JP3630305B2

JP3630305B2 - 音響ミラーおよびその製造方法

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Publication number: JP3630305B2
Application number: JP2001527433A
Authority: JP
Inventors: アイグナー，ローベルト; エルブレヒト，リューダー; マルクシュタイナー，シュテファン; ゼンガー，アンネッテ; ヨルクティム，ハンス
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 2000-09-28
Publication date: 2005-03-16
Anticipated expiration: 2020-09-28
Also published as: US6542054B2; JP2003531392A; EP1219028A1; EP1219028B1; US20020154425A1; ATE297068T1; DE19947081A1; DE50010475D1; WO2001024361A1

Description

本発明は、限定周波数領域の音響波を反射する音響ミラーに関するものである。
【０００１】
このような音響ミラーは、例えば「薄膜バルク音響共鳴装置梯子フィルターの感度分析」１９９７年、７３７頁（Ｂ．Ｏｌｕｔａｄｅｅｔａｌ．，ＩＥＥＥＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＦｒｅｑｕｅｎｃｙＣｏｎｔｒｏｌＳｙｍｐｏｓｉｕｍ１９９７，７３７）において記述されている。音響ミラーは、交互に高低の音響インピーダンスを有する薄膜の堆積から構成されている。薄膜の厚さは、例えば、各薄膜で反射するべき音響波の波長の１／４である。音響ミラーを他の構成素子と共にチップに集積できるように、音響ミラーの製造は、シリコンプロセス技術とできるだけ互換性があるのが好ましい。
【０００２】
「層間絶縁膜の表面平坦化のための窒化物マスク研磨（ＮＭＰ）技術」１９９２年、５３３頁（Ｙ．Ｈａｙａｓｈｉｅｔａｌ．，Ｅｘｔ．Ａｂｓｔｒ．ｏｆｔｈｅ１９９２Ｉｎｔ．Ｃｏｎｆ．ｏｎＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ，Ｔｓｕｋｕｂａ（１９９２）５３３）から、硼素・リンけい酸ガラス（ＢＰＳＧ）が、隆起したセルアレイとメモリーセル配列の周辺部とを被覆しており、この硼素・リンけい酸ガラスの層をできる限り平坦な面で実現するために、窒化シリコンの阻止層を、周辺部上にあるＢＰＳＧ層の１部分上に付着させ、続いて化学機械研磨によって平坦化することが周知である。平坦化の前に、セルアレイの上のＢＰＳＧから成る層の１部は隆起している。この部分は、平坦化の時に、阻止層によって、周辺部上のＢＰＳＧ層の部分に対して選択的に除去される。
【０００３】
本発明の課題は、シリコンプロセス技術と互換性のある音響ミラーの製造方法と、従来技術と比較して特に高い反射率を示すことができる音響ミラーを提供することである。このような音響ミラーの製造方法をさらに説明する。
【０００４】
本課題は、請求項１による音響ミラーと、請求項７による音響ミラーの製造方法とによって解決される。
【０００５】
本発明の実施形態はさらに従属請求項に基づく。
【０００６】
音響ミラーの層の音響インピーダンス間の差が大きければ大きいほど、反射率は一層高くなる。金属層は、特に高いインピーダンスを示す。金属層の使用により、音響ミラーの反射率は特に高いこともある。
【０００７】
音響波は、絶縁層と金属層とから構成されている１つの堆積によって反射される。層の厚さによって満たされる反射条件は、例えば、特定の角度で基板に入射する特定の周波数の音響波を、層が特によく反射するということである。
【０００８】
絶縁層、および金属層の厚さは、それぞれ基本的にはλ／４であるのが好ましい。このとき、λは、各層における音響波の波長である。この波長は、基板に直角に入射すると、特によく反射される。波の同じ周波数において、波長は、インピーダンスと、波が通過する材料の特定の厚さとに依存している。
【０００９】
絶縁層は、低い音響インピーダンスを示す。一方、金属層は高い音響インピーダンスを示す。従って、金属層の厚さは、等しいのが好ましい。絶縁層にも同じことが該当する。しかし、絶縁層および金属層の厚さは通例は異なる厚さである。
【００１０】
堆積の最下層は、例えば絶縁層の１つである。
【００１１】
堆積の最上層は、金属層の１つであるのが好ましい。
【００１２】
堆積の層は、基本的には同様に付着される。
【００１３】
堆積の層の相互に隣り合う層は、相互に境界を接しているのが好ましい。相互に隣り合う層の間に、層と比較して大変薄い、拡散バリアなどの中間層が配列されていることもある。
【００１４】
金属層は、少なくとも１つの窪みに生成されているので、基板よりも小さな水平面を示す。金属層が基板全面を被覆している音響ミラーと比較すると、金属層によって構成されている音響ミラーの容量はより小さい。
【００１５】
基板全面を覆っている金属層は、高い層応力のため、基板の湾曲を生じる。金属層が厚ければ厚いほど、基板の湾曲は一層強い。本発明による音響ミラーでは、金属層が基板全面を覆っているのではなく、１つまたは複数の窪みにだけ配置されているので、基板の湾曲を回避できる。
【００１６】
金属層は、それぞれまず全面的に析出される。続いて、化学機械研磨によって、金属層が各付属する窪みの内側に配置されるように形成される。化学機械研磨によって、金属は、フォトリソグラフィープロセスによってエッチングするよりも、よりよく形成される。この理由は、金属層が全面的に析出された後に基板が湾曲するからであり、この湾曲がフォトリソグラフィープロセスにおける問題に繋がる。例えば、強く湾曲すると、マスクの調節のための整合マークが見えなくなる。その上、基板が湾曲すると、フォトレジストからマスクを生成するための感光において、明瞭に結像することは、もはや不可能である。本発明による方法では、窪みはフォトリソグラフィー法によって、金属層の析出前に、つまり湾曲していない基板において生成される。窪みの形が金属層の形を決定する。
【００１７】
本方法で、同様に基板上に生成される接点または導線を、補助層を対応させて形成し、このとき生成された窪みもしくは接点穴を、金属層の析出と化学機械研磨とにより充填することにより、同時に生成することが可能である。ここでも、湾曲していない基板において必要なリソグラフィーが行われる。
【００１８】
金属層を囲む補助層を備えることにより、金属層が配置されている領域と、金属層の近くに配置されている領域との間に、高さの違いは全くない。または金属層がエッチングによって形成されると仮定した場合よりも、高さの違いは小さい。つまり、本発明による方法では、位相問題は生じない。これに対して、補助層と窪みとを使用せずに金属層を生成するためのフォトリソグラフィー法による金属層のエッチングでは、１つの段差が生成される。この段差は、更なる層の析出における問題、もしくは、生成された金属層の領域もその近くに配置された領域も感光されるフォトリソグラフィー法における問題に繋がる。特にフォトリソグラフィープロセス工程おいて、高さの違いが大きいことは問題である。なぜなら、フォトレジストの吹付けにおいて既に、厚さが変わらない均等な層は生成されないからである。このようなフォトリソグラフィー工程は、例えば音響ミラーの上に電極などを付着させるべき場合に必要である。
【００１９】
他の更なる金属層が配置されていない窪みに、金属層の１つを配置することもできる。この場合、窪みを生成した後、金属層を析出させ、化学機械研磨で平坦化する。金属層の上に、更なる金属層を生成する場合、補助層の上に絶縁層の１つを生成し、その上に、窪みを備える１つの更なる補助層を生成する。この窪みは、補助層の窪みの上に配置されており、更なる補助層を分断する。更なる金属層は、更なる補助層の窪みに生成される。
【００２０】
窪みの内側には、更なる金属層も、１つの絶縁層も配置されていない。金属層は化学機械研磨によって形成されるので、窪みの深さは均等であるか、もしくは形成された金属層の厚さよりも大きい。基本的には、金属層が窪みを充填することが好ましい。
【００２１】
しかし、金属層の上表面は、補助層の上表面よりも深い位置にあることがある。この場合、基本的には金属層とその上に配置された絶縁層の１部が、窪みを充填する。この絶縁層は、補助層と金属層との上に配置されているので、この場合も、絶縁層は、窪みの内側には配置されていない。絶縁層の１部だけが、窪みの内側に配置されている。
【００２２】
例えば、全ての金属層を、それぞれ１つの窪みに生成することができる。窪みは、積み重なって配置されている。絶縁層の１つが、各２つの補助層の間に配置されている。
【００２３】
プロセス経費を削減するために、金属層の少なくとも２つと、これら金属層の間に配置された絶縁層の１つとを、同じ窪みに生成すると好ましい。このため、窪みを生成した後、まず金属層を、そして絶縁層を、そして更なる金属層を全面的に析出させる。その後、金属層と絶縁層とを、１つの工程で化学機械研磨することにより、両金属層および絶縁層の、窪みの外側に配置された部分が除去されるまで平坦化する。
【００２４】
窪みに生成された層の最下層は、絶縁層のもう１つ他の層、または両金属層の１つである。
【００２５】
音響ミラーの反射率を上げるために、複数の金属層も同じ窪みに生成する。このために、補助層を、より厚く構成しなければならない。そして、更なる絶縁層と金属層とを析出させなければならない。
【００２６】
窪みの深さは、窪みの内側に配置された全ての層を合計した厚さより大きい、もしくは同じである。
【００２７】
金属層の水平面の大きさは、例えば（２０＊２０）μｍ^２〜（４００＊４００）μｍ^２である。このように大きな面では、化学機械研磨の際に、ディシングと呼ばれる効果が生じる。このとき、より大きな領域を薄くすると、外側にある部分よりも中央部が大幅に除去される。ディシングを防止するために、化学機械研磨の際に露出する金属層の上に、阻止層を付着させると好ましい。阻止層の厚さは、３０ｎｍ〜１００ｎｍ、または、金属層の厚さの少なくとも１／５である。阻止層は、金属の化学機械研磨でほとんど研磨されない材料から構成されている。窪みの外側に配置された阻止層の部分を除去する。続いて金属層を、阻止層に対して選択的に化学機械研磨する。このとき、阻止層が、ディシングによって窪みの内側の金属層の１部をも削り取ってしまうことを防止する。このとき、窪みの深さが、阻止層を含む、配置された全ての層の合計以上でなくてはならない。
【００２８】
複数の金属層を同じ窪みに生成すると、阻止層は、最も上の金属層を覆う。
【００２９】
阻止層は、例えばチタン、ＴｉＮ、または窒化シリコンから構成されている。
【００３０】
阻止層は、例えば化学機械研磨によって形成される。あるいは、阻止層は、フォトリソグラフィー法によって形成される。このとき、例えばドライエッチングが方法として適当である。
【００３１】
金属層の形成の後、その上に配置した阻止層を除去する。
【００３２】
金属層は、例えばタングステンから構成されている。あるいは、金属層はモリブデン、または白金から構成されている。
【００３３】
絶縁層は、例えばＳｉＯ_２、または窒化シリコンから構成されている。
【００３４】
補助層は、例えばＳｉＯ_２、または窒化シリコンから構成されている。
【００３５】
窪みが規定された深さとなるように、補助層は絶縁層に対して選択的にエッチング可能になっている。窪みを生成するため、補助層を絶縁層に対して選択的にエッチングする。
【００３６】
あるいは、補助層とその下に配置された絶縁層との間に、エッチトップ層を生成する。このエッチストップ層は、補助層に対して選択的にエッチングすることが可能である。窪みを生成するため、補助層をエッチストップ層に対して選択的に、エッチストップ層の１部が露出するまでエッチングする。
【００３７】
エッチストップ層の部分は、続いて除去される、あるいは絶縁層の部分として機能する。
【００３８】
２つ、または３つの金属層を備えるのが好ましい。
【００３９】
本発明の実施形態を、図を参考に以下で詳述する。
【００４０】
図は縮尺通りではない。
【００４１】
第１の実施形態において、原材料としてシリコンの第１基板１を示す。（図１参照）。
【００４２】
第１基板１の上に、厚さ約０．８μｍの第１絶縁層Ｉ１を、ＳｉＯ_２から生成する。（図１参照）。
【００４３】
第１絶縁層Ｉ１の上に、厚さ約１００ｎｍの第１エッチストップ層Ａ１を、窒化シリコンから生成する。その上に、厚さ約０．９μｍの第１補助層Ｈ１を、ＳｉＯ_２から生成する。（図１参照）。
【００４４】
第１フォトレジストマスク（図示されていない）を用いて第１補助層Ｈ１の中に第１窪みＶ１を生成するが、まずＳｉＯ_２を窒化シリコンに対して選択的に、エッチストップ層の１部が露出するまでエッチングし、続いて、エッチストップ層Ａ１の部分を、ＳｉＯ_２に対して選択的に除去することにより、第１窪みＶ１を生成する。第１窪みＶ１は、第１補助層Ｈ１とエッチストップ層Ａ１とを分断する。第１窪みＶ１は、側長が約２００μｍの正方形の水平断面を示す。（図１参照）。第１窪みＶ１は、第１絶縁層Ｉ１まで達する。
【００４５】
第１金属層Ｍ１を生成するため、タングステンを厚さ約０．７μｍで析出させる（図１参照）。その上に、厚さ約５０ｎｍの第１阻止層Ｓ１をチタンから生成する。
【００４６】
第１阻止層Ｓ１を、第１金属層Ｍ１に対して選択的に化学機械研磨することにより、第１窪みＶ１の外側に配置された、第１阻止層Ｓ１の部分を除去する（図２参照）。
【００４７】
続いて、第１金属層Ｍ１を、第１補助層Ｈ１と阻止層Ｓ１とに対して選択的に化学機械研磨することにより、第１窪みＶ１の外側に配置された、第１金属層Ｍ１の部分が除去されるまで平坦化する（図３参照）。形成された第１金属層Ｍ１、および形成された第１阻止層Ｓ１は、第１窪みＶ１の内側に配置されている。
【００４８】
第１補助層Ｈ１、および第１阻止層Ｓ１で被覆された第１金属層Ｍ１の上に、厚さ約１．６μｍの第２絶縁層Ｉ２をＳｉＯ_２から生成する（図４参照）。
【００４９】
その上に、厚さ約１００ｎｍの第２エッチストップ層Ａ２を、窒化シリコンから生成する。その上には、厚さ約０．９μｍの第２補助層Ｈ２をＳｉＯ_２から生成する。第１補助層Ｈ１におけるのと同様に、この第２補助層Ｈ２の中に第２窪みＶ２を生成する。第２窪みＶ２は、第１窪みＶ１と同様に整形されて、第１窪みＶ１の真上に配置されている。
【００５０】
その後、厚さ約０．７μｍの第２金属層Ｍ２をタングステンから生成し、その上に厚さ約５０ｎｍの第２阻止層Ｓ２をチタンから生成する（図４参照）。第１阻止層Ｓ１および第１金属層Ｍ１と同様に、第２阻止層Ｓ２および第２金属層Ｍ２を、化学機械研磨により形成する（図４参照）。
【００５１】
既述の方法により、音響ミラーが生成される。第１絶縁層Ｉ１、第１金属層Ｍ１，第２絶縁層Ｉ２，および第２金属層Ｍ２により、周波数約１．８ＧＨｚの音響波が基板上に垂直に入射すると、特によく反射される。
【００５２】
第２実施形態において、原材料としてシリコンの第２基板２を示す（図５参照）。
【００５３】
第２基板２の上に、厚さ約０．８μｍの第１絶縁層Ｉ１’をＳｉＯ_２から生成する。
【００５４】
第１絶縁層Ｉ１’の上に、厚さ約１００ｎｍの第１エッチストップ層Ａ１’を窒化シリコンから生成する。その上に、厚さ約２．７μｍの第１補助層Ｈ’をＳｉＯ_２から生成する（図５参照）。
【００５５】
第１フォトレジストマスク（図示されていない）により、第１補助層Ｈ’が形成される。このときまずＳｉＯ_２を窒化シリコンに対して選択的に、第１エッチストップ層Ａ１’の１部が露出するまでエッチングする。続いて、エッチストップ層Ａ１’の部分を除去する。このことにより、第１補助層Ｈ’の中に第１窪みＶ’が生成される。この第１窪みＶ’は、第１絶縁層Ｉ１’まで達し、正方形の水平断面で、側長は約２００μｍである。
【００５６】
続いて、厚さ約０．７μｍの第１金属層Ｍ１’をタングステンから生成する。その上に、厚さ約０．８μｍの第２絶縁層Ｉ２’をＳｉＯ_２から生成する。その上に厚さ約０．７μｍの第２金属層Ｍ２’をタングステンから生成する。（図５参照）。
【００５７】
第２金属層Ｍ２’の上に、厚さ約５０ｎｍの第１阻止層Ｓ’をチタンから生成する。
【００５８】
第２フォトレジストマスク（図示されていない）を用いて、第１阻止層Ｓ’を、第１窪みＶ’の外側に配置された、第１阻止層Ｓ’の部分が除去されるように形成する。（図５参照）。
【００５９】
続いて、第２金属層Ｍ２’、第２絶縁層Ｉ２’，および第１金属層Ｍ１’を、第１阻止層Ｓ’と、第１補助層Ｈ’とに対して選択的に化学機械研磨することによって、第２金属層Ｍ２’、第２絶縁層Ｉ２’、および第１金属層Ｍ１’の第１窪みＶ’の外側に配置された部分が除去されるまで平坦化する（図６参照）。
【００６０】
その後、厚さ約０．８μｍの第３絶縁層Ｉ３’をＳｉＯ_２から生成する。第３絶縁層Ｉ３’の上に、厚さ約１００ｎｍの第２エッチストップ層Ａ２’を窒化シリコンから生成する。その上に、厚さ約０．９μｍの第２補助層Ｈ”をＳｉＯ_２から生成する。第３フォトレジストマスク（図示されていない）を用いて、第２補助層Ｈ”を形成する。このとき、第２補助層Ｈ”の中に第３絶縁層Ｉ３’まで達する第２窪みＶ”が生成される。
【００６１】
続いて、厚さ約０．７μｍの第３金属層Ｍ３’をタングステンから生成する。第３金属層Ｍ３’の上に、厚さ約５０ｎｍの第２阻止層Ｓ”をチタンから生成する（図７参照）。第４フォトレジストマスク（図示されていない）を用いて、第２窪みＶ”の外側に配置された、第２阻止層Ｓ”の部分が取り除かれるように、第２阻止層Ｓ”を形成する。続いて、第３金属層Ｍ３’を、第２阻止層Ｓ”と第２補助層Ｈ”とに対して選択的に化学機械研磨することにより、第２窪みＶ”の外側に配置された、第３金属層Ｍ３’の部分が除去されるまで平坦化する。
【００６２】
この方法によって音響ミラーが生成される。この方法では、音響波は、第１絶縁層Ｉ１’、第１金属層Ｍ１’、第２絶縁層Ｉ２’，第２金属層Ｍ２’，第３絶縁層Ｉ３’，および第３金属層Ｍ３’によって反射される。
【００６３】
第１金属層Ｍ１’は、第１窪みＶ’を充填せずに、第１窪みＶ’の底と側面とを被覆している。
【００６４】
本発明の範囲内における多くの実施形態の変形が考えられる。例えば既述の層および窪みの寸法を、各必要条件に応じて合わせることができる。より大きなもしくはより小さな波長の音響波を反射するためには、第１絶縁層、第２絶縁層、第１金属層、第２金属層の厚さを、厚くもしくは薄く選択する。よりよい反射率のために、２つ以上もしくは３つ以上の絶縁層と、２つもしくは３つの金属層を生成する。阻止層は化学機械研磨の後で除去される。金属層、補助層、阻止層、エッチストップ層、および絶縁層のために他の材料を選択することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１絶縁層、第１エッチストップ層、第１補助層、第１窪み、第１金属層、および第１阻止層が生成された後の第１基板の断面を示す図である。
【図２】図１から阻止層が形成された後の断面を示す図である。
【図３】図２から第１金属層が形成された後の断面を示す図である。
【図４】図３から第２絶縁層、第２エッチストップ層、第２補助層、第２窪み、第２金属層、および第２阻止層が生成された後の断面を示す図である。
【図５】第１絶縁層、第１エッチストップ層、補助層、窪み、第１金属層、第２絶縁層、第２金属層、および阻止層が生成された後の第２基板の断面を示す図である。
【図６】図５から第１金属層、第２絶縁層、および第２金属層が形成された後の断面を示す図である。
【図７】図６からもう１つの更なる絶縁層、第２エッチストップ層、もう１つの更なる補助層、もう１つの更なる金属層、およびもう１つの更なる阻止層が生成された後の断面を示す図である。

Claims

少なくとも２つの絶縁層（Ｉ１，Ｉ２）と、少なくとも２つの金属層（Ｍ１，Ｍ２）とが、基板上に交互に積み重なって配置されており、
上記絶縁層（Ｉ１，Ｉ２）はほぼ同じ厚さであり、
上記金属層（Ｍ１，Ｍ２）はほぼ同じ厚さであり、
上記絶縁層（Ｉ１，Ｉ２）および上記金属層（Ｍ１，Ｍ２）の厚さは反射条件を満たしており、
少なくとも上記金属層（Ｍ１，Ｍ２）は、補助層（Ｈ１，Ｈ２）の少なくとも１つの窪み（Ｖ１，Ｖ２）の内側に配置されている
音響ミラー。
少なくとも２つの補助層（Ｈ１，Ｈ２）を備え、前記補助層（Ｈ１，Ｈ２）の中に各１つの窪み（Ｖ１，Ｖ２）が配置されており、
上記補助層（Ｈ１，Ｈ２）の窪み（Ｖ１，Ｖ２）は積み重なって配置されており、
上記補助層（Ｈ１，Ｈ２）の各２つの間に絶縁層（Ｉ２）の１つが配置されており、
上記金属層（Ｍ１）の少なくとも１つは、他の更なる金属層（Ｍ２）が配置されていない、補助層（Ｈ１）の窪み（Ｖ１）の内側に配置されており、
上記窪み（Ｖ１）は補助層（Ｈ１）を分断し、
上記補助層（Ｈ１）は絶縁層（Ｉ１）の１つの上に配置されており、
上記金属層（Ｍ２）の少なくとも１つの他の層は、補助層（Ｈ２）の１つの他の層の窪み（Ｖ２）の内側に配置されている
請求項１に記載の音響ミラー。
金属層（Ｍ１’，Ｍ２’）の少なくとも２つと、上記金属層（Ｍ１’，Ｍ２’）の間に配置された絶縁層（Ｉ２’）の１つとは、同じ窪み（Ｖ’）の内側に配置されており、
上記の同じ窪み（Ｖ’）の内側に配置された上記層（Ｍ１’）の最下層が、基本的には窪み（Ｖ’）の底面と側面とを完全に被覆していることにより、最下層（Ｍ１’）の中央領域は沈下している
請求項１または２に記載の音響ミラー。
上記金属層（Ｍ１）の少なくとも１つの上で、窪み（Ｖ１）の内側に１つの阻止層（Ｓ１）が生成されており、金属層（Ｍ１）の配置された窪み（Ｖ１）の内側には更なる金属層がなく、
上記窪み（Ｖ１）の深さは、窪み（Ｖ１）に配置された全ての層（Ｍ１，Ｓ１）の厚さの合計以上である
請求項１ないし３の何れかに記載の音響ミラー。
上記絶縁層（Ｉ１）の少なくとも１つと、その上に配置された補助層（Ｈ１）の１つとの間に、エッチストップ層（Ａ１）が配置されている
請求項１ないし４の何れかに記載の音響ミラー。
上記金属層（Ｍ１，Ｍ２）はタングステンから構成されており、
上記絶縁層（Ｉ１，Ｉ２）はＳｉＯ_２、または窒化シリコンから構成されている
請求項１ないし５の何れかに記載の音響ミラー。
少なくとも２つの絶縁層（Ｉ１，Ｉ２）と、少なくとも２つの金属層（Ｍ１，Ｍ２）とを、基板上に交互に積み重ねて生成し、
上記絶縁層（Ｉ１，Ｉ２）をほぼ同じ厚さで生成し、
上記金属層（Ｍ１，Ｍ２）をほぼ同じ厚さで生成し、
上記絶縁層（Ｉ１，Ｉ２）および上記金属層（Ｍ１，Ｍ２）の厚さは反射条件を満たしており、
上記金属層（Ｍ１，Ｍ２）を、それぞれ、中に窪み（Ｖ１，Ｖ２）が生成される少なくとも１つの補助層（Ｈ１，Ｈ２）を生成した後、析出させ、化学機械研磨によって、窪み（Ｖ１，Ｖ２）の外側に配置された、各金属層（Ｍ１，Ｍ２）の部分が除去されるまで平坦化して生成する
音響ミラーの製造方法。
少なくとも２つの補助層（Ｈ１，Ｈ２）を生成し、上記補助層（Ｈ１，Ｈ２）の中に、各１つの窪み（Ｖ１，Ｖ２）を、補助層（Ｈ１，Ｈ２）の窪み（Ｖ１，Ｖ２）が積み重なって配置されるように生成し、
上記補助層（Ｈ１，Ｈ２）の各２つの間に絶縁層（Ｉ２）の１つを生成し、
上記金属層（Ｍ１）の少なくとも１つを、他の更なる金属層が生成されていない、補助層（Ｈ１）の窪み（Ｖ１）に生成し、
上記窪み（Ｖ１）が補助層（Ｈ１）を分断し、
上記補助層（Ｈ１）を絶縁層（Ｉ１）の１つの上に生成し、
上記金属層（Ｍ２）の少なくとも１つの更なる層を、補助層（Ｈ２）の一つの更なる層の窪み（Ｖ２）の内側に生成する
請求項７に記載の方法。
上記絶縁層（Ｉ２）の１つの更なる層を補助層（Ｈ１）上に生成し、
更なる補助層（Ｈ２）を上記の更なる絶縁層（Ｉ２）の上に生成し、
上記の更なる補助層（Ｈ２）の中に生成される窪み（Ｖ２）は第２絶縁層（Ｉ２）まで達し、
上記の更なる金属層（Ｍ２）を析出させ、化学機械研磨によって更なる補助層（Ｈ２）の窪み（Ｖ２）の外側に配置された、更なる金属層（Ｍ２）の部分が除去されるまで平坦化する
請求項８に記載の方法。
上記窪み（Ｖ’）の生成の後、金属層（Ｍ１’，Ｍ２’）の少なくとも２つと、上記金属層（Ｍ１’，Ｍ２’）間に配置される絶縁層（Ｉ２’）の１つとを析出させ、
両金属層（Ｍ１’，Ｍ２’）と絶縁層（Ｉ２’）とを化学機械研磨によって、金属層（Ｍ１’，Ｍ２’）および絶縁層（Ｉ２’）の、窪み（Ｖ’）の外側に配置された部分が除去されるまで平坦化する
請求項７ないし９の何れかに記載の方法。
析出の後、そして平坦化の前に、上記金属層（Ｍ１）の少なくとも１つの上で、窪み（Ｖ１）の内側に１つの阻止層（Ｓ１）を付着させ、金属層（Ｍ１）の生成された窪み（Ｖ１）の内側には更なる金属層は生成されておらず、
窪み（Ｖ１）の深さは、窪み（Ｖ１）に配置された全ての層（Ｍ１，Ｓ１）の厚さの合計以上であり、
窪み（Ｖ１）の外側に配置されている阻止層（Ｓ１）の部分を除去し、
金属層（Ｍ１）を、阻止層（Ｓ１）に対して選択的に化学機械研磨することによって平坦化する
請求項７ないし１０の何れかに記載の方法
上記絶縁層（Ｉ１）の少なくとも１つと、その上に配置された補助層（Ｈ１）の１つとの間に、エッチストップ層（Ａ１）を生成する
請求項７ないし１１の何れかに記載の方法。
上記金属層（Ｍ１，Ｍ２）をタングステンから生成し、
上記絶縁層（Ｉ１，Ｉ２）をＳｉＯ_２または窒化シリコンから生成する
請求項７ないし１２の何れかに記載の方法。