JP3763632B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents

Description

（式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₈ は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関して詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、チオエピンドリジオン誘導体を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟持してなるものである。
本発明に係るチオエピンドリジオン誘導体としては、特に限定するものではないが、好ましくは、一般式（１）（化３）で表される化合物である。
【０００７】
【化３】

（式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₈ は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）
【０００８】
一般式（１）で表される化合物において、Ｘ₁ 〜Ｘ₈ は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基あるいは置換または未置換のアリール基を表し、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子）、炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、tert−オクチル基、２−エチルヘキシル基など）、炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec −ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基など）、あるいは炭素数６〜１０の置換または未置換のアリール基（例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基など）であり、より好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数６〜１０のアリール基である。
【０００９】
本発明に係るチオエピンドリジオン誘導体の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
尚、チオエピンドリジオン誘導体の命名は、その類縁化合物であるエピンドリジオン誘導体の命名法〔例えば、J. Org. Chem., 33 、4004 (1968) に記載〕に準じた。
・例示化合物
番号
１． チオエピンドリジオン
２． １−フルオロチオエピンドリジオン
３． ２−クロロチオエピンドリジオン
４． ３−クロロチオエピンドリジオン
５． ４−クロロチオエピンドリジオン
６． １，８−ジフルオロチオエピンドリジオン
７． ２，８−ジクロロチオエピンドリジオン
８． ３，９−ジフルオロチオエピンドリジオン
９． １，２，８，９−テトラクロロチオエピンドリジオン
１０． １，３，７，９−テトラクロロチオエピンドリジオン
１１． １−メチルチオエピンドリジオン
１２． ２−メチルチオエピンドリジオン
１３． ３−エチルチオエピンドリジオン
１４． ２，３−ジメチルチオエピンドリジオン
１５． １，７−ジエチルチオエピンドリジオン
１６． ２，８−ジメチルチオエピンドリジオン
１７． ２，８−ジ−ｎ−ヘキシルチオエピンドリジオン
１８． ２−メチル−８−ｎ−ブチルチオエピンドリジオン
１９． ２−エチル−９−tert−ブチルチオエピンドリジオン
２０． ３，９−ジメチルチオエピンドリジオン
２１． ３，９−ジエチルチオエピンドリジオン
２２． ３，９−ジ−ｎ−ブチルチオエピンドリジオン
２３． ３，９−ジ−ｎ−ヘプチルチオエピンドリジオン
２４． ３−メチル−９−エチルチオエピンドリジオン
２５． ４，１０−ジメチルチオエピンドリジオン
２６． ４，１０−ジ（２’−エチルブチル）チオエピンドリジオン
２７． ４−メチル−９−エチルチオエピンドリジオン
２８． ２，３，８，９−テトラメチルチオエピンドリジオン
２９． ２，４，８，１０−テトラエチルチオエピンドリジオン
３０． １，２，３，７，８，９−ヘキサメチルチオエピンドリジオン
３１． ２，８−ジメチル−３，９−ジフルオロチオエピンドリジオン
３２． ３，９−ジメチル−２，８−ジクロロチオエピンドリジオン
【００１０】
３３． ２−メトキシチオエピンドリジオン
３４． ３−エトキシチオエピンドリジオン
３５． ２，３−ジメトキシチオエピンドリジオン
３６． ２，８−ジメトキシチオエピンドリジオン
３７． ２，８−ジ−ｎ−ブトキシチオエピンドリジオン
３８． ２，８−ジ−ｎ−ヘキシルオキシチオエピンドリジオン
３９． ３，９−ジメトキシチオエピンドリジオン
４０． ３，９−ジエトキシチオエピンドリジオン
４１． ３，９−ジ−ｎ−プロポキシチオエピンドリジオン
４２． ３，９−ジネオペンチルオキシチオエピンドリジオン
４３． ３，９−ジ−ｎ−ヘプチルオキシチオエピンドリジオン
４４． ４，１０−ジメトキシチオエピンドリジオン
４５． ４，１０−ジ−ｎ−プロポキシチオエピンドリジオン
４６． １，４，７，１０−テトラ−ｎ−ブトキシチオエピンドリジオン
４７． ２，３，８，９−テトラメトキシチオエピンドリジオン
４８． ２，８−ジメトキシ−３，９−ジエトキシチオエピンドリジオン
４９． １，２，３，７，８，９−ヘキサエトキシチオエピンドリジオン
５０． ２，８−ジメトキシ−３，９−ジメチルチオエピンドリジオン
５１． ３，９−ジメトキシ−２，８−ジクロロチオエピンドリジオン
５２． ３，９−ジ−ｎ−ブトキシ−２，８−ジメチルチオエピンドリジオン
５３． ２−フェニルチオエピンドリジオン
５４． ３−（４’−メチルフェニル）チオエピンドリジオン
５５． ３，９−ジフェニルチオエピンドリジオン
【００１１】
本発明に係るチオエピンドリジオン誘導体は其自体公知の方法に従って製造することができる。例えば、一般式（１）で表される化合物は、例えば、J. Org. Chem., 50 、3592 (1985) に記載の方法に従って製造することができる。すなわち、例えば、３−〔２−（メトキシカルボニル）フェニルチオ〕チオクロモン−４−オン誘導体とトリメチルシリルクロライドを作用させて製造される３−〔２−（メトキシカルボニル）フェニルチオ〕−４−（トリメチルシリルオキシ）−２−Ｈ−チオクロメンに、リチウムジイソプロピルアミドの存在下、トリメチルシリルクロライドを作用させた後、次亜塩素酸ナトリウムを作用させることにより製造することができる。
【００１２】
有機電界発光素子は、通常、一対の電極間に、少なくとも１種の発光成分を含有する発光層を少なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入輸送成分を含有する正孔注入輸送層または／および電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることもできる。
例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機能、正孔輸送機能または／および電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層または／および電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成とすることができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸送層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素子（一層型の素子）の構成とすることもできる。
また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を別々に設けて構成することもできる。
【００１３】
本発明の有機電界発光素子において、チオエピンドリジオン誘導体は、正孔注入輸送成分、発光成分または電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正孔注入輸送成分または発光成分に用いることがより好ましい。
本発明の有機電界発光素子においては、チオエピンドリジオン誘導体は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００１４】
本発明の有機電界発光素子の構成としては、特に限定するものではなく、例えば、（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素子（図４）などを挙げることができる。さらには、発光層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である（Ｅ）陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。（Ｄ）型の素子構成としては、例えば（Ｆ）正孔注入輸送成分、発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図６）、（Ｇ）正孔注入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図７）または（Ｈ）発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図８）がある。
本発明の有機電界発光素子においては、これらの素子構成に限るものではなく、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数層設けたりすることができる。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、正孔注入輸送成分と発光成分の混合層または／および発光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けることもできる。
より好ましい有機電界発光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子、（Ｇ）型素子または（Ｈ）型素子であり、さらに好ましくは、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、（Ｆ）型素子または（Ｈ）型素子である。
【００１５】
本発明の有機電界発光素子としては、例えば、（図１）に示す（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子について説明する。
（図１）において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。
【００１６】
本発明の有機電界発光素子は、基板１に支持されていることが好ましく、基板としては、特に限定するものではないが、透明ないし半透明であることが好ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート（例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリメチルメタアクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレンなどのシート）、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなるものを挙げることができる。
さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
【００１７】
陽極２としては、比較的仕事関数の大きい金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。
陽極に使用する電極物質としては、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）、ポリチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
陽極は、これらの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法により、基板の上に形成することができる。
また、陽極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。
陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／□以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定する。
陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。
【００１８】
正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
正孔注入輸送層は、チオエピンドリジオン誘導体および／または他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロシアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体など）を少なくとも１種用いて形成することができる。尚、正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００１９】
本発明において用いる他の正孔注入輸送機能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体（例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）アミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−[ Ｎ，Ｎ−ジ（４”−メチルフェニル）アミノ] フェニル〕シクロヘキサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−（４”−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス〔４”，４"'−ビス[ Ｎ’，Ｎ’−ジ（４−メチルフェニル）アミノ] ビフェニル−４−イル〕アニリン、４，４’，４”−トリス〔Ｎ−（３"'−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミンなど）、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体がより好ましい。
チオエピンドリジオン誘導体と他の正孔注入輸送機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占めるチオエピンドリジオン誘導体の割合は、好ましくは、０．１〜４０重量％程度に調製する。
【００２０】
発光層４は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。
発光層は、チオエピンドリジオン誘導体および／または他の発光機能を有する蛍光性化合物（例えば、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼン、４，４’−ビス（９”−エチニルアントラセニル）ビフェニル〕、有機金属錯体〔例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ[h] キノリノラート）ベリリウム、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾールの亜鉛塩、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル〕、クマリン誘導体〔例えば、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００〕、ピラン誘導体〔例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２〕、オキサゾン誘導体〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体など）を少なくとも１種用いて形成することができる。
本発明の有機電界発光素子においては、発光層にチオエピンドリジオン誘導体を含有していることが好ましい。
チオエピンドリジオン誘導体と他の発光機能を有する化合物を併用する場合、発光層中に占めるチオエピンドリジオン誘導体の割合は、好ましくは、０．００１〜９９．９９９重量％程度、より好ましくは、０．０１〜９９．９９重量％程度、さらに好ましくは、０．１〜９９．９重量％程度に調製する。
【００２１】
本発明において用いる他の発光機能を有する化合物としては、発光性有機金属錯体がより好ましい。例えば、J. Appl. Phys., 65、3610 (1989) 、特開平５−２１４３３２号公報に記載のように、発光層をホスト化合物とゲスト化合物（ドーパント）とより構成することもできる。チオエピンドリジオン誘導体を、ホスト化合物として用いて発光層を形成することができ、さらには、ゲスト化合物として用いて発光層を形成することもできる。
チオエピンドリジオン誘導体を、ゲスト化合物として用いて発光層を形成する場合、ホスト化合物としては、発光性有機金属錯体が好ましい。
この場合、発光性有機金属錯体に対して、チオエピンドリジオン誘導体を、好ましくは、０．００１〜４０重量％程度、より好ましくは、０．０１〜３０重量％程度、特に好ましくは、０．１〜１０重量％程度使用する。
【００２２】
チオエピンドリジオン誘導体と併用する発光性有機金属錯体としては、特に限定するものではないが、発光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未置換の８−キノリノラート配位子を有する発光性有機アルミニウム錯体がより好ましい。
好ましい発光性有機金属錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることができる。
（Ｑ）₃ −Ａｌ （ａ）
（式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表す）
（Ｑ）₂ −Ａｌ−Ｏ−Ｌ （ｂ）
（式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ−Ｌはフェノラート配位子であり、Ｌはフェニル部分を含む炭素数６〜２４の炭化水素基を表す）
（Ｑ）₂ −Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）₂ （ｃ）
（式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表す）
【００２３】
発光性有機金属錯体の具体例としては、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、
ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、
【００２４】
ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウムなどを挙げることができる。勿論、発光性有機金属錯体は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００２５】
電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
電子注入輸送層は、チオエピンドリジオン誘導体および／または他の電子注入輸送機能を有する化合物（例えば、有機金属錯体〔例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ[h] キノリノラート）ベリリウム〕、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体など）を少なくとも１種用いて形成することができる。
チオエピンドリジオン誘導体と他の電子注入輸送機能を有する化合物を併用する場合、電子注入輸送層中に占めるチオエピンドリジオン誘導体の割合は、好ましくは、０．１重量％以上、より好ましくは、０．１〜４０重量％程度、さらに好ましくは、０．２〜３０重量％程度、特に好ましくは、０．５〜２０重量％程度に調製する。
本発明においては、チオエピンドリジオン誘導体と有機金属錯体〔例えば、前記一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物〕を併用して、電子注入輸送層を形成することは好ましい。
【００２６】
陰極６としては、比較的仕事関数の小さい金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。
陰極に使用する電極物質としては、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜等を挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
陰極は、これらの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法等の方法により、電子注入輸送層の上に形成することができる。
また、陰極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。
尚、陰極のシート電気抵抗は、数百Ω／□以下に設定するのが好ましい。
陰極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。
尚、有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極が、透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透過率が７０％以上となるように陽極の材料、厚みを設定することがより好ましい。
【００２７】
また、本発明の有機電界発光素子においては、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャーが含有されていてもよい。
一重項酸素クエンチャーとしては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げられ、特に好ましくは、ルブレンである。
一重項酸素クエンチャーが含有されている層としては、特に限定するものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャーを含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させてもよい。
一重項酸素クエンチャーの含有量としては、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％である。
【００２８】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼット法など）により薄膜を形成することにより作製することができる。
真空蒸着法により、各層を形成する場合、真空蒸着の条件は、特に限定するものではないが、１０^-5Torr程度以下の真空下で、５０〜４００℃程度のボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／sec 程度の蒸着速度で実施することが好ましい。
この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連続して形成することにより、諸特性に一層優れた有機電界発光素子を製造することができる。
真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を用いて形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好ましい。
【００２９】
溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用しうるバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタアクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体等の高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００３０】
溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等を、適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレン等の炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイド等の極性溶媒）に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成することができる。
尚、分散する方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を用いて微粒子状に分散することができる。
塗布液の濃度に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗布法により、所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設定することができ、一般には、０．１〜５０重量％程度、好ましくは、１〜３０重量％程度の溶液濃度である。
尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に関しては、特に限定するものではないが、一般には、各層を形成する成分に対して（一層型の素子を形成する場合には、各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％程度、好ましくは、１０〜９９重量％程度、より好ましくは、１５〜９０重量％程度に設定する。
【００３１】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般に、５ｎｍ〜５μｍ程度に設定することが好ましい。
尚、作製した素子に対し、酸素や水分等との接触を防止する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また素子を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカーボン油などの不活性物質中に封入して保護することができる。
保護層に使用する材料としては、例えば、有機高分子材料（例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド）、無機材料（例えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、金属硫化物）、さらには光硬化性樹脂などを挙げることができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
また、電極に保護膜として、例えば、金属酸化膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜を設けることもできる。
また、例えば、陽極の表面に、例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体から成る界面層（中間層）を設けることもできる。
さらに、電極、例えば、陽極はその表面を、例えば、酸、アンモニア／過酸化水素、あるいはプラズマで処理して使用することもできる。
【００３２】
本発明の有機電界発光素子は、一般に、直流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型または交流駆動型の素子としても使用することができる。
尚、印加電圧は、一般に、２〜３０Ｖ程度である。
本発明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。
【００３３】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、勿論、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
まず、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムとチオエピンドリジオン（例示化合物番号１の化合物）を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：０．５）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５５ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２１５０ｃｄ／ｍ² の黄緑色の発光が確認された。
【００３４】
実施例２〜１１
実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物番号１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号３の化合物（実施例２）、例示化合物番号８の化合物（実施例３）、例示化合物番号１３の化合物（実施例４）、例示化合物番号１６の化合物（実施例５）、例示化合物番号２２の化合物（実施例６）、例示化合物番号２４の化合物（実施例７）、例示化合物番号３４の化合物（実施例８）、例示化合物番号３９の化合物（実施例９）、例示化合物番号４７の化合物（実施例１０）、例示化合物番号５３の化合物（実施例１１）を使用した以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、黄緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１）に示した。
【００３５】
比較例１
実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物番号１の化合物を使用せずに、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムだけを用いて、５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表に示した。
【００３６】
比較例２
実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物番号１の化合物を使用する代わりに、Ｎ−メチル−２−メトキシアクリドンを使用した以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表に示した。
【００３７】
【表１】

【００３８】
実施例１２
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
まず、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウムとチオエピンドリジオンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２１７０ｃｄ／ｍ² の黄緑色の発光が確認された。
【００３９】
実施例１３
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
まず、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムと３−クロロチオエピンドリジオンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５７ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２１２０ｃｄ／ｍ² の黄緑色の発光が確認された。
【００４０】
実施例１４
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
まず、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウムと２−メチルチオエピンドリジオンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、６０ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２１３０ｃｄ／ｍ² の黄緑色の発光が確認された。
【００４１】
実施例１５
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
まず、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと２−メトキシチオエピンドリジオンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１９７０ｃｄ／ｍ² の黄緑色の発光が確認された。
【００４２】
実施例１６
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
まず、チオエピンドリジオンを、蒸着速度０．１ｎｍ／sec で２０ｎｍの厚さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とした。
次いで、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５５ｎｍの厚さに蒸着し、第二正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１４Ｖの直流電圧を印加したところ、５２ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２１６０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。
【００４３】
実施例１７
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
まず、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、チオエピンドリジオンを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。
次いで、その上に、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１４Ｖの直流電圧を印加したところ、４８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１８４０ｃｄ／ｍ² の橙黄色の発光が確認された。
【００４４】
実施例１８
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
まず、チオエピンドリジオンを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５５ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。
次いで、その上に、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１０５０ｃｄ／ｍ² の橙黄色の発光が確認された。
【００４５】
実施例１９
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。
次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１５００００）、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（青色の発光成分）、クマリン６〔”３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン”（緑色の発光成分）〕、およびチオエピンドリジオンを、それぞれ重量比１００：５：３：２の割合で含有する３重量％ジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート法により、４００ｎｍの発光層を形成した。
次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
さらに、発光層の上に、３−（４’−tert−ブチルフェニル）−４−フェニル−−５−（４”−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾールを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０ｎｍの厚さに蒸着した後、さらにその上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で３０ｎｍの厚さに蒸着し電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、７４ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１０２０ｃｄ／ｍ² の白色の発光が確認された。
【００４６】
実施例２０
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。
次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１５００００）、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンおよび２−エチル−９−tert−ブチルチオエピンドリジオンを、それぞれ重量比１００：３０：３の割合で含有する３重量％ジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート法により、３００ｎｍの発光層を形成した。
次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
さらに、発光層の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、７６ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１１２０ｃｄ／ｍ² の橙黄色の発光が確認された。
【００４７】
比較例３
実施例２０において、発光層の形成に際して、２−エチル−９−tert−ブチルチオエピンドリジオンの代わりに、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンを使用した以外は、実施例２０に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、８６ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度６８０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。
【００４８】
実施例２１
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。
次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリカーボネート（重量平均分子量５００００）、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムおよびチオエピンドリジオンを、それぞれ重量比１００：４０：６０：１の割合で含有する３重量％ジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート法により、３００ｎｍの発光層を形成した。
次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
さらに、発光層の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６６ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度６５０ｃｄ／ｍ² の黄緑色の発光が確認された。
【００４９】
【発明の効果】
本発明により、発光輝度が優れた有機電界発光素子を提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図２】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図３】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図４】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図５】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図６】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図７】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図８】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【符号の説明】
１：基板
２：陽極
３：正孔注入輸送層
３ａ：正孔注入輸送成分
４：発光層
４ａ：発光成分
５：電子注入輸送層
５”：電子注入輸送層
５ａ：電子注入輸送成分
６：陰極
７：電源[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic electroluminescent device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, an inorganic electroluminescent element has been used as a panel-type light source such as a backlight. However, in order to drive the light emitting element, an alternating high voltage is required. Recently, an organic electroluminescence device (organic electroluminescence device: organic EL device) using an organic material as a luminescent material has been developed [Appl. Phys. Lett., 51 , 913 (1987)]. An organic electroluminescence device has a structure in which a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between an anode and a cathode, and excitons are injected by injecting electrons and holes into the thin film and recombining them. It is an element that emits light by using light emitted when this exciton is deactivated by generating (exciton). The organic electroluminescent element can emit light at a low direct current voltage of about several volts to several tens of volts, and various colors (for example, red, blue, green) can be selected by selecting the type of the fluorescent organic compound. ) Can be emitted. The organic electroluminescent element having such characteristics is expected to be applied to various light emitting elements, display elements and the like. However, in general, the luminance is low, which is not sufficient for practical use.
As a method for improving light emission luminance, an organic electroluminescent element using, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum as a host compound and a coumarin derivative or a pyran derivative as a guest compound (dopant) has been proposed as a light emitting layer. J. Appl. Phys., 65 , 3610 (1989)].
Further, as the light emitting layer, for example, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolate) aluminum is used as a host compound, and an acridone derivative such as N-methyl-2-methoxyacridone is used as a guest compound. An organic electroluminescent device has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 8-67873). However, it cannot be said that these light-emitting elements also have sufficient light emission luminance.
At present, an organic electroluminescence device that emits light with higher luminance is desired.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
The subject of this invention is providing the organic electroluminescent element which is excellent in luminous efficiency, and light-emits with high brightness | luminance.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies on the organic electroluminescent device, the present inventors have completed the present invention. That is, the present invention
(1) An organic electroluminescent device comprising at least one layer containing at least one thioependridione derivative between a pair of electrodes,
(2) The organic electroluminescent device according to (1), wherein the layer containing at least one thioependridione derivative is a light emitting layer,
(3) The organic electroluminescent device as described in (1) or (2), wherein the layer containing at least one thioependridione derivative contains a luminescent organometallic complex,
(4) The organic electroluminescent device according to (1), wherein the layer containing at least one thioependridione derivative is a hole injection transport layer,
(5) The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (4), further comprising a hole injecting and transporting layer between the pair of electrodes.
(6) The organic electroluminescent device as described in any one of (1) to (5), further comprising an electron injection / transport layer between the pair of electrodes.
(7) The organic electroluminescent device according to (1) to (6), wherein the thioependridione derivative is a compound represented by the general formula (1) (Chemical formula 2).
[0005]
[Chemical 2]

(Wherein X _{1 to} X ₈ represent a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group)
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The organic electroluminescent element of the present invention comprises at least one layer containing at least one thioependridione derivative between a pair of electrodes.
The thioependridione derivative according to the present invention is not particularly limited, but is preferably a compound represented by the general formula (1) (Formula 3).
[0007]
[Chemical 3]

(Wherein X _{1 to} X ₈ represent a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group)
[0008]
In the compound represented by the general formula (1), X _{1 to} X ₈ are a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl. Preferably a hydrogen atom, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom), a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, n -Propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, n-heptyl group, cyclohexyl Methyl group, n-octyl group, tert-octyl group, 2-ethylhexyl group, etc.), linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 8 carbon atoms (examples) For example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, n-hexyloxy group, cyclohexyloxy group N-heptyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, etc., or substituted or unsubstituted aryl groups having 6 to 10 carbon atoms (for example, phenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methyl) Phenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-n-propylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 2-methoxyphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 3-ethoxyphenyl group, 3 -Fluorophenyl group, 4-chlorophenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, and the like. Details, a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms.
[0009]
Specific examples of the thioependridione derivative according to the present invention include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.
The nomenclature of the thioependridione derivative was in accordance with the nomenclature of the related compound ependridione derivative (for example, described in J. Org. Chem., 33 , 4004 (1968)).
Exemplified compound number 1. 1. Thioependridione 1-fluorothioependridione3. 2-chlorothioepindridione4. 3. 3-Chlorothioepin doridione 4-chlorothioependridione6. 1,8-difluorothioepindridione 2,8-dichlorothioepindridione 8. 3,9-difluorothioepindridione 1,2,8,9-tetrachlorothioepindridione 1,3,7,9-tetrachlorothioepindridione11. 1-methylthioependridione 2-methylthioependridione13. 13. 3-ethylthioependridione 2,3-dimethylthioependridione15. 1,7-diethylthioependridione16. 2,8-dimethylthioependridione17. 2,8-di-n-hexylthioependridione18. 2-Methyl-8-n-butylthioependridione19. 2-Ethyl-9-tert-butylthioependridione20. 3,9-dimethylthioependridione21. 3,9-diethylthioependridione22. 3,9-di-n-butylthioependridione23. 3,9-di-n-heptylthioepindridione 24. 3-Methyl-9-ethylthioependridione25. 4,10-dimethylthioependridione 26. 4,10-di (2′-ethylbutyl) thioependridione27. 4-Methyl-9-ethylthioependridione28. 2,3,8,9-tetramethylthioepindridione29. 2,4,8,10-tetraethylthioependridione30. 1,2,3,7,8,9-hexamethylthioependridione31. 2,8-Dimethyl-3,9-difluorothioependridione 32. 3,9-Dimethyl-2,8-dichlorothioependridione
33. 2-methoxythioependridione 34. 3-Ethoxythioependridione 35. 2,3-dimethoxythioependridione36. 2,8-dimethoxythioependridione37. 2,8-di-n-butoxythioependridione 38. 2,8-di-n-hexyloxythioepindridione 39. 3,9-dimethoxythioependridione40. 3,9-diethoxythioependridione 41. 3,9-di-n-propoxythioependridione 42. 3,9-Dineopentyloxythioepindridione 43. 3,9-di-n-heptyloxythioependridione 44. 4,10-dimethoxythioependridione 45. 4,10-di-n-propoxythioependridione 46. 1,4,7,10-tetra-n-butoxythioependridione 47. 2,3,8,9-tetramethoxythioependridione 48. 2,8-dimethoxy-3,9-diethoxythioependridione 49. 1,2,3,7,8,9-hexaethoxythioependridione50. 2,8-dimethoxy-3,9-dimethylthioependridione 51. 3,9-dimethoxy-2,8-dichlorothioependridione 52. 3,9-di-n-butoxy-2,8-dimethylthioependridione 2-Phenylthioependridione 54. 3- (4′-methylphenyl) thioependridione55. 3,9-diphenylthioependridione
The thioependridione derivative according to the present invention can be produced according to a method known per se. For example, the compound represented by the general formula (1) can be produced, for example, according to the method described in J. Org. Chem., 50 , 3592 (1985). That is, for example, 3- [2- (methoxycarbonyl) phenylthio] -4- (trimethylsilyloxy)-produced by reacting a 3- [2- (methoxycarbonyl) phenylthio] thiochromon-4-one derivative with trimethylsilyl chloride. It can be produced by reacting 2-H-thiochromene with trimethylsilyl chloride in the presence of lithium diisopropylamide and then with sodium hypochlorite.
[0012]
The organic electroluminescent element is usually formed by sandwiching at least one light emitting layer containing at least one light emitting component between a pair of electrodes. A hole injecting and / or transporting layer containing a hole injecting and transporting component and / or an electron depending on the functional level of the hole injecting and transporting, electron injection and electron transport of the compound used in the light emitting layer, if desired. An electron injecting and transporting layer containing an injecting and transporting component can also be provided.
For example, when the hole injection function, hole transport function or / and electron injection function, and electron transport function of the compound used in the light emitting layer are good, the light emitting layer is the hole injection transport layer or / and the electron injection transport layer. It can be set as the structure of the type | mold element which served as. Of course, depending on the case, a structure of a type element (single-layer type element) in which both the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer are not provided.
In addition, each of the hole injecting and transporting layer, the electron injecting and transporting layer, and the light emitting layer may have a single layer structure or a multilayer structure, and the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer The layer having an injection function and the layer having a transport function can be separately provided.
[0013]
In the organic electroluminescence device of the present invention, the thioependridione derivative is preferably used for a hole injecting and transporting component, a light emitting component or an electron injecting and transporting component, and more preferably used for a hole injecting and transporting component or a light emitting component. .
In the organic electroluminescent device of the present invention, the thioependridione derivative may be used alone or in combination.
[0014]
The configuration of the organic electroluminescent device of the present invention is not particularly limited. For example, (A) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / electron injection transport layer / cathode type device (FIG. 1), (B ) Anode / hole injection transport layer / light emitting layer / cathode type device (FIG. 2), (C) Anode / light emitting layer / electron injection transport layer / cathode type device (FIG. 3), (D) Anode / light emitting layer / cathode A mold element (FIG. 4) can be mentioned. Furthermore, (E) anode / hole injection / transport layer / electron injection / transport layer / light emitting layer / electron injection / transport layer / cathode type device (FIG. 5), which is a type of device in which a light emitting layer is sandwiched between electron injection and transport layers You can also As the (D) type element configuration, for example, (F) a type element sandwiched between a pair of electrodes in a single layer form in which a hole injecting and transporting component, a light emitting component and an electron injecting and transporting component are mixed (FIG. 6), (G) A device of a type sandwiched between a pair of electrodes in a single layer configuration in which a hole injection transport component and a light emission component are mixed (FIG. 7) or (H) a single layer configuration in which a light emission component and an electron injection transport component are mixed There is a type of element (FIG. 8) sandwiched between a pair of electrodes.
The organic electroluminescent device of the present invention is not limited to these device configurations, and each type of device can be provided with a plurality of hole injection transport layers, light emitting layers, and electron injection transport layers. In each type of device, a light emitting component is provided between the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer, a mixed layer of the hole injecting and transporting component and the light emitting component or / and a light emitting layer and the electron injecting and transporting layer. And a mixed layer of electron injecting and transporting components can be provided.
A more preferable configuration of the organic electroluminescent element is (A) type element, (B) type element, (C) type element, (E) type element, (F) type element, (G) type element or (H) type. More preferably, it is an (A) type element, (B) type element, (C) type element, (F) type element or (H) type element.
[0015]
As the organic electroluminescent device of the present invention, for example, (A) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / electron injection transport layer / cathode type device shown in FIG. 1 will be described.
In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injecting and transporting layer, 4 is a light emitting layer, 5 is an electron injecting and transporting layer, 6 is a cathode, and 7 is a power source.
[0016]
The organic electroluminescent element of the present invention is preferably supported by the substrate 1, and the substrate is not particularly limited, but is preferably transparent or translucent, such as a glass plate or a transparent plastic sheet. (For example, sheets made of polyester, polycarbonate, polysulfone, polymethyl methacrylate, polypropylene, polyethylene, etc.), translucent plastic sheets, quartz, transparent ceramics, or composite sheets combining these may be mentioned.
Furthermore, for example, a color filter film, a color conversion film, and a dielectric reflection film can be combined with the substrate to control the emission color.
[0017]
As the anode 2, it is preferable to use a metal, an alloy or an electrically conductive compound having a relatively large work function as an electrode material.
Examples of the electrode material used for the anode include gold, platinum, silver, copper, cobalt, nickel, palladium, vanadium, tungsten, tin oxide, zinc oxide, ITO (indium tin oxide), polythiophene, and polypyrrole. be able to. These electrode materials may be used alone or in combination.
For the anode, these electrode materials can be formed on the substrate by a method such as vapor deposition or sputtering.
Further, the anode may have a single layer structure or a multilayer structure.
The sheet electrical resistance of the anode is preferably set to several hundred Ω / □ or less, more preferably about 5 to 50 Ω / □.
The thickness of the anode is generally set to about 5 to 1000 nm, more preferably about 10 to 500 nm, although it depends on the material of the electrode substance used.
[0018]
The hole injection transport layer 3 is a layer containing a compound having a function of facilitating the injection of holes from the anode and a function of transporting the injected holes.
The hole injecting and transporting layer may be a thioependridedione derivative and / or other compound having a hole injecting and transporting function (for example, phthalocyanine derivative, triarylmethane derivative, triarylamine derivative, oxazole derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative) , Pyrazoline derivatives, polysilane derivatives, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly-N-vinylcarbazole derivatives, and the like. In addition, the compound which has a hole injection transport function may be used individually, or may be used together.
[0019]
Examples of other compounds having a hole injecting and transporting function used in the present invention include triarylamine derivatives (for example, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (4 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl, 4, 4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methoxyphenyl) amino] biphenyl, 4,4 ′ -Bis [N-phenyl-N- (1 "-naphthyl) amino] biphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-bis [N-phenyl-N- (3" -methylphenyl) amino] biphenyl, 1,1-bis [4 '-[N, N-di (4 "-methylphenyl) amino] phenyl] cyclohexane, 9,10-bis [N- (4'-methylphenyl) -N- (4"- n-Butylphenyl) amino Phenanthrene, 3,8-bis (N, N-diphenylamino) -6-phenylphenanthridine, 4-methyl-N, N-bis [4 ", 4"'-bis[N',N'-di ( 4-methylphenyl) amino] biphenyl-4-yl] aniline, 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3 ″ ′-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine, etc.), polythiophene and the like Derivatives and poly-N-vinylcarbazole derivatives are more preferred.
When the thioependridione derivative and another compound having a hole injecting and transporting function are used in combination, the proportion of the thioepindridione derivative in the hole injecting and transporting layer is preferably 0.1 to 40% by weight Prepare to the extent.
[0020]
The light emitting layer 4 is a layer containing a compound having a function of injecting holes and electrons, a function of transporting them, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons.
The light-emitting layer includes a thioependridione derivative and / or a fluorescent compound having other light-emitting functions (for example, an acridone derivative, a quinacridone derivative, a polycyclic aromatic compound [for example, rubrene, anthracene, tetracene, pyrene, perylene, chrysene , Decacyclene, coronene, tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, 9,10-diphenylanthracene, 9,10-bis (phenylethynyl) anthracene, 1,4-bis (9′-ethynylanthracenyl) benzene, 4 , 4′-bis (9 ″ -ethynylanthracenyl) biphenyl], organometallic complexes [eg, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (10-benzo [h] quinolinolato) beryllium, 2- (2′-hydroxy Phenyl) benzoxazole A zinc salt of 2- (2′-hydroxyphenyl) benzothiazole, a zinc salt of 4-hydroxyacridine], a stilbene derivative [eg, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene, 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl], coumarin derivatives [eg, coumarin 1, coumarin 6, coumarin 7, coumarin 30, coumarin 106, coumarin 138, coumarin 151, coumarin 152, coumarin 153, coumarin. 307, Coumarin 311, Coumarin 314, Coumarin 334, Coumarin 338, Coumarin 343, Coumarin 500], pyran derivatives [eg DCM1, DCM2], oxazone derivatives (eg Nile Red), benzothiazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzimidazole Derivatives, Razine derivatives, cinnamate derivatives, poly-N-vinylcarbazole and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polyphenylene and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polybiphenylene vinylene and derivatives thereof, polyter Phenylene vinylene and derivatives thereof, polynaphthylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene and derivatives thereof, and the like.
In the organic electroluminescent element of the present invention, it is preferable that the light emitting layer contains a thioependridione derivative.
When a thioependridione derivative and another compound having a light-emitting function are used in combination, the proportion of the thioependridione derivative in the light-emitting layer is preferably about 0.001 to 99.999% by weight, more preferably Is about 0.01 to 99.99% by weight, more preferably about 0.1 to 99.9% by weight.
[0021]
As the compound having another light emitting function used in the present invention, a light emitting organometallic complex is more preferable. For example, as described in J. Appl. Phys., 65 , 3610 (1989), and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-214332, the light emitting layer can be composed of a host compound and a guest compound (dopant). A light-emitting layer can be formed using a thioependridione derivative as a host compound, and further, a light-emitting layer can also be formed using a guest compound.
In the case where a light-emitting layer is formed using a thioependridione derivative as a guest compound, a light-emitting organometallic complex is preferable as the host compound.
In this case, the thioependridione derivative is preferably about 0.001 to 40% by weight, more preferably about 0.01 to 30% by weight, particularly preferably 0 to the luminescent organometallic complex. Use about 1 to 10% by weight.
[0022]
The luminescent organometallic complex used in combination with the thioependridione derivative is not particularly limited, but a luminescent organoaluminum complex is preferable, and a luminescent organoaluminum having a substituted or unsubstituted 8-quinolinolato ligand. More preferred are complexes.
As a preferable luminescent organometallic complex, the luminescent organoaluminum complex represented by general formula (a)-general formula (c) can be mentioned, for example.
(Q) ₃ -Al (a)
(Wherein Q represents a substituted or unsubstituted 8-quinolinolate ligand)
(Q) ₂ -Al-OL (b)
(In the formula, Q represents a substituted 8-quinolinolate ligand, OL represents a phenolate ligand, and L represents a hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms including a phenyl moiety)
(Q) _2- Al-O-Al- (Q) ₂ (c)
(Wherein Q represents a substituted 8-quinolinolate ligand)
[0023]
Specific examples of the luminescent organometallic complex include, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum, tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (3,4). -Dimethyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (4,5-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (4,6-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum,
Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-methylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3-methylphenolate) ) Aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-methylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-phenylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) ) (3-phenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,3-dimethylphenolate) aluminum, Bis (2-methyl-8-quinolinolate) ( , 6-Dimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,4-dimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolate) aluminum Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-diphenylphenolato) aluminum, bis (2 -Methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-triphenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-trimethylphenolato) aluminum, bis (2-methyl- 8-quinolinolate) (2,4,5,6-tetramethylphenolate) aluminum, (2-methyl-8-quinolinolato) (1-naphtholato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-naphtholato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (2-phenyl) Phenolate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3-phenylphenolate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolate) aluminum, bis (2 , 4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolate) aluminum,
[0024]
Bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2, 4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2- Methyl-4-methoxy-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-4-methoxy-8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) aluminum-μ- Oxo-bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) aluminum, bi (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum. Of course, the luminescent organometallic complex may be used alone or in combination.
[0025]
The electron injection / transport layer 5 is a layer containing a compound having a function of facilitating injection of electrons from the cathode and a function of transporting injected electrons.
The electron injecting and transporting layer may be a thioepin doridione derivative and / or another compound having an electron injecting and transporting function (for example, an organometallic complex [for example, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (10-benzo [h] quinolinolato ) Beryllium], oxadiazole derivatives, triazole derivatives, triazine derivatives, perylene derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, nitro-substituted fluorenone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, etc.) it can.
When the thioependridione derivative and another compound having an electron injecting and transporting function are used in combination, the proportion of the thioepindridione derivative in the electron injecting and transporting layer is preferably 0.1% by weight or more, more preferably Is about 0.1 to 40% by weight, more preferably about 0.2 to 30% by weight, and particularly preferably about 0.5 to 20% by weight.
In the present invention, it is possible to form an electron injecting and transporting layer by using a thioependridione derivative and an organometallic complex [for example, the compounds represented by the general formula (a) to the general formula (c)] in combination. preferable.
[0026]
As the cathode 6, it is preferable to use a metal, an alloy or an electrically conductive compound having a relatively small work function as an electrode material.
Examples of electrode materials used for the cathode include lithium, lithium-indium alloy, sodium, sodium-potassium alloy, calcium, magnesium, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, indium, ruthenium, titanium, manganese, yttrium, and aluminum. , Aluminum-lithium alloys, aluminum-calcium alloys, aluminum-magnesium alloys, graphite thin films and the like. These electrode materials may be used alone or in combination.
For the cathode, these electrode materials can be formed on the electron injecting and transporting layer by a method such as vapor deposition, sputtering, ionized vapor deposition, ion plating, or cluster ion beam.
The cathode may have a single layer structure or a multilayer structure.
The sheet electrical resistance of the cathode is preferably set to several hundred Ω / □ or less.
The thickness of the cathode is generally about 5 to 1000 nm, more preferably about 10 to 500 nm, although it depends on the material of the electrode substance used.
In order to efficiently extract light emitted from the organic electroluminescent device, it is preferable that at least one of the anode and the cathode is transparent or translucent, and generally the transmittance of emitted light is 70% or more. It is more preferable to set the material and thickness of the anode.
[0027]
Moreover, in the organic electroluminescent element of this invention, the singlet oxygen quencher may contain in at least one layer.
The singlet oxygen quencher is not particularly limited, and examples thereof include rubrene, nickel complex, diphenylisobenzofuran and the like, and rubrene is particularly preferable.
The layer containing the singlet oxygen quencher is not particularly limited, but is preferably a light emitting layer or a hole injection / transport layer, and more preferably a hole injection / transport layer. For example, when a singlet oxygen quencher is contained in the hole injecting and transporting layer, it may be uniformly contained in the hole injecting and transporting layer, and a layer adjacent to the hole injecting and transporting layer (for example, a light emitting layer, You may make it contain in the vicinity of the electron injection transport layer which has a light emission function.
The content of the singlet oxygen quencher is 0.01 to 50% by weight, preferably 0.05 to 30% by weight, based on the total amount constituting the layer to be contained (for example, hole injection transport layer). Preferably, it is 0.1 to 20% by weight.
[0028]
The method for forming the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer, and the electron injecting and transporting layer is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, ionization deposition method, solution coating method (for example, spin coating method, casting method, dip method) It can be produced by forming a thin film by a coating method, a bar coating method, a roll coating method, a Langmuir-brozzet method, or the like.
When forming each layer by vacuum deposition, the conditions for vacuum deposition are not particularly limited, but under a vacuum of about 10 ⁻⁵ Torr or less, a boat temperature (deposition source temperature) of about 50 to 400 ° C., It is preferable to carry out at a substrate temperature of about −50 to 300 ° C. and a deposition rate of about 0.005 to 50 nm / sec.
In this case, an organic electroluminescent device having more excellent characteristics can be produced by continuously forming each layer such as a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, and an electron injecting and transporting layer under a vacuum.
When each layer such as a hole injection transport layer, a light emitting layer, an electron injection transport layer, etc. is formed using a plurality of compounds by vacuum deposition, the temperature of each boat containing the compounds is individually controlled and co-deposited. It is preferable.
[0029]
When each layer is formed by a solution coating method, a component for forming each layer or its component and a binder resin are dissolved or dispersed in a solvent to obtain a coating solution.
Examples of the binder resin that can be used for each of the hole injection transport layer, the light emitting layer, and the electron injection transport layer include poly-N-vinylcarbazole, polyarylate, polystyrene, polyester, polysiloxane, polymethyl acrylate, and polymethyl methacrylate. Acrylate, polyether, polycarbonate, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyparaxylene, polyethylene, polyphenylene oxide, polyether sulfone, polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, poly And high molecular compounds such as thienylene vinylene and its derivatives. Binder resins may be used alone or in combination.
[0030]
When forming each layer by the solution coating method, the component forming each layer or its component and a binder resin are mixed with an appropriate organic solvent (for example, hexane, octane, decane, toluene, xylene, ethylbenzene, 1-methylnaphthalene, etc. Hydrocarbon solvents, for example, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc., halogenation of dichloromethane, chloroform, tetrachloromethane, dichloroethane, trichloroethane, tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, chlorotoluene, etc. Hydrocarbon solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, amyl acetate and other ester solvents such as methanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, Alcohol solvents such as lucerosolve, ethyl cellosolve, ethylene glycol, for example ether solvents such as dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, anisole, such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2 -Pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, polar solvents such as dimethyl sulfoxide) can be dissolved or dispersed into a coating solution, and a thin film can be formed by various coating methods.
The dispersing method is not particularly limited, and for example, it can be dispersed in the form of fine particles using a ball mill, a sand mill, a paint shaker, an attritor, a homogenizer or the like.
The concentration of the coating solution is not particularly limited, and can be set to a concentration range suitable for producing a desired thickness by a coating method to be carried out, generally about 0.1 to 50% by weight, The solution concentration is preferably about 1 to 30% by weight.
In the case of using a binder resin, the amount of use is not particularly limited, but generally, the amount of each component (in the case of forming a single-layer element, the total amount of each component) is not limited. ), About 5 to 99.9% by weight, preferably about 10 to 99% by weight, more preferably about 15 to 90% by weight.
[0031]
The thicknesses of the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer, and the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, but are generally preferably set to about 5 nm to 5 μm.
In addition, a protective layer (sealing layer) is provided for the purpose of preventing contact with oxygen, moisture, or the like for the manufactured element, and the element is made of, for example, paraffin, liquid paraffin, silicon oil, fluorocarbon oil, zeolite. It can be protected by enclosing it in an inert material such as a fluorocarbon oil.
Examples of the material used for the protective layer include organic polymer materials (for example, fluorinated resin, epoxy resin, silicone resin, epoxy silicone resin, polystyrene, polyester, polycarbonate, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyparaxylene, polyethylene) Polyphenylene oxide), inorganic materials (eg, diamond thin film, amorphous silica, electrically insulating glass, metal oxide, metal nitride, metal carbonide, metal sulfide), and photo-curing resin. The materials used for the protective layer may be used alone or in combination. The protective layer may have a single layer structure or a multilayer structure.
Further, for example, a metal oxide film (for example, an aluminum oxide film) or a metal fluoride film can be provided on the electrode as a protective film.
In addition, for example, an interface layer (intermediate layer) made of, for example, an organic phosphorus compound, polysilane, an aromatic amine derivative, or a phthalocyanine derivative can be provided on the surface of the anode.
Furthermore, the surface of an electrode, for example, an anode, can be used by treating the surface with, for example, an acid, ammonia / hydrogen peroxide, or plasma.
[0032]
The organic electroluminescent element of the present invention is generally used as a direct current drive type element, but can also be used as a pulse drive type or alternating current drive type element.
The applied voltage is generally about 2 to 30V.
The organic electroluminescent element of the present invention can be used for, for example, a panel type light source, various light emitting elements, various display elements, various labels, various sensors, and the like.
[0033]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, of course, this invention is not limited to these.
Example 1
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further UV / ozone cleaned, fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition tank was depressurized to 3 × 10 ⁻⁶ Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form a hole injection transport layer. .
Subsequently, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (4-phenylphenolate) aluminum and thioepindridione (compound of Exemplified Compound No. 1) are further deposited thereon from different deposition sources at a deposition rate of 0.2 nm. Co-evaporation (weight ratio 100: 0.5) to a thickness of 50 nm at / sec.
Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form an electron injecting and transporting layer.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was implemented, maintaining the pressure reduction state of a vapor deposition tank.
When a DC voltage of 12 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 55 mA / cm ² flowed. Yellow-green light emission with a luminance of 2150 cd / m ² was confirmed.
[0034]
Examples 2-11
In Example 1, instead of using the compound of exemplary compound number 1 in the formation of the light emitting layer, the compound of exemplary compound number 3 (Example 2), the compound of exemplary compound number 8 (Example 3), the exemplary compound number Compound No. 13 (Example 4), Compound No. 16 (Example 5), Example No. 22 compound (Example 6), Example No. 24 compound (Example 7), Example No. 34 Except for using the compound (Example 8), the compound of Example Compound No. 39 (Example 9), the compound of Example Compound No. 47 (Example 10), and the compound of Example Compound No. 53 (Example 11), the Examples An organic electroluminescent element was produced by the method described in 1. When a DC voltage of 12 V was applied to each device in a dry atmosphere, yellow-green light emission was confirmed. Further, the characteristics were examined, and the results are shown in Table 1 (Table 1).
[0035]
Comparative Example 1
In Example 1, when forming the light emitting layer, the compound of Example Compound No. 1 was not used, but only bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolate) aluminum was used, and the thickness was 50 nm. An organic electroluminescent element was produced by the method described in Example 1 except that the light emitting layer was used as a light emitting layer. When a DC voltage of 12 V was applied to this device in a dry atmosphere, blue light emission was confirmed. Further, the characteristics were examined, and the results are shown in Table 1.
[0036]
Comparative Example 2
In Example 1, an organic electroluminescent device was formed by the method described in Example 1 except that N-methyl-2-methoxyacridone was used instead of using the compound of Exemplified Compound No. 1 when forming the light emitting layer. Was made. When a DC voltage of 12 V was applied to this device in a dry atmosphere, blue light emission was confirmed. Further, the characteristics were examined, and the results are shown in Table 1.
[0037]
[Table 1]

[0038]
Example 12
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further UV / ozone cleaned, fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition tank was depressurized to 3 × 10 ⁻⁶ Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form a hole injection transport layer. .
Then, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-phenylphenolate) aluminum and thioependridione are then added from different deposition sources to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. Co-evaporation (weight ratio 100: 1.0) was performed to obtain a light emitting layer.
Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form an electron injecting and transporting layer.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was implemented, maintaining the pressure reduction state of a vapor deposition tank.
When a DC voltage of 12 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 58 mA / cm ² flowed. Yellow-green light emission with a luminance of 2170 cd / m ² was confirmed.
[0039]
Example 13
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further UV / ozone cleaned, fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition tank was depressurized to 3 × 10 ⁻⁶ Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form a hole injection transport layer. .
Then, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum and 3-chlorothioependridione are deposited on the same from different deposition sources. Co-evaporation was performed at a rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm (weight ratio 100: 2.0) to obtain a light emitting layer.
Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form an electron injecting and transporting layer.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was implemented, maintaining the pressure reduction state of a vapor deposition tank.
When a DC voltage of 12 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 57 mA / cm ² flowed. Yellow-green light emission with a luminance of 2120 cd / m ² was confirmed.
[0040]
Example 14
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further UV / ozone cleaned, fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition tank was depressurized to 3 × 10 ⁻⁶ Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form a hole injection transport layer. .
Subsequently, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum and 2-methylthioependridione are then deposited on different deposition sources. Then, it was co-evaporated to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec (weight ratio 100: 4.0) to obtain a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form an electron injecting and transporting layer.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was implemented, maintaining the pressure reduction state of a vapor deposition tank.
When a DC voltage of 12 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 60 mA / cm ² flowed. Yellow-green light emission with a luminance of 2130 cd / m ² was confirmed.
[0041]
Example 15
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further UV / ozone cleaned, fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition tank was depressurized to 3 × 10 ⁻⁶ Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form a hole injection transport layer. .
Subsequently, tris (8-quinolinolate) aluminum and 2-methoxythioependridione were co-deposited on the same to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec (weight ratio 100: 1). 0.0), and a light emitting layer that also serves as an electron injecting and transporting layer was obtained.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was implemented, maintaining the pressure reduction state of a vapor deposition tank.
When a DC voltage of 12 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 58 mA / cm ² flowed. Yellow-green light emission with a luminance of 1970 cd / m ² was confirmed.
[0042]
Example 16
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further UV / ozone cleaned, fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition tank was depressurized to 3 × 10 ⁻⁶ Torr.
First, thioependridione was deposited to a thickness of 20 nm at a deposition rate of 0.1 nm / sec to form a first hole injecting and transporting layer.
Next, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was vapor-deposited to a thickness of 55 nm at a vapor deposition rate of 0.2 nm / sec. It was.
Next, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene was deposited thereon to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form a light emitting layer.
Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited thereon to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form an electron injecting and transporting layer.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was implemented, maintaining the pressure reduction state of a vapor deposition tank.
When a DC voltage of 14 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 52 mA / cm ² flowed. Blue light emission with a luminance of 2160 cd / m ² was confirmed.
[0043]
Example 17
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further UV / ozone cleaned, fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition tank was depressurized to 3 × 10 ⁻⁶ Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form a hole injection transport layer. .
Next, thioependridione was vapor-deposited thereon to a thickness of 50 nm at a vapor deposition rate of 0.2 nm / sec to form a light emitting layer.
Subsequently, 1,3-bis [5 ′-(p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2′-yl] benzene was deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec. Vapor deposition was performed to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was implemented, maintaining the pressure reduction state of a vapor deposition tank.
When a DC voltage of 14 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 48 mA / cm ² flowed. Orange-yellow light emission with a luminance of 1840 cd / m ² was confirmed.
[0044]
Example 18
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further UV / ozone cleaned, fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition tank was depressurized to 3 × 10 ⁻⁶ Torr.
First, thioependridione was vapor-deposited to a thickness of 55 nm at a vapor deposition rate of 0.2 nm / sec to form a light emitting layer.
Subsequently, 1,3-bis [5 ′-(p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2′-yl] benzene was deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec. It vapor-deposited in thickness of 75 nm and was set as the electron injection transport layer.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was implemented, maintaining the pressure reduction state of a vapor deposition tank.
When a DC voltage of 15 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 68 mA / cm ² flowed. Orange-yellow light emission with a luminance of 1050 cd / m ² was confirmed.
[0045]
Example 19
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas and further UV / ozone cleaned.
Next, on the ITO transparent electrode, poly-N-vinylcarbazole (weight average molecular weight 150,000), 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene (blue light-emitting component), coumarin 6 ["3 3- (2′-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin ”(green light-emitting component)] and thioependridione in a weight ratio of 100: 5: 3: 2, respectively, A 400 nm light emitting layer was formed by dip coating.
Next, after fixing the glass substrate which has this light emitting layer to the substrate holder of a vapor deposition apparatus, the vapor deposition tank was pressure-reduced to 3 * 10 < ^-6 > Torr.
Further, 3- (4′-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4 ″ -biphenyl) -1,2,4-triazole was deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.2 nm / sec. Then, tris (8-quinolinolato) aluminum was further deposited to a thickness of 30 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form an electron injecting and transporting layer.
Further, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device.
When a DC voltage of 12 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 74 mA / cm ² flowed. White light emission with a luminance of 1020 cd / m ² was confirmed.
[0046]
Example 20
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas and further UV / ozone cleaned.
Next, on the ITO transparent electrode, poly-N-vinylcarbazole (weight average molecular weight 150,000), 1,3-bis [5 ′-(p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole- 2′-yl] benzene and 2-ethyl-9-tert-butylthioependridione in a dip coating method using a 3 wt% dichloroethane solution containing the weight ratio of 100: 30: 3, respectively. A 300 nm light emitting layer was formed.
Next, after fixing the glass substrate which has this light emitting layer to the substrate holder of a vapor deposition apparatus, the vapor deposition tank was pressure-reduced to 3 * 10 < ^-6 > Torr.
Further, magnesium and silver were co-evaporated to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) at a deposition rate of 0.2 nm / sec on the light emitting layer to form an organic electroluminescent device.
When a direct current voltage of 15 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 76 mA / cm ² flowed. Orange-yellow light emission with a luminance of 1120 cd / m ² was confirmed.
[0047]
Comparative Example 3
In Example 20, except that 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene was used instead of 2-ethyl-9-tert-butylthioependridione in forming the light emitting layer. An organic electroluminescent device was produced by the method described in Example 20. When a direct current voltage of 15 V was applied to the produced organic electric field element in a dry atmosphere, a current of 86 mA / cm ² flowed. Blue light emission with a luminance of 680 cd / m ² was confirmed.
[0048]
Example 21
A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas and further UV / ozone cleaned.
Next, on the ITO transparent electrode, polycarbonate (weight average molecular weight 50000), 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl, bis (2-methyl-8-quinolinolate) ) Using a 3 wt% dichloroethane solution containing aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum and thioepindridione in a weight ratio of 100: 40: 60: 1, respectively, A 300 nm light-emitting layer was formed by dip coating.
Next, after fixing the glass substrate which has this light emitting layer to the substrate holder of a vapor deposition apparatus, the vapor deposition tank was pressure-reduced to 3 * 10 < ^-6 > Torr.
Further, magnesium and silver were co-evaporated to a thickness of 200 nm (weight ratio 10: 1) at a deposition rate of 0.2 nm / sec on the light emitting layer to form an organic electroluminescent device.
When a direct current voltage of 15 V was applied to the produced organic electroluminescent element in a dry atmosphere, a current of 66 mA / cm ² flowed. Yellow-green light emission with a luminance of 650 cd / m ² was confirmed.
[0049]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescence device having excellent emission luminance.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent element.
FIG. 2 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent element.
FIG. 3 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent element.
FIG. 4 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent element.
FIG. 5 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent element.
FIG. 6 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent element.
FIG. 7 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent element.
FIG. 8 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent element.
[Explanation of symbols]
1: Substrate 2: Anode 3: Hole injection / transport layer 3a: Hole injection / transport component 4: Light emitting layer 4a: Light emitting component 5: Electron injection / transport layer 5 ": Electron injection / transport layer 5a: Electron injection / transport component 6: Cathode 7: Power supply

Claims (7)

An organic electroluminescence device comprising at least one layer containing at least one thioependridione derivative between a pair of electrodes. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the layer containing at least one thioependridione derivative is a light emitting layer. 3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the layer containing at least one thioependridione derivative contains a luminescent organometallic complex. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the layer containing at least one thioependridione derivative is a hole injection transport layer. The organic electroluminescent element according to claim 1, further comprising a hole injecting and transporting layer between the pair of electrodes. The organic electroluminescent element according to claim 1, further comprising an electron injecting and transporting layer between the pair of electrodes. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the thioependridione derivative is a compound represented by the general formula (1) (Formula 1).

(Wherein X _{1 to} X ₈ represent a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group)

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