JP3631278B2 - スパッタリング装置及び方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は薄膜形成に用いられるスパッタリング装置に関し、特に磁性体のターゲットを使ったマグネトロン方式のスパッタリングを行う場合に有効な装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、磁気記録の分野において、金属磁性薄膜を用いた磁気ヘッドや金属膜媒体が用いられている。これらの薄膜を形成するには、通常、磁性体合金ターゲットを用いた成膜速度の速いスパッタリング装置が用いられる。また、光磁気記録媒体の作成においても、磁性体合金ターゲットを用いて高速スパッタリング方法によって膜を形成するのが一般的である。
【0003】
特に、磁気ヘッド用の磁性薄膜を形成する場合には、強い磁界を発生させるために飽和磁束密度の大きいFeやCoの合金膜を数μmの厚さに形成する必要があり、工業的には高速のスパッタリングが必須となっている。さらに最近では、FeZrやFeTaの合金ターゲットを用いて、窒素や酸素ガスをアルゴンガスと混合して反応性スパッタで成膜する方法が用いられている。
【0004】
一般に、高速スパッタを行う場合には、ターゲットの表面に、ターゲット表面に平行な磁界をかけて電子をサイクロトロン放電させることにより高密度のプラズマを作り出すことにより、高速成膜を行うマグネトロンスパッタが通常用いられている。これに対して、磁界をかけないスパッタリングはコンベンショナルスパッタといわれる。
【0005】
上記の磁界を発生させる方法としては、ターゲットの裏側に永久磁石を配置する方法や、電磁石を用いる方法が知られている。
しかしながら、磁性体のターゲットを使用する場合、非磁性体のターゲットを使用するときに使用した磁界発生手段をそのまま用いても、使用するターゲット自体が磁性体であるために、磁束がターゲット内を通り、ターゲット表面には弱い磁界しかあらわれないことになる。この結果、上記のマグネトロンスパッタとはならず、コンベンショナルスパッタと同様なスパッタとなってしまう。そのために、磁性体のターゲットを用いる場合には、強力な磁石を用いるか、ターゲットの厚みを薄くして磁界を漏れやすくしてやる必要がある。
【0006】
上記したように、磁性体の合金をターゲットとして用いるスパッタリング装置においては、高速の成膜を得るために、強力な磁石を用いるかターゲットの厚みを薄くして磁界を漏れやすくしてやるような工夫が必要である。
【0007】
しかしながら、発明者は、このようなスパッタリングの方法であると、同一ターゲットでも厚さを変えた場合や、エロージョン(浸食)が進行した場合に、形成された磁性膜の組成が変化することを見出だした。
【0008】
即ち、図5には、ターゲット使用量と膜組成(Fe/Zr)の関係(白丸によるプロット)と、ターゲット使用量と放電電圧(ターゲットとアース間の電圧Vdc) の関係(黒丸によるプロット)を示している。この結果によると、ターゲットの使用時間が長くなるに連れて形成される膜組成が変化している。また、ターゲットの使用時間が長くなるに連れて放電電圧Vdcが低下している。
【0009】
膜の組成と磁気特性とは密接な関係があり、上記のような組成変動があれば安定した磁性膜が得られないことになる。また放電電圧Vdcの変動は、スパッタリング速度に影響を与えることになる。
【0010】
[この発明の前提となる技術]
そこでこの発明者は、磁性体のターゲットを用いた高速スパッタリングにおいても組成変動が少なく安定した磁性膜を形成することができるスパッタリング装置を実現しようとした。
【0011】
この実現のために発明者は、ターゲットの表面に磁界を発生させる磁界発生手段と、前記ターゲットとアース間に与えられている放電電圧を検出して、この放電電圧が所定の値に維持されるように前記磁界を外部から調整する磁界調整手段とを備える装置を試作して実験を行った。この手段によると、放電電圧を所定値に維持することにより、ターゲットの変化状況に応じた磁界を形成することになり、膜組成の変動をほぼ抑え、かつ、スパッタリング速度を高速に維持することができた。
【0012】
以下、その装置について説明する。
図6は、上記のスパッタリング装置の構成を示している。
100はチャンバーであり、使用時には排気口を通じ真空状態とされ、放電をえるためのアルゴンガス等が封入される。チャンバー100内部の一方の面には、テーブル101が軸102により支持され回転自在に配置されている。このテーブル101には、スパッタにより成膜を得るための基板111、112、113が搭載されている。
【0013】
上記テーブル101に対向した位置には、ターゲット300がバッキングプレート201の上面に支持されている。バッキングプレート201は、容器202の開口の蓋の如く取り付けられており、この容器202内には、冷却水を注入しまた抜き取ることができる。さらに容器202の内部には、バッキングプレート202の裏側に対向する、例えば永久磁石401が配置されている。永久磁石401は、例えばサマリウムコバルトであり、ターゲット300に対向した回転平面の中央は例えばN極、外周はリング状にS極となっている。この永久磁石401を支持した軸402は、容器202の底を通して外部に導出されており、この軸402は駆動機構に関連されている。また容器202の外周の鍔部は、絶縁体104を介してチャンバー100の側壁に設けられた開口部に取り付け固定されている。
【0014】
105はアノードリングであり、ターゲット300の周囲を囲むように設けられており、アルゴン分子がバッキングプレート等に衝突するのを遮蔽している。
次に、上記軸402の駆動機構について説明する。
【0015】
駆動機構を構成するスライド板411は、その長手方向中間部に軸402の端部を固定されており、スライド板411の一方端部は、ガイド棒412により支持され、他方端部は、ねじ穴を有し、ここにねじ棒413が螺合された状態となっている。ねじ棒413は、チャンバー100に固定された固定支持具414に回転自在に取り付けられている。この結果、ねじ棒413に設けられたハンドル415を操作して、ねじ棒413を回転させれば、スライド板411を移動(図の場合上下)可能である。つまり、磁石401をターゲット300に近付けたり離したりすることができる。磁石401とターゲットバッキングプレート201との距離は1mm〜21mmまで変更できるようになっている。尚、各部品間には黒丸で示すようにoリングが設けられ機密性が保たれている。
【0016】
501は、マイナスの電圧をターゲット300側に供給するための交流電源である。なお電源としては直流であってもよい。また502は、放電電圧、つまりターゲットとアース間の電圧を計測して表示することができる計測及びインジケータである。
【0017】
上記のようにこのスパッタリング装置は、永久磁石401をターゲット300に対して近付けたり離したりすることができる。このことは、ターゲット300の表面に生じる磁界の強さを制御することを意味する。さらにこのことは、後述する説明から理解できるように、ターゲット周辺のプラズマ放電密度を制御すること、放電電圧を制御すること、ひいては膜組成を制御することにつながる。
【0018】
次に実験により検証した結果を説明する。
図7には、上記の装置を使用して実験を行った場合のスパッタリング条件を記載した説明図を示している。FeZrCrの合金ターゲットを用いて、アルゴンと窒素の混合ガスを用いてスパッタリングした場合を取り上げている。
【0019】
組成分析は、アズ・デポジションの膜(成膜したままの膜)について、蛍光X線分析装置を用いた。
スパッタリングは、ハンドル415を回転させることにより、磁石とターゲットとの距離を調整し、ターゲットとアース間の直流電圧Vdcを所定の値にしてスパッタを行った。
【0020】
図8、図9は、膜中のFeとZrの比および窒素NとZrの比を、Vdcに対してプロットしたものである。この図からわかるようにFe/Zrは、Vdcの減少に伴って増大し、その傾向はターゲット直上(X=0)の位置の方が、直上から離れた位置よりも激しい。また、図9は、膜中のN/Zrを同様にプロットしたものであり、Fe/Zrと同様の傾向を示していることがわかる。
【0021】
このように同一ターゲットを用いてガスやパワーを同一条件としても、Vdcを変えることにより、出来上がる膜の組成はVdcの変化に対応して変わる。
一方、図10の実験結果は、磁石位置を一定にして、ターゲット表面に平行な方向のターゲット表面磁界と、Vdcの関係をプロットして示している。この図からわかるようにターゲット表面の漏れ磁界が大きい程、Vdcはさがる。
【0022】
上記した実験結果から、磁性体ターゲットを用い、通常のスパッタ装置でマグネトロンスパッタリングを行うと、膜組成がスパッタ毎に一様に変化する(図5に示した)現象は、次のように解釈される。即ち、磁性体ターゲットは、スパッタすれば浸食され、厚みが薄くなる。すると通常のスパッタリング装置ではターゲット裏面の磁石位置は固定されているからターゲット表面の磁界の強さは使用毎に増大し、その結果、図10に示したようにVdcが低下する。このVdcの低下に伴って、図8、図9で示したように膜の組成が変動する。
【0023】
このような膜組成の変動を抑えるためには、図8、図9の特徴を見ると、Vdcを十分大きくすれば組成変動が少ないので、ターゲット厚さや磁石固定位置を調整してVdcの大きい領域でスパッタリングを行うということも考えられる。しかし、これであると図11に示すようにスパッタリング速度とVdcの関係をみてわかるようにVdcが大きいと電力が同じである場合、スパッタリング速度は急激に減少するため生産性が低下し、実用的ではない。
【0024】
【発明が解決しようとする手段】
上述した実験からVdcを一定にすればターゲットエロージョンが進行しても、膜の組成は一定に保たれると期待される。しかしながら、図6のスパッタリング装置を用いてVdcを500Vに固定してスパッタリングしたところ、ターゲット使用時間が増すにつれて、少しずつZr が減少することを筆者は見出だした。
【0025】
図12は、この変化の様子をプロットして示している。この実験では、ターゲットの初期厚さは5mmであるが、30H後ではターゲットはφ52mmを中心としたリング状の領域が他の領域より深く浸食されて、そのリング領域の最も薄い部分では厚さ2mm程度になっていた。
【0026】
この浸蝕の原因は以下のように考えられる。
ターゲットエロージョンが進行すると、表面が初期の表面に対して平行ではなく、比較的急俊な谷ができる。放電のダークスペースは、図13に示すように凹凸の表面に従って凹凸となる。ターゲット谷部の電界は、谷部の斜面に垂直な方向となるために、電荷ガスイオンはこの電界に平行となる。
【0027】
図14に示すように、ターゲット直下に置いた基板に入射する粒子の、ターゲット表面での放出角(θ2)はターゲット初期の放出角(θ1)と比べて小さくなる。即ち、ターゲット直下に置いた基板に対する入射角は、エロージョンの進行とともに徐々に小さくなる。
【0028】
図8でわかるようにVdcが一定であっても放出角が小さいほどFe /Zr 比は大きくなるから、ターゲット直下に置いた基板に堆積する膜のFe /Zr 比は、エロージョンの進行ととともに段々大きくなる。したがってVdcを一定にしてもターゲット直下に置いた基板の膜組成はエロージョンの進行とともに変化することになる。
【0029】
そこでこの発明は、磁性体合金ターゲットでの高速スパッタにおいて、組成変動が少ないスパッタリング装置とその使用方法を提供することを目的とするものである。
【0030】
【課題を解決するための手段】
この発明は、直流スパッタまたは交流スパッタを行うマグネトロンスパッタリング装置であって、ターゲットとアース間の電圧Vdcが所望の値になるように前記ターゲットの表面の磁界の強さを調整する手段を有し、前記ターゲットの使用量に応じて前記電圧Vdcをターゲット使用初期の値よりも徐々に大きくなるように制御する手段を備えるものである。
【0031】
【作用】
上記の手段により、ターゲットのエロージョンの度合いを検出し、使用にあってはエロージョンの進行に応じてVdcを徐々に大きくし、膜組成を一定に保つことができるようになる。
【0032】
【実施例】
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
この発明の第1の実施例の試みとして、装置は図1に示すような装置を用い、ターゲットとしては、Fe Zr Cr の5mmの厚さの新品ターゲットを用いた。このスパッタリング装置は、Vdcの調整手段1000を設けている。
【0033】
今、Vdcを500Vに固定して、ターゲット直上に配置した基板に、図7に示したようなスパッタ条件で、磁性膜を7.5分成膜して2μm厚さとし、組成を調べたところ、Fe /Zr は14.5であった。次に投入電力を300Wに保ちターゲットのエロージョンを進行させ、20H(時間)後に再び2μm厚さとし、組成を調べたところFe /Zr は16.0となった。同時にN/Zr も増大しており、エロージョン進行に伴って同一VdcでもZr が飛びにくくなっていることがわかった。
【0034】
次に、このターゲットを用いてVdcを550Vまで上げたところ、ターゲット初期のVdc=500Vと同じFe /Zr =14.5、N/Zr =4.2に戻った。
【0035】
Vdc=500Vを保ちながらさらに10Hターゲットを使用し、次にVdc=500Vで2μm厚さに成膜して組成を調べたところ、Fe /Zr は17.0となった。次にVdcを630Vにして2μm厚さに成膜して組成を調べたところFe /Zr は14.5、N/Zr は4.2になった。この様子を図2に示している。
【0036】
上記のように、ターゲットエロージョンが進行するにつれて、Vdcを500V→550V→600Vに変更することにより、Fe /Zr 、N/Zr もターゲット使用初期の組成と同一にすることができた。
【0037】
上記の実施例は、ターゲットの使用時間に応じて、Vdcを可変する方式であり、タイマーを用いて時間に応じて自動可変してもまたマニアルであってもよい。Vdcが所望の値になるようにターゲットの表面の磁界の強さを調整し、ターゲットの使用量に応じて電圧Vdcをターゲット使用初期の値よりも徐々に大きくなるように制御している。
上記したようにターゲットの使用時間毎にVdcを調整して磁性膜の組成を一定に保つことができるが、ターゲットのエロージョンの程度をモニタするにはターゲット使用時間や積算電力だけでなく、他にも方法がある。
【0038】
例えばターゲットエロージョンが進行した場合、Vdcを一定に保とうとしてターゲット裏面の磁石をターゲットから遠ざけると、磁石とターゲット間の漏れ磁界が変化する。したがってこのことを利用して、この磁界を図3に示すように、ホール素子等の磁気センサー1001で測定すれば、ターゲットエロージョン進行の程度を知ることができる。磁気センサー1001で検出した磁界の強さと、組成の対応を一度調べておくことにより、磁気の強さに対応したVdcにVcd調整手段1000で設定してスパッタリングを行えばよい。また自動的にVdcが設定されるようにフィードバック系統を設けてもよい。図3において、他の部分は先の図1の装置と同じであるから同一符号を付して説明は省略する。
【0039】
図4はターゲットエロージョンの進行程度を検出する別の方法を示している。この実施例は、磁石の裏面に歪みセンサー1005を取り付け、ターゲットと磁石が引き合う力による磁石の変化を検出する方法である。歪みセンサー1005の指示値と組成の対応を一度調べておけば、このセンサー1005の指示値に対応したVdcに設定をVcd調整手段1000で行いスパッタを行えばよい。また自動的にVdcが設定されるようにフィードバック系統を設けてもよい。
【0040】
さらにまた、磁石を支持する軸402とその軸受けとの間に圧力センサー1006を取り付け、ターゲットと磁石が引き合う力がターゲットの使用に応じて変化することを利用し、ターゲットとエロージョンの進行程度を検出するようにしてもよい。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したようにこの発明によれば、磁性体合金ターゲットを使用したマグネトロンスパッタにおいて、ターゲットエロージョンの進行に伴ってVdcを増大させることにより成膜の組成変動を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による装置を示す図。
【図2】この発明を説明するために示したターゲット積算使用時間と膜組成の関係を示す図。
【図3】この発明の他の実施例による装置を示す図。
【図4】この発明のさらに他の実施例による装置を示す図。
【図5】ターゲット使用量と膜組成(Fe/Zr)の一般的な関係の説明図。
【図6】この発明の前提となるスパッタリング装置を示す図。
【図7】図6の装置の実験を行ったときのスパッタ条件の説明図。
【図8】放電電圧Vdcと膜組成(Fe/Zr)の関係の説明図。
【図9】同じく放電電圧Vdcと膜組成(N/Zr)の関係の説明図。
【図10】ターゲット表面磁界と放電電圧Vdcとの関係の説明図。
【図11】放電電圧Vdcと成膜速度の関係の説明図。
【図12】ターゲット使用時間と膜組成(Fe/Zr)の関係の説明図。
【図13】ターゲットエロージョンが進行した状態を示す説明図。
【図14】ターゲットエロージョンが進行したときのターゲット表面の谷の状態を示す図。
【符号の説明】
100…チャンバー、101…テーブル、111〜113…基板、201…バッキングプレート、202…容器、300…ターゲット、401…磁石、402…軸、411…スライド板、412…ガイド棒、413…ねじ棒、414…固定支持具、415…ハンドル、501…交流電源、502…計測及びインジケータ。
Claims (6)
- 直流スパッタまたは交流スパッタを行うマグネトロンスパッタリング装置であって、
ターゲットとアース間の電圧Vdcが所望の値になるように前記ターゲットの表面の磁界の強さを調整する手段を有し、さらに前記ターゲットの使用量に応じて前記電圧Vdcをターゲット使用初期の値よりも徐々に大きくなるように制御する手段を具備したことを特徴とするスパッタリング装置。 - 直流スパッタまたは交流スパッタを行うマグネトロンスパッタリング装置であって、
ターゲットとアース間の電圧Vdcを検出する手段と、
前記Vdcが所望の値になるように前記ターゲットの表面の磁界の強さを調整する手段と、
前記使用量に応じて前記電圧Vdcをターゲット使用初期の値よりも徐々に大きくなるように制御する手段と
を具備したことを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記ターゲットの概略使用量を検出する手段は、ターゲット裏面の磁石と前記ターゲット間の漏れ磁界が変化するのを検出する磁気センサーを有したことを特徴とする請求項2記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲットの概略使用量を検出する手段は、ターゲット裏面の磁石と前記ターゲットとが引き合う力により、前記磁石の変化を検出する歪みセンサーを前記磁石に取り付けていることを特徴とする請求項2記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲットの概略使用量を検出する手段は、前記ターゲットの裏面の磁石を支持する軸と、その軸受けとの間に設けられ、前記磁石と前記ターゲットとが引き合う力を検出する圧力センサーを有したことを特徴とする請求項2記載のスパッタリング装置。
- 直流スパッタまたは交流スパッタを行うマグネトロンスパッタリング方法において、ターゲットとアース間の電圧Vdcが所望の値になるように前記ターゲットの表面の磁界の強さを調整し、さらに前記ターゲットの使用量に応じて前記電圧Vdcをターゲット使用初期の値よりも徐々に大きくなるように制御することを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04184395A JP3631278B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | スパッタリング装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04184395A JP3631278B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | スパッタリング装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08239764A JPH08239764A (ja) | 1996-09-17 |
JP3631278B2 true JP3631278B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3631278B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022006497A (ja) * | 2020-06-24 | 2022-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
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- 1995-03-01 JP JP04184395A patent/JP3631278B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH08239764A (ja) | 1996-09-17 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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