JP3792536B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、「基板」と称する)の熱処理を行う熱処理装置に関し、特に熱処理装置の光源の寿命測定技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、基板の製造工程においては、種々の熱処理が行われている。基板に対して熱処理を行う熱処理装置としては、例えば、光照射によって基板の加熱を行う光照射型の熱処理装置(いわゆるランプアニール)が用いられている。
【0003】
このような光照射型の熱処理装置において基板を加熱する際には、ハロゲンランプ等の光源が用いられる。このハロゲンランプには寿命が存在するので、ランプ交換を行う必要が生じる。
【0004】
従来、このハロゲンランプの交換は、ハロゲンランプの供給メーカから提示される平均寿命を目安にして行われている。具体的には、熱処理装置におけるランプの点灯時間の総和とその平均寿命とを比較することによって、ランプ交換の時期を定めることが行われている。また、このランプの平均寿命は、定格電圧を用いて連続点灯した場合における点灯可能時間の平均値として定められる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、熱処理装置においては、様々な温度での加熱が行われるため、ハロゲンランプに対する印加電圧は、定格電圧の値に固定されるものではなく様々な値を有することになる。また、ハロゲンランプの寿命は、印加される電圧(あるいは電力)の大小に応じて異なる値となる。したがって、熱処理装置のハロゲンランプの寿命を平均寿命を用いて判断すると不都合が生じるという問題を有している。
【0006】
たとえば、比較的低温(500℃〜800℃)のシリサイド形成工程においてはハロゲンランプに対する印加電圧は定格電圧よりも小さいため、ハロゲンランプの寿命は平均寿命よりも長くなるはずである。それにも拘わらず、上記のように平均寿命を目安にしてランプ交換を行うと、まだ使えるはずのランプを早めに交換してしまうことになるので不経済であるという問題を生じることになる。
【0007】
そこで、本発明は前記問題点に鑑み、基板を加熱する光源の寿命を正確に把握することが可能な熱処理装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の熱処理装置は、基板に熱処理を施す熱処理装置であって、基板を加熱する光源と、前記光源についての定格電圧と前記光源に対する印加電圧との比に基づいて前記光源の対定格消耗度合いを求め、当該対定格消耗度合いを前記光源の点灯時間に乗じることにより実効点灯時間を算出する手段と、前記実効点灯時間を加算した積算値を求める手段と、微小時間のサンプリング周期毎に計測される基板温度に基づいて、前記光源に対する前記印加電圧を定める手段と、を備え、前記光源はハロゲンランプであり、前記実効点灯時間は、次の式に従って、値ΔEとして求められることを特徴とする。ただし、Bは対定格消耗度合いを示し、ΔTは前記サンプリング周期を示し、V0は前記定格電圧を示し、Vは前記印加電圧を示し、Aは所定の係数を示し、kは所定の定数を示す。
【0011】
請求項2に記載の熱処理装置は、請求項1に記載の熱処理装置において、前記定格電圧と前記印加電圧との比は、前記定格電圧を出力する際の制御指令と前記印加電圧を出力すべき旨の制御指令値との比として得られることを特徴とする。
【0012】
請求項3に記載の熱処理装置は、請求項1または請求項2に記載の熱処理装置において、前記実効点灯時間の積算値と前記定格電圧における前記光源の平均寿命とを比較して前記光源の交換時期を決定することを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【0014】
<1.熱処理装置の全体構成>
図1は本発明にかかる熱処理装置の一例を示す縦断面図である。この熱処理装置1は、いわゆるランプアニール装置であり、主に炉体10、ランプ20、石英ガラス30、基板保持回転部40、温度計測部50、制御部60、ランプ電源80、モータドライバ90を備えている。炉体10は上部をリフレクタ110、下部をハウジング120とする円筒形状の炉体であり、それらの内部等には冷媒を通して冷却する多数の冷却管130が設けられている。また、炉体10の側面には基板搬出入口EWが設けられており、加熱処理の際には図示しない外部搬送装置により基板Wの搬出入が行われる。
【0015】
ランプ20は「光源」(ないし熱源)に相当し、リフレクタ110の下面に多数設けられ(図1には一部にのみ参照番号を記載)、点灯時にはその熱放射により基板Wを加熱する。ここでは、ランプ20としてハロゲンランプを用いる。
【0016】
石英ガラス30はランプ20の下方に設けられ、その熱放射による放射光を透過する。
【0017】
基板保持回転部40は、基板Wの周縁部分を全周に渡って保持する保持リング410が、円筒の支持脚420により支持されるとともに、その支持脚420の下端には、その外周に沿ってベアリング430が設けられている。そして、ベアリング430の外周に設けられたギアに基板回転モータ440の回転軸のギア441がかみ合っており、その駆動により保持リング410が鉛直方向を軸として回転可能となっている。
【0018】
温度計測部50は、基板Wからの熱放射の多重反射を考慮した放射強度(放射エネルギー)を計測し、それを基に基板温度等を求め、それらの信号を制御部60に送る。
【0019】
制御部60は内部にCPUおよびメモリを備え、ランプ電源80にランプ20の温度制御信号を送ったり、モータドライバ90に所定のタイミングで駆動信号を送ったりする。
【0020】
ランプ電源80は制御部60からの制御指令値S(詳細には、温度制御信号)を受けて、それに応じた電圧Vをランプ20に印加する。
【0021】
モータドライバ90は制御部60からの駆動信号を受けて、それに応じた電力を基板回転モータ440に供給する。
【0022】
<2.ランプの点灯制御および寿命計測>
つぎに、ランプの点灯制御および寿命計測について説明する。
【0023】
図2は、ランプの点灯制御に関する制御系を示す概略図である。図2に示すように、制御部60は、制御指令値生成部61、実効点灯時間算出部62、実効点灯時間積算部63、および判定部64を有している。これらの各処理部61,62,63,64が協働することによって、基板を加熱するランプ20の寿命を正確に把握することが可能になる。以下では、これらについて詳述する。
【0024】
制御指令値生成部61は、温度計測部50により計測された基板温度測定値tdを入力し、温度の目標値に対応する印加電圧Vをランプ20に対して出力すべき旨の制御指令値Sを生成する。そして、出力された制御指令値Sは、ランプ電源80に入力され、ランプ電源80は当該制御指令値Sに対応する印加電圧Vをランプ20に対して出力する。言い換えれば、ランプ電源80は制御部60からの制御指令値Sに応じた電力Pをランプ20に供給する。この結果、ランプ20によって放出される熱によって、基板Wが加熱される。
【0025】
より詳細には、制御指令値Sは、温度計測部50による計測結果をフィードバックすることなどによって微小時間のサンプリング周期ΔT毎に変更されつつ、適宜の値が定められる。これに応じて、ランプ20に印加される電圧Vも各サンプリング周期ΔTごとにランプ電源80によって適宜に定められる。
【0026】
実効点灯時間算出部62は、ランプ20についての定格電圧V0とランプ20に対する実際の印加電圧Vとの比に基づいてランプ20の「対定格消耗度合いB」を求める。より具体的には、数2にしたがって、この対定格消耗度合いBを求める。数2に例示するように、この「対定格消耗度合いB」は、ランプ20の定格電圧V0と所定の印加電圧Vとの比に基づいて定義される指標である。
【数2】
【0027】
ただし、V0は前記定格電圧を示し、Vは前記印加電圧を示し、Aは所定の係数を示し、kは所定の定数を示す。
ここにおいて、数3に示すように、定格電圧V0で連続点灯した場合のランプ20の平均寿命F0(以下「定格寿命」とも称する)と所定の印加電圧Vで連続点灯した場合のランプ20の寿命Fとの比は、この対定格消耗度合いBの逆数に等しい値として考えることができる。
【0028】
【数3】
【0029】
ただし、Aは固有係数である。またkは次数(べき指数)であり所定の正の定数である(k>0)。
【0030】
また、これらのA,kは、予め行っておいたランプ20の寿命試験の結果を用いて定めることができる。具体的には、複数の印加電圧Vのそれぞれに対する寿命Fをあらかじめ求めておき、定格電圧V0および平均寿命F0を考慮しつつ、最小二乗法などを用いることによって適宜の値を定めることができる。図3は、幾つかの印加電圧Vに対して求められたその連続点灯時の寿命Fを示す図である。なお、図3においては、印加電圧Vは定格電圧V0に対する比として正規化されて表現されており、寿命Fは定格寿命F0に対する比として正規化されて表現されている。また、図4はこれらの関係をグラフ上にプロットした図である。この場合には、数3に関して最小二乗法を用いることにより、A=1.02、k=9.07が得られる。対定格消耗度合いBは、この定数A,kを用いて数2によって表される。
【0031】
数3に示すように、印加電圧Vが定格電圧V0よりも小さくなると、対定格消耗度合いBは小さくなり、数3の左辺(F/F0)は大きくなる。したがって、印加電圧Vについての寿命Fは、定格電圧V0についての寿命(定格寿命)F0よりも大きくなる。逆に、ランプ20の印加電圧Vが定格電圧V0よりも大きくなると、ランプ20の寿命Fは定格寿命F0よりも小さくなる。
【0032】
ここにおいて、数3を参照すると判るように、この対定格消耗度合いBは、所定の印加電圧Vにおけるランプ20の消耗程度を、定格電圧V0におけるランプ20の消耗程度との対比で示すものであるといえる。
【0033】
また、ハロゲンランプは、この数3で示される特性に良く当てはまることが判明している。そこで、この実施形態においては、数3の右辺の逆数に相当する対定格消耗度合いB(数2参照)を寿命を測定するための指標として用いる。
【0034】
制御指令値生成部61は、上記の数2にしたがって、サンプリング周期ΔT毎の対定格消耗度合いBを求める。なお、サンプリング周期ΔTは、たとえば数ミリ秒ないし数十ミリ秒として定められる値である。
【0035】
ただし、印加電圧Vは制御指令値Sに比例するとみなすことができる場合には、上記の数2を用いる代わりに、制御指令値Sなどを用いた数4を用いてもよい。これらの数2および数4は、実質的に等価である。
【0036】
【数4】
【0037】
ここで、S0は定格電圧V0を出力する際の制御指令値を表し、Sは所定の印加電圧Vを出力すべき旨の制御指令値を表す。また、Rは、制御指令値S0と制御指令値Sとの比である。
【0038】
この数4に示されるように、印加電圧Vを実測する代わりに、印加電圧Vを出力すべき旨の制御指令値Sを用いて、数4にしたがって対定格消耗度合いBを求めることができる。これにより、定格電圧V0と印加電圧Vとの比を簡易に求めることができる。
【0039】
また、実効点灯時間算出部62は、数5に示すように、このようにして得られる対定格消耗度合いBをそのサンプリング周期ΔTに乗じることによって実効点灯時間ΔEを算出する。
【0040】
【数5】
【0041】
ここで、「実効点灯時間」は、ランプ20が点灯している時間ΔT自体を表すものではなく、上記の対定格消耗度合いBを考慮した時間である。この実効点灯時間ΔEは、印加電圧Vが定格電圧V0よりも小さい場合には、ΔTよりも小さな値となり、印加電圧Vが定格電圧V0よりも大きい場合には、ΔTよりも大きな値となる。この実効点灯時間ΔEを求めることにより、定格寿命F0に関するスケールと同一スケールでランプ20の実効的な点灯時間を検討することが可能になる。
【0042】
なお、上述したように、定格電圧V0と印加電圧Vとの比として、定格電圧V0を出力する際の制御指令値S0と印加電圧Vを出力すべき旨の制御指令値Sとの比を用いることによって同様の結果を得ることが可能である。すなわち、次の数6に従って実効点灯時間ΔEを求めることが可能になる。
【0043】
【数6】
【0044】
さらに、実効点灯時間積算部63は、この実効点灯時間ΔEを加算すること(言い換えれば積算すること)によって、実効点灯時間ΔEの積算値を求める。具体的には、次の数7に従って、サンプリング周期ΔTごとに実効点灯時間ΔEを求め、その実効点灯時間ΔEを単純に加算していくことによって積算値を求めることができる。
【0045】
【数7】
【0046】
なお、数7は、より一般的には数8のように表現することができる。
【0047】
【数8】
【0048】
さらに、判定部64は、実効点灯時間ΔEの積算値TTとランプ20の定格寿命F0とを比較して、ランプ20の交換時期を決定する。これにより、定格寿命F0に関するスケールと同一スケールでランプ20の交換時期を決定することができるので、容易にランプ20の交換時期を判断することができる。
【0049】
たとえば、積算値TTが定格寿命F0と等しくなったときにランプ20を交換することができる。あるいは、積算値TTが定格寿命F0よりも所定時間だけ短い時間に到達したときにランプ20を交換するようにしても良い。後者の場合には、余裕時間を考慮してランプ切れが生じる可能性をさらに低減することが可能である。
【0050】
以上のように、この実施形態の熱処理装置1によれば、ランプ20についての定格電圧とランプ20に対する印加電圧Vとの比に基づいてランプ20の対定格消耗度合いBを求め、当該対定格消耗度合いBをランプ20の点灯時間ΔTに乗じることにより実効点灯時間ΔEを算出し、この実効点灯時間ΔEを積算していくので、ランプ20の消耗の度合いを正確に把握することができる。したがって、ランプ20の寿命を正確に把握することが可能である。
【0051】
<3.その他>
上記実施形態においては、ランプ20に印加電圧Vの制御に関するサンプリング周期ΔTごとに実効点灯時間ΔEを求める場合について例示したが、制御上のサンプリング周期よりも大きな周期を実効点灯時間ΔEを求める際のサンプリング周期ΔTとして定め、同様の動作を行っても良い。ただし、より高精度に寿命を判定する場合には、上記実施形態のように、印加電圧Vの変動と同程度に小さなサンプリング周期ΔTごとの実効点灯時間ΔEを求め、その積算値を求めていくことが好ましい。
【0052】
また、上記実施形態においては、印加電圧Vを制御する場合について説明したが、電力Pを制御するようにしてもよい。なお、電力Pを制御することと印加電圧Vを制御することとは等価である。
【0053】
さらに、上記実施形態においては、熱処理装置としてランプアニール装置を例示したが、本発明はこれに限定されず、同様の光源を用いる熱CVD装置などの各種の熱処理装置についても適用することができる。
【0054】
【発明の効果】
以上のように、請求項1ないし請求項3に記載の熱処理装置によれば、光源についての定格電圧と光源に対する印加電圧との比に基づいて光源の対定格消耗度合いを求め、当該対定格消耗度合いを光源の点灯時間に乗じることにより実効点灯時間を算出し、その実効点灯時間を積算するので、光源の消耗の度合いを正確に把握することができる。したがって、光源の寿命を正確に把握することが可能である。
【0055】
また、請求項1ないし請求項3に記載の熱処理装置によれば、ハロゲンランプを光源とする熱処装置において、その光源の寿命を数1にしたがって正確に把握することが可能である。
【0056】
特に、請求項2に記載の熱処理装置によれば、定格電圧と印加電圧との比は、定格電圧を出力する際の制御指令と印加電圧を出力すべき旨の制御指令値との比として得られるので、定格電圧と印加電圧との比を簡易に得ることができる。
【0057】
さらに、請求項3に記載の熱処理装置によれば、実効点灯時間の積算値と定格電圧における光源の平均寿命とを比較して光源の交換時期を決定するので、光源の交換時期を容易に判断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る熱処理装置の構造を示す平面図である。
【図2】制御部60の詳細構成等を示す図である。
【図3】幾つかの印加電圧Vに対する寿命Fを示す図である。
【図4】印加電圧Vと寿命Fとの関係を表すグラフである。
【符号の説明】
1 熱処理装置
10 炉体
20 ランプ
30 石英ガラス
40 基板保持回転部
50 温度計測部
td 基板温度測定値
S,S0 制御指令値
TT 積算値
V 印加電圧
V0 定格電圧
W 基板
ΔE 実効点灯時間
ΔT サンプリング周期[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing heat treatment of a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk (hereinafter referred to as “substrate”), and in particular, a lifetime measurement technique for a light source of the heat treatment apparatus. About.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, various heat treatments have been performed in a substrate manufacturing process. As a heat treatment apparatus that performs heat treatment on a substrate, for example, a light irradiation type heat treatment apparatus (so-called lamp annealing) that heats the substrate by light irradiation is used.
[0003]
When heating a substrate in such a light irradiation type heat treatment apparatus, a light source such as a halogen lamp is used. Since this halogen lamp has a lifetime, it is necessary to replace the lamp.
[0004]
Conventionally, the replacement of the halogen lamp is performed with reference to the average life suggested by the halogen lamp supplier. Specifically, the lamp replacement timing is determined by comparing the total lamp operating time in the heat treatment apparatus with the average life thereof. Further, the average life of the lamp is determined as an average value of the lighting possible time when the lamp is continuously lit using the rated voltage.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the heat treatment apparatus, since heating at various temperatures is performed, the voltage applied to the halogen lamp is not fixed to the rated voltage value but has various values. In addition, the lifetime of the halogen lamp varies depending on the magnitude of the applied voltage (or power). Therefore, there is a problem that inconvenience occurs when the life of the halogen lamp of the heat treatment apparatus is judged using the average life.
[0006]
For example, in the silicide formation process at a relatively low temperature (500 ° C. to 800 ° C.), the applied voltage to the halogen lamp is smaller than the rated voltage, so the life of the halogen lamp should be longer than the average life. Nevertheless, if the lamp is replaced with the average life as a guide as described above, a lamp that should still be usable will be replaced early, which is uneconomical.
[0007]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of accurately grasping the lifetime of a light source for heating a substrate.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the heat treatment apparatus according to claim 1 is a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, wherein a ratio of a light source for heating the substrate, a rated voltage for the light source, and an applied voltage to the light source. A means for calculating a rated consumption degree of the light source based on the above, a means for calculating an effective lighting time by multiplying the lighting degree of the light source by the lighting degree of the light source, a means for obtaining an integrated value obtained by adding the effective lighting time; And means for determining the applied voltage to the light source based on the substrate temperature measured at each sampling period of minute time, the light source is a halogen lamp, and the effective lighting time is according to the following equation: characterized Rukoto sought as a value Delta] E. Where B represents the degree of rated consumption, ΔT represents the sampling period, V0 represents the rated voltage, V represents the applied voltage, A represents a predetermined coefficient, and k represents a predetermined constant. .
[0011]
The heat treatment apparatus according to claim 2 , in the heat treatment apparatus according to claim 1, the ratio between the rated voltage and the applied voltage should output a control command and the applied voltage when the rated voltage is output. It is obtained as a ratio to the control command value.
[0012]
The heat treatment apparatus according to claim 3 is the heat treatment apparatus according to claim 1 or 2 , wherein the replacement of the light source is performed by comparing the integrated value of the effective lighting time and the average life of the light source at the rated voltage. It is characterized by determining the time.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0014]
<1. Overall configuration of heat treatment equipment>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a heat treatment apparatus according to the present invention. The heat treatment apparatus 1 is a so-called lamp annealing apparatus, and mainly includes a
[0015]
The
[0016]
The
[0017]
In the substrate holding / rotating
[0018]
The
[0019]
The
[0020]
The
[0021]
The
[0022]
<2. Lamp lighting control and lifetime measurement>
Next, lamp lighting control and lifetime measurement will be described.
[0023]
FIG. 2 is a schematic diagram showing a control system related to lamp lighting control. As shown in FIG. 2, the
[0024]
The control command value generation unit 61 inputs the substrate temperature measurement value td measured by the
[0025]
More specifically, the control command value S is set to an appropriate value while being changed for each minute sampling period ΔT by feeding back the measurement result obtained by the
[0026]
The effective lighting
[Expression 2]
[0027]
Here, V0 represents the rated voltage, V represents the applied voltage, A represents a predetermined coefficient, and k represents a predetermined constant.
Here, as shown in Equation 3 , the life of the
[0028]
[Equation 3]
[0029]
However, A is an intrinsic coefficient. K is the degree (power index) and is a predetermined positive constant (k> 0).
[0030]
These A and k can be determined using the result of the life test of the
[0031]
As shown in Equation 3 , when the applied voltage V is smaller than the rated voltage V0, the degree of consumption B against the rating is reduced, and the left side (F / F0) of Equation 3 is increased. Therefore, the life F for the applied voltage V is longer than the life (rated life) F0 for the rated voltage V0. On the contrary, when the applied voltage V of the
[0032]
Here, as can be seen from Equation 3 , the rated consumption level B indicates the degree of consumption of the
[0033]
In addition, it has been found that the halogen lamp is well applicable to the characteristic represented by this equation ( 3 ). Therefore, in this embodiment, the rated consumption level B (see Equation 2 ) corresponding to the reciprocal of the right side of Equation 3 is used as an index for measuring the life.
[0034]
The control command value generation unit 61 obtains the rated consumption level B for each sampling period ΔT according to the above formula 2 . Note that the sampling period ΔT is a value determined as, for example, several milliseconds to several tens of milliseconds.
[0035]
However, when the applied voltage V can be considered to be proportional to the control command value S, the equation 4 using the control command value S or the like may be used instead of the above equation 2 . These numbers 2 and 4 are substantially equivalent.
[0036]
[Expression 4]
[0037]
Here, S0 represents a control command value when outputting the rated voltage V0, and S represents a control command value indicating that the predetermined applied voltage V should be output. R is the ratio between the control command value S0 and the control command value S.
[0038]
As shown in Equation 4 , instead of actually measuring the applied voltage V, the rated consumption degree B can be obtained according to Equation 4 , using the control command value S indicating that the applied voltage V should be output. Thereby, the ratio between the rated voltage V0 and the applied voltage V can be easily obtained.
[0039]
Further, as shown in Equation 5 , the effective lighting
[0040]
[Equation 5]
[0041]
Here, the “effective lighting time” does not represent the time ΔT itself during which the
[0042]
As described above, as the ratio between the rated voltage V0 and the applied voltage V, the ratio between the control command value S0 when outputting the rated voltage V0 and the control command value S indicating that the applied voltage V should be output is used. It is possible to obtain similar results. That is, the effective lighting time ΔE can be obtained according to the following equation ( 6) .
[0043]
[Formula 6]
[0044]
Further, the effective lighting time integration unit 63 calculates the integrated value of the effective lighting time ΔE by adding the effective lighting time ΔE (in other words, adding up). Specifically, according to the following equation (7), determine the effective lighting time Delta] E for each sampling period [Delta] T, it can be obtained integrated value by going simply adding the effective lighting time Delta] E.
[0045]
[Expression 7]
[0046]
Equation 7 can be expressed more generally as Equation 8 .
[0047]
[Equation 8]
[0048]
Furthermore, the determination unit 64 compares the integrated value TT of the effective lighting time ΔE and the rated life F0 of the
[0049]
For example, the
[0050]
As described above, according to the heat treatment apparatus 1 of this embodiment, the rated consumption degree B of the
[0051]
<3. Other>
In the above-described embodiment, the case where the effective lighting time ΔE is obtained for each sampling period ΔT related to the control of the applied voltage V to the
[0052]
Moreover, in the said embodiment, although the case where the applied voltage V was controlled was demonstrated, you may make it control the electric power P. FIG. Note that controlling the power P and controlling the applied voltage V are equivalent.
[0053]
Further, in the above embodiment, the lamp annealing apparatus is exemplified as the heat treatment apparatus, but the present invention is not limited to this, and can be applied to various heat treatment apparatuses such as a thermal CVD apparatus using a similar light source.
[0054]
【The invention's effect】
As described above, according to the heat treatment apparatus of the first to third aspects, the degree of consumption of the light source is determined based on the ratio between the rated voltage of the light source and the voltage applied to the light source, and the relative consumption of the light source is determined. By multiplying the degree by the lighting time of the light source, the effective lighting time is calculated and the effective lighting time is integrated, so that the degree of wear of the light source can be accurately grasped. Therefore, it is possible to accurately grasp the lifetime of the light source.
[0055]
In addition , according to the heat treatment apparatus of the first to third aspects, in the heat treatment apparatus using a halogen lamp as the light source, it is possible to accurately grasp the life of the light source according to the equation (1).
[0056]
In particular , according to the heat treatment apparatus of the second aspect, the ratio between the rated voltage and the applied voltage is obtained as a ratio between a control command when outputting the rated voltage and a control command value indicating that the applied voltage should be output. Therefore, the ratio between the rated voltage and the applied voltage can be easily obtained.
[0057]
Furthermore, according to the heat treatment apparatus of the third aspect , since the replacement time of the light source is determined by comparing the integrated value of the effective lighting time and the average life of the light source at the rated voltage, the replacement time of the light source can be easily determined. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a structure of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a detailed configuration and the like of a
FIG. 3 is a diagram showing a lifetime F with respect to several applied voltages V;
4 is a graph showing the relationship between applied voltage V and life F. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (3)
基板を加熱する光源と、
前記光源についての定格電圧と前記光源に対する印加電圧との比に基づいて前記光源の対定格消耗度合いを求め、当該対定格消耗度合いを前記光源の点灯時間に乗じることにより実効点灯時間を算出する手段と、
前記実効点灯時間を加算した積算値を求める手段と、
微小時間のサンプリング周期毎に計測される基板温度に基づいて、前記光源に対する前記印加電圧を定める手段と、
を備え、
前記光源はハロゲンランプであり、
前記実効点灯時間は、次の式に従って、値ΔEとして求められることを特徴とする熱処理装置。
ただし、Bは対定格消耗度合いを示し、ΔTは前記サンプリング周期を示し、V0は前記定格電圧を示し、Vは前記印加電圧を示し、Aは所定の係数を示し、kは所定の定数を示す。
A light source for heating the substrate;
Means for calculating an effective lighting time by determining a degree of wear against the light source based on a ratio between a rated voltage for the light source and a voltage applied to the light source, and multiplying the lighting time of the light source by the degree of wear against the light source. When,
Means for obtaining an integrated value obtained by adding the effective lighting time;
Means for determining the applied voltage to the light source based on the substrate temperature measured at each sampling period of a minute time;
Equipped with a,
The light source is a halogen lamp;
The effective lighting time, according to the following equation, thermal processing apparatus according to claim Rukoto sought as a value Delta] E.
Where B represents the degree of rated consumption, ΔT represents the sampling period, V0 represents the rated voltage, V represents the applied voltage, A represents a predetermined coefficient, and k represents a predetermined constant. .
前記定格電圧と前記印加電圧との比は、前記定格電圧を出力する際の制御指令と前記印加電圧を出力すべき旨の制御指令値との比として得られることを特徴とする熱処理装置。 The heat treatment apparatus according to claim 1,
The ratio between the rated voltage and the applied voltage, a heat treatment apparatus according to the obtained characterized Rukoto as the ratio of the control command value to the effect that outputting the applied voltage and the control command when outputting the rated voltage.
前記実効点灯時間の積算値と前記定格電圧における前記光源の平均寿命とを比較して前記光源の交換時期を決定することを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 1 or 2,
The heat treatment apparatus characterized in that the replacement time of the light source is determined by comparing the integrated value of the effective lighting time and the average life of the light source at the rated voltage .
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