JP3740087B2 - Method for manufacturing organic electroluminescence element - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報機器の表示に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と略記する）は、自発光素子として、高解像度、高輝度、低電圧、高速応答といった特徴を活かしてディスプレイ素子として注目されている。有機ＥＬ素子は、一般に、透明基板上に下部電極、絶縁性膜、有機ＥＬ膜、上部電極を積層した構造を有している。かかる下部電極と上部電極の間で直流電圧を印加して有機ＥＬ膜に直流電流を通電することで、有機ＥＬ膜での発光を得る。
【０００３】
一般に、隣接する下部電極どうしの間を絶縁性膜で絶縁部を設けることにより、発光部を区分けして、解像度を向上させている。絶縁性膜の開口部は従来はフォトマスクを用いて、パターニングしていた。従来の絶縁性膜の開口部の形成方法と下部電極の表面処理方法を図３を用いて説明する。図３の（ａ）から（ｈ）は各プロセスの順番を表す。１１はガラス基板、１２は下部電極、１３は絶縁性膜、１４はフォトレジスト、１５は有機ＥＬ膜、１６は上部電極である。
【０００４】
まず、ガラス基板１１の上面に下部電極１２を形成する（図３（ａ））。次に、下部電極１２の間を埋めつつ、その上層に絶縁性膜１３を積層する（図３（ｂ））。絶縁性膜１３の上面にフォトレジスト１４を塗布し（図３（ｃ））、所定のフォトマスク（図示せず）を用いて露光した後、現像してパターン形成を行う（図３（ｄ））。エッチングガスにより、不要な絶縁性膜を除去すると、絶縁性膜に開口部ができる（図３（ｅ））。この後、フォトレジストを除去し（図３（ｆ））、プラズマガスにより下部電極の表面処理を行う。さらに、絶縁性膜の間を埋めて、下部電極に接するように有機ＥＬ膜１５を積層する（図３（ｇ））。次に、上部電極１６を形成して、基本的な有機ＥＬ素子ができる（図３（ｈ））。
【０００５】
ここで、従来の有機ＥＬ素子の製造では、絶縁性膜の開口部の形成にはフォトマスクを用いている。この製造方法では、フォトレジストを塗布して、露光、現像によってパターニングし、さらに、最終的にはフォトレジストを除去する工程が必要になる。これらの複雑な工程では、チェンバー内で一貫した作業が困難である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような問題を解決するために、絶縁性膜の開口部の形成、又は下部電極の表面処理を簡易なものとすることを目的とする。併せて、絶縁性膜の品質向上を図ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本願第一発明は、基板上に少なくとも下部電極、絶縁性膜、有機ＥＬ膜、上部電極を形成する有機ＥＬ素子の製造方法において、ガラス基板の上面に複数の下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記下部電極形成工程の後に、前記複数の下部電極の間を埋めつつ、前記ガラス基板及び前記下部電極の上層に絶縁性膜を積層する絶縁性膜積層工程と、前記絶縁性膜積層工程の後に、前記絶縁性膜の表面に所定のシャドーマスクを装着し、エッチングガス又はエッチング液に曝すことにより、前記シャドーマスクの開口部から露出する不要な絶縁性膜を除去して前記絶縁性膜に開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部形成工程の後に、前記シャドーマスクを撤去するマスク外し工程と、前記マスク外し工程の後、下部電極の表面処理を行う表面処理工程と、前記表面処理工程の後に、前記開口部形成工程で形成された前記絶縁性膜の開口部から露出する下部電極を被うように有機エレクトロルミネッセンス膜を積層する有機エレクトロルミネッセンス積層工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス積層工程の後に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
本発明により、絶縁性膜の開口部の形成工程が簡略化され、また、繰り返し使用可能なシャドーマスクの使用で工程が経済化される。
【０００８】
本願第二発明は、基板上に少なくとも下部電極、絶縁性膜、有機ＥＬ膜、上部電極を形成する有機ＥＬ素子の製造方法において、ガラス基板の上面に複数の下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記下部電極形成工程の後に、前記複数の下部電極の間を埋めつつ、前記ガラス基板及び前記下部電極の上層に絶縁性膜を積層する絶縁性膜積層工程と、前記絶縁性膜積層工程の後に、前記絶縁性膜の表面に所定のシャドーマスクを装着し、エッチングガス又はエッチング液に曝すことにより、前記シャドーマスクの開口部から露出する不要な絶縁性膜を除去して前記絶縁性膜に開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部形成工程の後に、下部電極の表面処理を行う表面処理工程と、前記表面処理工程の後に、前記シャドーマスクを撤去するマスク外し工程と、前記マスク外し工程の後、前記開口部形成工程で形成された前記絶縁性膜の開口部から露出する下部電極を被うように有機エレクトロルミネッセンス膜を積層する有機エレクトロルミネッセンス積層工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス積層工程の後に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
本発明により、絶縁性膜の開口部の形成と下部電極の表面処理の工程が一貫して行われ、また、同一のシャドーマスクの使用で工程が経済化される。
【０００９】
本願第三発明は、本願第一又は第二発明における前記開口部形成工程において、前記シャドーマスクの周縁と前記絶縁性膜表面と間にエッチング液又はエッチングガスが進入する程度に、前記シャドーマスクと前記絶縁性膜との間に間隙を設けて前記シャドーマスクを装着することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法である。
本発明により、絶縁性膜の上面に積層する有機ＥＬ膜の層が滑らかになり、上部電極のとぎれや上部電極と下部電極の接触を防止することができる。その結果、歩留まりのよい有機ＥＬ素子の製造が可能になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
（実施の形態１）
シャドーマスクを用いて絶縁性膜の開口部の形成と下部電極を表面処理する工程を含む有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。図１は、本実施の形態を説明する工程図である。図１の（ａ）〜（ｇ）は工程の順番を表す。図１において、１１は基板としてのガラス基板である。基板としては、他に、フレキシブル基板、カラーフィルタや色変換材料が形成された基板なども可能である。１２は下部電極である。ガラス基板１１側にＥＬ光を出射させるときには、下部電極には透明電極材料が使用される。透明電極材料には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、インジウム亜鉛酸化物や酸化スズなどがある。１３は絶縁性膜である。絶縁性膜を形成することによって、発光領域を区分けすることができる。絶縁性膜材料には、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４等の無機膜や、ポリイミド等の有機膜を用いることができる。１５は有機ＥＬ膜である。有機ＥＬ膜では電極から供給された電子と正孔によりＥＬ発光する。１６は上部電極である。下部電極に透明電極材料を使用すると、上部電極には金属電極材料として、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｕ、Ａｇなど又はこれらの合金を用いることができる。２１はシャドーマスクとしてのメタルマスクである。
【００１１】
図１の製造工程において、まず、ガラス基板１１の上面に下部電極１２を形成する（図１（ａ））。次に、下部電極１２の間を埋めつつ、その上層に絶縁性膜１３を積層する（図１（ｂ））。絶縁性膜１３の表面に所定のメタルマスク２１を装着し（図１（ｃ））、エッチングガス又はエッチング液に曝すことにより、不要な絶縁性膜を除去すると、絶縁性膜１３に開口部ができる（図１（ｄ））。さらに、メタルマスク２１を撤去して（図１（ｅ））、プラズマガスにより下部電極の表面処理を行う。又は、下部電極の表面処理を行った後、メタルマスク２１を撤去する（図１（ｅ））。下部電極の表面処理の際に絶縁性膜が侵食される場合は、下部電極の表面処理を行った後、メタルマスク２１を撤去する方が好適である。このとき、絶縁性膜に開口部を形成するためのメタルマスクと同一のメタルマスクを使用すると、新たなメタルマスクを用意する必要がなく、かつ製造工程を一貫して行うことができる。その後、絶縁性膜の間を埋めて、下部電極を被うように有機ＥＬ膜１５を積層し（図１（ｆ））、次に、上部電極１６を形成して、有機ＥＬ素子ができる（図１（ｇ））。
【００１２】
上記の製造方法によれば、絶縁性膜に開口部を形成するために、シャドーマスクの一種であるメタルマスクを使用しているため、フォトマスクのようなパタン作成、露光、現像の工程が不要となり、有機ＥＬ素子の製造工程が簡略化された。また、繰り返し使用可能なシャドーマスクの使用で工程が経済化された。さらに、下部電極の表面処理にも、メタルマスクを使用すると、同様の効果が得られた。本製造方法では、ガラス基板の上面に下部電極を形成する工程から上部電極を形成する工程までチェンバー内で一貫して作業することができ、製造工程のストリームライン化が可能となった。
また、絶縁性膜の開口部を形成する工程と下部電極を表面処理する工程に同一のシャドーマスクを引き続いて用いると、シャドーマスクの交換の必要がなくなり、有機ＥＬ素子の製造工程が一層簡略化された。
【００１３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、製造歩留まりのよい有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。図２の（ａ）〜（ｇ）は工程の順番を表す。図２において、１１は基板としてのガラス基板である。基板としては、他に、フレキシブル基板、カラーフィルタや色変換材料が形成された基板も可能である。１２は下部電極である。ガラス基板１１側にＥＬ光を出射させるときには、下部電極には透明電極材料が使用される。透明電極材料には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、インジウム亜鉛酸化物や酸化スズなどがある。１７は絶縁性膜である。絶縁性膜を形成することによって、発光領域を区分けすることができる。絶縁性膜材料には、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４等の無機膜や、ポリイミド等の有機膜を用いることができる。１５は有機ＥＬ膜である。有機ＥＬ膜では電極から供給された電子と正孔によりＥＬ発光する。１６は上部電極である。下部電極に透明電極材料を使用すると、上部電極には金属電極材料として、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｕ、Ａｇ又はこれらの合金を用いることができる。２３はシャドーマスクとしてのメタルマスクである。
【００１４】
図２の製造工程において、まず、ガラス基板１１の上面に下部電極１２を形成する（図２（ａ））。次に、下部電極１２の間を埋めつつ、その上層に絶縁性膜１７を積層する（図２（ｂ））。絶縁性膜１７の表面に所定のメタルマスク２３を装着する（図２（ｃ））。この際に、メタルマスク２３の周縁と絶縁性膜１７の表面と間にエッチング液又はエッチングガスが進入する程度に、メタルマスク２３と絶縁性膜１７との間に間隙を設ける。その後、エッチング液又はエッチングガスを導入し、不要な絶縁性膜を除去すると、絶縁性膜に開口部ができる（図２（ｄ））。さらに、メタルマスク２３を撤去して（図２（ｅ））、プラズマガスにより下部電極の表面処理を行う。又は、下部電極の表面処理を行った後、メタルマスク２３を撤去する（図２（ｅ））。下部電極の表面処理の際に絶縁性膜が侵食される場合は、下部電極の表面処理を行った後、メタルマスク２３を撤去する方が好適である。このとき、絶縁性膜に開口部を形成するためのメタルマスクと同一のメタルマスクを使用すると、新たなメタルマスクを用意する必要がなく、かつ製造工程を一貫して行うことができる。エッチングされた絶縁性膜１７は図２（ｅ）に示すように、メタルマスク２３の周縁と絶縁性膜１７の表面と間に進入したエッチング液又はエッチングガスによって、角がとれた形状にエッチングされる。その後、絶縁性膜の間を埋めて、下部電極に接するように有機ＥＬ膜１５を積層する（図２（ｆ））。絶縁性膜の角がとれた形状となるため、絶縁性膜のエッジによって有機ＥＬ膜１５に孔が開くような欠陥が生じることが少なくなった。次に、上部電極１６を形成して、基本的な有機ＥＬ素子ができる（図２（ｇ））。有機ＥＬ膜１５には欠陥が少ないため、上部電極を形成する際に、上部電極が下部電極に接触するような欠陥が生じることが少なくなった。
【００１５】
上記の製造方法により、絶縁性膜１７の角を丸くすると、絶縁性膜の上面に積層する有機ＥＬ膜１５の層が滑らかになり、上部電極１６のとぎれや上部電極１６と下部電極１２の接触を防止することができた。その結果、歩留まりのよい有機ＥＬ素子の製造が可能になった。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に係る発明により、絶縁性膜の開口部の形成を含む有機ＥＬ素子の製造工程が簡略化され、また、繰り返し使用可能なシャドーマスクの使用で工程が経済化される。
請求項２に係る発明により、絶縁性膜の開口部の形成と下部電極の表面処理を含む有機ＥＬ素子の製造工程が一貫して行われ、また、同一のシャドーマスクの使用で工程が経済化される
請求項３に係る発明により、絶縁性膜の上面に積層する有機ＥＬ膜の層が滑らかになり、上部電極のとぎれや上部電極と下部電極の接触を防止することができる。その結果、歩留まりのよい有機ＥＬ素子の製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願第１発明及び第２発明の実施形態を示す有機ＥＬ素子の製造工程を説明する図である。
【図２】本願第３発明の実施形態を示す有機ＥＬ素子の製造工程を説明する図である。
【図３】従来の有機ＥＬ素子の製造工程を説明する図である。
【符号の説明】
１１：ガラス基板
１２：下部電極
１３：絶縁性膜
１４：フォトレジスト
１５：有機ＥＬ膜
１６：上部電極
１７：絶縁性膜
２１：メタルマスク
２３：メタルマスク[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence element used for display of information equipment.
[0002]
[Prior art]
Organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as “EL”) is attracting attention as a display element by taking advantage of high resolution, high brightness, low voltage, and high-speed response as a self-luminous element. The organic EL element generally has a structure in which a lower electrode, an insulating film, an organic EL film, and an upper electrode are stacked on a transparent substrate. Light is emitted from the organic EL film by applying a direct current voltage between the lower electrode and the upper electrode to pass a direct current through the organic EL film.
[0003]
In general, by providing an insulating portion with an insulating film between adjacent lower electrodes, the light emitting portion is divided to improve the resolution. Conventionally, the opening of the insulating film has been patterned using a photomask. A conventional method for forming an opening in an insulating film and a surface treatment method for a lower electrode will be described with reference to FIG. 3A to 3H show the order of each process. 11 is a glass substrate, 12 is a lower electrode, 13 is an insulating film, 14 is a photoresist, 15 is an organic EL film, and 16 is an upper electrode.
[0004]
First, the lower electrode 12 is formed on the upper surface of the glass substrate 11 (FIG. 3A). Next, an insulating film 13 is laminated on the upper layer while filling the space between the lower electrodes 12 (FIG. 3B). A photoresist 14 is applied on the upper surface of the insulating film 13 (FIG. 3C), exposed using a predetermined photomask (not shown), and then developed to form a pattern (FIG. 3D). ). When an unnecessary insulating film is removed with an etching gas, an opening is formed in the insulating film (FIG. 3E). Thereafter, the photoresist is removed (FIG. 3F), and the surface treatment of the lower electrode is performed with plasma gas. Further, the organic EL film 15 is laminated so as to be in contact with the lower electrode while filling the space between the insulating films (FIG. 3G). Next, the upper electrode 16 is formed to form a basic organic EL element (FIG. 3 (h)).
[0005]
Here, in the manufacture of the conventional organic EL element, a photomask is used to form the opening of the insulating film. This manufacturing method requires a step of applying a photoresist, patterning it by exposure and development, and finally removing the photoresist. These complex processes make it difficult to work consistently in the chamber.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In order to solve such a problem, an object of the present invention is to simplify the formation of the opening of the insulating film or the surface treatment of the lower electrode. In addition, it aims at improving the quality of the insulating film.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-described object, the first invention of the present application is a method of manufacturing an organic EL element in which at least a lower electrode, an insulating film, an organic EL film, and an upper electrode are formed on a substrate. A lower electrode forming step for forming a lower electrode; and an insulating film stack for laminating an insulating film on the glass substrate and the lower electrode while filling a space between the plurality of lower electrodes after the lower electrode forming step. And unnecessary insulating properties exposed from the opening of the shadow mask by attaching a predetermined shadow mask to the surface of the insulating film and exposing to an etching gas or an etching solution after the insulating film laminating step An opening forming step of removing the film to form an opening in the insulating film; a mask removing step of removing the shadow mask after the opening forming step; After the step, a surface treatment step of performing a surface treatment of the lower electrode, and after the surface treatment step, the organic layer is formed so as to cover the lower electrode exposed from the opening of the insulating film formed in the opening forming step. An organic electroluminescence element manufacturing method comprising: an organic electroluminescence layering step of stacking an electroluminescence film; and an upper electrode forming step of forming an upper electrode after the organic electroluminescence layering step .
According to the present invention, the process of forming the opening of the insulating film is simplified, and the process is made economical by using a shadow mask that can be used repeatedly.
[0008]
The second invention of the present application is a method of manufacturing an organic EL element in which at least a lower electrode, an insulating film, an organic EL film, and an upper electrode are formed on a substrate, and a lower electrode forming step of forming a plurality of lower electrodes on the upper surface of a glass substrate And after the lower electrode forming step, an insulating film laminating step of laminating an insulating film on the glass substrate and the lower electrode while filling a space between the plurality of lower electrodes, and the insulating film laminating step Thereafter, a predetermined shadow mask is mounted on the surface of the insulating film and exposed to an etching gas or an etching solution, thereby removing an unnecessary insulating film exposed from the opening of the shadow mask and the insulating film. An opening forming step for forming an opening in the surface, a surface treatment step for performing a surface treatment of the lower electrode after the opening forming step, and removing the shadow mask after the surface treatment step And removing the mask, and after the mask removing step, the organic electroluminescent layer is formed by laminating the organic electroluminescent layer so as to cover the lower electrode exposed from the opening of the insulating film formed in the opening forming step. And a step of forming an upper electrode after the step of laminating the organic electroluminescence, and a method of manufacturing an organic electroluminescence element .
According to the present invention, the process of forming the opening of the insulating film and the surface treatment of the lower electrode are performed consistently, and the process is made economical by using the same shadow mask.
[0009]
The present third invention, in the opening forming step definitive herein first or second invention, to the extent that an etching solution or an etching gas enters between the circumferential edge and the insulating film surface of the shadow mask, the shadow mask The shadow mask is mounted with a gap between the insulating film and the insulating film.
According to the present invention, the layer of the organic EL film laminated on the upper surface of the insulating film becomes smooth, and it is possible to prevent breakage of the upper electrode and contact between the upper electrode and the lower electrode. As a result, it becomes possible to manufacture an organic EL element with a high yield.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
(Embodiment 1)
A method for manufacturing an organic EL element including the steps of forming an opening of an insulating film and surface-treating the lower electrode using a shadow mask will be described. FIG. 1 is a process diagram illustrating this embodiment. (A)-(g) of FIG. 1 represents the order of a process. In FIG. 1, 11 is a glass substrate as a substrate. In addition, as the substrate, a flexible substrate, a substrate on which a color filter or a color conversion material is formed, or the like is also possible. Reference numeral 12 denotes a lower electrode. When the EL light is emitted to the glass substrate 11 side, a transparent electrode material is used for the lower electrode. Examples of the transparent electrode material include ITO (Indium Tin Oxide), indium zinc oxide, and tin oxide. Reference numeral 13 denotes an insulating film. By forming the insulating film, the light emitting region can be divided. As the insulating film material, an inorganic film such as SiO 2 or Si 3 N 4 or an organic film such as polyimide can be used. Reference numeral 15 denotes an organic EL film. In the organic EL film, EL light is emitted by electrons and holes supplied from the electrodes. Reference numeral 16 denotes an upper electrode. When a transparent electrode material is used for the lower electrode, Al, Li, Mg, Au, Ag or the like or an alloy thereof can be used as the metal electrode material for the upper electrode. 21 is a metal mask as a shadow mask.
[0011]
In the manufacturing process of FIG. 1, first, the lower electrode 12 is formed on the upper surface of the glass substrate 11 (FIG. 1A). Next, an insulating film 13 is laminated on the upper layer while filling the space between the lower electrodes 12 (FIG. 1B). A predetermined metal mask 21 is attached to the surface of the insulating film 13 (FIG. 1C), and an unnecessary insulating film is removed by exposure to an etching gas or an etching solution. (FIG. 1 (d)). Further, the metal mask 21 is removed (FIG. 1E), and the surface treatment of the lower electrode is performed with plasma gas. Alternatively, after the surface treatment of the lower electrode, the metal mask 21 is removed (FIG. 1 (e)). When the insulating film is eroded during the surface treatment of the lower electrode, it is preferable to remove the metal mask 21 after the surface treatment of the lower electrode. At this time, when the same metal mask as that for forming the opening in the insulating film is used, it is not necessary to prepare a new metal mask and the manufacturing process can be performed consistently. After that, the organic EL film 15 is laminated so as to cover the lower electrode while covering the insulating film (FIG. 1 (f)), and then the upper electrode 16 is formed to form an organic EL element ( FIG. 1 (g)).
[0012]
According to the above manufacturing method, a metal mask, which is a kind of shadow mask, is used to form an opening in the insulating film, so that there is no need for pattern creation, exposure, and development steps like a photomask. Thus, the manufacturing process of the organic EL element was simplified. In addition, the use of a reusable shadow mask has made the process more economical. Further, the same effect was obtained when a metal mask was used for the surface treatment of the lower electrode. In this manufacturing method, it was possible to consistently work in the chamber from the step of forming the lower electrode on the upper surface of the glass substrate to the step of forming the upper electrode, and it became possible to make the manufacturing process a streamline.
Further, if the same shadow mask is subsequently used for the step of forming the opening of the insulating film and the step of surface-treating the lower electrode, it is not necessary to replace the shadow mask, and the manufacturing process of the organic EL element is further simplified. It was done.
[0013]
(Embodiment 2)
In the present embodiment, a method for manufacturing an organic EL element with a high manufacturing yield will be described. (A)-(g) of FIG. 2 represents the order of a process. In FIG. 2, 11 is a glass substrate as a substrate. In addition, a substrate on which a flexible substrate, a color filter, or a color conversion material is formed is also possible as the substrate. Reference numeral 12 denotes a lower electrode. When the EL light is emitted to the glass substrate 11 side, a transparent electrode material is used for the lower electrode. Examples of the transparent electrode material include ITO (Indium Tin Oxide), indium zinc oxide, and tin oxide. Reference numeral 17 denotes an insulating film. By forming the insulating film, the light emitting region can be divided. As the insulating film material, an inorganic film such as SiO 2 or Si 3 N 4 or an organic film such as polyimide can be used. Reference numeral 15 denotes an organic EL film. In the organic EL film, EL light is emitted by electrons and holes supplied from the electrodes. Reference numeral 16 denotes an upper electrode. When a transparent electrode material is used for the lower electrode, Al, Li, Mg, Au, Ag, or an alloy thereof can be used for the upper electrode as a metal electrode material. Reference numeral 23 denotes a metal mask as a shadow mask.
[0014]
In the manufacturing process of FIG. 2, first, the lower electrode 12 is formed on the upper surface of the glass substrate 11 (FIG. 2A). Next, an insulating film 17 is laminated on the upper layer while filling the space between the lower electrodes 12 (FIG. 2B). A predetermined metal mask 23 is mounted on the surface of the insulating film 17 (FIG. 2C). At this time, a gap is provided between the metal mask 23 and the insulating film 17 to such an extent that an etching solution or etching gas enters between the periphery of the metal mask 23 and the surface of the insulating film 17. After that, when an unnecessary insulating film is removed by introducing an etching solution or an etching gas, an opening is formed in the insulating film (FIG. 2D). Further, the metal mask 23 is removed (FIG. 2E), and the surface treatment of the lower electrode is performed with plasma gas. Alternatively, after the surface treatment of the lower electrode, the metal mask 23 is removed (FIG. 2E). When the insulating film is eroded during the surface treatment of the lower electrode, it is preferable to remove the metal mask 23 after the surface treatment of the lower electrode. At this time, when the same metal mask as that for forming the opening in the insulating film is used, it is not necessary to prepare a new metal mask and the manufacturing process can be performed consistently. The etched insulating film 17 is etched into a rounded shape by an etchant or etching gas that has entered between the periphery of the metal mask 23 and the surface of the insulating film 17 as shown in FIG. The After that, the organic EL film 15 is laminated so as to be in contact with the lower electrode while filling the space between the insulating films (FIG. 2F). Since the insulating film has a rounded shape, it is less likely that defects occur in the organic EL film 15 due to the edges of the insulating film. Next, the upper electrode 16 is formed to form a basic organic EL element (FIG. 2 (g)). Since the organic EL film 15 has few defects, it is less likely that the upper electrode is in contact with the lower electrode when the upper electrode is formed.
[0015]
When the corners of the insulating film 17 are rounded by the above manufacturing method, the layer of the organic EL film 15 laminated on the upper surface of the insulating film becomes smooth, and the upper electrode 16 is disconnected and the upper electrode 16 and the lower electrode 12 are in contact with each other. Could be prevented. As a result, it became possible to manufacture an organic EL element with a high yield.
[0016]
【The invention's effect】
As described above, the invention according to claim 1 simplifies the manufacturing process of the organic EL element including the formation of the opening of the insulating film, and makes the process economical by using a reusable shadow mask. Is done.
According to the invention of claim 2, the manufacturing process of the organic EL element including the formation of the opening portion of the insulating film and the surface treatment of the lower electrode is consistently performed, and the process is made economical by using the same shadow mask. According to the third aspect of the present invention, the layer of the organic EL film laminated on the upper surface of the insulating film becomes smooth, and it is possible to prevent breakage of the upper electrode and contact between the upper electrode and the lower electrode. As a result, it becomes possible to manufacture an organic EL element with a high yield.
[Brief description of the drawings]
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining a manufacturing process of an organic EL element showing embodiments of the first invention and the second invention of the present application.
FIG. 2 is a diagram illustrating a manufacturing process of an organic EL element showing an embodiment of the third invention of the present application.
FIG. 3 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional organic EL element.
[Explanation of symbols]
11: Glass substrate 12: Lower electrode 13: Insulating film 14: Photoresist 15: Organic EL film 16: Upper electrode 17: Insulating film 21: Metal mask 23: Metal mask

Claims (3)

基板上に少なくとも下部電極、絶縁性膜、有機エレクトロルミネッセンス膜、上部電極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
ガラス基板の上面に複数の下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極形成工程の後に、前記複数の下部電極の間を埋めつつ、前記ガラス基板及び前記下部電極の上層に絶縁性膜を積層する絶縁性膜積層工程と、
前記絶縁性膜積層工程の後に、前記絶縁性膜の表面に所定のシャドーマスクを装着し、エッチングガス又はエッチング液に曝すことにより、前記シャドーマスクの開口部から露出する不要な絶縁性膜を除去して前記絶縁性膜に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部形成工程の後に、前記シャドーマスクを撤去するマスク外し工程と、
前記マスク外し工程の後、下部電極の表面処理を行う表面処理工程と、
前記表面処理工程の後に、前記開口部形成工程で形成された前記絶縁性膜の開口部から露出する下部電極を被うように有機エレクトロルミネッセンス膜を積層する有機エレクトロルミネッセンス積層工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス積層工程の後に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 In the method of manufacturing an organic electroluminescence element that forms at least a lower electrode, an insulating film, an organic electroluminescence film, and an upper electrode on a substrate,
A lower electrode forming step of forming a plurality of lower electrodes on the upper surface of the glass substrate;
An insulating film laminating step of laminating an insulating film on the glass substrate and the lower electrode while filling the space between the plurality of lower electrodes after the lower electrode forming step;
After the insulating film laminating step, an unnecessary insulating film exposed from the opening of the shadow mask is removed by mounting a predetermined shadow mask on the surface of the insulating film and exposing to an etching gas or etching solution. An opening forming step of forming an opening in the insulating film;
After the opening forming step, a mask removing step of removing the shadow mask,
After the mask removing step, a surface treatment step of performing a surface treatment of the lower electrode,
An organic electroluminescence lamination step of laminating an organic electroluminescence film so as to cover the lower electrode exposed from the opening of the insulating film formed in the opening formation step after the surface treatment step;
After the organic electroluminescence lamination step, an upper electrode forming step for forming an upper electrode,
A method for producing an organic electroluminescence element, comprising: 基板上に少なくとも下部電極、絶縁性膜、有機エレクトロルミネッセンス膜、上部電極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
ガラス基板の上面に複数の下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極形成工程の後に、前記複数の下部電極の間を埋めつつ、前記ガラス基板及び前記下部電極の上層に絶縁性膜を積層する絶縁性膜積層工程と、
前記絶縁性膜積層工程の後に、前記絶縁性膜の表面に所定のシャドーマスクを装着し、エッチングガス又はエッチング液に曝すことにより、前記シャドーマスクの開口部から露出する不要な絶縁性膜を除去して前記絶縁性膜に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部形成工程の後に、下部電極の表面処理を行う表面処理工程と、
前記表面処理工程の後に、前記シャドーマスクを撤去するマスク外し工程と、
前記マスク外し工程の後、前記開口部形成工程で形成された前記絶縁性膜の開口部から露出する下部電極を被うように有機エレクトロルミネッセンス膜を積層する有機エレクトロルミネッセンス積層工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス積層工程の後に、上部電極を形成する上部電極形成工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 In the method of manufacturing an organic electroluminescence element that forms at least a lower electrode, an insulating film, an organic electroluminescence film, and an upper electrode on a substrate,
A lower electrode forming step of forming a plurality of lower electrodes on the upper surface of the glass substrate;
An insulating film laminating step of laminating an insulating film on the glass substrate and the lower electrode while filling the space between the plurality of lower electrodes after the lower electrode forming step;
After the insulating film laminating step, an unnecessary insulating film exposed from the opening of the shadow mask is removed by mounting a predetermined shadow mask on the surface of the insulating film and exposing to an etching gas or etching solution. An opening forming step of forming an opening in the insulating film;
A surface treatment step of performing a surface treatment of the lower electrode after the opening forming step;
A mask removing step of removing the shadow mask after the surface treatment step;
After the mask removal step, an organic electroluminescence lamination step of laminating an organic electroluminescence film so as to cover the lower electrode exposed from the opening of the insulating film formed in the opening formation step,
After the organic electroluminescence lamination step, an upper electrode forming step for forming an upper electrode,
A method for producing an organic electroluminescence element, comprising: 前記開口部形成工程において、前記シャドーマスクの周縁と前記絶縁性膜表面と間にエッチング液又はエッチングガスが進入する程度に、前記シャドーマスクと前記絶縁性膜との間に間隙を設けて前記シャドーマスクを装着することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 In the opening forming step, to the extent that the peripheral edge with the insulating film surface and the etchant or etching gas between said shadow mask enters, the shadow is provided a gap between the shadow mask and the insulating film A method for manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein a mask is attached .
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