JP3799482B2 - Rare earth metal-manganese oxide layers for field emission displays - Google Patents
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Abstract
Description
1.技術分野
本発明は、一般に電界放出ディスプレイに関し、さらに、表面電荷を放出させ浮遊電子を吸収するための電界放出ディスプレイ内のベースプレートの表面に設けられた導電性、光吸収、希土類金属−マンガン酸化物層に関する。
2.発明の背景
コンピュータやテレビジョンのような多くの装置がディスプレイの使用を必要とする。通常、陰極線管(CRT)がこの機能を果たすために使用されている。
CRTは、りん被覆スクリーンに指向される走査電子銃からなる。電子銃はスクリーン上の個々のリン画素すなわちピクセルに衝突する電子の流れを放射する。電子がピクセルに当たると、リンのエネルギーを増加させる。エネルギーレベルがこの励起状態から減少すると、ピクセルは光子を放出する。これらの光子は光の点として視聴者が見えるようにスクリーンを通過する。CRTは、しかし、多くの欠点を有する。スクリーンの全体の巾をスキャンするために、CRTスクリーンは電子銃から相対的に離れていなければならない。このため、全体ユニットが大きくなりかさばる。CRTはまた、動作させるためにかなりの電力を必要とする。
ラップトップコンピュータのようなさらに近代的な装置は、軽量で携帯可能であることを要する。現在、そのようなスクリーンは電子蛍光あるいは液晶ディスプレイ技術を使用している。このようなスクリーンに変わるものとして期待される技術として電界放出ディスプレイがある。電界放出ディスプレイ(FED)はCRTに使用される走査電子銃の代わりの電子源としてコールドカソードエミッターチップのベースプレートを使用する。
電解に置かれたとき、これらのエミッターチップは、リンピクセルが接着されるフェースプレートの方向に電子の流れを放出する。
ピクセルにおける単一の銃発射電子の代わりに、FEDエネルギーチップのアレーを備えている。各エミッターチップはそれぞれアドレス可能であり、1つ以上のエミッターチップはフェースプレート上の単一のリンピクセルに対応する。
FEDに関係する問題の1つは、ピクセルから放出された光子のすべてが光の点として視聴者が見るフェースプレートを通過するのではない、ということである。
むしろ、ほぼ半分の光子がほぼベースプレートの方向に向かい、FED内のエミッターチップ及び/または回路に衝突する。これによって、望ましくない光電効果が発生し、ベースプレートからの反射光がFEDのコントラストを減少させる。さらなる問題は、エミッターチップから放出された電子の全てが現実にそのターゲットのピクセルを実際に励起させるものではない、ということである。その代わりに、これらの電子の一部は、内部的に反射して、ターゲットとされていないピクセルを励起させるということである。
したがって、光電効果を最小にし、内部反射電子に関係する問題を最小にする電界放出ディスプレイに対する技術上の要請が存在する。本発明はこの要請に応え、かつ他の関係する利点を与えることができるものである。
発明の概要
要約すると、本発明は一般に、FEDベースプレートの内部表面上に被覆された導電性、光吸収、希土類金属−マンガン酸化物層に関する。希土類金属−マンガン酸化物層は、フェースプレートからの反射電子に関係する光電効果及び損傷を減少させるとともに、ベースプレートに到達する周囲の光及び/またはベースプレートの方向に放射された光子の吸収により、表示像及びコントラストを改善する。
1つの実施例においては、電界放出ディスプレイ用の導電性でかつ光吸収ベースプレートが開示されている。ベースプレートの内部表面の少なくとも一部(例えば、フェースプレートの反対側の表面)は1×105Ωcm、好ましくは、1×104Ωcmさらに好ましくは、1×103Ωcm、を越えない抵抗を有する導電性、光吸収、希土類金属−マンガン酸化物層で被覆されている。
この希土類金属−マンガン酸化物層は1000Åから、15000Åの範囲の厚さのベースプレートに被覆されており、500nmの波長において、少なくとも1×105cm-1の光吸収係数を有する。
関連実施例においては、本発明にかかる導電性光吸収ベースプレートを有するFEDが開示されている。このディスプレイは、ラップトップコンピュータのスクリーン(これに限定されるものではないが)を含む高い周囲光条件のもとで使用される製品での使用に特に適している。
さらに他の実施例においては、導電性光吸収ベースプレートを製造する方法が開示されている。
この方法は、ベースプレートの内面を、1×105Ωcmを越えない抵抗を有する希土類金属−マンガン酸化物層で被覆することを含んでいる。好ましい被覆技術は(これに限定されるものではないが、)RFスパッタリングによ層形成を含んでいる。
さらに他の実施例においては、導電性、光吸収希土類金属−マンガン酸化物材料を製造する方法が開示されている。この方法は、希土類金属−マンガン酸化物材料を降伏させるために十分な時間、1200〜1500℃の温度で希土類金属化合物とマンガン化合物との混合物を加熱する方法を含んでいる。
希土類金属化合物は、Pr6O11であり、マンガン化合物はMnO2及びMn(CO3)2から選択される。さらに、希土類金属−マンガン酸化物材料の中のマンガン化合物に対する希土類金属の比は、材料が(ベースプレート上に同層を形成した後)1×105Ωcmを越えない抵抗を有するような範囲になっている。
本発明のこれらの及び他の特徴は、添付の図及び詳細な説明を参照することにより明らかになる。
図面の説明
図1は、従来技術にかかる電界放出ディスプレイスクリーンの断面図であり、内部反射電子とともに、放射された及び光子及び反射された(back-emitted)光子の両方を図示している、
図2は、本発明にかかる電界放出ディスプレイの一例の断面図である。
実施例の説明
上記したように、本発明は、FED内で使用される導電性、光吸収希土類金属−マンガン酸化物層に関する。この層は、FED内の浮遊電子に関連する表面電荷を解消する役割を果たすとともに、ベースプレートの内部表面の少なくとも一部(例えば、フェースプレートの反対側の表面)は1×105Ωcm、好ましくは、1×104Ωcmさらに好ましくは、1×103Ωcm、を越えない抵抗を有するものでなければならない。さらに、希土類金属−マンガン酸化物層はまた、反射光子(たとえば、ベースプレートの方向のフェースプレートから放射された光子)を吸収する役割を果たす。その極めて暗い色のために、希土類金属−マンガン酸化物層は容易に光(例えば、希土類金属−マンガン酸化物層の光吸収係数は1×105cm-1のオーダーである)を吸収し、このことは、FEDに多く利点を与える。これらの利点の1つFEDのベースプレートに当たる浮遊光子による下部側回路における光電効果を最小にすることである。さらに有利な特性は、放射光と、カソード表面からの背景反射との間の良好なコントラストを与えるということである。
現在のFEDスクリーンに関係する問題が図1に従来技術にかかるスクリーンを参照して説明する。特に、図1は、ベースプレート3とフェースプレート4からなるFEDスクリーン2の断面図である。フェースプレート4は導電層9と接触するピクセル6のアレーを含んでいる。ベースプレート3はシリコン基板12から突出するエミッターチップ10のアレーを備えている。導電層14は各エミッターチップを電源(図示せず)に選択的に接続するアドレススキーム(図示せず)にエミッターチップを接触させている。絶縁層16が各エミッターチップ10を取り囲んでいる。導電ゲート18もまたエミッターチップを取り囲んでおり、絶縁層16によて導電層14及び基板12から分離されている。導電層18は、エミッターチップのように、同様のアドレススキーム(図示せず)を介して電源の正の端子に接続されている。図1のエミッターチップ11のように特定のエミッターチップがアドレスされると、電界が適当な導電ゲームとエミッターチップとの間に形成される。この電界は、エミッターチップ11に対し、フェースプレート4に位置するピクセル7に向かって(矢印17及び19によって示される)電子流れを放出させる。
明確にするために、図1は、各エミッターチップに対応する単一のピクセルを示している。しかし、一つ以上のエミッターチップが単一のピクセルと協働してもよいことを認識されたい。さらに、フェースプレート4とベースプレート3の距離は適当な支持部材(図示せず)を用いて固定することができ、フェースプレート4とベースプレート3はこれらの端部で封止されており、高真空(1×10-5〜1×10-8トール)が維持されている。
(図1の矢印19で示す)電子がリンピクセル7に当たると、リンは励起状態に持ち上げられ、これが接地(非励起)状態に戻るときに光子8を放出する。しかし、光子15によって示されるように、同様に光子はベースプレート3に向かう逆方向に放出される可能性がある。この場合、光子15はベースプレート3の成分の望ましくない電子及びホールに導く光電効果を発生させる可能性がある。
図1は、現在のFEDスクリーンと協働するさらなる問題を示している。光子の解放を生じるリンピクセルを励起するのではなく、ターゲットとなるピクセルへの電子が反射し、分散し、該ピクセルに吸収される。図1の矢印13で示されるように)これらの反射電子の一部及び/または二次放出で発生したものがベースプレート3の方向に戻る可能性があり、上記のようにベースプレート3における望ましくない電子及びホールを発生させることにつながるものである。
本発明は、(たとえばフェースプレートの反対側表面)のようなベースプレートの内部表面上の希土類金属−マンガン酸化物の層を有するベースプレートを用いることによって上記の問題を解決するものである。図2に示すように、本発明のFEDスクリーン20はフェースプレート4及びベースプレート3を備えている。希土類金属−マンガン酸化物層22は導電ゲート18に接触しており、このゲート18は、導電層14及び基板12上の絶縁層16と接触している。エミッターチップ10及びフェースプレート4(ピクセル6、導電層9及び透明材料5を含む)は図1について上記したのと同様である。
(図2において矢印15で示すように)光子が希土類金属−マンガン酸化物層22に当たると、吸収され、これによって光電効果を軽減し、FEDのコントラストを改善する。(図2の矢印13で示すように)ベースプレート3に向かってもどるように反射する電子もまた、希土類金属−マンガン酸化物層に衝突する。希土類金属−マンガン酸化物層22は導電性であるので、捕獲された電子は導電ゲート18が正にバイアスされているとき、該導電ゲート18を介して放出される。また、もし、希土類金属−マンガン酸化物層22が例えば、中間絶縁層(図示せず)によって、導電性ゲート18から電気的に絶縁されている場合には、希土類金属−マンガン酸化物層22は接地しても良い。いずれにしても、希土類金属−マンガン酸化物層は、ベースプレート3の成分に当たる電子の数を急激に減少させ、これによって、内部の望ましくない電子ホールを消失させる。
したがって、本発明の1つの実施例においては、FEDのベースプレートの内部表面上に設けるのに好適の希土類金属−マンガン酸化物材料が開示されている。希土類金属−マンガン酸化物材料は式Pr:Mn:O3(ここにおいて、マンガン化合物に対する希土類金属のモル比はほぼ0.1:1から1:0.1及び好ましくは0.5:1から1:0.5の範囲である。)で表すことができる。
このモル比は結果物である希土類金属−マンガン酸化物層の好適な導電性を与えるように見つけ出される。さらに、希土類金属に関するマンガン化合物の量を増加させることによって、導電性は増大する(すなわち、抵抗は減少する)。
希土類金属−マンガン酸化物材料はPr6O11とMnO2(或いはMn(CO3)2)とをミルジャーで混合し、これを約2μmの平均直径を有する粒子を含む粉体に混練することによって製造される。この粉体は次に、約4時間にわたり、1200〜1500℃、好ましくは1250〜1430℃の範囲の温度に加熱される。加熱後の生成材料は、暗い色をしており、ほぼマット(matte)ブラックである。加熱材料はその後再び破砕され、粉状化されて約約2μmの平均直径を有する粒子を含む粉体を生成する。
上記したように、Mnに対するPrの比は結果物である希土類金属−マンガン酸化物層の導電性に影響を与える。その比はPr6O11とMnO2(或いはMn(CO3)2)成分の相対的な量によって制御することができる。このように、これらの成分は上記で開示したPr:Mn比を発生するのに十分な量で混合される。その希土類金属−マンガン酸化物材料は1000Å〜15000Åの範囲の厚さに任意の技術によりベースプレートの内面に堆積することができる。
そのような堆積技術は、この技術分野では当業者に公知であり、(限定されるものではないが)高周波(RF)スパッタリング、レーザーアブレーション、プラズマ堆積、化学蒸着(CVD)及び電子ビームエラボレーションが含まれる。
たとえば、RFスパッタリングの場合、希土類金属−マンガン酸化物材料は平面状のターゲットに圧縮され、その後、RFスパッタリング用の好適の支持プレートに装着される。その後、スパッタリングは、200〜350℃の基板温度及び約6×10-3から3×10-2トールのスパッタリング圧で、アルゴンあるいはアルゴンと酸素ガスをもちいてRFスパッター内で行われる。
CVDの場合には、たとえば、Prアセテート、PrオキサレートあるいはPr(Thd)及びMnアセテート、Mnカルボニール、Mnメトキサイド、及びMnオキサレートのようなPrとMnに対する有機金属化合物の前駆化合物を使用することができる。
希土類金属−マンガン酸化物材料の抵抗は例えば、(ベースプレートの内部表面に1つの層を形成した後)水素、及び/またはカーボンモノオキサイドのような還元雰囲気において材料を火炎を当てる。この処理は、本発明の実施において使用されるに好適のレベルに導電性を増加(抵抗を減少)する役割を果たす。また、さらなる成分、たとえば、導電性イオン及び/または金属をさらに導電性を高めるために負荷することもできる。
ベースプレートの内部表面上に生じた希土類金属−マンガン酸化物層は上記したように、下にある回路を光子及び浮遊電子から遮蔽する。希土類金属−マンガン酸化物層はまた極めて暗い色をしているので、FEDに対する高いコントラストを生じる。さらに、本発明に使用するFEDは、周囲光の条件下で高い可読性を有しており、特にテレビジョン、携帯コンピュータのスクリーンとして、及びたとえばアビオニックス(avionics)及び自動車のようなアウトドア使用のディスプレイにとくに好適である。
以下の例は、説明の目的で示されているものであり、限定の対象となるものではない。
実施例
実施例1
希土類金属−マンガン酸化物材料の生成
Pr6O11とMnO2とを市販(セラック(Cerac、La Puente,CA)源から購入した。そして、さらに純度を上げることなく使用した。双方の成分(510.72グラムのPr6O11と86ほ94グラムのMnO2)をミルジャーに入れ、500mlのイソプロピルアルコールを加え結果として得られたスラリーを100rpmで24時間混練した。このスラリーを窒素雰囲気でオーブンにより乾燥した。乾燥材料を1350℃で4時間火炎を当て、その後冷却した。冷却した材料を好適な粉砕技術を用いて(平均粒径約2μm)の小粒子に粉砕した。
実施例2
ベースプレート上への希土類金属−マンガン酸化物材料の堆積
実施例1で得られた粉状材料を任意の技術によりベースプレート上に堆積させる。たとえば、RFスパッタリングの場合、粉状材料を焼結して平面状のスパッターターゲットを形成する。スパッタリングは、200〜350℃の基板温度及び約6×10-3から3×10-2トールのスパッタリング圧で、アルゴンあるいはアルゴンと酸素ガスをもちいてRFスパッター内で行われる。
実施例3
FEDスクリーンの製造
実施例2のベースプレートは公知の技術を用いてFEDスクリーンの製造に使用することができる。得られたFEDは現存する製品を凌ぐ多くの利点を有する。この利点には、光電効果を減少させること、フェースプレートからベースプレート成分への反射電子による損傷を減少すること、ベースプレートに到達する任意の周囲光の吸収及び/またはベースプレートの方向のフェースプレートによって放射された任意の光子の吸収により、改善されたディスプレイ像とコントラストを与えること、が含まれる。
上記から、本発明の特定の実施例が説明の目的で説明されているが、多くの修正が本発明の精神と範囲から逸脱することなく行うことができることが理解されるであろう。
したがって、本発明は添付の請求の範囲の記載を除いて限定されるものではない。1. TECHNICAL FIELD The present invention relates generally to field emission displays, and further to conductive, light absorbing, rare earth metal-manganese oxides provided on the surface of a base plate in a field emission display for emitting surface charge and absorbing stray electrons. Regarding the layer.
2. Many devices, such as computers and televisions, require the use of a display. A cathode ray tube (CRT) is typically used to perform this function.
The CRT consists of a scanning electron gun directed at a phosphorous coated screen. The electron gun emits a stream of electrons that impinge on individual phosphorus pixels or pixels on the screen. When an electron hits a pixel, it increases the energy of phosphorus. When the energy level decreases from this excited state, the pixel emits a photon. These photons pass through the screen so that the viewer can see them as spots of light. CRT, however, has a number of drawbacks. In order to scan the entire width of the screen, the CRT screen must be relatively distant from the electron gun. For this reason, the whole unit becomes large and bulky. CRTs also require significant power to operate.
More modern devices such as laptop computers need to be lightweight and portable. Currently, such screens use electrofluorescence or liquid crystal display technology. A field emission display is a technology expected to replace such a screen. A field emission display (FED) uses a base plate of a cold cathode emitter tip as an electron source instead of a scanning electron gun used in a CRT.
When placed in electrolysis, these emitter tips emit a stream of electrons in the direction of the faceplate to which the phosphor pixels are bonded.
Instead of a single gun firing electron at the pixel, it has an array of FED energy chips. Each emitter tip is individually addressable, and one or more emitter tips correspond to a single phosphor pixel on the faceplate.
One problem associated with FED is that not all of the photons emitted from a pixel pass through the faceplate that the viewer sees as a spot of light.
Rather, approximately half of the photons are directed towards the base plate and collide with the emitter tips and / or circuits in the FED. This creates an undesirable photoelectric effect and the reflected light from the base plate reduces the FED contrast. A further problem is that not all of the electrons emitted from the emitter tip actually cause the target pixel to actually be excited. Instead, some of these electrons reflect internally and excite non-targeted pixels.
Therefore, there is a technical need for a field emission display that minimizes the photoelectric effect and minimizes problems associated with internally reflected electrons. The present invention meets this need and can provide other related advantages.
SUMMARY OF THE INVENTION In summary, the present invention generally relates to a conductive, light absorbing, rare earth metal-manganese oxide layer coated on the inner surface of a FED baseplate. The rare earth metal-manganese oxide layer reduces the photoelectric effect and damage associated with the reflected electrons from the faceplate, and displays by ambient light reaching the baseplate and / or absorption of photons emitted in the direction of the baseplate. Improve image and contrast.
In one embodiment, a conductive and light absorbing base plate for a field emission display is disclosed. At least a portion of the inner surface of the base plate (eg, the opposite surface of the faceplate) has a resistance not exceeding 1 × 10 5 Ωcm, preferably 1 × 10 4 Ωcm, more preferably 1 × 10 3 Ωcm. Conductive, light absorbing, coated with a rare earth metal-manganese oxide layer.
This rare earth metal-manganese oxide layer is coated on a base plate having a thickness in the range of 1000 to 15000 and has a light absorption coefficient of at least 1 × 10 5 cm −1 at a wavelength of 500 nm.
In a related embodiment, an FED having a conductive light absorbing base plate according to the present invention is disclosed. This display is particularly suitable for use in products used under high ambient light conditions, including but not limited to laptop computer screens.
In yet another embodiment, a method for manufacturing a conductive light absorbing base plate is disclosed.
This method involves coating the inner surface of the base plate with a rare earth metal-manganese oxide layer having a resistance not exceeding 1 × 10 5 Ωcm. Preferred coating techniques include (but are not limited to) layer formation by RF sputtering.
In yet another embodiment, a method for producing a conductive, light absorbing rare earth metal-manganese oxide material is disclosed. This method includes heating the mixture of rare earth metal compound and manganese compound at a temperature of 1200-1500 ° C. for a time sufficient to yield the rare earth metal-manganese oxide material.
The rare earth metal compound is Pr 6 O 11 and the manganese compound is selected from MnO 2 and Mn (CO 3 ) 2 . Further, the ratio of rare earth metal to manganese compound in the rare earth metal-manganese oxide material is in a range such that the material has a resistance not exceeding 1 × 10 5 Ωcm (after forming the same layer on the base plate). ing.
These and other features of the present invention will become apparent upon reference to the accompanying drawings and detailed description.
DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view of a field emission display screen according to the prior art, illustrating both emitted and photon and back-emitted photons, along with internally reflected electrons.
FIG. 2 is a cross-sectional view of an example of a field emission display according to the present invention.
DESCRIPTION OF EXAMPLES As noted above, the present invention relates to conductive, light absorbing rare earth metal-manganese oxide layers used in FEDs. This layer serves to eliminate surface charges associated with stray electrons in the FED, and at least a portion of the internal surface of the base plate (eg, the surface opposite the face plate) is 1 × 10 5 Ωcm, preferably It should have a resistance not exceeding 1 × 10 4 Ωcm, more preferably 1 × 10 3 Ωcm. Furthermore, the rare earth metal-manganese oxide layer also serves to absorb reflected photons (eg, photons emitted from the faceplate in the direction of the baseplate). Due to its extremely dark color, the rare earth metal-manganese oxide layer readily absorbs light (eg, the light absorption coefficient of the rare earth metal-manganese oxide layer is on the order of 1 × 10 5 cm −1 ), This gives many advantages to the FED. One of these advantages is minimizing the photoelectric effect in the lower circuit due to floating photons striking the base plate of the FED. A further advantageous property is that it provides a good contrast between the emitted light and the background reflection from the cathode surface.
Problems associated with current FED screens are illustrated in FIG. 1 with reference to a prior art screen. In particular, FIG. 1 is a cross-sectional view of an FED screen 2 comprising a base plate 3 and a face plate 4. Faceplate 4 includes an array of pixels 6 in contact with conductive layer 9. The base plate 3 is provided with an array of
For clarity, FIG. 1 shows a single pixel corresponding to each emitter chip. However, it will be appreciated that more than one emitter tip may work with a single pixel. Further, the distance between the face plate 4 and the base plate 3 can be fixed by using an appropriate support member (not shown), and the face plate 4 and the base plate 3 are sealed at these ends, and high vacuum ( 1 × 10 −5 to 1 × 10 −8 Torr) is maintained.
When an electron (indicated by
FIG. 1 illustrates a further problem of working with current FED screens. Rather than exciting the phosphorous pixel that causes the release of photons, electrons to the target pixel are reflected, scattered, and absorbed by the pixel. Some of these backscattered electrons and / or those generated by secondary emission (as indicated by
The present invention solves the above problems by using a base plate having a rare earth metal-manganese oxide layer on the inner surface of the base plate (eg, the opposite surface of the face plate). As shown in FIG. 2, the
When photons strike the rare earth metal-manganese oxide layer 22 (as indicated by
Accordingly, in one embodiment of the present invention, a rare earth metal-manganese oxide material suitable for provision on the inner surface of the FED baseplate is disclosed. The rare earth metal-manganese oxide material has the formula Pr: Mn: O 3 where the molar ratio of rare earth metal to manganese compound is approximately 0.1: 1 to 1: 0.1 and preferably 0.5: 1 to 1. : 0.5 range).
This molar ratio is found to provide suitable conductivity of the resulting rare earth metal-manganese oxide layer. In addition, increasing the amount of manganese compound relative to the rare earth metal increases the conductivity (ie, decreases the resistance).
The rare earth metal-manganese oxide material is obtained by mixing Pr 6 O 11 and MnO 2 (or Mn (CO 3 ) 2 ) with a mill jar, and kneading this into a powder containing particles having an average diameter of about 2 μm. Manufactured. The powder is then heated to a temperature in the range of 1200-1500 ° C, preferably 1250-1430 ° C, for about 4 hours. The resulting material after heating has a dark color and is almost matte black. The heated material is then crushed again and pulverized to produce a powder containing particles having an average diameter of about 2 μm.
As described above, the ratio of Pr to Mn affects the conductivity of the resulting rare earth metal-manganese oxide layer. The ratio can be controlled by the relative amounts of Pr 6 O 11 and MnO 2 (or Mn (CO 3 ) 2 ) components. Thus, these components are mixed in an amount sufficient to generate the Pr: Mn ratio disclosed above. The rare earth metal-manganese oxide material can be deposited on the inner surface of the base plate by any technique to a thickness in the range of 1000-15000.
Such deposition techniques are known to those skilled in the art and include (but are not limited to) radio frequency (RF) sputtering, laser ablation, plasma deposition, chemical vapor deposition (CVD) and electron beam elaboration. included.
For example, in the case of RF sputtering, the rare earth metal-manganese oxide material is compressed into a planar target and then mounted on a suitable support plate for RF sputtering. Thereafter, sputtering is performed in an RF sputter using argon or argon and oxygen gas at a substrate temperature of 200-350 ° C. and a sputtering pressure of about 6 × 10 −3 to 3 × 10 −2 Torr.
In the case of CVD, for example, Pr acetate, Pr oxalate or Pr (Thd) and Mn acetate, Mn carbonyl, Mn methoxide, and precursor compounds of organometallic compounds for Pr and Mn such as Mn oxalate can be used. .
The resistance of the rare earth metal-manganese oxide material, for example, flames the material in a reducing atmosphere such as hydrogen and / or carbon monooxide (after forming a layer on the inner surface of the base plate). This treatment serves to increase the conductivity (decrease the resistance) to a level suitable for use in the practice of the present invention. Further components, such as conductive ions and / or metals, can also be loaded to further increase conductivity.
The rare earth metal-manganese oxide layer formed on the inner surface of the base plate shields the underlying circuitry from photons and stray electrons, as described above. The rare earth metal-manganese oxide layer is also very dark in color, resulting in a high contrast to FED. Furthermore, the FED used in the present invention is highly readable under ambient light conditions, especially as a screen for televisions, portable computers, and outdoor use displays such as avionics and automobiles. Is particularly suitable.
The following examples are given for illustrative purposes and are not intended to be limiting.
Example Example 1
Formation of Rare Earth Metal-Manganese Oxide Materials Pr 6 O 11 and MnO 2 were purchased from commercial sources (Cerac, La Puente, Calif.) And used without further purity. Both components (510 .72 grams of Pr 6 O 11 and 86 about 94 grams of MnO 2 ) was placed in a mill jar, 500 ml of isopropyl alcohol was added and the resulting slurry was kneaded for 24 hours at 100 rpm. The dried material was flamed for 4 hours at 1350 ° C. and then cooled, and the cooled material was ground into small particles (average particle size about 2 μm) using a suitable grinding technique.
Example 2
Deposition of rare earth metal-manganese oxide material on base plate The powdery material obtained in Example 1 is deposited on the base plate by any technique. For example, in the case of RF sputtering, a powdery material is sintered to form a planar sputtering target. Sputtering is performed in an RF sputter using argon or argon and oxygen gas at a substrate temperature of 200-350 ° C. and a sputtering pressure of about 6 × 10 −3 to 3 × 10 −2 Torr.
Example 3
Production of FED Screen The base plate of Example 2 can be used for the production of FED screens using known techniques. The resulting FED has many advantages over existing products. This advantage includes reducing the photoelectric effect, reducing backscattered electron damage from the faceplate to the baseplate component, absorbing any ambient light that reaches the baseplate and / or radiated by the faceplate in the direction of the baseplate. Providing improved display image and contrast by absorption of any photons.
From the foregoing, it will be appreciated that, although specific embodiments of the invention have been described for purposes of illustration, many modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.
Accordingly, the invention is not limited except as by the appended claims.
Claims (53)
前記ベースプレートが前記電界放出ディスプレイのフェースプレートとは反対側の内部表面を有しており、前記内部表面の少なくとも一部が1×105Ωcmを越えない抵抗を有する希土類属−マンガン酸化物層で被覆されていることを特徴とする電界放出ディスプレイ。In a field emission display having a conductive and light absorbing base plate,
A rare earth-manganese oxide layer in which the base plate has an inner surface opposite to the face plate of the field emission display , and at least a portion of the inner surface has a resistance not exceeding 1 × 10 5 Ωcm; A field emission display characterized in that it is coated.
前記層が1×105Ωcmを越えない抵抗を有することを特徴とする方法。In a method of manufacturing a conductive and light-absorbing base plate for a field emission display comprising coating at least a portion of an inner surface of the base plate opposite the face plate with a layer comprising a rare earth metal-manganese oxide.
The method wherein the layer has a resistance not exceeding 1 × 10 5 Ωcm.
前記加熱前の混合物においてマンガン化合物に対する希土類金属化合物のモル比が、前記希土類金属−マンガン酸化物材料が加熱工程の後、1×105Ωcmを越えない抵抗を有するように設定されており、電界放出ディスプレイのベースプレートの表面に前記希土類−マンガン酸化物材料を積層することを特徴とする方法。Conductive and light-absorbing rare earth metal comprising heating a mixture of rare earth metal compound and manganese compound at a temperature range of about 1200-1500 ° C for a time sufficient to produce a rare earth metal-manganese oxide material In a method of manufacturing a base plate of a field emission display having a manganese oxide material ,
The molar ratio of the rare earth metal compound to the manganese compound in the mixture before the heating, the rare earth metal - after manganese oxide material heating step are set so as to have a not exceed 1 × 10 5 Ωcm resistivity, the electric field Depositing said rare earth-manganese oxide material on the surface of a base plate of an emissive display .
前記層の少なくとも一部がフェースプレートとベースプレートとの間に配置された希土類金属−マンガン酸化物を含んでおり、かつ、前記希土類−マンガン酸化物がベースプレートのフェースプレートとは反対側の内部表面上にあることを特徴とする方法。 A face plate and a base plate, wherein photons are emitted from the face plate, wherein at least some of the photons are emitted toward the base plate, and at least some of the photons emitted toward the base plate are emitted. A method of operating a field emission display comprising absorbing a rare earth metal-manganese oxide layer disposed between the face plate and a base plate, comprising :
At least a portion of the layer includes a rare earth metal-manganese oxide disposed between the faceplate and the baseplate, and the rare earth-manganese oxide is on the inner surface of the baseplate opposite the faceplate. A method characterized by that.
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