JP3791272B2

JP3791272B2 - Static trip circuit

Info

Publication number: JP3791272B2
Application number: JP36200699A
Authority: JP
Inventors: 市川　　隆
Original assignee: Meidensha Corp
Current assignee: Meidensha Corp
Priority date: 1999-12-21
Filing date: 1999-12-21
Publication date: 2006-06-28
Anticipated expiration: 2019-12-21
Also published as: JP2001177980A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、保護継電装置のトリップ出力回路及び点検用インターロック回路に半導体スイッチ素子を利用した静止形トリップ回路に係り、特にトリップ出力回路及び点検用インターロック回路をフォトボル等で駆動する回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の静止形トリップ回路には、スイッチング速度が速く、オン抵抗の小さいＭＯＳ型ＦＥＴやパワートランジスタ等の半導体スイッチ素子が使用されている。これら半導体スイッチ素子には、トリップコイル駆動電流として数アンペアの大きな電流が流れる。このような大電流回路を、５Ｖ系のディジタル回路素子により直接制御するのは、耐圧やノイズ等の問題があるため、フォトカプラやフォトボルなどの絶縁素子により分離している。
【０００３】
図８は、トリップ出力回路を示す。ＦＥＴ１は事故検出リレーからの検出信号ＦＳによって駆動され、ＦＥＴ２は主事故検出リレーからの検出信号Ｍによって駆動される。ＦＥＴ３とその駆動のための点検信号１１Ｔは、リレー点検時のインターロック回路になり、常時はオン制御され、リレー点検時にＦＥＴ１またはＦＥＴ２をオン動作させる際にオフ制御されることで、トリップコイルＴＣの駆動をロックする。
【０００４】
これらＦＥＴ１〜ＦＥＴ３とその駆動信号は、フォトボルＰＶ１〜ＰＶ３によってそれぞれ絶縁・分離される。
【０００５】
フォトカプラＰＣ_A〜ＰＣ_Cは、それぞれＦＥＴ１〜ＦＥＴ３に並列に設けられ、インターロック回路及びトリップ出力回路のオン・オフ状態を監視する監視回路にされる。これらフォトカプラＰＣ_A〜ＰＣ_Cは、電流制限抵抗Ｒａ〜Ｒｃとの直列接続で構成され、ＦＥＴ１〜ＦＥＴ３がオンのときはその両端電圧がほとんど零でオフ出力を得、ＦＥＴ１〜ＦＥＴ３がオフのときはその両端電圧が印加されてオン出力を得ることで監視する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記のように、論理信号系とトリップ出力回路系を絶縁・分離するために使用したフォトカプラ、フォトボルなどの絶縁素子が劣化した場合の故障モードにトリップ機能喪失の問題がある。
【０００７】
フォトカプラの場合、長期使用で電流伝達率ＣＴＲが低下し、出力電流が低下する。フォトボルの場合にも、出力電流と出力電圧の低下が起きる。このような素子の劣化対策として、監視回路が設けられるが、素子劣化は徐々に進行するために、実際には、監視の盲点が存在し、劣化によりＦＥＴの駆動不可能にもかかわらず監視で見つからない期間が存在する。
【０００８】
例えば、図８の構成において、監視電流Ｉａは、信号１１Ｔがオンの時、抵抗Ｒａ，Ｒｂを通して流れる数ｍＡの電流である。フォトボルＰＶ３の出力Ｖ_OによってＦＥＴ３を駆動するゲート電圧Ｖｇｓが上記理由により低下していた場合、ＦＥＴ３が不完全オン（数ＫΩのインピーダンスを持ってオンしている）状態となる。このとき、ＦＥＴ３は数Ａのトリップ電流を流すことはできない。また、監視電流ＩａはＦＥＴ３を通して流れ、フォトカプラＰＣ_Cには制限抵抗Ｒｃのため、オンできない。
【０００９】
なお、正常な監視では、ＦＥＴ３がオンするとフォトカプラＰＣ_Cはオフし、ＦＥＴ３がオフするとフォトカプラＰＣ_Cはオンする。
【００１０】
本発明の目的は、フォトカプラやフォトボルの劣化を防止し、また確実なトリップ動作を得ることができる静止形トリップ回路を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するため、トリップ出力回路及びインターロック回路を駆動するフォトボル等の入力電流を点検時に減じて点検すること、または通常時には減じておきトリップ出力時に高めるようにしたもので、以下の構成を特徴とする。
【００１３】
電力系統の事故を検出するリレーのトリップ出力回路に点検用インターロック回路を直列に設け、前記トリップ出力回路およびインターロック回路は発光素子のオン・オフ動作で半導体スイッチ素子を駆動する構成にし、前記インターロック回路は前記リレーの点検時を除いて該リレーの点検出力のオフで半導体スイッチ素子を常時オンさせておく静止形トリップ回路において、
前記トリップ出力回路及びインターロック回路は、事故検出時の前記半導体スイッチ素子のオン動作で前記発光素子の入力電流を通常時よりも高めてオン動作させる手段を備えたことを特徴とする。
【００１４】
また、電力系統の事故を検出するリレーのトリップ出力回路に点検用インターロック回路を直列に設け、前記トリップ出力回路およびインターロック回路は発光素子のオン・オフ動作で半導体スイッチ素子を駆動する構成にし、前記インターロック回路は前記リレーの点検時を除いて該リレーの点検出力のオフで半導体スイッチ素子を常時オンさせておく静止形トリップ回路において、
前記トリップ出力回路及びインターロック回路は、トリップ動作時の半導体スイッチ素子のオン電圧が高いときに前記発光素子の入力電流を通常時よりも高めてオン動作させる手段を備えたことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施形態を示すトリップ出力回路とインターロック回路の構成であり、監視回路は省略して示す。
【００１７】
同図が図８と異なる部分は、フォトボルＰＶ１とＰＶ２の入力回路の電流制限抵抗Ｒ１とＲ２に共通の電流制限抵抗Ｒ４を介挿し、フォトボルＰＶ３の電流制限抵抗Ｒ３に電流制限抵抗Ｒ５を介挿し、これら抵抗Ｒ４，Ｒ５をそれぞれ常時閉のスイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２を設け、スイッチ回路ＳＷ１の開放にはインターロック回路の点検信号１１Ｔを発生したときにタイマＴ１で一定時限だけ行い、スイッチ回路ＳＷ２の開放にはインターロック信号１１Ｔが復帰したときにタイマＴ２で一定時限だけ行う点にある。
【００１８】
図２は、点検時のタイムチャートを示す。点検時には点検信号１１ＴがハイレベルにされてＦＥＴ３をオフ状態にする。この点検開始でタイマＴ１が起動されてその時限だけスイッチ回路ＳＷ１を開放し、この間に事故検出リレーや主事故検出リレーに点検信号が印加され、その出力ＦＳ，Ｍに対してＦＥＴ１、２の出力の正常動作を監視回路でチェックする。したがって、点検は、フォトボルＰＶ１，ＰＶ２の入力電流を半減（Ｒ１とＲ２の抵抗値がＲ４に等しい場合）させて行う。
【００１９】
同様に、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２の動作点検終了で、点検信号１１Ｔがローレベルに復帰したとき、タイマＴ２が起動されてその時限だけスイッチ回路ＳＷ２を開放し、この状態でＦＥＴ３の出力の正常動作を監視回路でチェックする。このときも、フォトボルＰＶ３の入力電流を半減させて動作チェックする。
【００２０】
このように、点検時にフォトボルＰＶ１〜ＰＶ３の入力電流を半減させてＦＥＴ１〜ＦＥＴ３をオン制御し、監視回路でそのオン動作を確認する。
【００２１】
以上のことから、本実施形態によれば、素子の劣化特性による監視回路の盲点をなくすことができる。これを以下に説明する。
【００２２】
一般に、大電流の監視を小電流の監視回路で実施することは困難である。つまり、大電流回路は、小電流が流れたときと大電流が流れたときとで応動が異なるからである。トリップ回路で間題になるのは、ＦＥＴに大電流が流せるか否かの監視を小電流を流すことで監視を行う点である（監視時に大電流を流すことはできない。大電流を流すことで、トリップしてしまうからである。）。ＦＥＴの電流特性では、大電流は流せないが、小電流なら流せるという領域が存在する。つまり、ＦＥＴの完全なオン、オフなら監視できるが、ＦＥＴのゲート電圧が低下していく過程で発生する不完全なオン、オフ領域では、監視の盲点が存在してしまう（この監視の盲点となる領域は、永久的に存在すのではない。ＦＥＴのゲート電圧がより低くなり、小電流でさえも流せなくなるまでの間である）。
【００２３】
したがって、本実施形態においては、フォトボルの入力電流を点検時に半減することで、フォトボルの劣化進行による監視盲点期間をスキップした監視ができる。つまり、フォトボルとＦＥＴの不完全なオン、オフ期間の影響を受けることなく点検ができる。
【００２４】
図３は、図１の変形例を示すトリップ出力回路である。図３では、点検時に点検オフ信号を主事故検出リレーから発生し、この信号でスイッチ回路ＳＷ１及びＳＷ２を一括して開放させることで点検期間で全てのフォトボルの入力電流を半減させて一括点検を行う。
【００２５】
図４は、他の実施形態を示すトリップ出力回路である。同図は、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２を常時開放させておき、監視回路のフォトカプラＰＣ_A，ＰＣ_Bが共にオンしたときにスイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２を短絡させる。
【００２６】
本実施形態において、トリップ出力回路の点検は、従来と同様に、点検信号１１Ｔをハイレベルにして実行する。一方、実際の事故発生で監視回路のフォトカプラＰＣ_A，ＰＣ_Bが共に動作したときには、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２を短絡させ、フォトボルＰＶ１〜ＰＶ３の入力電流を高め、ＦＥＴ１〜３の駆動を確実にする。
【００２７】
本実施形態においては、通常時にはスイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２を開放しておくことでフォトボルの入力電流を減らしておき、事故検出時等には入力電流を高めることができ、フォトボルの寿命を延ばすことができる。
【００２８】
すなわち、フォトボル、フォトカプラ、フォトモス等の素子は、入力回路にＬＥＤ（発光ダイオード）を内蔵した発光素子を内蔵するため、ＬＥＤ劣化による特性変化が存在する。なかでもフォトボルはＬＥＤ劣化の影響が出力回路の特性変化に現れやすい。フォトボルの出力に十分な電圧を発生させるには、入力電流を大きくする必要があるが、それは、ＬＥＤの劣化を早めるといったマイナス面がある。
【００２９】
そこで、通常時でのフォトボルの入力電流を減らしておき、その劣化を遅らせる、つまり長寿命化を図り、しかも事故検出時のトリップ動作が確実になる。
【００３０】
図５は、他の実施形態を示すインターロック回路の要部構成図である。本実施形態においては、フォトボルＰＶ３によってＦＥＴ３をオン・オフ駆動する回路構成において、フォトカプラＰＣ_Oを設け、ＦＥＴ３のオン電圧が高い場合にフォトカプラＰＣ_Oにオン出力を得てフォトボルＰＶ３の入力電流を高める。
【００３１】
フォトカプラＰＣ_Oは、その入力回路でＦＥＴ３のアノード・カソード間の電圧監視を行い、事故発生時にＦＥＴ３のオン電圧が高くなっていたときに出力にオン状態を得て抵抗ＲＴを短絡させる。抵抗ＲＴは、抵抗ＲＵと直列接続されて抵抗ＲＦに並列接続され、その短絡でフォトボルＰＶ３への入力電流を高める。
【００３２】
これにより、ＦＥＴ３が不完全動作領域にある場合にもフォトボルＰＶ３の動作電流を高め、事故発生時に確実なトリップ動作を得ることができる。
【００３３】
ＦＥＴは不完全動作領域に入ると、インピーダンスが増加しているため、トリップ時にドレイン、ソース間に１１０Ｖが発生する。これをフォトカプラＰＣ_O（フォトモスなど）で検出して、フォトボルＰＶ３の入力電流を高めることで、ＦＥＴ３が不完全動作領域にある場合のトリップ時にフォトボルの出力を増加し、ＦＥＴ３の駆動を確実に行い、トリップ動作を確実にする。
【００３４】
なお、本実施形態ではインターロック回路に適用した場合を示すが、トリップ出力回路に適用して同等の作用効果を得ることができる。
【００３５】
図６及び図７は、他の実施形態を示すインターロック回路の要部構成図である。図６では、ＦＥＴ３のゲート電圧を発生させるのに、パルストランスＰＴによって絶縁した交流電圧を発生させ、この交流をダイオードＤとコンデンサＣにより整流平滑する。また、ＦＥＴ３のゲート電圧のオン・オフには、フォトカプラＰＣ_Gを使用し、通常時には出力をオフさせておき、その入力回路に点検信号を印加したときにオンしてＦＥＴ３をオフ状態にする。
【００３６】
図７では、パルストランスＰＴに代えて、ＤＣ／ＤＣコンバータによって交流電圧を得る場合である。
【００３７】
これら構成によれば、ＤＣ／ＤＣコンバータやパルストランスには経年変化による出力電圧の低下故障モードがないため、ＦＥＴ３の不完全動作域の監視盲点を考慮する必要がない。また、ゲート電圧のオン、オフには、フォトカプラ等を使用するが、このフォトカプラも常時オフで使用するため（点検時のみオン）、劣化はほとんどない。
【００３８】
なお、図６および図７の実施形態ではインターロック回路に適用した場合を示すが、トリップ出力回路に適用できる。この場合、トリップ出力回路ではフォトカプラＰＣ_Gが常時オン駆動されるため、その劣化の問題が発生するが、前記までの実施形態と同様に、フォトカプラＰＣ_Gの入力電流を常時は半減させておくことで対応できる。
【００３９】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明によれば、トリップ出力回路及びインターロック回路を駆動するフォトボル等の入力電流を点検時に減じて点検すること、または通常時には減じておきトリップ出力時に高めるようにしたため、フォトカプラやフォトボルの劣化を防止し、また確実なトリップ動作を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す回路構成（その１）。
【図２】図１における点検時のタイムチャート。
【図３】本発明の実施形態を示す回路構成（その２）。
【図４】本発明の実施形態を示す回路構成（その３）。
【図５】本発明の実施形態を示すインターロック回路の構成（その１）。
【図６】本発明の実施形態を示すインターロック回路の構成（その２）。
【図７】本発明の実施形態を示すインターロック回路の構成（その３）。
【図８】従来のフォトボルによるＦＥＴ駆動回路および監視回路。
【符号の説明】
ＦＥＴ１〜ＦＥＴ３…半導体スイッチ素子
ＰＶ１〜ＰＶ３…フォトボル
ＳＷ１、ＳＷ２…スイッチ回路
Ｔ１、Ｔ２…タイマ
ＰＣ_A，ＰＣ_B，ＰＣ_C，ＰＣ_O，ＰＣ_G…フォトカプラ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a static trip circuit using a semiconductor switch element for a trip output circuit and an inspection interlock circuit of a protective relay device, and more particularly to a circuit for driving the trip output circuit and the inspection interlock circuit with a photovolt or the like. .
[0002]
[Prior art]
In this type of static trip circuit, a semiconductor switching element such as a MOS FET or a power transistor having a high switching speed and a low on-resistance is used. A large current of several amperes flows as a trip coil drive current in these semiconductor switch elements. Such a large current circuit is directly controlled by a 5V digital circuit element because of problems such as withstand voltage and noise, and is separated by an insulating element such as a photocoupler or a photovolt.
[0003]
FIG. 8 shows a trip output circuit. The FET 1 is driven by the detection signal FS from the accident detection relay, and the FET 2 is driven by the detection signal M from the main accident detection relay. The FET 3 and the inspection signal 11T for driving the FET 3 become an interlock circuit at the time of relay inspection, and are always controlled to be on, and are controlled to be off when the FET 1 or FET 2 is turned on at the time of relay inspection. Lock the drive.
[0004]
These FET1 to FET3 and their drive signals are insulated and separated by photovolts PV1 to PV3, respectively.
[0005]
The photocouplers PC _{A to} PC _C are provided in parallel to the FETs 1 to 3, respectively, and serve as monitoring circuits that monitor the on / off states of the interlock circuit and the trip output circuit. These photocouplers PC _{A to} PC _C are configured by series connection with current limiting resistors Ra to Rc, and when FET1 to FET3 are on, the voltage at both ends is almost zero and an off output is obtained, and FET1 to FET3 are off. In some cases, monitoring is performed by obtaining an ON output by applying a voltage across the both ends.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, there is a problem that the trip function is lost in the failure mode when an insulating element such as a photocoupler or a photobol used to insulate / separate the logic signal system from the trip output circuit system deteriorates.
[0007]
In the case of a photocoupler, the current transfer rate CTR is lowered and the output current is lowered after long-term use. Even in the case of Photobol, the output current and output voltage are reduced. As a countermeasure against such element degradation, a monitoring circuit is provided. However, since element degradation gradually progresses, there is actually a blind spot for monitoring, and monitoring is possible even though the FET cannot be driven due to degradation. There is a period that cannot be found.
[0008]
For example, in the configuration of FIG. 8, the monitoring current Ia is a current of several mA that flows through the resistors Ra and Rb when the signal 11T is on. When the gate voltage Vgs for driving the FET 3 by the output V _{O of the} photovolt PV3 is lowered for the above reason, the FET 3 is incompletely turned on (turned on with an impedance of several KΩ). At this time, the FET 3 cannot pass a trip current of several A. Further, the monitoring current Ia flows through the FET 3, and the photocoupler PC _C cannot be turned on because of the limiting resistor Rc.
[0009]
In normal monitoring, when the FET 3 is turned on, the photocoupler PC _C is turned off, and when the FET 3 is turned off, the photocoupler PC _C is turned on.
[0010]
An object of the present invention is to provide a static trip circuit that can prevent a photocoupler and a photovolt from deteriorating and can obtain a reliable trip operation.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention reduces the input current of the photovolta which drives the trip output circuit and the interlock circuit at the time of inspection, or reduces it at the normal time and increases it at the time of trip output. The following configuration is characterized.
[0013]
An interlock circuit for inspection is provided in series with a trip output circuit of a relay that detects an accident in the power system, and the trip output circuit and the interlock circuit are configured to drive a semiconductor switch element by an on / off operation of a light emitting element, The interlock circuit is a static trip circuit that always turns on the semiconductor switch element when the inspection output of the relay is off except during the inspection of the relay.
The trip output circuit and the interlock circuit include a means for increasing the input current of the light emitting element from the normal time by the ON operation of the semiconductor switch element at the time of detecting an accident.
[0014]
In addition, an inspection interlock circuit is provided in series with the relay trip output circuit for detecting an accident in the power system, and the trip output circuit and the interlock circuit are configured to drive the semiconductor switch element by the on / off operation of the light emitting element. The interlock circuit is a static trip circuit that always turns on the semiconductor switch element by turning off the check output of the relay except when checking the relay.
The trip output circuit and the interlock circuit are characterized by including means for increasing the input current of the light emitting element compared to the normal state when the ON voltage of the semiconductor switch element during the trip operation is high.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 shows a configuration of a trip output circuit and an interlock circuit according to an embodiment of the present invention, and a monitoring circuit is omitted.
[0017]
8 is different from FIG. 8 in that a current limiting resistor R4 is inserted in the current limiting resistors R1 and R2 of the input circuits of the photovolts PV1 and PV2, and a current limiting resistor R5 is inserted in the current limiting resistor R3 of the photovolt PV3. These resistors R4 and R5 are provided with normally closed switch circuits SW1 and SW2, respectively, and when the interlock circuit inspection signal 11T is generated, the switch circuit SW1 is opened by a timer T1 for a certain period of time. The opening is performed by a timer T2 for a fixed time period when the interlock signal 11T is restored.
[0018]
FIG. 2 shows a time chart at the time of inspection. At the time of inspection, the inspection signal 11T is set to the high level, and the FET 3 is turned off. At the start of this inspection, the timer T1 is started and the switch circuit SW1 is opened only for that time. During this time, an inspection signal is applied to the accident detection relay and the main accident detection relay, and the outputs of the FETs 1 and 2 are output to the outputs FS and M. Check the normal operation of the circuit with the monitoring circuit. Therefore, the inspection is performed by reducing the input current of the photovolts PV1 and PV2 by half (when the resistance values of R1 and R2 are equal to R4).
[0019]
Similarly, when the operation check of FET1 and FET2 is completed and the inspection signal 11T returns to the low level, the timer T2 is started and the switch circuit SW2 is opened only for that time, and the normal operation of the output of the FET3 is monitored in this state. Check with circuit. At this time, the input current of the photovolt PV3 is halved to check the operation.
[0020]
In this manner, the input current of the photovolts PV1 to PV3 is halved at the time of inspection to turn on the FETs 1 to 3, and the on operation is confirmed by the monitoring circuit.
[0021]
From the above, according to this embodiment, it is possible to eliminate the blind spot of the monitoring circuit due to the deterioration characteristics of the element. This will be described below.
[0022]
In general, it is difficult to monitor a large current with a small current monitoring circuit. That is, the response of the large current circuit is different when a small current flows and when a large current flows. The problem with the trip circuit is that it is possible to monitor whether or not a large current can flow through the FET by flowing a small current (a large current cannot be flown during monitoring. Because it trips.) In the current characteristics of the FET, there is a region where a large current cannot flow but a small current can flow. In other words, monitoring is possible if the FET is completely turned on and off, but there is a blind spot in the incomplete on / off region that occurs in the process of decreasing the gate voltage of the FET (the blind spot of this monitoring). The region is not permanently present until the gate voltage of the FET is lower and even a small current cannot flow).
[0023]
Therefore, in the present embodiment, monitoring by skipping the monitoring blind spot period due to the progress of photovolt deterioration can be performed by halving the input current of the photovol at the time of inspection. In other words, inspection can be performed without being affected by imperfect on / off periods of the photovolt and FET.
[0024]
FIG. 3 is a trip output circuit showing a modification of FIG. In FIG. 3, an inspection off signal is generated from the main accident detection relay at the time of inspection, and the switch circuits SW1 and SW2 are collectively opened by this signal, thereby reducing the input current of all the photovolts by half during the inspection period. Do.
[0025]
FIG. 4 is a trip output circuit showing another embodiment. In the figure, the switch circuits SW1 and SW2 are always opened, and the switch circuits SW1 and SW2 are short-circuited when both the photocouplers PC _A and PC _{B of} the monitoring circuit are turned on.
[0026]
In the present embodiment, the trip output circuit is inspected by setting the inspection signal 11T to the high level as in the prior art. On the other hand, when both the photocouplers PC _A and PC _B of the monitoring circuit are operated due to an actual accident, the switch circuits SW1 and SW2 are short-circuited to increase the input current of the photovolts PV1 to PV3, and the FETs 1 to 3 are reliably driven. To do.
[0027]
In the present embodiment, the input current of the photovolta can be reduced by opening the switch circuits SW1 and SW2 in the normal state, the input current can be increased when an accident is detected, etc., and the life of the photobol can be extended. it can.
[0028]
That is, since elements such as photobols, photocouplers, and photomosses incorporate light-emitting elements that incorporate LEDs (light-emitting diodes) in their input circuits, there is a change in characteristics due to LED degradation. In particular, the photovolt is likely to be affected by the deterioration of the LED in the characteristic change of the output circuit. In order to generate a sufficient voltage for the output of the photovolt, it is necessary to increase the input current. However, this has a disadvantage that the deterioration of the LED is accelerated.
[0029]
Therefore, the input current of the photobol at normal time is reduced to delay the deterioration, that is, to extend the life, and to ensure the trip operation at the time of detecting an accident.
[0030]
FIG. 5 is a configuration diagram of a main part of an interlock circuit showing another embodiment. In the present embodiment, in the circuit configuration for driving on and off the FET3 by photovoltaic PV3, provided a photocoupler PC _O, the input current of photovoltaic PV3 to obtain on the output to the photocoupler PC _O when ON voltage of FET3 is high To increase.
[0031]
Photocoupler PC _O performs voltage monitoring of anode-cathode at the input circuit FET3, to obtain an ON state to short-circuit the resistor RT to the output when the ON voltage of FET3 was higher in the event of an accident. The resistor RT is connected in series with the resistor RU and is connected in parallel to the resistor RF, and increases the input current to the photovolta PV3 due to the short circuit.
[0032]
Thereby, even when the FET 3 is in the incomplete operation region, the operating current of the photovolt PV 3 can be increased, and a reliable trip operation can be obtained when an accident occurs.
[0033]
When the FET enters the incompletely operating region, the impedance increases, and 110 V is generated between the drain and the source at the time of trip. By detecting this with a photocoupler PC _O (photo moss, etc.) and increasing the input current of the photovolt PV3, the output of the photovolt increases when the FET3 is in the incomplete operation region, and the driving of the FET3 is ensured. To ensure tripping.
[0034]
Although this embodiment shows a case where the present invention is applied to an interlock circuit, it can be applied to a trip output circuit to obtain the same effect.
[0035]
6 and 7 are main part configuration diagrams of an interlock circuit showing another embodiment. In FIG. 6, in order to generate the gate voltage of the FET 3, an AC voltage insulated by the pulse transformer PT is generated, and this AC is rectified and smoothed by the diode D and the capacitor C. Further, the gate voltage of the on and off states of the FET3, a photo coupler PC _G, in the normal advance turns off the output, to turn off the FET3 is turned on upon application of the inspection signal to the input circuit .
[0036]
In FIG. 7, instead of the pulse transformer PT, an AC voltage is obtained by a DC / DC converter.
[0037]
According to these configurations, the DC / DC converter and the pulse transformer do not have a failure mode in which the output voltage decreases due to secular change, and therefore it is not necessary to consider the blind spot of the incomplete operation area of the FET 3. Also, a photocoupler or the like is used to turn on and off the gate voltage, but since this photocoupler is also always used off (on only during inspection), there is almost no deterioration.
[0038]
6 and 7 show the case where the present invention is applied to an interlock circuit, the present invention can be applied to a trip output circuit. In this case, since the trip output circuit photocoupler PC _G is always on the drive, but the problem of the degradation occurs, as in the previous embodiments above, it normally is halved input current of the photocoupler PC _G We can cope by putting.
[0039]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the input current of the photovolta which drives the trip output circuit and the interlock circuit is reduced during inspection, or is reduced during normal operation and increased during trip output. And photovolt deterioration can be prevented, and a reliable trip operation can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit configuration (No. 1) showing an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a time chart at the time of inspection in FIG.
FIG. 3 is a circuit configuration (part 2) illustrating the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit configuration (No. 3) illustrating the embodiment of the present invention.
FIG. 5 shows an interlock circuit configuration according to an embodiment of the present invention (part 1).
FIG. 6 is a configuration (part 2) of an interlock circuit illustrating an embodiment of the present invention.
FIG. 7 shows an interlock circuit configuration (No. 3) according to the embodiment of the present invention.
FIG. 8 shows a conventional photovoltaic FET driving circuit and monitoring circuit.
[Explanation of symbols]
FET1～FET3 ... semiconductor switch element PV1～PV3 ... photovoltaic SW1, SW2 ... switching circuit T1, T2 ... Timer _{_{_{PC A, PC B, PC C}}} , PC O, PC G ... photocoupler

Claims

An interlock circuit for inspection is provided in series with a trip output circuit of a relay that detects an accident in the power system, and the trip output circuit and the interlock circuit are configured to drive a semiconductor switch element by an on / off operation of a light emitting element, The interlock circuit is a static trip circuit that always turns on the semiconductor switch element when the inspection output of the relay is off except during the inspection of the relay.
The trip output circuit and the interlock circuit are provided with means for turning on the semiconductor switch element when the accident is detected by turning on the semiconductor light emitting element by increasing the input current of the light emitting element from the normal time. circuit.

An interlock circuit for inspection is provided in series with a trip output circuit of a relay that detects an accident in the power system, and the trip output circuit and the interlock circuit are configured to drive a semiconductor switch element by an on / off operation of a light emitting element, The interlock circuit is a static trip circuit that always turns on the semiconductor switch element when the inspection output of the relay is off except during the inspection of the relay.
Still said trip output circuit and interlock circuit, characterized in that it comprises a means for turning on operation higher than normal input current of the light emitting element when the ON voltage of the semiconductor switch device during a trip operation is high Type trip circuit.