JP3646968B2 - マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 - Google Patents
マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3646968B2 JP3646968B2 JP14067898A JP14067898A JP3646968B2 JP 3646968 B2 JP3646968 B2 JP 3646968B2 JP 14067898 A JP14067898 A JP 14067898A JP 14067898 A JP14067898 A JP 14067898A JP 3646968 B2 JP3646968 B2 JP 3646968B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- ring magnet
- dipole ring
- field generator
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/02—Permanent magnets [PM]
- H01F7/0273—Magnetic circuits with PM for magnetic field generation
- H01F7/0278—Magnetic circuits with PM for magnetic field generation for generating uniform fields, focusing, deflecting electrically charged particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、マグネトロンプラズマエッチングやマグネトロンスパッタリングに好適な均一磁場を発生させるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
電気電子工業の分野で行なわれているエッチングやスパッタリングには、従来よりマグネトロンプラズマが利用されている。
マグネトロンプラズマは、マグネトロンプラズマ装置により次のようにして作られる。まず、容器内のプロセスガス(エッチングではハロゲンガス、スパッタリングではアルゴンガスなど)中に電極を挿入して放電することにより気体がイオン化され、二次電子が生じる。
【0003】
この二次電子も気体分子と衝突して気体はさらにイオン化される。このとき、放電により放出された電子及び二次電子は、マグネトロンプラズマ装置の作る磁場と電場によって力を受け、ドリフト運動をする。
このドリフト運動により電子は、次々と気体分子に衝突して気体をイオン化し、そのイオン化の際にまた新たな電子を生み、その電子も気体分子と衝突して気体をさらにイオン化する。マグネトロンプラズマは、このような過程を繰り返すのでイオン化効率が非常に高い。
【0004】
これを図3に示した従来のマグネトロン放電装置を用いたエッチング装置の一例に基づいて説明する。(a)はエッチング装置の縦断面図であり、(b)はこの装置における電子の運動を示した概略説明図である。
平行な電極板10と12の間にウエーハ16が設けられ電極板10の裏面(図では上側)にマグネトロンプラズマ用磁場発生装置(以下、磁場発生装置と略称する。)18が設置されている。
【0005】
電極板10と12の間には通常高周波が印加されるが、図3(a)には電極板10が陽極で電極板12が陰極になった場合の電場の向きを矢印20で示した。
この磁場発生装置18では、ドーナツ状の永久磁石22の穴の中に円盤状の永久磁石24が設けられ、それらをヨーク26でつないでいる。
この磁場発生装置18の作る磁場が電極板10を通ってウエーハ16上に漏洩している様子を磁力線28aおよび28bで示す。
【0006】
漏洩磁場の磁力線28a、28bは、斜視的にみると図3(b)の磁力線30のようであり、ここで、電場の向きが矢印20の向きであるとき、電子32はドリフト運動をしながら無限軌道34を描く。その結果、電子32はウエーハ16の面上付近に束縛され、気体のイオン化を促進する。このため、図3の装置は高密度プラズマを生成することができ、通常の高圧放電方式を用いる場合と比較して2〜3倍の効率が得られるという利点がある。
しかし、電子のドリフト運動に寄与するのは、磁場の電場に垂直な成分である。即ち、図3の場合にはウエーハに対して水平な成分のみが、電子をドリフト運動させて気体をイオン化するのに寄与している。
【0007】
しかし、磁場の水平成分は、図4のように場所により大きく異なり、水平磁場成分の強い領域ほど高密度プラズマが発生する。従って、ウエーハの一部を集中的にエッチングするなど品質上問題が生ずる。さらに、不均一なプラズマのためにウエーハ面内で電位の分布を生じるために(チャージアップ)、素子の破壊を生ずる。図4の横軸rは、プラズマ空間の中心から周辺部へと向かう方向に測った距離、縦軸Bは、距離rでの水平磁場強度である。
【0008】
このような点を解決するために、エッチング用の磁場発生装置には、磁場が均一であることと磁場が水平成分のみであることが望まれている。例えば、均一な水平磁場を得るための装置として、図5のような複数の異方性セグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石が知られている。
図5の(a)は、ダイポールリング磁石の上面図、(b)は、図5(a)のA−B矢視線に沿う縦断面図である。
【0009】
図で示すように、ダイポールリング磁石41は、複数の異方性セグメント磁石40が非磁性の架台42に埋設された構成である。異方性セグメント磁石40の数は、通常8〜32個の間で選ばれ、その断面形状は任意であり、例えば円や正方形や長方形や台形でもよいが、本実施例では、正方形を用いた。
異方性セグメント磁石40の中に描かれた矢印は、この異方性セグメント磁石の磁化の向きを表している。図5のような磁化の向きに配置すると、リング内に矢印43で示した向きの磁場が生成される。
【0010】
ダイポールリング磁石41の内部には電極板36,37とウエーハ38が配置される。
電極板36と37には高周波電圧が印加され、ある瞬間では矢印44の向きに電場が発生する。この電場と磁場との相互作用によって高密度プラズマを発生させる。
このダイポールリング磁石41を磁場発生装置に用いる場合、ダイポールリング磁石の長さ方向の中央部の横断面は、プラズマの生成される空間46の厚さ方向の中央断面C−Dに一致させると良い(図5(b)参照)。
【0011】
即ち、エッチングの場合にはウエーハ38の位置を調整してダイポールリング磁石41の長さ方向の中央断面に合わせる。
これは、ダイポールリング磁石の長さ方向の中央部における磁場均一性の方が端部での磁場均一性よりも良いためと、長さ方向の中央部では、原理的に磁場の水平成分のみ存在するために、中央部をプラズマの生成される空間とした方が、生成されるプラズマをより均一にできるためである。
【0012】
図6に上記ダイポールリング磁石41より成る磁場発生装置(図5)の水平磁場分布を示す。図中の横軸rは、プラズマ空間の中心から周辺部へと向かう方向に測った距離、縦軸Bは、距離rでの水平磁場強度である。また、Lは、図5(b)に示すプラズマ空間46の半径である。
図6と図4を比較すると、従来のものに比べダイポールリング磁石より成る磁場発生装置(図5)の磁場均一性が格段に良いことが分かる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上記磁場発生装置では、ダイポールリング磁石の長さ方向の中央部でプラズマ空間46に均一磁場を得ることができるが、この磁場の均一性を充分良くするためには、リングの長さ[図5(b)のRL]を長くとる必要がある。
しかし、磁場発生装置にダイポールリング磁石を用いる場合には、エッチング装置などに組み込んで使用するので、水平磁場の発生している部分は、磁場発生装置の端面に近い方が好ましい。
【0014】
この理由をマグネトロンエッチング装置の一例の全体図を示す、図7に基づいて説明する。
このマグネトロンエッチング装置は、エッチング室(A)、ウエーハを置くカセット室(B)、カセット室(B)のウエーハをエッチング室(A)へ搬送するアームのあるロードロック室(C)からなる。各室は弁49,49’によって接続される。
【0015】
カセット室(B)に置かれたウエーハ50の一枚が、ロードロック室(C)の搬送アーム54によりエッチング室(A)に運び込まれる。
搬送されたウエーハ52をエッチング室(A)の電極板56に配置した後、試料台58を破線で示すエッチング位置60まで上昇させる。電極板56と62の電界と磁場発生装置の磁界の相互作用によって高密度プラズマを発生させエッチングを行う。このとき入口66からプロセスガスを注入し、出口68から排気する。
【0016】
上記従来のマグネトロンエッチング装置における、従来の磁場発生装置では、均一なプラズマを得るためにダイポールリング磁石61のリング長さRLを長くすると、通常のダイポールリング磁石61では、エッチング位置60はダイポールリング磁石61の中央断面であるので、試料台58を移動するストロークが長くなり機構コストが上昇するなどの問題が生ずる。
このため、ダイポールリング磁石の長さRLをあまり長くすることができず、プラズマ空間における磁場均一性はその分悪くなるという問題があった。
【0017】
また、ダイポールリング磁石による磁場は、従来の装置(図3)によるドーナツ状磁場とは異なり、一方向のみを向いている水平磁場である。
よって、このままでは電子はドリフト運動を行って一方向に進み無限軌道を描かない。それ故、電子ドリフト運動の向きを変えるためにダイポールリング磁石をリングの周方向に沿って回転させる機構が必要である。
一般的な回転機構として、ダイポールリング磁石をベアリングに載せ回転させる方法があるが、この場合、磁場分布に影響を与えないために非磁性体のベアリングを用いると、通常の磁性ベアリングに比べ3倍から5倍も高価であり、装置のコストアップにつながってしまう。
【0018】
本発明の目的は、磁場発生装置に、均一な水平磁場を得ることのできるダイポールリング磁石を使い、試料台の移動距離を短くするために、ダイポールリング磁石の長さ方向の中央断面より下方の平面で充分均一な水平磁場を得ることのできる磁場発生装置を提供することにあり、さらには、この磁場発生装置においてダイポールリング磁石の回転機構に磁性体のベアリングを使用し、装置コストの低減を図ることにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁場発生装置では、リング状に配置されたダイポールリング磁石の上端面もしくはその近傍に磁性体リングを配置している。
磁性体リングは、ダイポールリング磁石が8〜32個のセグメント磁石および架台から構成され、該ダイポールリング磁石の上端面に、直接接触させて配置させてもよく、また間隔を開けて若しくは他の部材を介してダイポールリング磁石の上端面近傍に配置させても良い。また、リング状の磁性体リングをベアリングに内蔵して、ダイポールリング磁石の上端面近傍に配置するようにしても良く、このような機構とすることによりダイポールリング磁石の回転機構を兼ねることもできる。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の磁場発生装置の一実施の形態について図面に基づいて説明する。
図1の(a)は、ダイポールリング磁石の上面図を、(b)は、図1(a)のダイポールリング磁石の上端面の近傍に磁性体リングを配置した状態のA−B矢視線に沿う縦断面図である。
本発明の磁場発生装置は、図1に示すように、異方性セグメント磁石80が非磁性の架台82に埋設されたダイポールリング磁石81の上端面の近傍(または接触して)に配置された磁性体リング90から構成されている。
ダイポールリング磁石に使用される異方性セグメント磁石の数、配置、および断面形状につては通常のダイポールリング磁石(図5)と同様である。
磁性体リング90は、図2の(c)に示すように、ベアリングに内蔵させて、磁性体ベアリング91とし、このベアリング91をダイポールリング磁石の上端面に配置させても良い。
【0021】
図2を用いて、従来のダイポールリング磁石(図5)と本発明の磁場発生装置(図1)による発生磁場の違いを説明する。
図2の(a)は、従来のダイポールリング磁石(図5)のC−D断面での磁束の流れを示しており、破線92は磁力線を表す。同様に、図2の(b)は、本発明のダイポールリング磁石(図1)を用いた場合の磁力線94の流れ方を表している。
図2(a)からわかるように、従来のダイポールリング磁石(図5)では、ダイポールリング磁石の長さ方向の中央断面で水平磁場を得られるため、ダイポールリング磁石の長さ方向の中央断面C−Dと、プラズマの生成される空間46の中央断面とを一致させている。
【0022】
一方、図2(b)のように、本発明の磁場発生装置(図1)においては、水平磁場を発生する位置がリングの下端面に近づいている。
これは、ダイポールリング磁石の上端部において磁性体リング90に流れ込む磁束のために、図2(b)の上下で差が生じ、水平磁場を発生する位置がリングの下端面に近づくからである。
図2の(c)は、磁性体リングを内蔵したベアリングを、ダイポールリング磁石の上端面に配置させた例の縦断面図を示す。この場合も、上記図2(b)と同様に、水平磁場を発生する位置がリングの下端面に近づくとともに、ダイポール磁石の回転を支持するベアリングとしても使用できる。
【0023】
【実施例】
[実施例1]
図1に示す構成の本発明の磁場発生装置を用いて、水平磁場を発生させた。
磁場発生装置に使用した、ダイポールリング磁石81は、長さRLが110mm、一辺40mmの角柱状Nd−Fe−B系磁石からなる16個の異方性セグメント磁石80を用い、ダイポールリング磁石81の上端面には、リング状の外径φ560mm、内径φ510mm、厚さ20mmの鉄製の磁性体リング90を接触状に配置して作動させた。
このとき、ダイポールリング磁石81の上部端面に、磁性体リング90を配置しない場合と比べ、水平磁場を得ることができる面が、ダイポールリング磁石の中央断面より5mm下になった。
【0024】
[実施例2]
実施例1と同じ装置を用い、磁性体リング90に代えて、この磁性体リング90と同じ重量の鉄を内蔵した外径φ560mm、内径φ510mm、厚さ25mmの鉄製の磁性体ベアリング91を、ダイポールリング磁石81の上端面に配置させて作動させた。
このとき、水平磁場を得ることができる面は、ダイポールリング磁石の中央断面より5mm下になった。また、磁性体ベアリング91は、ダイポールリング磁石の回転機構のベアリングとして、問題なく使用できた。
【0025】
【発明の効果】
本発明の磁場発生装置によれば、マグネトロンプラズマ用磁場発生装置に発生させる均一磁場の位置を従来のものと比べて下方に移すことができ、また、ダイポールリング磁石の回転機構として磁性体リングを内蔵したベアリングを使用できるので、本発明の磁場発生装置を、エッチングあるいはスパッタリング装置に使用した場合、搬送系と回転機構のコストダウンが図れるという大きな利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るダイポールリング磁石のよりなる磁場発生装置の説明図であり、(a)は、ダイポールリング磁石の上面図を、(b)は、図1(a)のダイポールリング磁石の上端面の近傍に磁性体リングを配置した状態のA−B矢視線に沿う縦断面図である。
【図2】ダイポールリング磁石が発生する磁力線図を示す図であり、(a)は、従来のダイポールリング磁石(図5)のC−D断面での磁束の流れを示し、(b)は、本発明のダイポールリング磁石を用いた場合の磁力線の流れ方を示している。また(c)は、磁性体リングを内蔵したベアリングをダイポールリング磁石の上端近傍に配置した例の縦断面図を示す。
【図3】従来の磁場発生装置から成るマグネトロンプラズマ装置を説明するため概略説明図であり、(a)はエッチング装置の縦断面図、(b)はこの装置における電子の運動を示した概略説明図である。
【図4】図3の従来の磁場発生装置が発生する水平磁場の強度分布を表すグラフ。
【図5】通常のダイポールリング磁石のより成る磁場発生装置を説明するための概略説明図であり、(a)は、ダイポールリング磁石の上面図、(b)は、図5(a)をC−D矢視線に沿う横断面図である。
【図6】ダイポールリング磁石を用いた磁場発生装置が発生する磁場分布を表す図。
【図7】マグネトロンプラズマエッチング装置の概略説明図。
【符号の説明】
10,12,36,37,56,62,76,77 電極板
16,38,50,78 ウエーハ
18 磁場発生装置 20,44,84 電場の向き
22,24 永久磁石 26 ヨーク
28a,28b,30,92,94 磁力線
32 電子 34 電子の無限軌道
40,80 異方性セグメント磁石
41,61,81 ダイポールリング磁石
42,82 架台 43,83 磁化の向き
46,86 プラズマ空間 54 搬送アーム
49,49’ 弁 58 試料台
60 エッチング装置 66 入口
68 出口 80 異方性セグメント磁石
90 磁性体リング 91 磁性体ベアリング
Claims (2)
- 複数の柱状の異方性セグメント磁石が、リング状に配置されたダイポールリング磁石を備えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置であって、ダイポールリング磁石が8〜32個のセグメント磁石および架台から構成され、該ダイポールリング磁石の上端面もしくはその近傍に磁性体リングを配置したことを特徴とするマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。
- 前記磁性体リングがベアリングに内蔵されてなる請求項1記載のマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14067898A JP3646968B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 |
US09/684,323 US6377149B1 (en) | 1998-05-22 | 2000-10-10 | Magnetic field generator for magnetron plasma generation |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14067898A JP3646968B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 |
US09/684,323 US6377149B1 (en) | 1998-05-22 | 2000-10-10 | Magnetic field generator for magnetron plasma generation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11329788A JPH11329788A (ja) | 1999-11-30 |
JP3646968B2 true JP3646968B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=26473120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14067898A Expired - Fee Related JP3646968B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6377149B1 (ja) |
JP (1) | JP3646968B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19652969C1 (de) * | 1996-12-19 | 1998-04-02 | Burkhardt Leitner | Tragwerk mit Verbindungsknoten und Streben |
WO2002021585A1 (fr) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Generateur de champ magnetique pour plasma de magnetron, appareil de gravure au plasma et procede utilisant ledit generateur de champ magnetique |
US7091412B2 (en) * | 2002-03-04 | 2006-08-15 | Nanoset, Llc | Magnetically shielded assembly |
US7593184B2 (en) * | 2005-10-24 | 2009-09-22 | Seagate Technology Llc | Rotating write field generated by circulating domain walls in a magnetic ring: a DC-driven high-frequency oscillator |
CN102915902B (zh) * | 2011-08-02 | 2015-11-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3059156A (en) * | 1957-06-19 | 1962-10-16 | Moriya Saburo Miyata | Means for controlling magnetic fields |
US4265729A (en) * | 1978-09-27 | 1981-05-05 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetically enhanced sputtering device |
US5252178A (en) * | 1992-06-24 | 1993-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP14067898A patent/JP3646968B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-10 US US09/684,323 patent/US6377149B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6377149B1 (en) | 2002-04-23 |
JPH11329788A (ja) | 1999-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100321536B1 (ko) | 자전관스퍼터링또는자전관에칭용쌍극자고리자석 | |
US5659276A (en) | Magnetic field generator for magnetron plasma | |
JP2899190B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用永久磁石磁気回路 | |
JP2004104095A (ja) | マグネトロンプラズマエッチング装置 | |
JP4817592B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置、この磁場発生装置を用いたプラズマエッチング装置及び方法 | |
JP3646968B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
WO2009154213A1 (ja) | マグネトロンスパッタ方法及びマグネトロンスパッタ装置 | |
JP5077752B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
JP3957844B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JP2952147B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JP2879302B2 (ja) | マグネトロンプラズマエッチング用磁場発生装置 | |
JP4680352B2 (ja) | スパッタリング装置および成膜方法 | |
JP3115243B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生用磁石 | |
JP4489868B2 (ja) | カソード電極装置及びスパッタリング装置 | |
JPH07201831A (ja) | 表面処理装置 | |
JP2756911B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JPWO2019167438A1 (ja) | マグネトロンスパッタリングカソードおよびそれを用いたマグネトロンスパッタリング装置 | |
JP2756912B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JP3169562B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JP2756910B2 (ja) | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 | |
JPH06212420A (ja) | スパッタ及びエッチング方法 | |
JPH07157874A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
JP4223143B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH0715900B2 (ja) | ドライプロセス装置 | |
JP2000219965A (ja) | スパッタ装置用磁気回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110218 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110218 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |