JP3669997B2 - Semiconductor wafer polishing equipment - Google Patents

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Description

本発明は半導体ウエハ研磨装置に係り、特に半導体ウエハを平坦かつ鏡面状に研磨した後に洗浄する洗浄機能を有する半導体ウエハ研磨装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer polishing equipment, relates to a semiconductor wafer polishing equipment having a cleaning function particularly cleaning after polishing the semiconductor wafer to a flat mirror finish.

近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に0.5μm以下の光リソグラフィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平坦度を必要とする。
そこで、半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の1手段として半導体ウエハ研磨装置により研磨することが行われている。
In recent years, as semiconductor devices are highly integrated, circuit wiring is becoming finer and the distance between wirings is becoming narrower. In particular, in the case of optical lithography of 0.5 μm or less, the depth of focus becomes shallow, so that the flatness of the imaging surface of the stepper is required.
Therefore, it is necessary to flatten the surface of the semiconductor wafer, and polishing is performed by a semiconductor wafer polishing apparatus as one means of this flattening method.

従来、この種の半導体ウエハ研磨装置は、各々独立した回転数で回転するターンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間に半導体ウエハを介在させて半導体ウエハの表面を平坦且つ鏡面に研磨している。   Conventionally, this type of semiconductor wafer polishing apparatus has a turntable and a top ring that rotate at independent rotation speeds, and the top ring applies a constant pressure to the turntable, and between the turntable and the top ring. The surface of the semiconductor wafer is polished to a flat and mirror surface through the semiconductor wafer.

半導体ウエハの研磨をより良く行うために、通常ターンテーブル上の研磨布の上に研磨液が供給される。研磨液は、例えば1μm以下の粒径の酸化シリコン、酸化セリウム等の研磨材を含む液を用いる。また、研磨液には水・研磨材の他に研磨材の凝集を防ぐために分散材を少量入れたり、また物理的な研磨作用の他に化学的な研磨作用を得るために酸、アルカリ等を入れることもある。   In order to better polish the semiconductor wafer, a polishing liquid is usually supplied onto the polishing cloth on the turntable. As the polishing liquid, for example, a liquid containing an abrasive such as silicon oxide or cerium oxide having a particle diameter of 1 μm or less is used. In addition to water and abrasives, the polishing liquid contains a small amount of a dispersing agent to prevent agglomeration of the abrasive, and in addition to physical polishing action, acid, alkali, etc. are added to obtain chemical polishing action. May be included.

研磨後の半導体ウエハ上には、ウエハの研磨粉の他に研磨材が多量に付着して汚れている。研磨直後の汚染粒子数は約10万個/ウエハ程度もあり、これを効率良く100個/ウエハ以下まで低減することが望まれている。   On the polished semiconductor wafer, a large amount of abrasive material adheres and becomes dirty in addition to the wafer polishing powder. The number of contaminated particles immediately after polishing is about 100,000 / wafer, and it is desired to reduce this to 100 / wafer or less efficiently.

従来の半導体ウエハ研磨装置は、装置本体からの発塵が多いためにクリーンルームに設置することができなかった。研磨後の汚れた半導体ウエハは一旦乾燥してしまうと、洗浄しても汚れが落ちなくなってしまうため、研磨直後に水を入れた特殊なウエハキャリヤでクリーンルームに持ち込みウエハ洗浄機で洗浄していた。   A conventional semiconductor wafer polishing apparatus cannot be installed in a clean room because of the large amount of dust generated from the apparatus main body. Once the polished semiconductor wafer has been dried, once it has been dried, the dirt will not be removed. Therefore, immediately after polishing, the wafer was brought into a clean room with a special wafer carrier and washed with a wafer cleaner. .

従来の半導体ウエハ研磨装置は、洗浄機と離れた位置に置かれており、しかも研磨後の半導体ウエハは水中に保管しながら運ぶため、クリーンルーム内での生産効率が悪かった。   The conventional semiconductor wafer polishing apparatus is placed at a position away from the cleaning machine, and the polished semiconductor wafer is transported while being stored in water, so that the production efficiency in the clean room is poor.

また洗浄機についても、研磨後の半導体ウエハのダストは非常に多く、洗浄機を汚してしまうため、従来のクリーンルームに設置されたものを利用することができず、専用の洗浄機が必要となるため、設備費用が高くついた。   Also for the cleaning machine, the dust on the semiconductor wafer after polishing is so much that it contaminates the cleaning machine, so it is not possible to use the one installed in the conventional clean room, and a dedicated cleaning machine is required. Therefore, the equipment cost was high.

本発明は、クリーンルーム内に設置可能で、かつクリーンルームを汚染することなく研磨後の半導体ウエハを洗浄および乾燥した後に、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ払い出すことができる半導体ウエハ研磨装置を提供することを目的とする。 The present invention is a semiconductor wafer that can be installed in a clean room and can be discharged to the next process with a wafer carrier normally used in the clean room after cleaning and drying the polished semiconductor wafer without contaminating the clean room. and to provide a polishing equipment.

上述した目的を達成するため、本発明の半導体ウエハ研磨装置の1態様は、側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、該筐体は矩形の平面形状を有しており、研磨前の半導体ウエハを収容するカセットと研磨後に洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収容するカセットが該筐体の同一側面側に置かれるようにされ、前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けたことを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, one aspect of a semiconductor wafer polishing apparatus of the present invention stores a polishing unit for polishing a semiconductor wafer and a cleaning unit for cleaning and drying the semiconductor wafer in a housing having a side wall, A semiconductor wafer polishing apparatus provided with a partition for separating the polishing unit and the cleaning unit and having a transport mechanism for transporting a polished semiconductor wafer from the polishing unit to the cleaning unit through an opening of the partition The casing has a rectangular planar shape, and the cassette for storing the semiconductor wafer before polishing and the cassette for storing the cleaned and dried semiconductor wafer after polishing are placed on the same side surface of the casing. An exhaust system for exhausting air from the polishing section separated by the partition is provided .

ここで、前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする。
また、前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする。
また、前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする。
また、前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする。
また、前記トップリングは回転可能であることを特徴とする。
Here, a shutter for opening and closing the opening of the partition is provided.
Further, the polishing unit has a turntable.
The turntable is connected to a motor.
Further, the polishing unit has a top ring for holding the semiconductor wafer.
The top ring can be moved up and down.
The top ring is rotatable.

また、前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする。
また、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの1次洗浄を行なう1次洗浄装置と、前記半導体ウエハの2次洗浄を行なう2次洗浄装置とを有する。
また、前記1次洗浄装置と2次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備える
また、前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
Further, the polishing unit includes an abrasive liquid supply nozzle.
Further, the polishing unit has a semiconductor wafer reversing machine.
The cleaning unit includes a primary cleaning device that performs primary cleaning of the semiconductor wafer and a secondary cleaning device that performs secondary cleaning of the semiconductor wafer.
In addition, a transport unit that transports the semiconductor wafer between the primary cleaning device and the secondary cleaning device is provided .
Further, an exhaust system for exhausting air independently from the polishing unit and the cleaning unit separated by the partition is provided.

本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって;側壁を有する筐体と;前記半導体ウエハを研磨する研磨部と;前記半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部と;前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と;前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統と;研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え;前記洗浄部にはスポンジ洗浄と回転乾燥を行う洗浄装置を有し;前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納されており;前記筐体は矩形の平面形状を有しており、研磨前の半導体ウエハを収容するカセットと研磨後に洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収容するカセットが該筐体の同一側面側に置かれるようにされたことを特徴とする。 Another aspect of the semiconductor wafer polishing device of the present invention is a semiconductor wafer polishing apparatus can be installed in the clean room; washing the semiconductor wafer; side wall and housing having; a polishing unit for polishing the semiconductor wafer A cleaning unit to be dried; a partition separating the polishing unit and the cleaning unit; an exhaust system exhausting from the polishing unit separated by the partition ; and the semiconductor wafer after polishing from the polishing unit A cleaning mechanism that performs sponge cleaning and rotary drying; the polishing unit, the cleaning unit, and the transport mechanism are housed in the housing ; The casing has a rectangular planar shape, and a cassette for storing a semiconductor wafer before polishing and a cassette for storing a cleaned and dried semiconductor wafer after polishing are placed on the same side of the casing. Wherein the Unisa was.

ここで、前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする。
また、前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする。
また、前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする。
また、前記トップリングは回転可能であることを特徴とする。
また、前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする。
Here, the polishing unit has a turntable.
The turntable is connected to a motor.
Further, the polishing unit has a top ring for holding the semiconductor wafer.
The top ring can be moved up and down.
The top ring is rotatable.
Further, the polishing unit includes an abrasive liquid supply nozzle.

また、前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする。
また、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの1次洗浄を行なう1次洗浄装置と、前記半導体ウエハの2次洗浄を行なう2次洗浄装置とを有する。
また、前記1次洗浄装置と2次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備える。
また、前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成された。
また、前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする
また、前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
Further, the polishing unit has a semiconductor wafer reversing machine.
The cleaning unit includes a primary cleaning device that performs primary cleaning of the semiconductor wafer and a secondary cleaning device that performs secondary cleaning of the semiconductor wafer.
In addition, a transport unit that transports the semiconductor wafer between the primary cleaning device and the secondary cleaning device is provided.
In addition, an opening is formed in the partition, and the transport mechanism is configured to transport the polished semiconductor wafer from the polishing unit to the cleaning unit through the opening of the partition.
In addition, a shutter for opening and closing the opening of the partition wall is provided .
Further, an exhaust system for exhausting air independently from the polishing unit and the cleaning unit separated by the partition is provided.

また、前記洗浄部においてスポンジ洗浄後、スポンジを待避し、洗浄水の供給を停止し、前記半導体ウエハを回乾燥することを特徴とする。 Further, after the sponge cleaned in the cleaning unit, and saves the sponge, to stop the supply of the cleaning water, wherein said a semiconductor wafer rotating drying.

本発明の半導体ウエハ研磨装置の好ましい態様は、側壁を有した筐体内にトップリングによって半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつけて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設ける。
ここで、前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けることが好ましい。
A preferred embodiment of the semiconductor wafer polishing apparatus of the present invention includes a polishing unit for polishing a semiconductor wafer by pressing the semiconductor wafer against a turntable while holding the semiconductor wafer by a top ring in a housing having a side wall, and a cleaning unit for cleaning the semiconductor wafer. Including a partition that separates between the polishing unit and the cleaning unit, and a transport mechanism that transports the polished semiconductor wafer from the polishing unit to the cleaning unit through the opening of the partition, An exhaust system is provided for exhausting air independently from the polishing section and the cleaning section.
Here, it is preferable to provide a shutter for opening and closing the opening of the partition wall.

本発明の半導体ウエハ研磨装置の好ましい態様は、側壁を有しクリーンルーム内に設置可能な筐体の内部に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記筐体内で半導体ウエハを搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設ける。
ここで、前記研磨部にはターンテーブルを有することが好ましい。
また、前記ターンテーブルはモータに連結していることが好ましい。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することが好ましい。
また、前記トップリングは昇降可能であることが好ましい。
また、前記トップリングは回転可能であることが好ましい。
また、前記研磨部には砥液供給ノズルがあることが好ましい。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することが好ましい。
According to a preferred aspect of the semiconductor wafer polishing apparatus of the present invention, a polishing unit that polishes a semiconductor wafer and a cleaning unit that cleans the semiconductor wafer are housed in a housing having a side wall and that can be installed in a clean room. A semiconductor wafer polishing apparatus provided with a transfer mechanism for transferring a semiconductor wafer in the body, wherein an exhaust system for exhausting the inside of the housing is provided so as to keep the pressure of the polishing unit lower than the pressure of the cleaning unit.
Here, the polishing unit preferably has a turntable.
The turntable is preferably connected to a motor.
The polishing unit preferably has a top ring for holding the semiconductor wafer.
The top ring is preferably movable up and down.
The top ring is preferably rotatable.
Further, it is preferable that the polishing section has an abrasive liquid supply nozzle.
Moreover, it is preferable that the polishing unit has a reversing machine for the semiconductor wafer.

本発明の半導体ウエハ研磨装置の好ましい態様は、クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって;側壁を有する筐体と;前記半導体ウエハを研磨する研磨部と;前記半導体ウエハを洗浄する洗浄部と;前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と;研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え;前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納されている。
ここで、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの1次洗浄を行なう1次洗浄装置と、前記半導体ウエハの2次洗浄を行なう2次洗浄装置とを有することが好ましい。
更に、前記1次洗浄装置と2次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備えることが好ましい。
また、前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成されることが好ましい。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けることが好ましい。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けることが好ましい。
A preferred embodiment of the semiconductor wafer polishing apparatus of the present invention is a semiconductor wafer polishing apparatus that can be installed in a clean room; a housing having a side wall; a polishing unit that polishes the semiconductor wafer; and a cleaning that cleans the semiconductor wafer A partition that separates between the polishing unit and the cleaning unit; a transport mechanism that transports the polished semiconductor wafer from the polishing unit to the cleaning unit; and the polishing unit, the cleaning unit, and The transport mechanism is housed in the housing.
Here, it is preferable that the cleaning unit includes a primary cleaning apparatus that performs a primary cleaning of the semiconductor wafer and a secondary cleaning apparatus that performs a secondary cleaning of the semiconductor wafer.
Furthermore, it is preferable that a transport means for transporting the semiconductor wafer is provided between the primary cleaning device and the secondary cleaning device.
Moreover, it is preferable that an opening is formed in the partition, and the transport mechanism is configured to transport the polished semiconductor wafer from the polishing unit to the cleaning unit through the opening of the partition.
Moreover, it is preferable to provide an exhaust system that exhausts air from the polishing section separated by the partition.
Moreover, it is preferable to provide an exhaust system that exhausts air independently from the polishing unit and the cleaning unit separated by the partition.

本発明の半導体ウエハ研磨方法の好ましい態様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄する半導体ウエハ研磨方法であって、研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハをウエハ支持台に置き、アームが該ウエハを保持し、該アームが隔壁の開口を通過し、該アームが該ウエハを洗浄部に渡す。
ここで、前記隔壁の開口にはシャッターが設けられ、前記ウエハを保持したアームが開口を通過する際には前記シャッターが開いていることが好ましい。
A preferred embodiment of the semiconductor wafer polishing method of the present invention is a semiconductor wafer polishing method in which a semiconductor wafer is polished and then cleaned, and a polishing apparatus is installed in a clean room, polished in a polishing section, and the polished semiconductor wafer is processed as a wafer. The arm is held on the support table, the arm holds the wafer, the arm passes through the opening of the partition wall, and the arm passes the wafer to the cleaning unit.
Here, it is preferable that a shutter is provided in the opening of the partition wall, and the shutter is opened when the arm holding the wafer passes through the opening.

本発明の半導体ウエハ研磨方法の好ましい態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置で、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって;前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と;研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と;研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備えた。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの1次洗浄を行なう1次洗浄工程と、前記1次洗浄後の半導体ウエハの2次洗浄を行なう2次洗浄工程とを有することが好ましい。
また、前記研磨部から排気系統により排気することが好ましい。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することが好ましい。
A preferred embodiment of the semiconductor wafer polishing method of the present invention includes a polishing unit, a cleaning unit, a transport mechanism, and a partition that separates the polishing unit and the cleaning unit, and is installed in a clean room. A semiconductor wafer polishing method for polishing a semiconductor wafer by a semiconductor wafer polishing apparatus, comprising: a polishing step of polishing the semiconductor wafer by the polishing unit; and cleaning the polished semiconductor wafer by the cleaning unit A cleaning step; and a transfer step of transferring the polished semiconductor wafer from the polishing portion to the cleaning portion through an opening formed in the partition wall.
Here, it is preferable that the cleaning step includes a primary cleaning step of performing a primary cleaning of the semiconductor wafer and a secondary cleaning step of performing a secondary cleaning of the semiconductor wafer after the primary cleaning.
Further, it is preferable to exhaust air from the polishing section by an exhaust system.
In addition, it is preferable that air is exhausted independently from the polishing unit and the cleaning unit by an exhaust system.

本発明の半導体デバイス製造方法の好ましい態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構、及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置を用い半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であって;前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と;研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と;研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備えた。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの1次洗浄を行なう1次洗浄工程と、前記1次洗浄後の半導体ウエハの2次洗浄を行なう2次洗浄工程とを有することが好ましい。
また、前記隔壁には前記開口を開閉するシャッターが設けることが好ましい。
また、前記研磨部から排気系統により排気することが好ましい。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することが好ましい。
また、前記研磨された半導体ウエハに対して光リソグラフィ処理をする工程を備えることが好ましい。
A preferable aspect of the semiconductor device manufacturing method of the present invention includes a polishing unit, a cleaning unit, a transport mechanism, and a partition wall that separates the polishing unit and the cleaning unit, and is provided in a clean room. A semiconductor device manufacturing method for manufacturing a semiconductor device using a semiconductor wafer polishing apparatus installed; a polishing step of polishing the semiconductor wafer with the polishing unit; and cleaning the polished semiconductor wafer with the cleaning unit A cleaning step; and a transfer step of transferring the polished semiconductor wafer from the polishing portion to the cleaning portion through an opening formed in the partition wall.
Here, it is preferable that the cleaning step includes a primary cleaning step of performing a primary cleaning of the semiconductor wafer and a secondary cleaning step of performing a secondary cleaning of the semiconductor wafer after the primary cleaning.
Moreover, it is preferable that the partition be provided with a shutter that opens and closes the opening.
Further, it is preferable to exhaust air from the polishing section by an exhaust system.
In addition, it is preferable that air is exhausted independently from the polishing unit and the cleaning unit by an exhaust system.
Moreover, it is preferable to provide the process of carrying out the optical lithography process with respect to the said polished semiconductor wafer.

本発明の半導体ウエハ研磨装置によれば、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを1体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。また、研磨部と洗浄部とがウエハを搬送するための小さい開口部を有する隔壁で仕切られ、かつ研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、研磨部を洗浄部より低い圧力に保持するか又は隔壁の開口部にシャッターが設けられているため研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。   According to the semiconductor wafer polishing apparatus of the present invention, the polishing section and the cleaning section are housed in a single body in a housing having a side wall, and the polishing section and the cleaning section are separated by the partition wall, so that the entire apparatus is placed in a clean room. It is possible to install the semiconductor wafer without contaminating the inside of the clean room, and then to clean the semiconductor wafer. Then, the dried semiconductor wafer can be discharged to the next process with a wafer carrier usually used in the clean room. In addition, the polishing unit and the cleaning unit are partitioned by a partition having a small opening for carrying the wafer, and an exhaust system is provided for exhausting air independently from the polishing unit and the cleaning unit, so that the polishing unit has a lower pressure than the cleaning unit. Since the shutter is provided at the opening of the partition wall, it is possible to prevent splashes and polishing powder generated in the polishing unit from entering the cleaning unit.

本発明によれば、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを1体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。   According to the present invention, the polishing unit and the cleaning unit are housed in one body in a housing having a side wall, and the polishing unit and the cleaning unit are separated by the partition wall, so that the entire apparatus can be installed in the clean room. The semiconductor wafer can be polished and polished without contaminating the clean room, and the dried semiconductor wafer can be dispensed to the next process by the wafer carrier normally used in the clean room.

また本発明によれば、研磨部と洗浄部とが隔壁と、隔壁に設けられたシャッターで仕切られ、かつ研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統が設けられているため、研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。   Further, according to the present invention, the polishing unit and the cleaning unit are partitioned by the partition wall, the shutter provided in the partition wall, and the exhaust system for exhausting air independently from the polishing unit and the cleaning unit is provided. It is possible to prevent splashes and polishing powder generated in the case of entering the cleaning section.

以下、本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を図1及び図2を参照して説明する。図1は半導体ウエハ研磨装置の立面図、図2は半導体ウエハ研磨装置の平面図である。   An embodiment of a semiconductor wafer polishing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is an elevation view of the semiconductor wafer polishing apparatus, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor wafer polishing apparatus.

図1及び図2において、符号1は側壁を有した筐体であり、筐体1内には、半導体ウエハを研磨する研磨部2と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部30とが収納されている。そして、研磨部2と洗浄部30とは隔壁22によって分離されている。   1 and 2, reference numeral 1 denotes a housing having a side wall. The housing 1 houses a polishing unit 2 for polishing a semiconductor wafer and a cleaning unit 30 for cleaning the semiconductor wafer. . The polishing unit 2 and the cleaning unit 30 are separated by a partition wall 22.

研磨部2には、ターンテーブル3と、半導体ウエハ4を保持しつつターンテーブル3に押しつけるトップリング5とを備えた研磨機構6が設置されている。前記ターンテーブル3はモータM に連結されるとともにその上面には研磨布7が貼設されている。またトップリング5はトップリング回転用モータM とトップリング昇降用シリンダ11とを備えたトップリングヘッド8に連結されており、トップリング5は昇降可能になっているとともにその軸心の回わりに回転可能になっている。そして、トップリングヘッド8はガイドレール9上を左右に移動可能になっている。なお、研磨布7には、その上面に砥液供給ノズル10より研磨材を含む砥液が供給されるようになっている。 The polishing unit 2 is provided with a polishing mechanism 6 including a turntable 3 and a top ring 5 that holds the semiconductor wafer 4 and presses it against the turntable 3. The turntable 3 on the upper surface thereof while being connected to the motor M 1 is the polishing cloth 7 affixed. The top ring 5 is connected to a top ring head 8 and a top ring rotating motor M 2 and the top ring lifting cylinders 11, the axial center of the rotating fairly with the top ring 5 is in a vertically movable It can be rotated. The top ring head 8 is movable to the left and right on the guide rail 9. The polishing cloth 7 is supplied with an abrasive liquid containing an abrasive from the abrasive liquid supply nozzle 10 on the upper surface thereof.

一方、研磨機構6に半導体ウエハ4を供給する供給機構12は、第1ウエハ搬送機構13と、ウエハ反転機14と、第2ウエハ搬送機構15とから構成されており、第1ウエハ搬送機構13によってウエハカセット置き場16に置かれたウエハカセット17から半導体ウエハ4を取り出してウエハ反転機14に渡し、このウエハ反転機14によって半導体ウエハ4を反転させて研磨面を下に向けた後に、この半導体ウエハ4を第1ウエハ搬送機構13によって受け取って第2ウエハ搬送機構15に渡すようになっている。   On the other hand, the supply mechanism 12 for supplying the semiconductor wafer 4 to the polishing mechanism 6 includes a first wafer transfer mechanism 13, a wafer reversing machine 14, and a second wafer transfer mechanism 15. Then, the semiconductor wafer 4 is taken out from the wafer cassette 17 placed in the wafer cassette storage place 16 and transferred to the wafer reversing machine 14, and the semiconductor reversing machine 14 is reversed by the wafer reversing machine 14 so that the polishing surface is directed downward. The wafer 4 is received by the first wafer transfer mechanism 13 and transferred to the second wafer transfer mechanism 15.

前記第2ウエハ搬送機構15は、ウエハ保持部材19と、ウエハ保持部材昇降用スクリューロッド20とから構成され、第1ウエハ搬送機構13から受け取った半導体ウエハ4をトップリング5に渡すようになっている。   The second wafer transfer mechanism 15 includes a wafer holding member 19 and a wafer holding member lifting / lowering screw rod 20, and passes the semiconductor wafer 4 received from the first wafer transfer mechanism 13 to the top ring 5. Yes.

前記トップリング5で保持されターンテーブル3に押しつけられて研磨された半導体ウエハ4は、研磨終了後にトップリング5に保持された状態でトップリングヘッド8のガイドレール9上の移動によりウエハ支持台21の真上まで搬送される。そして、半導体ウエハ4はトップリング5から離脱され、ウエハ支持台21上に置かれる。   The semiconductor wafer 4 held by the top ring 5 and pressed against the turntable 3 and polished is moved to the wafer support 21 by moving the top ring head 8 on the guide rail 9 while being held by the top ring 5 after polishing. It is conveyed to just above. Then, the semiconductor wafer 4 is detached from the top ring 5 and placed on the wafer support 21.

また、研磨部2と洗浄部30とを分離する隔壁22には、開口22aが形成されており、この開口22aに隣接して開口22aを開閉するためのシャッター23が設置されている。さらに、隔壁22に隣接してウエハ反転機24が設置されている。ウエハ反転機24は、ウエハ反転軸25、ウエハ反転用アクチュエータ26、ウエハ反転用アーム27とから構成され、アクチュエータ26により反転軸25を介して反転用アーム27が回転させられるようになっている。   An opening 22a is formed in the partition wall 22 that separates the polishing unit 2 and the cleaning unit 30, and a shutter 23 for opening and closing the opening 22a is provided adjacent to the opening 22a. Further, a wafer reversing machine 24 is installed adjacent to the partition wall 22. The wafer reversing machine 24 includes a wafer reversing shaft 25, a wafer reversing actuator 26, and a wafer reversing arm 27, and the reversing arm 27 is rotated by the actuator 26 via the reversing shaft 25.

前記ウエハ反転機24では、シャッター23が開いているときに反転用アーム27が回転してウエハ支持台21上の半導体ウエハ4を吸着し、その後、反転用アーム27が逆転して半導体ウエハ4を反転させるとともに洗浄部30に搬送する。   In the wafer reversing machine 24, the reversing arm 27 rotates to suck the semiconductor wafer 4 on the wafer support 21 when the shutter 23 is open, and then the reversing arm 27 reverses to hold the semiconductor wafer 4. Invert and convey to cleaning unit 30.

洗浄部30は、半導体ウエハ4の1次洗浄を行う1次洗浄装置31と、半導体ウエハ4の2次洗浄を行う2次洗浄装置40とを備えている。前記1次洗浄装置31は、半導体ウエハ4の外周部を保持して回転させる複数のローラ32と、半導体ウエハ4を洗浄する洗浄用スポンジローラ33と、洗浄水供給管34とから構成されている。半導体ウエハ4はローラ32により保持されつつ一部のローラの駆動モータによる回転駆動により回転される。回転している半導体ウエハ4に対して回転している洗浄用スポンジローラ33が押し当てられ、そこに洗浄水が供給されて1次洗浄が行われる。そして、1次洗浄が終わった半導体ウエハ4は第3ウエハ搬送機構35によって2次洗浄装置40に搬送される。   The cleaning unit 30 includes a primary cleaning device 31 that performs primary cleaning of the semiconductor wafer 4 and a secondary cleaning device 40 that performs secondary cleaning of the semiconductor wafer 4. The primary cleaning device 31 includes a plurality of rollers 32 that rotate while holding the outer periphery of the semiconductor wafer 4, a cleaning sponge roller 33 that cleans the semiconductor wafer 4, and a cleaning water supply pipe 34. . The semiconductor wafer 4 is rotated by a rotational drive by a drive motor of some rollers while being held by a roller 32. The rotating cleaning sponge roller 33 is pressed against the rotating semiconductor wafer 4, and cleaning water is supplied thereto to perform the primary cleaning. Then, the semiconductor wafer 4 after the primary cleaning is transferred to the secondary cleaning apparatus 40 by the third wafer transfer mechanism 35.

第3ウエハ搬送機構35は、ウエハ保持台36と、ウエハ保持台36上に設けられたウエハ保持部材37と、ウエハ保持台回転モータ38と、ウエハ保持台昇降用スクリューロッド39とから構成される。ウエハ保持部材37はウエハ保持台36上で、図で矢印で示すように水平方向に動き、ウエハ保持台36から離れた所にある半導体ウエハ4の受渡しが可能になっている。そして、1次洗浄後の半導体ウエハ4を受け取った第3ウエハ搬送機構35は、ウエハ保持部材37を引っ込めて半導体ウエハ4をウエハ保持台36の上方に移動し、ウエハ保持台36が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材37を再び押し出すことにより、半導体ウエハ4を2次洗浄装置40に渡すようになっている。   The third wafer transfer mechanism 35 includes a wafer holding table 36, a wafer holding member 37 provided on the wafer holding table 36, a wafer holding table rotating motor 38, and a wafer holding table lifting screw rod 39. . The wafer holding member 37 moves in the horizontal direction on the wafer holding table 36 as indicated by an arrow in the drawing, so that the semiconductor wafer 4 located away from the wafer holding table 36 can be delivered. The third wafer transfer mechanism 35 that has received the semiconductor wafer 4 after the primary cleaning retracts the wafer holding member 37 and moves the semiconductor wafer 4 above the wafer holding table 36, while the wafer holding table 36 rotates. The semiconductor wafer 4 is transferred to the secondary cleaning device 40 by lowering and pushing out the wafer holding member 37 again.

前記2次洗浄装置40は、ウエハ保持台41と、ウエハ保持台回転モータ42と、洗浄用スポンジ43と、洗浄水供給管44とから構成されている。そして、ウエハ保持台41で半導体ウエハ4を支持しつつ回転させながら洗浄水供給管44から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポンジ43を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ43を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ42の回転数を上げてウエハ保持台41を高速で回転させ半導体ウエハ4のスピン乾燥を行う。   The secondary cleaning device 40 includes a wafer holding table 41, a wafer holding table rotating motor 42, a cleaning sponge 43, and a cleaning water supply pipe 44. Then, cleaning water is supplied to the wafer surface from the cleaning water supply pipe 44 while rotating while supporting the semiconductor wafer 4 by the wafer holding table 41, and the cleaning sponge 43 is pressed to perform cleaning. After cleaning, the sponge 43 is withdrawn, the supply of cleaning water is stopped, the number of rotations of the rotary motor 42 is increased, the wafer holder 41 is rotated at high speed, and the semiconductor wafer 4 is spin-dried.

2次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ4を再び第3ウエハ搬送機構35のウエハ保持部材37が受け取り、ウエハ保持台36の上方に半導体ウエハ4を移動させた後、ウエハ保持台36が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材37が押し出されて研磨済みウエハカセット45に半導体ウエハ4を収納するようになっている。
また、研磨部2と洗浄部30には、研磨部2と洗浄部30とから各々独立に排気するための排気ダクト46,47が設置されている。
The wafer holding member 37 of the third wafer transfer mechanism 35 receives the semiconductor wafer 4 that has been subjected to the secondary cleaning and drying again, and moves the semiconductor wafer 4 above the wafer holding table 36, and then the wafer holding table 36 rotates. The wafer holding member 37 is pushed out and the semiconductor wafer 4 is accommodated in the polished wafer cassette 45.
The polishing unit 2 and the cleaning unit 30 are provided with exhaust ducts 46 and 47 for exhausting air independently from the polishing unit 2 and the cleaning unit 30.

次に、前述のように構成された半導体ウエハ研磨装置の動作を説明する。
まず、第1搬送機構13の舌部13aによってウエハカセット置き場16に置かれたウエハカセット17から半導体ウエハ4を取り出してウエハ反転機14に渡す。ウエハ反転機14によって半導体ウエハ4を反転させて研磨面を下に向けた後に、再び第1搬送機構13が半導体ウエハ4を受け取って第2搬送機構15に渡す。
Next, the operation of the semiconductor wafer polishing apparatus configured as described above will be described.
First, the semiconductor wafer 4 is taken out from the wafer cassette 17 placed in the wafer cassette place 16 by the tongue 13 a of the first transfer mechanism 13 and transferred to the wafer reversing machine 14. After the semiconductor wafer 4 is reversed by the wafer reversing machine 14 and the polishing surface is directed downward, the first transport mechanism 13 receives the semiconductor wafer 4 and transfers it to the second transport mechanism 15 again.

次に、トップリングヘッド8がガイドレール9上を移動して、トップリング5が第2ウエハ搬送機構15のウエハ保持部材19の上に位置し、ウエハ保持部材19が上昇して保持している研磨対象の半導体ウエハ4をトップリング5に渡す。   Next, the top ring head 8 moves on the guide rail 9, the top ring 5 is positioned on the wafer holding member 19 of the second wafer transfer mechanism 15, and the wafer holding member 19 is raised and held. The semiconductor wafer 4 to be polished is transferred to the top ring 5.

トップリング5は半導体ウエハ4を保持したまま移動してターンテーブル3上の研磨位置に位置する。そしてターンテーブル3とトップリング5が回転し、ターンテーブル3上に貼着された研磨布7上に砥液供給ノズル10から研磨材を含む砥液が供給され、トップリング5が下降し、トップリング5に保持された半導体ウエハ4が研磨布7に押しつけられて研磨が行われる。   The top ring 5 moves while holding the semiconductor wafer 4 and is positioned at the polishing position on the turntable 3. Then, the turntable 3 and the top ring 5 rotate, and the abrasive liquid containing the abrasive is supplied from the abrasive liquid supply nozzle 10 onto the polishing cloth 7 adhered on the turntable 3, the top ring 5 is lowered, and the top The semiconductor wafer 4 held on the ring 5 is pressed against the polishing pad 7 for polishing.

研磨終了後、半導体ウエハ4を保持したままトップリングヘッド8が移動してトップリング5がウエハ支持台21の真上に位置する。そして、トップリング5から半導体ウエハ4が離脱され、半導体ウエハ4がウエハ支持台21上に置かれる。トップリング5は次の研磨に向けて第2ウエハ搬送機構15に向かって移動する。   After polishing, the top ring head 8 moves while holding the semiconductor wafer 4, and the top ring 5 is positioned directly above the wafer support 21. Then, the semiconductor wafer 4 is detached from the top ring 5 and the semiconductor wafer 4 is placed on the wafer support 21. The top ring 5 moves toward the second wafer transfer mechanism 15 for the next polishing.

研磨後の半導体ウエハ4がウエハ支持台21に置かれた時点でシャッター23が開き、ウエハ反転機24のウエハ反転用アーム27が回転して半導体ウエハ4上に移動して半導体ウエハ4を吸着する。   When the polished semiconductor wafer 4 is placed on the wafer support 21, the shutter 23 opens, and the wafer reversing arm 27 of the wafer reversing machine 24 rotates and moves onto the semiconductor wafer 4 to attract the semiconductor wafer 4. .

上記の回転により、研磨後の半導体ウエハ4を保持したアーム27が逆回転して、半導体ウエハ4を1次洗浄装置31に渡す。なお、隔壁22の開口22aは半導体ウエハ4を保持したアーム27が通過可能な形状になっている。半導体ウエハ4およびアーム27が開口22aを通過して洗浄部30側に移動した時点でシャッター23が閉じて開口22aを閉塞する。   Due to the above rotation, the arm 27 holding the polished semiconductor wafer 4 rotates in the reverse direction, and passes the semiconductor wafer 4 to the primary cleaning device 31. The opening 22a of the partition wall 22 has a shape that allows the arm 27 holding the semiconductor wafer 4 to pass therethrough. When the semiconductor wafer 4 and the arm 27 pass through the opening 22a and move to the cleaning unit 30 side, the shutter 23 closes to close the opening 22a.

アーム27によって1次洗浄装置31に半導体ウエハ4が渡された後、アーム27は下方に退避する。1次洗浄装置31において、半導体ウエハ4はローラ32により保持されつつ一部のローラ32の回転により回転される。そして、回転している半導体ウエハ4に回転している洗浄用スポンジローラ33が押し当てられ、そこに洗浄水供給管34から洗浄水が供給されて1次洗浄が行われる。   After the semiconductor wafer 4 is transferred to the primary cleaning device 31 by the arm 27, the arm 27 is retracted downward. In the primary cleaning device 31, the semiconductor wafer 4 is rotated by the rotation of some of the rollers 32 while being held by the rollers 32. Then, the rotating cleaning sponge roller 33 is pressed against the rotating semiconductor wafer 4, and cleaning water is supplied from the cleaning water supply pipe 34 to perform primary cleaning.

1次洗浄後の半導体ウエハ4は第3ウエハ搬送機構35に受け取られる。半導体ウエハ4を受け取った後、ウエハ搬送機構35では、ウエハ保持部材37を引っ込めて半導体ウエハ4をウエハ保持台36の上方に移動し、ウエハ保持台36が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材37を再び押し出すことにより半導体ウエハ4を2次洗浄装置40に渡す。   The semiconductor wafer 4 after the primary cleaning is received by the third wafer transfer mechanism 35. After receiving the semiconductor wafer 4, the wafer transfer mechanism 35 retracts the wafer holding member 37 to move the semiconductor wafer 4 above the wafer holding table 36, and the wafer holding table 36 is lowered while rotating, and the wafer holding member 37. The semiconductor wafer 4 is transferred to the secondary cleaning device 40 by pushing out again.

2次洗浄装置40において、ウエハ保持台41によって半導体ウエハ4を回転させながら洗浄水供給管44から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポンジ43を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ43を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ42の回転数を高くしてウエハ保持台41を高速で回転させ半導体ウエハ4のスピン乾燥を行う。   In the secondary cleaning device 40, the cleaning water is supplied to the wafer surface from the cleaning water supply pipe 44 while rotating the semiconductor wafer 4 by the wafer holding table 41, and the cleaning sponge 43 is pressed to perform cleaning. After cleaning, the sponge 43 is withdrawn, the supply of cleaning water is stopped, the rotational speed of the rotary motor 42 is increased, the wafer holder 41 is rotated at a high speed, and the semiconductor wafer 4 is spin-dried.

2次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ4を再び第3ウエハ搬送機構35のウエハ保持部材37が受け取り、ウエハ保持台36の上方に半導体ウエハ4を移動させた後、ウエハ保持台36が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材37が押し出されて研磨済みウエハカセット45に半導体ウエハ4を収納する。   The wafer holding member 37 of the third wafer transfer mechanism 35 receives the semiconductor wafer 4 that has been subjected to the secondary cleaning and drying again, and moves the semiconductor wafer 4 above the wafer holding table 36, and then the wafer holding table 36 rotates. The wafer holding member 37 is pushed out and the semiconductor wafer 4 is stored in the polished wafer cassette 45.

以上の工程で研磨および洗浄が行われる間に研磨部2と洗浄部30が隔壁22とシャッター23で仕切られていることにより、研磨部2で発生する研磨砥液の飛沫や研磨粉が洗浄部30に入ることを防いでいる。この構造に合わせて排気ダクト46,47を含む排気系統が研磨部2と洗浄部30から個別に排気できるように設けられている。又、研磨部の圧力を洗浄部の圧力より低く保持することによって隔壁のシャッターを省略することもできる。   The polishing unit 2 and the cleaning unit 30 are partitioned by the partition wall 22 and the shutter 23 while the polishing and the cleaning are performed in the above-described process, so that the polishing abrasive liquid droplets and the polishing powder generated in the polishing unit 2 are cleaned. To prevent entering 30. In accordance with this structure, an exhaust system including exhaust ducts 46 and 47 is provided so that exhaust can be performed separately from the polishing unit 2 and the cleaning unit 30. Moreover, the shutter of the partition wall can be omitted by keeping the pressure of the polishing section lower than the pressure of the cleaning section.

本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を示す立面図である。1 is an elevation view showing an embodiment of a semiconductor wafer polishing apparatus according to the present invention. 本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を示す平面図である。1 is a plan view showing an embodiment of a semiconductor wafer polishing apparatus according to the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 筐体
2 研磨部
3 ターンテーブル
5 トップリング
6 研磨機構
7 研磨布
8 トップリングヘッド
12 供給機構
13 第1ウエハ搬送機構
14 ウエハ反転機
15 第2ウエハ搬送機構
17 ウエハカセット
22 隔壁
23 シャッター
24 ウエハ反転機
30 洗浄部
31 1次洗浄装置
35 第3ウエハ搬送機構
40 2次洗浄装置
45 研磨済みウエハカセット
46,47 排気ダクト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Housing | casing 2 Polishing part 3 Turntable 5 Top ring 6 Polishing mechanism 7 Polishing cloth 8 Top ring head 12 Supply mechanism 13 1st wafer conveyance mechanism 14 Wafer reversing machine 15 2nd wafer conveyance mechanism 17 Wafer cassette 22 Bulkhead 23 Shutter 24 Wafer Inversion machine 30 Cleaning unit 31 Primary cleaning device 35 Third wafer transfer mechanism 40 Secondary cleaning device 45 Polished wafer cassette 46, 47 Exhaust duct

Claims (26)

側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、該筐体は矩形の平面形状を有しており、研磨前の半導体ウエハを収容するカセットと研磨後に洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収容するカセットが該筐体の同一側面側に置かれるようにされ、前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けたことを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。 A polishing unit for polishing a semiconductor wafer and a cleaning unit for cleaning and drying the semiconductor wafer are housed in a housing having a side wall, and a partition for separating the polishing unit and the cleaning unit is provided. A semiconductor wafer polishing apparatus provided with a transfer mechanism for transferring a polished semiconductor wafer from the polishing unit to the cleaning unit through an opening, the housing having a rectangular planar shape, An exhaust system for exhausting from the polishing part separated by the partition, wherein a cassette for storing semiconductor wafers and a cassette for storing semiconductor wafers cleaned and dried after polishing are placed on the same side of the housing. semiconductor wafer polishing apparatus characterized by comprising. 前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ研磨装置。   2. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, further comprising a shutter for opening and closing the opening of the partition wall. 前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体ウエハ研磨装置。   The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing unit includes a turntable. 前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする請求項3記載の半導体ウエハ研磨装置。   4. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 3, wherein the turntable is connected to a motor. 前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。   The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing unit includes a top ring for holding the semiconductor wafer. 前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする請求項5記載の半導体ウエハ研磨装置。   6. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 5, wherein the top ring can be moved up and down. 前記トップリングは回転可能であることを特徴とする請求項5又は6記載の半導体ウエハ研磨装置。   The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 5, wherein the top ring is rotatable. 前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。   The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing unit includes an abrasive liquid supply nozzle. 前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。   The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing unit includes a reversing device for the semiconductor wafer. 前記洗浄部は、前記半導体ウエハの1次洗浄を行なう1次洗浄装置と、前記半導体ウエハの2次洗浄を行なう2次洗浄装置とを有する、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。   10. The device according to claim 1, wherein the cleaning unit includes a primary cleaning device that performs a primary cleaning of the semiconductor wafer, and a secondary cleaning device that performs a secondary cleaning of the semiconductor wafer. Semiconductor wafer polishing equipment. 前記1次洗浄装置と2次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備える、請求項10記載の半導体ウエハ研磨装置。   The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 10, further comprising a transfer unit that transfers the semiconductor wafer between the primary cleaning apparatus and the secondary cleaning apparatus. 前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。   12. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, further comprising an exhaust system that exhausts air independently from the polishing unit and the cleaning unit separated by the partition wall. クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって;
側壁を有する筐体と;
前記半導体ウエハを研磨する研磨部と;
前記半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部と;
前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と;
前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統と;
研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え;
前記洗浄部にはスポンジ洗浄と回転乾燥を行う洗浄装置を有し;
前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納されており;
前記筐体は矩形の平面形状を有しており、研磨前の半導体ウエハを収容するカセットと研磨後に洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収容するカセットが該筐体の同一側面側に置かれるようにされたことを特徴とする;
半導体ウエハ研磨装置。
A semiconductor wafer polishing apparatus that can be installed in a clean room;
A housing having side walls;
A polishing section for polishing the semiconductor wafer;
A cleaning section for cleaning and drying the semiconductor wafer;
A partition wall separating the polishing unit and the cleaning unit;
An exhaust system exhausting from the polishing section separated by the partition;
A transport mechanism for transporting the semiconductor wafer after polishing from the polishing unit to the cleaning unit;
The cleaning unit has a cleaning device that performs sponge cleaning and rotary drying;
The polishing section, the cleaning section and the transport mechanism are housed in the housing ;
The casing has a rectangular planar shape, and a cassette for storing a semiconductor wafer before polishing and a cassette for storing a semiconductor wafer cleaned and dried after polishing are placed on the same side of the casing. characterized in that the;
Semiconductor wafer polishing equipment.
前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする請求項13記載の半導体ウエハ研磨装置。 14. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 13, wherein the polishing unit has a turntable. 前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする請求項14記載の半導体ウエハ研磨装置。 15. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 14, wherein the turntable is connected to a motor. 前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。 Semiconductor wafer polishing apparatus according to any one of claims 13 to 15 in the polishing section and having a top ring for holding the semiconductor wafer. 前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする請求項16記載の半導体ウエハ研磨装置。 17. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 16, wherein the top ring is movable up and down. 前記トップリングは回転可能であることを特徴とする請求項16又は17記載の半導体ウエハ研磨装置。 Semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 16 or 17 wherein said top ring is rotatable. 前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする請求項13乃至18のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。 Semiconductor wafer polishing apparatus according to any one of claims 13 to 18, characterized in that the said polishing unit has the abrasive liquid supply nozzle. 前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする請求項13乃至19のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。 Semiconductor wafer polishing apparatus according to any one of claims 13 to 19 in the polishing section and having a reversing machine of the semiconductor wafer. 前記洗浄部は、前記半導体ウエハの1次洗浄を行なう1次洗浄装置と、前記半導体ウエハの2次洗浄を行なう2次洗浄装置とを有する、請求項13乃至20のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。 The cleaning unit includes a primary cleaning device for performing primary cleaning of the semiconductor wafer, and a second cleaning apparatus for performing secondary cleaning of the semiconductor wafer, according to any one of claims 13 to 20 Semiconductor wafer polishing equipment. 前記1次洗浄装置と2次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備える、請求項21記載の半導体ウエハ研磨装置。 The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 21 , further comprising a transfer unit that transfers the semiconductor wafer between the primary cleaning apparatus and the secondary cleaning apparatus. 前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成された、請求項13乃至22のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。 Said partition wall is opening is formed, the transport mechanism was composed of the semiconductor wafer after polishing through an opening of the partition wall so as to convey from the polishing section to the cleaning section, claims 13 to 22 The semiconductor wafer polishing apparatus according to any one of the above. 前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする請求項23記載の半導体ウエハ研磨装置。 24. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 23, further comprising a shutter that opens and closes the opening of the partition wall. 前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする、請求項13乃至24のいずれか1項に記載の半導体ウエハ研磨装置。 Characterized by providing an exhaust system that exhausts independently from the cleaning unit and separated the polishing portion by the partition wall, a semiconductor wafer polishing apparatus according to any one of claims 13 to 24. 記洗浄部においてスポンジ洗浄後、スポンジを待避し、洗浄水の供給を停止し、前記半導体ウエハを回乾燥することを特徴とする請求項13記載の半導体ウエハ研磨装置After the sponge washed before Symbol cleaning unit, and saves the sponge, to stop the supply of the cleaning water, the semiconductor wafer polishing device of claim 13, wherein the said semiconductor wafer rotary translocated dried.
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