JP3817758B2 - Glass ceramic multilayer substrate - Google Patents

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Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えばハイブリットIC、マルチチップモジュール等に用いる低温焼成ガラスセラミック基板に関する。更に詳しくは、Ag系ビアとAg/PdあるいはAu等の外部導体配線の拡散により生じる導通不良をなくしたガラスセラミック多層基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、導体配線層とガラスセラミック絶縁層とを交互に複数積層し、その各導体配線層をAg系導体よりなる接続ビアを介して導電接続するようにしたガラスセラミック多層基板は知られている。そのような多層基板は、例えばガラス粉末とセラミックフィラーの混合物から作製したグリーンシートに接続ビア形成用のスルーホールを形成してAgペースト等を充填すると共に、そのグリーンシート上にAg、Ag/Pd、Au等のペーストを用いて所望の導体配線を形成し、これを複数枚積層して800〜1000℃で焼成して得るものである。
【0003】
上記のようなガラスセラミック多層基板において、最上層の導体配線(以下、外部導体配線という)には、半田への耐浸食性と、回路の短絡の原因となる湿中電界下におけるマイグレーションが発生し難いこと、およびワイヤボンディング性がよいこと、等が要求される。そのような外部導体配線として、例えばAg配線は廉価であるが、上記のような要求品質を満足することができないため、Au、Pd、Ptの一種以上あるいはAu、Pd、Ptの一種以上とAgの合金を用いることが多い。
【0004】
一方、ガラスセラミック絶縁層間に配設される導体配線(以下、内部導体配線という)と、接続ビアは、上記絶縁層により基板内部に完全に内包され、湿中に置かれないためマイグレーションの発生するおそれが少ない。そのため、導電性が高く、しかも低価格であるAgを利用することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように内部導体配線と接続ビアにAgを用い、外部導体配線にAu、Pd、Ptの一種以上、あるいはAu、Pd、Ptの一種以上とAgの合金を用いた場合には、外部導体配線を焼成する際に接続ビアのAgが外部導体配線中に拡散して接続ビアの厚みが減少し、接続部で断線あるいは接続不良が生じることが判明した。上記の断線や接続不良は、外部導体配線を接続ビアと同時あるいは別個に焼成しても発生した。
【0006】
上記の問題を解決するには、外部導体配線の焼成温度を低く、例えば600℃程度で焼成するのが効果的であるが、絶縁層と外部導体配線の密着性、耐半田侵食性、導電率が著しく悪化するため必ずしも充分な対策とはいえない。
【0007】
本発明は上記の問題点に鑑みて提案されたもので、外部導体配線の特性を犠牲にすることなく、しかもAgを用いた接続ビアと外部導体配線とを良好に接続することのできるガラスセラミック多層基板を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明によるガラスセラミック多層基板は、以下の構成としたものである。
即ち、導体配線層とガラスセラミック絶縁層とが交互に複数積層されると共に、上記各導体配線層がAg系導体よりなる接続ビアを介して導電接続され、かつ少なくとも表面に配設される導体配線層は、Au、Pd、Ptの一種以上あるいはAu、Pd、Ptの一種以上とAgの合金からなるガラスセラミック多層基板において、少なくとも上記の表面に配設される導体配線層と他の導体配線層とを接続する接続ビアを、Agと酸化ニッケルとで構成し、そのAgと酸化ニッケルとの重量比率をAg/NiO=98/2〜80/20の範囲内としたことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
先ず、接続ビアを形成するのに用いるペーストについて説明する。接続ビアに用いる銀粉末は市販のものでよい。特に本発明を限定するものでないが、電子顕微鏡による写真から測定した平均粒径は2〜5μmが好ましい。平均粒径が5μmよりも大きいとペースト中のAg粉末とビヒクルが分離しやすく保存性に難があり、平均粒径が2μmより小さいと焼成収縮が大きくなり基板にクラックが発生しやすくなるからである。
【0010】
また接続ビアに用いる酸化ニッケルとしては、酸化ニッケル源として、酸化ニッケルの他に、金属ニッケル、炭酸ニッケル、しゅう酸ニッケル、ニッケルレジネート等、焼成により酸化ニッケルになるものはすべて利用可能である。Ag粉末との配合比率は、前述のように重量基準でAg/NiO=98/2〜80/20となるようにする。NiOが98/2より少ないと、接続不良の解決が充分でなく、80/20より多いとNiOが接続を妨害することがある。基板との焼結挙動を一致させるために、接続ビアにガラスや他の酸化物等を加えることができるが、本発明の効果には特に影響しない。しかし、接続ビアの導電率を悪化させない程度に極力少量にすることが好ましい。
【0011】
上記のビヒクルの成分は特に限定されないが、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の樹脂を単独あるいは混合してターピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤あるいはフタル酸ブチル等の可塑剤に溶解して作製する。ビヒクル量は、銀粉等固形分100重量部に対して7〜12重量部とすればよく、ペーストの粘度が300〜500Pa・Sになるように適宜調整すればよい。そして前記のAg粉末と酸化ニッケル粉末、および上記のビヒクルをスリーロールミル等を用いて混練し、ペースト状に作製する。
【0012】
一方、内部導体配線を形成するペーストは、平均粒径0.5〜2μm程度のAg粉末を接続ビアと同様のビヒクルとともに混練して作製すればよい。ビヒクル量は、Ag粉末100重量部に対して18〜30重量部とすればよい。
【0013】
また外部導体配線を形成するペーストは、必要に応じてAu、Pd、Ptの一種以上の粉末あるいはAu、Pd、Ptの一種以上とAgの合金粉あるいは混合粉の中から導電粉末を選択し、ガラスセラミック絶縁層と接合させるためのほうけい酸ガラス粉末とともに上述の内部導体配線ペーストと同様の方法で作成すればよい。そのほうけい酸ガラス粉末は市販品でよいが、軟化点500〜700℃程度で粒度325メッシュ以下のものが使用できる。
【0014】
さらに、絶縁層となるガラスセラミックグリーンシートは、ガラスセラミック粉末をスラリーに調整後、ドクターブレード等を用いて作製する。そのガラスセラミック粉末は、1000℃以下で充分に焼結するものであれば何でもよく、ガラス粉末としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物等を含有するアルミノ硼珪酸ガラスで軟化点が600〜800℃の非晶質ガラス粉末、あるいは600〜1000℃で結晶化する結晶化ガラス等が使用できる。また、これにアルミナ、ジルコン、ムライト、コージェライト、アノーサイト、シリカ等のセラミックフィラーを混合してもよい。この場合、ガラス粉末とセラミックフィラーとの混合比率は、ガラスセラミック基板の坑折強度、誘電率、緻密性等の性能を勘案して調整されるが、一般的に重量比で約1:1が好ましい。
【0015】
また上記スラリーは、ガラスセラミック粉末にバインダー、可塑剤、溶剤を加えて、ボールミルやアトライター等で混合して得られる。そのバインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、メタアクリルポリマー、アクリルポリマー等を使用することができる。また可塑剤としては、フタル酸の誘導体等を使用することができ、溶剤としては、アルコール類、ケトン類、塩素系有機溶剤等を使用することができる。
【0016】
上記のようにして作成したグリーンシートを、適当な大きさの外形寸法に切断し、金型あるいはレーザー等でスルーホールを形成する。次に上述の接続ビア用ペーストをスクリーン印刷等でスルーホールに充填する。そして所望のパターンに内部導体配線用ペーストを印刷する。これを必要層数繰り返す。次に印刷済のグリーンシートを積層してホットプレス機等で一体化し、焼成する。
【0017】
そのホットプレス機等で一体化する際の圧力は、例えば50〜300kg/cm2 、温度は60〜90℃程度が好ましく、焼成は、例えば450〜600℃程度に加熱して有機物を除去した後、1100℃以下、例えば800から1000℃で行う。
【0018】
次に、上記のようにして得られた焼成体の表面に、外部導体配線用ペーストを所望のパターンにスクリーン印刷し、ピーク温度800〜900℃で10分間程度の厚膜焼成炉等で焼成してガラスセラミック多層基板を得ることができる。なお、外部導体配線は、最上層となるグリーンシートに印刷して積層後、あるいはホットプレスした積層体の表面に印刷して、一括で焼成することもできる。
【0019】
【実施例】
以下、本発明によるガラスセラミック多層基板の具体的な実施例について説明する。
【0020】
ガラスセラミック絶縁層を形成するためのガラスセラミック粉末として、下記表1に示す組成のガラス粉末(平均粒径2.2μm)と、アルミナ粉末(平均粒径1.7μm)を50:50の比率で混合した。
【0021】

Figure 0003817758
【0022】
上記の混合粉末100重量部に対して、ボリビニルブチラール9重量部、フタル酸ジイソブチル7重量部、オレイン酸1重量部、イソプロピルアルコール40重量部、トリクロロエタン20重量部を加えてボールミルで24時間混合してスラリーを製作した。そのスラリーをドクターブレード法で均して厚さ約200μmのガラスセラミックグリーンシートを形成した。
【0023】
接続ビアを形成するに当たっては、上記のガラスセラミックグリーンシートに直径100μmのスルーホールを形成し、そのスルーホール内に接続ビア形成用のペーストをスクリーン印刷法によって充填した。その接続ビア形成用のペーストとしては、平均粒径2.4μmのAg粉末と酸化ニッケルとを種々の配合比率で混合し、その各混合物の合計100重量部に対して、それぞれエチルセルロース6%のターピネオール溶液18重量部を添加してスリーロールミルで混合したものを用いた。
【0024】
また内部導体配線用ペーストは、平均粒径1.2μmのAg粉末100重量部をエチルセルロース6%のターピネオール溶液22重量部とともにスリーロールミルで混合して得た。そのペーストを前記のグリーンシートおよび接続ビア形成済みのグリーンシートに印刷して内部導体配線を形成し、それを乾燥した後、5枚積み重ね、150kg/cm2 、85℃の条件で加圧成形した。なお最下部のグリーンシートは接続ビアが形成されていないものを用い、最上部のグリーンシートは導体配線が形成されていないものを用いた。
【0025】
次に、上記の成形体をアルミナ製板上に置き、520℃、3時間加熱して有機物を除去し、次いで900℃、1時間加熱して焼成した。そして最上部のグリーンシート(ガラスセラミック絶縁層)上に外部導体配線用ペーストを接続ビアに接するようにスクリーン印刷で塗布し、乾燥後ピーク温度850℃で10分間の厚膜焼成炉で焼成した。なお、その外部導体配線用ペーストとしては、組成や重量比率の異なる種々の導電粉末を、前記の内部導体配線用ペーストと同様に調整したものを用いた。また前記のように加圧成形した積層体上に外部導体配線用ペーストを予め印刷し、それを上記と同様の条件で同時焼成したものも試作した。
【0026】
さらに上記の実施例に対する比較例として、接続ビアをAgのみで構成したもの、およびAgと酸化ニッケルの配合比率が前記の本発明の条件を満たさないものについても上記と同様の要件で試作し、その比較例および前記の実施例について接続ビアと外部導体配線の接続性、および接続ビアの抵抗値を調べた。その結果を下記表2にまとめて示す。
【0027】
【表2】
Figure 0003817758
【0028】
なお上記表中の接続性については、接続ビアと外部導体配線の接合部の断面を電子顕微鏡で観察し、接合部に直径20μm以上の孔のないものを○とした。また接続ビアの抵抗値は、Ag粉のみから試作した場合の抵抗値と比較して1.5倍以内のものを○とした。
【0029】
上記の表からも明らかなように、本発明に基づく実施例1〜11のガラスセラミック多層基板は、接続ビアと外部導体配線との接続性が良好であり、しかも接続ビアの抵抗値は、Ag粉のみで構成した場合と比較していずれも1.5倍以内で、充分に実用性があることがわかった。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によるガラスセラミック多層基板は、外部導体配線を850℃という高温で焼成してもAgを用いた接続ビアとの間に前述のような接続不良等が生じるのを回避できると共に、絶縁層と外部導体配線の密着性や耐半田侵食性のよい信頼性の高いガラスセラミック多層基板を提供できる等の効果がある。[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The present invention relates to a low-temperature fired glass ceramic substrate used for, for example, a hybrid IC, a multichip module and the like. More specifically, the present invention relates to a glass-ceramic multilayer substrate that eliminates poor conduction caused by diffusion of Ag-based vias and external conductor wiring such as Ag / Pd or Au.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a glass ceramic multilayer substrate in which a plurality of conductor wiring layers and glass ceramic insulating layers are alternately laminated, and each conductor wiring layer is conductively connected through a connection via made of an Ag-based conductor is known. Such a multilayer substrate is formed, for example, by forming through holes for forming connection vias in a green sheet made from a mixture of glass powder and ceramic filler and filling with Ag paste or the like, and Ag, Ag / Pd on the green sheet. , A desired conductor wiring is formed using a paste such as Au, and a plurality of these are laminated and fired at 800 to 1000 ° C.
[0003]
In the glass ceramic multilayer substrate as described above, the uppermost conductor wiring (hereinafter referred to as the outer conductor wiring) is resistant to erosion to solder and migration under a wet electric field that causes a short circuit. Difficulties and good wire bonding properties are required. As such external conductor wiring, for example, Ag wiring is inexpensive, but cannot satisfy the required quality as described above. Therefore, one or more of Au, Pd, Pt or one or more of Au, Pd, Pt and Ag are used. Often, the alloy is used.
[0004]
On the other hand, the conductor wiring (hereinafter referred to as internal conductor wiring) disposed between the glass ceramic insulating layers and the connection via are completely contained in the substrate by the insulating layer and are not placed in the moisture, so that migration occurs. There is little fear. Therefore, Ag having high conductivity and low cost can be used.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when Ag is used for the inner conductor wiring and the connection via as described above, and one or more of Au, Pd, Pt, or an alloy of one or more of Au, Pd, Pt and Ag is used for the outer conductor wiring, It has been found that when the external conductor wiring is baked, Ag of the connection via diffuses into the external conductor wiring to reduce the thickness of the connection via, resulting in disconnection or poor connection at the connection portion. The above disconnection or connection failure occurred even when the external conductor wiring was fired simultaneously with or separately from the connection via.
[0006]
In order to solve the above problems, it is effective to lower the firing temperature of the outer conductor wiring, for example, at about 600 ° C., but the adhesion between the insulating layer and the outer conductor wiring, solder erosion resistance, conductivity However, this is not always a sufficient measure.
[0007]
The present invention has been proposed in view of the above problems, and is a glass ceramic that can satisfactorily connect a connection via using Ag and an external conductor wiring without sacrificing the characteristics of the external conductor wiring. An object is to provide a multilayer substrate.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a glass ceramic multilayer substrate according to the present invention has the following configuration.
That is, a plurality of conductor wiring layers and glass ceramic insulating layers are alternately laminated, and each conductor wiring layer is conductively connected through a connection via made of an Ag-based conductor, and is disposed at least on the surface. The layer is composed of at least one of Au, Pd and Pt, or one or more of Au, Pd and Pt and an alloy of Ag and an alloy of Ag, and at least the conductor wiring layer disposed on the surface and other conductor wiring layers. The connection via for connecting the two is composed of Ag and nickel oxide, and the weight ratio of Ag to nickel oxide is in the range of Ag / NiO = 98/2 to 80/20.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
First, the paste used for forming the connection via will be described. The silver powder used for the connection via may be a commercially available product. Although the present invention is not particularly limited, the average particle diameter measured from an electron microscope photograph is preferably 2 to 5 μm. If the average particle size is larger than 5 μm, the Ag powder and the vehicle in the paste are easily separated and the storage stability is difficult. If the average particle size is smaller than 2 μm, the firing shrinkage becomes large and cracks are likely to occur in the substrate. is there.
[0010]
As the nickel oxide used for the connection via, in addition to nickel oxide as the nickel oxide source, any metal nickel, nickel carbonate, nickel oxalate, nickel resinate, or the like that becomes nickel oxide by firing can be used. As described above, the blending ratio with the Ag powder is set to Ag / NiO = 98/2 to 80/20 on a weight basis. If NiO is less than 98/2, the connection failure is not sufficiently solved, and if it is more than 80/20, NiO may interfere with the connection. In order to match the sintering behavior with the substrate, glass or other oxides can be added to the connection via, but this does not particularly affect the effects of the present invention. However, it is preferable to make the amount as small as possible so as not to deteriorate the conductivity of the connection via.
[0011]
The above-mentioned vehicle components are not particularly limited, and are prepared by dissolving resins such as ethyl cellulose and polyvinyl butyral alone or mixed in a solvent such as terpineol or butyl carbitol or a plasticizer such as butyl phthalate. The amount of the vehicle may be 7 to 12 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the solid content such as silver powder, and may be appropriately adjusted so that the viscosity of the paste is 300 to 500 Pa · S. The Ag powder, nickel oxide powder, and the vehicle are kneaded using a three-roll mill or the like to prepare a paste.
[0012]
On the other hand, the paste for forming the internal conductor wiring may be prepared by kneading Ag powder having an average particle size of about 0.5 to 2 μm together with a vehicle similar to the connection via. The vehicle amount may be 18 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of Ag powder.
[0013]
In addition, as the paste for forming the external conductor wiring, a conductive powder is selected from one or more powders of Au, Pd, and Pt, or an alloy powder or mixed powder of one or more of Au, Pd, and Pt and Ag as required. What is necessary is just to produce by the method similar to the above-mentioned internal conductor wiring paste with the borosilicate glass powder for making it join with a glass ceramic insulating layer. The borosilicate glass powder may be a commercially available product, but those having a softening point of about 500 to 700 ° C. and a particle size of 325 mesh or less can be used.
[0014]
Furthermore, the glass ceramic green sheet used as the insulating layer is prepared using a doctor blade or the like after adjusting the glass ceramic powder to a slurry. The glass ceramic powder may be anything as long as it can be sufficiently sintered at 1000 ° C. or lower. Examples of the glass powder include lead oxide, zinc oxide, alkaline earth metal oxide, and alkali metal oxide. An amorphous glass powder having a softening point of 600 to 800 ° C. or crystallized glass that crystallizes at 600 to 1000 ° C. can be used. Moreover, ceramic fillers such as alumina, zircon, mullite, cordierite, anorthite, and silica may be mixed therewith. In this case, the mixing ratio of the glass powder and the ceramic filler is adjusted in consideration of the performance of the glass ceramic substrate such as the folding strength, the dielectric constant, and the denseness, but generally the weight ratio is about 1: 1. preferable.
[0015]
The slurry is obtained by adding a binder, a plasticizer, and a solvent to glass ceramic powder and mixing them with a ball mill, an attritor, or the like. As the binder, for example, polyvinyl butyral, methacrylic polymer, acrylic polymer and the like can be used. As the plasticizer, phthalic acid derivatives and the like can be used, and as the solvent, alcohols, ketones, chlorinated organic solvents and the like can be used.
[0016]
The green sheet produced as described above is cut into an appropriate outer size, and a through hole is formed by a mold or a laser. Next, the through-hole paste is filled into the through hole by screen printing or the like. Then, the internal conductor wiring paste is printed in a desired pattern. This is repeated for the required number of layers. Next, the printed green sheets are stacked, integrated with a hot press machine or the like, and fired.
[0017]
The pressure at the time of integration with the hot press machine or the like is, for example, preferably 50 to 300 kg / cm 2 , and the temperature is preferably about 60 to 90 ° C. The firing is performed after heating to about 450 to 600 ° C. to remove organic substances, for example. 1100 ° C. or less, for example, 800 to 1000 ° C.
[0018]
Next, the external conductor wiring paste is screen-printed in a desired pattern on the surface of the fired body obtained as described above, and fired in a thick film firing furnace or the like at a peak temperature of 800 to 900 ° C. for about 10 minutes. Thus, a glass ceramic multilayer substrate can be obtained. The external conductor wiring may be printed on the green sheet as the uppermost layer and laminated, or may be printed on the surface of the hot-pressed laminated body and fired at once.
[0019]
【Example】
Hereinafter, specific examples of the glass ceramic multilayer substrate according to the present invention will be described.
[0020]
As glass ceramic powder for forming the glass ceramic insulating layer, glass powder (average particle size 2.2 μm) having the composition shown in Table 1 below and alumina powder (average particle size 1.7 μm) in a ratio of 50:50. Mixed.
[0021]
Figure 0003817758
[0022]
To 100 parts by weight of the above mixed powder, 9 parts by weight of polyvinyl butyral, 7 parts by weight of diisobutyl phthalate, 1 part by weight of oleic acid, 40 parts by weight of isopropyl alcohol and 20 parts by weight of trichloroethane are added and mixed in a ball mill for 24 hours. A slurry was produced. The slurry was averaged by a doctor blade method to form a glass ceramic green sheet having a thickness of about 200 μm.
[0023]
In forming the connection via, a through hole having a diameter of 100 μm was formed in the glass ceramic green sheet, and a paste for forming the connection via was filled in the through hole by a screen printing method. As a paste for forming the connection via, Ag powder having an average particle diameter of 2.4 μm and nickel oxide are mixed at various blending ratios, and terpineol of 6% ethyl cellulose is added to a total of 100 parts by weight of each mixture. What added 18 weight part of solutions and mixed with the three roll mill was used.
[0024]
The internal conductor wiring paste was obtained by mixing 100 parts by weight of Ag powder having an average particle size of 1.2 μm with 22 parts by weight of a 6% terpineol solution of ethyl cellulose by a three roll mill. The paste is printed on the green sheet and the green sheet on which connection vias have been formed to form an internal conductor wiring, and after drying it, five sheets are stacked and pressure molded under the conditions of 150 kg / cm 2 and 85 ° C. . The lowermost green sheet was used without a connection via, and the uppermost green sheet was used without a conductor wiring.
[0025]
Next, the above molded body was placed on an alumina plate and heated at 520 ° C. for 3 hours to remove organic substances, and then heated at 900 ° C. for 1 hour to be fired. Then, an external conductor wiring paste was applied on the uppermost green sheet (glass ceramic insulating layer) by screen printing so as to be in contact with the connection via, and dried and then fired in a thick film firing furnace at a peak temperature of 850 ° C. for 10 minutes. As the external conductor wiring paste, various conductive powders having different compositions and weight ratios were prepared in the same manner as the internal conductor wiring paste. A prototype was also prepared in which a paste for external conductor wiring was printed in advance on the pressure-molded laminate as described above and was fired simultaneously under the same conditions as described above.
[0026]
Furthermore, as a comparative example for the above-described examples, the connection via is composed only of Ag, and the case where the mixing ratio of Ag and nickel oxide does not satisfy the above-described conditions of the present invention is prototyped with the same requirements as above, Regarding the comparative example and the above-described example, the connectivity between the connection via and the external conductor wiring and the resistance value of the connection via were examined. The results are summarized in Table 2 below.
[0027]
[Table 2]
Figure 0003817758
[0028]
Regarding the connectivity in the above table, the cross section of the joint portion between the connection via and the external conductor wiring was observed with an electron microscope, and the one having no hole with a diameter of 20 μm or more in the joint portion was rated as “◯”. Moreover, the resistance value of the connection via was rated as “◯” within 1.5 times the resistance value in the case where the trial production was made only from Ag powder.
[0029]
As is clear from the above table, the glass ceramic multilayer substrates of Examples 1 to 11 according to the present invention have good connectivity between the connection via and the external conductor wiring, and the resistance value of the connection via is Ag. As compared with the case where only powder was comprised, all were 1.5 times or less, and it turned out that it is practical enough.
[0030]
【The invention's effect】
As described above, the glass-ceramic multilayer substrate according to the present invention avoids the above-described poor connection with the connection via using Ag even when the external conductor wiring is baked at a high temperature of 850 ° C. In addition, it is possible to provide a highly reliable glass ceramic multilayer substrate having good adhesion between the insulating layer and the external conductor wiring and good resistance to solder erosion.

Claims (1)

導体配線層とガラスセラミック絶縁層とが交互に複数積層されると共に、上記各導体配線層がAg系導体よりなる接続ビアを介して導電接続され、かつ少なくとも表面に配設される導体配線層は、Au、Pd、Ptの一種以上あるいはAu、Pd、Ptの一種以上とAgの合金からなるガラスセラミック多層基板において、少なくとも上記の表面に配設される導体配線層と他の導体配線層とを接続する接続ビアを、Agと酸化ニッケルとで構成し、そのAgと酸化ニッケルとの重量比率をAg/NiO=98/2〜80/20の範囲内としたことを特徴とするガラスセラミック多層基板。A plurality of conductor wiring layers and glass ceramic insulating layers are alternately laminated, and each conductor wiring layer is conductively connected through a connection via made of an Ag-based conductor, and at least a conductor wiring layer disposed on the surface is In a glass-ceramic multilayer substrate made of an alloy of one or more of Au, Pd, Pt or one or more of Au, Pd, Pt and Ag, at least a conductor wiring layer disposed on the surface and another conductor wiring layer A glass ceramic multilayer substrate characterized in that a connecting via to be connected is composed of Ag and nickel oxide, and the weight ratio of Ag to nickel oxide is in the range of Ag / NiO = 98/2 to 80/20 .
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