JP3702206B2 - Vacuum cable and vacuum plasma processing equipment - Google Patents

Vacuum cable and vacuum plasma processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP3702206B2
JP3702206B2 JP2001260145A JP2001260145A JP3702206B2 JP 3702206 B2 JP3702206 B2 JP 3702206B2 JP 2001260145 A JP2001260145 A JP 2001260145A JP 2001260145 A JP2001260145 A JP 2001260145A JP 3702206 B2 JP3702206 B2 JP 3702206B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
electrode
cable
conductor
flexible tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001260145A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003068499A (en
Inventor
茂一 上野
直之 宮園
英四郎 笹川
栄一郎 大坪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP2001260145A priority Critical patent/JP3702206B2/en
Publication of JP2003068499A publication Critical patent/JP2003068499A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3702206B2 publication Critical patent/JP3702206B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Insulated Conductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置、ドライエッチング装置等の真空プラズマ処理装置の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
図5において、符号10は、従来のプラズマCVD装置が備える製膜室である。この製膜室10は、チャンバ12の略中央に、両側面にラダー電極13が設けられた製膜ユニット14を有しており、この製膜ユニット14の両側面側に、ヒータカバー15を介して基板加熱ヒータ16が設けられている。
図6に示すように、ラダー電極13に対向して防着板(アース板)22が設けられている。
そして、この製膜室10では、チャンバ12内が減圧された状態にてSiH4からなる原料ガスを含む処理原料ガスである製膜ガスが送りこまれ、ラダー電極13に高周波電流が供給されると、チャンバ12内にてプラズマが発生し、基板加熱ヒータ16によって加熱されたガラス基板Kに製膜が施されるようになっている。
【0003】
さて、ラダー電極13には図6の真空RFケーブル30が接続される。図7にその詳細を示した。図において、符号31は金属製のメッシュでできた外部導体32に覆われた中心導体である。中心導体31と外部導体32との間には、ガイシ35が介在している。ケーブル30の先端部には、ラダー電極13に取り付けられる接続部36が設けられている。接続部36は、中心導体31と導通状態にある先端金具38を備えている。先端金具38の先端部には円柱状の円柱部39と、円柱部39先端に設けられ該円柱部39より径の大きい係止部40が形成されている。円柱部39には、一対の稼働金具45,46が挿入されており、さらに、稼働金具45,46を互いに離間させる方向に付勢する稼働金具押付ばね47が設けられている。
さらに、外部導体32は、外部導体32と防着板22との接触を強化する金属板50が固定部51により固定されている。金属板50は防着板22に対してスポット溶接により固定されて接触が促進されている。
【0004】
このように構成されている真空RFケーブル30は、図8に示したラダー電極13の横グリッド13aに接続される。
横グリッド13aには、横グリッド13aの幅方向の切り欠き52aと、切り欠き52aの先端部から横グリッド13aの長手方向に延びる切り欠き52bとが形成されている。各切り欠き52aの幅は円柱部39が挿入可能な幅であり、かつ、係止部40および稼働金具45が通り抜けない程度の幅となっている。
そして、係止部40と稼働金具45との間に横グリッド13aを挟んだ状態で、円柱部39を切り欠き52bに挿入する。この状態で、稼働金具45が稼働金具押付ばね47によって横グリッド13aに押し付けられ、先端金具38が固定されるとともに中心導体31とラダー電極13とが導通状態とされる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
さて、このように構成された真空RFケーブル30では、以下に示すような問題点を有する。
外部導体32と真空容器内部の他の部材との間で異常放電を起こしてしまう場合がある。このため、製膜品質等の悪化を招いてしまうという問題がある。また、反応生成物によって外部導体32の表面が汚染されたり、真空容器内で発生した各種ラジカル物質に直接接触するため、腐蝕をおこしたりして寿命が短く、プラズマを不安定にさせる要因になっていた。
外部導体32と防着板22との接触が不十分であると、プラズマの発生が不安定になる。そこでスポット溶接を行っているが、作業性がよくないという問題があった。
また、ラダー電極13に対して先端金具38を簡単に取り付けることができるものの、接触が不安定であるため、真空容器内で発生した各種ラジカル物質が直接面に入り込み、反応生成物が付着したり、腐蝕をおこしたりして電気特性が不安定になり、プラズマ発生が不安定になるという問題があった。
【0006】
上記事情に鑑み、本発明においては、プラズマを安定して発生することができる真空ケーブルおよび真空プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、真空容器内に、電極と、該電極に対向するアース板とが設けられた真空処理装置の内部にて前記電極にRF電力を供給するために用いられる真空ケーブルにおいて、前記真空ケーブルは、中心導体と、該中心導体を覆う外部導体と、該外部導体の外周面を覆う導体のフレキシブルチューブとを備え、該フレキシブルチューブと前記アース板とを電気的に接触状態とする導通手段と、前記フレキシブルチューブを介して前記導通手段を前記外部導体に電気的に接触状態で固定する固定金具とが設けられていることを特徴とする。
【0008】
この発明においては、フレキシブルチューブによって覆われる部分が汚染、腐蝕から守られる。また、固定金具を用いることで、確実かつ容易に導通手段と外部導体とを電気的に接続することができる。なお、導通手段と外部導体とは電気的に接触していればよく、直接接していなくてもよい。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の真空ケーブルにおいて、前記導通手段は、前記アース板に対してボルト留めされることを特徴とする。
【0010】
この発明によっては、ボルトによって導通手段とアース板とが固定されるため、確実かつ容易にこれらを固定することができ、また、作業性の向上が図られる。
【0011】
請求項3に記載の発明は、真空容器内に、電極と、該電極に対向するアース板とが設けられた真空プラズマ処理装置であって、請求項1または2に記載の真空ケーブルが、前記電極に接続されていることを特徴とする。
【0012】
この発明によれば、真空プラズマ処理装置において、安定してプラズマを発生させることができる
【0013】
請求項4に記載の発明は、真空容器内に電極が設けられた真空処理装置の内部にて用いられる真空ケーブルにおいて、ケーブル先端に先端金具が設けられ、該先端金具の先端部には円柱状の円柱部と、円柱部先端に設けられ該円柱部に対してケーブル長手方向にねじ込み可能であって前記円柱部の端面との間で前記電極が挟まれる係止ねじとを備えていることを特徴とする。
【0014】
この発明においては、円柱部の端面と係止ねじとの間に電極を挟み込み、係止ねじを円柱部によりねじ込む。これにより確実に固定可能であり、円柱部の端面と電極の接触面間に真空容器内で発生した各種ラジカル物質が直接入り込み、反応生成物が付着したり、腐蝕をおこしたりして電気特性が不安定になり、プラズマ発生が不安定になることを防止する。
【0015】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の真空ケーブルにおいて、中心導体と、該中心導体を覆う外部導体と、該外部導体の外周面を覆う導体のフレキシブルチューブとを備え、さらに、前記フレキシブルチューブと前記アース板とを電気的に接触状態とする導通手段と、前記フレキシブルチューブを介して前記導通手段を前記外部導体に電気的に接触状態で固定する固定金具とを備えていることを特徴とする。
【0016】
この発明においては、フレキシブルチューブによって覆われる部分が汚染、腐蝕から守られる。
また、ボルトによって導通手段とアース板とが固定されるため、確実かつ容易にこれらを固定することができ、また、作業性の向上が図られる。
固定金具を用いることで、確実かつ容易に導通手段を定することができる。なお、導通手段と外部導体とは電気的に接触していればよく、直接接していなくてもよい。
さらに、円柱部の端面と係止ねじとの間に電極を挟み込み、係止ねじを円柱部によりねじ込む。これにより確実に固定可能でり、且つ円柱部の端面と電極の接触面間に真空容器内で発生した各種ラジカル物質が直接入り込み、反応生成物が付着したり、腐蝕をおこしたりして電気特性が不安定になることを防止し、安定にプラズマを発生することができる。
【0017】
請求項6に記載の発明は、真空容器内に、電極と、該電極に対向するアース板とが設けられた真空プラズマ処理装置であって、請求項4または5に記載の真空ケーブルを備え、前記電極の横グリッドに切り欠きが設けられ、該切り欠きの幅は前記円柱部および前記係止ねじのねじ頭が通り抜けない寸法であり、前記先端金具が前記切り欠きに挿入された状態で、前記係止ねじが前記円柱部にねじ込まれることにより、前記稼働金具と前記係止ねじのねじ頭との間に前記横グリッドが挟まれて前記真空ケーブルが前記電極に固定されることを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の第1実施形態について、図面を参照して説明する。なお、上記従来例と同一の構成については同一の符号を用い、その説明を省略する。
図1に示したものは、本発明の第1実施形態として示した真空RFケーブルである。図において符号60は外部導体32を覆うフレキシブルチューブであり、柔軟に曲げることができる。このフレキシブルチューブ60は導体であり、フレキシブルチューブ60の外側から金属板(導通手段)50が固定部51によって固定されている。これにより、外部導体32は防着板(アース板)22に導通状態にある。
【0020】
このように構成されている本例の真空RFケーブルにおいては、外部導体32がフレキシブルチューブ60によって保護されているため、外部導体32の腐蝕、汚染が防止され、長寿命化が実現することにより、安定してプラズマを発生させることができる。また、金属製のメッシュである外部導体32が保護されるため、作業中における外部導体32の破損を防止することができる。
【0021】
なお、図2はフレキシブルチューブ60が導体でない場合の参考図であり、先端から固定部51まではフレキシブルチューブ60を設けず、金属板50と外部導体32とを直接接触させるようにした参考技術である。
【0022】
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、上記従来例と同一の構成については同一の符号を用い、その説明を省略する。
図3に示すように、本例においては、金属板50が防着板22にボルト65によって固定されている。また、フレキシブルチューブ60と金属板50とは、固定金具67により締結されている。この金具67は一対の締結部材からなり、ボルト68によってこれら締結部材が互いに締結されることで、金属板50とフレキシブルチューブ60とが締結されるようになっている。
【0023】
このように、本例の真空RFケーブルにおいては、ボルト65および固定金具67により、確実に防着板22と外部導体32とを電気的に接触させることができるため、安定してプラズマを発生させることができる。さらに、固定の際の作業性を向上させることができる。
【0024】
次に、本発明の第3実施形態について説明する。なお、上記従来例と同一の構成については同一の符号を用い、その説明を省略する。
図4において、符号70は係止ねじである。係止ねじ70は、円柱部39の先端にねじ込み可能となっている。また、係止ねじ70のねじ頭70aおよび円柱部39は、ラダー電極13の横グリッド13aに設けられた切り込み52bを通り抜けない程度の径になっている。
【0025】
このように構成された本例の真空RFケーブルにおいては、係止ねじ70を円柱部39に十分ねじ込んでいない状態で、円柱部39の端面および稼働金具45とねじ頭70aとの間に横グリッド13aを挟んだ状態で、先端金具38を切り欠き52bに挿入する。そして、係止ねじ70を円柱部39に十分にねじ込む。
このようにすることで、稼働金具45の稼働金具押付ばね47による押し付け力に加え、係止ねじ70による締結力が働くため、先端金具38を確実にラダー電極13に固定することができ、且つ円柱部の端面と電極の接触面間に真空容器内で発生した各種ラジカル物質が直接入り込み、反応生成物が付着したり、腐蝕をおこしたりして電気特性が不安定になることを防止し、したがって、プラズマを安定して発生させることができる。
【0026】
なお、本例では稼働金具45を稼働金具押付ばね47によって押し付けることとしたが、これを設けずに係止ねじ70による締結だけであってもよい。
また、上記各実施形態を互いに組み合わせてもよいのはもちろんである。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては以下の効果を得ることができる。請求項1に記載の発明によれば、フレキシブルチューブによって覆われる部分が汚染、腐蝕から守られるため、長寿命化が実現することにより、安定してプラズマを発生させることができる。また、固定金具を用いることで、確実かつ容易に導通手段と外部導体とを電気的に接続することができる。請求項2に記載の発明によれば、ボルトによって導通手段とアース板とが固定されるため、確実にこれら電気的に接触させることができるため、安定してプラズマを発生させることができる。さらに、固定の際の作業性を向上させることができる。請求項3に記載の発明によれば、安定してプラズマを発生することができる真空プラズマ処理装置を実現することができる。請求項4に記載の発明によれば、ケーブル先端の先端金具を電極に確実に固定することができ、且つ接触部を汚染、腐蝕から守ことができるため、安定してプラズマを発生させることができる。請求項5に記載の発明によれば、安定してプラズマを発生することができる真空ケーブルを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態として示した真空RFケーブルである。
【図2】 フレキシブルチューブが導体でない真空RFケーブルの参考図である。
【図3】 本発明の第2実施形態として示した真空RFケーブルである。
【図4】 本発明の第3実施形態として示した真空RFケーブルである。
【図5】 プラズマCVD装置の概略構成を示した斜視図である。
【図6】 同プラズマCVD装置におけるラダー電極と防着板を示した図である。
【図7】 従来の真空RFケーブルを示した図である。
【図8】 従来の真空RFケーブルをラダー電極13に接続する状態を示した図である。
【符号の説明】
13 ラダー電極
22 防着板(アース板)
31 中心導体
32 外部導体
38 先端金具
39 円柱部
50 金属板(導通手段)
60 フレキシブルチューブ
70 係止ねじ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a configuration of a vacuum plasma processing apparatus such as a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus or a dry etching apparatus.
[0002]
[Prior art]
In FIG. 5, the code | symbol 10 is a film forming chamber with which the conventional plasma CVD apparatus is equipped. The film forming chamber 10 has a film forming unit 14 provided with ladder electrodes 13 on both side surfaces in the approximate center of the chamber 12, and a heater cover 15 is provided on both side surfaces of the film forming unit 14. A substrate heater 16 is provided.
As shown in FIG. 6, a deposition preventing plate (ground plate) 22 is provided to face the ladder electrode 13.
In the film forming chamber 10, when a film forming gas that is a processing source gas including a source gas made of SiH 4 is sent in a state where the inside of the chamber 12 is decompressed, a high-frequency current is supplied to the ladder electrode 13. Plasma is generated in the chamber 12 and a film is formed on the glass substrate K heated by the substrate heater 16.
[0003]
Now, the vacuum RF cable 30 of FIG. 6 is connected to the ladder electrode 13. The details are shown in FIG. In the figure, reference numeral 31 denotes a central conductor covered with an outer conductor 32 made of a metal mesh. An insulator 35 is interposed between the center conductor 31 and the outer conductor 32. A connection portion 36 attached to the ladder electrode 13 is provided at the distal end portion of the cable 30. The connection portion 36 includes a tip metal fitting 38 that is in conduction with the center conductor 31. A cylindrical column 39 and a locking portion 40 having a diameter larger than that of the column 39 are formed at the tip of the tip fitting 38. A pair of operating metal fittings 45 and 46 are inserted into the cylindrical portion 39, and an operating metal fitting pressing spring 47 is provided to urge the operating metal fittings 45 and 46 in a direction in which they are separated from each other.
Further, the outer conductor 32 is fixed by a fixing portion 51 with a metal plate 50 that strengthens the contact between the outer conductor 32 and the deposition preventing plate 22. The metal plate 50 is fixed to the deposition preventing plate 22 by spot welding to promote contact.
[0004]
The vacuum RF cable 30 configured in this way is connected to the horizontal grid 13a of the ladder electrode 13 shown in FIG.
The horizontal grid 13a is formed with a notch 52a in the width direction of the horizontal grid 13a and a notch 52b extending in the longitudinal direction of the horizontal grid 13a from the tip of the notch 52a. The width of each notch 52a is such a width that the cylindrical portion 39 can be inserted, and is such a width that the locking portion 40 and the operating metal fitting 45 do not pass through.
And the cylindrical part 39 is inserted in the notch 52b in the state which pinched | interposed the horizontal grid 13a between the latching | locking part 40 and the operating metal fitting 45. FIG. In this state, the operating metal fitting 45 is pressed against the horizontal grid 13a by the operating metal pressing spring 47, the tip metal fitting 38 is fixed, and the center conductor 31 and the ladder electrode 13 are brought into conduction.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Now, the vacuum RF cable 30 configured in this way has the following problems.
Abnormal discharge may occur between the outer conductor 32 and other members inside the vacuum vessel. For this reason, there exists a problem of causing deterioration of film forming quality etc. In addition, the reaction product contaminates the surface of the outer conductor 32 or directly contacts various radical substances generated in the vacuum vessel, which causes corrosion, shortens the life, and makes the plasma unstable. It was.
If the contact between the outer conductor 32 and the deposition preventing plate 22 is insufficient, the generation of plasma becomes unstable. Therefore, spot welding is performed, but there is a problem that workability is not good.
Moreover, although the tip metal fitting 38 can be easily attached to the ladder electrode 13, since the contact is unstable, various radical substances generated in the vacuum vessel directly enter the surface, and reaction products adhere to them. However, there is a problem that electrical characteristics become unstable due to corrosion and plasma generation becomes unstable.
[0006]
In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a vacuum cable and a vacuum plasma processing apparatus that can stably generate plasma.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 is a vacuum cable used for supplying RF power to the electrode in a vacuum processing apparatus in which an electrode and a ground plate facing the electrode are provided in a vacuum vessel. The vacuum cable includes a center conductor, an outer conductor covering the center conductor, and a flexible tube of a conductor covering the outer peripheral surface of the outer conductor , and the flexible tube and the ground plate are in electrical contact with each other And a fixing fitting for fixing the conduction means to the external conductor in an electrically contact state via the flexible tube .
[0008]
In the present invention, the portion covered by the flexible tube is protected from contamination and corrosion. Further, by using the fixing bracket, the conduction means and the external conductor can be electrically connected reliably and easily. Note that the conduction means and the external conductor need only be in electrical contact, and may not be in direct contact.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, in the vacuum cable according to the first aspect, the conducting means is bolted to the ground plate.
[0010]
According to the present invention, since the conduction means and the ground plate are fixed by the bolt, they can be fixed reliably and easily, and workability can be improved.
[0011]
The invention according to claim 3 is a vacuum plasma processing apparatus in which an electrode and a ground plate facing the electrode are provided in a vacuum vessel, wherein the vacuum cable according to claim 1 or 2 is It is connected to an electrode .
[0012]
According to the present invention, plasma can be stably generated in a vacuum plasma processing apparatus .
[0013]
According to a fourth aspect of the present invention, in a vacuum cable used inside a vacuum processing apparatus in which an electrode is provided in a vacuum vessel, a tip metal fitting is provided at the tip of the cable, and a cylindrical shape is provided at the tip of the tip metal fitting. And a locking screw which is provided at the tip of the cylindrical part and can be screwed in the longitudinal direction of the cable with respect to the cylindrical part and sandwiches the electrode between the end face of the cylindrical part. Features.
[0014]
In the present invention, the electrode is sandwiched between the end face of the cylindrical portion and the locking screw, and the locking screw is screwed into the cylindrical portion. As a result, it can be fixed securely, and various radical substances generated in the vacuum vessel directly enter between the end face of the cylindrical part and the contact surface of the electrode, and the reaction product adheres or corrodes, resulting in electrical characteristics. It becomes unstable and prevents plasma generation from becoming unstable.
[0015]
The invention according to claim 5 is the vacuum cable according to claim 4, comprising a center conductor, an outer conductor covering the center conductor, and a flexible tube of a conductor covering the outer peripheral surface of the outer conductor , Conductive means for bringing the flexible tube and the ground plate into electrical contact with each other, and fixing metal fittings for fixing the conductive means to the external conductor in electrical contact via the flexible tube . It is characterized by.
[0016]
In the present invention, the portion covered by the flexible tube is protected from contamination and corrosion.
Further, since the conduction means and the ground plate are fixed by the bolts, they can be fixed reliably and easily, and workability can be improved.
By using the fixture, the conduction means can be determined reliably and easily. Note that the conduction means and the external conductor need only be in electrical contact, and may not be in direct contact.
Further, an electrode is sandwiched between the end face of the cylindrical portion and the locking screw, and the locking screw is screwed into the cylindrical portion. As a result, it can be fixed securely, and various radical substances generated in the vacuum vessel directly enter between the end face of the cylindrical part and the contact surface of the electrode, and the reaction product adheres to it or causes corrosion. Can be prevented, and plasma can be generated stably.
[0017]
The invention described in claim 6 is a vacuum plasma processing apparatus in which an electrode and a ground plate facing the electrode are provided in a vacuum vessel, and the vacuum cable according to claim 4 or 5 is provided. A notch is provided in the horizontal grid of the electrode, the width of the notch is such that the cylindrical portion and the screw head of the locking screw do not pass through, and the tip fitting is inserted into the notch. When the locking screw is screwed into the cylindrical portion, the horizontal grid is sandwiched between the working metal fitting and the screw head of the locking screw, and the vacuum cable is fixed to the electrode. To do.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, about the structure same as the said prior art example, the same code | symbol is used and the description is abbreviate | omitted.
FIG. 1 shows the vacuum RF cable shown as the first embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 60 denotes a flexible tube that covers the outer conductor 32 and can be bent flexibly. The flexible tube 60 is a conductor, and a metal plate (conduction means) 50 is fixed by a fixing portion 51 from the outside of the flexible tube 60. As a result, the outer conductor 32 is in conduction with the deposition preventing plate (earth plate) 22.
[0020]
In the vacuum RF cable of this example configured as described above, since the outer conductor 32 is protected by the flexible tube 60, the outer conductor 32 is prevented from being corroded and contaminated, thereby realizing a longer life. Plasma can be generated stably. Moreover, since the outer conductor 32 which is a metal mesh is protected, it is possible to prevent the outer conductor 32 from being damaged during work.
[0021]
FIG. 2 is a reference diagram when the flexible tube 60 is not a conductor, and is a reference technique in which the flexible tube 60 is not provided from the tip to the fixing portion 51, and the metal plate 50 and the external conductor 32 are brought into direct contact. is there.
[0022]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, about the structure same as the said prior art example, the same code | symbol is used and the description is abbreviate | omitted.
As shown in FIG. 3, in this example, the metal plate 50 is fixed to the deposition preventing plate 22 with bolts 65. Further, the flexible tube 60 and the metal plate 50 are fastened by a fixing metal fitting 67. The metal fitting 67 is composed of a pair of fastening members, and the fastening members are fastened to each other by bolts 68 so that the metal plate 50 and the flexible tube 60 are fastened.
[0023]
In this way, in the vacuum RF cable of this example, the deposition plate 22 and the external conductor 32 can be reliably brought into electrical contact by the bolt 65 and the fixing metal 67, so that plasma is stably generated. be able to. Furthermore, workability at the time of fixing can be improved.
[0024]
Next, a third embodiment of the present invention will be described. In addition, about the structure same as the said prior art example, the same code | symbol is used and the description is abbreviate | omitted.
In FIG. 4, reference numeral 70 denotes a locking screw. The locking screw 70 can be screwed into the tip of the cylindrical portion 39. Further, the screw head 70 a and the cylindrical portion 39 of the locking screw 70 have a diameter that does not pass through the notches 52 b provided in the horizontal grid 13 a of the ladder electrode 13.
[0025]
In the vacuum RF cable of this example configured as described above, the horizontal grid is formed between the end surface of the cylindrical portion 39 and the working bracket 45 and the screw head 70a in a state where the locking screw 70 is not sufficiently screwed into the cylindrical portion 39. The tip metal fitting 38 is inserted into the notch 52b with the 13a interposed therebetween. Then, the locking screw 70 is fully screwed into the cylindrical portion 39.
By doing in this way, since the fastening force by the locking screw 70 acts in addition to the pressing force by the operating metal fitting pressing spring 47 of the operating metal fitting 45, the tip metal fitting 38 can be securely fixed to the ladder electrode 13, and Various radical substances generated in the vacuum vessel directly enter between the end face of the cylindrical part and the contact surface of the electrode, preventing reaction products from adhering or corroding to prevent electrical characteristics from becoming unstable, Therefore, plasma can be generated stably.
[0026]
In this example, the working metal fitting 45 is pressed by the working metal fitting pressing spring 47, but it may be simply fastened by the locking screw 70 without providing this.
Of course, the above embodiments may be combined with each other.
[0027]
【The invention's effect】
As described above, the following effects can be obtained in the present invention. According to the first aspect of the present invention, since the portion covered by the flexible tube is protected from contamination and corrosion, it is possible to stably generate plasma by realizing a long life. Further, by using the fixing bracket, the conduction means and the external conductor can be electrically connected reliably and easily. According to the second aspect of the present invention, since the conduction means and the ground plate are fixed by the bolt, it is possible to reliably make these electrical contacts, so that plasma can be generated stably. Furthermore, workability at the time of fixing can be improved. According to invention of Claim 3, the vacuum plasma processing apparatus which can generate | occur | produce plasma stably is realizable. According to the invention described in claim 4, since the tip metal fitting at the end of the cable can be securely fixed to the electrode and the contact portion can be protected from contamination and corrosion, plasma can be generated stably. it can. According to invention of Claim 5, the vacuum cable which can generate | occur | produce plasma stably is realizable.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a vacuum RF cable shown as a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a reference diagram of a vacuum RF cable in which the flexible tube is not a conductor .
FIG. 3 is a vacuum RF cable shown as a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a vacuum RF cable shown as a third embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus.
FIG. 6 is a view showing a ladder electrode and a deposition preventing plate in the plasma CVD apparatus.
FIG. 7 is a view showing a conventional vacuum RF cable.
8 is a view showing a state in which a conventional vacuum RF cable is connected to a ladder electrode 13. FIG.
[Explanation of symbols]
13 Ladder electrode 22 Protection plate (earth plate)
31 Central conductor 32 External conductor 38 End fitting 39 Cylindrical portion 50 Metal plate (conduction means)
60 Flexible tube 70 Locking screw

Claims (6)

真空容器内に、電極と、該電極に対向するアース板とが設けられた真空処理装置の内部にて前記電極にRF電力を供給するために用いられる真空ケーブルにおいて、前記真空ケーブルは、中心導体と、該中心導体を覆う外部導体と、該外部導体の外周面を覆う導体のフレキシブルチューブとを備え、該フレキシブルチューブと前記アース板とを電気的に接触状態とする導通手段と、前記フレキシブルチューブを介して前記導通手段を前記外部導体に電気的に接触状態で固定する固定金具とが設けられていることを特徴とする真空ケーブル。 In a vacuum cable used for supplying RF power to the electrode inside a vacuum processing apparatus provided with an electrode and a ground plate facing the electrode in a vacuum vessel, the vacuum cable is a central conductor A conducting means for bringing the flexible tube and the ground plate into electrical contact with each other, and an outer conductor covering the center conductor and a flexible tube of the conductor covering the outer peripheral surface of the outer conductor, and the flexible tube A vacuum cable, characterized in that a fixing metal fitting is provided for fixing the conducting means to the outer conductor in an electrically contacted state via a cable. 請求項1に記載の真空ケーブルにおいて、
前記導通手段は、前記アース板に対してボルト留めされることを特徴とする真空ケーブル。
The vacuum cable according to claim 1,
The vacuum cable characterized in that the conducting means is bolted to the ground plate.
真空容器内に、電極と、該電極に対向するアース板とが設けられた真空プラズマ処理装置であって、請求項1または2に記載の真空ケーブルが、前記電極に接続されていることを特徴とする真空プラズマ処理装置。A vacuum plasma processing apparatus in which an electrode and a ground plate facing the electrode are provided in a vacuum vessel, wherein the vacuum cable according to claim 1 or 2 is connected to the electrode. Vacuum plasma processing equipment. 真空容器内に電極が設けられた真空処理装置の内部にて用いられる真空ケーブルにおいて、ケーブル先端に先端金具が設けられ、該先端金具の先端部には円柱状の円柱部と、円柱部先端に設けられ該円柱部に対してケーブル長手方向にねじ込み可能であって前記円柱部の端面との間で前記電極が挟まれる係止ねじとを備えていることを特徴とする真空ケーブル。In vacuum cable used in the interior of the vacuum processing apparatus in which the electrode is provided in a vacuum container, end bracket is provided at the cable head, a cylindrical columnar portion in the distal end of the tip fittings, said cylindrical tip A vacuum cable provided with a locking screw that is screwed in the longitudinal direction of the cable with respect to the cylindrical portion and sandwiches the electrode with the end surface of the cylindrical portion. 請求項4に記載の真空ケーブルにおいて、
中心導体と、該中心導体を覆う外部導体と、該外部導体の外周面を覆う導体のフレキシブルチューブとを備え、さらに、前記フレキシブルチューブと前記アース板とを電気的に接触状態とする導通手段と、前記フレキシブルチューブを介して前記導通手段を前記外部導体に電気的に接触状態で固定する固定金具とを備えていることを特徴とする真空ケーブル。
The vacuum cable according to claim 4,
A conductive means comprising a center conductor, an outer conductor covering the center conductor, and a flexible tube of a conductor covering the outer peripheral surface of the outer conductor; and a conductive means for bringing the flexible tube and the ground plate into electrical contact with each other A vacuum cable comprising: a fixing fitting for fixing the conducting means to the outer conductor in an electrically contact state via the flexible tube .
真空容器内に、電極と、該電極に対向するアース板とが設けられた真空プラズマ処理装置であって、請求項4または5に記載の真空ケーブルを備え、
前記電極の横グリッドに切り欠きが設けられ、該切り欠きの幅は前記円柱部および前記係止ねじのねじ頭が通り抜けない寸法であり、
前記先端金具が前記切り欠きに挿入された状態で、前記係止ねじが前記円柱部にねじ込まれることにより、前記稼働金具と前記係止ねじのねじ頭との間に前記横グリッドが挟まれて前記真空ケーブルが前記電極に固定されることを特徴とする真空プラズマ処理装置。
A vacuum plasma processing apparatus provided with an electrode and a ground plate facing the electrode in a vacuum vessel, comprising the vacuum cable according to claim 4 or 5,
A notch is provided in the horizontal grid of the electrode, and the width of the notch is such that the cylindrical portion and the screw head of the locking screw do not pass through,
With the tip fitting inserted into the notch, the locking screw is screwed into the cylindrical portion, so that the horizontal grid is sandwiched between the working fitting and the screw head of the locking screw. The vacuum plasma processing apparatus, wherein the vacuum cable is fixed to the electrode .
JP2001260145A 2001-08-29 2001-08-29 Vacuum cable and vacuum plasma processing equipment Expired - Fee Related JP3702206B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001260145A JP3702206B2 (en) 2001-08-29 2001-08-29 Vacuum cable and vacuum plasma processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001260145A JP3702206B2 (en) 2001-08-29 2001-08-29 Vacuum cable and vacuum plasma processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003068499A JP2003068499A (en) 2003-03-07
JP3702206B2 true JP3702206B2 (en) 2005-10-05

Family

ID=19087389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001260145A Expired - Fee Related JP3702206B2 (en) 2001-08-29 2001-08-29 Vacuum cable and vacuum plasma processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3702206B2 (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2734588B2 (en) * 1988-12-28 1998-03-30 日本電気株式会社 Sputtering equipment
JPH06163186A (en) * 1992-09-25 1994-06-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Plasma measuring probe
JPH06349594A (en) * 1993-06-07 1994-12-22 Mitsubishi Electric Corp Plasma generating device
JPH07122502A (en) * 1993-10-21 1995-05-12 Nec Corp Plasma machining device
JP3332857B2 (en) * 1998-04-15 2002-10-07 三菱重工業株式会社 High frequency plasma generator and power supply method
JP2002093597A (en) * 2000-09-14 2002-03-29 Miura Gakuen Plasma-generating antenna, plasma treatment apparatus, plasma treatment method, production method of object to be treated and production method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003068499A (en) 2003-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI453817B (en) Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings
JP5495476B2 (en) Plasma probe apparatus and plasma processing chamber equipped with plasma probe apparatus
KR101594636B1 (en) High frequency antenna unit and plasma processing apparatus
US20080190364A1 (en) Substrate support assembly
KR102401422B1 (en) Plasma Etching Chamber and Plasma Etching Method
JPWO2005086210A1 (en) Self-cleaning catalytic chemical vapor deposition apparatus and cleaning method thereof
JP3702206B2 (en) Vacuum cable and vacuum plasma processing equipment
KR101415552B1 (en) Ground structure, and heater and chemical vapor deposition apparatus including the same
US10392703B2 (en) Plasma CVD apparatus
JP2003530487A (en) Reaction chamber with at least one high-frequency feedthrough terminal
JP3572293B2 (en) Current introduction terminal and vacuum processing apparatus having the same
KR100807287B1 (en) A plasma treatment apparatus
US20220338338A1 (en) Apparatus for Generating a Gas Discharge
KR200420693Y1 (en) Radio frequency grounding apparatus
JP2011202744A (en) Vacuum seal structure, vacuum seal method, and vacuum device
CN109473331B (en) Chamber shielding device and semiconductor processing chamber
JP2004303687A (en) Electrode connection fixture and vacuum treatment apparatus having the same
US8007632B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JPH11233602A (en) Electrostatic chucking apparatus and apparatus for processing sample using the same
KR100963481B1 (en) Ground structure, and heater and chemical vapor deposition apparatus including the same
CN217588841U (en) Ion bombardment device and vacuum coating production line
JP2000208091A (en) Ion implanter
JP2003142359A (en) Current inlet terminal and semiconductor manufacturing apparatus
JPH0697118A (en) Plasma processing system
JP2011241917A (en) Vacuum seal and pipe connecting mechanism

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040302

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040506

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050628

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050715

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100722

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees