JP3736060B2

JP3736060B2 - Plasma processing equipment

Info

Publication number: JP3736060B2
Application number: JP22776697A
Authority: JP
Inventors: 学枝村; 昭土居; 賢治前田; 雅嗣荒井; 健吉岡; 恒彦坪根
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-08-25
Filing date: 1997-08-25
Publication date: 2006-01-18
Anticipated expiration: 2017-08-25
Also published as: JPH1167494A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、液晶ディスプレー用基板等の製造において、エッチングや成膜等の処理に好適なプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化、半導体ウエハの大口径化や液晶ディスプレーの大面積化に伴い、これらの処理装置に求められる要求は、ますます厳しくなっている。プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、プラズマアッシング装置といったプラズマ処理装置においても、その状況は同じであり、スループット向上のための高プラズマ密度化、被処理物の大面積化への対応、クリーン化等が、重要課題となっている。
現在、これらの装置に用いられるプラズマ源としては、高周波容量結合型プラズマ源、マイクロ波ＥＣＲプラズマ源、高周波誘導結合型プラズマ源等のプラズマ源が、その特徴を生かして、様々な処理プロセスごとに使い分けられている。以上述べた３つのプラズマ源を備えるプラズマ処理装置のうち、近年、急速に使われはじめたのが、高周波誘導結合型プラズマ処理装置である。誘導結合型プラズマ処理装置は、例えば、特開平２−235332に示されるような装置であり、チャンバの一部である石英などの絶縁材を介して処理チャンバの外に配置された、一般的には、ループ、コイル、あるいは、らせんといった形状をした高周波アンテナに、数100kHzから、数100MHzの高周波電力を給電し、アンテナによって形成される誘導磁場によって、処理チャンバ内に導入されたプロセスガスにエネルギを供給し、プラズマを発生、維持する方式のプラズマ装置である。このような装置は、プラズマ中に誘導電流が生じ、電気回路的には、プラズマと高周波アンテナが誘導結合している（電気回路的には、アンテナを一次コイル、プラズマ中の電流を２次コイルとみなしたトランス回路と考えられる）ため、誘導結合型プラズマ処理装置と呼ばれる。誘導結合型プラズマ処理装置の利点は、単純なアンテナと高周波電源という簡単で安価な構成で、1E11〜1E12(cm-3)という比較的高密度のプラズマを発生できること、大面積のプラズマを容易に発生させることができること、モードを持たないためプラズマが安定であること、処理チャンバ内部がシンプルで、メンテナンスがしやすく処理中に被処理物上に飛来する異物を少なくできること等が挙げられる。
【０００３】
特開平２−235332に示される誘導結合型プラズマ処理装置においては、高周波アンテナが、処理チャンバ中のプラズマに対して、石英などの絶縁材を介して、大気側に配置されるが、この絶縁材は、チャンバ内部でのプラズマによるイオンの衝撃や化学的な反応等で加熱され、何も手段を講じずに放電を続けると温度が上昇する。このような温度上昇は、絶縁材の真空シール部に用いられるフッ素ゴム等のＯリングを破損し、リークや、このＯリングに起因するフッ素系の異物の原因となる。また、エッチング処理においては、チャンバの温度が処理中のガスの化学組成に強い影響を与えるために、この絶縁材を含めて、チャンバの温度を常に一定に保つ必要がある。したがって、運転を開始する時には、チャンバを暖めておき、処理物を連続的にプラズマ処理する際には、処理中の発熱があるので、逆に温度上昇を抑えるために冷却する必要が生じることもある。いずれにしても、連続的に処理をおこなう場合でも、各回の処理において、チャンバを一定の温度に保つことが必須である。また、プラズマ処理装置は、通常、クリーンルーム内に設置されるので、クリーンルームの流れを乱すと、微小なゴミを巻き上げる。したがって、プラズマ放電部を冷却する際にも、ファン等によって起こされる空気の流れが、外部に空気の乱れを起こさないようにしなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、処理チャンバの加熱が著しいアンテナ近傍の温度を調節して、安定したプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は、信頼性が高く、処理中の発塵が少ないプラズマ処理装置を提供することを、別の目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的は、処理チャンバと、この処理チャンバにガスを導入するガス導入手段と、前記処理チャンバ内を排気する排気手段と、前記処理チャンバの絶縁材料で構成された部分の外周において巻かれて配置され高周波電源に接続された誘導アンテナとを備え、前記処理チャンバ内にプラズマを生成して処理室内に配置された被処理材を処理するプラズマ処理装置において、前記アンテナの外側を覆いこのアンテナを横切るように配置されたスリットを有する導電性の板部材と、前記処理チャンバの絶縁材料で構成された部分の外側であって前記アンテナ及び前記板部材を囲むカバーであって前記処理チャンバの外側で略閉じられた空間を構成するカバーと、このカバーの内側において前記スリットを介してこのカバー内の空気を前記板部材と前記処理チャンバとの間の空間及び前記板部材の外側との空間を通って循環させて前記処理チャンバの温度調節をするためのファンとを備えたプラズマ処理装置により達成される。さらにまた、前記空気が循環する経路上に配置された空気の温度調節手段を備えたことにより達成される。さらに、前記温度調節手段は前記カバーの内側に配置されたことにより達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明は、半導体デバイスの製造の分野に限定されるものではなく、液晶ディスプレイの製造や、各種材料の成膜、表面処理に適用が可能である。ここでは、主に、半導体デバイス製造用のプラズマアッシング処理装置を例にとって、実施例を示すことにする。
【０００７】
図１に、本発明の一実施例を示す。図中の処理チャンバ１は、アルミニウムやステンレス製の真空容器である。処理チャンバ１は、排気手段２、および、被処理物である半導体ウエハ３を搬入出するための搬送システム４を備える。処理チャンバ１中には、半導体ウエハを載置するためのステージ５が設置される。搬送システム４より、処理チャンバ中に搬入されたウエハは、プッシュロッド６によって、ステージ上に運ばれる。また、ステージには、プラズマ処理中のウエハの温度を約２００℃程度に加熱するためにヒータ７が設置されている。
【０００８】
一方、処理チャンバの上部には、絶縁管８、ガス導入フランジ９等からなる放電部が真空シール１０、１１を介して設置され、その周囲には、導電性のよい金属である銅等で作られた１ループあるいは、数ループのアンテナ１２が設置される。アンテナ１２には、一般的には２台の可変コンデンサを内蔵したインピーダンス整合器１３を介して高周波電源１４が接続される。高周波電源の周波数は、特に限定されないが、一般的には、数100kHzから、数100MHzであり、商用周波数である13.56MHzがもっとも一般的である。アンテナ１２の外側には、アンテナを横切る方向、すなわち、図１においては縦方向のスリットをもつ円筒形の金属部材１５が設置される。図２に、この部材の斜視分解図を示す。スリット１６は、温度調節した空気を吹出すためと、この部材での誘導損失を防ぐために設けられている。すなわち、アンテナに加わる高周波電力によって、プラズマは誘導加熱されるが、このスリットがないとこの円筒形金属部材にも誘導電流が流れる。その結果、円筒形部材が加熱されるとともに、プラズマに投入される電力は減少するので、プラズマの密度が減少する。図２に示されるようなスリットを設けることによって、アンテナに沿ってこの部材に流れる電流を防止できるので、この部材の加熱とプラズマ密度の低下の問題が解消される。また、１３．５６ＭＨｚの高周波の波長は、約２２ｍなので、スリットの長さは、波長よりも十分短いと考えられるので、この円筒形金属部材によって、外側に漏れる電磁波を防ぐことができる。また、スリットは、アンテナを横切るようになっていればよく、必ずしも縦方向でなくてもよい。図３に示したように斜めであったり、あるいは、くの字であってもよい。あるいは、図４のように誘導電流防止用のスリット少なくとも１本と、別に空気用の小穴１７の組み合わせでもよい。放電部全体は、カバー１８によって覆われる。アンテナ周りの空間は、絶縁管、チャンバ、円筒形部材によって、上部以外は、ほぼ閉じられた空間となっている。上部には、この部分の空気を吸い出すためのファン１９が設置される。ファンによって吹きだされた空気２０は、温度調節用のラジエータ２１に送られ所定の温度にされる。アッシング処理においては、絶縁管の加熱が著しく、また、アッシング処理に対してチャンバの温度がさほど重要でないので、ほぼ冷却だけを考えてよい。したがって、この部分で空気は冷却され、カバーと円筒形部材の間の空間２２に送られる。エッチング装置の場合は、チャンバ内表面の物理化学的な表面反応が、内部のガス組成に影響を与えるので、逆に加熱が必要な場合もある。空間２２から、空気は、スリットを通って吹出し、アンテナ及び絶縁管を効果的に冷却する。
【０００９】
上部に空気の温度調節機構を設けるかわりに、円筒形の部材に温度調節機構を取り付けても同様の効果がある。具体的には、図５に示すように、円筒形部材の表面に冷却パイプ３１、およびヒータ３２をはわせることによって実現される。又、同部材の表面に凸凹を持たせることにより、循環させる空気に対する伝熱面が大きくなり、空気の加熱冷却効率が高くなる。また、さらに、図６に示すように、絶縁筒の表面にも凸凹をつけることによって、同じように、伝熱面を大きくすることができる。絶縁筒は、一般的には、石英で作られることが多いが、熱伝導のよいアルミナセラミックで作ることによって、絶縁筒内の温度分布を低減し、信頼性を増すことができる。また、アルミナ部品は型で作るので、表面に凸凹を作ることによって製造コストもさほど上がることはない。アルミナセラミックは、不透明であるので、石英を用いるのに比べて、放電中のプラズマの様子を見られない、終点判定用の光を検出できない、といった問題が生じるが、別に石英などの透明な材料によって作られる窓３３を上部に設けることによって、その問題は、解決される。
【００１０】
図７に別の実施例を示す。この実施例では、ファンが円筒形部材の外側に設置される。絶縁管の冷却を主目的とする場合、ファンからの空気を直接絶縁管に吹き付けることにより、絶縁管に当たる空気の流速が大きく効果的に冷却される。図６に示したような表面に凸凹をつけた絶縁筒と併用すると特に効果的に冷却を行える。しかし、ファンを横に設置することにより、放電部全体の占有面積が大きくなってしまうという欠点もある。
【００１１】
図８は、平面的に誘導アンテナを配したプラズマ処理装置に本発明を適用した例である。この場合、図９の様に放射状スリット４１を切った平板状の金属部材４２が絶縁板４３とループまたはらせん状のアンテナ４４の上部に設置され、さらにその上部にファンが設置される。プラズマによって加熱された絶縁板ならびにアンテナによって暖まった空気は、自然対流によって上部に行きやすいので、図３に示した実施例の場合と反対に、ファンは、アンテナ周りの空気を排気するようにした方が冷却効率が高い場合もある。排気された空気は、冷却された後、外周からまた戻ってくる。
【００１２】
以上、本発明の実施の形態を、主に半導体デバイス製造用のプラズマアッシング装置を例にとって示したが、本発明は、プラズマアッシンッグ装置に限定されることなく、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置などに適用が可能であり、半導体デバイスの処理のみならず、液晶ディスプレイ基板の処理や、その他、表面処理全般に適用が可能である。また、上記実施の形態によれば、チャンバ内部でのプラズマによるイオンの衝撃や化学的な反応等で加熱される絶縁材の温度上昇を尾さえ、絶縁材の真空シール部を保護し、装置の信頼性が向上する。また、このＯリングの破損に起因するフッ素系の異物を低減し、装置の稼働率を向上する。また、チャンバの温度を一定に保つことにより、連続処理を行う際にも、一定したプラズマ処理を実現する。その結果、全体としてのプラズマ処理性能が向上し、ハイスループットのアッシング処理，微細なエッチング処理，高品質な成膜加工，表面処理等が可能となる。
【００１３】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によれば、処理チャンバの加熱が著しいアンテナ近傍の温度を調節して、安定したプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置を提供できる。また、本発明によれば、信頼性が高く、処理中の発塵が少ないプラズマ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す図。
【図２】円筒形金属部材の斜視分解図。
【図３】円筒形金属部材のスリットのパターンを示す図。
【図４】円筒形金属部材のスリット及び穴のパターンを示す図。
【図５】本発明の一実施例を示す図。
【図６】本発明の一実施例を示す図。
【図７】本発明の一実施例を示す図。
【図８】本発明の一実施例を示す図。
【図９】平板状の金属部材のスリットのパターンを示す図。
【符号の説明】
１…処理チャンバ、２…真空排気手段、３…半導体ウエハ、４…搬送システム、５…ステージ、６…プッシュロッド、７…ヒータ、８…絶縁管、９…ガス導入フランジ、１０…真空シール、１１…真空シール、１２…アンテナ。１３…インピーダンス整合器、１４…高周波電源、１５…円筒形の金属部材、１６…スリット、１７…空気用の小穴、１８…カバー、１９…ファン、２０…空気、２１…ラジエータ、２２…カバーと円筒形部材の間の空間、３１…冷却パイプ、３２…ヒータ、３３…窓、４１…放射状スリット、４２…平板状の金属部材、４３…絶縁板、４４…ループまたはらせん状のアンテナ、４５…ガス導入部。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma processing apparatus suitable for processes such as etching and film formation in the manufacture of semiconductors, liquid crystal display substrates and the like.
[0002]
[Prior art]
As semiconductor elements are highly integrated, semiconductor wafers have a larger diameter, and liquid crystal displays have a larger area, the demands on these processing apparatuses are becoming stricter. The situation is the same in plasma processing apparatuses such as plasma etching apparatuses, plasma CVD apparatuses, and plasma ashing apparatuses, and high plasma density for improving throughput, handling of a large area of an object to be processed, cleanliness, etc. It has become an important issue.
Currently, plasma sources such as a high frequency capacitively coupled plasma source, a microwave ECR plasma source, and a high frequency inductively coupled plasma source are used as plasma sources for these apparatuses. It is used properly. Among the plasma processing apparatuses provided with the three plasma sources described above, a high frequency inductively coupled plasma processing apparatus has recently been used rapidly. The inductively coupled plasma processing apparatus is, for example, an apparatus as disclosed in JP-A-2-235332, and is generally disposed outside a processing chamber via an insulating material such as quartz that is a part of the chamber. The high-frequency antenna in the shape of a loop, a coil, or a spiral is fed with high-frequency power of several hundreds of kHz to several hundreds of MHz, and energy is generated in the process gas introduced into the processing chamber by an induction magnetic field formed by the antenna Is a plasma device that generates and maintains plasma. In such an apparatus, an induced current is generated in the plasma, and in terms of electrical circuit, the plasma and the high frequency antenna are inductively coupled (in terms of electrical circuit, the antenna is the primary coil, and the current in the plasma is the secondary coil. Therefore, it is called an inductively coupled plasma processing apparatus. The advantage of inductively coupled plasma processing equipment is that it can generate a relatively high-density plasma of 1E11 to 1E12 (cm-3) with a simple and inexpensive configuration with a simple antenna and a high-frequency power supply, and it can easily generate large-area plasma. For example, it can be generated, the plasma is stable because it does not have a mode, the inside of the processing chamber is simple, maintenance is easy, and foreign matter flying on the workpiece during processing can be reduced.
[0003]
In the inductively coupled plasma processing apparatus disclosed in JP-A-2-235332, the high frequency antenna is disposed on the atmosphere side with respect to the plasma in the processing chamber via an insulating material such as quartz. Is heated by ion bombardment or chemical reaction caused by plasma inside the chamber, and the temperature rises if discharge is continued without taking any measures. Such a temperature rise breaks an O-ring such as fluoro rubber used for the vacuum seal portion of the insulating material, and causes leakage and fluorine-based foreign matters resulting from the O-ring. In the etching process, since the chamber temperature has a strong influence on the chemical composition of the gas being processed, it is necessary to keep the chamber temperature constant including this insulating material. Therefore, when the operation is started, the chamber is kept warm, and when processing the plasma continuously, there is a heat generation during the processing, so it may be necessary to cool the temperature to suppress the temperature rise. is there. In any case, even when processing is performed continuously, it is essential to keep the chamber at a constant temperature in each processing. In addition, since the plasma processing apparatus is usually installed in a clean room, if the flow in the clean room is disturbed, minute dust is wound up. Therefore, when cooling the plasma discharge part, it is necessary to prevent the air flow caused by the fan or the like from causing air turbulence to the outside.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of performing stable plasma processing by adjusting the temperature in the vicinity of an antenna where the processing chamber is significantly heated. Another object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus with high reliability and low dust generation during processing.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The object of the present invention is to provide a process chamber, a gas introduction means for introducing gas into the process chamber, an exhaust means for exhausting the inside of the process chamber, and an outer periphery of a portion made of an insulating material of the process chamber. In a plasma processing apparatus for processing a material to be processed disposed in a processing chamber by generating a plasma in the processing chamber, and covering the outside of the antenna. A conductive plate member having a slit disposed across the antenna, and a cover that surrounds the antenna and the plate member outside the portion made of an insulating material of the processing chamber, wherein a cover which constitutes a substantially closed space with the outside, inside of the cover through the slit the air inside the cover It is achieved by a plasma processing apparatus provided with a fan for by circulating through the space and the space between the outside of the plate member between the member and the processing chamber to the temperature control of the processing chamber. Furthermore, this is achieved by providing an air temperature adjusting means arranged on a path through which the air circulates. Furthermore, the temperature adjusting means is achieved by being arranged inside the cover.
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention is not limited to the field of manufacturing semiconductor devices, and can be applied to the manufacture of liquid crystal displays, film formation of various materials, and surface treatments. Here, the embodiment will be mainly described by taking a plasma ashing processing apparatus for manufacturing a semiconductor device as an example.
[0007]
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. The processing chamber 1 in the figure is a vacuum vessel made of aluminum or stainless steel. The processing chamber 1 includes an exhaust unit 2 and a transfer system 4 for loading and unloading a semiconductor wafer 3 as an object to be processed. A stage 5 for placing a semiconductor wafer is installed in the processing chamber 1. The wafer carried into the processing chamber from the transfer system 4 is transferred onto the stage by the push rod 6. The stage is provided with a heater 7 for heating the temperature of the wafer during plasma processing to about 200 ° C.
[0008]
On the other hand, a discharge part composed of an insulating tube 8, a gas introduction flange 9 and the like is installed in the upper part of the processing chamber through vacuum seals 10 and 11, and the periphery thereof is made of copper or the like having a good conductivity. One loop or several loops of the antenna 12 is installed. In general, a high frequency power source 14 is connected to the antenna 12 via an impedance matching unit 13 incorporating two variable capacitors. The frequency of the high frequency power supply is not particularly limited, but is generally several hundred kHz to several hundred MHz, and the commercial frequency of 13.56 MHz is the most common. Outside the antenna 12, a cylindrical metal member 15 having slits in the direction crossing the antenna, that is, in the vertical direction in FIG. FIG. 2 shows an exploded perspective view of this member. The slit 16 is provided to blow out temperature-controlled air and to prevent induction loss in this member. That is, the plasma is induction-heated by the high-frequency power applied to the antenna, but if there is no slit, an induction current also flows through the cylindrical metal member. As a result, the cylindrical member is heated and the electric power supplied to the plasma is reduced, so that the density of the plasma is reduced. By providing a slit as shown in FIG. 2, the current flowing through this member along the antenna can be prevented, and the problems of heating the member and lowering the plasma density are eliminated. Moreover, since the wavelength of the high frequency of 13.56 MHz is about 22 m, it is considered that the length of the slit is sufficiently shorter than the wavelength. Therefore, electromagnetic waves leaking to the outside can be prevented by this cylindrical metal member. Moreover, the slit should just cross an antenna and does not necessarily need to be a vertical direction. It may be diagonal as shown in FIG. Alternatively, as shown in FIG. 4, a combination of at least one slit for preventing induced current and a small hole 17 for air may be used. The entire discharge part is covered with a cover 18. The space around the antenna is a substantially closed space except for the upper part by an insulating tube, a chamber, and a cylindrical member. A fan 19 for sucking out the air in this portion is installed at the top. The air 20 blown out by the fan is sent to a temperature adjusting radiator 21 to be a predetermined temperature. In the ashing process, heating of the insulating tube is significant, and since the temperature of the chamber is not so important for the ashing process, only cooling can be considered. Therefore, in this part, the air is cooled and sent to the space 22 between the cover and the cylindrical member. In the case of an etching apparatus, since the physicochemical surface reaction on the inner surface of the chamber affects the gas composition in the chamber, heating may be necessary. From the space 22 air blows through the slits, effectively cooling the antenna and the insulating tube.
[0009]
A similar effect can be obtained by attaching a temperature adjustment mechanism to a cylindrical member instead of providing an air temperature adjustment mechanism at the top. Specifically, as shown in FIG. 5, the cooling pipe 31 and the heater 32 are put on the surface of the cylindrical member. Further, by providing unevenness on the surface of the member, the heat transfer surface for the air to be circulated is increased, and the heating and cooling efficiency of the air is increased. Furthermore, as shown in FIG. 6, the heat transfer surface can be enlarged in the same manner by making the surface of the insulating cylinder uneven. In general, the insulating cylinder is often made of quartz. However, the insulating cylinder can be made of alumina ceramic having good thermal conductivity, thereby reducing the temperature distribution in the insulating cylinder and increasing the reliability. In addition, since the alumina part is made of a mold, the manufacturing cost does not increase by making the surface uneven. Since alumina ceramics are opaque, there are problems such as not being able to see the state of plasma during discharge and not being able to detect light for endpoint determination, compared to using quartz. The problem is solved by providing a window 33 made by
[0010]
FIG. 7 shows another embodiment. In this embodiment, the fan is installed outside the cylindrical member. When the main purpose is cooling the insulating tube, the air flow from the fan is blown directly onto the insulating tube, so that the flow velocity of the air hitting the insulating tube is greatly and effectively cooled. Cooling can be performed particularly effectively when used in combination with an insulating cylinder having a surface with irregularities as shown in FIG. However, there is also a drawback in that the area occupied by the entire discharge unit is increased by installing the fan sideways.
[0011]
FIG. 8 shows an example in which the present invention is applied to a plasma processing apparatus in which an induction antenna is arranged in a plane. In this case, as shown in FIG. 9, a flat metal member 42 having a radial slit 41 cut is installed on the insulating plate 43 and the loop or spiral antenna 44, and a fan is further installed on the top. Since the air heated by the insulating plate and the antenna heated by the plasma tends to go to the upper part by natural convection, the fan exhausts the air around the antenna as opposed to the embodiment shown in FIG. In some cases, the cooling efficiency is higher. The exhausted air returns from the outer periphery after being cooled.
[0012]
As described above, the embodiments of the present invention have been shown mainly by taking the plasma ashing apparatus for manufacturing semiconductor devices as an example. However, the present invention is not limited to the plasma ashing apparatus, but the plasma etching apparatus and the plasma CVD apparatus. It can be applied not only to semiconductor device processing, but also to liquid crystal display substrate processing and other surface processing in general. In addition, according to the above-described embodiment, the vacuum seal portion of the insulating material is protected even if the temperature rise of the insulating material heated by ion bombardment or chemical reaction due to plasma inside the chamber is protected, and the apparatus Reliability is improved. Moreover, the fluorine-type foreign material resulting from this failure | damage of an O-ring is reduced, and the operating rate of an apparatus is improved. In addition, by maintaining the chamber temperature constant, a constant plasma process can be realized even when continuous processing is performed. As a result, plasma processing performance as a whole is improved, and high-throughput ashing processing, fine etching processing, high-quality film formation processing, surface processing, and the like are possible.
[0013]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a plasma processing apparatus capable of performing stable plasma processing by adjusting the temperature in the vicinity of the antenna where the processing chamber is significantly heated. Further, according to the present invention, it is possible to provide a plasma processing apparatus with high reliability and low dust generation during processing.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an exploded perspective view of a cylindrical metal member.
FIG. 3 is a view showing a slit pattern of a cylindrical metal member.
FIG. 4 is a diagram showing a pattern of slits and holes in a cylindrical metal member.
FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a view showing a slit pattern of a flat metal member.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing chamber, 2 ... Vacuum exhaust means, 3 ... Semiconductor wafer, 4 ... Transfer system, 5 ... Stage, 6 ... Push rod, 7 ... Heater, 8 ... Insulating tube, 9 ... Gas introduction flange, 10 ... Vacuum seal, 11 ... Vacuum seal, 12 ... Antenna. DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 ... Impedance matching device, 14 ... High frequency power supply, 15 ... Cylindrical metal member, 16 ... Slit, 17 ... Small hole for air, 18 ... Cover, 19 ... Fan, 20 ... Air, 21 ... Radiator, 22 ... Cover Space between cylindrical members, 31 ... cooling pipe, 32 ... heater, 33 ... window, 41 ... radial slit, 42 ... flat metal member, 43 ... insulating plate, 44 ... loop or spiral antenna, 45 ... Gas introduction part.

Claims

A high-frequency power source is disposed by being wound around the processing chamber, gas introduction means for introducing gas into the processing chamber, exhaust means for exhausting the inside of the processing chamber, and an outer periphery of a portion made of an insulating material of the processing chamber. A plasma processing apparatus that includes a connected induction antenna and generates a plasma in the processing chamber to process a material to be processed disposed in the processing chamber;
A conductive plate member having a slit arranged to cover the outside of the antenna and across the antenna; and a cover that surrounds the antenna and the plate member outside the portion made of an insulating material of the processing chamber. A cover that constitutes a space that is substantially closed outside the processing chamber, and air inside the cover through the slit inside the cover and the space between the plate member and the processing chamber, and the A plasma processing apparatus, comprising: a fan for adjusting the temperature of the processing chamber by circulating through a space with the outside of the plate member.

2. The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising air temperature adjusting means arranged on a path through which the air circulates.

3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjusting unit is disposed inside the cover. 4.