JP3702881B2 - Dielectric line attenuator, terminator and radio equipment - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ミリ波帯などで用いられる誘電体線路減衰器、誘電体線路終端器、およびそれらを用いた無線装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
非放射性誘電体線路(以下「NRDガイド」という。)を用いたミリ波集積回路が、電子情報通信学会論文誌C-1 Vol.J73-C-I No.3 p.87〜94 1990.3 に示されている。
【0003】
NRDガイドは、2つの平行な導体平面の間に誘電体ストリップを配置して、誘電体ストリップ部分を電磁波の伝搬域とし、その両側部の導体平面で挟まれる空間を電磁波の遮断域としたものである。このようなNRDガイドにおいて終端器としては、上記文献に示されているように、電磁波を吸収する抵抗膜を誘電体ストリップ部分に設けるようにしていた。
【0004】
図7はその終端器部分の構成を示す斜視図である。ただし図7においては上下の導体板は省略している。図7に示す誘電体ストリップは上下の導体板で挟まれて電磁波の伝搬域を構成するが、上下二分割した誘電体ストリップの間に抵抗シートと誘電体シートを挟み込んでいる。図に示すように抵抗シートの一部と誘電体シートとはテーパー状に形成していて、この部分で誘電体線路のインピーダンス変換を行うとともに、誘電体線路を伝搬するLSM01モードのエネルギーを抵抗シートで消費させて、電磁波を吸収するようにしている。従って図におけるA方向から伝搬する電磁波は、この終端器部分で抵抗終端され、逆方向へは殆ど反射しない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図7に示したような従来の誘電体線路終端器においては、テーパー形状の抵抗シートでインピーダンス変換を行う構造であるため、十分な低反射特性を得るためには長いテーパー長が必要となる。そのため、終端器の全長が長くなるという問題があった。このような誘電体線路終端器は、例えばサーキュレータの所定ポートに設けて全体としてアイソレータを構成したり、カップラの所定ポートに設けて全体として方向性結合器を構成したりするが、終端器の全長が長くなることにより、アイソレータや方向性結合器を用いた誘電体線路モジュール全体が大型化することになる。なお、例えば全長の長い終端器が所定位置に配置されるように、誘電体線路にベンドを設けることも小型化の上では有効であるが、ベンド部においてLSMモードとLSEモードとの間でのモード変換が生じて損失が増大するという問題が生じる。
【0006】
また、誘電体線路途中の誘電体ストリップ部分に抵抗膜を設ければ、誘電体線路減衰器を構成することができるが、抵抗膜部分での反射を十分に抑制するためには、その抵抗膜パターンを上記誘電体線路終端器の場合と同様に、長いテーパー状にする必要がある。そのため、誘電体線路減衰器についても上述と同様の問題が生じる。
【0007】
この発明の目的は、誘電体線路の電磁波伝搬方向の長さを短縮化して、全体に小型化を図った誘電体線路減衰器、終端器およびそれらを用いた無線装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明の誘電体線路減衰器は、略平行な2つの導体平面と、該導体平面の間に挟まれる誘電体ストリップとを備えた誘電体線路において、前記誘電体線路の線路インピーダンスを、複数箇所の不連続部で変化させるとともに、該不連続部での信号の反射波を抑圧する反射波抑圧手段と、前記反射波抑圧手段の少なくとも一部を構成するものであって、前記導体平面に略平行な面での前記誘電体ストリップの分割面に沿って設けられた、前記誘電体線路を伝搬する信号を減衰させる抵抗膜とを含んで成る。そして、前記不連続部を、3箇所以上設けるとともに、前記不連続部の各々の間隔を、抑圧すべき反射波の異なった波長の略1/4波長の奇数倍とし、前記複数箇所の不連続部を、前記誘電体ストリップの延びる方向に沿って断続するパターンとして形成されている複数の前記抵抗体膜で形成する。
【0009】
このように、断続するパターンからなる抵抗膜で誘電体線路を伝搬する信号を減衰させるとともに、この断続するパターンからなる抵抗膜による線路インピーダンスの不連続部で生じる信号の反射波を合成することにより抑圧する。
【0010】
また、この発明の誘電体線路減衰器は、前記不連続部の間隔を、抑圧すべき反射波の波長の略1/4波長の奇数倍の関係とする。これにより、その抑圧すべき反射波を効率よく打ち消して、良好な低反射特性を得る。
【0011】
また、この発明の誘電体線路減衰器は、前記不連続部を3か所以上設けるとともに、所定の不連続部における反射波同士で、波長の異なる複数の反射波を抑圧する。これにより比較的広帯域に亘って反射波を抑圧可能とする。
【0012】
さらに、この発明の誘電体線路減衰器は、前記抵抗膜パターンを形成する基板の誘電率を前記誘電体ストリップの誘電率より高くする。このことにより基板上の波長短縮効果を大きくして、抵抗膜パターンの占有面積を相対的に小さくし、全体に小型化を図る。
【0013】
また、この発明の誘電体線路終端器は、上記構成の誘電体線路減衰器を誘電体ストリップの端部付近に設けて構成する。
【0014】
さらに、この発明の無線装置は、上記の誘電体線路減衰器または終端器を設けて構成する。たとえば、ミリ波送受信信号を伝搬するアイソレータやカップラ部分に誘電体線路終端器を構成して、ミリ波レーダモジュールを構成する。
【0015】
【発明の実施の形態】
第1の実施形態に係る誘電体線路終端器の構成を図1〜図3を参照して説明する。図1は誘電体線路終端器の主要部の分解斜視図である。ここで1,2はそれぞれ導体板、3はこの上下の導体板1,2の間に配置する誘電体ストリップである。また、4は表面に抵抗膜パターン5a,5bを形成した基板であり、この基板4も導体板1,2の間に配置する。
【0016】
誘電体ストリップ3には、図に示すように段差を形成していて、その部分で上部の誘電体ストリップ3′との間に基板4を挟み込むようにしている。
【0017】
図1において誘電体ストリップ3,3′には、たとえば高周波特性に優れたフッ素系樹脂を用いる。基板4には、たとえば厚さ0.1〜0.3mm程度のポリエステル系樹脂のシートを用い、抵抗膜には、たとえばNi−Cr等の比較的抵抗率の高い金属やITO(酸化インジウムスズ)等の半導体をスパッタリング等によって薄膜形成する。この抵抗膜の面抵抗値は数百Ω□程度とする。
【0018】
図2の(A)は図1に示した基板4部分の上面図、(B)は図1に示した各部を組み立てた状態での誘電体ストリップの長手方向に対して垂直な面での断面図である。導体板1,2には、それぞれ一定深さの溝を形成していて、これらの溝に誘電体ストリップ3,3′を嵌め込んでいる。また下部の導体板1には、基板4を装着する凹部を形成していて、この部分で基板4を導体板1,2の間および誘電体ストリップ3,3′の間に保持している。
【0019】
図2の(A)に示すように、基板4上の抵抗膜パターン5aは、誘電体ストリップ3の長手方向に所定長だけ連続するパターンとして形成している。抵抗膜パターン5bは抵抗膜パターン5aから所定距離離れた位置に、誘電体ストリップ3に対して垂直方向に延びるパターンとして形成している。この抵抗膜パターン5bと5aとによってこの発明に係る反射波抑圧手段を構成している。
【0020】
このように、抵抗膜パターンを形成した基板4を誘電体ストリップの間に挟み込んだ構造により、抵抗膜パターンの存在する箇所と存在しない箇所とで誘電体線路の線路インピーダンスが変化し、図に示すように、誘電体線路を伝搬する電磁波が抵抗膜パターン5aと5bのそれぞれの境界位置で反射する。これらの反射波w1,w2は互いに合成されることになるが、抑圧すべき反射波の誘電体線路上での1波長を以下λgで表せば、抵抗膜パターン5aと5bとの間隔を略λg/4としている。これにより、抵抗膜パターン5aの端部で反射した反射波w1と抵抗膜パターン5bで反射した反射波w1,w2とはほぼ逆位相で合成されることになり、これらは相殺される。なお、実際には抵抗膜パターン5bには幅があるので、それに応じてλg近傍の波長を有する反射波が効果的に抑圧されることになる。一方、抵抗膜パターン5a部分では、誘電体線路を伝搬するLSM01モードの電磁波が抵抗膜中で電力消費されることにより、電磁波が吸収される。
【0021】
図3は従来の誘電体線路終端器に対比して示す、上記誘電体線路終端器の反射特性を示す図である。ここで、Aは、図7に示したようなテーパー形状の抵抗膜パターンによる従来のインピーダンス変換部を形成した誘電体線路終端器の反射損失の周波数特性であり、Bは、上記インピーダンス不連続部によるインピーダンス変換部を形成した誘電体線路終端器の反射損失の周波数特性である。
【0022】
このように本願発明によれば、所定の周波数帯域における反射特性は、テーパー形状の抵抗膜によるものより良好な低反射特性が得られることがわかる。しかも、この反射損失の低くなる周波数は、図2の(A)に示したように、2つの抵抗膜パターンの間隔により生じるものであるため、この間隔を定めることによって、任意の周波数帯で良好な反射特性が得られる。
【0023】
以上に示した例では、基板4の基材として誘電体ストリップに対し高誘電率の材料を用いたことにより、図2に示した抵抗膜5a−5bの物理長を短くすることができ、誘電体線路終端器部分の小型化を図ることができる。
【0024】
なお、抵抗膜の幅が誘電体ストリップの幅より大きければ、基板4上に対する抵抗膜パターンの形成位置精度および上下の導体板間における基板4の位置精度が比較的低くても、反射損失等の電気的特性に与える影響を低減することができる。
【0025】
また、基板4の固定方法としては、上下の導体板1,2の間に挟み込む以外に、誘電体ストリップ3,3′に対して、または上下の導体板1,2に対して接着するようにしてもよい。
【0026】
また、上記基板4の基材は、誘電体ストリップ3と同一材料であってもよい。この場合、上下に分割された誘電体ストリップに抵抗膜を直接形成したものと等価となる。
【0027】
また、図1に示した例では、終端器の末端を誘電体線路の短絡端とした例を示したが、抵抗膜パターン5aによる電磁波の吸収するに要するに充分な長さがあれば、誘電体線路の端部を開放端としてもよい。
【0028】
さらに、この第1の実施形態では、反射波抑圧手段を抵抗膜のパターンによって構成したが、誘電体線路を伝搬する信号を減衰させる抵抗膜の存在によって生じる線路インピーダンスの不連続部での反射波を抑圧するための線路インピーダンスの不連続部を導体膜によって構成してもよい。すなわち、図1・図2において、抵抗膜パターン5bを導体膜で形成してもよい。
【0029】
次に、上記抵抗膜パターンの他のいくつかの例を第2の実施形態として図4を参照して説明する。図4の(A)〜(E)は、上部の導体板および上部の誘電体ストリップを取り除いた状態での基板部分の平面図である。(A)に示す例では、誘電体ストリップ3の長手方向およびそれに垂直な方向にそれぞれ広がる抵抗膜パターン5aと、誘電体ストリップ3に対して垂直方向の幅が5aとは異なる抵抗膜パターン5bを形成している。このように、誘電体ストリップに対して垂直方向の幅が変化する箇所が線路インピーダンスの不連続部となる。上記不連続部の間隔は略λg/4とする。この構造により、2か所で反射する反射波は逆相関係で合成され、反射波は抑圧される。抵抗膜パターン5a部分では、誘電体線路を伝搬するLSM01モードの電磁波が抵抗膜中で電力消費されることにより電磁波が吸収される。
【0030】
図4の(B)に示す例では、抵抗膜パターン5a,5b以外にさらに抵抗膜パターン5cを形成している。ここで抵抗膜パターン5aの端部と抵抗膜パターン5bの中央部との間隔を略λg2/4とし、抵抗膜パターン5b,5cの中央部間の間隔を略λg1/4としている。このλg1,λg2は、抑圧すべき反射波の異なった2つの波長である。このような構造により、2つの波長λg1,λg2について効果的な反射波の抑圧を行うことができる。しかも実際には抵抗膜パターン5b,5cには誘電体線路を伝搬する電磁波の進行方向に幅を持っているので、反射損失が抑圧される周波数も幅を持ったものとなる。
【0031】
図4の(C)に示す例では、誘電体ストリップに対して垂直方向の幅の異なる箇所を図4の(A)に示した場合よりさらに1つ増して、抵抗膜パターン5a,5b,5cを形成している。ここで抵抗膜パターン5bの電磁波伝搬方向の長さを略λg2/4、抵抗膜パターン5cの電磁波伝搬方向の長さを略λg1/4としている。この構造により、2つの波長λg1,λg2の近傍について反射波が効果的に抑圧される。
【0032】
図4の(D)に示す例では、誘電体ストリップの長手方向に対して垂直に延びる抵抗膜パターン5bを形成するとともに、抵抗膜パターン5aの端部を、誘電体ストリップの長手方向に対して傾斜させている。ここで抵抗膜パターン5aの端部と抵抗膜パターン5bの中央部との間隔を略λg1/4〜λg2/4としている。このλg1,λg2は、抑圧すべき反射波の異なった2つの波長である。
このような構造により、波長λg1〜λg2について効果的な反射波の抑圧を行うことができる。しかも実際には抵抗膜パターン5bには誘電体線路を伝搬する電磁波の進行方向に幅を持っているので、反射損失が抑圧される周波数も更に幅を持ったものとなる。その結果、所定の周波数範囲に亘って連続的な低反射損失特性が得られる。
【0033】
図4の(E)に示す例では、抵抗膜パターン5aの端部を、誘電体ストリップの長手方向に対して傾斜させるとともに、誘電体ストリップの長手方向に対して傾斜方向に延びる抵抗膜パターン5bを形成している。この構造により、抵抗膜パターン5aの端部における反射点および抵抗膜パターン5bの2つの反射点との間隔が幅をもった連続的な領域となる。その結果、所定の周波数範囲に亘って連続的な低反射損失特性が得られる。
【0034】
次に、第3の実施形態に係る誘電体線路減衰器の2つの構成を図5を参照して説明する。図5の(A),(B)はそれぞれ上部の導体板および上部の誘電体ストリップ部分を取り除いた状態での平面図である。図5の(A)に示す例では、基板4の上面に5a,5b,5cで示す抵抗膜パターンを形成している。ここで抵抗膜パターン5aは誘電体ストリップ3の長手方向およびそれに垂直な方向にそれぞれ広がり、誘電体線路の伝搬モードであるLSM01モードの電磁波と結合して、減衰させる。抵抗膜パターン5aと5bとの間隔および5aと5cとの間隔はそれぞれ略λg/4としている。これにより抵抗膜パターン5aの一方の端部における反射波と抵抗膜パターン5b部分での反射波とが相殺され、同様に、抵抗膜パターン5aの他方の端部における反射波と抵抗膜パターン5c部分での反射波とが相殺される。したがって、ポート#Aからポート#B方向へ電磁波が伝搬する際、または逆にポート#Bからポート#A方向へ電磁波が伝搬する際に、逆方向への反射波が抑圧されるとともに電磁波が所定量だけ減衰する。
【0035】
図5の(B)に示す例では、基板4の上面に5a,5b,5cで示す抵抗膜パターンを形成している。ここで抵抗膜パターン5aは誘電体ストリップ3の長手方向およびそれに垂直な方向にそれぞれ広がり、誘電体線路の伝搬モードであるLSM01モードの電磁波と結合して、減衰させる。抵抗膜パターン5bと5cは、誘電体ストリップに対して垂直方向の幅を5aとは異ならせて、誘電体ストリップ3の方向に略λg/4だけ延びるパターンとして形成している。これにより抵抗膜パターン5aの一方の端部における反射波と抵抗膜パターン5bの端部での反射波とが相殺され、同様に、抵抗膜パターン5aの他方の端部における反射波と抵抗膜パターン5cの端部での反射波とが相殺される。したがって、ポート#Aからポート#B方向へ電磁波が伝搬する際、または逆にポート#Bからポート#A方向へ電磁波が伝搬する際に、逆方向への反射波が抑圧されるとともに電磁波を所定量だけ減衰する。
【0036】
なお、第1および第2の実施形態では、何れも誘電体線路終端器の例を示したが、抵抗膜パターンを5を形成した基板4を、この第3の実施形態で示した例と同様に、誘電体線路の途中の所定箇所(入出力ポート間)に設けることによって、その入出力ポート間で、誘電体線路を伝搬する電磁波を所定量だけ減衰させる誘電体線路減衰器として構成することができる。これにより、誘電体線路減衰器についても、図4の(B),(C)に示したように、線路インピーダンスの不連続部を複数箇所に設けて低反射損失特性が得られる周波数範囲に幅をもたせることができる。また図4の(D),(E)に示したように抵抗膜パターンの端部を誘電体ストリップの長手方向に対し傾斜させることによって低反射損失特性が得られる周波数範囲に幅をもたせることができる。
【0037】
次に、第4の実施形態に係る無線装置の構成を図6を参照して説明する。図6はミリ波レーダモジュールのブロック図である。ここでVCOはガンダイオード発振器とバラクタダイオードなどの可変リアクタンス素子による電圧制御発振器であり、変調信号に応じたミリ波信号を発振する。サーキュレータAと終端器AはVCOの出力信号をカップラ方向へ伝送すると共に、VCO方向へ戻る反射波を終端器Aで吸収する。このサーキュレータAと終端器Aとによってアイソレータを構成する。カップラはサーキュレータAからの信号を送信信号TxとしてサーキュレータB方向へ伝搬させると共に、その一部をローカル信号Loとして取り出す。終端器BはサーキュレータBからカップラ方向へ戻る反射波を吸収する。このカップラーと終端器Bとにより方向性結合器を構成する。サーキュレータBは送信信号Txをアンテナへ伝搬させ、アンテナからの受信信号Rxをミキサーへ伝搬させる。ミキサーはこの受信信号Rxと上記ローカル信号Loとをミキシングして、そのビート信号を中間周波信号IFとして出力する。図6に示した終端器A,終端器Bとして、第1または第2の実施形態で示した誘電体線路終端器を用いる。
【0038】
なお、各実施形態では、上下の導体板に、誘電体ストリップを嵌め込む溝を形成したタイプの誘電体線路に適用した例を示したが、伝搬域と非伝搬域とで導体平面間の間隔を等しくしたタイプの誘電体線路においても同様に適用できる。
【0039】
更に、各実施形態では誘電体ストリップの一部に段差を設けて、その部分に基板を配置し、段差部分を埋める誘電体ストリップとその段差との間に基板を挟み込むようにした構造を示したが、誘電体ストリップの長手方向に全長にわたって誘電体ストリップを上下二分割し、その間に、抵抗膜パターンを形成した基板を配置するようにしてもよい。
【0040】
なお、以上に示した各実施形態では、反射波抑圧手段を抵抗膜のパターンによって、または抵抗膜と導体膜のパターンによって構成したが、誘電体線路を伝搬する信号を減衰させる抵抗膜の存在によって生じる線路インピーダンスの不連続部での反射波を抑圧するための線路インピーダンスの不連続部は、基板上の抵抗膜または導体膜のパターンによらずに形成してもよい。例えば、不連続部とすべき箇所で誘電体ストリップの断面形状を変化させたり、誘電体ストリップの誘電率を変化させたり、誘電体ストリップの長手方向に間隙を形成するといった構造を採ることもできる。また、上記抵抗膜を形成した基板の比誘電率を誘電体ストリップの比誘電率と異ならせて、基板の端部を誘電体線路の線路インピーダンスの不連続部として利用してもよい。
【0041】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、誘電体線路を伝搬する信号を減衰させる抵抗膜の存在によって生じる線路インピーダンスの不連続部での反射波が、反射波抑圧手段により抑圧されるため、誘電体線路の信号伝搬方向の短い距離で、その信号が低反射で減衰される。さらに、抵抗膜パターンによって誘電体線路を伝搬する信号の減衰と、反射波の抑制を同時に行えるので、全体の構造が複雑化せず、製造が容易となる。また、抑圧すべき反射波が効率よく打ち消されて、所定の波長に対して良好な低反射特性が得られる。また、比較的広帯域に亘って反射波を抑圧することができる。
【0044】
請求項に記載の発明によれば、基板上の波長短縮効果が大きくなって、抵抗膜パターンの占有面積を相対的に小さくでき、全体に小型化が図れる。
【0045】
請求項に記載の発明によれば、信号の伝搬方向の距離を短縮化して、全体に小型の誘電体線路終端器を構成することができる。
【0046】
請求項に記載の発明によれば、例えばミリ波レーダーモジュール等の誘電体線路を伝送線路とした無線装置を容易に小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る誘電体線路終端器の構成を示す分解斜視図
【図2】同誘電体線路終端器の主用部の平面図および断面図
【図3】同誘電体線路終端器の反射損失の周波数特性を示す図
【図4】第2の実施形態に係る誘電体線路終端器の主要部の平面図
【図5】第3の実施形態に係る誘電体線路減衰器の主要部の平面図
【図6】第4の実施形態に係るミリ波レーダモジュールのブロック図
【図7】従来の誘電体線路終端器の構成を示す斜視図
【符号の説明】
1,2−導体板
3,3´−誘電体ストリップ
4−基板
5−抵抗膜パターン
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a dielectric line attenuator, a dielectric line terminator, and a wireless device using them, which are used in a millimeter wave band or the like.
[0002]
[Prior art]
A millimeter-wave integrated circuit using a non-radiative dielectric line (hereinafter referred to as “NRD guide”) is shown in IEICE Transactions C-1 Vol.J73-CI No.3 p.87-94 1990.3 Yes.
[0003]
The NRD guide has a dielectric strip disposed between two parallel conductor planes, the dielectric strip portion is used as an electromagnetic wave propagation region, and the space sandwiched between the conductor planes on both sides thereof is used as an electromagnetic wave cutoff region. It is. In such an NRD guide, as a terminator, as shown in the above-mentioned document, a resistive film that absorbs electromagnetic waves is provided on the dielectric strip portion.
[0004]
FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of the terminator portion. However, the upper and lower conductor plates are omitted in FIG. The dielectric strip shown in FIG. 7 is sandwiched between upper and lower conductor plates to form an electromagnetic wave propagation area. A resistive sheet and a dielectric sheet are sandwiched between two upper and lower dielectric strips. As shown in the figure, a part of the resistance sheet and the dielectric sheet are formed in a taper shape, and the impedance of the dielectric line is converted at this part, and the energy of the LSM01 mode propagating through the dielectric line is converted to the resistance sheet. So that it absorbs electromagnetic waves. Therefore, the electromagnetic wave propagating from the A direction in the figure is terminated with resistance at the terminator portion and hardly reflected in the reverse direction.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Since the conventional dielectric line terminator as shown in FIG. 7 has a structure in which impedance conversion is performed with a tapered resistor sheet, a long taper length is required to obtain sufficient low reflection characteristics. Therefore, there has been a problem that the entire length of the terminator becomes long. Such a dielectric line terminator is, for example, provided at a predetermined port of a circulator to constitute an isolator as a whole, or provided at a predetermined port of a coupler to constitute a directional coupler as a whole. As a result, the entire dielectric line module using an isolator or a directional coupler increases in size. For example, providing a bend in the dielectric line so that a long terminator is placed at a predetermined position is effective for miniaturization, but the bend portion is between the LSM mode and the LSE mode. There arises a problem that mode conversion occurs and loss increases.
[0006]
In addition, if a resistive film is provided in the dielectric strip portion in the middle of the dielectric line, a dielectric line attenuator can be configured. However, in order to sufficiently suppress reflection at the resistive film portion, the resistive film As in the case of the dielectric line terminator, the pattern needs to have a long taper shape. Therefore, the same problem as described above also occurs with respect to the dielectric line attenuator.
[0007]
An object of the present invention is to provide a dielectric line attenuator, a terminator, and a radio apparatus using the same, in which the length of the dielectric line in the electromagnetic wave propagation direction is shortened to reduce the overall size.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
A dielectric line attenuator according to the present invention comprises: a dielectric line comprising two substantially parallel conductor planes and a dielectric strip sandwiched between the conductor planes; The reflected wave suppression means for suppressing the reflected wave of the signal at the discontinuous part, and at least a part of the reflected wave suppression means, and is formed on the conductor plane. And a resistive film for attenuating a signal propagating through the dielectric line, provided along a split surface of the dielectric strip in a parallel plane. The discontinuous portions are provided at three or more locations, and the intervals between the discontinuous portions are set to odd multiples of a quarter wavelength of the different wavelengths of the reflected waves to be suppressed , and the discontinuous portions are provided. The portion is formed of a plurality of the resistor films formed as patterns that are intermittent along the extending direction of the dielectric strip.
[0009]
In this way, by attenuating the signal propagating through the dielectric line with the resistive film having the intermittent pattern, and by synthesizing the reflected wave of the signal generated at the discontinuous portion of the line impedance by the resistive film having the intermittent pattern Repress.
[0010]
In the dielectric line attenuator according to the present invention, the interval between the discontinuous portions is set to have a relationship that is an odd multiple of approximately ¼ wavelength of the wavelength of the reflected wave to be suppressed. As a result, the reflected wave to be suppressed is canceled efficiently, and a good low reflection characteristic is obtained.
[0011]
In addition, the dielectric line attenuator of the present invention provides three or more discontinuous portions, and suppresses a plurality of reflected waves having different wavelengths between the reflected waves at the predetermined discontinuous portions. As a result, the reflected wave can be suppressed over a relatively wide band.
[0012]
Furthermore, the dielectric line attenuator of the present invention makes the dielectric constant of the substrate on which the resistive film pattern is formed higher than the dielectric constant of the dielectric strip. As a result, the wavelength shortening effect on the substrate is increased, the area occupied by the resistive film pattern is relatively reduced, and the overall size is reduced.
[0013]
The dielectric line terminator of the present invention is configured by providing the dielectric line attenuator having the above-described configuration near the end of the dielectric strip.
[0014]
Furthermore, the wireless device of the present invention is configured by providing the above-described dielectric line attenuator or terminator. For example, a millimeter wave radar module is configured by configuring a dielectric line terminator in an isolator or coupler that propagates a millimeter wave transmission / reception signal.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The configuration of the dielectric line terminator according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an exploded perspective view of a main part of a dielectric line terminator. Here, 1 and 2 are conductor plates, respectively, and 3 is a dielectric strip disposed between the upper and lower conductor plates 1 and 2. Reference numeral 4 denotes a substrate on which resistance film patterns 5a and 5b are formed. The substrate 4 is also disposed between the conductor plates 1 and 2.
[0016]
As shown in the figure, a step is formed in the dielectric strip 3, and the substrate 4 is sandwiched between the dielectric strip 3 and the upper dielectric strip 3 '.
[0017]
In FIG. 1, for example, a fluorine-based resin having excellent high frequency characteristics is used for the dielectric strips 3 and 3 '. For example, a polyester resin sheet having a thickness of about 0.1 to 0.3 mm is used for the substrate 4, and a relatively high resistivity metal such as Ni—Cr or ITO (indium tin oxide) is used for the resistance film. A thin film is formed by sputtering or the like. The surface resistance value of this resistive film is about several hundred Ω □.
[0018]
2A is a top view of the portion of the substrate 4 shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a cross section taken along a plane perpendicular to the longitudinal direction of the dielectric strip in a state where the parts shown in FIG. 1 are assembled. FIG. The conductor plates 1 and 2 are formed with grooves of a certain depth, and dielectric strips 3 and 3 'are fitted into these grooves. The lower conductor plate 1 is formed with a recess for mounting the substrate 4, and this portion holds the substrate 4 between the conductor plates 1 and 2 and between the dielectric strips 3 and 3 ′.
[0019]
As shown in FIG. 2A, the resistive film pattern 5 a on the substrate 4 is formed as a pattern that continues for a predetermined length in the longitudinal direction of the dielectric strip 3. The resistive film pattern 5b is formed as a pattern extending in a direction perpendicular to the dielectric strip 3 at a position away from the resistive film pattern 5a by a predetermined distance. The resistance film patterns 5b and 5a constitute reflected wave suppression means according to the present invention.
[0020]
As described above, the structure in which the substrate 4 on which the resistive film pattern is formed is sandwiched between the dielectric strips changes the line impedance of the dielectric line between the location where the resistive film pattern exists and the location where the resistive film pattern does not exist. Thus, the electromagnetic wave propagating through the dielectric line is reflected at the respective boundary positions of the resistive film patterns 5a and 5b. These reflected waves w1 and w2 are combined with each other, but if one wavelength on the dielectric line of the reflected wave to be suppressed is expressed by λg, the distance between the resistive film patterns 5a and 5b is approximately λg. / 4. As a result, the reflected wave w1 reflected by the end portion of the resistive film pattern 5a and the reflected waves w1 and w2 reflected by the resistive film pattern 5b are synthesized in substantially opposite phases, and these are canceled out. Actually, since the resistive film pattern 5b has a width, a reflected wave having a wavelength near λg is effectively suppressed accordingly. On the other hand, in the resistive film pattern 5a, the electromagnetic wave is absorbed by consuming the LSM01 mode electromagnetic wave propagating through the dielectric line in the resistive film.
[0021]
FIG. 3 is a diagram showing the reflection characteristics of the dielectric line terminator shown in comparison with the conventional dielectric line terminator. Here, A is the frequency characteristic of the reflection loss of the dielectric line terminator in which the conventional impedance conversion part is formed by the tapered resistive film pattern as shown in FIG. 7, and B is the impedance discontinuity part. It is the frequency characteristic of the reflection loss of the dielectric material line | wire terminator which formed the impedance conversion part by.
[0022]
Thus, according to the present invention, it can be seen that the reflection characteristic in a predetermined frequency band can be obtained with a better low reflection characteristic than that of the tapered resistance film. Moreover, since the frequency at which the reflection loss is reduced is generated by the interval between the two resistive film patterns as shown in FIG. 2A, it is good in an arbitrary frequency band by determining this interval. Reflection characteristics can be obtained.
[0023]
In the example shown above, by using a material having a high dielectric constant for the dielectric strip as the base material of the substrate 4, the physical length of the resistive films 5a-5b shown in FIG. 2 can be shortened. The body line terminator portion can be reduced in size.
[0024]
If the width of the resistive film is larger than the width of the dielectric strip, even if the positional accuracy of the resistive film pattern on the substrate 4 and the positional accuracy of the substrate 4 between the upper and lower conductor plates are relatively low, reflection loss or the like The influence on electrical characteristics can be reduced.
[0025]
The substrate 4 may be fixed by adhering to the dielectric strips 3 and 3 'or to the upper and lower conductor plates 1 and 2 in addition to being sandwiched between the upper and lower conductor plates 1 and 2. May be.
[0026]
The base material of the substrate 4 may be the same material as the dielectric strip 3. In this case, it is equivalent to a case where a resistive film is directly formed on a dielectric strip divided into upper and lower parts.
[0027]
In the example shown in FIG. 1, an example in which the end of the terminator is a short-circuited end of a dielectric line is shown. However, if the length is sufficient to absorb electromagnetic waves by the resistive film pattern 5a, The end of the line may be an open end.
[0028]
Further, in the first embodiment, the reflected wave suppression means is configured by the pattern of the resistive film, but the reflected wave at the discontinuous portion of the line impedance caused by the presence of the resistive film that attenuates the signal propagating through the dielectric line. The discontinuous part of the line impedance for suppressing the above may be constituted by a conductor film. That is, in FIGS. 1 and 2, the resistive film pattern 5b may be formed of a conductor film.
[0029]
Next, some other examples of the resistive film pattern will be described as a second embodiment with reference to FIG. 4A to 4E are plan views of the substrate portion with the upper conductor plate and the upper dielectric strip removed. In the example shown in (A), a resistive film pattern 5a extending in the longitudinal direction of the dielectric strip 3 and a direction perpendicular thereto, and a resistive film pattern 5b having a width perpendicular to the dielectric strip 3 different from 5a are provided. Forming. In this way, the portion where the width in the direction perpendicular to the dielectric strip changes becomes a discontinuous portion of the line impedance. The interval between the discontinuous portions is approximately λg / 4. With this structure, the reflected waves reflected at two places are synthesized in an antiphase relationship, and the reflected waves are suppressed. In the resistive film pattern 5a, the electromagnetic wave is absorbed by consuming the LSM01 mode electromagnetic wave propagating through the dielectric line in the resistive film.
[0030]
In the example shown in FIG. 4B, a resistive film pattern 5c is further formed in addition to the resistive film patterns 5a and 5b. Here the distance between the ends of the resistive film pattern 5a and the central portion of the resistive film pattern 5b is approximately λg 2/4, resisting film pattern 5b, the distance between the central portion of 5c approximately λg 1/4. These λg 1 and λg 2 are two different wavelengths of the reflected wave to be suppressed. With such a structure, it is possible to effectively suppress reflected waves for the two wavelengths λg 1 and λg 2 . In addition, since the resistive film patterns 5b and 5c actually have a width in the traveling direction of the electromagnetic wave propagating through the dielectric line, the frequency at which the reflection loss is suppressed also has a width.
[0031]
In the example shown in FIG. 4C, the resistance film patterns 5a, 5b, and 5c are further increased by one portion where the width in the direction perpendicular to the dielectric strip is different from that shown in FIG. Is forming. Here resistive film pattern 5b electromagnetic wave propagation direction of length approximately lambda] g 2/4 of, and the electromagnetic wave propagation direction of the length of the resistive film pattern 5c was approximately λg 1/4. With this structure, the reflected wave is effectively suppressed in the vicinity of the two wavelengths λg 1 and λg 2 .
[0032]
In the example shown in FIG. 4D, the resistive film pattern 5b extending perpendicularly to the longitudinal direction of the dielectric strip is formed, and the end of the resistive film pattern 5a is connected to the longitudinal direction of the dielectric strip. It is tilted. Here is the distance between the ends of the resistive film pattern 5a and the central portion of the resistive film pattern 5b is approximately λg 1 / 4~λg 2/4. These λg 1 and λg 2 are two different wavelengths of the reflected wave to be suppressed.
With such a structure, it is possible to effectively suppress the reflected wave for the wavelengths λg 1 to λg 2 . In addition, since the resistive film pattern 5b actually has a width in the traveling direction of the electromagnetic wave propagating through the dielectric line, the frequency at which the reflection loss is suppressed further has a width. As a result, a continuous low reflection loss characteristic can be obtained over a predetermined frequency range.
[0033]
In the example shown in FIG. 4E, the end portion of the resistive film pattern 5a is inclined with respect to the longitudinal direction of the dielectric strip and the resistive film pattern 5b extends in the inclined direction with respect to the longitudinal direction of the dielectric strip. Is forming. With this structure, the distance between the reflection point at the end of the resistance film pattern 5a and the two reflection points of the resistance film pattern 5b becomes a continuous region having a width. As a result, a continuous low reflection loss characteristic can be obtained over a predetermined frequency range.
[0034]
Next, two configurations of the dielectric line attenuator according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIGS. 5A and 5B are plan views with the upper conductor plate and the upper dielectric strip portion removed, respectively. In the example shown in FIG. 5A, the resistance film patterns indicated by 5a, 5b, and 5c are formed on the upper surface of the substrate 4. Here, the resistive film pattern 5a spreads in the longitudinal direction of the dielectric strip 3 and the direction perpendicular thereto, and is combined with the electromagnetic wave of the LSM01 mode, which is the propagation mode of the dielectric line, to be attenuated. The distance between the resistive film patterns 5a and 5b and the distance between 5a and 5c are approximately λg / 4. As a result, the reflected wave at one end of the resistive film pattern 5a cancels out the reflected wave at the resistive film pattern 5b, and similarly, the reflected wave at the other end of the resistive film pattern 5a and the resistive film pattern 5c part. This cancels out the reflected wave at. Therefore, when the electromagnetic wave propagates from the port #A to the port #B direction, or conversely, when the electromagnetic wave propagates from the port #B to the port #A direction, the reflected wave in the reverse direction is suppressed and the electromagnetic wave is detected. Attenuates by a fixed amount.
[0035]
In the example shown in FIG. 5B, resistance film patterns indicated by 5a, 5b, and 5c are formed on the upper surface of the substrate 4. Here, the resistive film pattern 5a spreads in the longitudinal direction of the dielectric strip 3 and the direction perpendicular thereto, and is combined with the electromagnetic wave of the LSM01 mode, which is the propagation mode of the dielectric line, to be attenuated. The resistive film patterns 5b and 5c are formed as patterns extending by approximately λg / 4 in the direction of the dielectric strip 3 with the width in the direction perpendicular to the dielectric strip different from 5a. As a result, the reflected wave at one end of the resistive film pattern 5a and the reflected wave at the end of the resistive film pattern 5b cancel each other, and similarly, the reflected wave and the resistive film pattern at the other end of the resistive film pattern 5a. The reflected wave at the end of 5c cancels out. Therefore, when the electromagnetic wave propagates from the port #A to the port #B direction, or conversely, when the electromagnetic wave propagates from the port #B to the port #A direction, the reflected wave in the reverse direction is suppressed and the electromagnetic wave is detected. Attenuates by a fixed amount.
[0036]
In each of the first and second embodiments, the example of the dielectric line terminator is shown. However, the substrate 4 on which the resistive film pattern 5 is formed is the same as the example shown in the third embodiment. In addition, it is configured as a dielectric line attenuator that attenuates the electromagnetic wave propagating through the dielectric line by a predetermined amount between the input and output ports by providing it at a predetermined position in the middle of the dielectric line (between the input and output ports). Can do. As a result, the dielectric line attenuator also has a wide frequency range in which low reflection loss characteristics can be obtained by providing discontinuous portions of the line impedance at a plurality of locations, as shown in FIGS. Can be given. In addition, as shown in FIGS. 4D and 4E, the end of the resistive film pattern is inclined with respect to the longitudinal direction of the dielectric strip so that the frequency range in which low reflection loss characteristics can be obtained can be widened. it can.
[0037]
Next, the configuration of a wireless device according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a block diagram of the millimeter wave radar module. Here, the VCO is a voltage controlled oscillator using a variable reactance element such as a Gunn diode oscillator and a varactor diode, and oscillates a millimeter wave signal corresponding to the modulation signal. The circulator A and the terminator A transmit the output signal of the VCO in the coupler direction, and the reflected wave returning in the VCO direction is absorbed by the terminator A. The circulator A and the terminator A constitute an isolator. The coupler propagates the signal from the circulator A as the transmission signal Tx in the direction of the circulator B and extracts a part thereof as the local signal Lo. The terminator B absorbs the reflected wave returning from the circulator B in the coupler direction. The coupler and the terminator B constitute a directional coupler. Circulator B propagates transmission signal Tx to the antenna and propagates reception signal Rx from the antenna to the mixer. The mixer mixes the received signal Rx and the local signal Lo and outputs the beat signal as an intermediate frequency signal IF. As the terminator A and terminator B shown in FIG. 6, the dielectric line terminator shown in the first or second embodiment is used.
[0038]
In each of the embodiments, an example is shown in which the upper and lower conductor plates are applied to a dielectric line of a type in which a groove for fitting a dielectric strip is formed. The same applies to dielectric lines of the same type.
[0039]
Furthermore, in each of the embodiments, a structure is shown in which a step is provided in a part of the dielectric strip, a substrate is disposed in that part, and the substrate is sandwiched between the dielectric strip that fills the step part and the step. However, the dielectric strip may be divided into upper and lower parts in the longitudinal direction of the dielectric strip, and a substrate on which a resistive film pattern is formed may be disposed therebetween.
[0040]
In each of the embodiments described above, the reflected wave suppression means is configured by the pattern of the resistance film or the pattern of the resistance film and the conductor film, but the presence of the resistance film that attenuates the signal propagating through the dielectric line. The line impedance discontinuity for suppressing the reflected wave at the generated line impedance discontinuity may be formed regardless of the pattern of the resistive film or conductor film on the substrate. For example, it is possible to adopt a structure in which the cross-sectional shape of the dielectric strip is changed at a portion to be a discontinuous portion, the dielectric constant of the dielectric strip is changed, or a gap is formed in the longitudinal direction of the dielectric strip. . Alternatively, the end of the substrate may be used as a discontinuous portion of the line impedance of the dielectric line by making the relative permittivity of the substrate on which the resistance film is formed different from the relative permittivity of the dielectric strip.
[0041]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, the reflected wave at the discontinuous portion of the line impedance caused by the presence of the resistive film that attenuates the signal propagating through the dielectric line is suppressed by the reflected wave suppressing means. The signal is attenuated by low reflection at a short distance in the signal propagation direction of the body line. Furthermore, the attenuation of the signal propagating through the dielectric line and the suppression of the reflected wave can be simultaneously performed by the resistive film pattern, so that the entire structure is not complicated and the manufacture is facilitated. Further, the reflected wave to be suppressed is canceled out efficiently, and a good low reflection characteristic for a predetermined wavelength can be obtained. In addition, the reflected wave can be suppressed over a relatively wide band.
[0044]
According to the second aspect of the present invention, the wavelength shortening effect on the substrate is increased, the area occupied by the resistive film pattern can be relatively reduced, and the overall size can be reduced.
[0045]
According to the third aspect of the present invention, the distance in the signal propagation direction can be shortened, and a small dielectric line terminator can be configured as a whole.
[0046]
According to the fourth aspect of the present invention, for example, a radio apparatus using a dielectric line as a transmission line, such as a millimeter wave radar module, can be easily downsized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a configuration of a dielectric line terminator according to a first embodiment. FIG. 2 is a plan view and a sectional view of a main part of the dielectric line terminator. The figure which shows the frequency characteristic of the reflection loss of a line terminator. FIG. 4 is a top view of the principal part of the dielectric line terminator which concerns on 2nd Embodiment. FIG. 5 is the dielectric line attenuator which concerns on 3rd Embodiment. FIG. 6 is a block diagram of a millimeter wave radar module according to a fourth embodiment. FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of a conventional dielectric line terminator.
1, 2-conductor plate 3, 3'-dielectric strip 4-substrate 5-resistive film pattern

Claims (4)

略平行な2つの導体平面と、該導体平面の間に挟まれる誘電体ストリップとを備えた誘電体線路において、
前記誘電体線路の線路インピーダンスを、複数箇所の不連続部で変化させるとともに、該不連続部での信号の反射波を抑圧する反射波抑圧手段と、
前記反射波抑圧手段の少なくとも一部を構成するものであって、前記導体平面に略平行な面での前記誘電体ストリップの分割面に沿って設けられた、前記誘電体線路を伝搬する信号を減衰させる抵抗膜とを含み、
前記複数箇所の不連続部は、前記誘電体ストリップの延びる方向に沿って断続するパターンとして形成されている複数の前記抵抗膜であり、
前記不連続部を、3箇所以上設けるとともに、前記不連続部の各々の間隔を、抑圧すべき反射波の異なった波長の略1/4波長の奇数倍とし、前記複数の抵抗膜の各々により発生する反射波同士を合成することによって、前記不連続部での反射波を抑圧したことを特徴とする誘電体線路減衰器。
In a dielectric line comprising two substantially parallel conductor planes and a dielectric strip sandwiched between the conductor planes,
Reflected wave suppressing means for changing the line impedance of the dielectric line at a plurality of discontinuous portions and suppressing a reflected wave of a signal at the discontinuous portions;
A signal propagating through the dielectric line, which constitutes at least a part of the reflected wave suppressing means and is provided along a division surface of the dielectric strip in a plane substantially parallel to the conductor plane. A resistive film to attenuate,
The plurality of discontinuous portions are a plurality of the resistive films formed as a pattern that is intermittent along the extending direction of the dielectric strip,
The discontinuous portions are provided at three or more locations, and the interval between the discontinuous portions is set to an odd multiple of a quarter wavelength of a different wavelength of the reflected wave to be suppressed , and each of the plurality of resistance films A dielectric line attenuator characterized in that the reflected waves at the discontinuous portion are suppressed by synthesizing the generated reflected waves.
前記抵抗膜パターンを形成する基板の誘電率を前記誘電体ストリップの誘電率より高くしたことを特徴とする請求項1記載の誘電体線路減衰器。2. The dielectric line attenuator according to claim 1 , wherein a dielectric constant of a substrate on which the resistive film pattern is formed is higher than a dielectric constant of the dielectric strip. 請求項1または2のうちいずれかに記載の誘電体線路減衰器を前記誘電体ストリップの端部付近に設けてなる誘電体線路終端器。A dielectric line terminator comprising the dielectric line attenuator according to claim 1 or 2 provided near an end of the dielectric strip. 請求項1または2のうちいずれかに記載の誘電体線路減衰器または請求項に記載の誘電体線路終端器を設けた無線装置。Wireless device having a dielectric line termination device according to the dielectric waveguide attenuator or claim 3 according to any one of claims 1 or 2.
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