JP3725688B2 - Logic unit - Google Patents
Logic unit Download PDFInfo
- Publication number
- JP3725688B2 JP3725688B2 JP00843698A JP843698A JP3725688B2 JP 3725688 B2 JP3725688 B2 JP 3725688B2 JP 00843698 A JP00843698 A JP 00843698A JP 843698 A JP843698 A JP 843698A JP 3725688 B2 JP3725688 B2 JP 3725688B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- movable
- electrode
- electrostatic
- support beam
- movable part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、1つの素子で論理演算を実現する静電型可動接点素子、及び静電型可動接点素子を用いた論理演算装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、ICプロセス技術を活用することにより、半導体基板上に微細な梁構造を作製することで、半導体センサやアクチュエーターなど、可動部を有する微小機械素子を作製した例が多数報告されている。この手法により形成された微小機械素子は、基本的にはLSI製造と同じ技術により形成されるため、微小機械素子の駆動回路、あるいは検出回路との集積が容易であること、大量生産が可能であるため、製造コストが安価なこと、及び微細構造を容易に形成できること等の利点を有する。
【0003】
特に、論理回路を実現するための主要部品であるスイッチをマイクロマシン技術により形成する研究は精力的に進められてきた。この中で、静電引力を利用して接点の開閉を行う静電型可動接点素子は、製作プロセスが従来のSiプロセスと整合性が良いこと等から有望な技術と考えられる(参考文献:”Dynamic Micromechanics on Silicon:Technique and Devices”IEEE Trans.Electron Devices,ED-25,No 10,(1978)1241.)。
【0004】
図8(a)は従来の静電型可動接点素子の断面図である。この静電型可動接点素子では、絶縁性基体21の上に可動部駆動用電極22及び固定コンタクト電極23a,23bが設けられている。また、絶縁性基体21の上に接続部33が設けられ、接続部33の上に支持梁27が設けられている。
一方が接続部33を介して基体21に固定された支持梁27の固定されていない方の下面には、微小空隙24を隔てて可動部駆動用電極22と対向するように可動吸引電極25が設けられると共に、微小空隙24を隔てて固定コンタクト電極23a,23bと対向するように可動コンタクト電極26が設けられている。
可動部駆動用電極22は、入力端子29に接続されている。固定コンタクト電極23aは、出力端子30に接続されると共に抵抗31を介して接地され、固定コンタクト電極23bは、直流電源32に接続されている。また、接続部33は接地されている。
【0005】
可動コンタクト電極26と支持梁27との間には絶縁膜28が形成されているため、可動コンタクト電極26は、支持梁27とは絶縁されている。また、可動吸引電極25は支持梁27の下面に直接形成されているので、可動吸引電極25と支持梁27は導通しており、これにより可動吸引電極25は接地されている。可動部駆動用電極22−可動吸引電極25間に電圧を印加すると、静電引力が発生して両電極が引き合う。この結果、図8(b)に示すように、支持梁27がたわみ、可動コンタクト電極26と固定コンタクト電極23a,23bが接触することにより接点が閉じる。電圧印加を停止すると、支持梁27の弾性力で可動コンタクト電極26が元の位置に戻ることにより、接点が開放する。
【0006】
図9にこの静電型可動接点素子を使用したNAND及びNORの論理回路を示す。図9(a)の論理回路はNAND論理を実現する論理回路であり、図9(b)の論理回路はNOR論理を実現する論理回路である。同図において、41a及び41bが静電型可動接点素子、42a及び42bが入力端子、43が出力端子、44が抵抗、45が直流電源である。
図9に示すように、図8の静電型可動接点素子を使用してNANDやNOR等の論理回路を組むためには、通常のスイッチと同様、2個のスイッチが必要である。さらに、3個以上の入力信号に対する論理を実現するためには、入力信号の数に相当するスイッチの数が必要となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
静電型可動接点素子には、MOSFETで形成したスイッチと比較した場合、低抵抗であるという利点がある。しかし、占有面積は数千μm2 以上とかなり大きい。このため、一つの論理回路を実現するために複数の静電型可動接点素子を使用すると、論理回路の占有する面積が大きくなる。この結果、静電型可動接点素子を使用した論理回路では、微細化及び高集積化が困難であるという問題点があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、1つの素子でNANDやNOR等の論理演算を実現する静電型可動接点素子及び論理演算装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、請求項1に記載のように、基体に設けられた複数の面積の異なる可動部駆動用電極と、前記基体に設けられた固定接点となる固定コンタクト電極と、前記基体に一部が固定された支持梁と、前記可動部駆動用電極と対向するように前記支持梁に設けられた可動吸引電極と、前記固定コンタクト電極と対向するように前記支持梁に設けられた可動接点となる可動コンタクト電極とを備え、前記複数の可動部駆動用電極のうち同一の電圧値が印加された可動部駆動用電極の面積の合計が前記電圧値に応じて決まる面積のしきい値を超えた場合のみ前記可動部駆動用電極と前記可動吸引電極間の静電引力により前記支持梁を動かして前記固定コンタクト電極と前記可動コンタクト電極とからなる接点の開閉状態を切り換える静電型可動接点素子を備えた複数入力の論理演算装置であって、前記可動部駆動用電極に与えられる各入力信号に対して各可動部駆動用電極の面積に比例する重み関数をかけた演算結果が出力されるものである。このように、可動吸引電極間を引き寄せるための可動部駆動用電極を複数に分割し、その各々の可動部駆動用電極に独立に電圧を印加できるようにした。この構造では、電圧が印加される可動部駆動用電極の数が異なれば、静電引力の働く電極の面積も異なる。この結果、電圧が印加される可動部駆動用電極の数により接点の開閉が制御可能になり、複数入力の論理演算が実現できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
[第1の実施の形態]
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態となる、AND論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
本実施の形態の静電型可動接点素子では、絶縁性基体1の上に可動部駆動用電極2a,2b及び固定コンタクト電極3a,3bが設けられている。また、絶縁性基体1の上に接続部13が設けられ、接続部13の上に支持梁7が設けられている。
【0012】
このように、一方が接続部13を介して基体1に固定された支持梁7の固定されていない他方の下面には、微小空隙4を隔てて可動部駆動用電極2a,2bと対向するように可動吸引電極5が設けられると共に、微小空隙4を隔てて固定コンタクト電極3a,3bと対向するように可動コンタクト電極6が設けられている。
【0013】
可動部駆動用電極2a,2bは、入力端子9a,9bにそれぞれ接続されている。固定コンタクト電極3aは、出力端子10に接続されると共に抵抗11を介して接地され、固定コンタクト電極3bは、出力電圧が5Vの直流電源12に接続されている。また、接続部13は接地されている。
【0014】
なお、可動コンタクト電極6と支持梁7との間には絶縁膜8が形成されているため、可動コンタクト電極6は、支持梁7とは絶縁されている。
また、可動吸引電極5は支持梁7の下面に直接形成されているので、可動吸引電極5と支持梁7は導通しており、これにより可動吸引電極5は、支持梁7、接続部13を介して接地されている。
【0015】
本実施の形態では、可動吸引電極5、可動部駆動用電極2a,2b、支持梁7及び接続部13をアルミニウムにより形成し、固定コンタクト電極3a,3b及び可動コンタクト電極6を金により形成した。各電極の膜厚は、0.5μmである。
【0016】
そして、可動コンタクト電極6の面積を6μm×14μm、固定コンタクト電極3a,3bの面積を4μm×5μm、可動吸引電極5の面積を7μm×10μm、可動部駆動用電極2a,2bの面積を各々3μm×10μmとした。以下、可動部駆動用電極2a,2bの面積をそれぞれS1,S2とする。また、支持梁7の幅を10μm、長さを15μm、厚さを0.5μmとした。
【0017】
なお、静電引力の発生時に可動吸引電極5と可動部駆動用電極2a,2bとが接触すると、静電引力が消失してしまうので、静電引力が働いていないときの微小空隙4の厚さ方向(図1上下方向)の大きさは、固定コンタクト電極3a,3bと可動コンタクト電極6間よりも可動部駆動用電極2a,2bと可動吸引電極5間の方が大きくなるように設定されている。
【0018】
これにより、静電引力が生じて固定コンタクト電極3a,3bと可動コンタクト電極6とが接触しても、可動部駆動用電極2a,2bと可動吸引電極5は接触しないようになっている。本実施の形態では、微小空隙4の厚さ方向の大きさを、可動部駆動用電極2a,2bと可動吸引電極5間において0.4μmとしている。
【0019】
図2に、可動部駆動用電極の面積と可動部を駆動するために必要な直流電圧との関係を示す。図2から明らかなように、可動部駆動用電極に15Vの直流電圧を印加する場合、支持梁7をたわませるのに必要な静電引力を得るための可動部駆動用電極の面積の合計SVは40μm2 以上である。
【0020】
したがって、入力端子9a,9bの両方に信号として直流電圧15Vを入力すると、可動部駆動用電極2a,2bのうち電圧が印加される可動部駆動用電極の総面積SRはS1+S2、すなわち60μm2 となり、SV<SRとなるので、支持梁7をたわませるのに十分な静電引力が可動部駆動用電極2a,2bと可動吸引電極5との間に生じる。
【0021】
この静電引力により可動吸引電極5が可動部駆動用電極2a,2bの方に引き寄せられて支持梁7がたわみ、可動コンタクト電極6と固定コンタクト電極3a,3bとが接触する。
この結果、固定コンタクト電極3aと3bは、可動コンタクト電極6を介して接続されるので、直流電源12からの電圧5Vが出力端子10に供給される。こうして、出力端子10に出力される電圧は5Vとなる。
【0022】
一方、入力端子9a,9bの何れか一方のみに直流電圧15Vを入力した場合、あるいは入力端子9a,9bのどちらにも電圧を入力しない場合には、可動部駆動用電極2a,2bのうち電圧が印加される可動部駆動用電極の総面積SRは0あるいは30μm2 となり、SR<SVとなるので、支持梁7をたわませるのに必要な静電引力が得られない。
したがって、固定コンタクト電極3a−3b間は導通しないので、出力端子10に出力される電圧は0Vとなる。
【0023】
以上のように、本実施の形態の静電型可動接点素子は、入力端子9a,9bの両方に「1」を表す「H」レベルの信号(本実施の形態では15V)が入力されると、「1」を表す「H」レベル(5V)を出力し、入力端子9a,9bの少なくとも一方に「0」を表す「L」レベルの信号(電圧を供給しないため0V)が入力されると、「0」を表す「L」レベル(0V)を出力する。
こうして、1つの静電型可動接点素子により、AND論理を実現することができる。
【0024】
なお、本実施の形態では、可動吸引電極5の面積を7μm×10μm、可動部駆動用電極2a,2bの面積を各々3μm×10μmとした。しかし、S1,S2<SV<S1+S2が成り立つように面積S1,S2,SVを設定すれば、他の大きさでも構わないことは言うまでもない。
【0025】
また、本実施の形態では、可動吸引電極5及び可動部駆動用電極2a,2bをアルミニウムにより形成したが、導電体であれば他の材料であっても構わない。同様に、固定コンタクト電極3a,3b及び可動コンタクト電極6を金により形成したが、両者が接触した際に導通が生じる導電体であれば他の材料を用いても構わない。
【0026】
また、支持梁7及び接続部13をアルミニウムにより形成したが、導電体あるいは絶縁体でも構わない。ただし、支持梁7あるいは接続部13に絶縁体を用いた場合は、可動吸引電極5に電圧を印加できるように配線を引き出す構造にする必要がある。
【0027】
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態を示す。図3は、本発明の第2の実施の形態となる、NAND論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
本実施の形態の静電型可動接点素子では、固定コンタクト電極3bは、出力端子10に接続されると共に抵抗11を介して直流電源12に接続され、固定コンタクト電極3aは、接地されている。その他の構成は図1と同様である。
【0028】
以上の構成で、入力端子9a,9bの両方に信号として直流電圧15Vを入力すると、第1の実施の形態と同様に、静電引力により可動吸引電極5が可動部駆動用電極2a,2bの方に引き寄せられて支持梁7がたわみ、可動コンタクト電極6と固定コンタクト電極3a,3bとが接触する。
この結果、固定コンタクト電極3aと3bは、可動コンタクト電極6を介して接続されるので、出力端子10は固定コンタクト電極3b、可動コンタクト電極6、固定コンタクト電極3aを介して接地される。したがって、出力端子10に出力される電圧は0Vとなる。
【0029】
一方、入力端子9a,9bの何れか一方のみに直流電圧15Vを入力した場合、あるいは入力端子9a,9bのどちらにも電圧を入力しない場合には、支持梁7をたわませるのに必要な静電引力が得られないため、固定コンタクト電極3a−3b間は導通しない。
この結果、抵抗11を介して直流電源12からの電圧5Vが出力端子10に供給される。こうして、出力端子10に出力される電圧は5Vとなる。
【0030】
以上のように、本実施の形態の静電型可動接点素子は、入力端子9a,9bの両方に「1」を表す「H」レベルの信号が入力されると、「0」を表す「L」レベルを出力し、入力端子9a,9bの少なくとも一方に「0」を表す「L」レベルの信号が入力されると、「1」を表す「H」レベルを出力する。
こうして、1つの静電型可動接点素子により、NAND論理を実現することができる。
【0031】
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態を示す。図4は、本発明の第3の実施の形態となる、OR論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
本実施の形態の静電型可動接点素子では、絶縁性基体1の上に可動部駆動用電極2c,2dを設け、この可動部駆動用電極2c,2dを入力端子9a,9bにそれぞれ接続しているが、可動部駆動用電極2c,2dの面積を各々5μm×10μmとしている。
【0032】
また、支持梁7の固定されていない方の下面には、微小空隙4を隔てて可動部駆動用電極2c,2dと対向するように可動吸引電極5aが設けられているが、この可動吸引電極5aの面積を11μm×10μmとしている。その他の構成は図1と同様である。
本実施の形態においても、可動部駆動用電極に15Vの直流電圧を印加する場合、支持梁7をたわませるのに必要な静電引力を得るための可動部駆動用電極の面積の合計SVは40μm2 以上である。
【0033】
以上の構成で、入力端子9a,9bの少なくとも一方に信号として直流電圧15Vを入力すると、可動部駆動用電極2c,2dのうち電圧が印加される可動部駆動用電極の総面積SRは50あるいは100μm2 となり、SV<SRとなるので、支持梁7をたわませるのに十分な静電引力が可動部駆動用電極2c,2dと可動吸引電極5aとの間に生じる。
【0034】
この静電引力により可動吸引電極5aが可動部駆動用電極2c,2dの方に引き寄せられて支持梁7がたわみ、可動コンタクト電極6と固定コンタクト電極3a,3bとが接触する。
この結果、固定コンタクト電極3aと3bは、可動コンタクト電極6を介して接続されるので、直流電源12からの電圧5Vが出力端子10に供給される。こうして、出力端子10に出力される電圧は5Vとなる。
【0035】
一方、入力端子9a,9bのどちらにも電圧を入力しない場合には、電圧が印加される可動部駆動用電極の総面積SRは0となり、SR<SVとなるので、支持梁7をたわませるのに必要な静電引力が得られない。
したがって、固定コンタクト電極3a−3b間は導通しないので、出力端子10に出力される電圧は0Vとなる。
【0036】
以上のように、本実施の形態の静電型可動接点素子は、入力端子9a,9bの少なくとも一方に「1」を表す「H」レベルの信号が入力されると、「1」を表す「H」レベルを出力し、入力端子9a,9bの両方に「0」を表す「L」レベルの信号が入力されると、「0」を表す「L」レベルを出力する。
こうして、1つの静電型可動接点素子により、OR論理を実現することができる。
【0037】
なお、本実施の形態では、可動吸引電極5aの面積を11μm×10μm、可動部駆動用電極2c,2dの面積を各々5μm×10μmとした。しかし、可動部駆動用電極2c,2dの面積をそれぞれS3,S4としたとき、SV<S3,S4が成り立つようにS3,S4,SVを設定すれば、他の大きさでも構わないことは言うまでもない。
【0038】
[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態を示す。図5は、本発明の第4の実施の形態となる、NOR論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
本実施の形態の静電型可動接点素子では、固定コンタクト電極3bは、出力端子10に接続されると共に抵抗11を介して直流電源12に接続され、固定コンタクト電極3aは、接地されている。その他の構成は図4と同様である。
【0039】
以上の構成で、入力端子9a,9bの少なくとも一方に信号として直流電圧15Vを入力すると、第3の実施の形態と同様に、静電引力により可動吸引電極5aが可動部駆動用電極2c,2dの方に引き寄せられて支持梁7がたわみ、可動コンタクト電極6と固定コンタクト電極3a,3bとが接触する。
この結果、固定コンタクト電極3aと3bは、可動コンタクト電極6を介して接続されるので、出力端子10は固定コンタクト電極3b、可動コンタクト電極6、固定コンタクト電極3aを介して接地される。したがって、出力端子10に出力される電圧は0Vとなる。
【0040】
一方、入力端子9a,9bのどちらにも電圧を入力しない場合には、支持梁7をたわませるのに必要な静電引力が得られないため、固定コンタクト電極3a−3b間は導通しない。
この結果、抵抗11を介して直流電源12からの電圧5Vが出力端子10に供給される。こうして、出力端子10に出力される電圧は5Vとなる。
【0041】
以上のように、本実施の形態の静電型可動接点素子は、入力端子9a,9bの少なくとも一方に「1」を表す「H」レベルの信号が入力されると、「0」を表す「L」レベルを出力し、入力端子9a,9bの両方に「0」を表す「L」レベルの信号が入力されると、「1」を表す「H」レベルを出力する。
こうして、1つの静電型可動接点素子により、NOR論理を実現することができる。
【0042】
[第5の実施の形態]
次に、本発明の第5の実施の形態を示す。図6は、本発明の第5の実施の形態となる、3値入力のAND論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
本実施の形態の静電型可動接点素子では、絶縁性基体1の上に可動部駆動用電極2e,2f,2gを設け、この可動部駆動用電極2e,2f,2gを入力端子9a,9b,9cにそれぞれ接続しており、可動部駆動用電極2e,2f,2gの面積S5,S6,S7を各々15μm2 としている。その他の構成は図1と同様である。
【0043】
以上の構成で、入力端子9a,9b,9cの全てに信号として直流電圧15Vを入力すると、電圧が印加される可動部駆動用電極の総面積SRはS5+S6+S7、すなわち45μm2 となり、SV<SRとなるので、支持梁7をたわませるのに十分な静電引力が可動部駆動用電極2e,2f,2gと可動吸引電極5との間に生じる。
【0044】
この静電引力により支持梁7がたわみ、可動コンタクト電極6と固定コンタクト電極3a,3bとが接触する。
この結果、固定コンタクト電極3aと3bは、可動コンタクト電極6を介して接続されるので、直流電源12からの電圧5Vが出力端子10に供給される。こうして、出力端子10に出力される電圧は5Vとなる。
【0045】
一方、入力端子9a,9b,9cの少なくとも1つに電圧を入力しない場合には、SR<SVとなるので、支持梁7をたわませるのに必要な静電引力が得られない。
したがって、固定コンタクト電極3a−3b間は導通しないので、出力端子10に出力される電圧は0Vとなる。
【0046】
以上のように、本実施の形態の静電型可動接点素子は、入力端子9a,9b,9cの全てに「1」を表す「H」レベルの信号が入力されると、「1」を表す「H」レベルを出力し、入力端子9a,9b,9cの少なくとも1つに「0」を表す「L」レベルの信号が入力されると、「0」を表す「L」レベルを出力する。こうして、1つの静電型可動接点素子により、3値入力のAND論理を実現することができる。
【0047】
なお、本実施の形態では、3値入力のAND論理を実現する例を示した。しかし、可動部駆動用電極2e,2f,2gの面積S5,S6,S7を各々50μm2 とすると、3値入力のOR論理を実現できることは言うまでもない。
また、目的とするSRとSVの関係を選択することにより、3値以上の入力に対しての論理演算も可能である。
【0048】
[第6の実施の形態]
次に、本発明の第6の実施の形態を示す。図7は、本発明の第6の実施の形態となる、NAND論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
本実施の形態の静電型可動接点素子では、絶縁性基体1の上に導電体からなる接続部14a,14bが設けられ、接続部14a,14bの上に導電体からなるコンタクト電極支持部15a,15bがそれぞれ設けられている。このコンタクト電極支持部15a,15bによって固定コンタクト電極3a,3bが支えられている。
【0049】
また、一方が接続部13を介して基体1に固定された支持梁7の固定されていない他方の上面には絶縁膜8aが形成され、絶縁膜8aの上に可動コンタクト電極6aが形成されている。
接続部14aは出力端子10に接続されると共に抵抗11を介して接地され、接続部14bは直流電源12に接続されている。
【0050】
したがって、固定コンタクト電極3aは、コンタクト電極支持部15a、接続部14aを介して出力端子10及び抵抗11に接続され、固定コンタクト電極3bは、コンタクト電極支持部15b、接続部14bを介して直流電源12に接続される。
本実施の形態では、第1〜第5の実施の形態がNO(Normally Open )の接点を提供するのに対し、NC(Normally Close)の接点を提供する。つまり、可動コンタクト電極6は、通常、固定コンタクト電極3a,3bと接触している。
【0051】
以上の構成で、入力端子9a,9bの両方に信号として直流電圧15Vを入力すると、第1の実施の形態と同様に、静電引力により可動吸引電極5が可動部駆動用電極2a,2bの方に引き寄せられて支持梁7がたわむ。
この結果、可動コンタクト電極6と固定コンタクト電極3a,3bとが離れるので、出力端子10は抵抗11を介して接地される。したがって、出力端子10に出力される電圧は0Vとなる。
【0052】
一方、入力端子9a,9bの何れか一方のみに直流電圧15Vを入力した場合、あるいは入力端子9a,9bのどちらにも電圧を入力しない場合には、支持梁7をたわませるのに必要な静電引力が得られないため、可動コンタクト電極6と固定コンタクト電極3a,3bとは接触したままである。
この結果、固定コンタクト電極3aと3bは、可動コンタクト電極6を介して接続されるので、直流電源12からの電圧5Vが出力端子10に供給される。こうして、出力端子10に出力される電圧は5Vとなる。
【0053】
以上のように、本実施の形態の静電型可動接点素子は、入力端子9a,9bの両方に「1」を表す「H」レベルの信号が入力されると、「0」を表す「L」レベルを出力し、入力端子9a,9bの少なくとも一方に「0」を表す「L」レベルの信号が入力されると、「1」を表す「H」レベルを出力する。
こうして、1つの静電型可動接点素子により、NAND論理を実現することができる。
【0054】
なお、以上の実施の形態では、ANDやOR等の基本論理演算を実現してきたが、本発明の静電型可動接点素子を使用すれば、多数決論理などその他の論理演算を実現できることは言うまでもない。
また、各可動部駆動用電極を全て同じ面積としたが、各可動部駆動用電極の面積を変えることにより各入力信号に重み関数をかけた入力に対する論理演算を行う論理演算装置を実現することが可能であることは言うまでもない。
【0055】
ところで、上述の実施の形態では、断面図で説明する都合上、各電極や支持梁等を横一列に並べたが、これらは2次元平面上で考えればより自由な配置が可能であることは言うまでもない。
また、以上の実施の形態では、支持梁7の片側だけを基体1に固定しているが、両側を固定した梁構造でも良いことは言うまでもない。そして、支持梁7の本数も一方向に一本とは限らず、複数本の梁を用いるようにしても良い。
【0056】
また、上述の全ての実施の形態では、可動部を駆動するための所定の電圧を15Vとしたが、電圧を印加する電極の数によって接点の開閉を制御できる電圧、あるいはスイッチの構造であれば、他の電圧でも良い。
また、対向する電極間に電圧を印加して可動部を有する電極を引き寄せることにより、接点の開閉を行う形態の静電型可動接点素子であれば、他の構造であっても構わないことは言うまでもない。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、1つの静電型可動接点素子によりNANDやNOR等の複数入力の論理演算を実現することができる。その結果、本発明によれば以下の効果が得られる。
(1)1つの静電型可動接点素子によりNANDやNOR等の複数入力の論理演算が実現可能なため、基板上での素子の占有面積を縮小できる。
(2)入力端子を3つ以上にすることが可能なため、A・B・CやA+B+C等、3つ以上の入力に対するNANDやNOR等の論理演算を1つの静電型可動接点素子で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態となる、AND論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
【図2】 可動部駆動用電極の面積と可動部を駆動するために必要な直流電圧との関係を示す図である。
【図3】 本発明の第2の実施の形態となる、NAND論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
【図4】 本発明の第3の実施の形態となる、OR論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
【図5】 本発明の第4の実施の形態となる、NOR論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
【図6】 本発明の第5の実施の形態となる、3値入力のAND論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
【図7】 本発明の第6の実施の形態となる、NAND論理を実現する静電型可動接点素子の断面図である。
【図8】 従来の静電型可動接点素子の断面図である。
【図9】 図8の静電型可動接点素子を使用したNAND及びNORの論理回路の回路図である。
【符号の説明】
1…絶縁性基体、2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g…可動部駆動用電極、3a、3b…固定コンタクト電極、4…微小空隙、5、5a…可動吸引電極、6、6a…可動コンタクト電極、7…支持梁、8、8a…絶縁膜、9a、9b、9c…入力端子、10…出力端子、11…抵抗、12…直流電源、13、14a,14b…接続部、15a、15b…コンタクト電極支持部。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrostatic movable contact element that realizes a logical operation with one element, and a logical operation device using the electrostatic movable contact element.
[0002]
[Prior art]
In recent years, many examples have been reported in which micro-mechanical elements having movable parts, such as semiconductor sensors and actuators, are manufactured by manufacturing a fine beam structure on a semiconductor substrate by utilizing IC process technology. Micromechanical elements formed by this method are basically formed by the same technology as LSI manufacturing. Therefore, integration with micromechanical element drive circuits or detection circuits is easy, and mass production is possible. Therefore, there are advantages such as low manufacturing cost and easy formation of a fine structure.
[0003]
In particular, research on forming a switch, which is a main component for realizing a logic circuit, by micromachine technology has been energetically advanced. Among them, the electrostatic movable contact element that uses electrostatic attraction to open and close contacts is considered a promising technology because its manufacturing process is compatible with the conventional Si process (reference: " Dynamic Micromechanics on Silicon: Technology and Devices ”IEEE Trans. Electron Devices, ED-25,
[0004]
FIG. 8A is a cross-sectional view of a conventional electrostatic movable contact element. In this electrostatic movable contact element, a movable
A
The movable
[0005]
Since the
[0006]
FIG. 9 shows a NAND and NOR logic circuit using this electrostatic movable contact element. The logic circuit in FIG. 9A is a logic circuit that implements NAND logic, and the logic circuit in FIG. 9B is a logic circuit that implements NOR logic. In the figure, 41a and 41b are electrostatic movable contact elements, 42a and 42b are input terminals, 43 is an output terminal, 44 is a resistor, and 45 is a DC power source.
As shown in FIG. 9, in order to build a logic circuit such as NAND or NOR using the electrostatic movable contact element shown in FIG. 8, two switches are necessary like a normal switch. Further, in order to realize the logic for three or more input signals, the number of switches corresponding to the number of input signals is required.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The electrostatic movable contact element has an advantage of low resistance when compared with a switch formed of a MOSFET. However, the occupied area is several thousand μm2That's pretty big. For this reason, when a plurality of electrostatic movable contact elements are used in order to realize one logic circuit, the area occupied by the logic circuit increases. As a result, there is a problem that miniaturization and high integration are difficult in the logic circuit using the electrostatic movable contact element.
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an electrostatic movable contact element and a logical operation device that realize logical operations such as NAND and NOR with one element.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is provided on a substrate as described in claim 1.Multiple areas with differentThe movable part driving electrode, a fixed contact electrode serving as a fixed contact provided on the base, a support beam partially fixed to the base, and the support beam so as to face the movable part driving electrode A movable suction electrode provided, and a movable contact electrode serving as a movable contact provided on the support beam so as to face the fixed contact electrode,Only when the total area of the movable part driving electrodes to which the same voltage value is applied among the plurality of movable part driving electrodes exceeds the threshold value of the area determined according to the voltage valueA contact made of the fixed contact electrode and the movable contact electrode by moving the support beam by electrostatic attraction between the movable part driving electrode and the movable suction electrodeSwitching the open / close state ofElectrostatic movable contact elementMulti-input logic operation device withBecauseA calculation result obtained by multiplying each input signal given to the movable part driving electrode by a weighting function proportional to the area of each movable part driving electrode is output.Is. As described above, the movable part driving electrode for drawing between the movable suction electrodes is divided into a plurality of parts, and a voltage can be independently applied to each of the movable part driving electrodes. In this structure, if the number of movable part driving electrodes to which a voltage is applied is different, the area of the electrode on which electrostatic attraction acts is also different. As a result, the opening and closing of the contacts can be controlled by the number of movable part driving electrodes to which a voltage is applied, and a logical operation with multiple inputs can be realized..
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[First Embodiment]
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes AND logic according to a first embodiment of the present invention.
In the electrostatic movable contact element of the present embodiment, movable part driving
[0012]
In this manner, the other lower surface of the
[0013]
The movable part driving
[0014]
Since the insulating
In addition, since the movable suction electrode 5 is directly formed on the lower surface of the
[0015]
In the present embodiment, the movable suction electrode 5, the movable
[0016]
The area of the
[0017]
In addition, when the movable suction electrode 5 and the movable
[0018]
As a result, even if the electrostatic attractive force is generated and the fixed
[0019]
FIG. 2 shows the relationship between the area of the movable part driving electrode and the DC voltage required to drive the movable part. As is apparent from FIG. 2, when a DC voltage of 15 V is applied to the movable part driving electrode, the total area of the movable part driving electrode for obtaining the electrostatic attractive force required to bend the
[0020]
Therefore, when a DC voltage of 15 V is input as a signal to both
[0021]
Due to this electrostatic attraction, the movable suction electrode 5 is attracted toward the movable
As a result, the fixed
[0022]
On the other hand, when a DC voltage of 15 V is input to only one of the
Therefore, since the fixed
[0023]
As described above, when the electrostatic movable contact element according to the present embodiment receives an “H” level signal (15 V in the present embodiment) representing “1” at both of the
Thus, AND logic can be realized by one electrostatic movable contact element.
[0024]
In the present embodiment, the area of the movable suction electrode 5 is 7 μm × 10 μm, and the areas of the movable
[0025]
In the present embodiment, the movable suction electrode 5 and the movable
[0026]
Moreover, although the
[0027]
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes NAND logic, according to the second embodiment of the present invention.
In the electrostatic movable contact element of the present embodiment, the fixed
[0028]
With the above configuration, when the DC voltage 15V is input as a signal to both the
As a result, since the fixed
[0029]
On the other hand, when a DC voltage of 15 V is inputted to only one of the
As a result, the voltage 5 V from the
[0030]
As described above, when the “H” level signal representing “1” is input to both the
Thus, NAND logic can be realized by one electrostatic movable contact element.
[0031]
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes OR logic according to a third embodiment of the present invention.
In the electrostatic movable contact element of the present embodiment, movable
[0032]
A
Also in the present embodiment, when a DC voltage of 15 V is applied to the movable part drive electrode, the total SV of the movable part drive electrode area for obtaining the electrostatic attractive force required to bend the
[0033]
With the above configuration, when a DC voltage of 15 V is input as a signal to at least one of the
[0034]
Due to this electrostatic attraction, the
As a result, the fixed
[0035]
On the other hand, when no voltage is input to either of the
Therefore, since the fixed
[0036]
As described above, the electrostatic movable contact element according to the present embodiment represents “1” when an “H” level signal representing “1” is input to at least one of the
Thus, OR logic can be realized by one electrostatic movable contact element.
[0037]
In the present embodiment, the area of the
[0038]
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes NOR logic according to a fourth embodiment of the present invention.
In the electrostatic movable contact element of the present embodiment, the fixed
[0039]
With the above configuration, when the DC voltage 15V is input as a signal to at least one of the
As a result, since the fixed
[0040]
On the other hand, when no voltage is input to either of the
As a result, the voltage 5V from the
[0041]
As described above, the electrostatic movable contact element according to the present embodiment represents “0” when an “H” level signal representing “1” is input to at least one of the
Thus, NOR logic can be realized by one electrostatic movable contact element.
[0042]
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes a ternary input AND logic according to a fifth embodiment of the present invention.
In the electrostatic movable contact element of the present embodiment, movable part driving electrodes 2e, 2f, 2g are provided on an insulating
[0043]
With the above configuration, when a DC voltage of 15 V is input as a signal to all of the
[0044]
The
As a result, the fixed
[0045]
On the other hand, when no voltage is input to at least one of the
Therefore, since the fixed
[0046]
As described above, the electrostatic movable contact element of the present embodiment represents “1” when a signal of “H” level representing “1” is input to all of the
[0047]
In the present embodiment, an example in which ternary input AND logic is realized is shown. However, the areas S5, S6, and S7 of the movable portion driving electrodes 2e, 2f, and 2g are 50 μm each.2Needless to say, an OR logic of ternary input can be realized.
In addition, by selecting the target relationship between SR and SV, a logical operation can be performed on inputs of three or more values.
[0048]
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes NAND logic, according to a sixth embodiment of the present invention.
In the electrostatic movable contact element of the present embodiment,
[0049]
In addition, an insulating film 8a is formed on the other upper surface of the
The connecting
[0050]
Accordingly, the fixed
In the present embodiment, the first to fifth embodiments provide NO (Normally Open) contacts, whereas NC (Normally Close) contacts are provided. That is, the
[0051]
With the above configuration, when the DC voltage 15V is input as a signal to both the
As a result, the
[0052]
On the other hand, when a DC voltage of 15 V is inputted to only one of the
As a result, the fixed
[0053]
As described above, when the “H” level signal representing “1” is input to both the
Thus, NAND logic can be realized by one electrostatic movable contact element.
[0054]
In the above embodiments, basic logical operations such as AND and OR have been realized. However, it goes without saying that other logical operations such as majority logic can be realized by using the electrostatic movable contact element of the present invention. .
Moreover, although all the movable part drive electrodes have the same area, a logical operation device that performs a logical operation on an input obtained by multiplying each input signal by a weight function is realized by changing the area of each movable part drive electrode. It goes without saying that is possible.
[0055]
By the way, in the above-mentioned embodiment, for convenience of explanation in the cross-sectional view, the electrodes, the support beams, and the like are arranged in a horizontal row, but these can be arranged more freely if considered on a two-dimensional plane. Needless to say.
Further, in the above embodiment, only one side of the
[0056]
In all the embodiments described above, the predetermined voltage for driving the movable part is 15 V. However, the voltage can be controlled by the number of electrodes to which the voltage is applied, or a switch structure. Other voltages may be used.
Also, any other structure may be used as long as it is an electrostatic movable contact element that opens and closes contacts by applying a voltage between opposing electrodes to draw an electrode having a movable part. Needless to say.
[0057]
【The invention's effect】
According to the present invention, a plurality of input logical operations such as NAND and NOR can be realized by one electrostatic movable contact element. As a result, according to the present invention, the following effects can be obtained.
(1) Since a plurality of input logical operations such as NAND and NOR can be realized by one electrostatic movable contact element, the area occupied by the element on the substrate can be reduced.
(2) Since it is possible to have three or more input terminals, logical operations such as NAND and NOR for three or more inputs such as A, B, C and A + B + C are realized with one electrostatic movable contact element. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes AND logic, according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between the area of a movable part driving electrode and a DC voltage necessary for driving the movable part.
FIG. 3 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes NAND logic, according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes OR logic, according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes NOR logic, according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes AND logic of a ternary input according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of an electrostatic movable contact element that realizes NAND logic, according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view of a conventional electrostatic movable contact element.
9 is a circuit diagram of a NAND and NOR logic circuit using the electrostatic movable contact element of FIG. 8. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記基体に設けられた固定接点となる固定コンタクト電極と、
前記基体に一部が固定された支持梁と、
前記可動部駆動用電極と対向するように前記支持梁に設けられた可動吸引電極と、
前記固定コンタクト電極と対向するように前記支持梁に設けられた可動接点となる可動コンタクト電極とを備え、
前記複数の可動部駆動用電極のうち同一の電圧値が印加された可動部駆動用電極の面積の合計が前記電圧値に応じて決まる面積のしきい値を超えた場合のみ前記可動部駆動用電極と前記可動吸引電極間の静電引力により前記支持梁を動かして前記固定コンタクト電極と前記可動コンタクト電極とからなる接点の開閉状態を切り換える静電型可動接点素子を備えた複数入力の論理演算装置であって、
前記可動部駆動用電極に与えられる各入力信号に対して各可動部駆動用電極の面積に比例する重み関数をかけた演算結果が出力されることを特徴とする論理演算装置。 A plurality of movable part driving electrodes having different areas provided on the substrate;
A fixed contact electrode serving as a fixed contact provided on the substrate;
A support beam partially fixed to the base;
A movable suction electrode provided on the support beam so as to face the movable part driving electrode;
A movable contact electrode serving as a movable contact provided on the support beam so as to face the fixed contact electrode;
The movable part driving electrode is used only when the total area of the movable part driving electrodes to which the same voltage value is applied exceeds the threshold value of the area determined according to the voltage value among the plurality of movable part driving electrodes . A multiple-input logical operation including an electrostatic movable contact element that switches an open / close state of a contact composed of the fixed contact electrode and the movable contact electrode by moving the support beam by electrostatic attraction between an electrode and the movable suction electrode A device ,
2. A logical operation device, wherein a calculation result obtained by multiplying each input signal applied to the movable part driving electrode by a weight function proportional to the area of each movable part driving electrode is output.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00843698A JP3725688B2 (en) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | Logic unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00843698A JP3725688B2 (en) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | Logic unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11204013A JPH11204013A (en) | 1999-07-30 |
JP3725688B2 true JP3725688B2 (en) | 2005-12-14 |
Family
ID=11693086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00843698A Expired - Fee Related JP3725688B2 (en) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | Logic unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3725688B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3119255B2 (en) | 1998-12-22 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | Micromachine switch and method of manufacturing the same |
JP4561072B2 (en) * | 2003-09-30 | 2010-10-13 | 株式会社日立製作所 | Semiconductor device having MEMS switch |
KR100717870B1 (en) | 2005-11-04 | 2007-05-14 | 한국과학기술원 | Logic circuit using mechanical switch |
US8804295B2 (en) * | 2009-10-15 | 2014-08-12 | Altera Corporation | Configurable multi-gate switch circuitry |
-
1998
- 1998-01-20 JP JP00843698A patent/JP3725688B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11204013A (en) | 1999-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6153839A (en) | Micromechanical switching devices | |
US6972650B2 (en) | System that includes an electrode configuration in a MEMS switch | |
US4570139A (en) | Thin-film magnetically operated micromechanical electric switching device | |
US6657525B1 (en) | Microelectromechanical RF switch | |
JP6093788B2 (en) | Method of making a device, semiconductor device and precursor structure | |
JP4763358B2 (en) | Micro electromechanical variable capacitor | |
JP4418465B2 (en) | Multi-stable microelectromechanical switch switch and manufacturing method thereof | |
US7821363B2 (en) | Method and apparatus for bending electrostatic switch | |
US6506989B2 (en) | Micro power switch | |
EP2398028B1 (en) | Mems switching array having a substrate arranged to conduct switching current | |
US7830066B2 (en) | Micromechanical device with piezoelectric and electrostatic actuation and method therefor | |
JP3725688B2 (en) | Logic unit | |
JP3363606B2 (en) | Photovoltaic module | |
US6613993B1 (en) | Microrelay working parallel to the substrate | |
JPH09213191A (en) | Thermal type movable contact device and electrostatic movable contact integrated circuit | |
Yoon et al. | A low contact resistance 4-terminal MEMS relay: theoretical analysis, design, and demonstration | |
CN102576629A (en) | Configurable multi-gate switch circuitry | |
US20220324696A1 (en) | Mems switch including a cap contact | |
KR102119470B1 (en) | Operating method for electromechanical switching device | |
US12027336B2 (en) | Capacitively operable MEMS switch | |
US20220293383A1 (en) | Capacitively operable mems switch | |
JP2892525B2 (en) | Electrostatic relay | |
JPH052978A (en) | Electrostatic relay | |
US6818843B2 (en) | Microswitch with a micro-electromechanical system | |
KR20040053127A (en) | A micromechanical switch and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050922 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080930 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |