JP3826146B2 - Wafer appearance inspection apparatus and wafer appearance inspection method - Google Patents
Wafer appearance inspection apparatus and wafer appearance inspection method Download PDFInfo
- Publication number
- JP3826146B2 JP3826146B2 JP2004225861A JP2004225861A JP3826146B2 JP 3826146 B2 JP3826146 B2 JP 3826146B2 JP 2004225861 A JP2004225861 A JP 2004225861A JP 2004225861 A JP2004225861 A JP 2004225861A JP 3826146 B2 JP3826146 B2 JP 3826146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection
- wafer
- chip
- ring frame
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本発明は、ダイシング後におけるチップの状態を検査するためにウェハの外観を検査するウェハ外観検査装置およびウェハ外観検査方法に関する。 The present invention relates to a wafer appearance inspection apparatus and a wafer appearance inspection method for inspecting the appearance of a wafer in order to inspect the state of a chip after dicing.
電子回路を形成したウェハから個々のチップに分割するためにダイシング工程が行われる。ダイシング工程において、ウェハはダイシングテープと呼ばれる粘着テープでリングフレームに取りつけられ、ダイシングマシンに固定されてダイヤモンドブレードで掘削・分割される。この工程において使用される洗浄水や冷却水中の異物、ダイヤモンドブレードが摩耗して発生する屑、あるいはウェハやダイシングテープが掘削されて発生する屑が洗浄水で洗浄しきれず、乾燥後にウェハの表面に残留し、汚れとなるおそれがある。また、種々の要因によりチップの端部に欠け(クラック)が生じたりすることがある。 A dicing process is performed to divide the wafer on which the electronic circuit is formed into individual chips. In the dicing process, the wafer is attached to the ring frame with an adhesive tape called dicing tape, fixed to a dicing machine, and excavated and divided by a diamond blade. The foreign material in the cleaning water and cooling water used in this process, debris generated by abrasion of the diamond blade, or debris generated by excavation of the wafer and dicing tape cannot be cleaned with the cleaning water, and after drying, the surface of the wafer is dried. May remain and become dirty. In addition, chipping (cracking) may occur at the end of the chip due to various factors.
このような欠けおよび汚れは、チップとしての欠陥につながる恐れがある。そこで、欠けおよび汚れの発生状況を検査し、これらがチップとしての欠陥につながる程に発生している場合には何らかの対策を講じる必要がある。 Such chipping and contamination can lead to chip defects. Therefore, it is necessary to inspect the state of occurrence of chipping and dirt, and to take some measures if these occur to the extent that they lead to defects as chips.
またウェハのダイシングは、ウェハをダイシングテープに貼り付けた状態で行うものとなっているが、ダイシングにより切断された各チップの相対的な位置や傾きがテープの性質により経時変化することがある。 The wafer dicing is performed with the wafer attached to a dicing tape. However, the relative position and inclination of each chip cut by dicing may change over time depending on the properties of the tape.
このような各チップの相対的な位置や傾きの変化は、後のプロセスに悪影響を及ぼす恐れがある。そこでダイシング後の各チップの相対的な位置や傾きの経時変化についても検査し、これが大きい場合には何らかの対策を講じる必要がある。 Such a change in the relative position and inclination of each chip may adversely affect subsequent processes. Therefore, it is necessary to inspect the relative position and inclination change of each chip after dicing, and if this is large, it is necessary to take some measures.
さて、以上のような欠けおよび汚れの発生状況や、ダイシング後の各チップの相対的な位置や傾きの経時変化の検査は、従来は顕微鏡を用いて目視により行われている。このため、検査者が行うべき作業が非常に複雑で検査者の負担が大きいという不具合があった。 The inspection of the occurrence of chipping and dirt as described above, and the change over time of the relative position and inclination of each chip after dicing has been conventionally performed visually using a microscope. For this reason, there is a problem that the work to be performed by the inspector is very complicated and the burden on the inspector is large.
以上のように従来は、ウェハ外観の検査は目視によって行っているために、検査者の負担が大きいという不具合があった。 As described above, conventionally, since the inspection of the wafer appearance is performed by visual observation, there is a problem that the burden on the inspector is large.
本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、検査者の負担を低減した上で、ウェハ外観を精度良く検査することができるウェハ外観検査装置およびウェハ外観検査方法を提供することにある。 The present invention has been made in consideration of such circumstances, and its object is to reduce the burden on the inspector and to accurately inspect the appearance of the wafer and the wafer. It is to provide an appearance inspection method.
以上の目的を達成するために第1の発明は、位置決めマークが所定の位置に形成されているとともに複数のチップが形成されたウェハが装着されるリングフレームを移動させる検査ステージと、前記リングフレームまたは前記ウェハの一部分の拡大像を得る顕微鏡と、この顕微鏡により得られた拡大像を撮像し、対応する電気的な画像信号を生成する撮像手段と、前記リングフレームまたは前記ウェハの異なる部分を前記撮像手段に順次撮像させるように前記検査ステージにより前記リングフレームを移動させる手段と、前記画像信号が示す画像に基き、前記複数のチップのそれぞれの位置を前記位置決めマークに対する相対的な位置として検出する位置検査手段と、前記位置検査手段により検出された前記複数のチップのそれぞれの位置を表す検査情報を蓄積しておく手段とを備えてウェハ外観検査装置を構成した。 In order to achieve the above object, the first invention provides an inspection stage for moving a ring frame on which a wafer having a plurality of chips formed thereon and a positioning mark is formed at a predetermined position, and the ring frame. Or a microscope for obtaining an enlarged image of a part of the wafer, an imaging means for taking an enlarged image obtained by the microscope and generating a corresponding electrical image signal, and a different part of the ring frame or the wafer. Based on the image indicated by the image signal and means for moving the ring frame by the inspection stage so that the imaging means sequentially captures images, the respective positions of the plurality of chips are detected as relative positions to the positioning marks. A position inspection unit, and a position of each of the plurality of chips detected by the position inspection unit. To constitute a wafer inspection system and means to keep accumulating be examined information.
第2の発明は、位置決めマークがそれぞれ所定の位置に形成されているとともに複数のチップが形成されたウェハが装着されるリングフレームを移動させる検査ステージと、前記リングフレームまたは前記ウェハの一部分の拡大像を得る顕微鏡と、この顕微鏡により得られた拡大像を撮像し、対応する電気的な画像信号を生成する撮像手段とを具備したウェハ外観検査装置を用いて前記ウェハの外観を検査するためのウェハ外観検査方法において、前記リングフレームまたは前記ウェハの異なる部分を前記撮像手段に順次撮像させるように前記検査ステージにより前記リングフレームを移動させ、前記画像信号が示す画像に基き、前記複数のチップのそれぞれの位置を前記位置決めマークに対する相対的な位置として検出し、前記検出された前記複数のチップのそれぞれの位置を表す検査情報を蓄積するようにした。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an inspection stage for moving a ring frame on which a wafer on which a plurality of chips are formed and positioning marks are formed at predetermined positions, and enlargement of the ring frame or a part of the wafer. For inspecting the appearance of the wafer using a wafer appearance inspection apparatus comprising a microscope for obtaining an image and an imaging means for capturing an enlarged image obtained by the microscope and generating a corresponding electrical image signal In the wafer appearance inspection method, the ring frame is moved by the inspection stage so that the imaging unit sequentially images different parts of the ring frame or the wafer, and based on the image indicated by the image signal, the plurality of chips Each position is detected as a relative position with respect to the positioning mark, and the detected Inspection information representing respective positions of the serial plurality of chips so as to accumulate.
本発明によれば、リングフレームに装着されたウェハに形成された複数のチップのそれぞれの位置が、リングフレームに形成された位置決めマークに対する相対的な位置として自動的に検出されるので、検査者の負担を低減した上で、ウェハ外観を精度良く検査することが可能となる。 According to the present invention, each position of the plurality of chips formed on the wafer mounted on the ring frame is automatically detected as a relative position with respect to the positioning mark formed on the ring frame. In addition, the wafer appearance can be inspected with high accuracy.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態につき説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本実施形態に係るウェハ外観検査装置の構成を示す機能ブロック図である。 FIG. 1 is a functional block diagram showing a configuration of a wafer visual inspection apparatus according to the present embodiment.
この図に示すように本実施形態のウェハ外観検査装置は、検査ステージ1、架台2、マグネスケール3、ステージコントローラ4、操作パネル5、光学顕微鏡6、カメラ7、画像処理装置8、画像モニタ9,10、データ処理装置11、プリンタ12、インカー13、インカーコントローラ14およびパトライト15を有する。
As shown in this figure, the wafer appearance inspection apparatus of this embodiment includes an
検査ステージ1は架台2の上部に載置されている。この検査ステージ1はステージコントローラ4によって駆動され、載置されたウェハ(図示せず)をX−Y−Z−θ方向に自在に移動させる。
The
マグネスケール3は架台2に固定されており、検査ステージ1の位置を0.1μm分解能で検出する。
The
ステージコントローラ4は、画像処理装置8からの指示または操作パネル5での指示操作に基づいて検査ステージ1を駆動する。操作パネル5は、検査ステージ1をオペレータがマニュアル操作するためのものである。
The
光学顕微鏡6は、落射照明を使用するとともに、3.3倍のリレーレンズおよび5種類の対物レンズ(1.5倍,2.5倍,5倍,10倍,20倍)を有したものであり、図示しない本体により架台2に固定されている。この光学顕微鏡6の接眼側にはカメラ7が装着されており、検査ステージ1上に載置されるウェハの拡大像をカメラ7に導く。
The
カメラ7は、CCDカメラからなり、光学顕微鏡6によって導かれた像を撮影し、その像に対応する電気信号(画像信号)を画像処理装置8へと与える。
The
画像処理装置8は、カメラ7から与えられる画像信号を処理することによって、欠けおよび汚れの検出や、チップの位置の判定などを行う。
The
画像モニタ9,10は、CRTよりなり、画像モニタ9はカメラ7から与えられる画像信号に対応する画像(原画像)を、また画像モニタ10は、画像処理装置8にて処理して得られた画像信号に対応する画像(処理画像)をそれぞれ表示する。
The
データ処理装置11は、パーソナルコンピュータ、キーボードおよびディスプレイ等からなり、画像処理装置8にて得られる検査データの集計処理などを行う。
The
プリンタ12は、カラープリンタであり、データ処理装置で処理されたのちのデータを表形式やグラフ形式でプリント出力する。
The
インカー13は、インカーコントローラ14の制御の下に、検査ステージ1上に載置されているウェハに形成されたチップのうちの不良チップにインクを吹き付けることによって不良チップにマーキングを行う。インカーコントローラ14は、画像処理装置8から不良チップの情報を受けて、不良チップにマーキングを行うべくインカー13を制御する。
The
パトライト15は、画像処理装置8の制御の下に運転状態を報知するものである。具体的には、赤、黄、緑の3色のランプを有し、異常発生時に赤のランプを、停止・ストップ時に黄のランプを、また正常運転中に緑のランプをそれぞれ点灯する。
The
さてウェハは、リングフレームに取り付けられた状態でダイシングが行われるものとなっており、検査を行う場合にはダイシング終了後にリングフレームに取り付けられた状態のままで検査ステージ1上に載置される。
Now, dicing is performed with the wafer attached to the ring frame. When inspection is performed, the wafer is mounted on the
図2はウェハがリングフレームに取り付けられている様子を示す図である。この図において、21がウェハ、また22がリングフレームをそれぞれ示す。 FIG. 2 is a view showing a state in which the wafer is attached to the ring frame. In this figure, 21 is a wafer, and 22 is a ring frame.
なお、ウェハ21は、リングフレーム22に直接的に取り付けられるのではなく、リングフレーム22で囲まれた内側の領域を覆うようにリングフレーム22に張り渡された、透光性で、かつ粘着性を有するテープ23に貼り付けられる。
The
リングフレーム22には、リングフレーム22の本体とは光の反射率が異なるように形成された2つのフレームマーク24a,24bがそれぞれ所定の位置に設けられている。またリングフレーム22の外周縁には、2つの切欠部22a,22bがそれぞれ所定の位置に形成されている。
The
一方、検査ステージ1の上面(ウェハ載置面)には図3に示すように、2本の位置決めピン31a,31bがそれぞれ所定の位置に突設されている。この位置決めピン31a,31bは、リングフレーム22の切欠部22a,22bに対応する位置に設けられており、切欠部22aを位置決めピン31aに、また切欠部22bを位置決めピン31bにそれぞれ突き当てるようにしてリングフレーム22を検査ステージ1上に載置することにより、検査ステージ1に対して粗く位置決めした状態でウェハ21が載置されるものとなっている。
On the other hand, as shown in FIG. 3, two
検査ステージ1はエアバキューム機能を有し、載置されたウェハ21およびリングフレーム22を振動などにより位置ずれしないように保持する。また検査ステージ1のウェハ載置面は、黒色となっている。
The
次に以上のように構成されたウェハ外観検査装置の動作を説明する。 Next, the operation of the wafer visual inspection apparatus configured as described above will be described.
まず検査を実施するのに先立って、画像処理装置8およびデータ処理装置11は画像処理に必要な閾値や基準値などのパラメータ、ウェハのテスト条件、ウェハ検査に必要な各種パラメータの設定を受け付ける。そして必要な各種のデータが整ったのち、検査を開始する。
Prior to performing the inspection, the
さて、本実施形態のウェハ外観検査装置は、汚れ検査モード、欠け検査モードおよびチップ位置検査モードの3つの検査モードを有する。さらに汚れ検査モードおよび欠け検査モードは、それぞれ1チップ/1視野モードおよび分割モードの2つのモードを有する。 Now, the wafer appearance inspection apparatus of the present embodiment has three inspection modes: a dirt inspection mode, a chip inspection mode, and a chip position inspection mode. Further, the dirt inspection mode and the chip inspection mode have two modes of 1 chip / 1 field of view mode and division mode, respectively.
(1) 汚れモード選択時
(1-1) 1チップ/1視野モード
1チップ/1視野モードとは、ウェハ21に形成された多数のチップのうちの1つの全体を1画面で撮像して得た画像に基づいて1チップに関する検査を行うモードである。
(1) When dirty mode is selected
(1-1) One chip / one field of view mode The one chip / one field of view mode is one chip based on an image obtained by imaging one whole of a large number of chips formed on the
このときオペレータは、ウェハ21の表面(回路形成面)を上方に向けた状態(光学顕微鏡6に対向させた状態)で検査ステージ1にセットするとともに、検査ステージ1をマニュアル操作してウェハ全体のθ補正を行っておく。またオペレータは、検査ステージ1および光学顕微鏡6をマニュアル操作し、図4にSで示すスタートチップの全体がカメラ7によって撮像される状態としておく。なお図4において、“×”で示すのがチップの形成位置である。
At this time, the operator sets the
この状態で検査開始が指示されると、画像処理装置8はまず、カメラ7から出力される画像信号を取り込んでディジタル化し、これにより得られる画像データを内蔵メモリに格納する。そして、カメラ7によって撮像されている画像におけるチップの範囲を以下のようにして特定する。
When the start of inspection is instructed in this state, the
すなわち、メモリに格納された画像データに基づき、図5に示すようにX方向(水平方向)およびY方向(垂直方向)のそれぞれの射影データ(水平射影データおよび垂直射影データ)を求め、この射影データを適切な閾値で二値化することによってチップのエッジ位置を大まかに特定する。 That is, based on the image data stored in the memory, projection data (horizontal projection data and vertical projection data) in the X direction (horizontal direction) and the Y direction (vertical direction) are obtained as shown in FIG. The edge position of the chip is roughly specified by binarizing the data with an appropriate threshold value.
続いて、各エッジに対して図5に示すように検索位置をn(任意の整数であり、例えば10)箇所ずつ設定し、各検索位置についてエッジ位置を中心とした所定の範囲についてメモリ検索を行い、各検索位置についての実際のエッジ位置を検出し、その座標を求める。そして、各エッジについて求められたn個の座標を用い、最小2乗法によりn個の座標点のそれぞれの近くを通る直線式を求める。すなわち、
y=Ax+B
なる直線式を求める。
Next, as shown in FIG. 5, n (arbitrary integers, for example, 10) search positions are set for each edge, and a memory search is performed for a predetermined range centered on the edge position for each search position. The actual edge position for each search position is detected, and its coordinates are obtained. Then, using the n coordinates obtained for each edge, a linear equation passing near each of the n coordinate points is obtained by the least square method. That is,
y = Ax + B
The following linear equation is obtained.
かくして求められる4つの直線式が、4つのエッジのそれぞれに対応し、この4つのエッジに囲まれた範囲がチップの範囲であるとして特定される。また各エッジの交点も各エッジの直線式に基づいて求める。 The four linear expressions thus obtained correspond to each of the four edges, and the range surrounded by the four edges is specified as the chip range. Also, the intersection of each edge is obtained based on the linear expression of each edge.
なお、エッジの直線式を以上のように求めるに当り、大きな欠けが検索位置に存在すると、その検索位置について求められる座標は本来のチップのエッジから大きく離れているので、この座標を直線式の算出に用いると直線式が正しく導き出せない。そこで、このような座標は、以下のようにして無効点に設定し、直線式の算出に用いない。 When obtaining the edge linear equation as described above, if there is a large chip at the search position, the coordinates obtained for the search position are far away from the original chip edge. If used for calculation, the linear equation cannot be derived correctly. Therefore, such coordinates are set as invalid points as follows, and are not used for calculating a linear expression.
すなわち、図6に示すようなP1〜P10の10点の座標が求められるとするとき、隣接する点とのx方向に関する差分dを次のように求める。 That is, when the coordinates of 10 points P1 to P10 as shown in FIG. 6 are obtained, the difference d in the x direction from the adjacent points is obtained as follows.
d1=|P1(x) −P2(x) |
d2=|P2(x) −P3(x) |
d3=|P3(x) −P4(x) |
d4=|P4(x) −P5(x) |
d5=|P5(x) −P6(x) |
d6=|P6(x) −P7(x) |
d7=|P7(x) −P8(x) |
d8=|P8(x) −P9(x) |
d9=|P9(x) −P10(x) |
次に、d1〜d9のうちの最大値をmax 、最小値をmin とし、
the = min+ max/2+1
なる式により閾値the を求める。
d1 = | P1 (x) −P2 (x) |
d2 = | P2 (x) −P3 (x) |
d3 = | P3 (x) −P4 (x) |
d4 = | P4 (x) −P5 (x) |
d5 = | P5 (x) −P6 (x) |
d6 = | P6 (x) −P7 (x) |
d7 = | P7 (x) −P8 (x) |
d8 = | P8 (x) −P9 (x) |
d9 = | P9 (x) −P10 (x) |
Next, the maximum value of d1 to d9 is max, the minimum value is min,
the = min + max / 2 + 1
The threshold value the is obtained by the following formula.
そして、|P1(x) −P2(x) |および|P1(x) −P3(x) |がともに閾値the よりも大きい場合にはP1を無効点に設定する。他の点についても同様に、|Pk(x) −Pk+1 (x) |および|Pk(x) −Pk+2 (x) |がともに閾値the よりも大きい場合にはPkを無効点に設定する。ただし、P9の点は|P9(x) −P8(x) |および|P9(x) −P10(x) |がともに閾値the よりも大きい場合に、またP10の点は|P10(x) −P8(x) |および|P10(x) −P9(x)|がともに閾値the よりも大きい場合にそれぞれ無効点に設定する。 When | P1 (x) −P2 (x) | and | P1 (x) −P3 (x) | are both larger than the threshold value the P1 is set as an invalid point. Similarly for other points, if | Pk (x) −Pk + 1 (x) | and | Pk (x) −Pk + 2 (x) | are both larger than the threshold value the Pk is regarded as an invalid point. Set. However, the point of P9 is | P9 (x) −P8 (x) | and | P9 (x) −P10 (x) | are both greater than the threshold value the, and the point of P10 is | P10 (x) − When P8 (x) | and | P10 (x) −P9 (x) | are both larger than the threshold value the, they are set as invalid points.
以上の処理は、他の3つのエッジに対しても同様に行われる。ただしX方向に沿ったエッジに対しては、Pk(x) の代わりにPk(y) の値を用いる。 The above processing is similarly performed for the other three edges. However, for the edge along the X direction, the value of Pk (y) is used instead of Pk (x).
さて画像処理装置8は、以上のようにして求めたチップ範囲に対し、図7に示すように若干小さなラベリング検査範囲(チップ範囲よりも内側)を設定したのち、このラベリング検査範囲内においてラベリング処理を実行する。
Now, the
ここでのラベリング処理では、ラベリング検査範囲内に存在する黒画素の塊をそれぞれ検出し、その数のカウント、塊の外接長方形の縦横長さの決定、塊の位置の検出、あるいは面積の測定などを行う。具体的には、チップ表面は、二値化画像上では白く現れるが、汚れは黒く現れるので、汚れは二値化画像中の黒画素の塊として汚れを検出する。ウェハやダイヤモンドブレードから発生する粉体の汚れは、乾燥後には略円形状になることが多い。このため、それぞれの黒画素の塊について、外接長方形の縦横長さ(縦横比)や面積などの特徴量からその黒画素の塊がどのような原因による汚れなのか推測できる。また外接長方形の中心を黒画素の塊のそれぞれの位置とする。 In this labeling process, each block of black pixels existing in the labeling inspection range is detected, and the number is counted, the length and width of the circumscribed rectangle of the block are detected, the position of the block is detected, or the area is measured. I do. Specifically, the chip surface appears white on the binarized image, but the dirt appears black, so the dirt is detected as a black pixel block in the binarized image. In many cases, powder stains generated from a wafer or a diamond blade become substantially circular after drying. For this reason, for each black pixel block, it can be inferred from what cause the black pixel block is contaminated from the features such as the length and width (aspect ratio) and area of the circumscribed rectangle. The center of the circumscribed rectangle is set as the position of each black pixel block.
かくして図7の例では、61〜65で示す5つの黒画素の塊が検出されて、それぞれについての外接長方形の縦横長さ、位置および面積等が検出されるとともに、外接長方形の縦横比などから61,65は粉体に由来する汚れに、また62,63,64はダイシングテープに由来する汚れにそれぞれ分類される。 Thus, in the example of FIG. 7, five black pixel blocks 61 to 65 are detected, and the length, position, area, etc. of the circumscribed rectangle for each are detected, and from the aspect ratio of the circumscribed rectangle, etc. 61 and 65 are classified as dirt originating from the powder, and 62, 63 and 64 are classified as dirt originating from the dicing tape.
なお、外接長方形の縦横のそれぞれの長さや、面積などは画素数として検出する。そして、図8に示す光学顕微鏡6にて設定された倍率に対する実視野および分解能の関係に基づいて長さや面積に換算する。また面積は、最終的には図9に示すように設定された20段階の面積レベルS1〜S20のいずれかとして決定される。
Note that the length and area of the circumscribed rectangle are detected as the number of pixels. And it converts into length or an area based on the relationship of the real visual field and the resolution | decomposability with respect to the magnification set with the
以上の処理により1チップに関する検査が終了すると、画像処理装置8はステージコントローラ4を制御して検査ステージ1をx方向(図4において右方向)に所定ピッチ移動させ、次のチップがカメラ7により撮像されるようにする。なお、検査ステージ1を所定ピッチ移動させたのちにチップ範囲の特定を前述したのと同様にして行って1チップが画面から外れていることが検出されれば、画像処理装置8は検査ステージ1を微調整して1チップを画面内に収める。
When the inspection related to one chip is completed by the above processing, the
そして画像処理装置8は、前述した手順により新たに撮像されたチップに関しての検査を行う。以降、検査ステージ1を移動させることによって撮像するチップを順次代えつつ、各チップの検査を行う。
Then, the
さて、検査ステージ1を順にX方向に移動させて行くと、やがてカメラ7での撮像位置からウェハ21がはみだしてしまう。ここで検査ステージ1の上面はウェハとは光の反射率が異なる色(例えば黒色)としてあり、かつダイシングテープ23は透光性であるので、カメラ7での撮像位置からウェハ21がはみだすと、チップが検出できなくなる。そこで図4に示すようにチップ5つ分に亙りチップが検出できなければ、X方向に連続する1ラインのチップに対する検査が終了したと判断し、次のラインのチップの検査を行うべく検査ステージ1をY方向に所定ピッチ移動させたのち、X方向(ただし前ラインのときとは逆向き)に所定ピッチずつ移動させる。
When the
以上のようにして得られた各チップの検査情報は、画像処理装置8からデータ処理装置11へと与えられ、チップ毎に管理される。
The inspection information of each chip obtained as described above is given from the
(1-2) 分割モード
分割モードとは、ウェハ21に形成された複数のチップのうちの1つを複数の分割検査領域に分割して各分割検査領域毎に検査を行い、各分割検査領域の検査で得られた検査情報を集計して1チップに関する検査情報を得るモードである。この分割モードは、1チップ/1視野モードに比べて光学顕微鏡6の倍率を高めることができるので、1チップ/1視野モードでは分解能が不足する場合に用いると有効なモードである。
(1-2) Divided Mode The divided mode is a method in which one of a plurality of chips formed on the
具体的には、この分割モードにおいても前述の1チップ/1視野モードと同様にして汚れの検出を行うともに、それぞれについて外接長方形の縦横長さ、位置および面積等を検出するが、この処理を複数の分割検査領域毎に行うのである。分割検査領域の数は、光学顕微鏡6における倍率、チップサイズおよびオーバラップ量に基づいて効率良く検査が行える数に画像処理装置8が設定する。なお、オーバラップ量とは、隣り合う分割検査領域どうしの一部を重複させる場合における重複部の幅を示すものであり、オペレータが任意に設定可能である。ただし、オーバラップ量を“0”に、すなわち分割検査領域どうしを重複させないように設定することも可能である。
More specifically, in this division mode, dirt is detected in the same manner as in the above-described 1 chip / 1 field of view mode, and the length, width, position, area, etc. of the circumscribed rectangle are detected for each. This is performed for each of a plurality of divided inspection areas. The number of divided inspection areas is set by the
さて、分割検査領域の数を例えば25(5×5)に設定する場合、各分割検査領域はチップ領域に対して図10に示すように設定される。なお図10では、オーバラップ量“0”で設定した分割検査領域を示している。 When the number of divided inspection areas is set to 25 (5 × 5), for example, each divided inspection area is set as shown in FIG. 10 with respect to the chip area. FIG. 10 shows the divided inspection area set with the overlap amount “0”.
そして画像処理装置8は、各分割検査領域が図10に破線矢印で示す順序でカメラ7により順次撮像されるように検査ステージ1を制御しつつ、各分割検査領域毎に1チップ/1視野モードの場合と同様なラベリング処理を行う。かくして図10の例では、汚れ91〜99がそれぞれ検出される。なお、汚れ91,96は本来は1つの汚れであるが、2つに分割されて検出されることになる。また、汚れ92,93,94,95は本来は1つの汚れであるが、4つに分割されて検出されることになる。
Then, the
以上のようにして得られた各分割検査領域の検査情報は、それぞれ該当チップの検査情報として画像処理装置8からデータ処理装置11へと与えられる。データ処理装置11では、1チップに対応する25個の分割検査領域のそれぞれの検査情報の全てを1チップの検査情報としてチップ毎に管理する。
The inspection information of each divided inspection area obtained as described above is given from the
(2) 欠け検査モード選択時
(2-1) 1チップ/1視野モード
このときオペレータは、ウェハ21の裏面(グラインド面)を上方に向けた状態(光学顕微鏡6に対向させた状態)で検査ステージ1にセットするとともに、検査ステージ1をマニュアル操作してウェハ全体のθ補正を行っておく。またオペレータは、検査ステージ1および光学顕微鏡6をマニュアル操作し、図4にSで示すスタートチップの全体がカメラ7によって撮像される状態としておく。なお図4において、“×”で示すのがチップの形成位置である。
(2) When chip inspection mode is selected
(2-1) 1 chip / 1 field of view mode At this time, the operator sets the
この状態で検査開始が指示されると、画像処理装置8はまず、汚れ検査モードのときと同様にして、チップ範囲を特定するとともに図11に示すようにラベリング検査範囲を設定する。そして、ラベリング検査範囲の外縁部にかかる黒画素の塊に関するラベリング処理を実行する。ここでのラベリング処理では、ラベリング検査範囲の左上の角を基準点としてラベリング検査範囲の外縁部に沿って時計回りにサーチしながら、ラベリング検査範囲の外縁部に接し、かつラベリング検査範囲の内側に入り込んでいる黒画素の塊の検出を行う。そして、ラベリング検査範囲の外縁部を一辺として有した外接長方形におけるラベリング検査範囲外縁部に直交する辺の長さの測定、あるいはラベリング検査範囲外縁部とチップエッジとの交点のうちで基準点を基準として奇数番目に検出されるものの位置の測定などを行う。具体的には、チップ裏面は二値化画像上では白く現れるが、欠けは黒く現れ、また欠けはチップのエッジが本来のエッジ位置よりも内側に入り込んだ部分であるので、ラベリング検査範囲の外縁部に接し、かつラベリング検査範囲の内側に入り込んでいる黒画素の塊として欠けを検出する。また、このような黒画素の塊の外接長方形においてラベリング検査範囲外縁部に対向する辺は欠けの先端を通ることになるので、外接長方形においてラベリング検査範囲外縁部に直交する辺の長さとして、ラベリング検査範囲外縁部を基準とした欠けの深度を検出できる。また、ラベリング検査範囲の外縁部に沿って時計回りにサーチした際に黒画素の塊が最初に検出される位置、すなわちラベリング検査範囲外縁部とチップエッジとの交点のうちで基準点を基準として奇数番目に検出されるものが1つの欠けの起点であるので、これを欠けの位置を示す情報として検出する。
When the start of inspection is instructed in this state, the
かくして図11の例では、101〜111で示す11個の黒画素の塊が欠けとして検出されて、各欠けについての深度および位置(起点)が検出される。 Thus, in the example of FIG. 11, 11 black pixel blocks 101 to 111 are detected as missing portions, and the depth and position (starting point) for each missing portion are detected.
ところで、図12に示すようにチップのコーナー部に欠けが生じている場合、深度としてはLaとLbとの2つが取り得ることになる。そこでこのような場合に画像処理装置8は、小さい方(図12の例ではLa)を深度として採用する。
By the way, as shown in FIG. 12, when the chip has a chipped corner, two depths of La and Lb can be taken. Therefore, in such a case, the
なお、外接長方形の縦横のそれぞれの長さや、面積などは画素数として検出する。そして、図8に示す光学顕微鏡6にて設定された倍率に対する実視野および分解能の関係に基づいて長さに換算する。また外接長方形におけるラベリング検査範囲外縁部に直交する辺の長さは、最終的には図13に示すように設定された20段階の深度レベルL1〜L20のいずれかとして決定される。
Note that the length and area of the circumscribed rectangle are detected as the number of pixels. Then, the length is converted based on the relationship between the real field of view and the resolution with respect to the magnification set by the
以降、汚れ検査モードのときと同様にして検査対象のチップを順次変更しながら各チップの検査を行う。 Thereafter, each chip is inspected while sequentially changing the inspection target chips in the same manner as in the dirt inspection mode.
そして、得られた各チップの検査情報は、画像処理装置8からデータ処理装置11へと与えられ、チップ毎に管理される。
Then, the obtained inspection information of each chip is given from the
(2-2) 分割モード
このとき、画像処理装置8は汚れ検索モード時における分割モードと同様にして1チップ領域を複数の分割検査領域に分割する。そして前述の1チップ/1視野モードと同様にして欠けの検出を行うともに、それぞれについてラベリング検査範囲の外縁部を一辺として有した外接長方形におけるラベリング検査範囲外縁部に直交する辺の長さ(欠けの深度)の測定、ラベリング検査範囲外縁部とチップエッジとの交点のうちで基準点を基準として奇数番目に検出されるものの位置(欠陥の位置)等を検出するが、この処理を分割検査領域のうちのチップ範囲の外縁部に位置するもの毎に行うのである。
(2-2) Division Mode At this time, the
さて、分割検査領域の数を例えば25(5×5)に設定する場合、各分割検査領域はチップ領域に対して図14に示すように設定される。なお図14では、オーバラップ量“0”で設定した分割検査領域を示している。 When the number of divided inspection areas is set to 25 (5 × 5), for example, each divided inspection area is set as shown in FIG. 14 with respect to the chip area. FIG. 14 shows a divided inspection area set with an overlap amount “0”.
この場合、ラベリング検査の実施対象となる分割検査領域は、外縁部に位置する16個である。画像処理装置8は、これらの分割検査領域が図14に破線矢印で示す順序でカメラ7により順次撮像されるように検査ステージ1を制御しつつ、各分割検査領域毎に1チップ/1視野モードの場合と同様なラベリング処理を行う。かくして図14の例では、131〜142の12個の黒画素の塊が欠けとして検出されて、各欠けについての深度および位置が検出される。なお、欠け134と欠け135、欠け136と欠け137、欠け131と欠け142とはそれぞれ本来は1つの欠けであるが、それぞれ2つに分割されて検出されることになる。
In this case, there are 16 division inspection regions to be subjected to the labeling inspection, which are located at the outer edge. The
以上のようにして得られた各分割検査領域の検査情報は、それぞれ該当チップの検査情報として画像処理装置8からデータ処理装置11へと与えられる。データ処理装置11では、1チップに対応する16個の分割検査領域のそれぞれの検査情報の全てを1チップの検査情報としてチップ毎に管理する。
The inspection information of each divided inspection area obtained as described above is given from the
(3) 位置検査モード
このとき画像処理装置8は、リングフレーム22に設けられた2つのフレームマーク24a,24bの位置を求め、図15に示すようにこの2つのフレームマーク24a,24bをともに通過する直線をX方向、2つのフレームマーク24a,24bをともに通過する直線に直交し、かつフレームマーク24aを通過する直線をY方向としたリングフレーム座標系を設定する。
(3) Position inspection mode At this time, the
次に画像処理装置8は、ウェハ21に形成されている各チップにつき、前述した手順でチップ範囲の4つのコーナーの座標を求め、これを図16に示すようにリングフレーム座標系に展開する。そして、リングフレーム座標系における各チップの4つのコーナーの座標を求め、これをチップ位置とする。また、チップ範囲における対向する2辺のそれぞれの中点を通る直線を図16に示すように求めるとともに、この直線のリングフレーム座標系に対する傾きθを求め、これをチップの傾きとする。
Next, the
以上のようにして得られた検査情報は画像処理装置8からデータ処理装置11へと与えられ、データ処理装置11においてチップ毎に管理される。
The inspection information obtained as described above is given from the
さて、データ処理装置11では、以上のような検査処理により画像処理装置8で得られて画像処理装置8から与えられた検査情報は、内蔵したハードディスクなどに蓄積しておく。そしてデータ処理装置11は、1ウェハに対する検査の終了後にデータ処理を行い、規格化データを作成する。
In the
規格化データは、ウェハ21を適当なブロックで分割した各ブロックに属するチップの検査情報をそれぞれに集計したデータである。
The standardized data is data obtained by tabulating inspection information of chips belonging to each block obtained by dividing the
ブロックは、図17(a)に示されるように縦5列×横5列の格子状ブロックでも良いし、図17(b)に示されるようにウェハ21の中心を軸にした円周方向に8個、半径方向に3個の合計24個の扇状のブロックでも良く、集計上特徴の出し易い分割形態にすれば良い。すなわちち、計算上の都合によりブロックを任意に設定して良いという意味で仮想ブロックと称している。例えば、ウェハの切断方向に注目する場合は直交座標系を模して格子状ブロックとしても良いし、ウェハの形状に着目する場合はウェハが円形であれば極座標系を模して扇状ブロックとしても良い。
As shown in FIG. 17A, the block may be a lattice block of 5 columns × 5 rows as shown in FIG. 17A, or in the circumferential direction around the center of the
またウェハがチップ毎に切断されている場合は、仮想ブロックの境界上のチップを隣接するどのブロックに帰属させるかという問題があるが、これも、ルールを設けて処理すれば良い。例えばチップの中心点が含まれるブロックに当該チップを含ませるというルールが設定できる。またブロックにチップに対する優先順位を与えて、優先度の高いブロックに接触するチップは当該ブロックに帰属するというルールも設定できる。チップのサイズは任意であることが多く、従って同一サイズのウェハであっても1枚のウェハ上に存在するチップの数は異なるが、上記の様な帰属ルールを設けて処理すれば、1つのブロックに含まれるチップ数やその位置に影響されて、ブロックの位置や分割形態を変更する必要がない。ただ、ブロック内に含まれるチップ数が変わるだけである。 Further, when the wafer is cut for each chip, there is a problem of which block on the boundary of the virtual block belongs to which adjacent block, and this may be processed by providing a rule. For example, a rule for including the chip in a block including the center point of the chip can be set. It is also possible to set a rule that a block is given priority to a chip, and a chip that comes into contact with a high priority block belongs to the block. The size of the chip is often arbitrary. Therefore, even if the wafers are the same size, the number of chips existing on one wafer is different. It is not necessary to change the position and division form of the block, being affected by the number of chips included in the block and its position. However, only the number of chips included in the block changes.
また、ウェハサイズが変更された場合でも同種のブロック形状を使用した場合はウェハサイズの大きさの比率で、ブロックを相似に拡大縮小すれば良い。 Even when the wafer size is changed, if the same type of block shape is used, the blocks may be similarly enlarged or reduced at a ratio of the size of the wafer.
また、各仮想ブロックには番号やアドレスを付番しておいた方が計算上便利である。 In addition, it is more computationally convenient to assign a number or address to each virtual block.
さて、上述の如くブロック内にはチップが存在する場合としない場合があるが、切断されていないウェハにおいてはブロック内にはブロックと同サイズのチップが1コ仮想的に存在しているものとみなすことができるので以下ブロック内には少なくとも1コまたはそれ以上のチップが存在しているものとして規格化データについて説明する。 Now, as described above, there are cases where a chip is present in the block, but there are cases where a chip of the same size as the block is virtually present in the block in an uncut wafer. Since it can be considered, the normalized data will be described below assuming that at least one or more chips exist in the block.
規格化データは、模式的には例えば図18に示す様な状態で表される。 The normalized data is schematically represented in a state as shown in FIG. 18, for example.
図18における項目としては、例えば欠け検査に対しては、1つのブロック内に帰属する各チップの深度の最大値の集合を{lm}としたときに、集合{lm}と最大値をlmmax 、平均値をlmav、最小値をlmmin 、分散をLmσとし、処理したウェハの番号(ウェハNo.)、日付、ウェハ上の検査チップ総数(検査チップ数 G.totol)、複数枚のウェハ(例えば10枚)に対して処理したことを示すウェハ枚数、全体としての検査チップ数、共通条件としてテープ品名や粘着剤などの条件を示すテープ構成、そのテープと検査対象となったウェハを処理した装置名や装置の条件としてのマウンタ条件やダイシング条件あるいはダイシング後のテープのエキスパンド条件等が表示されている。 As items in FIG. 18, for example, for a chip inspection, when a set of maximum depth values of chips belonging to one block is {lm}, the set {lm} and the maximum value are lm max. , Average value is lm av , minimum value is lm min , variance is Lmσ, processed wafer number (wafer No.), date, total number of inspection chips on wafer (inspection chip number G.totol), multiple wafers (For example, 10 wafers) Number of wafers indicating processing, number of inspection chips as a whole, tape configuration indicating conditions such as tape product name and adhesive as common conditions, processing the tape and the wafer to be inspected The device name, the mounter condition as the condition of the apparatus, the dicing condition, the expanding condition of the tape after dicing, and the like are displayed.
各ウェハについての検査された結果が各々のブロック毎に上記の様にlmmax 、lmav、lmmin 、lmσについて計算され、各ブロック番号(図18では、25分括なのでBlock1、Block2〜Block25 )に対応した各欄に表示される。
The inspected results for each wafer are calculated for lm max , lm av , lm min , and lm σ for each block as described above, and each block number (in FIG. 18, since it is a 25 block,
全ウェハの集計は、上記各lmmax 、lmav、lmmin 、lmσの集合である{lmmax }、(lmav}、{lmmin }、{lmσ}に対して各平均値をそれぞれの値としてlot total の項のBlock subtotalの各No Block subtotal 1 〜Block subtotal 25 の欄に表示され、さらに同項のG.total の項には、Block subtotal 1〜Block subtotal 25 の各{lmmax }、{lmav}…{lmσ}との値の平均値が表示される。
The total of all wafers is obtained by calculating the respective average values for {lm max }, (lm av }, {lm min }, and {lmσ}, which are a set of the above lm max , lm av , lm min , and lmσ. Is displayed in the column No Block subtotal 1 to Block
なお、上記では全てについて平均値を用いたが、{lmmax }については最大値のみを採用しても良い。また集計の毎にlmmax 、lmav、lmmin 、lmσは、常に集計対象である{lmmax }に対してのみ最大値をlmmax 、平均値をlmav、最小値をlmmin 、分散をlmσとする様にしても良い。あるいは、各種統計学の手法を導入しても良い。 In the above, the average value is used for all, but only the maximum value may be used for {lm max }. In addition, lm max , lm av , lm min , and lmσ are always lm max , lm max , average value lm av , minimum value lm min , and variance for {lm max }, which are always subject to aggregation. It may be set to lmσ. Alternatively, various statistical methods may be introduced.
これらのlmmax やlnmax 等,各チップからlot lotal まで共通に計算できる値および計算方法を規格化データと称する。 Values and calculation methods that can be commonly calculated from each chip to lot lotal, such as lm max and ln max , are referred to as normalized data.
位置検査に対しては、ブロック内の各チップにおいて隣接するチップ間のギャップを計算し、欠け検査の時と同様にウェハ毎およびLot total 毎に以下の様な規格化データを得るための処理を行なう。 For position inspection, the gap between adjacent chips is calculated for each chip in the block, and the following standardized data is obtained for each wafer and lot total as in the case of chip inspection. Do.
あるブロック内の当該チップの左右いずれかのチップ間のX方向ギャップの計測値の集合を{Gx}また上下いずれかのY方向ギャップの計測値の集合を{Gy)としたときそれぞれにおいて、
{Gx}および{Gy}の最大値をGxmax およびGymax
{Gx}および{Gy}の最小値をGxmin およびGymin
{Gx}および{Gy}の平均値をGxavおよびGyav
{Gx}および{Gy}の分散をGxσおよびGyσ
として、前記欠け検査時と同様に処理したものである。
When a set of measured values of the X direction gap between the left and right chips of a certain block in a block is {Gx} and a set of measured values of the upper and lower Y direction gaps is {Gy),
The maximum values of {Gx} and {Gy} are set to Gx max and Gy max
The minimum values of {Gx} and {Gy} are set to Gx min and Gy min
The average value of {Gx} and {Gy} is expressed as Gx av and Gy av
The variance of {Gx} and {Gy} is expressed as Gxσ and Gyσ
As in the case of the chip inspection, the same processing is performed.
汚れ検査に対しては、あるブロック内のチップ上の汚れの面積の合計値の集合を{S}とし、
{S}の最大値をSmax
{S}の最小値をSmin
{S}の平均値をSav
{S}の分散をSσ
として前記欠け検査と同様に処理したものである。
For the dirt inspection, a set of the total values of the dirt areas on the chip in a certain block is set as {S},
The maximum value of {S} is set to S max
Set the minimum value of {S} to S min
The average value of {S} is S av
The variance of {S} is expressed as Sσ
Are processed in the same manner as the chip inspection.
このようにウェハ21上の検査情報を規格化データに集計することにより、サイズの異なるウェハでもブロックのサイズがこれに合わせて変化し、相似する座標における欠点の発生する傾向をつかむことができる。
In this way, by adding the inspection information on the
また、格子状のブロックによる規格化データによる欠陥の情報は、規格化されていないデータよりもダイシングマシン等の条件との相関関係をとりやすい。さらに、扇状のブロックによる規格化データによる欠陥の情報は、規格化されていないデータや他の規格化データよりも略円形のウェハやダイシングテープ等より発生するさまざまな要因との相関がとりやすい。 Further, defect information based on standardized data using grid blocks is more easily correlated with conditions of a dicing machine or the like than non-standardized data. Furthermore, the defect information based on the standardized data of the fan-shaped block is more likely to correlate with various factors generated from a substantially circular wafer, dicing tape, or the like than non-standardized data or other standardized data.
また、規格化データは1枚のウェハを単に分割するのではなく、ウェハ上の全てのチップについて図17(c)に示すように格子状にブロック化し、全てのチップの同座標のブロックの情報を1個のブロックに集計して規格化しても良い。この方法によれば、1枚のウェハを、あたかも1個のチップと仮定して評価ができる。この規格化データの欠陥の情報はウェハの位置に関連せず、チップの特定位置に発生する欠陥との相関をとりやすい。 Also, the standardized data is not simply dividing a single wafer, but all chips on the wafer are blocked in a grid pattern as shown in FIG. May be standardized by summing them into one block. According to this method, one wafer can be evaluated as if it were one chip. Information on defects in the standardized data is not related to the position of the wafer, and is easily correlated with defects generated at specific positions on the chip.
図18において、Block Detailとあるのは、各チップの仮想ブロックについて表示したものである。規格化データおよびブロック化の方法は前述と全く同様である。 In FIG. 18, “Block Detail” indicates a virtual block of each chip. The standardized data and the blocking method are exactly the same as described above.
なお、図18中の斜線部は、不要と思われる部分について施してある。例えば、位置検査においてチップの仮想ブロック化は意味のないことである。 In addition, the shaded part in FIG. 18 is given to a part that seems unnecessary. For example, in the position inspection, making a virtual block of a chip is meaningless.
ところで、ウェハ21の周縁部に位置するチップは、図19(a)に示すように長方形をなしていない場合がある。また図19(b)に示すように、ウェハ21の周縁部に位置するチップに隣接するチップも長方形をなしていない場合がある。そしてこれらのチップは、欠陥ではなく正常なチップであるため、無効チップとなる。そこでデータ処理装置11は、ウェハ21の周縁部に位置するチップにおけるY方向に沿った辺の長さが本来の1/2以下である場合には、当該チップを含めて撮像順に見て手前3チップおよびその次のラインの最初の3チップ(図20に×を記したチップ)のそれぞれを規格化除外チップとし、これらの規格化除外チップに関する検査情報を規格化データの作成に用いない。
By the way, the chip located on the peripheral edge of the
なおデータ処理装置11は、オペレータからの指示に応じて、規格化データの内容を表形式やグラフ形式に編集し、これをディスプレイ表示させたり、プリンタ12にプリント出力させたりする。
The
かくして本実施形態によれば、以下のような効果が得られる。 Thus, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) ウェハ21に形成されたチップのそれぞれについて、汚れおよび欠けが自動的に検出される。また汚れの位置、面積および個数、あるいは欠けの位置および深度が自動的に求められる。従って、検査員は自動的に求められた各種の情報に基づいてウェハ21の状態を容易に、かつ正確に知ることができ、顕微鏡を用いた目視による複雑な作業によって検査を行う必要がない。
(1) Contamination and chipping are automatically detected for each of the chips formed on the
また、ウェハ21に形成されたチップのそれぞれについて、フレームマーク24a,24bにより定まるリングフレーム座標系における位置、すなわちリングフレーム21に対する各チップの相対的な位置が自動的に検出される。従って、ある程度の時間を隔てて行った複数回の検査により得られた各チップの位置の変化を検証すれば、ダイシングテープ23の伸びの発生具合を容易、かつ正確に認識でき、顕微鏡を用いた目視による複雑な作業によって検査を行う必要がない。
Further, for each chip formed on the
(2) チップのコーナー部に欠けが生じており、この欠けに対してX方向およびY方向の2通りの深度が得られると、値の小さい方を深度の測定値として採用するので、チップのコーナー部に欠けの深度を妥当に測定することができる。 (2) Chips are chipped at the corners of the chip. When two depths in the X and Y directions are obtained for the chip, the smaller value is used as the depth measurement value. It is possible to appropriately measure the depth of the chip at the corner.
(3) ラベリング検査範囲を実際のチップ範囲よりも若干小さく設定することによって、チップ範囲の外縁部の所定幅の範囲では汚れおよび欠けの検出を行わないので、製造精度上の問題により生じるチップエッジの乱れを汚れおよび欠けとして誤検出してしまうことがない。 (3) Since the labeling inspection range is set slightly smaller than the actual chip range, dirt and chips are not detected within a predetermined range of the outer edge of the chip range. Is not erroneously detected as dirt and chipping.
(4) マグネスケール3を用いて精度良く検出された検査ステージ1の位置に基づいて座標を決定するので、検査ステージ1の移動量の誤差により測定誤差が生じることを防止して精度を向上させることができる。
(4) Since the coordinates are determined based on the position of the
(5) 検査ステージ1の上面を黒色としてあり、ミラー面となっているチップ部分よりも光の反射率が異なっているので、チップ部分とそれ以外の部分とで画像信号のレベルを大きく異ならせることができ、画像処理装置8においてチップ部分とそれ以外の部分とを確実に識別できる。このことから、画像におけるチップ範囲およびチップのエッジを正確に特定でき、汚れおよび欠けあるいはチップ位置を正確に検出できる。
(5) Since the upper surface of the
(6) 検査ステージ1を所定数のチップ分に亙り移動させてもチップが検出できなかった場合には、ウェハ21の周縁部までの検査が終了したと判定するので、1ライン上に存在するチップ数が不定であっても、周縁部の位置の指定を受けることなしにウェハ21の周縁部を確実に判定できる。
(6) If a chip cannot be detected even if the
(7) 分割検査モードにおいては、隣接する分割検査領域どうしの一部分をオーバーラップさせることができるので、分割検査領域の境界部分に存在する汚れおよび欠けをも確実に検査することができる。 (7) In the divided inspection mode, a part of adjacent divided inspection regions can be overlapped, so that it is possible to reliably inspect even dirt and chips present at the boundary portion of the divided inspection regions.
(8) 分割検査領域の数は、光学顕微鏡6における倍率、チップサイズおよびオーバラップ量に基づいて効率良く検査が行える数に画像処理装置8が設定するので、オペレータが設定する必要がなく、また必要以上の分割検査領域が設定されて処理効率が低下してしまうことを防止できる。
(8) Since the
(9) ウェハ21の全体をその直径に拘らずに一律25個のブロックに分割し、各ブロックに含まれるチップに関する検査情報を集計して規格化データを作成するので、この規格化データを評価することにより、汚れ、欠けおよびチップ位置を異なるサイズのウェハ間において同一レベルで比較、対応することができる。
(9) The
(10) ウェハ21に形成されたチップを一律25個のブロックに分割し、ウェハ21のチップに関する検査情報を各ブロック毎に集計して規格化データを作成するので、この規格化データを評価することにより、ウェハ全体またはウェハ21の全体を25個に分割したブロックをあたかも1個のチップのように汚れや欠けを評価できる。
(10) The chips formed on the
(11) ウェハ21の周縁部に位置するチップにおけるY方向に沿った辺の長さが本来の1/2以下である場合には、当該チップを含めて撮像順に見て手前3チップおよびその次のラインの最初の3チップのそれぞれを規格化除外チップとして規格化データの作成に用いないので、正規のチップに関する妥当なデータを得ることができる。
(11) In the case where the length of the side along the Y direction in the chip located at the peripheral edge of the
なお本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、次のような変形実施が可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, The following deformation | transformation implementation is possible.
(1) カメラ7による各チップの撮像順序は上記実施形態に挙げたものには限定されず、任意であって良い。
(1) The imaging order of each chip by the
(2) 汚れ、欠けおよびチップ位置の全てを検査する機能を有する必要はなく、これらの一部のみの検査を行う機能を有したものとすることもできる。 (2) It is not necessary to have a function of inspecting all of dirt, chips, and chip positions, and it is also possible to have a function of inspecting only a part of these.
(3) ブロックの分割数は25には限らず、任意であって良い。 (3) The number of block divisions is not limited to 25, and may be arbitrary.
(4) 二値化画像上汚れを黒画素の塊としているが、チップ表面が二値化画像上で黒く現れる場合は、汚れは白く現れるので、二値化画像中の白画素の塊として汚れを検出することも変形実施が可能である。 (4) Although the stain on the binarized image is a black pixel block, if the chip surface appears black on the binarized image, the stain appears white, so it is dirty as a white pixel block in the binarized image. It is possible to carry out a modified implementation of detecting.
(5) このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形実施が可能である。 (5) In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
1…検査ステージ、2…架台、3…マグネスケール、4…ステージコントローラ、5…操作パネル、6…顕微鏡、7…カメラ、8…画像処理装置、11…データ処理装置、21…ウェハ、22…リングフレーム、23…ダイシングテープ、24a,24b…フレームマーク、22a,22b…切欠部、31a,31b…位置決めピン。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記リングフレームまたは前記ウェハの一部分の拡大像を得る顕微鏡と、
この顕微鏡により得られた拡大像を撮像し、対応する電気的な画像信号を生成する撮像手段と、
前記リングフレームまたは前記ウェハの異なる部分を前記撮像手段に順次撮像させるように前記検査ステージにより前記リングフレームを移動させる手段と、
前記画像信号が示す画像に基き、前記複数のチップのそれぞれの位置を前記位置決めマークに対する相対的な位置として検出する位置検査手段と、
前記位置検査手段により検出された前記複数のチップのそれぞれの位置を表す検査情報を蓄積しておく手段とを具備したことを特徴とするウェハ外観検査装置。 An inspection stage for moving a ring frame on which a wafer on which a positioning mark is formed at a predetermined position and a plurality of chips are formed is mounted;
A microscope for obtaining an enlarged image of a part of the ring frame or the wafer;
Imaging means for capturing an enlarged image obtained by the microscope and generating a corresponding electrical image signal;
Means for moving the ring frame by the inspection stage so that the imaging means sequentially images different portions of the ring frame or the wafer;
Position inspection means for detecting each position of the plurality of chips as a relative position with respect to the positioning mark based on an image indicated by the image signal;
A wafer visual inspection apparatus comprising: means for storing inspection information representing the positions of the plurality of chips detected by the position inspection means.
前記リングフレームまたは前記ウェハの一部分の拡大像を得る顕微鏡と、
この顕微鏡により得られた拡大像を撮像し、対応する電気的な画像信号を生成する撮像手段とを具備したウェハ外観検査装置を用いて前記ウェハの外観を検査するためのウェハ外観検査方法において、
前記リングフレームまたは前記ウェハの異なる部分を前記撮像手段に順次撮像させるように前記検査ステージにより前記リングフレームを移動させ、
前記画像信号が示す画像に基き、前記複数のチップのそれぞれの位置を前記位置決めマークに対する相対的な位置として検出し、
前記検出された前記複数のチップのそれぞれの位置を表す検査情報を蓄積することを特徴とするウェハ外観検査方法。 An inspection stage for moving a ring frame on which a wafer on which a plurality of chips are formed and positioning marks are formed at predetermined positions, respectively,
A microscope for obtaining an enlarged image of a part of the ring frame or the wafer;
In the wafer appearance inspection method for inspecting the appearance of the wafer using a wafer appearance inspection apparatus comprising an imaging means for capturing an enlarged image obtained by the microscope and generating a corresponding electrical image signal,
Moving the ring frame by the inspection stage to cause the imaging means to sequentially image different portions of the ring frame or the wafer;
Based on the image indicated by the image signal, each position of the plurality of chips is detected as a relative position with respect to the positioning mark,
A wafer appearance inspection method, wherein inspection information representing each position of the detected plurality of chips is accumulated.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004225861A JP3826146B2 (en) | 2004-08-02 | 2004-08-02 | Wafer appearance inspection apparatus and wafer appearance inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004225861A JP3826146B2 (en) | 2004-08-02 | 2004-08-02 | Wafer appearance inspection apparatus and wafer appearance inspection method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32577794A Division JPH08181178A (en) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Wafer external appearance inspecting equipment and wafer external appearance inspecting method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005024565A JP2005024565A (en) | 2005-01-27 |
JP3826146B2 true JP3826146B2 (en) | 2006-09-27 |
Family
ID=34191680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004225861A Expired - Lifetime JP3826146B2 (en) | 2004-08-02 | 2004-08-02 | Wafer appearance inspection apparatus and wafer appearance inspection method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3826146B2 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007142010A (en) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Nidec Tosok Corp | Bonding apparatus |
JP4973332B2 (en) * | 2007-06-21 | 2012-07-11 | 株式会社サタケ | Nori appearance inspection equipment |
JP5606757B2 (en) * | 2010-03-08 | 2014-10-15 | 株式会社ディスコ | Shape recognition device |
JP6752593B2 (en) * | 2016-03-07 | 2020-09-09 | 東レエンジニアリング株式会社 | Defect inspection equipment |
CN108155127A (en) * | 2017-12-27 | 2018-06-12 | 昆山思雷电子科技有限公司 | A kind of die bond ancillary equipment and bonder |
CN109100366A (en) * | 2018-08-10 | 2018-12-28 | 武汉盛为芯科技有限公司 | The detection system and method for semiconductor laser chip end face appearance |
JP2022132717A (en) * | 2021-03-01 | 2022-09-13 | 東レエンジニアリング株式会社 | Chip tray, chip holding device, and visual inspection device |
-
2004
- 2004-08-02 JP JP2004225861A patent/JP3826146B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005024565A (en) | 2005-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5228490B2 (en) | Defect inspection equipment that performs defect inspection by image analysis | |
TWI519778B (en) | A method for inspecting line width and/or positional errors of a pattern | |
JP3904419B2 (en) | Inspection device and inspection system | |
TWI515425B (en) | Mask of the defect inspection method | |
US7835566B2 (en) | All surface data for use in substrate inspection | |
KR100954703B1 (en) | Method and system for detecting defects | |
JP5591675B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
TW201523760A (en) | Workpiece processing apparatus and workpiece transfer system | |
JPH08181178A (en) | Wafer external appearance inspecting equipment and wafer external appearance inspecting method | |
JP2016145887A (en) | Inspection device and method | |
TWI512284B (en) | Bubble inspection system for glass | |
US20070165938A1 (en) | Pattern inspection apparatus and method and workpiece tested thereby | |
JP3826146B2 (en) | Wafer appearance inspection apparatus and wafer appearance inspection method | |
JP5502569B2 (en) | Scanning electron microscope | |
JP2001266125A (en) | Substrate inspecting device | |
JP2001194322A (en) | External appearance inspection device and inspection method | |
KR102383577B1 (en) | A method for inspecting a skeleton wafer | |
JP7207948B2 (en) | Appearance inspection method and program | |
JP2004286532A (en) | Device and method for visual inspection | |
CN113624129A (en) | Real-time measurement method of dimension measurement instrument | |
US6720989B2 (en) | System and method for automatically inspecting an array of periodic elements | |
JP4943777B2 (en) | DEFECT DATA PROCESSING DEVICE, DEFECT DATA PROCESSING SYSTEM, AND DEFECT DATA PROCESSING METHOD | |
TW201929116A (en) | Workpiece processing apparatus and workpiece transfer system | |
JPH0374855A (en) | Chip size detection, chip pitch detection, automatic chip arrangement data formation, and method and device for inspecting semiconductor substrate using them | |
JPH0682724B2 (en) | Wafer defect inspection system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060425 |
|
R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060703 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130707 Year of fee payment: 7 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |