JP3625279B2 - Disc substrate processing method and apparatus - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、CD−R又はDVD−Rなどのような有機色素膜をもった追記型の光ディスク、及びMOやMDなどの光磁気デイスクのディスク基板の熱処理に関する。
【0002】
【従来技術】
一般に、CD−R又はDVD−Rにあっては、射出成形されたディスク基板にスピンコートなどの方法により液状の有機色素材料を一様に塗布して薄い有機色素を形成し、この有機色素膜を書換え可能な記録膜として用いている。塗布前の有機色素材料は溶剤によって液状になっており、通常はディスク基板に有機色素液を一様に塗布した後に、溶剤を完全に除去し、光ディスクの品質の向上と安定化、再生信号の安定化などのために熱処理を行って乾燥している場合が多い。
【0003】
この熱処理は、従来の場合、1m/sよりも小さな風速、つまり非常にゆるやかな風速で高温の空気又は窒素のような気体を熱処理室に供給し、その熱処理室を順次搬送されるディスク基板全面の温度を50〜150℃程度まで上昇させる。この温度を所定時間保持し、加熱処理を行うことにより所期の目的が達成される。このように高温の空気又は窒素のような気体を1m/sよりも小さな風速で熱処理室内に流すのは、熱処理室内の温度を均一にするためであり、1m/s以上の風速で50〜150℃程度の温度の空気又は窒素のような気体を熱処理室内に流すと、ディスク基板全面の温度が不均一になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、従来のディスク基板の熱処理方法としては、50〜150℃程度の高温の空気又は窒素のような気体を1m/sよりも小さな風速で熱処理室内に流している。しかし、この場合には、ディスク基板全面が均一に所望の温度に上昇するまでには長時間、例えば図11に示すように15分程度、あるいは図示しないが20〜30分かかるため、熱処理室を長くせねばならず、装置全体が大型化すると同時に、装置コストが高くなるという欠点があった。
本発明はこのような従来の問題点を解決するため、熱処理装置を昇温部、定温保持部、冷却部の三つから構成し、昇温部では短時間、例えば1分以下で所定の温度までディスク基板を温度上昇させ、定温保持部ではそのディスク基板温度を安定に所定の熱処理時間保持し、冷却部では短時間、例えば1分以下で下限温度以下の温度まで低下させ、これにより熱処理装置全体を小型化し、熱処理時間の短縮も図ったものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するため、請求項1の発明は、ディスク基板の処理方法において、50℃から前記ディスク基板の軟化温度よりも低い範囲の温度の気体を1〜10m/sの風速で前記ディスク基板に吹き付けてこれらディスク基板の温度を急速に上昇させる急速昇温工程と、50℃から前記ディスク基板の軟化温度よりも低い範囲の温度の領域で、前記ディスク基板の上昇した前記温度を所定の時間保持する温度保持工程と、室温程度以下の温度の気体を1〜10m/sの風速で前記ディスク基板に吹き付けてその温度を急速に低下させる急冷工程とからなるディスク基板の熱処理方法を提案するものである。
この発明によれば、短時間でディスク基板を所定温度まで上昇させ、また室温まで短時間で低下させることができるので、熱処理時間を大幅に短縮できる。
【0006】
請求項2の発明は、上記課題を解決するため、請求項1において、前記急速昇温工程から前記急冷工程までの工程にわたり、前記ディスク基板の移送方向に対して前記ディスク基板がほぼ直角になるようある間隔で配置し、前記ディスク基板の移送方向に対してほぼ直角になる方向から前記それぞれの気体を吹きつけるディスク基板の熱処理方法を提案するものである。
請求項2によれば、ディスク基板間を高速で気体が通過するので、短時間でディスク基板を昇温、又は降温させることができる。
【0007】
請求項3の発明は、上記課題を解決するため、前記ディスク基板の直径よりも大きな直径をもつ円状の開口をもつ遮蔽壁により仕切られた三つの領域であって、加熱された気体を前記ディスク基板に吹き付けて急速にその温度を上昇させる昇温部と、加熱された気体で前記ディスク基板の上昇した前記温度を所定時間保持する定温保持部と、室温程度以下の温度の気体を前記ディスク基板に吹き付けることにより前記ディスク基板の温度を急速に低下させる冷却部とからなる熱処理室と、前記複数のディスク基板をある間隔で互いに平行になるように並べた状態で順次搬送する搬送機構とを備えたディスク基板の熱処理装置を提案するものである。
請求項3によれば、短時間でディスク基板を所定温度まで上昇させ、また室温まで短時間で低下させることができるので、熱処理時間を大幅に短縮でき、熱処理装置を小型化できる。
【0008】
請求項4の発明は、上記課題を解決するため、請求項3において、前記昇温部は50℃から前記ディスク基板の軟化温度よりも低い範囲の温度の気体を1〜10m/sの風速で前記ディスク基板に吹き付けてこれらディスク基板の温度を急速に上昇させるディスク基板の熱処理装置を提案するものである。このように、ディスク基板を設定温度まで急速に上昇させることができるので、熱処理装置を小型化できる。
【0009】
請求項5の発明では、上記課題を解決するため、請求項3又は請求項4において、前記定温保持部は50℃から前記ディスク基板の軟化温度よりも低い範囲の温度の雰囲気中で、前記昇温部で昇温された前記ディスク基板の温度をほぼ一定に保持するディスク基板の熱処理装置を提案するものである。
搬送するディスク基板間の間隔をより小さくできるので、熱処理装置をより小型化できる。
【0010】
請求項6の発明では、上記課題を解決するため、請求項3ないし請求項5のいずれかにおいて、前記冷却部は室温程度以下の温度の気体を1〜10m/sの風速で前記定温保持部から移送されて来る前記ディスク基板に吹き付けて、これらディスク基板の温度を急速に低下させるディスク基板の熱処理装置を提案するものである。
請求項6によれば、冷却部の長さを短くでき、熱処理装置をより小型化できる。
【0011】
請求項7の発明では、上記課題を解決するため、請求項3ないし請求項6のいずれかにおいて、前記昇温部と冷却部の双方又は一方は前記ディスク基板の搬送方向に長い長さとこれよりも短く、かつ前記ディスク基板の直径よりも小さい幅とを有するスリットからなる気体吹き出し穴を備え、この気体吹き出し穴は前記ディスク基板の搬送方向に沿った四つの壁の一つにおける前記ディスク基板の最大径の部分に対向する位置に配置され、前記気体吹き出し穴の形成された前記壁のうちの対向する壁に気体排出穴が備えられたディスク基板の熱処理装置を提案するものである。
気体を均一に吹き出すことができ、気体がディスク基板間を速い速度で通過することができるので、よりディスク基板の昇温、降温の時間を短縮できる。
【0012】
請求項8の発明では、上記課題を解決するため、請求項3ないし請求項7のいずれかにおいて、前記定温保持部は前記ディスク基板の搬送方向に沿った四つの壁の一つに設けられた多数の孔からなる気体供給部を備え、前記気体供給部の形成された前記壁のうちの対向する壁に気体排出部が備えられ、前記気体供給部にはその多数の孔の大きさを調整するための気体調整手段を備えたディスク基板の熱処理装置を提案するものである。
供給気体の量を調整できるので、定温保持部をより簡単に設定温度に保持することができる。
【0013】
請求項9の発明では、上記課題を解決するため、請求項3ないし請求項8のいずれかにおいて、複数の前記ディスク基板は所定の間隔で互いに平行になるよう並べられて搬送されるディスク基板の熱処理装置を提案するものである。
【0014】
請求項10の発明では、上記課題を解決するため、前記ディスク基板の直径よりも大きな直径をもつ円状の開口をもつ遮蔽壁により仕切られた三つの領域であって、加熱された気体を前記ディスク基板に吹き付けて急速にその温度を上昇させる昇温部と前記ディスク基板の上昇した温度を所定時間保持する定温保持部と前記ディスク基板の温度を急速に低下させる冷却部とからなる熱処理室と、前記複数のディスク基板をある間隔で互いに平行になるように並べた状態で順次搬送する搬送機構とを備え、前記搬送機構は、ある長さ又は長さ全体にわたって一定のピッチで螺旋状に形成された溝をもつ移送用シャフトを3本以上と、これら移送用シャフトを回転させるための駆動装置と、前記移送用シャフトが回転できるようにこれら移送用シャフトの両端をそれぞれ支承する一対の支承部材とからなり、この支承部材は、3本以上の前記移送用シャフトに移載された前記ディスク基板の中央穴に対応する箇所が開いた空部になっているディスク基板の熱処理装置を提案するものである。
請求項10によれば、ディスク基板を衝撃を与えることなく静かに、かつ容易に移送用シャフトに移載することができる。
【0015】
請求項11の発明では、上記課題を解決するため、前記ディスク基板の直径よりも大きな直径をもつ円状の開口をもつ遮蔽壁により仕切られた三つの領域であって、加熱された気体を前記ディスク基板に吹き付けて急速にその温度を上昇させる昇温部と前記ディスク基板の上昇した温度を所定時間保持する定温保持部と前記ディスク基板の温度を急速に低下させる冷却部とからなる熱処理室と、前記複数のディスク基板をある間隔で互いに平行になるように並べた状態で順次搬送する搬送機構とを備え、前記搬送機構は、ある長さ又は長さ全体にわたって一定のピッチで螺旋状に形成された溝をもつ移送用シャフトを3本以上と、これら移送用シャフトを回転させるための駆動装置と、前記移送用シャフトが回転できるようにこれら移送用シャフトの両端をそれぞれ支承する一対の支承部材とからなり、前記支承部材とこれを支えるベ−ス部材との間には直線駆動装置が備えられており、前記移送用シャフトの温度変化による伸縮に応じて前記支承部材が動けるようにしたディスク基板の熱処理装置を提案するものである。
請求項11によれば、移送用シャフトの熱膨張によるディスク基板への悪影響を無くすことができる。
【0016】
【発明の実施の形態及び実施例】
記録膜としての有機色素膜の形成されたディスク基板の熱処理装置を昇温部、定温保持部、冷却部の三つから構成し、昇温部では50〜150℃程度の温度の気体を1〜10m/sの風速でディスク基板に吹き付けて、例えば図9に示すように60秒程度の短時間で所定の温度(例えば80℃)までディスク基板を温度上昇させ、定温保持部でディスク基板全面の温度を均一化し、冷却部で20〜30℃程度の温度の気体を1〜10m/sの風速でディスク基板に吹き付けることにより、1分以下の短時間で35℃程度以下の室温まで低下させ、これにより熱処理装置全体を小型化し、熱処理時間の短縮も図ったものである。
【0017】
図1及び図2により本発明の1実施例について説明する。図1は側面から見た図、図2は上面から見た図である。これら図において、乾燥炉となる熱処理室1は2枚の側壁板2、3及びこれらと同様な2枚の仕切り板4、5によって、昇温部6、定温保持部7、冷却部8の三つの部屋に分割されている。これら昇温部6、定温保持部7、冷却部8を搬送機構9によりディスク基板10はぼ順次通過することになる。ディスク基板10は、追記型光ディスクであるCD−R又はDVD−Rの製造工程途中のものであり、例えばスピンコート法などによって記録色素材料と有機溶剤とからなる有機色素薄膜が形成されている。この熱処理室1で乾燥が行われ、有機溶剤が除去され、次の工程で反射膜又は半反射膜となる金属薄膜が形成される。ディスク基板10を搬送する搬送機構9は、所定のピッチで螺旋状に形成された溝をもつ搬送シャフト9a、9b、9cからなり、多数のディスク基板は10を所定間隔で鉛直に立てて順次送る。
【0018】
側壁板2、3及び仕切り板4、5の詳細については図示していないが、基本的にはディスク基板10を問題なく通過させるためにディスク基板10の直径よりも大きな大穴と、搬送シャフト9a、9b、9cの回転を妨げないように搬送シャフト9a、9b、9cの直径よりも大きな三つの小穴とを有する。搬送シャフト9a、9b、9cは搬送シャフト9bを頂点とする2等辺3角形の各角部に配置され、搬送シャフト9a、9b、9cが回転することによりそれらに形成されている溝の働きで所定間隔を保ちながら順次前方に送られる。搬送シャフト9a、9b、9cの駆動装置については図示するのを省いたが、共通のモータと従動ローラとベルトなどによって構成される。図面を簡単にするために、実際は搬送機構9と並列に全く同一構造の搬送機構が設置されているが、図示するのを省略した。
【0019】
このような熱処理装置にあって、矢印で示すように昇温部6と定温保持部7では吹き出し板11aに形成された噴出孔から熱風が噴出され、また冷却部8では室温以下の空気又は窒素のような気体が吹き出し板13aから噴出される。昇温部6で熱風を噴出する孔は、図3に示すように、吹き出し板11aに細長く形成されたスリットSであり、そのスリットSは順次移送されるディスク基板10の頂部の真上に位置し、スリットSから熱風が搬送方向に鉛直、つまりディスク基板10の円状面に沿うよう供給される。スリットSは1個又は複数個であり、長さは昇温部6の搬送方向の長さとほぼ等しく、その幅はスリットを臨むディスク基板10の上頂部から対向する下頂部を結ぶ線を中心に両側を適当な量の熱風が流れるように調整される。そのスリット幅は、幅調整手段11cにより隣り合うディスク基板10間の間隔、昇温時間、熱風の温度、風量、風速によって調整される。なお、この昇温部6における隣り合うディスク基板10間の間隔は、ディスク基板10の全面を一様に温度上昇させ、かつその半双方向の長さを短くして装置をできるだけ小型化するという面から、0.5mmないし2mmの範囲が良い。
【0020】
このような間隔で立てられたディスク基板10は約1分で昇温部6を通過するが、前述のように図示しないヒータで50℃からディスク基板の軟化温度よりも低い温度(例えば110〜130℃)に加熱された気体を、1〜10m/sの風速、好ましくは2〜5m/sの風速で吹き出し板11aのスリットから噴出することにより、各ディスク基板10は次の定温保持部7の入口で測定すると、ディスク基板の軟化点温度よりも低い所定温度まで上昇しており、つまり1分以下で所定温度まで上昇することが確認された。したがって、この実施例では従来に比べてディスク基板10をその軟化点温度よりも低い所定温度まで上昇するのに要する時間は大幅に短くなり、つまりこの期間でのディスク基板10の搬送距離を大幅に短くできるのが分かる。なお、スリットから噴出された熱風はディスク基板10間を通って昇温部6の下側の排出板11bに設けられた多数の孔又はスリットから排出され、循環される。
【0021】
次に、定温保持部7では昇温部6で所定温度に昇温された各ディスク基板10の温度を上昇させたり、あるいは低下させずに、その設定温度に保持してディスク基板10の有機色素薄膜から有機溶剤をほぼ完全に除去する。定温保持部7の吹き出し板12aには、図4に示すように多数の孔Hが形成されており、またそれらの孔の大きさを調整できる調整板12cが備えられている。図4(A)は多数の孔Hを全開した状態、図4(B)は多数の孔Hを全て閉じた状態であり、調整板12cを矢印方向に動かすことにより、孔Hの大きさは調整される。それら孔Hから、熱風が搬送方向に鉛直、つまりディスク基板10の円状面に沿うよう供給される。この熱風の温度は前記設定温度程度か、幾分高くなっており、風速は1m/s以下、好ましくは0.2〜0.5m/sである。定温保持部7は、その雰囲気を前記設定温度程度に保てれば良いが、一般に要求される熱処理時間によって昇温部6に比べてデイスク基板の搬送方向の長さがかなり長くなる。ここで、従来も本発明でも設定温度での熱処理が約10分間必要であるとすれば、前記から定温保持部7は昇温部6の10倍程度の長さを持たなければならない。しかし、ここでのディスク基板10の処理枚数は同じとすれば、従来も本発明も同等になる。なお、吹き出し板12aの多数の孔Hから噴出された熱風はディスク基板10間を通って定温保持部7の下側の排出板12bに設けられた多数の孔又はスリットから排出され、循環される。
【0022】
このように、ディスク基板10は定温保持部7において搬送機構9により順次搬送されながら乾燥され、仕切り板5を通って冷却部8に送られる。冷却部8の構造は昇温部6とほぼ同様な構造であり、その吹き出し板13aのスリットから噴出される気体の温度が室温程度、例えば20〜30℃の温度である点が異なるだけである。冷却部8では、室温程度の気体が1〜10m/s、好ましくは2〜5m/sの風速でディスク基板10に吹き付けられるので、図10で示すように、実験から30秒以下の時間で前記設定温度から室温程度まで低下するのが確認された。この点、従来の方法では図12から約6分程度かかるのが分かる。したがって、この実施例ではディスク基板10の搬送速度を考慮して、ディスク基板10がほぼ30秒から60秒間かけて冷却部8を通過するよう冷却部8の長さを決めた。また、冷却部8でも冷却に用いられた空気は排出板13bに設けられた図示しない幾つものスリット又は多数の孔から排出される。
【0023】
以上述べた第1の実施例では、昇温部6と冷却部8の気体の風速を基準にして隣り合うディスク基板10間隔を幾分大きくし、気体の風速があまり低下することなくディスク基板10間を流れるようにしたが、図3に示す第2の実施例では熱せられた気体の風速が低い定温保持部7におけるディスク基板10間を基準にした。定温保持部7ではディスク基板10の温度を保持すれば良いので、ディスク基板10間の間隔は十分に小さくても良いが、昇温部6と冷却部8では気体の風速があまり低下することなくディスク基板10間を流れるようにしなければならないので、昇温部6と冷却部8におけるディスク基板10間の間隔を大きくした。
【0024】
熱処理室の内部を側面かみた状況を示す図5では、間隔可変式の搬送機構9を用いた一実施例を示す。間隔可変式の搬送機構9は前記実施例と同様に3本の同一構造の搬送シャフト(図では9aだけを示している。)を用いており、各搬送シャフトは、昇温部6と冷却部8における長さにわたっての送りピッチは大きく、定温保持部7での送りピッチは小さくなっている。昇温部6と冷却部8では送りピッチが大きいだけディスク基板10の搬送速度は大きくなるので、その分だけ長くしなければならないが、1分間程度の時間だけ昇温部6と冷却部8内にあれば良いので、昇温部6と冷却部8の長さの増加分は僅かである。それに比べて、定温保持部7での熱処理時間は長いので、定温保持部7は昇温部6と冷却部8に比べてかなりの長さが必要であり、定温保持部7における送りピッチを小さくしてディスク基板10の搬送速度を小さくし、定温保持部7の長さを短くすることにより、熱処理室1全体の長さを短縮することができ、より一層装置の小型化が可能になる。他については第1の実施例と同様であるので、説明を省略する。
【0025】
次に熱処理室の内部を側面かみた状況を示す図6は、図1と図2に示した昇温部6の吹き出し板11a、定温保持部7の吹き出し板12a、冷却部8の吹き出し板13aに相当する箇所に高性能フィルタであるヘパ(HEPA)フィルタF1、F2、F3(例えば、クラス100)をそれぞれ設けた一実施例を示している。もともと熱処理室1はクリーンルーム内に設置されているが、通常あまりクリーン度の高くない雰囲気で前記熱処理が行われていた。この実施例では熱処理室1に気体を吹き込むので、ヘパフィルタを通してその気体のクリーン度を高くすることにより、熱処理室1のクリーン度をより高め、光ディスクの特性を向上させようというものである。
【0026】
昇温部6では、前述のように図示しないヒータで50℃からディスク基板の軟化温度よりも低い温度(例えば110〜130℃)に加熱された気体を、1〜10m/sの風速、好ましくは2〜5m/sの風速でヘパフィルタF1を通して噴出している。これにより熱風が搬送方向に鉛直、つまりディスク基板10の円状面に沿うよう供給される。次に、定温保持部7では、この熱風よりも幾分高いか、あるいは前記設定温度程度の気体を、風速は1m/s以下、好ましくは0.2〜0.5m/sの風速でヘパフィルタF2を通して噴出し、定温保持部7の雰囲気を設定温度に保持している。次に、冷却部8では室温程度の気体を、1〜10m/sの風速、好ましくは2〜5m/sの風速でヘパフィルタF3を通して噴出している。また、図示していないが、必要に応じて、熱処理室1の入口側と出口側にもヘパフィルタを設け、ヘパフィルタを通して室温の気体を搬送機構9上のディスク基板10に吹き付ける。
【0027】
搬送機構9の細部について、図7及び図8を用いて説明する。図5は搬送シャフト9a、9b、9c及びこれらと同一構造で並行して備えられた搬送シャフト9a’、9b’、9c’のそれぞれの一端を回転可能に支承する支承部材15、15’を示し、支承部材15(15’)は前記搬送シャフトの両端にそれぞれ備えられる。この実施例では、2ラインでデイスク基板10、10’を同時に熱処理して乾燥させるようになっている。搬送シャフト9a、9b、9cは、支承部材15に外輪が取り付けられたラジアルベアリング16a、16b、16cの内輪に固定され、支承部材15に対して自由に回転可能になっている。搬送シャフト9a’、9b’、9c’も同様であり、ラジアルベアリング16a’、16b’、16c’により自由に回転可能に支承されている。搬送シャフト9a、9b、9c及び搬送シャフト9a’、9b’、9c’は紙面側にある寸法で伸延しており、その部分には溝が形成されていない円筒状シャフトになっていて、図示しないベルトを介して図示しない駆動源に結合されている。
【0028】
支承部材15はその上面15aから下方向に延びる溝15b、15cを備える。溝15bは、ディスク基板10に有機色素膜を塗布した後に、図示しない搬送アームの先端部に取り付けられた吸着手段17に吸着保持されたディスク基板10を搬送シャフト9a、9b、9cに移載するときに、図示しない搬送アームが入り込み、ディスク基板10に衝撃を与えることなく静かに搬送シャフト9a、9b、9cにディスク基板10を載置することを可能にする大切な役割を果たす。溝15cも溝15bと同様な働きを行い、ディスク基板10’が衝撃を受けることなく静かに搬送シャフト9a’、9b’、9c’に載置されるのを可能にする。これら溝15c、15bの形状は制限されず、図示しない搬送アームが紙面前方側から溝15c、15bに入り込んで、ディスク基板10、10’を支承部材15の紙面後方側においてそれぞれの搬送シャフト9a、9b、9c及び搬送シャフト9a’、9b’、9c’に載置するときに、搬送アームが溝15c、15bの内壁に接触しなければ良い。溝15c、15bを備えることにより、前記搬送アームの鉛直方向の動作、前後方向の180度の動作にも対応することができる。また、前記搬送アームは支承部材15の外側にあって、ディスク基板10、10’を支承部材15の内壁近傍に載置できるので、搬送機構9を短くできる。
【0029】
このような熱処理装置にあっては、昇温部6、定温保持部7において搬送シャフト9a、9b、9c及び搬送シャフト9a’、9b’、9c’も温度上昇する。搬送シャフト9a、9b、9c及び搬送シャフト9a’、9b’、9c’が温度上昇することにより、それらの金属材料が熱膨張し、ディスク基板10、10’を搬送する過程で歪みを与えることがあり、この歪みが光ディスクの特性に悪影響を与えることがある。したがって、この実施例では支承部材15と15’のうち、支承部材15を可動とし、支承部材15’は固定とした。支承部材15は、ベース部材18に固定されたガイドレール19に、直線駆動手段20、取り付け部材21を介して結合されている。直線駆動手段20は多数のボールベアリングを循環させる通常の構造のものであり、ガイドレール19上を自由に紙面左右方向に動くことができる。支承部材15’はベース部材18’に固定されている。この構造にあっては、搬送シャフト9a、9b、9c及び搬送シャフト9a’、9b’、9c’が温度上昇により熱膨張すると、その分だけ直線駆動手段20はガイドレール19上を図面右側に動き、また室温まで低下する過程で収縮するときには、図面左側に動く。したがって、搬送シャフト9a、9b、9c及び搬送シャフト9a’、9b’、9c’に歪みが生じることがなく、その歪みによってディスク基板10、10’に不必要な力がかからず、その特性に悪影響をお呼びすことはない。
【0030】
なお、前にも触れたが、各搬送シャフト9a、9b、9c及び搬送シャフト9a’、9b’、9c’の両端は、通常のラジアルボ−ルベアリング22を介して支承部材15、15’に取り付けられている。ラジアルボ−ルベアリング22の外輪はボルト23によって支承部材15、15’にそれぞれ取り付け、その内輪に各搬送シャフト9a、9b、9c及び搬送シャフト9a’、9b’、9c’の両端が固定される。
【0031】
以上の実施例では、搬送機構として移送シャフトを用いたが、ベルトなど他の部材からなるものであっても良い。また、移送シャフトを用いる場合には3本に限ることなく、4本以上であっても良い。さらに、上記実施例ではいずれも天井側から気体を供給し、下側から排出したが、逆でも良く、横方向に気体供給口と排出口を設けても良い。また、以上の実施例ではCD−R又はDVD−Rのような有機色素膜をもった追記型の光ディスクのディスク基板について述べたが、MO及びMDなど光ディスク基板のディスク基板は成形後の応力による歪みを低減して諸特性の改善を図るために熱処理を行っており、本発明にかかる熱処理方法及び装置はこの熱処理にも使用できる。
【0032】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によればCD−R又はDVD−Rなどのような有機色素膜をもった追記型の光ディスクのディスク基板の熱処理時間を大幅に短縮することができ、熱処理装置を小型化できる。さらに、請求項10の発明によれば、搬送機構の支承部材を通してディスク基板を搬送機構に載置できるので、通常の移載機構を採用でき、ディスク基板に衝撃を与えることなく搬送機構に移載することができる。さらにまた、請求項11の発明によれば、搬送機構の熱膨張・収縮を吸収できる構造となっているので、搬送機構の熱膨張・収縮によりディスク基板が悪影響を受けることはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例を説明するための側面からみた図である。
【図2】本発明の1実施例を説明するための上面からみた図である。
【図3】本発明の1実施例における気体を吹き出す部分を示す図である。
【図4】本発明の1実施例における天板の一例を示す図である。
【図5】本発明の別の実施例を説明するための側面からみた図である。
【図6】本発明の更に別の実施例を説明するための側面からみた図である。
【図7】本発明の1実施例を説明するための搬送機構の一部分を示す図である。
【図8】本発明の1実施例を説明するための搬送機構の一部分を示す図である。
【図9】本発明におけるディスク基板の温度上昇特性の一例を示す図である。
【図10】本発明におけるディスク基板の温度降下特性の一例を示す図である。
【図11】従来におけるディスク基板の温度上昇特性の一例を示す図である。
【図12】従来におけるディスク基板の温度降下特性の一例を示す図である。
【符号の説明】
1−熱処理室 2、3−側壁板
4、5−仕切り板 6−昇温部
7−定温保持部 8−冷却部
9−搬送機構 9a〜9c−搬送シャフト
10−ディスク基板 11a−昇温部6の吹き出し板
11b−昇温部6の排出板 12a−定温保持部7の吹き出し板
12b−定温保持部7の排出板 13a−冷却部8の吹き出し板
13b−冷却部8の排出板 S−スリット
H−孔 F1、F2、F3−ヘパフィルタ
15−搬送機構15の支承板 16a〜16c−ベアリング
17−吸着手段 18−ベ−ス手段
19−ガイドレール 20−直線駆動装置
21−取り付け手段 22−ラジアルベアリング
23−ボルト[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a heat treatment of a write-once optical disk having an organic dye film such as CD-R or DVD-R, and a disk substrate of a magneto-optical disk such as MO or MD.
[0002]
[Prior art]
In general, in a CD-R or DVD-R, a thin organic dye is formed by uniformly applying a liquid organic dye material onto a disk substrate formed by injection molding using a method such as spin coating. Is used as a rewritable recording film. The organic dye material before coating is liquefied by the solvent. Normally, after the organic dye solution is uniformly applied to the disk substrate, the solvent is completely removed to improve and stabilize the quality of the optical disk, It is often dried by heat treatment for stabilization.
[0003]
Conventionally, this heat treatment is performed by supplying high-temperature air or a gas such as nitrogen at a wind speed lower than 1 m / s, that is, a very gentle wind speed, to the heat treatment chamber, and sequentially transporting the heat treatment chamber through the entire surface of the disk substrate. Is raised to about 50 to 150 ° C. The intended purpose is achieved by holding this temperature for a predetermined time and performing heat treatment. The reason why high-temperature air or a gas such as nitrogen is allowed to flow into the heat treatment chamber at a wind speed smaller than 1 m / s is to make the temperature in the heat treatment chamber uniform, and 50 to 150 at a wind speed of 1 m / s or more. When a gas such as air or nitrogen having a temperature of about 0 ° C. is flowed into the heat treatment chamber, the temperature of the entire disk substrate becomes non-uniform.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, as a conventional heat treatment method for a disk substrate, a high-temperature air of about 50 to 150 ° C. or a gas such as nitrogen is flowed into the heat treatment chamber at a wind speed lower than 1 m / s. However, in this case, it takes a long time for the entire surface of the disk substrate to rise uniformly to the desired temperature, for example, about 15 minutes as shown in FIG. There is a drawback that the entire apparatus is increased in size and at the same time the apparatus cost is increased.
In order to solve such a conventional problem, the present invention comprises a heat treatment apparatus including a temperature raising part, a constant temperature holding part, and a cooling part, and the temperature raising part has a predetermined temperature in a short time, for example, 1 minute or less. The temperature of the disk substrate is increased to a constant temperature, and the constant temperature holding unit stably holds the disk substrate temperature for a predetermined heat treatment time, and the cooling unit reduces the temperature to a temperature below the lower limit temperature in a short time, for example, 1 minute or less, thereby The whole is downsized and heat treatment time is shortened.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve this problem, according to the first aspect of the present invention, in the disk substrate processing method, a gas having a temperature in a range from 50 ° C. to a temperature lower than the softening temperature of the disk substrate is applied at a wind speed of 1 to 10 m / s. The temperature of the disk substrate is increased by a rapid heating step in which the temperature of the disk substrate is rapidly increased and a temperature range from 50 ° C. to a temperature lower than the softening temperature of the disk substrate. Proposing a heat treatment method for a disk substrate comprising: a temperature holding step for holding; and a quenching step in which a gas having a temperature of about room temperature or less is blown onto the disk substrate at a wind speed of 1 to 10 m / s to rapidly reduce the temperature. It is.
According to the present invention, since the disk substrate can be raised to a predetermined temperature in a short time and lowered to room temperature in a short time, the heat treatment time can be greatly shortened.
[0006]
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
According to the second aspect, since the gas passes between the disk substrates at a high speed, the temperature of the disk substrate can be increased or decreased in a short time.
[0007]
In order to solve the above-mentioned problem, the invention of
According to the third aspect, since the disk substrate can be raised to a predetermined temperature in a short time and lowered to room temperature in a short time, the heat treatment time can be greatly shortened and the heat treatment apparatus can be downsized.
[0008]
The invention of
[0009]
According to a fifth aspect of the present invention, in order to solve the above problem, in the third or fourth aspect of the present invention, the constant temperature holding section is formed in an atmosphere in a temperature range from 50 ° C. to a temperature lower than the softening temperature of the disk substrate. The present invention proposes a heat treatment apparatus for a disk substrate that keeps the temperature of the disk substrate heated by the warming part substantially constant.
Since the interval between the transported disk substrates can be made smaller, the heat treatment apparatus can be made smaller.
[0010]
According to a sixth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, in any one of the third to fifth aspects, the cooling unit is configured to hold the gas at a temperature of about room temperature or less at a wind speed of 1 to 10 m / s. The present invention proposes a heat treatment apparatus for a disk substrate which sprays onto the disk substrate transferred from the disk and rapidly lowers the temperature of the disk substrate.
According to the sixth aspect, the length of the cooling unit can be shortened, and the heat treatment apparatus can be further downsized.
[0011]
According to a seventh aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, in any one of the third to sixth aspects, both or one of the temperature raising section and the cooling section has a longer length in the conveying direction of the disk substrate. A gas blowing hole made of a slit having a width shorter than the diameter of the disk substrate, and the gas blowing hole is formed on one of the four walls along the transport direction of the disk substrate. The present invention proposes a heat treatment apparatus for a disk substrate, which is disposed at a position facing the maximum diameter portion and has a gas discharge hole on the facing wall among the walls in which the gas blowing holes are formed.
Since the gas can be blown out uniformly and the gas can pass between the disk substrates at a high speed, it is possible to further shorten the time for raising and lowering the temperature of the disk substrate.
[0012]
According to an eighth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, in any one of the third to seventh aspects, the constant temperature holding portion is provided on one of the four walls along the conveying direction of the disk substrate. A gas supply unit comprising a large number of holes is provided, and a gas discharge unit is provided on the opposing wall of the walls where the gas supply unit is formed, and the size of the large number of holes is adjusted in the gas supply unit The present invention proposes a heat treatment apparatus for a disk substrate provided with gas adjusting means.
Since the amount of the supply gas can be adjusted, the constant temperature holding unit can be held at the set temperature more easily.
[0013]
According to a ninth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, in any one of the third to eighth aspects, the plurality of disk substrates are arranged in parallel so as to be parallel to each other at a predetermined interval. A heat treatment apparatus is proposed.
[0014]
In the invention of
According to the tenth aspect, the disk substrate can be transferred to the transfer shaft quietly and easily without giving an impact.
[0015]
In the invention of claim 11, in order to solve the above-mentioned problem, three regions partitioned by a shielding wall having a circular opening having a diameter larger than the diameter of the disk substrate, wherein the heated gas is A heat treatment chamber comprising: a temperature raising section for spraying the disk substrate to rapidly increase its temperature; a constant temperature holding section for retaining the elevated temperature of the disk substrate for a predetermined time; and a cooling section for rapidly lowering the temperature of the disk substrate; A transport mechanism that sequentially transports the plurality of disk substrates arranged in parallel to each other at a certain interval, and the transport mechanism is formed in a spiral shape at a constant pitch over a certain length or the entire length. Three or more transfer shafts having a groove formed therein, a driving device for rotating the transfer shafts, and a transfer system for rotating the transfer shafts. It is composed of a pair of support members that support both ends of the shaft, and a linear drive device is provided between the support member and the base member that supports the support member. Accordingly, the present invention proposes a heat treatment apparatus for a disk substrate in which the support member can move.
According to the eleventh aspect, the adverse effect on the disk substrate due to the thermal expansion of the transfer shaft can be eliminated.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A heat treatment apparatus for a disk substrate on which an organic dye film is formed as a recording film is composed of a temperature raising part, a constant temperature holding part, and a cooling part. In the temperature raising part, a gas having a temperature of about 50 to 150 ° C. is 1 to For example, as shown in FIG. 9, the disk substrate is heated to a predetermined temperature (for example, 80 ° C.) in a short time of about 60 seconds as shown in FIG. By equalizing the temperature and blowing a gas at a temperature of about 20-30 ° C. on the disk substrate at a wind speed of 1-10 m / s in the cooling section, the temperature is lowered to a room temperature of about 35 ° C. or less in a short time of 1 minute or less, As a result, the entire heat treatment apparatus is miniaturized and the heat treatment time is shortened.
[0017]
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a side view, and FIG. 2 is a top view. In these drawings, a
[0018]
Although details of the
[0019]
In such a heat treatment apparatus, as indicated by the arrows, hot air is blown from the blow holes formed in the
[0020]
The
[0021]
Next, the constant temperature holding unit 7 does not raise or lower the temperature of each
[0022]
Thus, the
[0023]
In the first embodiment described above, the interval between the
[0024]
FIG. 5, which shows a situation where the inside of the heat treatment chamber is viewed from the side, shows an embodiment using a
[0025]
Next, FIG. 6 showing a situation where the inside of the heat treatment chamber is viewed from the side is a
[0026]
In the
[0027]
Details of the
[0028]
The
[0029]
In such a heat treatment apparatus, the temperature of the conveying
[0030]
As mentioned above, both ends of each of the
[0031]
In the above embodiment, the transfer shaft is used as the transport mechanism, but it may be formed of other members such as a belt. Further, when the transfer shaft is used, the number is not limited to three and may be four or more. Furthermore, in any of the above embodiments, gas is supplied from the ceiling side and discharged from the lower side. However, the reverse may be possible, and a gas supply port and a discharge port may be provided in the lateral direction. In the above embodiment, the disk substrate of the write once type optical disk having an organic dye film such as CD-R or DVD-R has been described. However, the disk substrate of the optical disk substrate such as MO and MD depends on the stress after molding. Heat treatment is performed to reduce distortion and improve various characteristics, and the heat treatment method and apparatus according to the present invention can be used for this heat treatment.
[0032]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the heat treatment time of the disk substrate of a write-once optical disk having an organic dye film such as CD-R or DVD-R can be greatly shortened. Can be downsized. Furthermore, according to the invention of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side view for explaining one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a top view for explaining one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a portion for blowing out gas in one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing an example of a top plate according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a side view for explaining another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a side view for explaining still another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view showing a part of a transport mechanism for explaining one embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view showing a part of a transport mechanism for explaining an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram showing an example of temperature rise characteristics of a disk substrate in the present invention.
FIG. 10 is a diagram showing an example of temperature drop characteristics of a disk substrate in the present invention.
FIG. 11 is a diagram illustrating an example of a temperature rise characteristic of a conventional disk substrate.
FIG. 12 is a diagram showing an example of a temperature drop characteristic of a conventional disk substrate.
[Explanation of symbols]
1-
4, 5-partition plate 6-heating part
7-Constant temperature holding unit 8-Cooling unit
9-
10-
11b-discharge plate of
12b-discharge plate of constant temperature holding unit 7 13a-blowout plate of cooling
13b-discharge plate of cooling unit 8 S-slit
H-hole F1, F2, F3-hepa filter
15-Bearing plate of
17-Adsorption means 18-Base means
19-guide rail 20-linear drive
21-Mounting means 22-Radial bearing
23-bolt
Claims (11)
50℃から前記ディスク基板の軟化温度よりも低い範囲の温度の気体を1〜10m/sの風速で前記ディスク基板に吹き付けてこれらディスク基板の温度を急速に上昇させる急速昇温工程と、
50℃から前記ディスク基板の軟化温度よりも低い範囲の温度の領域で、前記ディスク基板の上昇した前記温度を所定の時間保持する温度保持工程と、
室温程度以下の温度の気体を1〜10m/sの風速で前記ディスク基板に吹き付けてその温度を急速に低下させる急冷工程と、
からなることを特徴とするディスク基板の熱処理方法。In the processing method of the disk substrate,
A rapid temperature raising step of rapidly raising the temperature of the disk substrate by blowing a gas having a temperature in a range from 50 ° C. to a temperature lower than the softening temperature of the disk substrate at a wind speed of 1 to 10 m / s;
A temperature holding step of holding the elevated temperature of the disk substrate for a predetermined time in a temperature range from 50 ° C. to a temperature lower than the softening temperature of the disk substrate;
A rapid cooling step in which a gas having a temperature of about room temperature or less is blown onto the disk substrate at a wind speed of 1 to 10 m / s to rapidly reduce the temperature;
A method for heat-treating a disk substrate, comprising:
前記急速昇温工程から前記急冷工程までの工程にわたり、前記ディスク基板の移送方向に対して前記ディスク基板がほぼ直角になるようある間隔で配置し、前記ディスク基板の移送方向に対してほぼ直角になる方向から前記それぞれの気体を吹きつけることを特徴とするディスク基板の熱処理方法。In claim 1,
In the process from the rapid heating step to the rapid cooling step, the disk substrate is disposed at a certain interval so as to be substantially perpendicular to the transfer direction of the disk substrate, and substantially perpendicular to the transfer direction of the disk substrate. A method for heat-treating a disk substrate, characterized in that each of the gases is blown from a direction.
加熱された気体を前記ディスク基板に吹き付けて急速にその温度を上昇させる昇温部と、
加熱された気体で前記ディスク基板の上昇した前記温度を所定時間保持する定温保持部と、
室温程度以下の温度の気体を前記ディスク基板に吹き付けることにより前記ディスク基板の温度を急速に低下させる冷却部とからなる熱処理室と、
前記複数のディスク基板をある間隔で互いに平行になるように並べた状態で順次搬送する搬送機構と、
を備えたことを特徴とするディスク基板の熱処理装置。Three regions partitioned by a partition plate having a circular opening having a diameter larger than the diameter of the disk substrate,
A temperature raising unit that blows a heated gas onto the disk substrate to rapidly increase its temperature,
A constant temperature holding unit that holds the temperature of the disk substrate raised by a heated gas for a predetermined time;
A heat treatment chamber comprising a cooling unit that rapidly lowers the temperature of the disk substrate by blowing a gas having a temperature of about room temperature or less to the disk substrate;
A transport mechanism for sequentially transporting the plurality of disk substrates in a state of being parallel to each other at a certain interval;
A heat treatment apparatus for a disk substrate, comprising:
前記昇温部は50℃から前記ディスク基板の軟化温度よりも低い範囲の温度の気体を1〜10m/sの風速で前記ディスク基板に吹き付けてこれらディスク基板の温度を急速に上昇させることを特徴とするディスク基板の熱処理装置。In claim 3,
The temperature raising unit blows a gas having a temperature in a range from 50 ° C. to a temperature lower than the softening temperature of the disk substrate at a wind speed of 1 to 10 m / s to rapidly increase the temperature of these disk substrates. A heat treatment apparatus for a disk substrate.
前記定温保持部は50℃から前記ディスク基板の軟化温度よりも低い範囲の温度の雰囲気中で、前記昇温部で昇温された前記ディスク基板の温度をほぼ一定に保持することを特徴とするディスク基板の熱処理装置。In claim 3 or claim 4,
The constant temperature holding unit holds the temperature of the disk substrate heated by the temperature raising unit in an atmosphere in a temperature range from 50 ° C. to a temperature lower than a softening temperature of the disk substrate. Heat treatment equipment for disk substrates.
前記冷却部は室温程度以下の温度の気体を1〜10m/sの風速で前記定温保持部から移送されて来る前記ディスク基板に吹き付けて、これらディスク基板の温度を急速に低下させることを特徴とするディスク基板の熱処理装置。In any one of Claim 3 thru | or 5,
The cooling unit sprays a gas having a temperature of about room temperature or less to the disk substrate transferred from the constant temperature holding unit at a wind speed of 1 to 10 m / s, and rapidly reduces the temperature of the disk substrate. Disk substrate heat treatment equipment.
前記昇温部と冷却部の双方又は一方は前記ディスク基板の搬送方向に長い長さとこれよりも短く、かつ前記ディスク基板の直径よりも小さい幅とを有するスリットからなる気体吹き出し穴を備え、
該気体吹き出し穴は前記ディスク基板の搬送方向に沿った四つの壁の一つにおける前記ディスク基板の最大径の部分に対向する位置に配置され、
前記気体吹き出し穴の形成された前記壁のうちの対向する壁に気体排出穴が備えられ、
たことを特徴とするディスク基板の熱処理装置。In any one of Claims 3 thru | or 6,
Both or one of the temperature raising part and the cooling part is provided with a gas blowing hole made of a slit having a length that is long in the conveying direction of the disk substrate, a width shorter than this, and a width smaller than the diameter of the disk substrate,
The gas blowing hole is disposed at a position facing the maximum diameter portion of the disk substrate in one of the four walls along the conveying direction of the disk substrate,
A gas discharge hole is provided in an opposite wall of the walls in which the gas blowing hole is formed,
A heat treatment apparatus for a disk substrate characterized by the above.
前記定温保持部は前記ディスク基板の搬送方向に沿った四つの壁の一つに設けられた多数の孔からなる気体供給部を備え、
前記気体供給部の形成された前記壁のうちの対向する壁に気体排出部が備えられ、
前記気体供給部にはその多数の孔の大きさを調整するための気体調整手段を
備えたことを特徴とするディスク基板の熱処理装置。In any one of Claims 3 thru | or 7,
The constant temperature holding unit includes a gas supply unit including a plurality of holes provided in one of four walls along the conveying direction of the disk substrate,
A gas discharge part is provided on the opposing wall among the walls in which the gas supply part is formed,
The disk substrate heat treatment apparatus, wherein the gas supply unit is provided with gas adjusting means for adjusting the size of the plurality of holes.
複数の前記ディスク基板は所定の間隔で互いに平行になるよう並べられて搬送されることを特徴とするディスク基板の熱処理装置。In any one of Claims 3 thru | or 8,
A disk substrate heat treatment apparatus, wherein a plurality of the disk substrates are arranged and transported in parallel with each other at a predetermined interval.
前記複数のディスク基板をある間隔で互いに平行になるように並べた状態で順次搬送する搬送機構と、
を備え、
前記搬送機構は、ある長さ又は長さ全体にわたって一定のピッチで螺旋状に形成された溝をもつ移送用シャフトを3本以上と、
これら移送用シャフトを回転させるための駆動装置と、
前記移送用シャフトが回転できるようにこれら移送用シャフトの両端をそれぞれ支承する一対の支承部材と、
からなり、
該支承部材は、3本以上の前記移送用シャフトに移載された前記ディスク基板の中央穴に対応する箇所が開いた空部になっていることを特徴とするディスク基板の熱処理装置。A temperature increase in which three regions are partitioned by a shielding wall having a circular opening having a diameter larger than the diameter of the disk substrate, and the temperature is rapidly increased by blowing heated gas onto the disk substrate. A heat treatment chamber comprising: a constant temperature holding unit that holds the elevated temperature of the disk substrate and the disk substrate for a predetermined time; and a cooling unit that rapidly reduces the temperature of the disk substrate;
A transport mechanism for sequentially transporting the plurality of disk substrates in a state of being parallel to each other at a certain interval;
With
The transport mechanism has three or more transfer shafts having a groove formed in a spiral shape at a constant pitch over a certain length or the entire length;
A driving device for rotating these transfer shafts;
A pair of support members for respectively supporting both ends of the transfer shaft so that the transfer shaft can rotate;
Consists of
The heat treatment apparatus for a disk substrate, wherein the support member is an empty portion where a portion corresponding to a central hole of the disk substrate transferred to three or more transfer shafts is opened.
前記複数のディスク基板をある間隔で互いに平行になるように並べた状態で順次搬送する搬送機構と、
を備え、
前記搬送機構は、ある長さ又は長さ全体にわたって一定のピッチで螺旋状に形成された溝をもつ移送用シャフトを3本以上と、
これら移送用シャフトを回転させるための駆動装置と、
前記移送用シャフトが回転できるようにこれら移送用シャフトの両端をそれぞれ支承する一対の支承部材と、
からなり、
前記支承部材とこれを支えるベ−ス部材との間には直線駆動装置が備えられており、
前記移送用シャフトの温度変化による伸縮に応じて前記支承部材が動けるようにしたことを特徴とするディスク基板の熱処理装置。A temperature increase in which three regions are partitioned by a shielding wall having a circular opening having a diameter larger than the diameter of the disk substrate, and the temperature is rapidly increased by blowing heated gas onto the disk substrate. A heat treatment chamber comprising: a constant temperature holding unit that holds the elevated temperature of the disk substrate and the disk substrate for a predetermined time; and a cooling unit that rapidly reduces the temperature of the disk substrate;
A transport mechanism for sequentially transporting the plurality of disk substrates in a state of being parallel to each other at a certain interval;
With
The transport mechanism has three or more transfer shafts having a groove formed in a spiral shape at a constant pitch over a certain length or the entire length;
A driving device for rotating these transfer shafts;
A pair of support members for respectively supporting both ends of the transfer shaft so that the transfer shaft can rotate;
Consists of
A linear drive device is provided between the support member and the base member that supports the support member,
The disk substrate heat treatment apparatus characterized in that the support member can move in accordance with expansion and contraction due to temperature change of the transfer shaft.
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