JP3686442B2 - Chip resistor - Google Patents

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JP3686442B2
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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明はチップ抵抗器に関し、さらに詳しくは、塗膜の表面状態に優れ、メッキ付着性が良好で、かつ、それを形成する際の導電ペーストの塗布不良を光学的に識別できる端子電極下地層を有する高精度のチップ抵抗器に関する。
【0002】
【従来の技術】
チップ抵抗器は、代表的には次のようにして製造される。すなわち、図1において、まずアルミナ基板(1)上に、銀、パラジウム、ガラスフリットおよびビヒクルからなるペーストをスクリーン印刷し、乾燥した後、焼成して一次電極(2)を形成する。この一次電極上に、酸化ルテニウム、ガラスフリットおよびビヒクルからなるペーストを印刷し、乾燥した後、焼成して抵抗体(3)を形成する。この抵抗体の上に、ガラスフリットおよびビヒクルからなるペーストを印刷し、乾燥した後、焼成してガラス保護層(4)を形成する。その後、両端子電極間の抵抗を所望の値にそろえるために、レーザートリミングを行う。トリミング後、耐湿性を向上させるために、さらにもう1層のガラス保護層を重ねる。この際、通常、ペーストを印刷して乾燥した後、さらにマーキング用のベーストを印刷、乾燥し、ついで600℃で10分間焼成して、ガラス質のマーキング層(5)を形成する。ベルト炉による連続操作では、投入から出炉までの間、高温に30〜60分さらされる。基板を分割した後、その両端に、導電粒子、ガラスフリットおよびビヒクルからなる導電ペーストを塗布し、乾燥および600℃における焼成によって端子電極下地層(6)を形成する。ついで、該下地層の上に、ニッケルメッキ層および半田層からなる端子電極金属層(7)を形成して、チップ抵抗器を得る。
【0003】
このように、レーザートリミングを行った後に、600℃の焼成温度にさらされるために、レーザートリミングによって所望の値に付与された両端子電極間の抵抗が、焼成温度の影響によって変化する。そのため、抵抗値の誤差の幅を1〜5%の範囲に収めた高精度のチップ抵抗器を得ようとすると、歩留りが低下する。
【0004】
高温焼成による抵抗値の変動を避けることを目的として、端子電極下地層を形成するのに、熱硬化性樹脂を含有する導電ペーストを用いることが提案されている(特公昭58−46161号公報、特開昭61−268001号公報)。この場合、端子電極金属層を形成するためのニッケルメッキが下地層に対して付着性を高めるためには、硬化後の該下地層の比抵抗を2×10-5〜5×10-2Ω・cmの範囲に収めることが必要である。そのため、該下地層の導電粒子として、りん片状銀粉が用いられる。しかし、そのような導電粒子を用いると、硬化後の端子電極下地層の色相が白色でアルミナ基板と類似するので、導電ペーストの塗布不良の判別が容易ではないという問題がある。
【0005】
これを避けるために、着色を目的として銀以外の導電粒子を配合すると、該下地層の比抵抗が高くなり、同一の厚さのニッケルメッキ層を得るには、長時間のメッキを行うことが必要となる。そのため、配合された卑金属の表面が酸化されて、絶縁層を形成しやすいという問題がある。
【0006】
さらに、導電ペーストを塗布する際に塗り跡を生ずると、金属層を形成する際のメッキ付着性が悪くなるほか、チップ抵抗器の小型化に伴い、このような塗り跡の存在が、チップ抵抗器の寸法不良の原因となるという問題も生ずるに至った。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、塗膜の表面状態に優れ、メッキ付着性が良好で、かつ、それを形成する際の導電ペーストの塗布不良を光学的に識別できる端子電極下地層を有する高精度のチップ抵抗器を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決するために検討を重ねた結果、端子電極の下地層に含まれる導電粒子として、りん片状銀粉と特定の球状導電粒子とを特定の割合で含有することによって、その課題を達成しうることを見出して、本発明を完成するに至った。
【0009】
すなわち、本発明のアルミナ基板を有するチップ抵抗器は、導電粒子と熱硬化樹脂とを含有する下地層および金属層からなる端子電極を有するチップ抵抗器において、該下地層に含まれる導電粒子が、該粒子の全量に対して、(a)りん片状銀粉5〜70容量%および(b)粒径0.3〜10μm の球状導電粒子20〜60容量%を含有する、ことを特徴とする。
【0010】
代表的なチップ抵抗器は、図1に示されるように、基板(1)の少なくとも一方の表面の両末端部に一次電極(2)、その間をつなぐように該基板の表面に形成される抵抗体(3)、抵抗体の表面を覆う保護層(4)、および必要に応じて保護層の表面の少なくとも一部にマーキング層(5)があり、さらに、基板の両端部に、一次電極に接して、下地層(6)および金属層(7)からなる端子電極を有する。
【0011】
本発明のチップ抵抗器は、たとえば、
(A)基板(1)の少なくとも一方の表面の両端部に一次電極(2)を形成し;
(B)該一次電極の間に抵抗体(3)を形成し;
(C)該抵抗体をレーザートリミングすることによって、該抵抗体に所定の抵抗値を付与し;
(D)該抵抗体上に保護層(4)を設け;
(E)必要に応じて、該保護層上にマーキング層(5)を設け;
(F)次に、少なくとも基材端面を覆うように、導電粒子および熱硬化性樹脂を含む導電ペーストを印刷し;
(G)該導電ペーストを硬化させて端子電極下地層(6)を形成し;ついで
(H)該端子電極下地層の上に端子電極金属層(7)を形成する
ことによって製造される。好ましくは、上記の製造方法の工程(D)および(E)において、保護層およびマーキング層を、それぞれ熱または光もしくは電子線照射によって硬化する硬化性樹脂を含むペーストを印刷して、半硬化状態で形成し;ついで工程(F)の後に、工程(G)において該導電ペーストを硬化させると同時に、上記工程(D)および(E)で半硬化状態に形成された保護層およびマーキング層を硬化させることによって製造される。このことによって、レーザートリミングされた抵抗体が高温にさらされることによる抵抗値の変化を少なくすることができる。
【0012】
基板(1)は、アルミナが用いられる。
【0013】
本発明のチップ抵抗器において、端子電極下地層(6)は、上記のように、導電粒子の少なくとも1種および熱硬化性樹脂の少なくとも1種を含む導電ペーストを塗布し、硬化させることによって得られ、該導電粒子と熱硬化樹脂とを含有する。
【0014】
導電ペーストの塗布は、スクリーン印刷、ロール転写、浸漬などの方法により、基板端部の端子電極下地層(6)を形成する部位に、すなわち、代表的には、図1に示すように、基板の端面から基板末端部の一次電極(2)の一部の表面を覆うように行う。該下地層中の導電粒子の含有量は、好ましくは25〜50容量%、さらに好ましくは27〜45容量%である。
【0015】
導電粒子としては、球状、りん片状、針状、枝状など各種形状の各種の金属粉および/または炭素質物が用いられるが、抵抗値が小さいことと、色相から、銀、ニッケル、銅、ステンレスまたは炭素質物が好ましい。このような導電粒子としては、球状銀粉、球状ニッケル粉および球状銅粉のような球状金属粒子;りん片状銀粉、りん片状銅粉およびりん片状ステンレス粉のような、アスペクト比5〜200のりん片状金属粒子;電解銀粉および電解銅粉のような枝状の電解金属粒子;アセチレンブラック、ランプブラック、ファーネスブラックなどのカーボンブラック;ならびに大きさ1〜20μm のグラファイトなどが挙げられる。
【0016】
本発明の第1の特徴は、上述の導電粒子のうち、5〜70容量%、好ましくは15〜60容量%が(a)りん片状銀粉からなることであり、このことによって、塗膜の抵抗値を下げることができる。(a)りん片状銀粉の量が5容量%未満では塗膜の抵抗値が高く、メッキ付着性が悪い。一方、70容量%を越すと塗布適性が悪くなり、丸い突起状の塗り跡が残りやすい。該りん片状銀粉のりん片の大きさは、好ましくは平均0.5〜30μm である。0.5μm 未満では塗膜の抵抗値が高く、メッキ付着性が悪い。一方、30μm を越すと塗布適性が悪くなり、塗り跡が残りやすい。また、塗布をスクリーン印刷によって行う場合には、メッシュの目づまりが発生しやすく、ロール転写や浸漬によって行う場合には、塗膜の表面状態が悪くなる。
【0017】
本発明の第2の特徴は、上述の導電粒子のうち、20〜60容量%が(b)粒径0.3〜10μm 、好ましくは0.3〜5μm の球状導電粒子からなることである。このことによって、良好な塗布適性が得られ、また金属層を形成するための良好なメッキ付着性が得られる。この球状導電粒子の粒径が0.3μm 未満では、塗膜表面に丸い突起状の塗り跡が残りやすくなるほか、塗膜の緻密度が高すぎて、硬化炉内の雰囲気が悪い場合には、下地層の表面に樹脂分が浮き出し、メッキ付着性が悪くなる。また、20μm を越えると、塗布適性が悪くなり、下地層の塗膜の表面状態の維持が困難になる。該球状導電粒子は、塗布適性が優れ、また体積固有抵抗の低い下地層が得られることから、好ましくは球状金属粒子、さらに好ましくは球状銀粉、球状ニッケル粉または球状銅粉である。このような粒径の(b)球状導電粒子の量が、導電粒子の20容量%未満では丸い突起状の塗り跡が残りやすく、60容量%を越えると表面に樹脂分が浮き出して、メッキ付着性が悪くなる。
【0018】
さらに、本願発明における下地層の導電粒子中に、着色導電粒子として、粒径0.05〜0.2μm の球状銀粉を5〜30容量%用いるか、任意の形状と大きさを有するニッケル、銅、ステンレス、カーボンブラックおよびグラファイトの少なくとも1種を5〜15容量%用いることが好ましい。なお、これらの着色導電粒子のうち、前述の(b)の粒径範囲の球状導電粒子は、(b)に包含される。このような着色導電粒子としては、優れたメッキ付着性を得るために、球状銀粉、球状ニッケル粉または球状銅粉を用いることが好ましい。
【0019】
このような組成の導電粒子を用いることにより、アルミナ基板と端子電極下地層との反射率に差異を与え、目視または光学的手段によって導電ペーストの塗布状態の判別を可能にするとともに、良好な塗布適性とメッキ付着性を得ることができる。具体的には、アルミナ基板の反射率(以下、入射角45°の反射率をいう)を100%として表わした端子電極の反射率を85%以下、好ましくは80%以下にして、上記の判別を可能にすることができる。
【0020】
導電ペーストに用いられる熱硬化性樹脂としては、各種の樹脂が用いられるが、耐熱性および接着強度の優れていることから、尿素樹脂、メラミン樹脂、グアナミン樹脂などのアミノ樹脂;ビスフェノールA型、臭素化ビスフェノールA型などのエポキシ樹脂;レゾール型、ノボラック型などのフェノール樹脂;およびポリイミド樹脂が好ましく、単独で用いても、2種以上を併用してもよい。エポキシ樹脂の場合、硬化機構としては、自己硬化型樹脂を用いても、またアミン類、イミダゾール類または酸無水物のような硬化剤を用いてもよい。アミノ樹脂およびフェノール樹脂は、端子電極下地層の構成成分として用いられるほか、上記のエポキシ樹脂の硬化剤として機能してもよい。
【0021】
端子電極下地層を形成するための導電ペーストには、上記の硬化性樹脂と、導電粒子のほかに、必要に応じて、溶媒および/または添加剤を配合してもよい。
【0022】
溶媒としては、たとえば、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒;メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒;エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのエーテルアルコール系、エーテルエステル系溶媒などが挙げられる。
【0023】
その他の添加剤としては、たとえば、レベリング剤、チキソトロピック剤、シランカップリング剤などを、本発明の効果を妨げない範囲で使用できる。好ましいシランカップリング剤としては、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランなどが例示される。
【0024】
前述のようにして塗布された導電ペーストの熱硬化性樹脂を硬化させて、端子電極下地層(6)を形成させるために、加熱を行う。加熱は、好ましくは150〜250℃で10〜60分行う。このようにして形成された端子電極下地層の基板端面からの厚さは、5〜100μm であることが好ましい。5μm 未満ではリード引張強さが低くなり、100μm を越すとメッキ付着性が悪くなる。この場合、熱硬化樹脂をバインダーとする保護層(4)およびマーキング層(5)をあらかじめ半硬化状態に形成しておき、上記の導電ペーストの硬化のための加熱によって、上記の半硬化状態の保護層およびマーキング層を同時に硬化、形成させることが、レーザートリミングされた抵抗体の熱履歴を緩和して、その抵抗値の変化を抑制するうえで好ましい。
【0025】
上記のようにして形成された端子電極下地層(6)の表面に、たとえば金属メッキを施して端子電極の金属層(7)を形成する。メッキは電気メッキ、無電解メッキのいずれでもよいが、導電部分に選択的にメッキを施すことが容易であり、メッキ強度も高いことから、電気メッキが好ましい。該金属層(7)は、下地層の上に容易にメッキでき、比抵抗も満足しうるニッケルを第1層とし、該ニッケル層の酸化を防止するために半田を第2層とする2層構造であることが好ましい。メッキの方法と条件は常法どおりで差支えない。
【0026】
【発明の効果】
本発明は、端子電極下地層の形成に用いられる導電ペーストが塗布適性に優れているので、塗膜の表面状態が優れ、しかもメッキ付着性が良好なので、寸法精度の高い高品質のチップ抵抗器、特に小型チップ抵抗器を提供する。さらに、導電ペーストの反射率が基板のアルミナと異なるので、該導電ペーストの塗布不良の判定も容易である。そのうえ、トリミング後の抵抗値の変化がきわめて小さい。したがって、本発明のチップ抵抗器は、液晶表示装置、テレビ受像器、移動電話器およびその他の小型電子機器に組み込まれる抵抗器として有用である。
【0027】
【実施例】
以下、本発明を参考例、実施例および比較例によってさらに詳細に説明する。本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。以下、特にことわらないかぎり、部は容量部を示す。なお、実施例に用いられた試験法は下記のとおりである。
【0028】
反射率
ユニバーサルグロスメータTC105A(安田精機株式会社製)を用い、入・反射角45°で測定し、アルミナ基板の反射率を100%として表示する。
【0029】
メッキ付着性
温度50℃、pH4のワット浴を使用して、電流密度2A/dm2 で30分間ニッケルメッキを行い、20分後のメッキの付着状態を観察して、4段階で評価する。
【0030】
リード引張強度
ニッケルメッキ層および半田層を形成した一方の端子電極を、直径1mmの半田ボールによって、ガラスエポキシ樹脂基板の上に形成した銅箔に半田付けする。次に、他方の端子電極に、直径0.5mmの半田ボールによって、直径0.5mmの半田メッキ銅リード線を半田付けする。ついで、上記のリード線を水平に引張って、半田ボールとの間の接着破断強度を測定する。
【0031】
参考例:試料の作製
アルミナ基板(1)の表面に2重量%のパラジウムを含む銀ペーストから形成された一次電極(2)および酸化ルテニウム抵抗体(3)を形成し、レーザートリミングを行って、抵抗値20 kΩの抵抗器基幹部を形成した。これに、表1に示す、保護層形成のためのペーストをスクリーン印刷し、150℃で5分間の加熱を行って、半硬化状態の保護層(4)を形成した。次に、表1に示す、マーキング層形成のためのペーストをスクリーン印刷し、150℃で5分間の加熱を行って、半硬化状態のマーキング層(5)を形成した。このようにして得られた試料を、実施例の端子電極の形成に供した。
【0032】
【表1】

Figure 0003686442
【0033】
実施例1〜6、比較例1
基板端部の端子電極下地層を形成する部位に、表2に示す組成の導電ペーストを浸漬によって塗布し、試料を200℃で30分間加熱することにより、(4)、(5)を完全に硬化させると同時に、端面への付着厚さ30μm の、硬化した端子電極下地層(6)を形成した。この下地層(6)の反射率、比抵抗、メッキ付着性およびリード引張強度を測定した。これらの結果を表2に示す。
【0034】
このようにして得られた下地層(6)に、ニッケルメッキおよび半田メッキを施すことによって端子電極金属層(7)を形成し、チップ抵抗器を完成した。このような製造法によって、各実施例についてそれぞれ10,000個のチップ抵抗器を作製して、歩留りを評価した。外観はすべて良好であり、抵抗値の誤差1%以内の歩留りは、表2に示すように、いずれも99%を越しており、従来法では10〜50%であったのに比べて、歩留りの飛躍的な向上が認められた。
【0035】
【表2】
Figure 0003686442
【0036】
実施例7〜11
実施例1に用いた導電ペーストを用いて、端面への付着厚さを5〜120μm の間で変化させた以外は、実施例1と同様にして端子電極下地層を形成し、そのメッキ付着性およびリード引張強度を求めた。表3に示すように、付着厚さを変えても、メッキ付着性とリード引張強度はほとんど変わらなかった。
【0037】
【表3】
Figure 0003686442

【図面の簡単な説明】
【図1】チップ抵抗器の断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 一次電極
3 抵抗体
4 保護層
5 マーキング層
6 端子電極下地層
7 端子電極金属層[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a chip resistor, and more specifically, a terminal electrode underlayer that is excellent in the surface state of a coating film, has good plating adhesion, and can optically identify poor application of a conductive paste when forming it. The present invention relates to a high-precision chip resistor.
[0002]
[Prior art]
The chip resistor is typically manufactured as follows. That is, in FIG. 1, first, a paste made of silver, palladium, glass frit, and a vehicle is screen-printed on an alumina substrate (1), dried and fired to form a primary electrode (2). On this primary electrode, a paste made of ruthenium oxide, glass frit and vehicle is printed, dried, and fired to form the resistor (3). On this resistor, a glass frit and vehicle paste is printed, dried and fired to form a glass protective layer (4). Thereafter, laser trimming is performed in order to adjust the resistance between both terminal electrodes to a desired value. After trimming, in order to improve moisture resistance, another glass protective layer is further stacked. At this time, usually, after printing and drying the paste, the marking base is further printed and dried, followed by baking at 600 ° C. for 10 minutes to form the glassy marking layer (5). In the continuous operation by the belt furnace, it is exposed to a high temperature for 30 to 60 minutes from the charging to the discharging furnace. After dividing the substrate, a conductive paste made of conductive particles, glass frit and vehicle is applied to both ends thereof, and a terminal electrode underlayer (6) is formed by drying and baking at 600 ° C. Next, a terminal electrode metal layer (7) composed of a nickel plating layer and a solder layer is formed on the base layer to obtain a chip resistor.
[0003]
Thus, after performing laser trimming, it is exposed to a firing temperature of 600 ° C., so that the resistance between both terminal electrodes given to a desired value by laser trimming varies depending on the influence of the firing temperature. For this reason, when an attempt is made to obtain a highly accurate chip resistor in which the width of the resistance value error is in the range of 1 to 5%, the yield decreases.
[0004]
In order to avoid fluctuations in resistance due to high-temperature firing, it has been proposed to use a conductive paste containing a thermosetting resin to form a terminal electrode underlayer (Japanese Patent Publication No. 58-46161, JP-A 61-268001). In this case, in order for the nickel plating for forming the terminal electrode metal layer to improve adhesion to the underlayer, the specific resistance of the underlayer after curing is set to 2 × 10 −5 to 5 × 10 −2 Ω.・ It is necessary to be within the range of cm. Therefore, flaky silver powder is used as the conductive particles of the underlayer. However, when such conductive particles are used, since the hue of the terminal electrode underlayer after curing is white and similar to an alumina substrate, there is a problem that it is not easy to determine a defective application of the conductive paste.
[0005]
In order to avoid this, when conductive particles other than silver are blended for the purpose of coloring, the specific resistance of the underlayer increases, and in order to obtain a nickel plating layer having the same thickness, it is necessary to perform plating for a long time. Necessary. Therefore, there is a problem that the surface of the blended base metal is oxidized and an insulating layer is easily formed.
[0006]
Furthermore, if a coating mark is generated when the conductive paste is applied, the adhesion of the plating when forming the metal layer is deteriorated. In addition, as the chip resistor is miniaturized, the presence of such a coating mark is caused by the chip resistance. The problem of causing a defective dimension of the vessel has also arisen.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a high-precision chip having a terminal electrode base layer that is excellent in the surface condition of a coating film, has good plating adhesion, and can optically identify poor application of a conductive paste when forming it. Is to provide a resistor.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
As a result of repeated studies to solve the above problems, the present inventors contain flake-like silver powder and specific spherical conductive particles in a specific ratio as conductive particles contained in the base layer of the terminal electrode. Thus, the inventors have found that the problem can be achieved, and have completed the present invention.
[0009]
That is, the chip resistor having the alumina substrate of the present invention is a chip resistor having a base layer containing conductive particles and a thermosetting resin and a terminal electrode made of a metal layer, and the conductive particles contained in the base layer are: It is characterized by containing (a) 5 to 70% by volume of flaky silver powder and (b) 20 to 60% by volume of spherical conductive particles having a particle size of 0.3 to 10 μm with respect to the total amount of the particles.
[0010]
As shown in FIG. 1, a typical chip resistor includes a primary electrode (2) at both ends of at least one surface of a substrate (1), and a resistor formed on the surface of the substrate so as to connect between them. A body (3), a protective layer (4) covering the surface of the resistor, and, if necessary, a marking layer (5) on at least a part of the surface of the protective layer; In contact therewith has a terminal electrode consisting of an underlayer (6) and a metal layer (7).
[0011]
The chip resistor of the present invention is, for example,
(A) forming primary electrodes (2) on both ends of at least one surface of the substrate (1);
(B) forming a resistor (3) between the primary electrodes;
(C) giving a predetermined resistance value to the resistor by laser trimming the resistor;
(D) providing a protective layer (4) on the resistor;
(E) If necessary, a marking layer (5) is provided on the protective layer;
(F) Next, a conductive paste containing conductive particles and a thermosetting resin is printed so as to cover at least the end surface of the substrate;
(G) The conductive paste is cured to form a terminal electrode base layer (6); and then (H) a terminal electrode metal layer (7) is formed on the terminal electrode base layer. Preferably, in steps (D) and (E) of the production method described above, the protective layer and the marking layer are each printed with a paste containing a curable resin that is cured by heat, light, or electron beam irradiation, so as to be in a semi-cured state. Then, after the step (F), the conductive paste is cured in the step (G), and at the same time, the protective layer and the marking layer formed in the semi-cured state in the steps (D) and (E) are cured. Manufactured by making. This can reduce a change in resistance value due to exposure of the laser trimmed resistor to a high temperature.
[0012]
Alumina is used for the substrate (1).
[0013]
In the chip resistor of the present invention, the terminal electrode base layer (6) is obtained by applying and curing a conductive paste containing at least one conductive particle and at least one thermosetting resin as described above. And containing the conductive particles and a thermosetting resin.
[0014]
The conductive paste is applied to a portion where the terminal electrode base layer (6) at the end of the substrate is formed by a method such as screen printing, roll transfer, or dipping, that is, typically, as shown in FIG. This is carried out so as to cover a part of the surface of the primary electrode (2) at the end of the substrate from the end face. The content of the conductive particles in the underlayer is preferably 25 to 50% by volume, more preferably 27 to 45% by volume.
[0015]
As the conductive particles, various metal powders and / or carbonaceous materials of various shapes such as spherical, flake-shaped, needle-shaped, and branch-shaped are used, but silver, nickel, copper, Stainless steel or carbonaceous material is preferred. Examples of such conductive particles include spherical metal particles such as spherical silver powder, spherical nickel powder and spherical copper powder; aspect ratios of 5 to 200 such as flaky silver powder, flaky copper powder and flaky stainless powder. Flaky metal particles; branched electrolytic metal particles such as electrolytic silver powder and electrolytic copper powder; carbon black such as acetylene black, lamp black and furnace black; and graphite having a size of 1 to 20 μm.
[0016]
The first feature of the present invention is that, among the above-mentioned conductive particles, 5 to 70% by volume, preferably 15 to 60% by volume, is composed of (a) flake-like silver powder. The resistance value can be lowered. (A) When the amount of flake silver powder is less than 5% by volume, the resistance value of the coating film is high and the plating adhesion is poor. On the other hand, if it exceeds 70% by volume, the suitability for coating deteriorates, and round protrusion-shaped marks tend to remain. The size of the flakes of the flake-like silver powder is preferably 0.5 to 30 μm on average. If it is less than 0.5 μm, the resistance value of the coating film is high, and the plating adhesion is poor. On the other hand, if it exceeds 30 μm, the coating suitability deteriorates, and the coating mark tends to remain. Further, when the application is performed by screen printing, mesh clogging is likely to occur, and when the application is performed by roll transfer or immersion, the surface state of the coating film is deteriorated.
[0017]
The second feature of the present invention is that 20 to 60% by volume of the above-mentioned conductive particles are composed of (b) spherical conductive particles having a particle size of 0.3 to 10 μm, preferably 0.3 to 5 μm. As a result, good coating suitability can be obtained, and good plating adhesion for forming a metal layer can be obtained. If the spherical conductive particles have a particle size of less than 0.3 μm, it is easy to leave round protrusions on the surface of the coating, and if the coating is too dense and the atmosphere in the curing furnace is poor. The resin component comes to the surface of the underlayer, resulting in poor plating adhesion. On the other hand, if it exceeds 20 μm, the suitability for coating deteriorates and it becomes difficult to maintain the surface state of the coating film of the underlayer. The spherical conductive particles are preferably spherical metal particles, more preferably spherical silver powders, spherical nickel powders, or spherical copper powders, because they have excellent coating suitability and an underlayer having a low volume resistivity. If the amount of (b) spherical conductive particles having such a particle size is less than 20% by volume of the conductive particles, round protrusion-shaped coating marks are likely to remain, and if the amount exceeds 60% by volume, the resin component will be raised on the surface and the plating will adhere. Sexuality gets worse.
[0018]
Further, nickel or copper having an arbitrary shape and size is used as the colored conductive particles in the conductive particles of the underlayer in the present invention, in which 5 to 30% by volume of spherical silver powder having a particle size of 0.05 to 0.2 μm is used. It is preferable to use 5 to 15% by volume of at least one of stainless steel, carbon black and graphite. Of these colored conductive particles, the above-mentioned spherical conductive particles having a particle size range of (b) are included in (b). As such colored conductive particles, it is preferable to use spherical silver powder, spherical nickel powder or spherical copper powder in order to obtain excellent plating adhesion.
[0019]
By using conductive particles having such a composition, the reflectance of the alumina substrate and the terminal electrode base layer is different, and the application state of the conductive paste can be discriminated visually or by optical means. Suitability and plating adhesion can be obtained. Specifically, the above-mentioned discrimination is made by setting the reflectance of the terminal electrode, which represents the reflectance of the alumina substrate (hereinafter referred to as the reflectance at an incident angle of 45 °) as 100%, to 85% or less, preferably 80% or less. Can be made possible.
[0020]
Various resins are used as the thermosetting resin used in the conductive paste, but amino resins such as urea resin, melamine resin and guanamine resin; bisphenol A type, bromine are excellent in heat resistance and adhesive strength. An epoxy resin such as a bisphenol A type; a phenol resin such as a resol type or a novolac type; and a polyimide resin are preferable and may be used alone or in combination of two or more. In the case of an epoxy resin, the curing mechanism may be a self-curing resin or a curing agent such as amines, imidazoles or acid anhydrides. The amino resin and the phenol resin may be used as a constituent component of the terminal electrode underlayer, or may function as a curing agent for the above epoxy resin.
[0021]
In addition to the curable resin and the conductive particles, a solvent and / or an additive may be added to the conductive paste for forming the terminal electrode base layer, if necessary.
[0022]
Examples of the solvent include aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, and ethylbenzene; ketone solvents such as methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; ether alcohols such as ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and diethylene glycol monobutyl ether. And ether ester solvents.
[0023]
As other additives, for example, a leveling agent, a thixotropic agent, a silane coupling agent and the like can be used as long as the effects of the present invention are not hindered. Preferred silane coupling agents include 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl)- 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-chloropropylmethyldimethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3-chloropropylmethyldiethoxysilane, 3 -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane and the like are exemplified.
[0024]
Heating is performed to cure the thermosetting resin of the conductive paste applied as described above to form the terminal electrode base layer (6). Heating is preferably performed at 150 to 250 ° C. for 10 to 60 minutes. The thickness of the terminal electrode underlayer thus formed from the substrate end face is preferably 5 to 100 μm. If it is less than 5 μm, the lead tensile strength is low, and if it exceeds 100 μm, the adhesion to the plating deteriorates. In this case, the protective layer (4) and the marking layer (5) using a thermosetting resin as a binder are formed in a semi-cured state in advance, and the semi-cured state is heated by heating for curing the conductive paste. It is preferable to simultaneously cure and form the protective layer and the marking layer in order to reduce the thermal history of the laser trimmed resistor and to suppress a change in its resistance value.
[0025]
A metal layer (7) of the terminal electrode is formed on the surface of the terminal electrode base layer (6) formed as described above by, for example, metal plating. The plating may be either electroplating or electroless plating, but electroplating is preferable because it is easy to selectively apply the conductive portion and the plating strength is high. The metal layer (7) is a two-layer structure in which nickel that can be easily plated on the underlayer and has satisfactory resistivity is the first layer, and solder is the second layer to prevent oxidation of the nickel layer. A structure is preferred. The plating method and conditions are the same as usual.
[0026]
【The invention's effect】
In the present invention, since the conductive paste used for forming the terminal electrode underlayer is excellent in application suitability, the surface condition of the coating film is excellent, and the plating adhesion is good, so that a high-quality chip resistor with high dimensional accuracy is provided. In particular, a small chip resistor is provided. Furthermore, since the reflectivity of the conductive paste is different from that of the alumina of the substrate, it is easy to determine the application failure of the conductive paste. In addition, the change in resistance after trimming is very small. Therefore, the chip resistor of the present invention is useful as a resistor incorporated in a liquid crystal display device, a television receiver, a mobile phone, and other small electronic devices.
[0027]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference examples, examples and comparative examples. The present invention is not limited by these examples. Hereinafter, unless otherwise specified, the part indicates a capacity part. The test methods used in the examples are as follows.
[0028]
Using a reflectance universal gloss meter TC105A (manufactured by Yasuda Seiki Co., Ltd.), measurement is performed at an incident / reflection angle of 45 °, and the reflectance of the alumina substrate is displayed as 100%.
[0029]
Using a Watt bath with a plating adhesion temperature of 50 ° C. and a pH of 4, nickel plating is performed for 30 minutes at a current density of 2 A / dm 2 , and the adhesion state of the plating after 20 minutes is observed and evaluated in four stages.
[0030]
One terminal electrode on which a lead tensile strength nickel plating layer and a solder layer are formed is soldered to a copper foil formed on a glass epoxy resin substrate with a solder ball having a diameter of 1 mm. Next, a solder plated copper lead wire having a diameter of 0.5 mm is soldered to the other terminal electrode with a solder ball having a diameter of 0.5 mm. Next, the above lead wire is pulled horizontally to measure the bond breaking strength with the solder ball.
[0031]
Reference Example: Preparation of Sample A primary electrode (2) and a ruthenium oxide resistor (3) formed from a silver paste containing 2% by weight of palladium are formed on the surface of an alumina substrate (1), and laser trimming is performed. A resistor backbone having a resistance value of 20 kΩ was formed. The paste for forming the protective layer shown in Table 1 was screen-printed thereon and heated at 150 ° C. for 5 minutes to form a semi-cured protective layer (4). Next, the marking layer forming paste shown in Table 1 was screen-printed and heated at 150 ° C. for 5 minutes to form a semi-cured marking layer (5). The sample thus obtained was used for forming the terminal electrode of the example.
[0032]
[Table 1]
Figure 0003686442
[0033]
Examples 1-6, Comparative Example 1
A conductive paste having the composition shown in Table 2 is applied by dipping to the portion where the terminal electrode base layer is formed at the end of the substrate, and the sample is heated at 200 ° C. for 30 minutes, thereby completely completing (4) and (5). Simultaneously with the curing, a terminal electrode underlayer (6) having a thickness of 30 μm attached to the end face was formed. The reflectance, specific resistance, plating adhesion, and lead tensile strength of this underlayer (6) were measured. These results are shown in Table 2.
[0034]
A terminal electrode metal layer (7) was formed on the base layer (6) thus obtained by nickel plating and solder plating to complete a chip resistor. With such a manufacturing method, 10,000 chip resistors were produced for each example, and the yield was evaluated. The appearance is all good, and the yield within 1% of the error of resistance value is over 99% as shown in Table 2, and the yield is 10% compared with 10-50% in the conventional method. A dramatic improvement was recognized.
[0035]
[Table 2]
Figure 0003686442
[0036]
Examples 7-11
Using the conductive paste used in Example 1, the terminal electrode base layer was formed in the same manner as in Example 1 except that the adhesion thickness on the end face was varied between 5 and 120 μm, and the plating adhesion The lead tensile strength was determined. As shown in Table 3, even when the adhesion thickness was changed, the plating adhesion and the lead tensile strength were hardly changed.
[0037]
[Table 3]
Figure 0003686442

[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a chip resistor.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Primary electrode 3 Resistor 4 Protective layer 5 Marking layer 6 Terminal electrode base layer 7 Terminal electrode metal layer

Claims (4)

アルミナ基板を有し、導電粒子と熱硬化樹脂とを含有する下地層および金属層からなる端子電極を有するチップ抵抗器において、該下地層に含まれる導電粒子が、該粒子の全量に対して、(a)りん片状銀粉5〜70容量%(b)粒径0.3〜5μm の球状導電粒子20〜60容量%、および(c)粒径0.05〜0.2μmの球状銀粉5〜30容量%を含有する、ことを特徴とするチップ抵抗器。In a chip resistor having an alumina substrate and having a terminal electrode comprising a base layer and a metal layer containing conductive particles and a thermosetting resin, the conductive particles contained in the base layer are based on the total amount of the particles, (A) flaky silver powder 5 to 70% by volume , (b) 20 to 60% by volume of spherical conductive particles having a particle size of 0.3 to 5 μm, and (c) spherical silver powder 5 having a particle size of 0.05 to 0.2 μm. A chip resistor comprising ˜30% by volume . (a)のりん片の大きさが平均0.5〜30μm である請求項1記載のチップ抵抗器。  2. The chip resistor according to claim 1, wherein the size of the flakes of (a) is 0.5 to 30 [mu] m on average. (b)が球状銀粉、球状ニッケル粉または球状銅粉である請求項1又は2記載のチップ抵抗器。  The chip resistor according to claim 1 or 2, wherein (b) is a spherical silver powder, a spherical nickel powder or a spherical copper powder. アルミナ基板の入射角45°の反射率100%に対して、下地層の反射率が85%以下である請求項1〜のいずれか1項記載のチップ抵抗器。Relative reflectance of 100% of the incident angle 45 ° of the alumina substrate, the chip resistor of any one of claims 1-3 reflectivity of the underlying layer is less than 85%.
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