matrix form a pixel for displaying an image. An area partitioned by the plurality of pixels is a display area for displaying an image such as a character.
[0024]
As shown in FIG. 2, a plurality of spacers 13 are dispersed on the liquid crystal side surface of either the first substrate 2a or the second substrate 2b formed as described above. The sealing material 3 is provided on the liquid crystal side surface in a frame shape as shown in FIG. Further, a liquid crystal injection port 3 a is formed at an appropriate position of the sealing material 3.
[0025]
A uniform dimension held by the spacer 13, for example, a gap of about 5 μm, that is, a so-called cell gap is formed between the substrates 2a and 2b, and the liquid crystal 14 is injected into the cell gap through the liquid crystal injection port 3a. After completion of the above, the liquid crystal injection port 3a is sealed with resin or the like.
[0026]
In FIG. 1, the first substrate 2 a has a substrate protruding portion 2 c that extends outside the second substrate 2 b and further outwards from the sealing material 3. The first electrode 7a on the first substrate 2a extends directly to the substrate overhanging portion 2c to form a wiring 15. The second electrode 7b on the second substrate 2b is connected to the wiring 15 on the substrate overhanging portion 2c through the conductive material 4 (see FIG. 2) included in the sealing material 3. Reference numeral 20 denotes an external connection terminal for electrical connection with an external circuit (not shown).
[0027]
In reality, a large number of the electrodes 7a and 7b, the wiring 15 on the substrate overhanging portion 2c connected to them and the external connection terminals 20 are formed over the entire surface of each of the substrates 2a and 2b at very narrow intervals. In FIG. 1 and each figure to be described hereinafter, in order to show the structure in an easy-to-understand manner, those electrodes and the like are schematically shown at intervals wider than actual intervals, and some of the electrodes are not shown. Further, the electrodes 7a and 7b are not limited to being formed in a straight line, but may be formed as a pattern such as an appropriate character or figure.
[0028]
A liquid crystal driving IC 16 is directly mounted on the substrate extension 2c by an ACF (Anisotropic Conductive Film) 17 to form a so-called COG mounting structure. As shown in FIG. 2, the liquid crystal driving IC 16 has a plurality of terminals or bumps 21 on its active surface, that is, the lower surface of FIG.
[0029]
As is well known, the ACF 17 is a conductive polymer film that is used to electrically connect together a pair of terminals with anisotropy. For example, as shown in FIG. Alternatively, it is formed by dispersing a large number of conductive particles 19 in a thermosetting resin film 22.
[0030]
The substrate overhanging portion 2c and the liquid crystal driving IC 16 are thermocompression bonded with the ACF 17 interposed therebetween, that is, the liquid crystal driving IC 16 is bonded to the substrate overhanging portion 2c by applying pressure under heating. A connection having conductivity in one direction is realized between the wiring 15 on the substrate extension 2c and between the bumps 21 of the liquid crystal driving IC 16 and the external connection terminal 20 on the substrate extension 2c.
[0031]
In FIG. 1, a silicon mold 18 as a protective agent is attached to the surface of the substrate extension 2c. This silicon mold 18 is provided so as to cover all of the wiring 15 in order to prevent the wiring 15 on the substrate overhanging portion 2c from generating electric corrosion due to contact with outside air.
[0032]
As shown in FIG. 2, the second substrate 2 b has an extending portion 2 d that protrudes to the outside of the sealing material 3, so that the extending portion 2 d, between the first substrate 2 a and the second substrate 2 b, A recess 23 surrounded by the substrate overhang 2c and the sealing material 3 is formed. The silicon mold 18 is also filled in the recess 23 to cover the wiring 15 existing in the recess.
[0033]
In the liquid crystal device 1 configured as described above, a scanning voltage is applied to each of the first electrode 7a and the second electrode 7b for each row by the liquid crystal driving IC 16 and further to the other of the electrodes. By applying a data voltage based on the display image for each pixel, the light passing through each pixel portion selected by the application of both voltages is modulated, so that the outside of the substrate 2a or 2b, in the case of this embodiment Displays images such as letters and numbers on the outside of the substrate 2a.
[0034]
Hereinafter, a manufacturing method for manufacturing the liquid crystal device 1 having the above-described configuration will be described with reference to a process diagram shown in FIG.
[0035]
First, a large-sized substrate material having a size corresponding to a plurality of the first substrates 2a in FIG. 1 is formed of glass, plastic, etc., and in step A1 in FIG. To implement. Specifically, as shown in FIG. 4A, a well-known pattern forming method using ITO as a material, for example, a photolithography method, a first electrode 7a, a wiring 15 and a predetermined pattern are formed on the surface of the large format substrate material 6a ′. The external connection terminal 20 is formed. In FIG. 4 (a), only one region of the first substrate 2a of the large substrate material 6a ′ is shown.
[0036]
Next, the overcoat layer 8a (see FIG. 2) is formed on the surface of the large-format substrate material 6a ′ in FIG. 4A by offset printing using, for example, silicon oxide or titanium oxide (step A2 in FIG. 3). Then, for example, an alignment film 9a (see FIG. 2) is formed by offset printing using a polyimide resin as a material (step A3 in FIG. 3), and a rubbing process is performed in order to give the alignment film an orientation (see FIG. 3). Step A4 in FIG.
[0037]
Furthermore, the sealing material 3 is formed into a frame shape by, for example, screen printing using, for example, an epoxy resin (step A5 in FIG. 3), and the spacers 13 (see FIG. 2) are further dispersed (step A6 in FIG. 3). ). Thus, a large first substrate 2a ′ as shown in FIG. 4A is formed. In FIG. 4A, illustration of the overcoat layer and the alignment film is omitted for convenience.
[0038]
On the other hand, a large-sized substrate material having a size corresponding to a plurality of the size of the second substrate 2b in FIG. 1 is formed of glass, plastic, or the like. In step B1 of FIG. To implement. Specifically, as shown in FIG. 4B, a second electrode 7b having a predetermined pattern is formed on the surface of the large-sized substrate material 6b ′ by a well-known pattern forming method using ITO as a material, for example, a photolithography method. Note that FIG. 4B shows only one region of the second substrate 2b in the large substrate material 6b ′.
[0039]
Next, the overcoat layer 8b (see FIG. 2) is formed on the surface of the large-sized substrate material 6b ′ in FIG. 4B by offset printing using, for example, silicon oxide or titanium oxide (step B2 in FIG. 3). Then, for example, an alignment film 9b (see FIG. 2) is formed by offset printing using a polyimide resin as a material (step B3 in FIG. 3), and a rubbing process is performed to give the alignment film an alignment property (see FIG. 3). Step B4) in FIG. As a result, a large second substrate 2b ′ as shown in FIG. 4B is formed. In FIG. 4B, illustration of the overcoat layer and the alignment film is omitted for convenience.
[0040]
After the large first substrate 2a ′ (FIG. 4A) and the large second substrate 2b ′ (FIG. 4B) are manufactured as described above, in step C1 of FIG. 3, the large first substrate 2a ′ and the large large substrate 2a ′ are formed. The two substrates 2b ′ are laminated with the sealing material 3 interposed therebetween, and further bonded together, that is, pressed under heat, to bond the two substrates together. By this bonding, a large panel structure having a size including a plurality of liquid crystal panel structures which are main parts of the liquid crystal device 1 is formed. In this bonding, either the large first substrate 2a ′ in FIG. 4A or the large second substrate 2b ′ in FIG. 4B is turned over from the state shown in FIG. Bond to the substrate.
[0041]
After the large panel structure is manufactured as described above, the first breaking process is performed on the panel structure (process C2 in FIG. 3). Specifically, the large-sized first substrate 2a ′ constituting the panel structure is cut along the first cutting line L1a shown in FIG. 4A, while the large-sized second substrate 2b ′ is shown in FIG. The large substrate is cut along a first cutting line L1b shown in FIG.
[0042]
As a result, a plurality of medium-sized panel structures, that is, so-called strip-shaped panel structures, including a plurality of liquid crystal panel portions with the liquid crystal inlets 3a exposed to the outside are cut out. Then, after that, the liquid crystal 14 is injected into each liquid crystal panel portion through each liquid crystal injection port 3a, and after the injection is completed, the liquid crystal injection port 3a is sealed with resin (step C3 in FIG. 3).
[0043]
Thereafter, a second break is performed on the medium format panel structure in Step C4. Specifically, the first substrate and the second substrate constituting the medium format panel structure are cut along the second cutting line L2a in FIG. 4A and the second cutting line L2b in FIG. Accordingly, the liquid crystal device 1 shown in FIG. 2 that is not provided with the liquid crystal driving IC 16, the silicon mold 18 polarizing plates 11a and 11b, and the transflective plate 12 is divided one by one.
[0044]
Thereafter, the liquid crystal driving IC 16 is mounted on the surface of the substrate extension 2c using the ACF 17 (step C5), and the polarizing plates 11a and 11b are attached to the outer surfaces of the substrate materials 6a and 6b, respectively (step C6). Further, the transflective plate 12 is attached to the substrate on the side where no image is displayed, in the case of this embodiment, the outer surface of the second substrate 6b (step C7).
[0045]
Thereafter, in step C8, a supply step of a silicon mold as a protective agent is performed. Specifically, as shown in FIG. 5, the discharge port of the dispenser 24 for discharging the silicon mold 18 is disposed on the substrate overhanging portion 2c on one side region 2e when viewed from the liquid crystal driving IC 16 on the surface. While reciprocating along a non-overlapping path K1 between the side edge vicinity P1 and the IC chip vicinity P2, the silicon mold 18 is discharged from the discharge port and applied to the surface of the substrate extension 2c, that is, supplied.
[0046]
The interval G between the long side of the liquid crystal driving IC 16 and the end side of the second substrate 2b is, for example, about 0.5 mm to 1 mm, and about 0.8 mm on average. The end point of the ejection path K1 is a region having the above-described gap G between the long side of the liquid crystal driving IC 16 and the end side of the second substrate 2b, and has a predetermined dimension D from the end side of the liquid crystal driving IC 16. For example, it is set at a place about 2 mm inside.
[0047]
On the other hand, in the other one side region 2f of the surface of the substrate extension portion 2c as viewed from the liquid crystal driving IC 16, the dispenser 24 is reciprocated along a non-overlapping path K2 between the IC chip vicinity P2 and the substrate side edge vicinity P1. However, the silicon mold 18 is discharged from the discharge port of the dispenser 24. In consideration of the fact that the supply of the silicon mold related to the one side region 2f is continuously performed following the other one side region 2e, the discharge start points are the long side of the liquid crystal driving IC 16 and the end of the second substrate 2b. This is a region having a gap G between the side and the side of the liquid crystal driving IC 16, and is set at a predetermined dimension D, for example, about 2 mm. Then, the vicinity P1 of the substrate side edge is set as the discharge end point.
[0048]
In addition, it is a region having a gap G between the long side of the liquid crystal driving IC 16 and the end side of the second substrate 2b, and is between the discharge end point of the one side region 2e and the discharge start point of the other one side region 2f. In this region, the silicon mold 18 is not discharged.
[0049]
By the discharge process of the silicon mold 18 as described above, the silicon mold 18 is supplied to the surface of the substrate extension 2c around the liquid crystal driving IC 16. Note that the surface state of the silicon mold at this time does not have a strictly uniform thin thickness over the entire surface of the substrate overhanging portion 2c, and has unevenness according to the diameter of the discharge port of the dispenser 24. is doing.
[0050]
Thereafter, in step C9 of FIG. 3, as shown in FIG. 2, the pair of substrates 2a and 2b are applied to the surface of the substrate overhang portion 2c, that is, at an appropriate timing before the supplied silicon mold 18 is cured at room temperature. The entire liquid crystal device 1 is tilted at an angle θ so that the silicon mold 18 flows in the direction of arrow B toward the region where is bonded, in other words, toward the sealing material 3 sealing the liquid crystal 14.
[0051]
As a result, the silicon mold 18 supplied to the substrate overhanging portion 2c in step C8 flows as indicated by the arrow B according to the inclination angle θ, and is thinly and uniformly applied to the entire surface of the substrate overhanging portion 2c with a thickness of, for example, 100 μm or less. It spreads and covers all of the wiring 15 reliably. Moreover, the silicon mold 18 is reliably filled in the recess 23 surrounded by the substrate overhanging portion 2C, the extension portion 2d of the second substrate 2b and the sealing material 3 in FIG. 2, and the wiring 15 existing in the region is reliably filled. Cover.
[0052]
Thus, since the thickness of the silicon mold 18 attached to the surface of the substrate extension 2c can be formed very thin without difficulty, when the liquid crystal device 1 is incorporated in an electronic device such as a mobile phone or a portable information terminal, A wide space is formed at a location facing the substrate extension 2c, and various components can be arranged in the space as necessary.
[0053]
In FIG. 5, when the silicon mold 18 is supplied to the surface of the substrate overhanging portion 2c by the dispenser 24, it is a region having a gap G between the long side of the liquid crystal driving IC 16 and the end side of the second substrate 2b. The reason why the discharge of the silicon mold 18 from the dispenser 24 is temporarily stopped in the region between the region 2e and the other one-side region 2f is as follows.
[0054]
That is, when the discharge amount of the silicon mold 18 discharged from the dispenser 24 is relatively large, the silicon mold 18 is also applied to the narrow gap G portion between the long side of the liquid crystal driving IC 16 and the second substrate 2b by the dispenser 24. This is because if the silicon mold 18 is supplied, the supply amount of the silicon mold 18 to the portion may become excessive. On the other hand, as in this embodiment, the liquid crystal driving IC 16 and the second substrate 2b This is because such an excessive supply of the silicon mold 24 can be prevented if the silicon mold 18 is not supplied to the narrow region between them.
[0055]
(Other embodiments)
The present invention has been described with reference to the preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims.
[0056]
For example, the process diagram shown in FIG. 3 is an example given to facilitate understanding of the present invention, and various processes other than those illustrated in FIG. 3 are added as necessary in the actual manufacturing process. You can do it.
[0057]
Further, in the embodiment of FIG. 3, the protective agent supplying step C8 and the substrate tilting step C9 are performed at the final stage after the polarizing plate sticking step C6 and the transflective reflector sticking step C7 are completed. Steps C8 and C9 can also be performed at an earlier stage.
[0058]
In the embodiment shown in FIG. 1, a silicon mold, that is, a room temperature curable resin, is used as the protective agent. However, other types of room temperature curable resins may be used as the protective agent, or a room temperature curable resin may be used. Instead of this, an ultraviolet curable resin can be used. The use of an ultraviolet curable resin is advantageous because the protective agent can be cured after confirming the flow of the protective agent supplied onto the substrate overhanging portion.
[0059]
Further, in the case of a COG type liquid crystal device having a structure in which an IC chip is directly mounted on a substrate overhanging portion, it is generally difficult to fill a portion between the IC chip and the substrate with a protective agent. However, if an ultraviolet curable resin is used as the protective agent, it is advantageous because the protective agent can be cured after the filling of the protective agent in the portion is confirmed.
[0060]
【The invention's effect】
According to the method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, since the protective agent is caused to flow on the substrate overhanging portion using the fluidity of the protective agent, the height of the protective agent supplied onto the substrate overhanging portion is increased. Can be formed to a uniform thin thickness. Moreover, this can be realized by a very simple process of simply tilting the substrate.
[0061]
Further, in a liquid crystal panel structure in which a pair of substrates are bonded together with a sealing material, it is usually difficult for a protective agent to adhere to a region in the vicinity of the sealing material in the substrate overhang portion, but according to the manufacturing method according to the present invention. Further, the protective agent can be distributed to the area very easily.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a partially broken example of a liquid crystal device manufactured by using a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of the liquid crystal device of FIG.
FIG. 3 is a process diagram showing one embodiment of a method for producing a liquid crystal device according to the present invention.
4 is a plan view showing a part of a large-sized substrate formed during the manufacturing method of FIG. 3; FIG.
5 is a plan view for explaining a main process of the manufacturing method of FIG. 3; FIG.
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a method for applying a protective agent.
[Explanation of symbols]
1 Liquid crystal device
2a, 2b substrate
2a ', 2b' large format board
2c Substrate overhang
2d board extension
2e, 2f One side area of substrate
3 Sealing material
7a, 7b electrode
14 Liquid crystal
15 Wiring
16 Liquid crystal drive IC
18 Silicon mold (protective agent)
23 Recessed part of substrate
24 Dispenser
D dimension
G interval
K1, K2 Silicon mold supply path
P1 Board side edge vicinity
Near P2 IC chip

Claims (6)

互いに貼り合わされた一対の基板間に液晶を封入して成り、少なくとも一方の基板が相手側基板の外側へ張り出す基板張出し部を有し、該基板張出し部の表面には配線が形成される液晶装置を製造するための製造方法において、
前記基板張出し部の表面に流動性を有する保護剤を供給する保護剤供給工程と、
前記基板張出し部の表面に供給された保護剤を前記一対の基板が貼り合わされている領域へ向けて流れるように該一対の基板を傾斜させる基板傾斜工程と
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
A liquid crystal in which liquid crystal is sealed between a pair of substrates bonded to each other, and at least one of the substrates has a substrate overhanging portion that protrudes to the outside of the counterpart substrate, and wiring is formed on the surface of the substrate overhanging portion In a manufacturing method for manufacturing a device,
A protective agent supplying step of supplying a fluid protective agent to the surface of the substrate overhang portion;
A substrate tilting step for tilting the pair of substrates so that the protective agent supplied to the surface of the substrate overhanging portion flows toward a region where the pair of substrates are bonded to each other. Production method.
請求項1において、前記基板張出し部の表面にはICチップが直接に実装されることを特徴とする液晶装置の製造方法。2. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein an IC chip is directly mounted on a surface of the substrate extension portion. 請求項2記載の液晶装置の製造方法において、前記保護剤供給工程で、前記ICチップと前記相手側基板との間の領域に保護剤を供給しないことを特徴とする液晶装置の製造方法。3. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 2, wherein no protective agent is supplied to a region between the IC chip and the counterpart substrate in the protective agent supplying step. 請求項2又は請求項3において、基板張出し部の表面のうち前記ICチップから見て一方の片側領域及び他方の片側領域において、保護剤の吐出口を前記一方の基板辺端近傍とICチップ近傍との間の重ならない経路で往復移動させながら保護剤を供給することを特徴とする液晶装置の製造方法。4. The protective agent discharge port according to claim 2 or claim 3, wherein one of the one side region and the other one side region of the surface of the substrate overhanging portion when viewed from the IC chip is arranged near the one side edge of the one substrate and the vicinity of the IC chip. A protective agent is supplied while reciprocating along a non-overlapping path between and a liquid crystal device. 請求項1から請求項4の少なくともいずれか1つにおいて、前記保護剤は常温硬化型樹脂であることを特徴とする液晶装置の製造方法。5. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the protective agent is a room temperature curable resin. 請求項1から請求項4の少なくともいずれか1つにおいて、前記保護剤は紫外線硬化型樹脂であることを特徴とする液晶装置の製造方法。5. The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the protective agent is an ultraviolet curable resin.
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