JP3819838B2 - Semiconductor device and power conversion device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びそれを備えた電力変換装置に係り、特に、小型化、高効率化、及び低インダクタンス実装を図り得るようにされた半導体装置及び電力変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
電力変換装置に用いられる半導体装置の従来例を図7を参照しながら簡単に説明する。図7において、半導体装置30は、本体基板(底板)となる矩形の放熱板7と、該放熱板7の幅方向一端側に隣接配置された電解コンデンサ29a、29bと、を備えている。前記放熱板7は、材料として銅やAl−SiC合金等が用いられて板状に作製されており、この放熱板7上には、絶縁基板15a、15b、15cが載設され、それらの上面に基板導体パターン12a、12b、12cが形成されるとともに、MOSFETが用いられた半導体スイッチとダイオードの組み合わせ(単一部品)13a、13b(以下、半導体スイッチ13a、13bと称す)が取り付けられ、前記放熱板7の幅方向一端側端部には、L形状の負極直流端子2及び正極直流端子3が設けられ、他端側には、出力端子4、5、6が設けられている。なお、前記電解コンデンサ29a、29bは、前記半導体スイッチ13a、13bを駆動した際の電圧変化を緩和するために設けられている。
【0003】
前記負極直流端子2及び正極直流端子3は、間に絶縁シート11が介装されており、それらはそれぞれ、平面視凸字状とされた導体板からなる負極コンデンサ端子21及び正極コンデンサ端子22を介して前記電解コンデンサ29a、29bの対応する極に接続されている。より詳細には、前記負極直流端子2及び正極直流端子3には、上端から横向きに折れ曲がって突出する突出接続部2a、3aが設けられ、これら突出接続部2a、3aに前記負極コンデンサ端子21及び正極コンデンサ端子22の凸部21a、22aが重ねられて電気的に接続されている。なお、負極コンデンサ端子21及び正極コンデンサ端子22は、それぞれ前記コンデンサ29a、29bに跨乗せしめられてネジ等で固定されている。
【0004】
なお、図7において、符号14a、14b、14c、14d、14eはワイヤ配線を示しており、ワイヤ配線14aは正極直流端子3と基板導体パターン12aを接続し、ワイヤ配線14bは半導体スイッチ13aと基板導体パターン12bを接続し、ワイヤ配線14cは半導体スイッチ13bと基板導体パターン12cを接続し、ワイヤ配線14dは負極直流端子2と基板導体パターン12cを接続し、ワイヤ配線14eは出力端子4と基板導体パターン12bを接続している。前記ワイヤ配線14a、14b、14c、14d、14eは、4本づつ図示されているが、半導体装置の仕様とワイヤ配線径によって必要なワイヤ配線本数は異なり、ワイヤ配線本数は4本に限定されるものではない。
【0005】
また、前記半導体装置30を含む電力変換装置においては、図示はされていないが、通常、半導体装置を駆動するドライブ回路基板と、入出力端子と、この入出力端子と半導体装置を接続する配線と、それらを保持する筐体と、を備える。
【0006】
さらに、絶縁基板15b、15cに実装された半導体スイッチ及びワイヤ配線等の構造及び作用は絶縁基板15aのものと同様であるため、以下では絶縁基板15aについて説明する。また、以下の説明において負極直流端子2及び正極直流端子3は、それぞれを構成している導体板を指す。
【0007】
上記半導体装置30において、半導体スイッチ13a、13bのそれぞれがオンからオフへの切り替えする際に、そのオンからオフへの切り替わる半導体スイッチ13a、13bをブリッジ接続する配線と、負極直流端子2と正極直流端子3と、負極コンデンサ端子21及び正極コンデンサ端子22と、電解コンデンサ29a、29bと、で構成する経路で電流値が大きく変化する。以下、前記経路を主回路配線と称す。前記半導体スイッチ13a、13bをブリッジ接続する配線とは、図7において、基板導体パターン12a、12b、12cとワイヤ配線14a、14b、14c、14dである。半導体スイッチ13a、13bがオンからオフへの切り替わる際に、前記主回路配線と電解コンデンサ29a、29bの合計のインダクタンスと前記主回路配線における電流量の時間微分値の積によって決定される電圧が生じる。
【0008】
前記電圧(以下、ここの電圧を跳ね上り電圧と呼ぶ)により、オンからオフへの切り替わる半導体スイッチ13a、13bには、電源電圧に前記跳ね上り電圧分を加えた電圧が瞬時的に印加される。上記跳ね上り電圧が増加し、オンからオフへの切り替わる半導体スイッチへの印加電圧が素子耐圧を越えたとき、絶縁破壊が起ることになり、半導体装置の正常動作には、跳ね上り電圧を抑制する必要がある。半導体装置の大電流化においては、前記電流の時間微分値も増加するため、インダクタンスの低減が特に重要となっている。
【0009】
前記インダクタンスの低減に関連して、前記正極及び負極直流端子と電解コンデンサとを接続する配線構造等について、従来より幾つかの提案がなされており、その一つに、スイッチング時の損失増加と素子耐圧を越える電圧発生の要因となるインダクタンスを、半導体装置内配線、並びに、電解コンデンサと半導体装置とを接続する配線において、正極側配線と負極側配線を流れる電流の向きが互いに逆になるように積層構造化することで、配線インダクタンスを減少させるようにしたものがある(例えば、特許文献1参照)。
【特許文献1】
特開平8−140363号公報(第1〜4頁、第1〜4図)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体装置における大電流化及び小型化の要求に対して、より低いインダクタンス配線実装を小さな実装面積でかつ安価に実現する重要性が高まっている。
【0011】
そして、前記した跳ね上り電圧の問題に対して、耐圧の高い半導体スイッチを使用する対策があるが、耐圧を高くした場合、半導体スイッチはオン状態での抵抗値が大きくなる傾向がある。特に電源電圧が低く、半導体スイッチに大電流が流れるシステムでは、オン状態での半導体スイッチでの損失の割合が大きくなるため、インダクタンスを下げることにより跳ね上り電圧を抑制することは、耐圧のより低い半導体スイッチを使用可能にし、その効果として発熱低減による温度上昇の抑制に伴う寿命や信頼性の向上あるいは冷却コストの低減及び冷却装置の小型化などの大きなメリットがある。
【0012】
特に、自動車のような搭載可能な空間が限られた製品に使われる場合、搭載する際の自由度を大きくするために小型化が重要になる。また、半導体装置の小型化は材料費抑制によるコスト低減効果もある。
【0013】
したがって、半導体装置において主回路配線インダクタンスの低減と小型化には大きなメリットがあり、半導体装置における低インダクタンス配線構造と小型化を同時に実現する方策が強く要望されている。
【0014】
本発明は、前記要望に応えるべくなされたもので、その目的とするところは、低インダクタンス実装が可能でかつ小型化及び高効率化を実現する半導体装置及び電力変換装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成すべく、本発明に係る半導体装置は、基本的には、導体板からなる正極直流端子及び負極直流端子、少なくとも4つの制御可能な半導体スイッチ、少なくとも2つの出力端子、前記半導体スイッチを実装する絶縁基板、前記正極直流端子及び負極直流端子と絶縁基板及び半導体スイッチとを接続する配線、前記正極直流端子及び負極直流端子や前記絶縁基板が設けられた放熱板、前記半導体スイッチ等を覆うケース、及び、前記半導体スイッチを駆動した際の電圧変化を緩和するコンデンサ、を備えた半導体装置であって、前記正極直流端子と負極直流端子とは、間に絶縁体を挟んで積層化されるとともに、それぞれ前記コンデンサの対応する極に届くまで水平に伸ばされてそれに直接接続されており、前記正極直流端子と負極直流端子との間に介装された前記絶縁体と前記ケースとが絶縁材料で一体に構成されていることを特徴としている。
【0018】
このような構成とされた本発明に係る半導体装置の好ましい態様においては、負極直流端子と正極直流端子は、間に絶縁体を挟んで積層化されるとともに、それぞれ電解コンデンサの対応する極に届くまで伸ばされてそれに直接接続されているので、主回路配線の長さが短くされ、装置の小型化が図られる。
【0019】
また、前述した図7の従来例では、負極直流端子及び正極直流端子と電解コンデンサとは、コンデンサ端子を介して接続されているが、本発明装置では、負極直流端子及び正極直流端子が放熱板外に伸ばされて電解コンデンサに直接接続されるので、従来例では存在したコンデンサ端子が本発明装置では不要となる。
【0020】
ここで、自動車などの低電圧下において高出力が要求される電力変換装置の場合、その端子や内部の導体には大電流が流れるので、端子と端子の接続部の損失は高くなる。このため、装置内部の端子接続部の削減は装置の高効率化に効果がある。また、前記コンデンサ端子が不要となることから、部品コスト及び組立て工数が削減され、その結果、生産コストが低減される。
【0021】
また、負極直流端子、絶縁体、正極直流端子からなる積層構造体は、間に挟む絶縁体をケースと一体に樹脂成形することで容易に製作でき、これによっても、工数削減等による生産コストの低減を図れる。
【0022】
さらに、負極直流端子と正極直流端子を、ワイヤ配線の接合面の直前まで絶縁体を挟んだ積層構造とすることによって、負極直流端子と正極直流端子における配線インダクタンスが低減され、また、同様に電解コンデンサとの接合部周辺も絶縁体を挟んだ積層構造とすることでも配線インダクタンスが低減される。
【0023】
また、負極直流端子と正極直流端子を半導体装置(放熱板)内外に伸ばし、半導体スイッチ、導体パターン、電解コンデンサ間をワイヤ配線と負極直流端子、正極直流端子のみで接続することによって、主回路配線が短くされ、これによっても、配線インダンタンスが低減される。
【0024】
一方、本発明に係る電力変換装置は、前記半導体装置と、前記半導体スイッチを駆動するドライブ回路基板と、前記コンデンサや前記ドライブ回路基板が取り付けられる筐体と、を備え、前記半導体装置におけるケースと前記筐体とが絶縁材料で一体に構成されてなる。
【0025】
かかる構成とされた電力変換装置においては、前記した半導体装置が用いられるので、跳ね上り電圧の要因であるインダクタンスが低減され、これによって、発熱も低減されるので、冷却コストの低減が可能になり、電力変換装置の大容量化及び小型化が可能となる。また、半導体装置のケースと電力変換装置の筐体とを一体に構成し、より好ましくは、半導体装置の出力端子と正極及び負極直流端子に、それぞれ電動機及び直流電源との接続部を設けることにより、電力変換装置内の導体接続による損失が低減されるとともに、電力変換装置の小型化が可能となる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す概略平面図、図2は、図1に示される半導体装置の概略側面図、図3は、図1に示される半導体装置を備えた本発明に係る電力変換装置の一実施形態を示す概略斜視図、図4は、図3に示される電力変換装置が用いられた自動車の駆動システムの一例を示す概略構成図、図5は、図3に示される電力変換装置の概略回路構成図、図6は、図1に示される半導体装置の概略回路構成図である。なお、上記各図において、前述した図7に示される従来例の半導体装置の各部に対応する部分もしくは同一機能部分には同一の符号を付してその説明を省略ないし簡略する。
【0027】
まず、図5を参照しながら本実施形態の電力変換装置32の回路構成を説明する。図5において、電力変換装置32は、直流電源31から主回路配線33を介して電力供給を受ける半導体装置30を備え、該半導体装置30は、可変周波数の交流電流をUVW相の出力配線34を介して誘導電動機35へ出力する。該電動機35は出力配線34を通じて供給される電流・電圧により駆動する。前記半導体装置30(の正極及び負極直流端子)が接続される電解コンデンサ29は、半導体装置30(に備えられる半導体スイッチ)のスイッチング動作による直流電圧の変動を抑制する機能を持つ。
【0028】
なお、前記コンデンサ29は、電解コンデンサに限定されるものではなく、直流電圧の変動を目標値以内に抑制可能な十分大きな静電容量を持つコンデンサであればよい。
また、電力変換装置32は、上記の他に、図示はされていないが、前記半導体装置30のスイッチング動作を制御するドライブ回路基板と、前記半導体装置30を冷却するための冷却フィン、冷却ファン等を備えている。
【0029】
前記半導体装置30は、図6に示される如くの、UVW三相交流を出力するための回路構成を有する。すなわち、半導体装置30は、半導体スイッチ18a、18b、18c、18d、18e、18f、ダイオード19a、19b、19c、19d、19e、19f、半導体スイッチ制御端子20a、20b、20c、20d、20e、20f、正極直流端子3、負極直流端子2、U相出力端子4、V相出力端子5、W相出力端子6を有する。
【0030】
なお、前記出力端子4、5、6は、一組で三相交流端子とされ、また、前記正極直流端子3と負極直流端子2間には直流電圧が印加されている。通常、半導体スイッチは制御端子と半導体スイッチの負極側の端子間電圧が半導体スイッチのオンオフ信号となるため、ドライブ回路に接続するための半導体スイッチの負極側端子が必要だが、図を分かり易くするため、前記端子とドライブ回路は省略している。
【0031】
前記半導体スイッチ18a、18b、18c、18d、18e、18fには、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)あるいはIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)が用いられる。半導体スイッチにパワーMOSFETを用いる場合、前記パワーMOSFETは素子構造にダイオードを含んでいるため、半導体スイッチ18aとダイオード19aを1チップで構成することができる。本実施形態においても、半導体スイッチにパワーMOSFETを用いる場合はダイオードを別部品として実装しなくて良い。また、MOSFETにおいて前記半導体スイッチ制御端子はゲート端子と呼ばれる。
【0032】
図6において半導体スイッチ18aと半導体スイッチ18bが、半導体スイッチ18cと半導体スイッチ18dが、半導体スイッチ18eと半導体スイッチ18fが、それぞれ正極直流端子3と負極直流端子2間でブリッジ接続されている。半導体装置30は、半導体スイッチ制御端子20a、20b、20c、20d、20e、20fにPWM(PLUSE Width Modulation)制御信号電圧を印加し、ブリッジ接続されたそれぞれの半導体スイッチ18a、18b、18c、18d、18e、18fのオン(開)、オフ(閉)の時間を制御することで、可変周波数・可変電圧の三相交流を三相交流出力端子4,5,6から電動機35へ出力するものである。
【0033】
また、図5、図6の回路構成を用いた場合、電動機35を外力(例えば、ガソリンエンジン等)により回転させることにより、発電させることが可能であり、電動機35によって発生した3相交流を半導体装置30によって直流に変換することで、直流電源へ送電が可能である。
【0034】
次に、前述した如くの回路構成を有する本実施形態の半導体装置30及び電力変換装置32(の配線構造)を、図1、図2、図3を参照しながら説明する。
なお、図1〜図3では、半導体装置30内部の配線構造等を示すため、ケース1を部分的に取り除いた状態が示されている。
【0035】
本実施形態の半導体装置30は、図1、図2に示される如くに、本体基板(底板)となる矩形の放熱板7と、該放熱板7の幅方向一端側に隣接配置された電解コンデンサ29a、29bと、を備えている。前記放熱板7は、材料として銅やAl−SiC合金等が用いられて板状に作製され、その四隅には冷却フィン36(図3)と放熱板7とをボルト等で固定する際に使用するネジ穴8が形成されている。この放熱板7上には、6枚の絶縁基板15a、15b、15c、15d、15e、15fが左右互い違い載設され、それらの上面に基板導体パターン12a、12b、12c、12d、12e、12fが形成されるとともに、半導体スイッチ13a、13b、13c、13d、13e、13fが実装され、前記放熱板7の幅方向一端側端部には、平面視矩形で平板状の導体板からなる負極直流端子2及び正極直流端子3が設けられ、他端側には、配線取付け用の穴が形成された出力端子4、5、6が設けられている。
【0036】
前記負極直流端子2と正極直流端子3とは、間に絶縁体11を挟んで積層化されるとともに、それぞれ前記電解コンデンサ29a、29bに届くように前記放熱板7の外方に水平に伸ばされて、前記電解コンデンサ29a、29bの対応する極にネジ等で直接接続されている。また、負極直流端子2と正極直流端子3は、図2に示される如くに、正極直流端子3を下にしてその上に絶縁体11を介して負極直流端子2を重ねた積層構造のまま、前記放熱板7の内方にも(絶縁基板15aの手前まで)伸ばされており、かつ、積層構造部分(負極直流端子2、絶縁体11、及び正極直流端子3が重なっている部分)が、正極直流端子3と基板導体パターン12aを接続するワイヤ配線14aの接合面の直前まで延長されている。同様に電解コンデンサ29a、29bとの接合部周辺も絶縁体を挟んだ積層構造とされている。なお、前記負極直流端子2及び正極直流端子3にはそれぞれ直流電源31に接続される接続部2a、3aが水平に突設されている。
【0037】
上記に加え、前記半導体装置30における前記放熱板7上に設けられた半導体スイッチ等の各部品を覆うように、後述する電力変換装置32の筐体を兼ねた合成樹脂製で平面視矩形のケース1が配設されている。このケース1には、前記正極直流端子3と負極直流端子2との間に挟まれた絶縁体11が一体に成形されている。
【0038】
なお、図1において、符号14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14j、14k、14l及び符号16a、16b、16c、16d、16e、16fは、所定の態様で各部品間を接続するワイヤ配線を示している。各ワイヤ配線は、4本づつ図示されているが、半導体装置の仕様とワイヤ配線径によってワイヤ配線本数は異なり、ワイヤ配線本数は4本に限定されるものではない。また、図1、図2では、半導体スイッチとして、素子構造にダイオードを含んでいるMOSFETを使用した場合のレイアウト構造を示しているが、IGBTとダイオードを組み合わせのように半導体スイッチとダイオードを用いることもできる。
【0039】
また、正極直流端子3と負極直流端子2、絶縁基板15a、15b、出力端子4の配線接続関係は、正極直流端子3と負極直流端子2、絶縁基板15c、15d、出力端子5の配線接続関係及び正極直流端子3と負極直流端子2、絶縁基板15e、15f、出力端子6の配線接続関係と同様であるため、以下においては、正極直流端子3と負極直流端子2、絶縁基板15a、15b、出力端子4の配線接続関係について説明する。
【0040】
図1において、ワイヤ配線14aは正極直流端子3と基板導体パターン12aを接続し、ワイヤ配線14bは半導体スイッチ13aと出力端子4を接続し、ワイヤ配線14cは出力端子4と基板導体パターン12bを接続し、ワイヤ配線14dは半導体スイッチ13bと負極直流端子2を接続している。本実施形態は、半導体スイッチとしてMOSFETを用いているので、ワイヤ配線と接続している面がソース電極面であり、基板導体パターンと接続している面がドレイン電極面である。本実施形態では、ソース電極と同じ面上に半導体スイッチのオンオフ信号等を受信するゲート電極等の端子電極を形成したMOSFETを実装した例である。半導体スイッチ13aのゲート電極等の前記端子電極はワイヤ配線16aによってドライブ回路基板接続端子24aに接続されている。
【0041】
図1では、MOSFETの前記端子電極は2個づつ、ドライブ回路基板接続端子24a(24b、24c、24d、24e、24f)は3個づつ図示されているが、半導体スイッチ13a(13b、13c、13d、13e、13f)に電流検出、温度検出等の機能が付加されている場合には前記端子電極の数が増え、また電圧検出、温度検出等を実施する場合には前記ドライブ回路基板接続端子数が増えるため、図1に示されている数に限定される訳ではない。前記ドライブ回路基板接続端子24a、24b、24c、24d、24e、24fには、ドライブ回路基板(図示省略)が接続されるが、前記ドライブ回路基板が半導体装置30内に実装された場合、半導体装置30のケース1上面から前記ドライブ回路基板接続端子を露出し、外部で前記ドライブ基板を接続する場合の両方に適用することができる。前記ドライブ回路基板が半導体装置内に実装された場合には半導体装置には制御端子が設けられる。
【0042】
また、前記負極直流端子2及び正極直流端子3と出力端子4は、配線14a、14b、14c、14dのみによって導体パターン12a、12b及び半導体スイッチ13a、13bと接続可能な配置とされている。
【0043】
一方、図3に示される電力変換装置は、前記した半導体装置30と、前記半導体スイッチ13a、13b、13c、13d、13e、13fを駆動するドライブ回路基板(図示省略)と、前記コンデンサ29a、29bや前記ドライブ回路基板が取り付けられる筐体と、を備える。この筐体は、前記半導体装置30におけるケース1を兼ねるものとなっている。言い換えれば、前記ケース1と前記筐体とが絶縁材料を素材とした樹脂成形により一体に構成されている。
【0044】
上記した如くの構成とされた本実施形態の半導体装置30においては、負極直流端子2と正極直流端子3は、間に絶縁体を挟んで積層化されるとともに、それぞれ電解コンデンサ29a、29bの対応する極に届くまで伸ばされてそれに直接接続されているので、主回路配線の長さが短くされ、装置の小型化が図られる。
【0045】
また、図7の従来例では、負極直流端子2及び正極直流端子3と電解コンデンサ29a、29bとは、コンデンサ端子21、22を介して接続されているが、本実施形態では、負極直流端子2及び正極直流端子3が放熱板7外に伸ばされて電解コンデンサ29a、29bに直接接続されている。つまり、従来例では存在したコンデンサ端子21、22が本実施形態では存在しない。
【0046】
ここで、自動車などの低電圧下において高出力が要求される電力変換装置の場合、その端子や内部の導体には大電流が流れるので、端子と端子の接続部の損失は高くなる。このため、装置内部の端子接続部の削減は装置の高効率化に効果がある。また、前記コンデンサ端子21、22が不要となることで、部品コスト及び組立て工数が削減され、その結果、生産コストが低減される。
【0047】
また、負極直流端子2、絶縁体11、正極直流端子3からなる積層構造体は、間に挟む絶縁体11をケース1と一体に樹脂成形することで容易に製作でき、これによっても、工数削減等による生産コストの低減を図れる。
【0048】
さらに、負極直流端子2と正極直流端子3は、ワイヤ配線14aの接合面の直前まで絶縁体11を挟んだ積層構造とされているので、負極直流端子2と正極直流端子3における配線インダクタンスが低減され、また、同様に電解コンデンサ29a、29bとの接合部周辺も絶縁体を挟んだ積層構造とされているので、これによっても配線インダクタンスが低減される。
【0049】
また、負極直流端子2と正極直流端子3を半導体装置(放熱板7)内外に伸ばし、半導体スイッチ13d、導体パターン12a、電解コンデンサ29a、29b間をワイヤ配線14a、14dと負極直流端子2、正極直流端子3のみで接続するようにされているので、主回路配線が短くされ、これによっても、配線インダンタンスが低減される。
【0050】
一方、本実施形態の電力変換装置32は、前記半導体装置30が用いられるので、跳ね上り電圧の要因であるインダクタンスが低減され、これによって、発熱も低減されるので、冷却コストの低減が可能になり、電力変換装置の大容量化及び小型化が可能となる。また、半導体装置30のケース1と電力変換装置32の筐体を一体に構成し、半導体装置30の出力端子4、5、6と正極及び負極直流端子3、2に、それぞれ電動機35及び直流電源31との接続部3a、2aを設けているので、電力変換装置32内の導体接続による損失が低減されかつ電力変換装置の小型化が可能となる。
【0051】
なお、前記実施形態の半導体装置30は3相交流を出力可能なものとされているが、前述の説明からもわかるように、各相の配線接続関係は同様であるため、図1の半導体装置30の1相分の構造を抜き出したモジュールについても小型化、インダクタンス低減等の効果がある。すなわち、本発明は3相交流を出力する半導体装置に限定するものではなく、少なくとも2つの制御可能な半導体スイッチと少なくとも1つの出力端子と正極負極直流端子を有する半導体装置に適用できる。但し、小型化の点から本発明は3相交流を出力する半導体装置の方が、得られる効果が大きい。
【0052】
次に前記実施形態の電力変換装置32を自動車の駆動システムに適用した例を説明する。図4は、前記自動車50の駆動システムの構成図である。
図4に示される自動車50は、駆動システムとして、電動機35、電力変換装置32、直流電源31、出力配線34、制御装置51、伝導装置52、エンジン53、車輪54a、54b、54c、54d、信号端子55等を備えている。信号端子55は、自動車50の運転状態、及び、運転者からの発進、加速、減速、停止の指令に対する信号を受信する。制御装置51は信号端子55より受信した情報に基づき、電力変換装置32へ制御信号を送信し、電動機35を駆動する。電動機35はトルクをクランクシャフト53aに伝え、伝動装置52を介して、車輪(駆動輪)54a、54bを駆動させることができる。即ち、図4の駆動システムでは、自動車のエンジン53が停止している場合においても、誘導電動機35によって車輪54a、54bを駆動することができ、また、エンジン53が稼動している際もトルクアシストすることも可能である。さらに、エンジン53により電動機35を駆動させ、誘導モータ35で発生した交流を電力変換装置32で直流に変換することで、直流電源31に充電することができる。
【0053】
図4の駆動システムにおいて、前記の誘導電動機35のみによる車輪駆動やトルクアシスト時には大きなトルクが要求されることから、大電流で電動機35を駆動する必要があり、そのため、大電流を制御できる電力変換器が必須である。また、搭載可能な空間が限られるため、小型の電力変換装置が必要となり、そのため、前記電力変換装置の実現を可能する半導体装置が必要となる。従って、本発明の半導体装置30を用いた電力変換装置32によれば、より大きなトルク要求を満たし、搭載時の自由度を大きくした駆動システムを実現できる。
【0054】
かかる駆動システムを塔載した自動車は電動機による速やかな発進が可能なため、停車時のエンジンアイドリングを停止することや、前記電動機を発電機として使用して、三相電流を半導体装置により効率良く直流電流に変換し直流電源への充電を行う等の燃費向上に効果があり、本発明の半導体装置を用いることで、より効率を向上させることができる。
【0055】
以上、本発明の一実施形態について詳述したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した発明の精神を逸脱することなく、設計において種々の変更ができるものである。
【0056】
【発明の効果】
以上の説明から理解されるように、本発明によれば、小型かつ高効率でさらに低インダクタンス化を実現した半導体装置及び電力変換装置を低コストで提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す概略平面図。
【図2】図1に示される半導体装置の概略側面図。
【図3】図1に示される半導体装置を備えた本発明に係る電力変換装置の一実施形態を示す概略斜視図。
【図4】図3に示される電力変換装置が用いられた自動車の駆動システムの一例を示す概略構成図。
【図5】図3に示される電力変換装置の概略回路構成図。
【図6】図1に示される半導体装置の概略回路構成図。
【図7】電力変換装置に用いられる半導体装置の従来例を示す概略斜視図。
【符号の説明】
1:ケース、2:負極直流端子、3:正極直流端子、4:出力端子、5:出力端子、6:出力端子、7:放熱板、8:ネジ穴、11:絶縁体、12a、12b、12c、12d、12e、12f:導体パターン、13a、13b、13c、13d、13e、13f:半導体スイッチ、14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h、14i、14j、14k、14l:ワイヤ配線、15a、15b、15c、15d、15e、15f:絶縁基板、16a、16b、16c、16d、16e、16f:ワイヤ配線、18:半導体スイッチ、19:ダイオード、20:半導体スイッチング制御端子、24a、24b、24c、24d、24e、24f:ドライブ回路基板接続端子、26:制御補助端子、29a、29b:コンデンサ、30:半導体装置、31:直流電源、32:電力変換装置、33:主回路配線、34出力配線、35:電動機[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device and a power conversion device including the same, and more particularly to a semiconductor device and a power conversion device that can be reduced in size, increased in efficiency, and mounted with low inductance.
[0002]
[Prior art]
A conventional example of a semiconductor device used in a power conversion device will be briefly described with reference to FIG. In FIG. 7, the
[0003]
An
[0004]
In FIG. 7,
[0005]
In addition, although not shown in the power conversion device including the
[0006]
Furthermore, since the structures and operations of the semiconductor switch and the wire wiring mounted on the
[0007]
In the
[0008]
A voltage obtained by adding the amount of the jump voltage to the power supply voltage is instantaneously applied to the
[0009]
In connection with the reduction of the inductance, several proposals have been made for the wiring structure for connecting the positive and negative DC terminals and the electrolytic capacitor, and one of them is an increase in loss during switching and the element. Inductance that causes voltage generation exceeding the withstand voltage is set so that the direction of the current flowing through the positive electrode side wire and the negative electrode side wire is opposite to each other in the wiring in the semiconductor device and the wiring connecting the electrolytic capacitor and the semiconductor device. There is one in which the wiring inductance is reduced by forming a laminated structure (for example, see Patent Document 1).
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 8-140363 (pages 1 to 4 and FIGS. 1 to 4)
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, the importance of realizing lower inductance wiring mounting with a small mounting area and at a low cost has been increasing in response to demands for large current and miniaturization in semiconductor devices.
[0011]
And there is a measure to use a semiconductor switch with a high breakdown voltage for the above-mentioned problem of the jumping voltage, but when the breakdown voltage is increased, the resistance value of the semiconductor switch in the ON state tends to increase. In particular, in a system where the power supply voltage is low and a large current flows through the semiconductor switch, the ratio of loss in the semiconductor switch in the on state increases, so suppressing the jumping voltage by lowering the inductance has a lower withstand voltage. The semiconductor switch can be used, and as its effect, there are significant advantages such as improvement of life and reliability associated with suppression of temperature rise due to heat generation reduction, reduction of cooling cost, and downsizing of the cooling device.
[0012]
In particular, when used in a product with a limited space such as an automobile, downsizing is important in order to increase the degree of freedom in mounting. Further, downsizing of the semiconductor device has an effect of reducing costs by suppressing material costs.
[0013]
Therefore, there is a great merit in reducing the main circuit wiring inductance and downsizing in the semiconductor device, and there is a strong demand for a method for simultaneously realizing the low inductance wiring structure and downsizing in the semiconductor device.
[0014]
The present invention has been made to meet the above-mentioned demands, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device and a power conversion device that can be mounted with low inductance and can be reduced in size and increased in efficiency.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention basically includes a positive DC terminal and a negative DC terminal made of a conductor plate, at least four controllable semiconductor switches, at least two output terminals, and the semiconductor switch. Insulating substrate for mounting, wiring for connecting the positive and negative DC terminals to the insulating substrate and the semiconductor switch, a heat sink provided with the positive and negative DC terminals and the insulating substrate, the semiconductor switch, etc. A semiconductor device comprising a covering case and a capacitor for relaxing a voltage change when the semiconductor switch is driven, wherein the positive DC terminal and the negative DC terminal are stacked with an insulator interposed therebetween. In addition, each is stretched horizontally until it reaches the corresponding pole of the capacitor and is connected directly to the positive and DC terminals. And the insulator interposed between the DC terminals and the case is characterized in that it is integrally formed of an insulating material.
[0018]
In a preferred embodiment of the semiconductor device according to the present invention having such a configuration, the negative DC terminal and the positive DC terminal are stacked with an insulator interposed therebetween, and reach each corresponding electrode of the electrolytic capacitor. The length of the main circuit wiring is shortened, and the apparatus can be miniaturized.
[0019]
In the above-described conventional example of FIG. 7, the negative DC terminal, the positive DC terminal, and the electrolytic capacitor are connected via the capacitor terminal. However, in the device of the present invention, the negative DC terminal and the positive DC terminal are the heat sinks. Since it is extended to the outside and directly connected to the electrolytic capacitor, the capacitor terminal existing in the conventional example becomes unnecessary in the device of the present invention.
[0020]
Here, in the case of a power conversion device that requires a high output under a low voltage, such as an automobile, a large current flows through the terminal and an internal conductor, so that the loss at the terminal-terminal connection portion is high. For this reason, the reduction of the terminal connection part inside the apparatus is effective in increasing the efficiency of the apparatus. Further, since the capacitor terminal is not necessary, the component cost and the assembly man-hour are reduced, and as a result, the production cost is reduced.
[0021]
In addition, a laminated structure composed of a negative electrode DC terminal, an insulator, and a positive electrode DC terminal can be easily manufactured by resin-molding an insulator sandwiched between the case and the production cost by reducing man-hours, etc. Reduction can be achieved.
[0022]
Furthermore, the negative electrode DC terminal and the positive electrode DC terminal have a laminated structure in which an insulator is sandwiched just before the bonding surface of the wire wiring, so that the wiring inductance at the negative electrode DC terminal and the positive electrode DC terminal is reduced. The wiring inductance is also reduced by forming a laminated structure around the junction with the capacitor with an insulator in between.
[0023]
Also, the main circuit wiring is achieved by extending the negative DC terminal and the positive DC terminal into and out of the semiconductor device (heat sink) and connecting the semiconductor switch, conductor pattern, and electrolytic capacitor only with the wire wiring, the negative DC terminal, and the positive DC terminal. As a result, the wiring inductance is reduced.
[0024]
On the other hand, a power conversion device according to the present invention includes the semiconductor device, a drive circuit board that drives the semiconductor switch, and a casing to which the capacitor and the drive circuit board are attached, and a case in the semiconductor device; The casing is integrally formed of an insulating material.
[0025]
In the power conversion device having such a configuration, since the semiconductor device described above is used, the inductance that is a factor of the jumping voltage is reduced, thereby reducing the heat generation, and thus the cooling cost can be reduced. The capacity and size of the power conversion device can be reduced. Further, the case of the semiconductor device and the casing of the power conversion device are integrally configured, and more preferably, by providing a connection portion for the motor and the DC power source at the output terminal, the positive electrode, and the negative DC terminal, respectively. The loss due to the conductor connection in the power converter is reduced, and the power converter can be downsized.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 is a schematic plan view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, FIG. 2 is a schematic side view of the semiconductor device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is provided with the semiconductor device shown in FIG. 4 is a schematic perspective view showing an embodiment of a power conversion device according to the present invention, FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an example of an automobile drive system using the power conversion device shown in FIG. 3, and FIG. 3 is a schematic circuit configuration diagram of the power conversion device shown in FIG. 3, and FIG. 6 is a schematic circuit configuration diagram of the semiconductor device shown in FIG. In the drawings, portions corresponding to the portions of the conventional semiconductor device shown in FIG. 7 described above or portions having the same functions are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified.
[0027]
First, the circuit configuration of the
[0028]
The
In addition to the above, the
[0029]
The
[0030]
The
[0031]
For the
[0032]
In FIG. 6, the
[0033]
In addition, when the circuit configurations of FIGS. 5 and 6 are used, it is possible to generate electric power by rotating the
[0034]
Next, the
1 to 3 show a state in which the case 1 is partially removed in order to show the wiring structure and the like inside the
[0035]
As shown in FIGS. 1 and 2, the
[0036]
The
[0037]
In addition to the above, a case made of a synthetic resin that also serves as a casing of a
[0038]
In FIG. 1,
[0039]
The wiring connection relationship between the
[0040]
In FIG. 1, the
[0041]
In FIG. 1, two terminal electrodes of the MOSFET and two drive circuit
[0042]
The
[0043]
On the other hand, the power conversion device shown in FIG. 3 includes the
[0044]
In the
[0045]
Further, in the conventional example of FIG. 7, the
[0046]
Here, in the case of a power conversion device that requires a high output under a low voltage, such as an automobile, a large current flows through the terminal and the internal conductor, so that the loss of the connection portion between the terminal and the terminal becomes high. For this reason, the reduction of the terminal connection part inside the apparatus is effective in increasing the efficiency of the apparatus. Further, since the
[0047]
Moreover, the laminated structure including the negative
[0048]
Further, since the
[0049]
Further, the
[0050]
On the other hand, since the
[0051]
Although the
[0052]
Next, the example which applied the
4 includes a
[0053]
In the drive system of FIG. 4, since a large torque is required at the time of wheel driving or torque assist using only the
[0054]
Since an automobile equipped with such a drive system can be started quickly by an electric motor, the engine idling can be stopped when the vehicle is stopped, and a three-phase current can be efficiently generated by a semiconductor device using the electric motor as a generator. This is effective in improving fuel efficiency such as conversion to current and charging to a DC power source, and the efficiency can be further improved by using the semiconductor device of the present invention.
[0055]
Although one embodiment of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes in design can be made without departing from the spirit of the invention described in the claims. It is something that can be done.
[0056]
【The invention's effect】
As can be understood from the above description, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor device and a power conversion device that are small in size, high in efficiency, and low in inductance at low cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic side view of the semiconductor device shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic perspective view showing an embodiment of a power conversion device according to the present invention including the semiconductor device shown in FIG. 1;
4 is a schematic configuration diagram showing an example of a drive system for an automobile in which the power conversion device shown in FIG. 3 is used.
FIG. 5 is a schematic circuit configuration diagram of the power conversion device shown in FIG. 3;
6 is a schematic circuit configuration diagram of the semiconductor device shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 7 is a schematic perspective view showing a conventional example of a semiconductor device used in a power conversion device.
[Explanation of symbols]
1: Case, 2: Negative DC terminal, 3: Positive DC terminal, 4: Output terminal, 5: Output terminal, 6: Output terminal, 7: Heat sink, 8: Screw hole, 11: Insulator, 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f: Conductor pattern, 13a, 13b, 13c, 13d, 13e, 13f: Semiconductor switch, 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f, 14g, 14h, 14i, 14j, 14k, 14l: Wire wiring, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f: Insulating substrate, 16a, 16b, 16c, 16d, 16e, 16f: Wire wiring, 18: Semiconductor switch, 19: Diode, 20: Semiconductor switching control terminal,
Claims (2)
前記正極直流端子と負極直流端子とは、間に絶縁体を挟んで積層化されるとともに、それぞれ前記コンデンサの対応する極に届くまで水平に伸ばされてそれに直接接続されており、
前記正極直流端子と負極直流端子との間に介装された前記絶縁体と前記ケースとが絶縁材料で一体に構成されていることを特徴とする半導体装置。Positive and negative DC terminals composed of conductive plates, at least four controllable semiconductor switches, at least two output terminals, an insulating substrate on which the semiconductor switch is mounted, the positive and negative DC terminals, an insulating substrate and a semiconductor switch Wiring for connecting the positive and negative DC terminals and a heat sink provided with the insulating substrate, a case for covering the semiconductor switch, and a capacitor for relaxing the voltage change when the semiconductor switch is driven, A semiconductor device comprising:
The positive DC terminal and the negative DC terminal are stacked with an insulator in between, and each is stretched horizontally until reaching the corresponding pole of the capacitor and directly connected thereto,
The semiconductor device, wherein the insulator and the case interposed between the positive DC terminal and the negative DC terminal are integrally formed of an insulating material.
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