JP3674232B2

JP3674232B2 - Liquid crystal display

Info

Publication number: JP3674232B2
Application number: JP09957697A
Authority: JP
Inventors: 真樹辻
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1997-04-03
Filing date: 1997-04-03
Publication date: 2005-07-20
Anticipated expiration: 2017-04-03
Also published as: JPH10282526A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置には、静電気を帯びた他の物体と接触しても、薄膜トランジスタ（アクティブ素子）が静電破壊しないようにするために、静電対策を施したものがある。
【０００３】
図３は従来のこのような液晶表示装置におけるアクティブ素子基板上に形成されたものの一部を省略した全体的な等価回路的平面図を示し、図４はその一部の等価回路的平面図を示したものである。この液晶表示装置は、基本的には、アクティブ素子基板１と対向基板（図示せず）とが互いに貼り合わされ、その間に液晶（図示せず）が封入された構造となっている。アクティブ素子基板１上には、マトリクス状に配置された複数の画素電極２と、これらの画素電極２にそれぞれ接続された薄膜トランジスタ３と、行方向に延ばされ、薄膜トランジスタ３に走査信号を供給するための複数の走査ライン４と、列方向に延ばされ、薄膜トランジスタ３にデータ信号を供給するための複数のデータライン５と、行方向に延ばされ、画素電極２との間で補助容量部Ｃｓを形成する複数の補助容量ライン６と、図３において右下部に配置された複数の入力ライン７と、複数の画素電極２の周囲に配置されたリング状の短絡ライン８と、短絡ライン８の上辺部の上側において短絡ライン８の上辺部と各データライン５の上端部にそれぞれ接続された各２つずつの静電保護素子９とが設けられている。
【０００４】
そして、走査ライン４の右端部は、アクティブ素子基板１の右辺部の図３において点線で示す半導体チップ搭載エリア１０内まで延ばされている。データライン５の下端部は、アクティブ素子基板１の下辺部の図３において点線で示す半導体チップ搭載エリア１１内まで延ばされている。補助容量ライン６の左端部は共通ライン１２に接続されている。入力ライン７の一端部は半導体チップ搭載エリア１０、１１内まで延ばされている。短絡ライン８の左辺部上下端は共通ライン１２に接続されている。
【０００５】
次に、この液晶表示装置のアクティブ素子基板１の具体的な構造について図５を参照して説明する。アクティブ素子基板１の上面には薄膜トランジスタ３のゲート電極Ｇが形成されている。また、図６に示すように、アクティブ素子基板１の上面には、ゲート電極Ｇの形成と同時に、走査ライン４、補助容量ライン６、共通ライン１２及び短絡ライン８の上辺部と下辺部が形成されている。
【０００６】
ゲート電極Ｇ等を含むアクティブ素子基板１の上面全体にはゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート電極Ｇに対応する部分におけるゲート絶縁膜１３の上面にはアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜１４が形成されている。また、静電保護素子９形成領域におけるゲート絶縁膜１３の上面にもアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜１５が形成されている。半導体薄膜１４、１５の上面中央部にはブロッキング層１６、１７が形成されている。薄膜トランジスタ３形成領域におけるブロッキング層１６の上面両側にはｎ⁺シリコンからなるコンタクト層１８、１９が形成されている。また、静電保護素子９形成領域におけるブロッキング層１７の上面両側にもｎ⁺シリコンからなるコンタクト層２０、２１が形成されている。
【０００７】
薄膜トランジスタ３形成領域におけるコンタクト層１８、１９の上面にはソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが形成されている。また、静電保護素子９形成領域におけるコンタクト層２０、２１の上面には一方の接続電極２２及び他方の接続電極２３が形成されている。一方の接続電極２２はゲート絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール部２４を介して短絡ライン８の図４における上辺部に接続されている。なお、各電極Ｓ、Ｄ、２２、２３の形成と同時に、データライン５、入力ライン７及び短絡ライン８の左辺部と右辺部が形成される。この場合、短絡ライン８の左辺部上下端及び右辺部上下端は、ゲート絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール部（図示せず）を介して短絡ライン８の上辺部左右端及び下辺部左右端に接続される。なおまた、薄膜トランジスタ３の近傍におけるゲート絶縁膜１３の上面には、ソース電極Ｓ等の形成前に、ＩＴＯからなる画素電極２が形成され、この画素電極２にソース電極Ｓが接続されている。かくして、この液晶表示装置におけるアクティブ素子基板１の回路構成は、図３及び図４に示すようになる。
【０００８】
次に、この液晶表示装置における静電対策について図４を参照して説明する。一例として、１列目のデータライン５が静電気の帯電により高電位になったとする。すると、１列目のデータライン５に接続された静電保護素子９が導通し、短絡ライン８、共通ライン１２及び補助容量ライン６が１列目のデータライン５と同電位となる。次に、例えば２列目のデータライン５に接続された静電保護素子９について見ると、この静電保護素子９も導通し、２列目のデータライン５が短絡ライン８、共通ライン１２及び補助容量ライン６と同電位となる。かくして、短絡ライン８、共通ライン１２、補助容量ライン６及びすべてのデータライン５が同電位となる。即ち、１列目のデータライン５に帯電した静電気は、短絡ライン８、共通ライン１２、補助容量ライン６及び残りのすべてのデータライン５に逃げることになる。この結果、１列目のデータライン５に接続された薄膜トランジスタ３が静電破壊しないようにすることができる。なお、１本のデータライン５に静電保護素子９を２つ接続しているのは、いずれか一方に欠陥があっても対応することができるようにするためである。また、このような静電保護素子を走査ライン４にも設けたものもあるが、これについては説明を省略する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のこのような液晶表示装置では、図６に示すように、アクティブ素子基板１の上面に短絡ライン８の上辺部及び下辺部等を形成し、その上面全体にゲート絶縁膜１３を形成し、その上面にデータライン５等を形成しているので、図４に示すように、短絡ライン８の上辺部及び下辺部とデータライン５とがその間にゲート絶縁膜１３を介して交差することになる。したがって、この交差部におけるゲート絶縁膜１３に欠陥があり、当該交差部における両ライン５、８間でショートが発生した場合には、表示品質が損なわれることになる。そこで、従来では、以上のような欠陥のある液晶表示装置を検査により除外しており、歩留が低下するという問題があった。なお、走査ライン４の場合には、短絡ライン８の左辺部及び右辺部と交差することになり、上記と同様の問題があった。
この発明の課題は、例えばデータラインと従来の短絡ラインのような静電対策用パターンとの間でショートが発生しないようにすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明は、複数の走査ラインと複数のデータラインを備えたアクティブ素子基板と導電性のブラックマスクを備えた対向基板とが互いに貼り合わされ、その間に液晶が封入された液晶表示装置において、前記アクティブ素子基板において前記走査ラインと前記データラインとのうち少なくとも一方の各ラインの一端側近傍に静電保護素子を設け、該静電保護素子の一端部を接続電極を介して前記一方のラインに接続し、前記静電保護素子の他端部を接続パッドに接続された接続電極に接続すると共に前記接続パッドをクロス材を介して前記ブラックマスクに電気的に接続したものである。
【００１１】
この発明によれば、例えばデータラインが静電気の帯電により高電位になったとき、この帯電した静電気は静電保護素子を介して対向基板の導電性のブラックマスクに逃げ、これにより静電対策が行われることになる。この場合、静電対策用パターンとして機能するブラックマスクと例えばデータラインとの間でショートが発生しないようにすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態における液晶表示装置のアクティブ素子基板上に形成されたものの一部の等価回路的平面図を示したものである。この図において、図４と同一名称部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。図１において、図４に示す従来例と異なる点は、静電保護素子９の一方の接続電極２２がゲート絶縁膜１３（図２参照）の上面に設けられた接続パッド３１に接続され、図４に示す短絡ライン８が設けられていない点である。
【００１３】
次に、この液晶表示装置の対向基板を含む具体的な構造について図２を参照して説明する。なお、図２において、図５と同一名称部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。この液晶表示装置では、上述したように、静電保護素子９の一方の接続電極２２がゲート絶縁膜１３の上面に設けられた接続パッド３１に接続されている。そして、静電保護素子９、接続パッド３１、薄膜トランジスタ３及び画素電極２を含むゲート絶縁膜１３の上面全体にはオーバーコート膜３２が設けられ、その上面の表示領域には配向膜３３が設けられている。なお、画素電極２上に、オーバーコート膜３２を設けずに、配向膜３３を直接設けるようにしてもよい。
【００１４】
一方、対向基板３４の下面にはクロムからなるブラックマスク３５が設けられ、その下面には赤、緑、青の各カラーフィルタ要素３６が設けられ、その下面全体にはオーバーコート膜３７が設けられ、その下面の所定の箇所には対向電極３８が設けられ、その下面の表示領域には配向膜３９が設けられている。そして、対向基板３４とアクティブ素子基板１とはシール材（図示せず）を介して貼り合わされ、シール材の内側における両基板１、３４間には液晶４０が封入されている。また、接続パッド３１とこれに対向するブラックマスク３５とは、アクティブ素子基板１側のオーバーコート膜３２に形成されたコンタクトホール３２ａの部分と対向基板３４側のオーバーコート膜３７に形成されたコンタクトホール３７ａの部分とに連続して配置されたクロス材４１を介して電気的に接続されている。この場合、ブラックマスク３５は電位を持たず、無電位となっている。
【００１５】
したがって、この液晶表示装置では、静電保護素子９の一方の接続電極２２は接続パッド３１及びクロス材４１を介してクロムからなる導電性のブラックマスク３５に電気的に接続されている。この結果、一例として、図１において１列目のデータライン５が静電気の帯電により高電位になった場合には、１列目のデータライン５に接続された静電保護素子９が導通し、１列目のデータライン５に帯電した静電気が接続パッド３１及びクロス材４１を介してブラックマスク３５に流れ、ブラックマスク３５が１列目のデータライン５と同電位となる。次に、例えば２列目のデータライン５に接続された静電保護素子９について見ると、この静電保護素子９も導通し、２列目のデータライン５がブラックマスク３５と同電位となる。かくして、ブラックマスク３５及びすべてのデータライン５が同電位となる。即ち、１列目のデータライン５に帯電した静電気は、ブラックマスク３５及び残りのすべてのデータライン５に逃げることになる。この結果、１列目のデータライン５に接続された薄膜トランジスタ３が静電破壊しないようにすることができる。この場合、ブラックマスク３５が静電対策用パターンとして機能するので、このブラックマスク３５とデータライン４との間でショートが発生しないようにすることができる。この結果、従来のようなデータライン４と短絡ライントとの交差部間でのショートに起因する歩留の低下を防止することができる。その上、ブラックマスク３５の容量は、補助容量ライン６と図４に示す従来の短絡ライン８との合計容量よりも大きいので、静電気緩和能力を大きくすることができる。
【００１６】
なお、上記実施形態では、静電保護素子９をデータライン４に設けた場合について説明したが、これに限らず、走査ライン４にも設けるようにしてもよく、また走査ライン４のみに設けるようにしてもよい。また、ブラックマスク３５の材料としては、クロム等の金属に限らず、導電性樹脂等であってもよい。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、静電保護素子の一端部を例えばデータラインに接続し、かつ該静電保護素子の他端部を接続パッドに接続された接続電極に接続すると共に該接続パッドをクロス材を介して対向基板の導電性のブラックマスクに電気的に接続しているので、静電対策用パターンとして機能するブラックマスクと例えばデータラインとの間でショートが発生しないようにすることができ、ひいてはこのようなショートに起因する歩留の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態における液晶表示装置のアクティブ素子基板上に形成されたものの一部の等価回路的平面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の対向基板を含む具体的な構造の一部の断面図。
【図３】従来の液晶表示装置のアクティブ素子基板上に形成されたものの一部を省略した全体的な等価回路的平面図。
【図４】図３に示すものの一部の等価回路的平面図。
【図５】図３及び図４に示すアクティブ素子基板の具体的な構造の一部の断面図。
【図６】図３及び図４に示すアクティブ素子基板において、アクティブ素子基板の上面に形成された配線の等価回路的平面図。
【符号の説明】
１アクティブ素子基板
４走査ライン
５データライン
６補助容量ライン
９静電保護素子
３１接続パッド
３４対向基板
３５ブラックマスク
４１クロス材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
Some active matrix liquid crystal display devices are provided with countermeasures against static electricity in order to prevent the thin film transistor (active element) from being electrostatically damaged even when it comes into contact with other statically charged objects.
[0003]
FIG. 3 is an overall equivalent circuit plan view in which a part of a conventional liquid crystal display device formed on an active element substrate is omitted, and FIG. 4 is a partial equivalent circuit plan view thereof. It is shown. This liquid crystal display device basically has a structure in which an active element substrate 1 and a counter substrate (not shown) are bonded to each other, and a liquid crystal (not shown) is sealed therebetween. On the active element substrate 1, a plurality of pixel electrodes 2 arranged in a matrix, thin film transistors 3 connected to the pixel electrodes 2, and extending in the row direction, supply scanning signals to the thin film transistors 3. A plurality of scanning lines 4 for extending a column direction, a plurality of data lines 5 for supplying a data signal to the thin film transistor 3, and a row direction extending between the pixel electrode 2 and an auxiliary capacitance unit A plurality of auxiliary capacitance lines 6 forming Cs, a plurality of input lines 7 arranged at the lower right in FIG. 3, a ring-like short-circuit line 8 arranged around the plurality of pixel electrodes 2, and a short-circuit line 8 Two electrostatic protection elements 9 each connected to the upper side of the short-circuit line 8 and the upper end of each data line 5 are provided on the upper side of the upper side.
[0004]
The right end portion of the scanning line 4 extends to the inside of the semiconductor chip mounting area 10 indicated by a dotted line in FIG. 3 on the right side portion of the active element substrate 1. The lower end portion of the data line 5 extends to the inside of the semiconductor chip mounting area 11 indicated by a dotted line in FIG. The left end portion of the auxiliary capacity line 6 is connected to the common line 12. One end of the input line 7 is extended into the semiconductor chip mounting areas 10 and 11. The upper and lower ends of the left side portion of the short-circuit line 8 are connected to the common line 12.
[0005]
Next, a specific structure of the active element substrate 1 of the liquid crystal display device will be described with reference to FIG. A gate electrode G of the thin film transistor 3 is formed on the upper surface of the active element substrate 1. In addition, as shown in FIG. 6, the upper side and the lower side of the scanning line 4, the auxiliary capacitance line 6, the common line 12, and the short-circuit line 8 are formed on the upper surface of the active element substrate 1 simultaneously with the formation of the gate electrode G. Has been.
[0006]
A gate insulating film 13 is formed on the entire upper surface of the active element substrate 1 including the gate electrode G and the like. A semiconductor thin film 14 made of amorphous silicon or the like is formed on the upper surface of the gate insulating film 13 in a portion corresponding to the gate electrode G. A semiconductor thin film 15 made of amorphous silicon or the like is also formed on the upper surface of the gate insulating film 13 in the electrostatic protection element 9 formation region. Blocking layers 16 and 17 are formed at the center of the upper surface of the semiconductor thin films 14 and 15. Contact layers 18 and 19 made of n ⁺ silicon are formed on both sides of the upper surface of the blocking layer 16 in the thin film transistor 3 formation region. Also, contact layers 20 and 21 made of n ⁺ silicon are formed on both sides of the upper surface of the blocking layer 17 in the electrostatic protection element 9 formation region.
[0007]
A source electrode S and a drain electrode D are formed on the upper surfaces of the contact layers 18 and 19 in the thin film transistor 3 formation region. One connection electrode 22 and the other connection electrode 23 are formed on the upper surfaces of the contact layers 20 and 21 in the electrostatic protection element 9 formation region. One connection electrode 22 is connected to the upper side portion in FIG. 4 of the short-circuit line 8 through a contact hole portion 24 formed in the gate insulating film 13. At the same time as the formation of the electrodes S, D, 22, and 23, the left side and the right side of the data line 5, the input line 7, and the short circuit line 8 are formed. In this case, the upper and lower ends of the left side portion and the upper and lower ends of the right side portion of the short-circuit line 8 are the upper left and right ends and the lower side left and right ends of the short-circuit line 8 through contact hole portions (not shown) formed in the gate insulating film 13. Connected to. In addition, the pixel electrode 2 made of ITO is formed on the upper surface of the gate insulating film 13 in the vicinity of the thin film transistor 3 before the source electrode S and the like are formed, and the source electrode S is connected to the pixel electrode 2. Thus, the circuit configuration of the active element substrate 1 in this liquid crystal display device is as shown in FIGS.
[0008]
Next, countermeasures against static electricity in the liquid crystal display device will be described with reference to FIG. As an example, it is assumed that the data line 5 in the first column becomes a high potential due to electrostatic charging. Then, the electrostatic protection element 9 connected to the data line 5 in the first column becomes conductive, and the short circuit line 8, the common line 12, and the auxiliary capacitance line 6 have the same potential as the data line 5 in the first column. Next, for example, when viewing the electrostatic protection element 9 connected to the data line 5 in the second column, the electrostatic protection element 9 is also conducted, and the data line 5 in the second column is connected to the short-circuit line 8, the common line 12, and It has the same potential as the auxiliary capacitance line 6. Thus, the short circuit line 8, the common line 12, the auxiliary capacitance line 6, and all the data lines 5 have the same potential. That is, the static electricity charged in the data line 5 in the first column escapes to the short circuit line 8, the common line 12, the auxiliary capacitance line 6, and all the remaining data lines 5. As a result, the thin film transistor 3 connected to the data line 5 in the first column can be prevented from being electrostatically damaged. The reason why two electrostatic protection elements 9 are connected to one data line 5 is to cope with any one of them having a defect. In addition, there is a device in which such an electrostatic protection element is also provided in the scanning line 4, and description thereof will be omitted.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
Incidentally, in such a conventional liquid crystal display device, as shown in FIG. 6, the upper and lower sides of the short-circuit line 8 are formed on the upper surface of the active element substrate 1, and the gate insulating film 13 is formed on the entire upper surface. Since the data line 5 and the like are formed on the upper surface, the upper and lower sides of the short-circuit line 8 and the data line 5 intersect with each other via the gate insulating film 13 as shown in FIG. become. Therefore, if there is a defect in the gate insulating film 13 at the intersection and a short circuit occurs between the lines 5 and 8 at the intersection, the display quality is impaired. Therefore, conventionally, the defective liquid crystal display device as described above is excluded by inspection, and there is a problem that the yield decreases. In the case of the scanning line 4, the left side portion and the right side portion of the short-circuit line 8 intersect with each other, and there is a problem similar to the above.
An object of the present invention is to prevent a short circuit from occurring between a data line and an electrostatic countermeasure pattern such as a conventional short-circuit line.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The present invention provides a liquid crystal display device in which an active element substrate having a plurality of scanning lines and a plurality of data lines and a counter substrate having a conductive black mask are bonded to each other, and liquid crystal is sealed between the active substrate and the active substrate. at least one end side near the line of the element substrate and the scanning lines and the data lines provided an electrostatic protection element, connected to the one line via a connecting electrode one end of the electrostatic protection element and, in which the connection pads electrically connected to the black mask through the cross member as well as connected to connection electrode and the other end to the connection pad of the electrostatic protection element.
[0011]
According to the present invention, for example, when the data line becomes a high potential due to electrostatic charging, the charged static electricity escapes to the conductive black mask of the counter substrate via the electrostatic protection element, thereby preventing the static electricity. Will be done. In this case, it is possible to prevent a short circuit from occurring between the black mask functioning as an electrostatic countermeasure pattern and, for example, the data line.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a plan view showing a part of an equivalent circuit formed on an active element substrate of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. In this figure, parts having the same names as those in FIG. 1 is different from the conventional example shown in FIG. 4 in that one connection electrode 22 of the electrostatic protection element 9 is connected to a connection pad 31 provided on the upper surface of the gate insulating film 13 (see FIG. 2). The short circuit line 8 shown in FIG. 4 is not provided.
[0013]
Next, a specific structure including the counter substrate of the liquid crystal display device will be described with reference to FIG. In FIG. 2, the same reference numerals are assigned to the same names as those in FIG. 5, and the description thereof is omitted as appropriate. In this liquid crystal display device, as described above, one connection electrode 22 of the electrostatic protection element 9 is connected to the connection pad 31 provided on the upper surface of the gate insulating film 13. An overcoat film 32 is provided on the entire upper surface of the gate insulating film 13 including the electrostatic protection element 9, the connection pad 31, the thin film transistor 3, and the pixel electrode 2, and an alignment film 33 is provided in the display region on the upper surface. ing. Note that the alignment film 33 may be directly provided on the pixel electrode 2 without providing the overcoat film 32.
[0014]
On the other hand, a black mask 35 made of chromium is provided on the lower surface of the counter substrate 34, red, green, and blue color filter elements 36 are provided on the lower surface, and an overcoat film 37 is provided on the entire lower surface. A counter electrode 38 is provided at a predetermined position on the lower surface, and an alignment film 39 is provided on the display region on the lower surface. The counter substrate 34 and the active element substrate 1 are bonded to each other via a sealing material (not shown), and a liquid crystal 40 is sealed between the substrates 1 and 34 inside the sealing material. Further, the connection pad 31 and the black mask 35 opposed thereto are a contact hole 32a formed in the overcoat film 32 on the active element substrate 1 side and a contact formed on the overcoat film 37 on the counter substrate 34 side. It is electrically connected to the portion of the hole 37a through a cross member 41 arranged continuously. In this case, the black mask 35 does not have a potential and has no potential.
[0015]
Therefore, in this liquid crystal display device, one connection electrode 22 of the electrostatic protection element 9 is electrically connected to the conductive black mask 35 made of chromium via the connection pad 31 and the cloth material 41. As a result, as an example, when the data line 5 in the first column in FIG. 1 becomes a high potential due to electrostatic charging, the electrostatic protection element 9 connected to the data line 5 in the first column becomes conductive, Static electricity charged in the data line 5 in the first column flows to the black mask 35 through the connection pad 31 and the cloth material 41, and the black mask 35 has the same potential as the data line 5 in the first column. Next, for example, when viewing the electrostatic protection element 9 connected to the data line 5 in the second column, the electrostatic protection element 9 is also conducted, and the data line 5 in the second column has the same potential as the black mask 35. . Thus, the black mask 35 and all the data lines 5 have the same potential. That is, the static electricity charged in the first data line 5 escapes to the black mask 35 and all the remaining data lines 5. As a result, the thin film transistor 3 connected to the data line 5 in the first column can be prevented from being electrostatically damaged. In this case, since the black mask 35 functions as an electrostatic countermeasure pattern, it is possible to prevent a short circuit from occurring between the black mask 35 and the data line 4. As a result, it is possible to prevent a decrease in yield due to a short circuit between the intersections of the data line 4 and the short circuit line as in the prior art. Moreover, since the capacity of the black mask 35 is larger than the total capacity of the auxiliary capacity line 6 and the conventional short-circuit line 8 shown in FIG. 4, the static electricity mitigation ability can be increased.
[0016]
In the above embodiment, the case where the electrostatic protection element 9 is provided on the data line 4 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the electrostatic protection element 9 may be provided on the scanning line 4 or only on the scanning line 4. It may be. The material of the black mask 35 is not limited to a metal such as chromium, but may be a conductive resin.
[0017]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, one end of the electrostatic protection element is connected to , for example, a data line , and the other end of the electrostatic protection element is connected to the connection electrode connected to the connection pad. Since the connection pad is electrically connected to the conductive black mask of the counter substrate through a cloth material , a short circuit does not occur between the black mask functioning as an electrostatic countermeasure pattern and, for example, the data line. As a result, it is possible to prevent a decrease in yield due to such a short circuit.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an equivalent circuit plan view of a part of a liquid crystal display device formed on an active element substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a part of a specific structure including a counter substrate of the liquid crystal display device shown in FIG.
FIG. 3 is an overall equivalent circuit plan view in which a part of a liquid crystal display device formed on an active element substrate is omitted.
4 is an equivalent circuit plan view of a part of what is shown in FIG. 3; FIG.
5 is a partial cross-sectional view of a specific structure of the active element substrate shown in FIGS. 3 and 4. FIG.
6 is an equivalent circuit plan view of wiring formed on the upper surface of the active element substrate in the active element substrate shown in FIGS. 3 and 4. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Active element board | substrate 4 Scan line 5 Data line 6 Auxiliary capacity line 9 Electrostatic protection element 31 Connection pad 34 Opposite substrate 35 Black mask 41 Cross material

Claims

In the liquid crystal display device in which an active element substrate having a plurality of scanning lines and a plurality of data lines and a counter substrate having a conductive black mask are bonded to each other and liquid crystal is sealed therebetween, the active element substrate includes It provided an electrostatic protection element on at least one end side near each line among the scan lines and the data lines, and connected to the one line via a connecting electrode one end of the electrostatic protection element, the electrostatic A liquid crystal display device, wherein the other end portion of the electroprotective element is connected to a connection electrode connected to a connection pad, and the connection pad is electrically connected to the black mask through a cloth material .

2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the one line is a data line .

2. The active element substrate according to claim 1 , wherein the active element substrate includes a thin film transistor connected to the scan line and the data line and a pixel electrode connected to the thin film transistor in the vicinity of an intersection of the scan line and the data line. A liquid crystal display device characterized by the above.