JP3710296B2 - Bulk supply equipment for semiconductor process gas - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、モノゲルマン、モノシラン、ジシラン、ジボラン、アルシン、ホスフィン、セレン化水素、塩化水素、臭化水素等の半導体製造用プロセスに使用する半導体プロセスガスを、大量にかつ安全に供給しその上コンパクトな設備よりなる半導体プロセスガス用バルク供給装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体産業に使用される半導体プロセスの消費量は、1工場当たりのウエハ処理枚数の増加とともに増大し、将来の300mmウエハ時代に入ると、更なる消費量の増大が予想されている。半導体プロセスガスの多くは一般に可燃性、毒性、及び腐食性を有している。特に、可燃性が高く、毒性の強いガスは、特殊高圧ガス(モノゲルマン、モノシラン、ジシラン、ジボラン、アルシン、ホスフィン、セレン化水素)として、高圧ガス保安法で技術的、かつ設備的に具備していなければならない要件が明確化されていて、それらのガスの使用量の増大に応じて安全性が厳しく規制され、更なる安全性の保持が必須の要件項目となっている。
【0003】
一般に、半導体プロセスガスの充填容器は、毒性や可燃性のガス供給における安全を確保するために、容器を収納するシリンダーキャビネットに収められる。シリンダーキャビネットには、ガス漏洩のために警報器を備えたり、排気システムが設けられていることが必要であ。そして、ガスの漏洩時には、それらのシステムにより、瞬時に漏洩した毒性ガスや可燃性ガスを除害し、重大な事故の発生を未然に防げる構造にしなければならない。しかしながら、大量に半導体プロセスガスを供給するためには、通常一般に使用している47リットル容器(ボンベ)を使用することは、容器1本、1本をシリンダーキャビネットに収納するか、何本かをまとめてシリンダーキャビネットに収納することとなる。このようなことは、可能ではあるが、設置スペースが広くなったり、供給系統配管が複雑になったり、あるいは消費後の容器の交換作業が煩雑となる等の問題や不都合があった。
【0004】
大量のガスの使用にあたってのガスの供給方法には、上記した47リットル容器を数十本単位で連結して枠組み集合した、いわゆるカードル方式による供給や、350〜400mmの外径で、長さ6〜8mの容器を18〜20本を組み込んで集合せしめたローダー方式による供給等が採用されている。
即ち、図3はカードル方式のガス供給装置50を説明する概略図で、複数の容器51、51、…を、これらに装着されている容器弁52、52、…を介してマニホールド53で連結され集合化して枠体60に組み込まれてている。そして弁54、配管55を経てガス使用先に設備されている受け入れ設備56の配管にジョイント57で連結して、ガス供給される。なお、符号58、59は受け入れ設備56に配された減圧弁と開閉弁である。
そして、このカードル方式のガス供給装置50を2台配設して、切り替えて使用することにより連続供給をしている。
【0005】
これらのカードル方式やローダー方式によるガスの供給方式は、容器1本、1本に容器弁52を装着し、更に容器弁52の口がね同士を連結するためのマニホールド53が必要であるため、漏洩発生の恐れがある個所が多くなること、そして、いったん漏洩したガスを排気する設備が具備されていないのが現状であって、重大な事故に繋がる恐れがあること等安全性の点で問題がある。
その上、カードル方式のガス供給装置50では、ガス供給時に容器51から受け入れ設備56の間のマニホルド53や、配管55等長い管路にわたって高圧なガスが流れることとなって、大変危険な要素を有している装置となっている。
【0006】
又、カードル方式やローダー方式のガス供給装置では、カードルやローダーを交換する時に、危険なガスの取り扱い上細心の注意と確実性が要求される。これらの対策として、カードル自体及びマニホルドを筺体に入れ、半密封構造とした後、ガス漏洩警報器や排気システム等を具備せしめることとなり、筺体自体が極めて大きなものとなり、好ましくなかった。
【0007】
更に、半導体プロセスガスには、製品の品質保持のため高純度のガスの供給が要求され、容器交換時には配管内に混入しがちな大気成分を除去するため、完全にパージする必要がある。即ち、半導体プロセスガスの多くは、大気成分、特に水分や酸素と容易に反応し、ガス自体が酸化物や酸化化合物となったり、又水分の存在により配管を腐食せしめたりして、半導体の製造プロセスに大きな障害を与える。具体的には、腐食により発生した金属不純物の半導体製造プロセスへの汚染により、デバイスの電気的特性を劣化せしめたり、発生した極微粒のパーテイクルによりデバイスの構造欠陥を惹起し、歩留まりの低下をもたらすこととなる。
【0008】
なお更に、カードル方式は前記した通り、十数本の容器を同一の供給配管系に集合させるために、複雑なマニホールドが必要となって、高純度な半導体プロセスガスを供給するには、カードル自体のマニホールドと受け入れ設備との間の配管との両方を完全にパージすることが必要であり、このパージのために多大の時間を要することとなっていた。
又、半導体プロセスガスのカードルの各容器にガスを充填するときにおいても、配管のパージ不足をもたらす可能性も高かった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した現状に鑑み、上記従来の不都合、問題点を解決し、半導体を製造するにあたって、大量に使用される高純度の半導体プロセスガスを、安全かつ容器内のガスの純度を低下せしめることなく供給することを可能とするとともに、配置スペースを縮減して大量使用に対応し得る半導体プロセスガスのバルク供給装置を提供することを本発明の課題としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、
請求項1にかかる発明は、半導体プロセスガスを供給箇所に供給する大容量のバルク供給装置において、
2つの開口を有する半導体プロセスガスが充填されるガス容器をコンテナ内に固定し、このガス容器の2つの開口のうちの一方の開口には容器弁を連結してプロセスガス充填口とし、他方の開口には容器弁と減圧弁を備えたガス取り出しユニットを連結してプロセスガス供給口とし、
前記ガス容器の側方に並べて、両端にそれぞれ容器弁が取り付けられたパージ用ガス容器を固定し、このパージ用ガス容器の一方の容器弁を前記ガス取り出しユニットに連結してパージガス供給弁とし、他方の容器弁をパージガス充填弁とし、
コンテナの下部には、搬送のための持ち上げ口が形成されていることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置である。
請求項2にかかる発明は、半導体プロセスガスを供給箇所に供給する大容量のバルク供給装置において、
2つの開口を有する半導体プロセスガスが充填されるガス容器をコンテナ内に固定し、このガス容器の2つの開口のうちの一方の開口には容器弁を連結してプロセスガス充填口とし、他方の開口には容器弁と減圧弁を備えたガス取り出しユニットを連結してプロセスガス供給口とし、
前記ガス容器の側方に並べて、両端にそれぞれ容器弁が取り付けられたパージ用ガス容器を固定し、このパージ用ガス容器の一方の容器弁を前記ガス取り出しユニットに連結してパージガス供給弁とし、他方の容器弁をパージガス充填弁とし、
コンテナ内部には、前記ガス容器を固定するための固定台が設けられ、この固定台には搬送のための吊り上げリングが設けられていることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置である。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明のバルク供給する対象ガスは、半導体プロセスガスであるSiH4、AsH3、PH3、SF6、NF3、CF4、C26、CH4、HF、HCl、HBr、ClF3、NH3、N2O、He、H2、O2、CO2、CO等である。
これらのガスを充填するバルク供給用の容器は、SUS鋼、CrMo鋼、炭素鋼、Mn鋼、Al合金、Alライニング強化プラスチック等の材料からなり、その大きさは、例えば外径は300mm以上で1200mm以下、長さは1.5m以上12m以下であり、半導体製造規模により適宜選択されて設計され、半導体工場に配置されるのに適した大きさよりなっている。
このガス容器には、容器の長手方向の両端に開口部を有し、一方の開口部には開閉機能を有する容器弁が配され、他方の開口部には開閉機能を有した容器弁と減圧機能を有した減圧弁が直列に連結して配されている。
【0012】
容器弁と減圧弁とは近接して配設されることが、ガス置換特性を格段に向上せしめることと、配設される配管での高圧圧力に曝される部分が減少されるので、安全面の点でも好ましい。
又、容器弁と減圧弁は、これらを高集積一体化した、いわゆるブロック弁として付設することもできる。そしてブロック弁は、3連3方弁や4連4方弁を用いることができる。これらの容器弁は、真鍮、ステンレス鋼、ニッケル合金等から鍛造され、機械加工されて製造するものである。
【0013】
容器及び容器弁、減圧弁更には配管類は、ガスが流通する接ガス部表面に水分やガス分子あるいはパーティクルが吸着する量を可及的に少なくし、金属表面の耐食性を向上せしめる目的から、接ガス表面部には機械研磨、砥粒研磨、電解研磨、複合電解研磨、化学研磨、及び複合化学研磨等の表面研磨を施したり、又Niを無電解あるいは電解でメッキしたりしている。更には、Niをコーティングした表面にフッ素によって不動態膜を形成しても良く、又ステンレス鋼においては、表面研磨後熱処理によって鉄やクロム等の不動態酸化膜を形成してもよい。
容器内の内壁表面粗度(R)は、最大Rmaxで25μm以下が好適であり、好ましくは12μm以下にすることが望ましい。又、容器弁、減圧弁更に配管類の内壁表面粗度は1μm以下にすると良く、更に好ましくは0.5μm以下にすることが望ましい。
【0014】
容器に充填された半導体プロセスガスは、容器弁を通って、スプリング式あるいはダイヤフラム式の減圧弁を経て使用先の受け入れ設備に供給される。そして容器弁と減圧弁の間には容器内のガスの充填圧力を確認するために圧力計が付設されている。圧力計としてはブルドン管式、歪みゲージ式、ダイヤフラム式半導体ゲージ等の圧力計が適宜使用し得るが、ダイヤフラム式半導体ゲージが圧力計として特に好適である。又、供給ガス温度を測るためのシース型熱電対の如き温度計を付設してもよい。
【0015】
上記した両端に開口部を有する2口の容器は、この容器が収容し得る容積の箱型又はかまぼこ型のコンテナに収納される。このコンテナには、マニホールド等の接続配管等を容器弁に接続する作業が可能なように、容器弁の口金部を外部から操作するためのドアを設けたり、又コンテナの一部にシャッター、ドア等を適宜必要に応じて設けてもよい。
【0016】
容器が収納されたコンテナ内には、半導体プロセスガスの漏洩を知らせる警報器、通気をよくするための強制排気ファン、接続配管内をパージするためのパージシステム、及び除害筒等の除害手段を設けることが望ましい。特に警報器、排気ファンの設置は望ましい。
警報器を設けることにより、容器からの半導体プロセスガスの漏洩を監視することができる。そして、この警報器とガス取り出しユニットや排気ファン等と連動して操作するようにして、ガスの供給をストップしたり、排気ファンを駆動せしめたりするなどして、安全性の向上を図ることができる。又、排気ファンは外部に配して、コンテナ内の排気を確保することができる。
【0017】
コンテナ内には、その空間部に漏洩したガスを除害するための除害材料を直接コンテナ内に埋め込んだり、パージ排ガス中の有害ガスを除害するための除害材料を充填した除害筒を配置したりする除害手段を設けることができる。除害材料は、珪藻土に塩化第二鉄と触媒成分を含浸させたもの、シリカ又はアルミナ系の担体に過マンガン酸カリ、苛性ソーダを含浸させたもの、あるいは活性炭にアルカリ又は金属酸化物等の触媒成分を添着させたもの、又単に金属酸化物を粒状に成形したもの等が使用される。除害材料は大気に常時曝すことを避けた方が除害効果が高く、長期にわたって除害効果を持続し得るので、強制排気ファンを警報器と連動せしめて警報器が作用した時のみ駆動して、除害筒等の除害手段を介して排気ファンの吸引力でコンテナ内のガスを大気に排気するようなシステムにすることが好ましい。
【0018】
本発明のバルク供給装置は、半導体工場の使用先に半導体プロセスガスを連続的に供給することを可能にするため、2台以上配置して、1台が使用し終わる前に他方の装置に切り換えて使用し、その間に使用し終わった一方の装置の容器に新たに半導体プロセスガスを充填するようにして、以下これを順次繰り返して切り換え、連続的にガスを供給するように使用される。この切り替え使用に当たっては、供給ガスの純度保持のため配管、弁類を予めパージする必要がある。このパージには、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスあるいは水素ガスを充填したパージ用ガス容器をコンテナ内のガス容器の側方に並べて配置して、これを配管類又は弁類に接続することによりコンパクトな状態で設備して行うことができる。
【0019】
なお又、本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置は、コンテナ内に酸素計や水分計を設置することにより、配管や弁類及び切り換えユニット等のパージ操作時にパージが完全になされたか否かの判断を、この酸素計や水分計を使用して行い、完全にパージが行われたのを確認することができるので、常に所望する高純度の半導体プロセスガスを供給することができる。これに使用する酸素計、水分計としては、数十ppbレベルで計測できるものが好ましく、酸素計では黄燐発光式、ガルバニックセル式等が好適に使用することができ、水分計では露点計、水晶発振式(高分子膜コート、Baコート)等が好適に使用することができる。
【0020】
【実施例】
本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置の詳細について、以下実施例にもとづいて説明する。
[実施例1]
この実施例1について図1を参照して説明する。図1は本発明の実施例1に係わる半導体プロセスガス用バルク供給装置の一部切開概略図である。この実施例1の半導体プロセスガス用バルク供給装置101は本発明の基本的な構成よりなる装置である。ガス容器2を収納する例えば箱状のコンテナ1内には、例えばMn鋼製のガス容器2がバンド3、3により固定台4に固定されている。この固定台4には、フック掛けによって搬送可能なように吊る上げリング5が四角形を形成する角位置に位置して4個所に設けられている。このガス容器2の寸法は外径600mm、長さ2200mmであり、内容積は約470Lである。ガス容器2の両端に配された2つの開口部の一方のガス供給側には、容器弁6aとパージ用ガス弁20と減圧弁8と圧力計10が集積一体化された3連3方ブロック弁23が取り付けられて取り出しユニットUが形成されている。このユニットUとしては、これ以外に容器弁と減圧弁を圧力計を介して連結したものでもよい。このユニットUは使用先の受け入れ設備(図示せず)に連通しているガス供給配管25に連結される。また、開口の他方には容器弁6bが連結されており、この容器弁6bはガス充填用として使用される。
【0021】
ガス容器2の配置空間をこれに付設した弁類6、8、及び圧力計10等と区画するため、仕切板7a、9aにより弁類や計器類を囲繞して空間7及び空間9が形成されている。そしてこれら空間7、及び区間9にはそれぞれ警報器11から延びるガスサンプル用シンフレックスチューブ13、13が挿入されていて、常時ガスの漏洩の有無を監視している。又、コンテナ1の天井部には排気ファン12が設けられていて、コンテナ1内の空間を強制的に排気できるようになっている。
コンテナ1の下部には、該半導体プロセスガス用バルク供給装置101を持ち上げてリフターでの搬送を容易にするため持ち上げ口14が設けられている。
【0022】
また、前記取り出しユニットUに使用先の受け入れ設備(図示せず)と連通するガス供給配管25を接続する時に、取り付け継ぎ手部やガス供給配管25内をパージすることが可能なように、例えば窒素ガス等の不活性ガスを充填したパージ用ガス容器17が図示のようにガス容器2の側方に並らべてコンテナ1内に設置されている。このパージ用ガス容器17は、その両端にはそれぞれ容器弁18a、18bが取り付けられた2口容器よりなっている。そして一方の容器弁18aは、ガス容器2に配設した3連3方ブロック弁23(U)のパージ用ガス弁20に連結され、他方の容器弁18bはパージガスの充填用に使用される。なお、このパージ用ガス容器17は一般的なガス容器でよく、例えば10LのMn鋼製の容器等が使用できる。
【0023】
このパージ用ガス容器17には、例えば水分5ppb以下の高純度窒素ガスが14.7Mpa充填されており、半導体プロセスガスを充填してあるガス容器2に連結された取り出しユニットUに、弁15を介して使用先の受け入れ設備に連通する配管25を接続する時に、該配管25や継ぎ手部をパージするため、パージ用ガス容器17の容器弁18aを介して前記ガス容器2に配設した容器弁6aと減圧弁8の間に配設したパージ用ガス弁20にパージガスが供給されて、これらをパージする。
【0024】
パージは、パージ後の排ガス中の水分濃度や酸素濃度を測定し、それらの濃度が10ppb以下に達したらパージガスの供給を停止し、続いて半導体プロセスガスをガス容器2より導出して、該プロセスガスで同様にパージを行う。なお、このプロセスガスのパージに先だって、前記配管25や継ぎ手部更には取り出しユニットU等は、使用先の受け入れ設備側から配管25を介して数T orr 以下の圧力まで真空排気することが好ましい。
このパージに使用されて排出される半導体プロセスガスは、コンテナ1内に配した除害筒19に弁16を介して導入して除害される。そして、半導体製造装置にこの半導体プロセスガスを供給するためには、この半導体プロセスガスによるパージと真空引きを5回以上繰り返すことが好ましい。
【0025】
このバルク供給装置101のガス容器2には、例えばS i (モノシラン)を100kgを充填し、この装置101を2台重ねて設置することによって、従来のカードル方式のガス供給装置の設置スペース5m の約半分の設置スペースとなった。
又、従来使用していたシリンダーキャビネットが不要となり、その上カードル方式に比べて本発明の上記バルク供給装置が単純な構造をしているため、ガス供給用のガス容器の投資金額がほぼ半分に節約できる。
【0026】
また、この実施例1での半導体プロセスガス用バルク供給装置101では、コンテナ1内に半導体プロセス用のガス容器とともに、パージ用ガス容器17を配設したことによって、大気に曝される配管の数が減少するため、パージ効率が向上し、水分濃度や酸素濃度を10ppb以下にするため、従来3時間要していたのに対して、本発明のこの装置では約半分の1.5時間で10ppb以下に到達した。
【0027】
また、コンテナ内に除害筒19を設けたので、この実施例1の半導体プロセスガス用バルク供給装置自体で、有害である当該プロセスガスの除害処理が可能となり、使用先のそれぞれの受け入れ設備に除害設備を設置する必要が無くなり、受け入れ設備の設備費が節減できる
【0028】
つぎに、実施例として他の半導体プロセスガス用バルク供給装置101を図により説明する。図は、本発明の実施例に係わる半導体プロセスガス用バルク供給装置の一部切開概略図である。なお、図2において図1で図示した構成部品と共通する構成部品は同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
図2は、図1の半導体プロセスガス用バルク供給装置のコンテナ1内に水分や酸素等の不純物の存在を分析する水分計や酸素計及びパーティクルカウンタの如き分析計21を配設したものであり、これにより本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置を、使用先の受け入れ設備(図示せず)に連結する際、上記した如きこれの配管25や取り出しユニットUのパージに当たって、パージの適切な終了時点を判断するために使用するものである。この分析計21としては、水晶発振式Baコート型水分計とか、ガルバニックセル式酸素計更にはパーティクルカウンタ等が適宜必要に応じて好適に使用し得る。
【0029】
即ち、上記した如く、半導体プロセスガスのガス容器2に付設された取り出しユニットUを弁15を介して使用先の受け入れ設備に連通する配管25を連結する際に、パージ用ガス容器17より例えば窒素ガスの如き不活性ガスよりなるパージガスが弁18aより3連3方ブロック弁23を介して弁15を経て配管25に供給されて、これら配管内をパージする。そして、このパージに使用された後のパージ排出ガスは受け入れ設備側(図示せず)から弁22を介して分析計21に導入され、そこでパージ排出ガスの水分濃度や酸素濃度が検出される。これらの含有濃度が10ppb以下になった時点で、パージガスによるパージは終了し、次いで真空排気と半導体プロセスガスによるパージの操作を5回以上繰り返し行った後に、半導体プロセスガスをガス容器2より取り出しユニットU、弁15を介して配管25によって受け入れ設備に供給するものである。
【0030】
従って、実施例の半導体プロセスガス用バルク供給装置101では、不活性ガスによるパージにおける、パージ排出ガスの水分濃度や酸素濃度を分析して評価することは、続いてのパージ処理でのパージガスとして流す半導体プロセスガスと水との反応で生ずる酸化物によって、半導体製造装置に付設されている設備配管類、減圧弁、圧力計、流量計、マスフローコントローラ等の機器類の目詰まりや、レギュレータの出流れ現象を確実に抑止することに大いに有効である。
例えば、半導体プロセスガスとしてSiHを使用する場合、配管類等の機器に水分が残留していると、この残留している水分や酸素とSiHが反応してSiOの粉末を生成して、前記した如く機器の目詰まりや、出流れ現象を生ずる。それ故、実施例の半導体プロセスガス用バルク供給装置101では、装置自体に水分計や酸素計等の、分析計を設置せしめたことによって、当該バルク供給装置自体で、ほぼ充分に満足し得るほど完成された形で、高純度の半導体プロセスガスを使用先に供給することが可能となった。
【0031】
次ぎに、この実施例の半導体プロセスガス用バルク供給装置を以下の仕様諸元で製作した。
●半導体プロセスガス用のガス容器
容積:470L
寸法:外径600mm、長さ2200mm
●上記ガス容器、及び諸機器を収納するコンテナの寸法
2500mm(長さ)×800mm(幅)×800mm(高さ)
【0032】
[比較例]
本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置の性能評価のため、大容量のガスを供給するために従来使用されている、同容量のカードル方式のガス供給装置の仕様寸法は以下の通りである。
●カードルに使用したガス容器
容積:47L/本
集積本数:10本
総容量:470L
●10本の上記ガス容器を集積化するに要する空間
2000mm(長さ)×1200mm(幅)×1800mm(高さ)
●カードルとして集積化するに要する枠体の寸法
2500mm(長さ)×2000mm(幅)×1800mm(高さ)
【0033】
[比較検討]
上記した本発明の実施例のバルク供給装置の寸法と、従来のカードル方式のガス供給装置の寸法を比較すると、
●設置面積
本発明=[(2500mm(長さ)×800mm(幅))/(2500mm(長さ)×2000mm(幅))]×[カードル方式]=0.4×[カードル方式]
本発明のバルク供給装置の設置面積は、従来のカードル方式装置の設置面積の約40%ですむことになった。
●占有体積
本発明=[(2500mm(長さ)×800mm(幅)×800mm(高さ))/(2500mm(長さ)×2000mm(幅)×1800mm(高さ))]×[カードル方式]=0.17×[カードル方式]
占有体積も、本発明のバルク供給装置は、従来のカードル方式装置の17%ですむこととなった。
【0034】
【発明の効果】
本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置にあっては、プロセスガスの漏洩が生じ易い高圧ガス部が縮減され、しかもコンテナ内に限定されることとなって、安全性の高い半導体プロセスガス用バルク供給装置として作動する。しかも、ガス供給に当たって、安全性を備えた半導体プロセスガスの大量供給装置であるとともに、このバルク供給装置を複数基重ねて配置することも可能であるので、使用先の半導体工場での、ガス供給装置の専有面積を極力押さえることが可能となる。
【0035】
又、本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置では、コンテナ内にパージガス用の小型ガス容器を設置してあるので、使用先の受け入れ設備に連結するに当たって、配管類や弁類等の内部の大気成分を迅速にパージ可能とし、しかも簡便で小回りの効く配管構成でパージガスを所定個所に供給することができ、ガス容器内のガスの不純物レベルを損なうことなく高純度の半導体プロセスガスを供給することができる。
【0036】
更に、水分計、酸素計等の大気成分をモニターするための分析計を備えたことにより、配管類や弁類のパージ処理で、これら配管類や弁類に残存する水分等の大気成分の有無あるいは一定レベル以下にあるか否かを常に監視、確認することを可能とした。これによって、供給する半導体プロセスガスが、水や酸素等と反応して酸化物や腐食生成物が生成するのを未然に防止して、これによって生ずる配管、弁類、及び計器類の目詰まりを防ぎ、常に半導体プロセスガスの供給をトラブル無く行うことを可能とし得る。
【0037】
又更に、警報器、排気ファン、除害筒等の除害手段等を設備したことによって、半導体プロセスガスの漏洩を迅速に察知し得るとともに、有害なガスが多い半導体プロセスガスを除害材で除害して、危険なガスを大気に放出すること無く稼動運転することができる。
その上、本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置は、半導体プロセスガスを従来より安価で大量供給ができるばかりか、安全性の向上とともに常に高純度の半導体プロセスガスを安定して供給し得る効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1に係わる半導体プロセスガス用バルク供給装置の一部切開概略図である。
【図2】 本発明の実施例2に係わる半導体プロセスガス用バルク供給装置の一部切開概略図である。
【図3】 従来のカードル方式のガス供給装置を説明する概略図である。
【符号の説明】
101…半導体プロセスガス用バルク供給装置、1…コンテナ、2…ガス容器、6a、6b…容器弁、8…減圧弁、10…圧力計、11…警報器、12…排気ファン、17…パージ用ガス容器、19…除害筒、20…パージガス用弁、23…3連3方ブロック弁、U…取り出しユニット
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a semiconductor process gas used in semiconductor manufacturing processes such as monogermane, monosilane, disilane, diborane, arsine, phosphine, hydrogen selenide, hydrogen chloride, hydrogen bromide, etc., in large quantities and safely. The present invention relates to a bulk supply apparatus for semiconductor process gas comprising compact equipment.
[0002]
[Prior art]
The consumption of semiconductor processes used in the semiconductor industry increases with an increase in the number of wafers processed per factory, and further increases in consumption are expected when the future 300 mm wafer age is entered. Many semiconductor process gases are generally flammable, toxic, and corrosive. In particular, highly flammable and highly toxic gases are specially high-pressure gases (monogermane, monosilane, disilane, diborane, arsine, phosphine, hydrogen selenide) that are technically and facilityally equipped with the High Pressure Gas Safety Act. The requirements that must be met are clarified, safety is strictly regulated according to the increase in the amount of gas used, and the maintenance of further safety is an indispensable requirement item.
[0003]
Generally, a semiconductor process gas filling container is housed in a cylinder cabinet that houses the container in order to ensure safety in supplying toxic and flammable gases. The cylinder cabinet must be equipped with an alarm or an exhaust system for gas leakage. When a gas leaks, the system must be configured so that a toxic gas or a combustible gas leaked instantaneously is eliminated by these systems to prevent a serious accident from occurring. However, in order to supply a large amount of semiconductor process gas, it is usually necessary to use a 47 liter container (cylinder) that is generally used to store one container, one container in a cylinder cabinet, or several. They will be stored together in a cylinder cabinet. Although this is possible, there are problems and inconveniences such as a large installation space, complicated supply system piping, and complicated container replacement work after consumption.
[0004]
As a gas supply method when using a large amount of gas, the above-mentioned 47 liter container is connected in units of dozens of frames, and the supply is made by a so-called cardle system, or the outer diameter is 350 to 400 mm and the length is 6 A loader type supply or the like in which 18 to 20 containers of ˜8 m are assembled and assembled is adopted.
That is,FIG.Is a schematic view illustrating a curdle type gas supply device 50, in which a plurality of containers 51, 51,... Are connected together by a manifold 53 via container valves 52, 52,. Built into the body 60. Then, the gas is supplied through a valve 57 and a pipe 55 connected to a pipe of a receiving facility 56 installed at a gas use destination by a joint 57. Reference numerals 58 and 59 denote a pressure reducing valve and an on-off valve arranged in the receiving facility 56.
Then, two gas supply devices 50 of this curdle type are arranged and continuously supplied by switching and using them.
[0005]
The gas supply method by these curdle method and loader method requires a manifold 53 for attaching the container valve 52 to one container and one container, and further connecting the mouths of the container valve 52 to each other. There are many problems in terms of safety, such as the fact that there are many places where there is a risk of leakage and that there is no facility for exhausting the leaked gas, which may lead to a serious accident. There is.
In addition, in the gasle type gas supply device 50, high-pressure gas flows over a long pipeline such as the manifold 53 between the container 51 and the receiving facility 56 and the pipe 55 at the time of gas supply. It is a device that has.
[0006]
In addition, in the gas supply device of the curdle type or loader type, careful attention and certainty are required in handling dangerous gas when exchanging the curdle or loader. As countermeasures for this, the curdle itself and the manifold are put into a casing to form a semi-sealed structure, and then a gas leakage alarm, an exhaust system, etc. are provided, which is not preferable because the casing itself becomes extremely large.
[0007]
Furthermore, the semiconductor process gas is required to be supplied with a high-purity gas in order to maintain the quality of the product, and it is necessary to completely purge the semiconductor process gas in order to remove atmospheric components that tend to be mixed into the piping when the container is replaced. In other words, many semiconductor process gases react easily with atmospheric components, especially moisture and oxygen, and the gas itself becomes oxides and oxide compounds, and the presence of moisture corrodes the piping, thereby producing semiconductors. Giving significant obstacles to the process. Specifically, contamination of metal impurities generated by corrosion into the semiconductor manufacturing process degrades the electrical characteristics of the device, or causes structural defects in the device due to the generated ultrafine particles, resulting in a decrease in yield. It will be.
[0008]
Furthermore, as described above, the curdle system requires a complicated manifold to collect dozens of containers in the same supply piping system, and in order to supply high-purity semiconductor process gas, the curdle itself It was necessary to completely purge both the manifold and the piping between the receiving equipment, and this purging was time consuming.
Further, when filling each container of the semiconductor process gas curdle, there is a high possibility that the pipe will be insufficiently purged.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above-mentioned present situation, the present invention solves the above-mentioned conventional inconveniences and problems, and in manufacturing semiconductors, a high-purity semiconductor process gas used in large quantities is safe and reduces the purity of the gas in the container. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor process gas bulk supply apparatus that can be supplied without damaging, and that can reduce the arrangement space and can be used for mass use.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
  To solve the above problem,
  The invention according to claim 1 is a large-capacity bulk supply apparatus that supplies a semiconductor process gas to a supply location.
  Gas container filled with semiconductor process gas having two openings in the containerFixedA process valve is connected to one of the two openings of the gas container to form a process gas filling port, and a gas extraction unit having a container valve and a pressure reducing valve is connected to the other opening. As a gas supply port,
  Arranged on the side of the gas container, a purge gas container having a container valve attached to each end.FixedOne purge valve of the purge gas container is connected to the gas extraction unit to serve as a purge gas supply valve, and the other container valve is a purge gas filling valve.
  At the bottom of the container is formed a lifting port for transportA bulk supply apparatus for semiconductor process gas.
  The invention according to claim 2 is a large-capacity bulk supply apparatus for supplying a semiconductor process gas to a supply location.
  Gas container filled with semiconductor process gas having two openings in the containerFixedA process valve is connected to one of the two openings of the gas container to form a process gas filling port, and a gas extraction unit having a container valve and a pressure reducing valve is connected to the other opening. As a gas supply port,
  Arranged on the side of the gas container, a purge gas container having a container valve attached to each end.FixedOne purge valve of the purge gas container is connected to the gas extraction unit to serve as a purge gas supply valve, and the other container valve is a purge gas filling valve.
  A fixed base for fixing the gas container is provided inside the container, and a lifting ring for transport is provided on the fixed base.A bulk supply apparatus for semiconductor process gas.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The target gas for bulk supply of the present invention is SiH, which is a semiconductor process gas.Four, AsHThree, PHThree, SF6, NFThree, CFFour, C2F6, CHFour, HF, HCl, HBr, ClFThree, NHThree, N2O, He, H2, O2, CO2, CO, etc.
Containers for bulk supply filled with these gases are made of materials such as SUS steel, CrMo steel, carbon steel, Mn steel, Al alloy, Al lining reinforced plastic, and the size is 300 mm or more, for example. It is 1200 mm or less and the length is 1.5 m or more and 12 m or less, and is appropriately selected and designed according to the semiconductor manufacturing scale, and has a size suitable for placement in a semiconductor factory.
This gas container has openings at both ends in the longitudinal direction of the container, a container valve having an opening / closing function is arranged on one opening, and a container valve having an opening / closing function is decompressed on the other opening. A pressure reducing valve having a function is arranged in series.
[0012]
Since the container valve and the pressure reducing valve are arranged close to each other, the gas replacement characteristics are greatly improved, and the portion exposed to the high pressure in the arranged piping is reduced. This is also preferable.
Further, the container valve and the pressure reducing valve can be attached as a so-called block valve in which these are highly integrated and integrated. As the block valve, a triple three-way valve or a quadruple four-way valve can be used. These container valves are forged from brass, stainless steel, nickel alloy, etc., and machined to manufacture.
[0013]
For the purpose of improving the corrosion resistance of the metal surface, the container, container valve, pressure reducing valve and pipes are reduced as much as possible the amount of moisture, gas molecules or particles adsorbed on the surface of the gas contact part where gas flows. The gas contact surface portion is subjected to surface polishing such as mechanical polishing, abrasive polishing, electrolytic polishing, composite electrolytic polishing, chemical polishing, and composite chemical polishing, or Ni is electrolessly or electroplated. Furthermore, a passive film may be formed by fluorine on the Ni-coated surface. In stainless steel, a passive oxide film such as iron or chromium may be formed by heat treatment after surface polishing.
The inner wall surface roughness (R) in the container is preferably 25 μm or less, preferably 12 μm or less, at the maximum Rmax. Further, the inner wall surface roughness of the container valve, the pressure reducing valve and the piping should be 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less.
[0014]
The semiconductor process gas filled in the container passes through the container valve and is supplied to the receiving facility of the user through a spring type or diaphragm type pressure reducing valve. A pressure gauge is attached between the container valve and the pressure reducing valve in order to confirm the filling pressure of the gas in the container. As the pressure gauge, a pressure gauge such as a Bourdon tube type, a strain gauge type, or a diaphragm type semiconductor gauge can be used as appropriate, but a diaphragm type semiconductor gauge is particularly suitable as the pressure gauge. Further, a thermometer such as a sheath type thermocouple for measuring the supply gas temperature may be provided.
[0015]
The above-described two-port container having openings at both ends is accommodated in a box-shaped or kamaboko-shaped container having a volume that can be accommodated by the container. The container is provided with a door for operating the base of the container valve from the outside so that the connection piping such as a manifold can be connected to the container valve, and a shutter and door are provided on a part of the container. Etc. may be provided as necessary.
[0016]
In the container in which the container is stored, there is an alarm device for notifying the leakage of the semiconductor process gas, a forced exhaust fan for improving the ventilation, a purge system for purging the inside of the connection pipe, and an abatement means such as an abatement cylinder. It is desirable to provide It is especially desirable to install an alarm and an exhaust fan.
By providing an alarm device, the leakage of the semiconductor process gas from the container can be monitored. The alarm can be operated in conjunction with the gas extraction unit, exhaust fan, etc. to stop the gas supply or drive the exhaust fan to improve safety. it can. Further, the exhaust fan can be arranged outside to secure the exhaust in the container.
[0017]
In the container,A detoxifying material for detoxifying gas leaked into the space is directly embedded in the container, or a detoxification cylinder filled with a detoxifying material for detoxifying harmful gas in the purge exhaust gas is arranged. Detoxification means can be provided.The abatement material is a material in which diatomaceous earth is impregnated with ferric chloride and a catalyst component, a silica or alumina carrier impregnated with potassium permanganate or caustic soda, or a catalyst such as alkali or metal oxide on activated carbon. What added the component, or what shape | molded the metal oxide in the granular form etc. are used. It is better to avoid the abatement material from being exposed to the atmosphere all the time, and the abatement effect can be maintained for a long time, so the forced exhaust fan is linked with the alarm device and it is driven only when the alarm device is activated. Thus, it is preferable to use a system in which the gas in the container is exhausted to the atmosphere by the suction force of the exhaust fan via the abatement means such as the abatement cylinder.
[0018]
The bulk supply apparatus of the present invention is arranged so that two or more semiconductor process gases can be continuously supplied to a user of a semiconductor factory, and switched to the other apparatus before one is used. It is used so that the semiconductor process gas is newly filled in the container of one of the apparatuses that has been used in the meantime, and this is sequentially switched to supply gas continuously. In this switching use, it is necessary to purge the piping and valves in advance to maintain the purity of the supply gas. For this purge, a purge gas container filled with an inert gas such as nitrogen, argon or helium or hydrogen gas is placed in the container.Side by side of the gas containerBy placing and connecting this to piping or valves, it can be done in a compact state.
[0019]
In addition, the bulk supply apparatus for semiconductor process gas according to the present invention is provided with an oxygen meter or a moisture meter in the container, so that whether or not the purge is completely performed at the time of the purge operation of the piping, valves, switching unit, etc. Since the determination can be performed using the oximeter and the moisture meter and it can be confirmed that the purge has been completely performed, a desired high-purity semiconductor process gas can be always supplied. The oxygen meter and moisture meter used for this are preferably those that can be measured at a level of several tens of ppb. For the oxygen meter, a yellow phosphorus emission type, a galvanic cell type, etc. can be suitably used. An oscillation type (polymer film coat, Ba coat) or the like can be suitably used.
[0020]
【Example】
The details of the bulk supply apparatus for semiconductor process gas according to the present invention will be described below based on examples.
[Example 1]
The first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a partially cutaway schematic view of a semiconductor process gas bulk supply apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. The semiconductor process gas bulk supply apparatus 101 of the first embodiment is an apparatus having the basic configuration of the present invention. For example, a gas container 2 made of Mn steel is fixed to a fixed base 4 by bands 3 and 3 in a box-shaped container 1 that houses the gas container 2. The fixed base 4 is provided with four lifting rings 5 that are hung so that they can be conveyed by hooking at four corners. The gas container 2 has an outer diameter of 600 mm, a length of 2200 mm, and an internal volume of about 470L. Two gas containers 2 are arranged at both ends.A three-way three-way block valve 23 in which a container valve 6a, a purge gas valve 20, a pressure reducing valve 8 and a pressure gauge 10 are integrated and integrated is attached to one gas supply side of the opening to form a take-out unit U. Has been. As this unit U, a container valve and a pressure reducing valve connected to each other via a pressure gauge may be used. This unit UIs connected to a gas supply pipe 25 which communicates with a receiving facility (not shown) at the use destination.In addition, a container valve 6b is connected to the other side of the opening.The container valve 6b is used for gas filling.
[0021]
In order to partition the arrangement space of the gas container 2 from the valves 6 and 8 attached thereto and the pressure gauge 10 and the like, a space 7 and a space 9 are formed by surrounding the valves and instruments by the partition plates 7a and 9a. ing. Gas space symflex tubes 13 and 13 extending from the alarm device 11 are inserted into the space 7 and the section 9, respectively, and the presence or absence of gas leakage is constantly monitored. An exhaust fan 12 is provided on the ceiling of the container 1 so that the space in the container 1 can be forcibly exhausted.
In the lower part of the container 1, a lifting port 14 is provided to lift the semiconductor process gas bulk supply device 101 and facilitate the transfer by a lifter.
[0022]
Further, when connecting a gas supply pipe 25 communicating with a receiving facility (not shown) at a use destination to the take-out unit U, for example, nitrogen can be purged so that the fitting joint and the gas supply pipe 25 can be purged. A purge gas container 17 filled with an inert gas such as a gas is installed in the container 1 alongside the gas container 2 as shown in the figure. The purge gas container 17 is composed of a two-necked container with container valves 18a and 18b attached to both ends thereof. One container valve 18a is connected to a purge gas valve 20 of a triple three-way block valve 23 (U) disposed in the gas container 2, and the other container valve 18b is used for filling purge gas. The purge gas container 17 may be a general gas container. For example, a 10 L container made of Mn steel may be used.
[0023]
The purge gas container 17 is filled with, for example, 14.7 Mpa of high-purity nitrogen gas having a moisture content of 5 ppb or less. A valve 15 is connected to the take-out unit U connected to the gas container 2 filled with the semiconductor process gas. A container valve disposed in the gas container 2 via the container valve 18a of the purge gas container 17 in order to purge the pipe 25 and the joint when connecting the pipe 25 communicating with the receiving facility of the user through Purge gas is supplied to the purge gas valve 20 disposed between 6a and the pressure reducing valve 8 to purge them.
[0024]
Purging measures the moisture concentration and oxygen concentration in the exhaust gas after purging, stops the supply of the purge gas when those concentrations reach 10 ppb or less, and then derives the semiconductor process gas from the gas container 2 to Purge with gas as well. Prior to the purging of the process gas, the pipe 25, the joint part, and also the take-out unit U and the like are several T orr It is preferable to evacuate to the following pressure.
The semiconductor process gas used and exhausted for this purge is introduced into the abatement cylinder 19 disposed in the container 1 through the valve 16 and removed. And in order to supply this semiconductor process gas to a semiconductor manufacturing apparatus, it is preferable to repeat purging and evacuation by this semiconductor process gas 5 times or more.
[0025]
The gas container 2 of the bulk supply apparatus 101 includes, for example, S i H 4 (Monosilane) is filled with 100 kg, and by installing two of these apparatuses 101, the installation space of the conventional curdle type gas supply apparatus is 5 m. 2 It was about half the installation space.
In addition, the conventional cylinder cabinet is not required, and the bulk supply device of the present invention has a simple structure compared to the curdle method, so the investment amount of the gas container for gas supply is almost halved. Can save.
[0026]
Further, in the semiconductor process gas bulk supply apparatus 101 according to the first embodiment, the purge gas container 17 is disposed in the container 1 together with the semiconductor process gas container, so that the number of pipes exposed to the atmosphere is increased. In order to improve the purge efficiency and reduce the water concentration and the oxygen concentration to 10 ppb or less, 3 hours are conventionally required. In contrast, this apparatus of the present invention requires 10 ppb in about half of 1.5 hours. Reached:
[0027]
 Further, since the abatement cylinder 19 is provided in the container, the semiconductor process gas bulk supply device itself of the first embodiment can perform the abatement process of the harmful process gas, and each receiving facility of the use destination. It is no longer necessary to install abatement equipment at the plant, and the equipment costs of the receiving equipment can be reduced.
[0028]
Next, the example2As other semiconductor process gas for bulk supply equipment101The figure2Will be described. Figure2Example of the present invention2It is a partial cutaway schematic diagram of the bulk supply apparatus for semiconductor process gases concerning. In addition,2 in FIG.Components common to the illustrated components are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
2 is the same as FIG.An analyzer 21 such as a moisture meter, an oxygen meter, and a particle counter for analyzing the presence of impurities such as moisture and oxygen is disposed in a container 1 of a semiconductor process gas bulk supply device. When connecting the process gas bulk supply device to a receiving facility (not shown) at the user's site, it is used to determine the appropriate end point of the purge when purging the piping 25 or the take-out unit U as described above. To do. As the analyzer 21, a crystal oscillation type Ba coat type moisture meter, a galvanic cell type oxygen meter, a particle counter, or the like can be suitably used as necessary.
[0029]
That is, as described above, when connecting the pipe 25 that connects the take-out unit U attached to the semiconductor process gas gas container 2 to the receiving facility of the user through the valve 15, for example, nitrogen is supplied from the purge gas container 17. A purge gas made of an inert gas such as a gas is supplied from the valve 18a through the triple three-way block valve 23 to the pipe 25 via the valve 15 to purge these pipes. Then, the purge exhaust gas after being used for the purge is introduced into the analyzer 21 through the valve 22 from the receiving facility side (not shown), and the moisture concentration and oxygen concentration of the purge exhaust gas are detected there. When the concentration of these components becomes 10 ppb or less, the purge with the purge gas is completed, and then the operation of evacuation and the purge with the semiconductor process gas is repeated five times or more, and then the semiconductor process gas is taken out from the gas container 2 U is supplied to the receiving facility by the pipe 25 through the valve 15.
[0030]
Therefore, the example2Bulk supply equipment for semiconductor process gas101Then, in purging with an inert gas, analyzing and evaluating the moisture concentration and oxygen concentration of the purge exhaust gas depends on the oxide generated by the reaction between the semiconductor process gas flowing as the purge gas and water in the subsequent purge process. It is extremely effective in reliably preventing clogging of equipment pipes, pressure reducing valves, pressure gauges, flow meters, mass flow controllers, and other equipment attached to semiconductor manufacturing equipment and the outflow phenomenon of regulators.
For example, SiH as a semiconductor process gas4If moisture is left in equipment such as piping, the remaining moisture, oxygen and SiH4Reacts with SiO2As described above, the clogging of the equipment and the outflow phenomenon occur. Therefore, the example2Bulk supply equipment for semiconductor process gas101Then, by installing an analyzer such as a moisture meter or oxygen meter in the device itself, the bulk supply device itself uses a high-purity semiconductor process gas in a form that is almost fully satisfactory. It became possible to supply it first.
[0031]
Next, this example2A bulk supply device for semiconductor process gas was manufactured with the following specifications.
● Gas container for semiconductor process gas
Volume: 470L
Dimensions: Outer diameter 600mm, length 2200mm
● Dimensions of the above gas containers and containers for storing various devices
2500mm (length) x 800mm (width) x 800mm (height)
[0032]
[Comparative example]
In order to evaluate the performance of the bulk supply apparatus for semiconductor process gas according to the present invention, the specification dimensions of a gas supply apparatus of the same capacity that is conventionally used for supplying a large volume of gas are as follows.
● Gas container used for curdle
Volume: 47L / book
Accumulated number: 10
Total capacity: 470L
● Space required to integrate 10 gas containers
2000mm (length) x 1200mm (width) x 1800mm (height)
● Dimensions of the frame required for integration as a cardle
2500mm (length) x 2000mm (width) x 1800mm (height)
[0033]
[Comparison]
Embodiment of the present invention described above2Comparing the dimensions of the bulk supply device and the conventional gas supply type gas supply device,
● Installation area
The present invention = [(2500 mm (length) × 800 mm (width)) / (2500 mm (length) × 2000 mm (width))] × [Kardle method] = 0.4 × [Kardle method]
The installation area of the bulk supply apparatus of the present invention is about 40% of the installation area of the conventional cardle system apparatus.
● Occupied volume
The present invention = [(2500 mm (length) × 800 mm (width) × 800 mm (height)) / (2500 mm (length) × 2000 mm (width) × 1800 mm (height))] × [Kardle method] = 0. 17 x [Kardle method]
As for the occupied volume, the bulk supply apparatus of the present invention requires 17% of the conventional curdle type apparatus.
[0034]
【The invention's effect】
Of the present inventionFor semiconductor process gas bulk supply equipment, the processThe high-pressure gas part that is likely to cause gas leakage is reduced and is limited to the inside of the container, and operates as a bulk supply device for semiconductor process gas with high safety. In addition, it is a mass supply device for semiconductor process gas with safety in gas supply, and it is also possible to arrange a plurality of this bulk supply device, so gas supply at the semiconductor factory where it is used It is possible to suppress the exclusive area of the device as much as possible.
[0035]
Further, in the semiconductor process gas bulk supply apparatus of the present invention, since a small gas container for purge gas is installed in the container, the internal air such as pipes and valves is connected to the receiving equipment of the user. Purge gas can be quickly purged, and purge gas can be supplied to specified locations with a simple and small-pitch piping configuration, and high-purity semiconductor process gas can be supplied without impairing the impurity level of the gas in the gas container. Can do.
[0036]
In addition, by providing an analyzer such as a moisture meter and an oxygen meter to monitor atmospheric components, the presence of atmospheric components such as moisture remaining in these piping and valves during the purge processing of piping and valves Alternatively, it is possible to always monitor and confirm whether or not it is below a certain level. This prevents the supplied semiconductor process gas from reacting with water, oxygen, etc. to produce oxides and corrosion products, thereby clogging the piping, valves, and instruments that occur. This can prevent the semiconductor process gas from being supplied without any trouble.
[0037]
Furthermore, by installing a detoxification means such as an alarm, exhaust fan, and decontamination cylinder, it is possible to quickly detect the leakage of the semiconductor process gas, and to remove the semiconductor process gas that contains a lot of harmful gases with a detoxifying material. It is possible to perform operation without detoxifying and releasing dangerous gas to the atmosphere.
In addition, the bulk supply apparatus for semiconductor process gas of the present invention not only can supply a large amount of semiconductor process gas at a lower cost than before, but also has an effect of constantly supplying high-purity semiconductor process gas stably with improved safety. Play.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially cutaway schematic view of a semiconductor process gas bulk supply apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a partially cutaway schematic view of a semiconductor process gas bulk supply apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.
[Fig. 3]It is the schematic explaining the conventional gas supply type gas supply apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Bulk supply apparatus for semiconductor process gas, 1 ... Container, 2 ... Gas container, 6a, 6b ... Container valve, 8 ... Pressure reducing valve, 10 ... Pressure gauge, 11 ... Alarm, 12 ... Exhaust fan, 17 ... For purge Gas container, 19 ... Detoxification cylinder, 20 ... Purge gas valve, 23 ... Triple 3-way block valve, U ... Extraction unit

Claims (2)

半導体プロセスガスを供給箇所に供給する大容量のバルク供給装置において、
2つの開口を有する半導体プロセスガスが充填されるガス容器をコンテナ内に固定し、このガス容器の2つの開口のうちの一方の開口には容器弁を連結してプロセスガス充填口とし、他方の開口には容器弁と減圧弁を備えたガス取り出しユニットを連結してプロセスガス供給口とし、
前記ガス容器の側方に並べて、両端にそれぞれ容器弁が取り付けられたパージ用ガス容器を固定し、このパージ用ガス容器の一方の容器弁を前記ガス取り出しユニットに連結してパージガス供給弁とし、他方の容器弁をパージガス充填弁とし、
コンテナの下部には、搬送のための持ち上げ口が形成されていることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置。
In large-capacity bulk supply equipment that supplies semiconductor process gas to the supply location
A gas container filled with a semiconductor process gas having two openings is fixed in the container, and a container valve is connected to one of the two openings of the gas container to form a process gas filling port. A gas extraction unit equipped with a container valve and a pressure reducing valve is connected to the opening to form a process gas supply port,
Arranged on the side of the gas container, fixed a purge gas container having a container valve attached to both ends, and connected one of the purge gas containers to the gas extraction unit as a purge gas supply valve, The other container valve is a purge gas filling valve,
A bulk supply apparatus for semiconductor process gas, wherein a lifting opening for transport is formed in a lower part of the container .
半導体プロセスガスを供給箇所に供給する大容量のバルク供給装置において、
2つの開口を有する半導体プロセスガスが充填されるガス容器をコンテナ内に固定し、このガス容器の2つの開口のうちの一方の開口には容器弁を連結してプロセスガス充填口とし、他方の開口には容器弁と減圧弁を備えたガス取り出しユニットを連結してプロセスガス供給口とし、
前記ガス容器の側方に並べて、両端にそれぞれ容器弁が取り付けられたパージ用ガス容器を固定し、このパージ用ガス容器の一方の容器弁を前記ガス取り出しユニットに連結してパージガス供給弁とし、他方の容器弁をパージガス充填弁とし、
コンテナ内部には、前記ガス容器を固定するための固定台が設けられ、この固定台には搬送のための吊り上げリングが設けられていることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置。
In large-capacity bulk supply equipment that supplies semiconductor process gas to the supply location
A gas container filled with a semiconductor process gas having two openings is fixed in the container, and a container valve is connected to one of the two openings of the gas container to form a process gas filling port. A gas extraction unit equipped with a container valve and a pressure reducing valve is connected to the opening to form a process gas supply port,
Arranged on the side of the gas container, fixed a purge gas container having a container valve attached to both ends, and connected one of the purge gas containers to the gas extraction unit as a purge gas supply valve, The other container valve is a purge gas filling valve,
A bulk supply apparatus for semiconductor process gas , wherein a fixing base for fixing the gas container is provided inside the container, and a lifting ring for transport is provided on the fixing base .
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