JP3780993B2

JP3780993B2 - Abnormality detection device for battery pack

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Publication number: JP3780993B2
Application number: JP2002289735A
Authority: JP
Inventors: 誠岩島
Original assignee: Nissan Motor Co Ltd
Current assignee: Nissan Motor Co Ltd
Priority date: 2002-10-02
Filing date: 2002-10-02
Publication date: 2006-05-31
Anticipated expiration: 2022-10-02
Also published as: JP2004129375A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のセルを直列に接続して構成される組電池の異常を検出する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数のセルを直列に接続して構成される組電池の過充電状態や過放電状態などの異常を検出する装置が知られている（例えば、特開平１１−３３２１１６号公報）。セルの過充電状態や過放電状態を検出するために、３〜４セル用の電池保護ＩＣを用いる場合には、組電池を構成するセル数が多ければ、複数の電池保護ＩＣが用いられる。複数の電池保護ＩＣから出力される異常検出信号は、電圧レベルが異なるために、電圧レベル変換回路にて電圧のレベル合わせが行われる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３３２１１６号公報
【特許文献２】
特開平１１−１３６８７３号公報
【特許文献３】
特開平８−２９４２３８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電圧レベル変換回路に用いられる電源は、組電池を構成する一部のセルから供給されるので、異常検出信号が出力される時には、各セルに流れる電流が一様でなくなり、各セル間の端子電圧（容量）バラツキが増大するという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、セルの異常検出信号が出力された場合に、各セル間の端子電圧バラツキを抑える組電池の異常検出装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明による組電池の異常検出装置は、複数のセルを直列に接続して構成される組電池の異常検出装置であって、直列に接続された複数のセルのうちの所定数のセルの電圧を駆動源として、所定数のセルの異常を検出し、セルの異常を検出した時およびセルの異常を検出していない時にそれぞれ異なる電圧レベルの信号を出力する複数の異常検出回路と、複数の異常検出回路ごとに設けられ、対応する異常検出回路から出力される信号の電圧レベルを変換する複数の電圧レベル変換回路と、電圧レベル変換回路を制御する制御手段とを備える。電圧レベル変換回路は、制御端子が異常検出回路の出力端子と接続され、第１の端子が組電池の正極端子と接続され、第２の端子が組電池の負極端子と接続された第１のトランジスタを備える。異常検出回路がセルの異常を検出した時に出力する信号の電圧レベルは、電圧駆動源とする所定数のセルの高電圧側の電位および低電圧側の電位のうちの一方の電位であり、セルの異常を検出していない時に出力する信号の電圧レベルは、高電圧側の電位および低電圧側の電位のうちの他方の電位である。制御手段は、異常検出回路から対応するセルの異常を検出したことを示す信号が出力された時に第１のトランジスタをオンさせ、セルの異常を検出していないことを示す信号が出力された時に第１のトランジスタをオフさせることにより、上記目的を達成する。
【０００７】
【発明の効果】
本発明による組電池の異常検出装置によれば、電圧レベル変換回路を構成する第１のトランジスタの制御端子は異常検出回路の出力端子と接続され、第１のトランジスタの第１の端子は組電池の正極端子と接続され、第２の端子が組電池の負極端子と接続されており、制御手段は、異常検出回路から対応するセルの異常を示す信号が出力された時に第１のトランジスタをオンさせるので、異常信号出力時に、組電池を構成する各セル間に電圧差が生じるのを防ぐことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
−第１の実施の形態−
図１は、本発明による組電池の異常検出装置の第１の実施の形態の構成を示す図である。組電池１は、複数のセルｓ１〜ｓ１２を直列に接続して構成される。電池保護ＩＣ１１〜１３は、セルｓ１〜ｓ１２の過充電状態および過放電状態を検出する４セル用の回路である。電池保護ＩＣ１１〜１３の詳細な構成および動作について、電池保護ＩＣ１１を代表して、図２を用いて説明する。
【０００９】
図２は、電池保護ＩＣ１１の詳細な構成を示す図である。電池保護ＩＣ１１は、過充電検出回路ａ１〜ａ４と、過放電検出回路ｂ１〜ｂ４と、オア回路２１，２２，２３と、インバータＩＮＶとを備える。過充電検出回路ａ１〜ａ４は、各セルｓ１〜ｓ４ごとに設けられて、対応するセルの過充電状態を検出する。例えば、過充電検出回路ａ１は、セルｓ１の端子電圧と所定の過充電判定電圧とを比較することにより、セルｓ１の過充電状態を検出する。セルｓ１の端子電圧が所定の過充電判定電圧よりも高い場合には、過充電検出回路ａ１は、セルｓ１が過充電状態であることを示すＨレベルの信号を出力する。各過充電検出回路ａ１〜ａ４から出力される異常検出信号は、オア回路２１に入力される。
【００１０】
過放電検出回路ｂ１〜ｂ４は、各セルｓ１〜ｓ４ごとに設けられて、対応するセルの過放電状態を検出する。例えば、過放電検出回路ｂ１は、セルｓ１の端子電圧と所定の過放電判定電圧とを比較することにより、セルｓ１の過放電状態を検出する。セルｓ１の端子電圧が所定の過放電判定電圧よりも低い場合には、過放電検出回路ｂ１は、セルｓ１が過放電状態であることを示すＨレベルの信号を出力する。各過放電検出回路ｂ１〜ｂ４から出力される異常検出信号は、オア回路２２に出力される。
【００１１】
オア回路２１は、過充電検出回路ａ１〜ａ４から出力される信号の論理和を算出して、オア回路２３に出力する。従って、少なくとも１つの過充電検出回路ａ１〜ａ４から異常検出信号（Ｈレベル）が出力されると、オア回路２１からは、Ｈレベルの信号が出力される。オア回路２２は、過放電検出回路ｂ１〜ｂ４から出力される信号の論理和を算出して、オア回路２３に出力する。従って、少なくとも１つの過放電検出回路ｂ１〜ｂ４から異常検出信号（Ｈレベル）が出力されると、オア回路２２からは、Ｈレベルの信号が出力される。
【００１２】
オア回路２３は、オア回路２１とオア回路２２から出力される信号の論理和を算出する。オア回路２３で算出された論理和は、インバータＩＮＶを介して出力される。従って、少なくとも１つの過充電検出回路ａ１〜ａ４または過放電検出回路ｂ１〜ｂ４から、セルｓ１〜ｓ４の異常（過充電状態または過放電状態）を示すＨレベルの信号が出力されると、電池保護ＩＣ１１からは、インバータＩＮＶで反転されたＬレベルの信号が出力される。
【００１３】
図２では、電池保護ＩＣ１１の詳細な構成および動作について説明したが、他の電池保護ＩＣ１２，１３についても同様である。すなわち、セルｓ５〜ｓ８のうち、少なくとも１つのセルが過充電状態または過放電状態になると、電池保護ＩＣ１２からはＬレベルの信号が出力され、セルｓ９〜ｓ１２のうち、少なくとも１つのセルが過充電状態または過放電状態になると、電池保護ＩＣ１３からはＬレベルの信号が出力される。
【００１４】
図１において、ＰＮＰトランジスタＱ１のベース端子は、電池保護ＩＣ１１の出力端子と接続されている。また、ＰＮＰトランジスタＱ１のエミッタ端子は、抵抗Ｒ１１を介して、組電池１を構成する複数のセルｓ１〜ｓ１２のうちの最上位のセルｓ１２の正極端子と接続され、コレクタ端子は、抵抗Ｒ１を介して、組電池１を構成する複数のセルｓ１〜ｓ１２のうちの最下位のセルｓ１の負極端子と接続されている。電池保護ＩＣ１１から出力される異常検出信号は、後述する動作により、ＰＮＰトランジスタＱ１を介して、オア回路３に入力される。
【００１５】
同様に、ＰＮＰトランジスタＱ２のベース端子は、電池保護ＩＣ１２の出力端子と接続され、エミッタ端子は、抵抗Ｒ２１を介して、セルｓ１２の正極端子と接続され、コレクタ端子は、抵抗Ｒ２を介して、セルｓ１の負極端子と接続されている。電池保護ＩＣ１２から出力される異常検出信号は、後述する動作により、ＰＮＰトランジスタＱ２を介して、オア回路３に入力される。また、ＰＮＰトランジスタＱ３のベース端子は、電池保護ＩＣ１３の出力端子と接続され、エミッタ端子は、抵抗Ｒ３１を介して、セルｓ１２の正極端子と接続され、コレクタ端子は、抵抗Ｒ３を介して、セルｓ１の負極端子と接続されている。電池保護ＩＣ１３から出力される異常検出信号は、後述する動作により、ＰＮＰトランジスタＱ３を介して、オア回路３に入力される。
【００１６】
上述したＰＮＰトランジスタＱ１と抵抗Ｒ１、ＰＮＰトランジスタＱ２と抵抗Ｒ２、および、ＰＮＰトランジスタＱ３と抵抗Ｒ３は、それぞれ電圧レベル変換回路として機能している。すなわち、電池保護ＩＣ１１〜１３から出力される異常検出信号の電圧レベルが異なるので、オア回路３に入力する異常検出信号の電圧レベルのレベル合わせを行っている。
【００１７】
ＰＮＰトランジスタＱ１のエミッタ端子は、ＰＮＰトランジスタＱ１１のエミッタ端子とも接続されている。ＰＮＰトランジスタＱ１１のコレクタ端子は、セルｓ１の負極端子と接続され、ベース端子は、直列に接続された抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１３との間に接続されている。抵抗Ｒ１２の一端はセルｓ４の正極端子と接続されており、抵抗Ｒ１３の一端はセルｓ１の負極端子と接続されているので、ＰＮＰトランジスタＱ１１のベース電圧は、セルｓ１〜ｓ４で構成される電池の電圧を抵抗Ｒ１２とＲ１３とで分圧した値と等しくなる。
【００１８】
ここで、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３の抵抗値の設定により、ＰＮＰトランジスタＱ１１のエミッタ電圧がベース電圧より高くなるように設定しておく。また、エミッタ電圧は、電池保護ＩＣ１１からセルｓ１〜ｓ４が正常であることを示すＨレベルの信号が出力されている時のトランジスタＱ１のベース電圧より低くなるように設定しておく。これにより、電池保護ＩＣ１１からＨレベルの信号が出力されている時には、ＰＮＰトランジスタＱ１のエミッタ電圧はベース電圧より低くなるので、トランジスタＱ１はオフのままである。一方、ＰＮＰトランジスタＱ１１のエミッタ電圧はベース電圧より高いので、トランジスタＱ１１はオンする。従って、セルｓ１〜ｓ４の異常が検出されていない間は、セルｓ１２の正極端子から、抵抗Ｒ１１とトランジスタＱ１１とを介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れる。
【００１９】
これに対して、電池保護ＩＣ１１からセルｓ１〜ｓ４のうちのいずれかのセルが異常（過充電状態または過放電状態）であることを示すＬレベルの信号が出力された時には、ＰＮＰトランジスタＱ１のベース電圧がエミッタ電圧より低くなるので、トランジスタＱ１がオンするとともに、ＰＮＰトランジスタＱ１１のエミッタ電圧がベース電圧より低くなるので、トランジスタＱ１１がオフする。これにより、セルｓ１２の正極端子から、抵抗Ｒ１１、トランジスタＱ１および抵抗Ｒ１を介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れるので、オア回路３にＨレベルの信号が入力される。
【００２０】
すなわち、セルｓ１〜ｓ４の異常が検出されていないときは、トランジスタＱ１がオフ、トランジスタＱ１１がオンすることにより、セルｓ１２の正極端子からトランジスタＱ１１を介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れているが、セルｓ１〜ｓ４の異常が検出された時は、トランジスタＱ１がオンし、トランジスタＱ１１がオフする。これにより、トランジスタＱ１と抵抗Ｒ１とで構成される電圧レベル変換回路の電源がセルｓ１〜ｓ１２で構成されることになるので、電池保護ＩＣ１１から異常検出信号が出力された場合でも、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧の差が生じることはない。
【００２１】
電池保護ＩＣ１２から異常検出信号が出力される場合のトランジスタＱ２およびトランジスタＱ２１の動作についても同様である。ＰＮＰトランジスタＱ２のエミッタ端子は、ＰＮＰトランジスタＱ２１のエミッタ端子とも接続されている。ＰＮＰトランジスタＱ２１のコレクタ端子は、セルｓ１の負極端子と接続され、ベース端子は、直列に接続された抵抗Ｒ２２と抵抗Ｒ２３との間に接続されている。抵抗Ｒ２２の一端はセルｓ８の正極端子と接続されており、抵抗Ｒ２３の一端はセルｓ５の負極端子と接続されているので、ＰＮＰトランジスタＱ２１のベース電圧は、セルｓ５〜ｓ８で構成される電池の電圧を抵抗Ｒ２２とＲ２３とで分圧した値と等しくなる。
【００２２】
上述したように、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３の抵抗値の設定により、ＰＮＰトランジスタＱ２１のエミッタ電圧がベース電圧より高くなるように設定しておく。また、エミッタ電圧は、電池保護ＩＣ１２からセルｓ５〜ｓ８が正常であることを示すＨレベルの信号が出力されている時のトランジスタＱ２のベース電圧より低くなるように設定しておく。これにより、電池保護ＩＣ１２からＨレベルの信号が出力される時には、トランジスタＱ２はオフのままであり、トランジスタＱ２１はオンする。従って、セルｓ５〜ｓ８の異常が検出されていない間は、セルｓ１２の正極端子から、抵抗Ｒ２１とトランジスタＱ２１とを介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れる。
【００２３】
一方、電池保護ＩＣ１２からセルｓ５〜ｓ８のうちのいずれかのセルが異常（過充電状態または過放電状態）であることを示すＬレベルの信号が出力された時には、トランジスタＱ２がオンするとともに、トランジスタＱ２１がオフする。これにより、セルｓ１２の正極端子から、抵抗Ｒ２１、トランジスタＱ２および抵抗Ｒ２を介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れるので、オア回路３にＨレベルの信号が入力される。これにより、トランジスタＱ２と抵抗Ｒ２とで構成される電圧レベル変換回路の電源がセルｓ１〜ｓ１２で構成されることになるので、電池保護ＩＣ１２から異常検出信号が出力された場合でも、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧の差が生じることはない。
【００２４】
電池保護ＩＣ１３から異常検出信号が出力される場合のトランジスタＱ３およびトランジスタＱ３１の動作についても同様である。トランジスタＱ３とトランジスタＱ３１の接続関係および動作特性は、上述したトランジスタＱ１とトランジスタＱ１１、および、トランジスタＱ２とトランジスタＱ２１と同様であるので、詳細な説明は省略する。この場合も、電池保護ＩＣ１３からいずれかのセルｓ９〜ｓ１２の異常を示すＬレベルの信号が出力されると、トランジスタＱ３がオンするとともに、オンしていたトランジスタＱ３１がオフする。これにより、トランジスタＱ３と抵抗Ｒ３とで構成される電圧レベル変換回路の電源がセルｓ１〜ｓ１２で構成されることになるので、電池保護ＩＣ１３から異常検出信号が出力された場合でも、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧の差が生じることはない。
【００２５】
電池保護ＩＣ１１〜１３から出力された異常検出信号は、電圧レベル変換回路として機能するトランジスタＱ１と抵抗Ｒ１、トランジスタＱ２と抵抗Ｒ２、および、トランジスタＱ３と抵抗Ｒ３とにより、電圧レベルのレベル合わせが行われて、オア回路３に入力される。オア回路３は、入力された信号の論理和を算出するので、いずれか１つの電池保護ＩＣ１１〜１３からセルの異常（過充電状態または過放電状態）を示す信号が出力された時は、オア回路３から充放電制御回路４にいずれかのセルｓ１〜ｓ１２が異常であることを示すＨレベルの信号が入力される。充放電制御回路は、オア回路３からの信号に基づいて、組電池１の充放電を制御する。
【００２６】
図７は、第１の実施の形態における組電池の異常検出装置が備えているようなトランジスタＱ１１，Ｑ２１，Ｑ３１等を備えていない組電池の異常検出装置の構成を示す図である。図１に示す組電池の異常検出装置を構成する要素と同一の構成要素については、同一の符合を付して詳細な説明は省略する。
【００２７】
４セル用の電池保護ＩＣ１１により、少なくとも１つのセルｓ１〜ｓ４の過充電状態または過放電状態が検出されると、Ｌレベルの信号が出力されるので、ＰＮＰトランジスタＱ１がオンする。同様に、電池保護ＩＣ１２により、少なくとも１つのセルｓ５〜ｓ８の過充電状態または過放電状態が検出されると、Ｌレベルの信号が出力されて、ＰＮＰトランジスタＱ２がオンし、電池保護ＩＣ１３により、少なくとも１つのセルｓ９〜ｓ１２の過充電状態または過放電状態が検出されると、Ｌレベルの信号が出力されて、ＰＮＰトランジスタＱ３がオンする。
【００２８】
図１に示す組電池の異常検出装置と同様に、ＰＮＰトランジスタＱ１と抵抗Ｒ１、ＰＮＰトランジスタＱ２と抵抗Ｒ２、および、ＰＮＰトランジスタＱ３と抵抗Ｒ３は、それぞれ電圧レベル変換回路として機能している。すなわち、オア回路３に入力する異常検出信号の電圧レベルのレベル合わせを行っている。従って、例えば、電池保護ＩＣ１１から異常検出信号が出力されると、セルｓ４の正極端子からトランジスタＱ１および抵抗Ｒ１を介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れるので、セルｓ１〜ｓ４の電圧と、電流が流れないセルｓ５〜ｓ１２の電圧との間で差が生じることになる。
【００２９】
同様に、電池保護ＩＣ１２から異常検出信号が出力されると、トランジスタＱ２がオンすることにより、セルｓ８の正極端子からトランジスタＱ２および抵抗Ｒ２を介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れるので、セルｓ１〜ｓ８の電圧と、電流が流れないセルｓ９〜ｓ１２の電圧との間で差が生じることになる。
【００３０】
これに対して、第１の実施の形態における組電池の異常検出装置によれば、上述した方法により、異常検出信号が出力された場合でも、各セルｓ１〜ｓ１２間の電圧に差が生じることを抑制している。すなわち、電池保護ＩＣ１１〜１３から出力されるセルの異常を示す信号の電圧レベル合わせを行う電圧レベル変換回路を構成するトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３において、制御端子であるベース端子を電池保護ＩＣ１１〜１３の出力端子と接続し、第１の端子であるエミッタ端子を組電池１の正極端子と接続し、第２の端子であるコレクタ端子を組電池１の負極端子と接続した。このトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３において、電池保護ＩＣ１１〜１３から異常検出信号が出力されていない時は、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３がオフし、異常検出信号が出力された時はトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３がオンするようにした。これにより、異常検出信号が出力された時に、組電池１を構成する全てのセルｓ１〜ｓ１２が電圧レベル変換回路の電源として用いられるので、各セルｓ１〜ｓ１２の間で電圧差が生じるのを防ぐことができる。
【００３１】
電池保護ＩＣ１１〜１３から異常検出信号が出力されていない時に、トランジスタＱ１〜Ｑ３がオフし、異常検出信号が出力された時は対応するトランジスタＱ１〜Ｑ３がオンするようにするために、抵抗Ｒ１１〜Ｒ３１とトランジスタＱ１１〜Ｑ３１を設けた。すなわち、トランジスタＱ１１〜Ｑ３１のエミッタ端子はトランジスタＱ１〜Ｑ３のエミッタ端子と、コレクタ端子は組電池１の負極端子と接続し、エミッタ端子と組電池１の正極端子との間に抵抗Ｒ１１〜Ｒ３１を設けた。従って、簡易な構成により、トランジスタＱ１〜Ｑ３を制御することができる。
【００３２】
−第２の実施の形態−
図３は、第２の実施の形態における組電池の異常検出装置の構成を示す図である。図１に示す第１の実施の形態における組電池の異常検出装置と同一の構成要素については、同一の符合を付して詳細な説明は省略する。第２の実施の形態における組電池の異常検出装置では、トランジスタＱ１１，Ｑ２１，Ｑ３１のベース端子に電圧を印加する方法に特徴がある。すなわち、トランジスタＱ１１，Ｑ２１，Ｑ３１のベース端子には、組電池１の電圧を直列に接続された抵抗Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ３２，Ｒ３３を用いて分圧された電圧が印加される。
【００３３】
例えば、トランジスタＱ１１のベース電圧は、組電池１の電圧を直列に接続された抵抗Ｒ１２，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ３２，Ｒ３３と、抵抗Ｒ１３とで分圧された電圧と等しくなる。また、トランジスタＱ２１のベース電圧は、組電池１の電圧を直列に接続された抵抗Ｒ２２，Ｒ３２，Ｒ３３と、直列に接続された抵抗Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ２３とで分圧された電圧と等しくなる。さらに、トランジスタＱ３１のベース電圧は、組電池１の電圧を抵抗Ｒ３２と、直列に接続された抵抗Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ３３とで分圧された電圧と等しくなる。
【００３４】
ここで、上述したように、ＰＮＰトランジスタＱ１１のエミッタ電圧がベース電圧より高くなるように設定しておき、かつ、エミッタ電圧が電池保護ＩＣ１１からセルｓ１〜ｓ４が正常であることを示すＨレベルの信号が出力されている時のトランジスタＱ１のベース電圧より低くなるように設定しておく。これにより、セルｓ１〜ｓ４の異常が検出されていないときは、トランジスタＱ１がオフ、トランジスタＱ１１がオンすることにより、セルｓ１２の正極端子からトランジスタＱ１１を介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れているが、セルｓ１〜ｓ４の異常が検出された時は、トランジスタＱ１がオンし、トランジスタＱ１１がオフする。すなわち、第１の実施の形態における組電池の異常検出装置と同様に、トランジスタＱ１と抵抗Ｒ１とで構成される電圧レベル変換回路の電源がセルｓ１〜ｓ１２で構成されることになるので、電池保護ＩＣ１１から異常検出信号が出力された場合でも、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧の差が生じることはない。
【００３５】
説明は省略するが、電池保護ＩＣ１２および電池保護ＩＣ１３から異常検出信号が出力される場合の動作についても同じである。すなわち、第２の実施の形態における組電池の異常検出装置では、トランジスタＱ１１，Ｑ２１，Ｑ３１のベース端子に電圧を印加する方法が、第１の実施の形態における組電池の異常検出装置と異なるだけで、電池保護ＩＣ１１〜１３からセルの異常を示す信号が出力されたときに、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧差が生じるのを防ぐという効果は変わらない。
【００３６】
−第３の実施の形態−
図４は、第３の実施の形態における組電池の異常検出装置の構成を示す図である。図１に示す第１の実施の形態における組電池の異常検出装置と同一の構成要素については、同一の符合を付して詳細な説明は省略する。第１，第２の実施の形態における組電池の異常検出装置では、電圧レベル変換回路として、ＰＮＰトランジスタＱ１〜Ｑ３を用いたが、第３の実施の形態における組電池の異常検出装置では、ＮＰＮトランジスタＱ４〜Ｑ６を用いる。
【００３７】
図５は、電池保護ＩＣ１１aの詳細な構成を示す図である。電池保護ＩＣ１１と異なるのは、インバータＩＮＶが設けられていない点である。すなわち、セルｓ１〜ｓ４のうち、少なくとも１つのセルが過充電状態または過放電状態になると、電池保護ＩＣ１１aからはＨレベルの信号が出力される。同様に、セルｓ５〜ｓ８のうち、少なくとも１つのセルが過充電状態または過放電状態になると、電池保護ＩＣ１２aからはＨレベルの信号が出力され、セルｓ９〜ｓ１２のうち、少なくとも１つのセルが過充電状態または過放電状態になると、電池保護ＩＣ１３aからはＨレベルの信号が出力される。
【００３８】
ＮＰＮトランジスタＱ４のベース端子は、電池保護ＩＣ１３aの出力端子と接続されている。また、ＮＰＮトランジスタＱ４のコレクタ端子は、抵抗Ｒ４を介して、組電池１を構成する複数のセルｓ１〜ｓ１２のうちの最上位のセルｓ１２の正極端子と接続され、エミッタ端子は、抵抗Ｒ４１を介して、組電池１を構成する複数のセルｓ１〜ｓ１２のうちの最下位のセルｓ１の負極端子と接続されている。電池保護ＩＣ１３aから出力される異常検出信号は、ＮＰＮトランジスタＱ４の後述する動作により、オア回路３ａに入力される。
【００３９】
同様に、ＮＰＮトランジスタＱ５のベース端子は、電池保護ＩＣ１２aの出力端子と接続され、コレクタ端子は、抵抗Ｒ５を介して、セルｓ１２の正極端子と接続され、エミッタ端子は、抵抗Ｒ５１を介して、セルｓ１の負極端子と接続されている。電池保護ＩＣ１２aから出力される異常検出信号は、ＮＰＮトランジスタＱ５の後述する動作により、オア回路３ａに入力される。また、ＮＰＮトランジスタＱ６のベース端子は、電池保護ＩＣ１１aの出力端子と接続され、コレクタ端子は、抵抗Ｒ６を介して、セルｓ１２の正極端子と接続され、エミッタ端子は、抵抗Ｒ６１を介して、セルｓ１の負極端子と接続されている。電池保護ＩＣ１１aから出力される異常検出信号は、後述する動作により、ＮＰＮトランジスタＱ６を介して、オア回路３ａに入力される。
【００４０】
ＮＰＮトランジスタＱ４のエミッタ端子は、ＮＰＮトランジスタＱ４１のエミッタ端子とも接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ４１のコレクタ端子は、セルｓ１２の正極端子と接続され、ベース端子は、直列に接続された抵抗Ｒ４２と抵抗Ｒ４３との間に接続されている。抵抗Ｒ４３の一端はセルｓ１２の正極端子と接続されており、抵抗Ｒ４２の一端はセルｓ９の負極端子と接続されているので、ＮＰＮトランジスタＱ４１のベース電圧は、セルｓ９〜ｓ１２で構成される電池の電圧を抵抗Ｒ４２とＲ４３とで分圧した値と等しくなる。
【００４１】
ここで、抵抗Ｒ４１，Ｒ４２，Ｒ４３の抵抗値の設定により、ＮＰＮトランジスタＱ４１のエミッタ電圧がベース電圧より低くなるように設定しておく。また、エミッタ電圧は、電池保護ＩＣ１３aからセルｓ９〜ｓ１２が正常であることを示すＬレベルの信号が出力されている時のトランジスタＱ４のベース電圧より高くなるように設定しておく。これにより、電池保護ＩＣ１３からＬレベルの信号が出力されている時には、ＮＰＮトランジスタＱ４１のエミッタ電圧はベース電圧より低いので、トランジスタＱ４１はオンする。一方、ＮＰＮトランジスタＱ４のエミッタ電圧はベース電圧より高くなるので、トランジスタＱ４はオフのままである。従って、セルｓ９〜ｓ１２の異常が検出されていない間は、セルｓ１２の正極端子から、トランジスタＱ４１と抵抗Ｒ４１とを介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れる。
【００４２】
これに対して、電池保護ＩＣ１３aからセルｓ９〜ｓ１２のうちのいずれかのセルが異常（過充電状態または過放電状態）であることを示すＨレベルの信号が出力された時には、ＮＰＮトランジスタＱ４のベース電圧がエミッタ電圧より高くなるので、トランジスタＱ４がオンするとともに、ＮＰＮトランジスタＱ４１のベース電圧がエミッタ電圧より低くなるので、トランジスタＱ４１がオフする。これにより、セルｓ１２の正極端子から、抵抗Ｒ４、トランジスタＱ４および抵抗Ｒ４１を介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れるので、オア回路３ａにＨレベルの信号が入力される。
【００４３】
すなわち、セルｓ９〜ｓ１２の異常が検出されていないときは、トランジスタＱ４がオフ、トランジスタＱ４１がオンすることにより、セルｓ１２の正極端子からトランジスタＱ４１を介して、セルｓ１の負極端子に電流が流れているが、セルｓ９〜ｓ１２の異常が検出された時は、トランジスタＱ４がオンし、トランジスタＱ４１がオフする。これにより、トランジスタＱ４と抵抗Ｒ４とで構成される電圧レベル変換回路の電源がセルｓ１〜ｓ１２で構成されることになるので、電池保護ＩＣ１３aから異常検出信号が出力された場合でも、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧の差が生じることはない。
【００４４】
トランジスタＱ５とトランジスタＱ５１の接続関係および動作特性、トランジスタＱ６とトランジスタＱ６１の接続関係および動作特性は、上述したトランジスタＱ４とトランジスタＱ４１と同様であるので、詳細な説明は省略する。この場合も、電池保護ＩＣ１２aからいずれかのセルｓ５〜ｓ８の異常を示すＨレベルの信号が出力されると、トランジスタＱ５がオンするとともに、オンしていたトランジスタＱ５１がオフする。また、電池保護ＩＣ１１aからいずれかのセルｓ１〜ｓ４の異常を示すＨレベルの信号が出力されると、トランジスタＱ６がオンするとともに、オンしていたトランジスタＱ６１がオフする。これにより、トランジスタＱ５と抵抗Ｒ５、および、トランジスタＱ６と抵抗Ｒ６とで構成される電圧レベル変換回路の電源がセルｓ１〜ｓ１２で構成されることになるので、電池保護ＩＣ１１a，１２aから異常検出信号が出力された場合でも、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧の差が生じることはない。
【００４５】
第３の実施の形態における組電池の異常検出装置によれば、電圧レベル変換回路にＮＰＮトランジスタを用いる場合でも、異常検出信号が出力された時に、各セルｓ１〜ｓ１２の間で電圧差が生じるのを防ぐことができる。すなわち、電池保護ＩＣ１１a〜１３aから出力されるセルの異常を示す信号の電圧レベル合わせを行う電圧レベル変換回路を構成するトランジスタＱ４，Ｑ５，Ｑ６において、制御端子であるベース端子を電池保護ＩＣ１１a〜１３aの出力端子と接続し、第１の端子であるコレクタ端子を組電池１の正極端子と接続し、第２の端子であるエミッタ端子を組電池１の負極端子と接続した。このトランジスタＱ４〜Ｑ６において、電池保護ＩＣ１１a〜１３aから異常検出信号が出力されていない時は、トランジスタＱ４〜Ｑ６がオフし、異常検出信号が出力された時はトランジスタＱ４〜Ｑ６がオンするようにした。これにより、異常検出信号が出力された時に、組電池１を構成する全てのセルｓ１〜ｓ１２が電圧レベル変換回路の電源として用いられるので、各セルｓ１〜ｓ１２の間で電圧差が生じるのを防ぐことができる。
【００４６】
−第４の実施の形態−
図６は、第４の実施の形態における組電池の異常検出装置の構成を示す図である。図４に示す第３の実施の形態における組電池の異常検出装置と同一の構成要素については、同一の符合を付して詳細な説明は省略する。第３の実施の形態における組電池の異常検出装置と第４の実施の形態における組電池の異常検出装置との関係は、第１の実施の形態における組電池の異常検出装置と第２の実施の形態における組電池の異常検出装置との関係と同様である。すなわち、第４の実施の形態における組電池の異常検出装置は、トランジスタＱ４１，Ｑ５１，Ｑ６１のベース端子に電圧を印加する方法に特徴がある。
【００４７】
トランジスタＱ４１，Ｑ５１，Ｑ６１のベース端子には、組電池１の電圧を直列に接続された抵抗Ｒ４２，Ｒ４３，Ｒ５２，Ｒ５３，Ｒ６２，Ｒ６３を用いて分圧された電圧が印加される。例えば、トランジスタＱ４１のベース電圧は、組電池１の電圧を直列に接続された抵抗Ｒ４２，Ｒ５２，Ｒ５３，Ｒ６２，Ｒ６３と、抵抗Ｒ４３とで分圧された電圧と等しくなる。また、トランジスタＱ５１のベース電圧は、組電池１の電圧を直列に接続された抵抗Ｒ５２，Ｒ６２，Ｒ６３と、直列に接続された抵抗Ｒ４２，Ｒ４３，Ｒ５３とで分圧された電圧と等しくなる。さらに、トランジスタＱ６１のベース電圧は、組電池１の電圧を抵抗Ｒ６２と、直列に接続された抵抗Ｒ４２，Ｒ４３，Ｒ５２，Ｒ５３，Ｒ６３とで分圧された電圧と等しくなる。
【００４８】
ＮＰＮトランジスタＱ４のベース電圧とエミッタ電圧との関係、および、ＮＰＮトランジスタＱ４１のベース電圧とエミッタ電圧との関係が、第３の実施の形態における組電池の異常検出装置と同じになるように、抵抗Ｒ４１〜Ｒ４３，Ｒ５１〜Ｒ５３，Ｒ６１〜Ｒ６３の抵抗値を定める。これにより、例えば、セルｓ９〜ｓ１２の異常が検出されていないときは、トランジスタＱ４がオフ、トランジスタＱ４１がオンし、セルｓ９〜ｓ１２の異常が検出された時は、トランジスタＱ４がオンし、トランジスタＱ４１がオフする。すなわち、第３の実施の形態における組電池の異常検出装置と同様に、トランジスタＱ４と抵抗Ｒ４とで構成される電圧レベル変換回路の電源がセルｓ１〜ｓ１２で構成されることになるので、電池保護ＩＣ１３aから異常検出信号が出力された場合でも、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧の差が生じることはない。
【００４９】
説明は省略するが、電池保護ＩＣ１１aおよび電池保護ＩＣ１２aから異常検出信号が出力される場合の動作についても同じである。すなわち、第４の実施の形態における組電池の異常検出装置では、トランジスタＱ４１，Ｑ５１，Ｑ６１のベース端子に電圧を印加する方法が、第３の実施の形態における組電池の異常検出装置と異なるだけで、電池保護ＩＣ１１a〜１３aからセルの異常を示す信号が出力されたときに、各セルｓ１〜ｓ１２間で電圧差が生じるのを防ぐという効果は変わらない。
【００５０】
本発明は、上述した一実施の形態に限定されることはない。例えば、電圧レベル変換回路にＰＮＰトランジスタ、または、ＮＰＮトランジスタのようなバイポーラ型トランジスタを用いたが、電界効果型トランジスタを用いることもできる。また、セルの異常検出時には、トランジスタＱ１１〜Ｑ３１，または、トランジスタＱ４１〜Ｑ６１を介して電流が流れることにより、組電池１の電力が消費されることから、流れる電流が大きい時には、消費電力を低減するようなスリープモードを設けても良い。
【００５１】
特許請求の範囲の構成要素と一実施の形態の構成要素との対応関係は次の通りである。すなわち、電池保護ＩＣ１１〜１３，１１a〜１３aが異常検出回路を、トランジスタＱ１と抵抗Ｒ１、トランジスタＱ２と抵抗Ｒ２、トランジスタＱ３と抵抗Ｒ３、トランジスタＱ４と抵抗Ｒ４、トランジスタＱ５と抵抗Ｒ５、および、トランジスタＱ６と抵抗Ｒ６が電圧レベル変換回路を、トランジスタＱ１１，Ｑ２１，Ｑ３１，抵抗Ｒ１１〜Ｒ１３，Ｒ２１〜Ｒ２３，Ｒ３１〜Ｒ３３が制御手段をそれぞれ構成する。また、トランジスタＱ１〜Ｑ６が第１のトランジスタを、トランジスタＱ１１，Ｑ２１，Ｑ３１，Ｑ４１，Ｑ５１，Ｑ６１が第２のトランジスタをそれぞれ構成する。なお、本発明の特徴的な機能を損なわない限り、各構成要素は上記構成に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による組電池の異常検出装置の第１の実施の形態の構成を示す図
【図２】第１の実施の形態の電池保護ＩＣの詳細な構成を示す図
【図３】第２の実施の形態における組電池の異常検出装置の構成を示す図
【図４】第３の実施の形態における組電池の異常検出装置の構成を示す図
【図５】第３の実施の形態の電池保護ＩＣの詳細な構成を示す図
【図６】第４の実施の形態における組電池の異常検出装置の構成を示す図
【図７】第１の実施の形態における組電池の異常検出装置の効果を説明するための図
【符号の説明】
１…組電池、３，３ａ，２１〜２３…オア回路、４…充放電制御回路、１１〜１３，１１a〜１３a…電池保護ＩＣ、ｓ１〜ｓ１２…セル、ａ１〜ａ４…過充電検出回路、ｂ１〜ｂ４…過放電検出回路、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ１３…ＰＮＰトランジスタ、Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，Ｑ４１，Ｑ５１，Ｑ６１…ＮＰＮトランジスタ、Ｒ１〜Ｒ６，Ｒ４１〜Ｒ４３，Ｒ５１〜Ｒ５３，Ｒ６１〜Ｒ６３…抵抗、ＩＮＶ…インバータ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for detecting an abnormality in an assembled battery configured by connecting a plurality of cells in series.
[0002]
[Prior art]
An apparatus for detecting an abnormality such as an overcharged state or an overdischarged state of an assembled battery configured by connecting a plurality of cells in series is known (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-332116). When a battery protection IC for 3-4 cells is used to detect an overcharged state or an overdischarged state of a cell, a plurality of battery protection ICs are used if the number of cells constituting the assembled battery is large. Since the abnormality detection signals output from the plurality of battery protection ICs have different voltage levels, the voltage level is adjusted by the voltage level conversion circuit.
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-11-332116
[Patent Document 2]
JP-A-11-136873
[Patent Document 3]
JP-A-8-294238
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, since the power used for the voltage level conversion circuit is supplied from some cells constituting the assembled battery, when an abnormality detection signal is output, the current flowing through each cell is not uniform, There has been a problem that the terminal voltage (capacitance) variation increases.
[0005]
An object of the present invention is to provide an assembled battery abnormality detection device that suppresses terminal voltage variation between cells when a cell abnormality detection signal is output.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
An abnormality detection device for an assembled battery according to the present invention is an abnormality detection device for an assembled battery configured by connecting a plurality of cells in series, Using a voltage of a predetermined number of cells among a plurality of cells connected in series as a drive source, an abnormality of a predetermined number of cells is detected, and when a cell abnormality is detected and when no cell abnormality is detected, respectively Output signals with different voltage levels A plurality of abnormality detection circuits, a plurality of voltage level conversion circuits provided for each of the plurality of abnormality detection circuits, for converting the voltage level of a signal output from the corresponding abnormality detection circuit, and a control means for controlling the voltage level conversion circuit With. In the voltage level conversion circuit, the control terminal is connected to the output terminal of the abnormality detection circuit, the first terminal is connected to the positive terminal of the assembled battery, and the second terminal is connected to the negative terminal of the assembled battery. A transistor is provided. The voltage level of the signal output when the abnormality detection circuit detects the abnormality of the cell is one of a high voltage side potential and a low voltage side potential of a predetermined number of cells as voltage driving sources. The voltage level of the signal output when no abnormality is detected is the other of the high-voltage side potential and the low-voltage side potential. The control means detects the abnormality of the corresponding cell from the abnormality detection circuit. Detected The first transistor is turned on when the signal shown in FIG. That no cell abnormality is detected. Signal is output The Sometimes the above-mentioned object is achieved by turning off the first transistor.
[0007]
【The invention's effect】
According to the assembled battery abnormality detection device of the present invention, the control terminal of the first transistor constituting the voltage level conversion circuit is connected to the output terminal of the abnormality detection circuit, and the first terminal of the first transistor is the assembled battery. And the second terminal is connected to the negative terminal of the assembled battery, and the control means turns on the first transistor when a signal indicating abnormality of the corresponding cell is output from the abnormality detection circuit. Therefore, when an abnormal signal is output, it is possible to prevent a voltage difference from occurring between cells constituting the assembled battery.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
-First embodiment-
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a first embodiment of an assembled battery abnormality detection device according to the present invention. The assembled battery 1 is configured by connecting a plurality of cells s1 to s12 in series. The battery protection ICs 11 to 13 are circuits for four cells that detect the overcharge state and the overdischarge state of the cells s1 to s12. The detailed configuration and operation of the battery protection ICs 11 to 13 will be described with reference to FIG.
[0009]
FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of the battery protection IC 11. The battery protection IC 11 includes overcharge detection circuits a1 to a4, overdischarge detection circuits b1 to b4, OR circuits 21, 22, and 23, and an inverter INV. The overcharge detection circuits a1 to a4 are provided for each of the cells s1 to s4, and detect the overcharge state of the corresponding cell. For example, the overcharge detection circuit a1 detects the overcharge state of the cell s1 by comparing the terminal voltage of the cell s1 with a predetermined overcharge determination voltage. When the terminal voltage of the cell s1 is higher than a predetermined overcharge determination voltage, the overcharge detection circuit a1 outputs an H level signal indicating that the cell s1 is in an overcharge state. The abnormality detection signals output from the overcharge detection circuits a1 to a4 are input to the OR circuit 21.
[0010]
The overdischarge detection circuits b1 to b4 are provided for the respective cells s1 to s4 and detect the overdischarge state of the corresponding cells. For example, the overdischarge detection circuit b1 detects the overdischarge state of the cell s1 by comparing the terminal voltage of the cell s1 with a predetermined overdischarge determination voltage. When the terminal voltage of the cell s1 is lower than a predetermined overdischarge determination voltage, the overdischarge detection circuit b1 outputs an H level signal indicating that the cell s1 is in an overdischarge state. The abnormality detection signals output from the overdischarge detection circuits b1 to b4 are output to the OR circuit 22.
[0011]
The OR circuit 21 calculates a logical sum of signals output from the overcharge detection circuits a <b> 1 to a <b> 4 and outputs the logical sum to the OR circuit 23. Therefore, when an abnormality detection signal (H level) is output from at least one overcharge detection circuit a1 to a4, an OR level signal is output from the OR circuit 21. The OR circuit 22 calculates the logical sum of the signals output from the overdischarge detection circuits b <b> 1 to b <b> 4 and outputs the logical sum to the OR circuit 23. Accordingly, when an abnormality detection signal (H level) is output from at least one overdischarge detection circuit b1 to b4, an OR level signal is output from the OR circuit 22.
[0012]
The OR circuit 23 calculates a logical sum of signals output from the OR circuit 21 and the OR circuit 22. The logical sum calculated by the OR circuit 23 is output via the inverter INV. Accordingly, when an H level signal indicating an abnormality (overcharge state or overdischarge state) of the cells s1 to s4 is output from at least one of the overcharge detection circuits a1 to a4 or the overdischarge detection circuits b1 to b4, the battery An L level signal inverted by the inverter INV is output from the protection IC 11.
[0013]
In FIG. 2, the detailed configuration and operation of the battery protection IC 11 have been described, but the same applies to the other battery protection ICs 12 and 13. That is, when at least one of the cells s5 to s8 is overcharged or overdischarged, the battery protection IC 12 outputs an L level signal, and at least one of the cells s9 to s12 is overloaded. When the battery is in a charged state or overdischarged state, an L level signal is output from the battery protection IC 13.
[0014]
In FIG. 1, the base terminal of the PNP transistor Q1 is connected to the output terminal of the battery protection IC 11. The emitter terminal of the PNP transistor Q1 is connected to the positive terminal of the uppermost cell s12 among the plurality of cells s1 to s12 constituting the assembled battery 1 via the resistor R11, and the collector terminal is connected to the resistor R1. And connected to the negative terminal of the lowest cell s1 among the plurality of cells s1 to s12 constituting the assembled battery 1. The abnormality detection signal output from the battery protection IC 11 is input to the OR circuit 3 via the PNP transistor Q1 by an operation described later.
[0015]
Similarly, the base terminal of the PNP transistor Q2 is connected to the output terminal of the battery protection IC 12, the emitter terminal is connected to the positive terminal of the cell s12 via the resistor R21, and the collector terminal is connected to the collector terminal via the resistor R2. The negative electrode terminal of the cell s1 is connected. The abnormality detection signal output from the battery protection IC 12 is input to the OR circuit 3 via the PNP transistor Q2 by an operation described later. The base terminal of the PNP transistor Q3 is connected to the output terminal of the battery protection IC 13, the emitter terminal is connected to the positive terminal of the cell s12 via the resistor R31, and the collector terminal is connected to the cell via the resistor R3. It is connected to the negative terminal of s1. The abnormality detection signal output from the battery protection IC 13 is input to the OR circuit 3 via the PNP transistor Q3 by an operation described later.
[0016]
The PNP transistor Q1 and resistor R1, the PNP transistor Q2 and resistor R2, and the PNP transistor Q3 and resistor R3 described above each function as a voltage level conversion circuit. That is, since the voltage level of the abnormality detection signal output from the battery protection ICs 11 to 13 is different, the level of the voltage level of the abnormality detection signal input to the OR circuit 3 is adjusted.
[0017]
The emitter terminal of the PNP transistor Q1 is also connected to the emitter terminal of the PNP transistor Q11. The collector terminal of the PNP transistor Q11 is connected to the negative terminal of the cell s1, and the base terminal is connected between the resistor R12 and the resistor R13 connected in series. Since one end of the resistor R12 is connected to the positive terminal of the cell s4, and one end of the resistor R13 is connected to the negative terminal of the cell s1, the base voltage of the PNP transistor Q11 is a battery composed of the cells s1 to s4. Is equal to a value obtained by dividing the voltage by resistors R12 and R13.
[0018]
Here, by setting the resistance values of the resistors R11, R12, and R13, the emitter voltage of the PNP transistor Q11 is set to be higher than the base voltage. The emitter voltage is set to be lower than the base voltage of the transistor Q1 when the H level signal indicating that the cells s1 to s4 are normal is output from the battery protection IC 11. As a result, when the H level signal is output from the battery protection IC 11, the emitter voltage of the PNP transistor Q1 becomes lower than the base voltage, so that the transistor Q1 remains off. On the other hand, since the emitter voltage of the PNP transistor Q11 is higher than the base voltage, the transistor Q11 is turned on. Therefore, while no abnormality is detected in the cells s1 to s4, a current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the resistor R11 and the transistor Q11.
[0019]
On the other hand, when the L level signal indicating that one of the cells s1 to s4 is abnormal (overcharged state or overdischarged state) is output from the battery protection IC 11, the PNP transistor Q1 Since the base voltage is lower than the emitter voltage, the transistor Q1 is turned on, and the emitter voltage of the PNP transistor Q11 is lower than the base voltage, so that the transistor Q11 is turned off. As a result, a current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the resistor R11, the transistor Q1, and the resistor R1, so that an H level signal is input to the OR circuit 3.
[0020]
That is, when no abnormality is detected in the cells s1 to s4, the transistor Q1 is turned off and the transistor Q11 is turned on, so that a current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the transistor Q11. However, when an abnormality is detected in the cells s1 to s4, the transistor Q1 is turned on and the transistor Q11 is turned off. As a result, the power source of the voltage level conversion circuit configured by the transistor Q1 and the resistor R1 is configured by the cells s1 to s12. Therefore, even when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC 11, each cell s1 There is no difference in voltage between ~ s12.
[0021]
The same applies to the operations of the transistor Q2 and the transistor Q21 when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC 12. The emitter terminal of the PNP transistor Q2 is also connected to the emitter terminal of the PNP transistor Q21. The collector terminal of the PNP transistor Q21 is connected to the negative terminal of the cell s1, and the base terminal is connected between the resistor R22 and the resistor R23 connected in series. Since one end of the resistor R22 is connected to the positive terminal of the cell s8 and one end of the resistor R23 is connected to the negative terminal of the cell s5, the base voltage of the PNP transistor Q21 is a battery composed of the cells s5 to s8. Is equal to a value obtained by dividing the voltage by resistors R22 and R23.
[0022]
As described above, the emitter voltage of the PNP transistor Q21 is set to be higher than the base voltage by setting the resistance values of the resistors R21, R22, and R23. The emitter voltage is set to be lower than the base voltage of the transistor Q2 when the H level signal indicating that the cells s5 to s8 are normal is output from the battery protection IC 12. Thus, when the H level signal is output from the battery protection IC 12, the transistor Q2 remains off and the transistor Q21 turns on. Therefore, while no abnormality is detected in the cells s5 to s8, a current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the resistor R21 and the transistor Q21.
[0023]
On the other hand, when an L level signal indicating that any one of the cells s5 to s8 is abnormal (overcharged state or overdischarged state) is output from the battery protection IC 12, the transistor Q2 is turned on, Transistor Q21 is turned off. As a result, a current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the resistor R21, the transistor Q2, and the resistor R2, and thus an H level signal is input to the OR circuit 3. As a result, since the power source of the voltage level conversion circuit configured by the transistor Q2 and the resistor R2 is configured by the cells s1 to s12, even when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC 12, each cell s1 There is no difference in voltage between ~ s12.
[0024]
The same applies to the operations of the transistor Q3 and the transistor Q31 when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC13. Since the connection relationship and operating characteristics of the transistors Q3 and Q31 are the same as those of the transistors Q1 and Q11 and the transistors Q2 and Q21 described above, detailed description thereof is omitted. Also in this case, when an L level signal indicating abnormality of any of the cells s9 to s12 is output from the battery protection IC 13, the transistor Q3 is turned on and the transistor Q31 that was turned on is turned off. As a result, the power source of the voltage level conversion circuit configured by the transistor Q3 and the resistor R3 is configured by the cells s1 to s12. Therefore, even when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC 13, each cell s1 There is no difference in voltage between ~ s12.
[0025]
The abnormality detection signals output from the battery protection ICs 11 to 13 are adjusted in voltage level by the transistor Q1 and the resistor R1, the transistor Q2 and the resistor R2, and the transistor Q3 and the resistor R3 that function as a voltage level conversion circuit. Then, it is input to the OR circuit 3. Since the OR circuit 3 calculates a logical sum of the input signals, when any one of the battery protection ICs 11 to 13 outputs a signal indicating a cell abnormality (overcharge state or overdischarge state), An H level signal indicating that one of the cells s1 to s12 is abnormal is input from the circuit 3 to the charge / discharge control circuit 4. The charge / discharge control circuit controls charging / discharging of the assembled battery 1 based on a signal from the OR circuit 3.
[0026]
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of an assembled battery abnormality detection device that does not include the transistors Q11, Q21, Q31, and the like as provided in the assembled battery abnormality detection device according to the first embodiment. Constituent elements that are the same as the constituent elements of the battery pack abnormality detection device shown in FIG.
[0027]
When an overcharge state or an overdischarge state of at least one cell s1 to s4 is detected by the battery protection IC 11 for four cells, an L level signal is output, so that the PNP transistor Q1 is turned on. Similarly, when an overcharge state or an overdischarge state of at least one of the cells s5 to s8 is detected by the battery protection IC 12, an L level signal is output, the PNP transistor Q2 is turned on, and the battery protection IC 13 When an overcharged state or an overdischarged state of at least one cell s9 to s12 is detected, an L level signal is output and the PNP transistor Q3 is turned on.
[0028]
As in the battery pack abnormality detection device shown in FIG. 1, the PNP transistor Q1 and the resistor R1, the PNP transistor Q2 and the resistor R2, and the PNP transistor Q3 and the resistor R3 function as voltage level conversion circuits. That is, the level of the voltage level of the abnormality detection signal input to the OR circuit 3 is adjusted. Therefore, for example, when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC 11, current flows from the positive terminal of the cell s 4 to the negative terminal of the cell s 1 via the transistor Q 1 and the resistor R 1. Thus, a difference occurs between the voltages of the cells s5 to s12 in which no current flows.
[0029]
Similarly, when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC 12, the transistor Q2 is turned on, so that a current flows from the positive terminal of the cell s8 to the negative terminal of the cell s1 via the transistor Q2 and the resistor R2. There will be a difference between the voltage of the cells s1 to s8 and the voltage of the cells s9 to s12 through which no current flows.
[0030]
On the other hand, according to the assembled battery abnormality detection device in the first embodiment, even when an abnormality detection signal is output by the above-described method, a difference occurs in the voltage between the cells s1 to s12. Is suppressed. That is, in the transistors Q1, Q2, and Q3 constituting the voltage level conversion circuit that adjusts the voltage level of the signal indicating the abnormality of the cell output from the battery protection ICs 11 to 13, the base terminal that is the control terminal is connected to the battery protection ICs 11 to 13. The emitter terminal that is the first terminal was connected to the positive terminal of the assembled battery 1, and the collector terminal that was the second terminal was connected to the negative terminal of the assembled battery 1. In the transistors Q1, Q2, and Q3, when the abnormality detection signal is not output from the battery protection ICs 11 to 13, the transistors Q1, Q2, and Q3 are turned off. When the abnormality detection signal is output, the transistors Q1, Q2, and Q3 are output. Q3 was turned on. Thereby, when the abnormality detection signal is output, all the cells s1 to s12 constituting the assembled battery 1 are used as the power source of the voltage level conversion circuit, so that a voltage difference occurs between the cells s1 to s12. Can be prevented.
[0031]
In order to turn off the transistors Q1 to Q3 when the abnormality detection signal is not output from the battery protection ICs 11 to 13, and to turn on the corresponding transistors Q1 to Q3 when the abnormality detection signal is output, the resistor R11 To R31 and transistors Q11 to Q31 are provided. That is, the emitter terminals of the transistors Q11 to Q31 are connected to the emitter terminals of the transistors Q1 to Q3, the collector terminal is connected to the negative terminal of the assembled battery 1, and the resistors R11 to R31 are connected between the emitter terminal and the positive terminal of the assembled battery 1. Provided. Therefore, the transistors Q1 to Q3 can be controlled with a simple configuration.
[0032]
-Second Embodiment-
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the assembled battery abnormality detection device according to the second embodiment. The same components as those in the battery pack abnormality detection apparatus according to the first embodiment shown in FIG. The battery pack abnormality detection device according to the second embodiment is characterized by a method of applying a voltage to the base terminals of the transistors Q11, Q21, and Q31. That is, a voltage obtained by dividing the voltage of the assembled battery 1 using the resistors R12, R13, R22, R23, R32, and R33 connected in series is applied to the base terminals of the transistors Q11, Q21, and Q31.
[0033]
For example, the base voltage of the transistor Q11 is equal to the voltage divided by the resistors R12, R22, R23, R32, and R33 connected in series with the voltage of the assembled battery 1 and the resistor R13. The base voltage of the transistor Q21 is equal to the voltage obtained by dividing the voltage of the assembled battery 1 by the resistors R22, R32, R33 connected in series and the resistors R12, R13, R23 connected in series. Furthermore, the base voltage of the transistor Q31 is equal to the voltage obtained by dividing the voltage of the assembled battery 1 by the resistor R32 and the resistors R12, R13, R22, R23, and R33 connected in series.
[0034]
Here, as described above, the emitter voltage of the PNP transistor Q11 is set to be higher than the base voltage, and the emitter voltage is H level indicating that the cells s1 to s4 are normal from the battery protection IC11. It is set to be lower than the base voltage of the transistor Q1 when the signal is output. Thus, when no abnormality is detected in the cells s1 to s4, the transistor Q1 is turned off and the transistor Q11 is turned on, so that a current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the transistor Q11. However, when an abnormality is detected in the cells s1 to s4, the transistor Q1 is turned on and the transistor Q11 is turned off. That is, since the power source of the voltage level conversion circuit configured by the transistor Q1 and the resistor R1 is configured by the cells s1 to s12, similarly to the battery pack abnormality detection device in the first embodiment, the battery Even when an abnormality detection signal is output from the protection IC 11, no voltage difference occurs between the cells s1 to s12.
[0035]
Although the description is omitted, the same operation is performed when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC 12 and the battery protection IC 13. That is, in the battery pack abnormality detection device in the second embodiment, the method of applying a voltage to the base terminals of the transistors Q11, Q21, and Q31 is only different from the battery pack abnormality detection device in the first embodiment. Thus, when a signal indicating cell abnormality is output from the battery protection ICs 11 to 13, the effect of preventing a voltage difference between the cells s1 to s12 remains the same.
[0036]
-Third embodiment-
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the assembled battery abnormality detection device according to the third embodiment. The same components as those in the battery pack abnormality detection apparatus according to the first embodiment shown in FIG. In the assembled battery abnormality detection device in the first and second embodiments, the PNP transistors Q1 to Q3 are used as the voltage level conversion circuit. However, in the assembled battery abnormality detection device in the third embodiment, the NPN Transistors Q4 to Q6 are used.
[0037]
FIG. 5 is a diagram showing a detailed configuration of the battery protection IC 11a. The difference from the battery protection IC 11 is that the inverter INV is not provided. That is, when at least one of the cells s1 to s4 is in an overcharge state or an overdischarge state, an H level signal is output from the battery protection IC 11a. Similarly, when at least one of the cells s5 to s8 is overcharged or overdischarged, an H level signal is output from the battery protection IC 12a, and at least one of the cells s9 to s12 is output. When the battery is overcharged or overdischarged, the battery protection IC 13a outputs an H level signal.
[0038]
The base terminal of the NPN transistor Q4 is connected to the output terminal of the battery protection IC 13a. Further, the collector terminal of the NPN transistor Q4 is connected to the positive terminal of the uppermost cell s12 among the plurality of cells s1 to s12 constituting the assembled battery 1 through the resistor R4, and the emitter terminal is connected to the resistor R41. And connected to the negative terminal of the lowest cell s1 among the plurality of cells s1 to s12 constituting the assembled battery 1. The abnormality detection signal output from the battery protection IC 13a is input to the OR circuit 3a by the operation described later of the NPN transistor Q4.
[0039]
Similarly, the base terminal of the NPN transistor Q5 is connected to the output terminal of the battery protection IC 12a, the collector terminal is connected to the positive terminal of the cell s12 via the resistor R5, and the emitter terminal is connected to the resistor R51. The negative electrode terminal of the cell s1 is connected. The abnormality detection signal output from the battery protection IC 12a is input to the OR circuit 3a by the operation described later of the NPN transistor Q5. The base terminal of the NPN transistor Q6 is connected to the output terminal of the battery protection IC 11a, the collector terminal is connected to the positive terminal of the cell s12 via the resistor R6, and the emitter terminal is connected to the cell via the resistor R61. It is connected to the negative terminal of s1. The abnormality detection signal output from the battery protection IC 11a is input to the OR circuit 3a via the NPN transistor Q6 by an operation described later.
[0040]
The emitter terminal of the NPN transistor Q4 is also connected to the emitter terminal of the NPN transistor Q41. The collector terminal of the NPN transistor Q41 is connected to the positive terminal of the cell s12, and the base terminal is connected between the resistor R42 and the resistor R43 connected in series. Since one end of the resistor R43 is connected to the positive terminal of the cell s12 and one end of the resistor R42 is connected to the negative terminal of the cell s9, the base voltage of the NPN transistor Q41 is a battery composed of the cells s9 to s12. Is equal to a value obtained by dividing the voltage by resistors R42 and R43.
[0041]
Here, the emitter voltage of the NPN transistor Q41 is set lower than the base voltage by setting the resistance values of the resistors R41, R42, and R43. The emitter voltage is set to be higher than the base voltage of the transistor Q4 when an L level signal indicating that the cells s9 to s12 are normal is output from the battery protection IC 13a. Thereby, when the L level signal is output from the battery protection IC 13, the emitter voltage of the NPN transistor Q41 is lower than the base voltage, so that the transistor Q41 is turned on. On the other hand, since the emitter voltage of the NPN transistor Q4 is higher than the base voltage, the transistor Q4 remains off. Therefore, while no abnormality is detected in the cells s9 to s12, a current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the transistor Q41 and the resistor R41.
[0042]
On the other hand, when an H level signal indicating that any of the cells s9 to s12 is abnormal (overcharged state or overdischarged state) is output from the battery protection IC 13a, the NPN transistor Q4 Since the base voltage is higher than the emitter voltage, the transistor Q4 is turned on, and the base voltage of the NPN transistor Q41 is lower than the emitter voltage, so that the transistor Q41 is turned off. As a result, current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the resistor R4, the transistor Q4, and the resistor R41, so that an H level signal is input to the OR circuit 3a.
[0043]
That is, when no abnormality is detected in the cells s9 to s12, the transistor Q4 is turned off and the transistor Q41 is turned on, so that a current flows from the positive terminal of the cell s12 to the negative terminal of the cell s1 via the transistor Q41. However, when an abnormality is detected in the cells s9 to s12, the transistor Q4 is turned on and the transistor Q41 is turned off. As a result, the power source of the voltage level conversion circuit configured by the transistor Q4 and the resistor R4 is configured by the cells s1 to s12. Therefore, even when an abnormality detection signal is output from the battery protection IC 13a, each cell s1. There is no difference in voltage between ~ s12.
[0044]
Since the connection relation and operation characteristics of the transistors Q5 and Q51 and the connection relation and operation characteristics of the transistors Q6 and Q61 are the same as those of the transistors Q4 and Q41 described above, detailed description thereof is omitted. Also in this case, when the H level signal indicating abnormality of any of the cells s5 to s8 is output from the battery protection IC 12a, the transistor Q5 is turned on and the transistor Q51 that was turned off is turned off. Further, when an H level signal indicating abnormality of any of the cells s1 to s4 is output from the battery protection IC 11a, the transistor Q6 is turned on and the transistor Q61 that was turned on is turned off. As a result, the power source of the voltage level conversion circuit constituted by the transistor Q5 and the resistor R5, and the transistor Q6 and the resistor R6 is constituted by the cells s1 to s12. Even when is output, no voltage difference occurs between the cells s1 to s12.
[0045]
According to the battery pack abnormality detection device of the third embodiment, even when an NPN transistor is used in the voltage level conversion circuit, a voltage difference is generated between the cells s1 to s12 when an abnormality detection signal is output. Can be prevented. That is, in the transistors Q4, Q5, and Q6 constituting the voltage level conversion circuit that adjusts the voltage level of the signal indicating the abnormality of the cells output from the battery protection ICs 11a to 13a, the base terminal that is the control terminal is connected to the battery protection ICs 11a to 13a. The collector terminal as the first terminal was connected to the positive terminal of the assembled battery 1, and the emitter terminal as the second terminal was connected to the negative terminal of the assembled battery 1. In the transistors Q4 to Q6, when the abnormality detection signal is not output from the battery protection ICs 11a to 13a, the transistors Q4 to Q6 are turned off. When the abnormality detection signal is output, the transistors Q4 to Q6 are turned on. did. Thereby, when the abnormality detection signal is output, all the cells s1 to s12 constituting the assembled battery 1 are used as the power source of the voltage level conversion circuit, so that a voltage difference occurs between the cells s1 to s12. Can be prevented.
[0046]
-Fourth embodiment-
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an abnormality detection apparatus for an assembled battery according to the fourth embodiment. The same components as those in the assembled battery abnormality detection device in the third embodiment shown in FIG. 4 are given the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. The relationship between the assembled battery abnormality detection device in the third embodiment and the assembled battery abnormality detection device in the fourth embodiment is the same as that of the assembled battery abnormality detection device in the first embodiment. It is the same as that of the relationship with the abnormality detection apparatus of the assembled battery in the form of. That is, the battery pack abnormality detection apparatus according to the fourth embodiment is characterized by a method of applying a voltage to the base terminals of the transistors Q41, Q51, and Q61.
[0047]
A voltage obtained by dividing the voltage of the assembled battery 1 using resistors R42, R43, R52, R53, R62, and R63 connected in series is applied to the base terminals of the transistors Q41, Q51, and Q61. For example, the base voltage of the transistor Q41 becomes equal to the voltage divided by the resistors R42, R52, R53, R62, and R63 connected in series with the voltage of the assembled battery 1 and the resistor R43. The base voltage of the transistor Q51 is equal to the voltage obtained by dividing the voltage of the assembled battery 1 by the resistors R52, R62, and R63 connected in series and the resistors R42, R43, and R53 connected in series. Further, the base voltage of the transistor Q61 is equal to the voltage obtained by dividing the voltage of the assembled battery 1 by the resistor R62 and the resistors R42, R43, R52, R53, and R63 connected in series.
[0048]
Resistance is set so that the relationship between the base voltage and the emitter voltage of the NPN transistor Q4 and the relationship between the base voltage and the emitter voltage of the NPN transistor Q41 are the same as those in the battery pack abnormality detection device according to the third embodiment. The resistance values of R41 to R43, R51 to R53, and R61 to R63 are determined. Thereby, for example, when the abnormality of the cells s9 to s12 is not detected, the transistor Q4 is turned off and the transistor Q41 is turned on. When the abnormality of the cells s9 to s12 is detected, the transistor Q4 is turned on and the transistor Q4 is turned on. Q41 turns off. That is, since the power source of the voltage level conversion circuit configured by the transistor Q4 and the resistor R4 is configured by the cells s1 to s12, as in the battery pack abnormality detection device according to the third embodiment, the battery Even when an abnormality detection signal is output from the protection IC 13a, no voltage difference occurs between the cells s1 to s12.
[0049]
Although the description is omitted, the same applies to the operation when the abnormality detection signal is output from the battery protection IC 11a and the battery protection IC 12a. That is, in the battery pack abnormality detection device in the fourth embodiment, the method of applying a voltage to the base terminals of the transistors Q41, Q51, and Q61 is only different from the battery pack abnormality detection device in the third embodiment. Thus, the effect of preventing a voltage difference between the cells s1 to s12 when the signals indicating cell abnormality are output from the battery protection ICs 11a to 13a remains the same.
[0050]
The present invention is not limited to the embodiment described above. For example, although a PNP transistor or a bipolar transistor such as an NPN transistor is used for the voltage level conversion circuit, a field effect transistor can also be used. In addition, when a cell abnormality is detected, current flows through the transistors Q11 to Q31 or the transistors Q41 to Q61, so that the power of the assembled battery 1 is consumed. Therefore, when the flowing current is large, the power consumption is reduced. Such a sleep mode may be provided.
[0051]
The correspondence between the constituent elements of the claims and the constituent elements of the embodiment is as follows. That is, the battery protection ICs 11 to 13 and 11a to 13a serve as an abnormality detection circuit, a transistor Q1 and a resistor R1, a transistor Q2 and a resistor R2, a transistor Q3 and a resistor R3, a transistor Q4 and a resistor R4, a transistor Q5 and a resistor R5, and a transistor Q6 and resistor R6 constitute a voltage level conversion circuit, and transistors Q11, Q21, Q31, resistors R11-R13, R21-R23, R31-R33 constitute control means. Transistors Q1 to Q6 constitute a first transistor, and transistors Q11, Q21, Q31, Q41, Q51, and Q61 constitute a second transistor. In addition, as long as the characteristic function of this invention is not impaired, each component is not limited to the said structure.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment of a battery pack abnormality detection apparatus according to the present invention;
FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of the battery protection IC according to the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an assembled battery abnormality detection device according to a second embodiment.
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an assembled battery abnormality detection device according to a third embodiment;
FIG. 5 is a diagram showing a detailed configuration of a battery protection IC according to a third embodiment.
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of an assembled battery abnormality detection device according to a fourth embodiment.
FIG. 7 is a diagram for explaining the effect of the assembled battery abnormality detection device according to the first embodiment;
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Battery assembly, 3, 3a, 21-23 ... OR circuit, 4 ... Charge / discharge control circuit, 11-13, 11a-13a ... Battery protection IC, s1-s12 ... Cell, a1-a4 ... Overcharge detection circuit, b1-b4 ... over discharge detection circuit, Q1, Q2, Q3, Q11, Q12, Q13 ... PNP transistor, Q4, Q5, Q6, Q41, Q51, Q61 ... NPN transistor, R1-R6, R41-R43, R51-R53 , R61 to R63 ... resistors, INV ... inverter

Claims

In the battery pack abnormality detection device configured by connecting a plurality of cells in series,
When the voltage of a predetermined number of cells among the plurality of cells connected in series is used as a drive source, an abnormality of a predetermined number of cells is detected, and when a cell abnormality is detected and when no cell abnormality is detected A plurality of abnormality detection circuits that output signals of different voltage levels ,
A plurality of voltage level conversion circuits that are provided for each of the plurality of abnormality detection circuits and convert voltage levels of signals output from the corresponding abnormality detection circuits;
A plurality of control means for controlling each of the plurality of voltage level conversion circuits,
Each of the voltage level conversion circuits has a control terminal connected to the output terminal of the abnormality detection circuit, a first terminal connected to a positive terminal of the assembled battery, and a second terminal connected to a negative terminal of the assembled battery. A first transistor connected;
The voltage level of the signal that is output when the abnormality detection circuit detects a cell abnormality is one of a high-voltage side potential and a low-voltage side potential of a predetermined number of cells serving as voltage driving sources, The voltage level of the signal output when no abnormality of the cell is detected is the other potential of the high voltage side potential and the low voltage side potential,
Each of the plurality of control means turns on the first transistor when a signal indicating that the abnormality of the corresponding cell is detected is output from the abnormality detection circuit, and does not detect the abnormality of the cell. abnormality detecting device of the battery pack, characterized in that to turn off the at the first transistor signal is output indicating.

In the assembled battery abnormality detection device according to claim 1,
Each of the plurality of control means includes a first resistor connected between the first terminal of the first transistor and a positive electrode terminal of the assembled battery, and a first terminal connected to the first transistor. A second transistor connected to the first terminal of the battery, and a second terminal connected to a negative electrode terminal of the assembled battery,
It said second transistor indicates that the signal indicating that the abnormality of the corresponding cell from the abnormality detecting circuit is not detected is turned on during output, detects an abnormality of the corresponding cell from the abnormality detecting circuit An assembled battery abnormality detection device, which is turned off when a signal is output and the first transistor is turned on.

In the assembled battery abnormality detection device according to claim 2,
The assembled battery abnormality detection device, wherein the first transistor and the second transistor are PNP transistors, the first terminal is an emitter terminal, and the second terminal is a collector terminal.

In the assembled battery abnormality detection device according to claim 1,
Each of the plurality of control means includes a first resistor connected between the second terminal of the first transistor and a negative terminal of the assembled battery, and a first terminal connected to the positive electrode of the assembled battery. A second transistor connected to the terminal, a second terminal connected to the second terminal of the first transistor,
The second transistor, the abnormality detection circuit of the corresponding cell abnormality is turned on during signal is output indicating that it has not been detected, characterized in that it off when the first transistor is turned on A battery pack abnormality detection device.

In the assembled battery abnormality detection device according to claim 4,
The assembled battery abnormality detection device, wherein the first transistor and the second transistor are NPN transistors, wherein the first terminal is a collector terminal and the second terminal is an emitter terminal.

In the assembled battery abnormality detection device according to any one of claims 2 to 5,
Each of the plurality of control means includes a second resistor and a third resistor connected in series between the highest cell and the lowest cell of a predetermined number of cells corresponding to the abnormality detection circuit. Further comprising
The control terminal of the second transistor is connected to a connection portion of the second resistor and the third resistor, and the battery pack abnormality detection device is characterized in that:

In the assembled battery abnormality detection device according to any one of claims 2 to 5,
An assembled battery abnormality detection device, wherein a voltage obtained by dividing the voltage of the assembled battery is applied to a control terminal of the second transistor.